JP6399889B2 - 反射光学素子 - Google Patents
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Description
-光学有効面、
-素子基板、
-反射層系、及び
-少なくとも一つの変形抑制層
を備え、
前記変形抑制層は、変形抑制層の無い類似の構成と比較して、前記光学有効面が電磁照射を受けた場合の前記反射層系の最大変形レベルを低減させることを特徴とするものである。
Claims (21)
- 光学有効面を有する反射光学素子であって、
素子基板と、
反射層系と、
少なくとも一つの変形抑制層であって、変形抑制層の無い類似の反射光学素子の構成と比較して、前記光学有効面が電磁照射を受けた場合の前記反射層系の最大変形レベルを低減させる、少なくとも一つの変形抑制層と、
前記反射層系と前記変形抑制層との間に配置され、前記反射層系へ表面粗さが移行しないように構成された中間層と
を備え、
前記反射層系は、第1熱膨張係数を有する第1材料からなる少なくとも一つの層を含み、前記少なくとも一つの変形抑制層は、第2熱膨張係数を有する第2材料を含み、前記第1熱膨張係数及び前記第2熱膨張係数は、符号が逆であることを特徴とする、反射光学素子。 - 前記第1材料は、ジルコニウム(Zr)、イットリウム(Y)、モリブデン(Mo)、ニオブ(Nb)、シリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)、ロジウム(Rh)、ルテニウム(Ru)、二酸化ルテニウム(RuO2)、及びルテニウム?シリコン(RuSi)の少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項1に記載の反射光学素子。
- 前記第2材料は、ZrMo2O8、ZrW2O8、HfMo2O8、HfW2O8、Zr2(MoO4)3、Zr2(WO4)3及び BiNiO3を含むグループから選択されることを特徴とする、請求項1又は2に記載の反射光学素子。
- 前記中間層は、石英及びシリコン(Si)の少なくとも一方を含むことを特徴とする、請求項1から3の何れか一項に記載の反射光学素子。
- 前記中間層は、未加工であることを特徴とする、請求項1から4の何れか一項に記載の反射光学素子。
- 前記中間層は、機械的工程又はイオンビーム形状修正によって加工されたことを特徴とする、請求項1から4の何れか一項に記載の反射光学素子。
- 動作波長30nm未満で使用されるように設計されたことを特徴とする、請求項1から6のいずれか一項に記載の反射光学素子。
- 前記反射光学素子は、マイクロリソグラフィー投影露光装置用のミラー又はマスク検査装置用のミラーとして構成されたことを特徴とする、請求項1から7のいずれか一項に記載の反射光学素子。
- 前記反射光学素子は、マイクロリソグラフィー投影露光装置用のレチクルとして構成されたことを特徴とする、請求項1から7のいずれか一項に記載の反射光学素子。
- マイクロリソグラフィー投影露光装置の光学系であって、前記マイクロリソグラフィー投影露光装置の光学系の照明装置又は投影レンズに設定される請求項1から9のいずれか一項に記載の少なくとも1つの反射光学素子を備える光学系。
- マスク検査装置の光学系であって、前記マスク検査装置の光学系の照明装置又は検査レンズに設定される請求項1から9のいずれか一項に記載の少なくとも1つの反射光学素子を備える光学系。
- 照明装置及び投影レンズを備えるマイクロリソグラフィー投影露光装置であって、前記照明装置または前記投影レンズに設定される請求項1から9のいずれか一項に記載の反射光学素子を備えるマイクロリソグラフィー投影露光装置。
- 照明装置及び検査レンズを備えるマスク検査装置であって、前記照明装置または前記検査レンズに設定される請求項1から9のいずれか一項に記載の反射光学素子を備えるマスク検査装置。
- 光学有効面を有する反射光学素子であって、
素子基板と、
反射層系と、
少なくとも一つの変形抑制層であって、変形抑制層の無い類似の反射光学素子の構成と比較して、前記光学有効面が電磁照射を受けた場合の前記反射層系の最大変形レベルを低減させる、少なくとも一つの変形抑制層と、
前記反射層系と前記変形抑制層との間に配置され、前記反射層系へ表面粗さが移行しないように構成された中間層と
を備え、
所定の温度変化で前記光学有効面を加熱したことによる前記反射層系及び前記変形抑制層を備える配列の有効体積変化DVeffは、かかる加熱により反射層系自体に生じる体積変化V1の最大90%であることを特徴とする、反射光学素子。 - 前記配列の前記有効体積変化DVeffは、前記光学有効面を少なくとも1Kの温度変化で加熱した場合の体積変化V1の最大90%である、請求項14に記載の反射光学素子。
- 光学有効面を有する反射光学素子であって、
素子基板と、
反射層系と、
少なくとも一つの変形抑制層であって、変形抑制層の無い類似の反射光学素子の構成と比較して、前記光学有効面が電磁照射を受けた場合の前記反射層系の最大変形レベルを低減させる、少なくとも一つの変形抑制層と
を備え、
前記少なくとも1つの変形抑制層は、前記素子基板に面する方向に熱分散層を有し、該熱分散層は前記素子基板のみと比較して熱伝導率が高いことを特徴とする反射光学素子。 - 前記熱分散層は、熱伝導率が少なくとも100 W/mKであることを特徴とする、請求項16に記載の反射光学素子。
- 前記熱分散層は、グラファイト、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)及びZrW2O8を含むグループから選択される少なくとも1つの材料を含むことを特徴とする、請求項16又は17に記載の反射光学素子。
- 前記素子基板が加熱されることを遅延させるための遮熱層が、前記素子基板と、前記反射層系又は前記変形抑制層との間に配置されていることを特徴とする、請求項16から18のいずれか一項に記載の反射光学素子。
- 前記遮熱層は石英を含むことを特徴とする、請求項19に記載の反射光学素子。
- 前記反射層系と前記変形抑制層との間に配置され、前記反射層系へ表面粗さが移行しないように構成された中間層をさらに備える、請求項16から20のいずれか一項に記載の反射光学素子。
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WO2022096171A1 (en) | Heating an optical element of a microlithographic projection exposure apparatus |
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