JP6398408B2 - 赤外線検出素子 - Google Patents
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Description
上記第1および上記第2の量子ドット層のうち、一つの量子ドット層の量子ドットにn型不純物がドーピングされている。
本発明の第1の実施形態に係る赤外線検出素子について、説明する。図1(b)を参照して、本発明の第1の実施形態に係る赤外線検出装置の構成について説明する。ここで、図1(b)は、本発明の第1の実施形態に係る赤外線検出素子が適用される赤外線検出装置の断面図である。
図4を参照して、第1の実施形態の動作原理について説明する。図4(a)および図4(b)は、図2の(i)線に沿った方向におけるエネルギーバンド図を、異なる符号の印加バイアス下における状態を示したものである。図で紙面右方向が図1(b)の上側、つまり上部電極側に相当する。図4(a)は、上部電極が下部電極よりも電位が低い、すなわち電子にとっては上部電極側が下部電極側よりもポテンシャルが高くなるようにバイアスが印加されている。以降、これを負バイアスと呼ぶ。図4(b)は図4(a)と印加バイアスの符号が逆、つまり正バイアスでのエネルギーバンド図を示す。
次に、図1(b)を参照して、本発明の第1の実施形態に係る赤外線検出装置の製造方法について説明する。
続いて図5と図6を参照して、本発明の第2の実施形態に係る赤外線検出素子について、説明する。ここで、図5は、本発明の第2の実施形態に係る赤外線検出素子の断面構造図を示す。
102 緩衝層
103 下部コンタクト層
104 i型の中間層
105 第1の量子ドット層
106 障壁層
107 第2の量子ドット層
108 上部コンタクト層
109 下部電極
110 上部電極
111 光吸収層
112 入射赤外線
201 第1の量子ドット
202 第1の埋め込み層
203 第2の量子ドット
204 第2の埋め込み層
301 第1の量子ドット201の基底準位(状態)
302 第2の量子ドット203の基底準位(状態)
303 励起準位
304 電子
701 中間層
702 量子井戸層
703 量子ドット
Claims (9)
- 第1の量子ドット層、および障壁層を介して前記第1の量子ドット層に隣接する第2の量子ドット層を光吸収層が備え、
前記第1および前記第2の量子ドット層は、量子ドットと埋め込み層を有し、
前記第1および前記第2の量子ドット層のうち、伝導帯の基底準位エネルギーが高い量子ドット層の量子ドットにn型不純物がドーピングされ、
前記障壁層の伝導帯端のエネルギーは、前記第1および前記第2の量子ドット層の前記埋め込み層の伝導帯端のエネルギーよりも低い、赤外線検出素子。 - 前記第1および前記第2の量子ドット層のうち、n型不純物がドーピングされている前記量子ドット層の前記量子ドットは、それ以外の量子ドット層の量子ドットより基底準位のエネルギーが高い、請求項1に記載の赤外線検出素子。
- 前記光吸収層はバイアス電圧が印加されるものであり、
前記n型不純物がドーピングされている量子ドット層の前記量子ドットは、前記バイアス電圧を印加しない条件下で、前記第1および前記第2の量子ドット層のうちで基底準位のエネルギーが高い、請求項1または請求項2に記載の赤外線検出素子。 - 前記n型不純物のドーピング量は、前記量子ドット層に含まれる量子ドット数の1倍から3倍の範囲内である、請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の赤外線検出素子。
- 前記第1および前記第2の量子ドット層に含まれる量子ドットはお互いに、材料組成または高さのうち少なくとも一方が異なる、請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の赤外線検出素子。
- 前記第1および前記第2の量子ドット層に含まれる量子ドットはお互いに、材料組成または平面サイズのうち少なくとも一方が異なる、請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の赤外線検出素子。
- 前記障壁層の厚さは、前記第1および前記第2の量子ドット層の高さと同程度かそれ以下である、請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の赤外線検出素子。
- 前記第1および前記第2の量子ドット層の量子ドットはInAsまたはInGaAsから構成され、前記障壁層はGaAsまたはInGaAs、InAlGaAs、AlGaAsのいずれかから構成される、請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の赤外線検出素子。
- 半導体基板と、前記半導体基板の上方に形成され、請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の光吸収層を備える赤外線検出素子と、前記光吸収層にバイアス電圧を印加する一対の電極とを、有する赤外線検出装置。
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