JP6407479B2 - 蒸着装置、蒸着方法及び有機el表示装置の製造方法 - Google Patents
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Description
また、本発明の蒸着方法は、開口部パターンが形成されるアクティブ領域を複数個有する蒸着マスクを周縁部で保持して水平方向に配置し、前記蒸着マスクの上面側に蒸着膜を形成する被蒸着基板を重ねて配置し、前記蒸着マスクの下方に蒸着源を配置し、前記蒸着源から蒸着材料を気化させて前記被蒸着基板に蒸着膜を形成する蒸着方法であって、前記アクティブ領域の各々の撓みh 0 と、前記アクティブ領域の各々の位置における前記蒸着マスクの周縁部からの距離xに応じて計算される、前記蒸着マスクの周縁部を支点とする撓みd x との和に相当する量d 3 (x)(=h 0 +d x )以上の押し込み量で、前記アクティブ領域の各々の中心部の鉛直方向で、前記被蒸着基板の上面の位置から前記被蒸着基板を押し込むことを特徴とする。
また、本発明の蒸着装置は、蒸着マスクを載置するマスクホルダーと、被蒸着基板を保持できるように設けられる基板ホルダーと、前記基板ホルダーにより保持される被蒸着基板上に接して設けられるタッチプレートと、前記マスクホルダーに載置される蒸着マスクの前記基板ホルダーと反対側に設けられ、蒸着材料を気化させる蒸着源と、前記被蒸着基板の上面を押圧する押圧装置とを有し、前記押圧装置が、前記蒸着マスクの撓みの中心部の鉛直線上で前記基板ホルダーにより保持される被蒸着基板の上面の位置で押圧し得るように設けられてなり、前記蒸着マスクが、開口部パターンが形成されるアクティブ領域を複数個有し、前記押圧装置が、前記アクティブ領域のそれぞれの撓みの中心部の鉛直線上で所定の量以上だけ押し下げるように形成されてなることを特徴とする。
ここでL1={d0 2+(L0/2)2}1/2・・・・・・(1)
である。すなわち、図2Aに示されるように、単純に蒸着マスク1が蒸着マスク1の周縁部を支点とする撓みだけの場合は、蒸着マスク1の撓み量d0だけ被蒸着基板2を押し込むことにより、蒸着マスク1の撓み後の蒸着マスク1の長さと被蒸着基板2の押し込み後の長さとがほぼ等しくなる。なお、図1Aでは撓みを誇張して示されているが、実際の撓みd0は、例えば700mm×450mmの蒸着マスクで、100μm程度である。
r/(L1/2)=L1/d0 ∴r=L1 2/(2d0)・・・・・・(2)
となる。なお、L1は式(1)より求まる。しかし、後述される熱膨張による伸びや、アクティブ領域14(図3A参照)による影響を考慮する場合は、L1やd0が変る。一般的には撓みの深さはdとなる。従って、後述される図1Bに示される撓みがdのときは、L1も後述されるように異なるが、押圧具30の被蒸着基板2と当接する面は、このdと、そのときのL1とにより求まる曲率半径rの球面にすることが好ましい。
L2=L1+αtL1={d0 2+(L0/2)2}1/2+αtL1・・・(3)
となる。従って、そのときの撓み量d2は、
d2=[{L1+αtL1}2−(L0/2)2]1/2
となる。すなわち、このd2分だけ押し込めば、将来の熱膨張による蒸着マスク1の伸びに対しても、補償することができる。この場合、蒸着マスク1の温度が上昇する前にこのd2の押し込みをすることにより、蒸着マスク1が押されて変形する(伸ばされる)が、その分蒸着マスク1が歪みを持っているため、その後に温度上昇して蒸着マスク1が伸びると、その熱膨張による伸びで、蒸着マスク1の歪みが解消し、丁度熱膨張による蒸着マスク1の伸びと、被蒸着基板2のd2の押し込み量とが整合し、被蒸着基板2と蒸着マスク1とが密着する。この熱膨張率による伸びも、蒸着マスク1の蒸着中の温度上昇が1℃程度であれば、1μmにも満たないが、温度が上昇する場合を考えると、このd2の効果も顕著になる。d2の押し込み量と蒸着マスク1の熱膨張による伸びとが整合し、被蒸着基板2と蒸着マスク1とが密着する。
s1={h0 2+(s0/2)2}1/2
となる。従って、アクティブ領域14の長さの変化量Δsは、
Δs=2(s1−s0/2)=2{h0 2+(s0/2)2}1/2−s0・・・(4)
となる。このアクティブ領域14の長さの変化を相殺するために被蒸着基板をどのように押すかについては、2通りの方法が考えられる。
L3=L1+(n/2)Δs・・・・・・(5)
となる。なお、L1は式(1)により求まる。従って、図3Eより被蒸着基板2の押し込み量d1は、
d1={L3 2−(L0/2)2}1/2
となる。逆に言えば、蒸着マスク1の周縁部を支点とする撓みの中心部の鉛直線上の被蒸着基板2の上面で、d1の寸法だけ被蒸着基板2を押し込むことにより、被蒸着基板2と蒸着マスク1とが密着する。以上の説明では、熱膨張の影響を考慮していないが、熱膨張を考慮する場合は、前述の式(5)でL1に代えて式(3)のL2を用いればよい。
d3(x)=2d0x/L0+h0
で押し込むことによっても、被蒸着基板2と蒸着マスク1とを密着させることができる。
2 被蒸着基板
3 押圧装置
5 蒸着源
12 フレーム
13 金属層
14 アクティブ領域
15 マスクホルダー
21 装置基板
22 第1電極
23 絶縁バンク
25 積層膜
26 第2電極
27 保護膜
29 基板ホルダー
30 押圧具
31 球体
32 球欠体
32a 脚部
33 凸部付き球欠体
33a 脚部
33b 球欠部
33c 凸部
41 タッチプレート
42 支持フレーム
Claims (7)
- 開口部パターンが形成されるアクティブ領域を複数個有する蒸着マスクを周縁部で保持して水平方向に配置し、前記蒸着マスクの上面側に蒸着膜を形成する被蒸着基板を重ねて配置し、前記蒸着マスクの下方に蒸着源を配置し、前記蒸着源から蒸着材料を気化させて前記被蒸着基板に蒸着膜を形成する蒸着方法であって、
前記蒸着マスクの撓みの中心部の鉛直方向で、前記被蒸着基板の上面の位置から、前記周縁部を支点とする撓みの量に、前記アクティブ領域の各々の撓みの量の合計を加えた量以上の押し込みを、押圧具により行いながら蒸着をする蒸着方法。 - 開口部パターンが形成されるアクティブ領域を複数個有する蒸着マスクを周縁部で保持して水平方向に配置し、前記蒸着マスクの上面側に蒸着膜を形成する被蒸着基板を重ねて配置し、前記蒸着マスクの下方に蒸着源を配置し、前記蒸着源から蒸着材料を気化させて前記被蒸着基板に蒸着膜を形成する蒸着方法であって、
前記アクティブ領域の各々の撓みh0と、前記アクティブ領域の各々の位置における前記蒸着マスクの周縁部からの距離xに応じて計算される、前記蒸着マスクの周縁部を支点とする撓みdxとの和に相当する量d3(x)(=h0+dx)以上の押し込み量で、前記アクティブ領域の各々の中心部の鉛直方向で、前記被蒸着基板の上面の位置から前記被蒸着基板を押し込む蒸着方法。 - 前記押し込み量を押し込む押圧具は、先端部が前記アクティブ領域の撓みの形状に合せた球面に形成されている請求項2に記載の蒸着方法。
- 蒸着マスクを載置するマスクホルダーと、被蒸着基板を保持できるように設けられる基板ホルダーと、前記基板ホルダーにより保持される被蒸着基板上に接して設けられるタッチプレートと、前記マスクホルダーに載置される蒸着マスクの前記基板ホルダーと反対側に設けられ、蒸着材料を気化させる蒸着源と、前記被蒸着基板の上面を押圧する押圧装置とを有し、
前記押圧装置が、前記蒸着マスクの撓みの中心部の鉛直線上で前記基板ホルダーにより保持される被蒸着基板の上面の位置で押圧し得るように設けられてなり、
前記押圧装置が、前記蒸着マスクの周縁部を支点とする撓みの中心部の鉛直線上で前記被蒸着基板の上面を押圧するように形成され、かつ、前記蒸着マスクの周縁部を支点とする撓みの深さ、又はそれを超える量の押し込み量になるように形成されており、
前記蒸着マスクの撓みの深さ、又はそれを超える押し込み量は、前記蒸着マスクの周縁部である支点及び前記蒸着マスクの撓みの中心部を結ぶ弧の長さと、前記支点の位置に接する前記被蒸着基板の前記蒸着マスク側の位置、及び前記撓みの中心部の鉛直線と交わる前記被蒸着基板の前記蒸着マスク側の面の位置を結ぶ前記被蒸着基板の弧の長さとをほぼ等しくなる量以上となるようにする押し込み量であって、
前記蒸着マスクが、開口部パターンが形成されるアクティブ領域を複数個有し、前記アクティブ領域の各々の撓みによる前記アクティブ領域の弧の長さの変化量を、前記周縁部を支点とする撓みのときの前記蒸着マスクの弧の長さに加えた値を前記蒸着マスクの弧の長さ以上とする、蒸着装置。 - 蒸着マスクを載置するマスクホルダーと、被蒸着基板を保持できるように設けられる基板ホルダーと、前記基板ホルダーにより保持される被蒸着基板上に接して設けられるタッチプレートと、前記マスクホルダーに載置される蒸着マスクの前記基板ホルダーと反対側に設けられ、蒸着材料を気化させる蒸着源と、前記被蒸着基板の上面を押圧する押圧装置とを有し、
前記押圧装置が、前記蒸着マスクの撓みの中心部の鉛直線上で前記基板ホルダーにより保持される被蒸着基板の上面の位置で押圧し得るように設けられてなり、
前記蒸着マスクが、開口部パターンが形成されるアクティブ領域を複数個有し、前記押圧装置が、前記アクティブ領域のそれぞれの撓みの中心部の鉛直線上で所定の量以上だけ押し下げるように形成されてなる、蒸着装置。 - 前記所定の量が、前記アクティブ領域の各々の撓みh0と、前記アクティブ領域の各々の位置における前記蒸着マスクの周縁部からの距離xに応じて計算される、前記蒸着マスクの周縁部を支点とする撓みdxとの和に相当する量d3(x)(=h0+dx)である請求項5に記載の蒸着装置。
- 装置基板上に有機層を積層して有機EL表示装置を製造する方法であって、
支持基板上にTFTおよび第1電極を少なくとも形成した前記装置基板上に請求項1〜3のいずれか1項に記載の蒸着方法を用いて前記第1電極上に有機材料を蒸着することで有機層の積層膜を形成し、前記積層膜上に第2電極を形成することを含む有機EL表示装置の製造方法。
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