JP6398243B2 - パワーモジュール用基板の製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 100
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 33
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 102
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 66
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 65
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 39
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 29
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 29
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 28
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 18
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 15
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 13
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 12
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 5
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 5
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018134 Al-Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018131 Al-Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018459 Al—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018467 Al—Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018461 Al—Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017945 Cu—Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical class O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- Structure Of Printed Boards (AREA)
Description
この場合、特許文献2では、フッ硝酸を用いてエッチング処理を施すことにより、ガラス化された熱変性層を除去することが提案されており、このように熱変性層を除去することにより、熱変性層に生じた微小なクラックを起点とするセラミックス基板の割れの発生を抑制できることが記載されている。
レーザ加工によりスクライブラインを形成するパワーモジュール用基板の製造方法では、特許文献2に記載されるように、レーザ光の熱によってガラス化された熱変性層が形成される。この点、特許文献2では、ガラス化された熱変性層がフッ硝酸によるエッチング処理により除去可能であることが記載されているが、セラミックス母材と金属層とのろう付け接合前にセラミックス母材をフッ硝酸によりエッチング処理をした場合は、セラミックス母材にフッ素が残存することで、パワーモジュールの冷熱サイクル負荷時にセラミックス基板と金属層との剥離を生じさせ、接合信頼性を低下させることがわかった。
一方で、セラミックス母材と金属層(回路層)とをろう付け接合した後にエッチング処理をした場合には、熱変性層が完全に除去しきれないことがわかった。この場合においてパワーモジュール用基板に無電解メッキ処理を行うと、残存する熱変性層にメッキが付着することがあり、その付着したメッキによって絶縁距離が短縮されることにより、放電が誘発され、耐電圧性を低下させていることがわかった。
したがって、本発明のパワーモジュール用基板の製造方法においては、以下の方法により問題を解決した。
したがって、パワーモジュール用基板に無電解メッキ処理を行った際に、セラミックス基板の端縁にメッキが付着することを回避することができるので、良好な絶縁性能を確保することができる。
なお、セラミックス母材と金属板とのろう付け接合後にセラミックス母材のスクライブラインに形成された熱変性層を除去しようとする場合には、熱変性層を完全に除去することが難しくなる。この場合、スクライブラインに形成された熱変性層の一部が、セラミックス母材と金属板とのろう付け接合の際に、高温に曝されることにより、より安定な酸化物へと変化し、処理液へ溶解しにくくなることが要因であると考えられる。
アルミニウム用エッチング液に、塩化鉄、塩化銅又は水酸化ナトリウムを主成分とする水溶液を用いることで、スクライブラインに形成された熱変性層を容易に除去することができる。
図2は、本発明のパワーモジュール用基板の製造方法により製造されるパワーモジュール用基板3を用いたパワーモジュール1を示している。
このパワーモジュール1は、パワーモジュール用基板3と、パワーモジュール用基板3の表面に搭載された半導体チップ等の電子部品4と、裏面に取り付けられたヒートシンク5とを備えている。
(レーザ加工工程)
まず、図3(a)に示すように、板状のセラミックス母材20の表面にスクライブライン21を形成する。この図3(a)に示すように、スクライブライン21は、レーザ光Lを照射することにより、セラミックス母材20の表面を切削加工して形成される。この際、スクライブライン21上には、レーザ光の熱によってガラス化された熱変性層22が形成される。この熱変性層22は、アモルファス状のアルミニウム酸化物やアルミニウムの遊離物等が混在して形成されたものであり、深さ1μm〜40μm程度に形成されている。
なお、レーザ加工工程では、例えばCO2レーザ、YAGレーザ、YVO4レーザ、YLFレーザ等を使用してスクライブライン21の加工を行うことができる。
次に、図示は省略するが、スクライブライン21が形成されたセラミックス母材20を、アルミニウム用エッチング液に浸漬させることにより洗浄する。アルミニウム用エッチング液は、塩化鉄、塩化銅又は水酸化ナトリウムを主成分とする水溶液とされ、種々の添加剤が添加されるものを用いることもできる。なお、アルミニウム用エッチング液は、回路層6及び金属層7を純アルミニウム又はアルミニウム合金で形成する場合、後述するエッチング工程で用いられるエッチング液と同じものを用いることができる。
そして、セラミックス母材20をアルミニウム用エッチング液に浸漬させることで、図3(b)に示すように、セラミックス母材20のスクライブライン21上に形成された熱変性層22が除去される。この際のアルミニウム用エッチング液の温度や浸漬時間は、深さ1μm〜40μm程度の熱変性層22が除去される条件に設定される。
そして、図3(c)に示すように、洗浄工程後のセラミックス母材20に回路層6及び金属層7となる金属板60,70をろう付け接合する。具体的には、セラミックス母材20の両面に、それぞれろう材箔を介在させて金属板60,70を積層し、これらの積層体を加圧した状態のまま真空中で加熱することにより、セラミックス母材20と金属板60,70とをろう付け接合した接合体30を形成する。
次に、接合体30のセラミックス母材20に接合された金属板60,70をエッチングすることにより、回路層6及び金属層7のパターンを形成する。これにより、図3(d)に示すように、セラミックス母材20には、スクライブライン21により区画された各領域に回路層6及び金属層7が設けられる。
そして、ダイシング装置や基板分割装置等の切断手段により、セラミックス母材20をスクライブライン21に沿って分割することで、図3(e)に示すように、セラミックス母材20が個片化され、複数のパワーモジュール用基板3が製造される。
最後に、図示は省略するが、各パワーモジュール用基板3に金メッキ、銀メッキ、ニッケルメッキ等の無電解メッキ処理を施すことにより、回路層6及び金属層7に無電解メッキが形成されたパワーモジュール用基板3を製造することができる。
したがって、パワーモジュール用基板3に無電解メッキ処理を行った際に、セラミックス基板2の端縁(スクライブライン21であったところ)にメッキが付着することを回避することができ、良好な絶縁性能を確保することができる。
第1実施形態のパワーモジュール用基板の製造方法(図1参照)では、セラミックス母材20の分割工程の前に洗浄工程を設けることとしていたが、第2実施形態のパワーモジュール用基板の製造方法(図2参照)では、セラミックス母材20をスクライブライン21に沿って分割する分割工程の後に、洗浄工程や金属板60,70の接合工程を設けることとしている。なお、第2実施形態においては、第1実施形態のものと同様の構成については、同一符号を付して詳しい説明を省略する。
最後に、各パワーモジュール用基板3に無電解メッキを施すことにより、回路層6及び金属層7に無電解メッキが形成されたパワーモジュール用基板3を製造することができる。
本発明例及び比較例として、厚み0.635mmのAlNからなるセラミックス基板2に、厚み0.6mmの4N‐Alからなる回路層6と、厚み0.6mmの4N‐Alからなる金属層7とを、Al‐Si系のろう材により接合したパワーモジュール用基板3の試料を作製した。
本発明例及び比較例の試料は、波長10μmのCO2レーザを用いて深さ100μmのスクライブライン21(なお、熱変性層の厚さは30μmであった)を形成したセラミックス母材に、いずれも回路層6となる金属板60及び金属層7となる金属板70のろう付け接合前の段階で、表1に示す主成分の水溶液からなる洗浄液に浸漬させることにより洗浄を行った。各試料の洗浄条件を、表1に示す。
なお、比較例2の試料に関しては、セラミックス母材20の洗浄を行わなかったため、表1の「洗浄液」及び「洗浄条件」の欄を「−」で示した。
表1に結果を示す。
例えば、上記実施形態においては、パワーモジュール用基板として、図2に示すように、セラミックス基板2に回路層6及び金属層7が積層されたものについて説明を行ったが、これに限定されるものではない。本発明のパワーモジュール用基板の製造方法は、セラミックス基板と回路層からなるパワーモジュール用基板にも適用可能であるし、図6に示すように、回路層6Aが銅板61とアルミニウム板62とを接合した積層回路層6Aで形成されるパワーモジュール用基板3A等の種々の構成において適用可能である。
2 セラミックス基板
3,3A パワーモジュール用基板
4 電子部品
5 ヒートシンク
6,6A 回路層
7 金属層
20 セラミックス母材
21 スクライブライン
22 熱変性層
60,70 金属板
61 銅板
62 アルミニウム板
Claims (3)
- アルミニウムを含むセラミックス材料により形成されたセラミックス母材に形成されたスクライブラインに沿って該セラミックス母材を複数のセラミックス基板に分割して、該セラミックス基板に金属層が積層されたパワーモジュール用基板を複数製造する方法であって、
前記セラミックス母材にレーザ光を照射して前記スクライブラインを形成するレーザ加工工程と、
前記スクライブラインが形成された前記セラミックス母材をアルミニウム用エッチング液で洗浄する洗浄工程と、
前記洗浄工程後の前記セラミックス母材に前記金属層を形成する金属板をろう付け接合する接合工程と、
前記セラミックス母材に接合された金属板をエッチングすることによりパターンを形成するエッチング工程と、
前記エッチング工程後に前記セラミックス母材を前記スクライブラインに沿って分割する分割工程と、
前記分割工程後に前記金属層に無電解メッキを施すメッキ工程と
を備えることを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。 - アルミニウムを含むセラミックス材料により形成されたセラミックス母材に形成されたスクライブラインに沿って該セラミックス母材を複数のセラミックス基板に分割して、該セラミックス基板に金属層が積層されたパワーモジュール用基板を複数製造する方法であって、
前記セラミックス母材にレーザ光を照射して前記スクライブラインを形成するレーザ加工工程と、
前記スクライブラインが形成された前記セラミックス母材を該スクライブラインに沿って分割して複数の前記セラミックス基板を形成する分割工程と、
分割された前記セラミックス基板をアルミニウム用エッチング液で洗浄する洗浄工程と、
前記洗浄工程後の前記セラミックス基板に金属板をろう付け接合して金属層を形成する接合工程と、
前記接合工程後に前記金属層に無電解メッキを施すメッキ工程と
を備えることを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。 - 前記アルミニウム用エッチング液は、塩化鉄、塩化銅又は水酸化ナトリウムを主成分とする水溶液とされることを特徴とする請求項1又は2に記載のパワーモジュール用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014058976A JP6398243B2 (ja) | 2014-03-20 | 2014-03-20 | パワーモジュール用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014058976A JP6398243B2 (ja) | 2014-03-20 | 2014-03-20 | パワーモジュール用基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015185606A JP2015185606A (ja) | 2015-10-22 |
JP6398243B2 true JP6398243B2 (ja) | 2018-10-03 |
Family
ID=54351849
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014058976A Active JP6398243B2 (ja) | 2014-03-20 | 2014-03-20 | パワーモジュール用基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6398243B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6853455B2 (ja) * | 2017-02-23 | 2021-03-31 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板の製造方法 |
JP7047493B2 (ja) * | 2017-03-16 | 2022-04-05 | 三菱マテリアル株式会社 | セラミックス基板の製造方法及び回路基板の製造方法 |
JP6915331B2 (ja) | 2017-03-22 | 2021-08-04 | 株式会社アイシン | 車両用開閉体制御装置 |
JP2019009333A (ja) * | 2017-06-27 | 2019-01-17 | 三菱マテリアル株式会社 | セラミックス−金属接合体の製造方法、セラミックス回路基板の製造方法及びセラミックス−金属接合体 |
JP7020137B2 (ja) * | 2018-01-24 | 2022-02-16 | 三菱マテリアル株式会社 | セラミックス-金属接合体の製造方法、製造装置及びセラミックス-金属接合体 |
JP6939596B2 (ja) | 2018-01-24 | 2021-09-22 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板の製造方法及びセラミックス‐銅接合体 |
JP7147232B2 (ja) | 2018-04-09 | 2022-10-05 | 三菱マテリアル株式会社 | セラミックス-金属接合体の製造方法、多数個取り用セラミックス-金属接合体の製造方法、セラミックス-金属接合体及び多数個取り用セラミックス-金属接合体 |
CN115460798B (zh) * | 2022-11-11 | 2023-01-24 | 四川富乐华半导体科技有限公司 | 一种陶瓷基板的填孔方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05213684A (ja) * | 1991-09-12 | 1993-08-24 | Fujitsu Ltd | 窒化アルミニュウムのエッチング加工方法 |
JP2734839B2 (ja) * | 1991-10-09 | 1998-04-02 | シャープ株式会社 | アルミニウム用エッチング液およびエッチング方法並びにアルミニウムエッチング製品 |
JP2000086367A (ja) * | 1998-09-14 | 2000-03-28 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 接合体及びそれを用いた回路基板 |
JP4663899B2 (ja) * | 2001-04-11 | 2011-04-06 | 電気化学工業株式会社 | 回路基板の製造方法 |
JP5050549B2 (ja) * | 2007-02-08 | 2012-10-17 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板の製造方法 |
-
2014
- 2014-03-20 JP JP2014058976A patent/JP6398243B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015185606A (ja) | 2015-10-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160929 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170620 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170801 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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