JP6395164B1 - 電力変換装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】簡易な構成で、確実に過電流を遮断する。
【解決手段】電力変換モジュール100を備えた電力変換装置であって、電力変換モジュール100は、リードフレーム13と、リードフレーム13上に設けられた半導体素子14と、リードフレーム13と半導体素子14との間を接続する配線部材15と、リードフレーム13と半導体素子14と配線部材15を封止するモールド樹脂20とを有し、配線部材15にヒューズ部16を設け、ヒューズ部16の上側のエリアR2に設けられたモールド樹脂20の厚さを、ヒューズ部16の下側のエリアR1よりも薄くする。
【選択図】図3

Description

この発明は電力変換装置に関し、特に、構成部品が短絡故障した際の短絡電流を遮断する機能を有する電力変換装置に関するものである。
自動車業界において、ハイブリッド自動車および電気自動車のように、モータを用いて駆動する車両が近年さかんに開発されている。そのような車両は、モータ駆動用インバータ装置を有している。モータ駆動用インバータ装置は、バッテリを電源として、モータの駆動回路に高電圧の駆動電力を供給する。一般的に、モータ駆動用インバータ装置には、樹脂封止型の電力用半導体装置が用いられている。パワーエレクトロニクスの分野において、樹脂封止型の半導体装置は、キーデバイスとしての重要性がますます高まっている。
モータ駆動用インバータ装置に用いられている半導体装置においては、電力用半導体素子が、他の構成部品と共に樹脂封止されている。そのような樹脂封止型の半導体装置において、バッテリから電力が供給された状態で、電力用半導体素子が短絡故障、または、平滑コンデンサなどのスナバ回路用の電子部品が短絡故障すると、過大な短絡電流が流れる。具体的に説明すると、例えば、インバータ制御回路におけるゲート駆動回路の誤動作で、インバータの上下アームが短絡すると、電力用半導体素子に過電流が流れ、短絡故障が発生する。
短絡状態で、バッテリと駆動回路とを繋ぐリレーを接続するかまたは接続を継続すると、大電流により樹脂封止型の半導体装置が発煙および発火する。また、定格を超える過電流が流れることにより、インバータ装置に接続されているバッテリが損害を受けることも考えられる。こうした事態を回避するために、通常は、過大な電流を検知するセンサーを用いて、過大な電流が流れたときにスイッチング素子を高速に制御して電流を遮断している。しかしながら、上述のような発煙などの故障をより確実に防ぐために、不測の事態に対応するための更なる対策を施しておくことも有益と考えられる。
たとえば、電力用半導体装置とバッテリとの間に過電流遮断用ヒューズを挿入すれば、インバータとバッテリとの間に流れる過電流を阻止することができる。しかしながら、チップ型の過電流遮断用ヒューズは、非常に高価である。そのため、電力用半導体素子が短絡故障した際に、バッテリに流れ得る過電流を確実に遮断できる簡便且つ安価な過電流遮断機構が必要とされている。
ヒューズ部が設けられた従来の半導体装置は、例えば、特許文献1および特許文献2に記載されている。
特許文献1に記載の従来の半導体装置は、パワー素子の主電極に接続されたパワーリードを備えている。特許文献1では、パワー素子をモールド樹脂で封止すると共に、パワーリードをモールド樹脂部から外部に向けて突設させている。また、突設させたパワーリードの一箇所にヒューズ部を設けている。このとき、パワーリードに過電流が流れると、パワーリードの温度が上昇して、ヒューズ部が断裂する。これにより、過電流が遮断される。
特許文献2に記載の従来の半導体装置は、一方端と他方端とを有し、一方端側にて半導体素子の表面に接合され、かつ、他方端側に外部接続端子部を有する主回路配線を備えている。半導体素子と主回路配線の一方端とは、封止樹脂により封止されている。外部接続端子部は、封止樹脂から外部に露出している。外部接続端子部は、主回路配線に対して半導体素子の表面から離れる方向にバネ力が作用するように、バスバーに取り付けられている。このとき、半導体装置に過電流が流れると、温度が上昇し、封止樹脂が軟らかくなって脆くなるため、上記のバネ力により、封止樹脂が断裂する。その結果、主回路配線が封止樹脂から容易に外れて半導体素子から分離される。
特開2003−68967号公報 特許第4615506号公報
しかしながら、特許文献1に記載の従来の半導体装置においては、以下のような課題がある。例えば、特許文献1に記載の半導体装置を半導体モジュールに実装する場合、半導体装置のパワーリードは、半導体モジュールのバスバーに半田接合される。このとき、パワーリードに過電流が流れると、パワーリードに設けられたヒューズ部が断裂する。こうして、一時的に過電流を遮断することができるが、断裂したヒューズ部がさらに高温になって溶融され、半田接合部などに電気的に接触してしまう可能性がある。その場合、ヒューズ部がヒューズ機能としての役目を果たしていないという課題があった。さらに、特許文献1では、半導体モジュールの外部にヒューズ部を設けているため、部品の実装面積が増え、半導体装置が大型化している。
また、特許文献2に記載の従来の半導体装置においては、以下のような課題がある。特許文献2に記載の従来の半導体装置においては、バネ力で封止樹脂を断裂させて、主回路配線を半導体素子から分離させる。そのため、バネ力を確保するための部材および実装面積が必要であるため、半導体装置が大型化する。また、バネ力により半導体素子と主回路配線との接合部に常に力が加わり続けるため、接合部が破損する可能性があり、長期信頼性を確保するのが困難であった。
この発明は、かかる課題を解決するためになされたものであり、簡易な構成で、過電流が流れたときに、当該過電流を確実に遮断することが可能な、電力変換装置を得ることを目的としている。
この発明は、電力変換モジュールを備えた電力変換装置であって、前記電力変換モジュールは、配線パターン状に設けられた1以上のリードフレームと、前記リードフレーム上に設けられた半導体素子と、前記リードフレームと前記半導体素子との間を接続する配線部材と、前記リードフレームと前記半導体素子と前記配線部材とを封止するモールド樹脂とを有し、前記配線部材にヒューズ部を設け、前記ヒューズ部の上側に設けられた前記モールド樹脂の厚さは、前記ヒューズ部の下側に設けられた前記モールド樹脂の厚さより薄前記電力変換装置は、前記電力変換モジュールの上側に設けられ、前記半導体素子の動作を制御する電子部品を有する制御基板と、前記制御基板を封止する第一の封止材と、前記第一の封止材と前記電力変換モジュールとの間に設けられた第二の封止材とをさらに備え、前記電力変換モジュールは、前記制御基板に接続される制御用端子を有する、電力変換装置である。
この発明に係る電力変換装置は、配線部材にヒューズ部を形成し、ヒューズ部の上側に設けられたモールド樹脂の厚さを薄くしたので、過電流が流れたときに、断裂したヒューズ部とともにヒューズ部の上側のモールド樹脂がはじけ飛ぶため、簡易な構成で、確実に過電流を遮断することができる。
この発明の実施の形態1に係る電力変換装置の構成を示した正面図である。 図1のA−A断面図である。 図1のB−B断面図である。 この発明の実施の形態1に係る電力変換装置に設けられたヒューズ部の上面図である。 この発明の実施の形態1に係る電力変換装置に設けられたヒューズ部の電流密度の模式図である。 この発明の実施の形態1に係る電力変換装置に設けられたヒューズ部の解析結果を示した図である。 この発明の実施の形態2に係る電力変換装置の構成を示した断面図である。 この発明の実施の形態3に係る電力変換装置の構成を示した断面図である。 この発明の実施の形態3に係る電力変換装置の変形例の構成を示した断面図である。 この発明の実施の形態4に係る電力変換装置の構成を示した断面図である。
この発明の実施の形態に係る電力変換装置について、図を参照しながら、以下に説明する。なお、各図において、同一または対応する構成部分については、同じ符号を付している。また、各図において、同一または対応する構成部分のサイズおよび縮尺は共通しておらず、それぞれ互いに独立している。
実施の形態1.
図1は、この発明の実施の形態1に係る電力変換装置の正面図である。また、図2及び図3は、それぞれ、図1のA−A断面図、および、B−B断面図である。
図1〜図3に示されるように、実施の形態1の電力変換装置は、電力変換モジュール100と、外部接続端子10と、絶縁ケース11と、ヒートシンク12とで構成される。
電力変換モジュール100は、配線パターン状に形成されたリードフレーム13と、スイッチング可能な半導体素子14と、配線部材15と、導電性接合材17と、モールド樹脂20とを備えている。配線部材15は、リードフレーム13の端子間およびリードフレーム13と半導体素子14との間を電気的に接続する。配線部材15には、大電流用配線部材15aと制御用配線部材15bとが含まれる。これらの配線部材15a,15bについては後述する。導電性接合材17は、リードフレーム13と半導体素子14と配線部材15とを接合する。モールド樹脂20は、リードフレーム13と半導体素子14と配線部材15と導電性接合材17とその他の実装部品(図示せず)を封止する。
電力変換モジュール100には、絶縁材18を介在させて、ヒートシンク12が設けられている。ヒートシンク12と半導体素子14との間に絶縁材18を設けているため、半導体素子14とヒートシンク12とは電気的に絶縁されている。一方で、半導体素子14で発生する熱は、絶縁材18を介して、ヒートシンク12に伝導する。従って、半導体素子14とヒートシンク12とは熱的に接続されている。ヒートシンク12は、半導体素子14で発生した熱を、外気へ効率よく放熱する。
このように、電力変換モジュール100は、絶縁材18を介して、ヒートシンク12に対して、電気的に絶縁され、熱的に接続された状態で固定されている。あるいは、ヒートシンク12が、電力変換モジュール100の被固定部に対向する面に絶縁層を持ち、はんだ付けや放熱グリスなどを介して、電力変換モジュール100に固定されるようにしてもよい。
リードフレーム13には、導電性が良好で熱伝導率の高い銅または銅合金などの金属を用いる。
図1及び図2に示されるように、電力変換モジュール100の制御用端子21とパワー端子22とは、モールド樹脂20の外部に突出している。制御用端子21は、半導体素子14のゲート信号線およびセンサー信号線などである。制御用端子21は、電力変換装置に搭載された制御基板(図示せず)へ接続される。パワー端子22は、リードフレーム13の先端に設けられている。パワー端子22には、数アンペアから数百アンペア程度の大電流が流れる。パワー端子22は、絶縁ケース11にインサートおよびアウトサートされた外部接続端子10に、溶接または半田付けなどにより接合される。パワー端子22は、外部接続端子10を介して、外部に設けられた電力供給装置またはバッテリなどの電源と接続される。
半導体素子14は、電力用電界効果トランジスタ(パワーMOSFET:Power Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、または、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT:Insulated Gate Bipolar Transistor)などで構成される。これらは、モータなどの機器を駆動するインバータ回路に用いられるもので、数アンペアから数百アンペアの定格電流を制御するものである。
導電性接合材17は、例えば、半田、銀ペースト、あるいは、導電性接着剤などの、導電性が良好で熱伝導率の高い材料から構成される。導電性接合材17は、半導体素子14とリードフレーム13と配線部材15とを電気的及び熱的に接続し、固着させるために用いられる。
半導体素子14の材料として、シリコン(Si)、シリコンカーバイド(SiC)、ガリウムナイトライド(GaN)などを用いてよい。
リードフレーム13とヒートシンク12との間に介在する絶縁材18は、高い熱伝導性を有し、且つ、電気的絶縁性が高い材料から構成される。従って、絶縁材18は、例えば、熱伝導率が1W/mK〜数十W/mKで、且つ、絶縁性のある、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂などの樹脂材料から成る接着剤、グリス、または、絶縁シートで構成される。さらに、絶縁材18は、セラミック基板または金属基板などの熱抵抗が低く、且つ、絶縁性を有する他の材料と、それらの樹脂材料とを、組み合わせて構成することも可能である。
また、図1〜図3では図示していないが、絶縁材18の厚さを規定するために、モールド樹脂20の下面側、すなわち、ヒートシンク12側には、突起が設けられている。モールド樹脂20の突起をヒートシンク12に押し当てることで、突起の高さに相当する厚さを規定できるため、絶縁材18の絶縁性を担保することができる。特に12Vバッテリを使用する低耐圧系の自動車では、予め定められた絶縁耐圧を確保するのに必要な沿面距離は、10μm程度である。従って、低耐圧系の自動車の場合には、絶縁に必要な厚さを薄くできるため、モールド樹脂20の突起をより短くすることができ、電力変換モジュール100の薄型化が可能である。
ヒートシンク12は、モールド樹脂20に封止された半導体素子14に電流が流れるときに半導体素子14に発生する熱を外気へ放熱する役割を有する。ヒートシンク12は、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金などの90W/m・K以上の熱伝導率を有する材料を用いて構成される。ヒートシンク12の下面には、図3に示すように、複数のフィン19が配列している。これらのフィン19は外気に接触しており、ヒートシンク12はこれらのフィン19から外気に向かって熱を放熱する。
配線部材15には、上述したように、大電流用の大電流用配線部材15aと制御用の制御用配線部材15bとが含まれる。
制御用配線部材15bは、例えば、半導体素子14のゲート及びセンサー部と、制御用端子21とを接続するために使用される。なお、制御用配線部材15bは、例えば、金・銅・アルミニウムなどのワイヤボンド、または、アルミニウムのリボンボンドで形成することができる。但し、これらに限定されない。
大電流用配線部材15aは、リードフレーム13の端子間、または、半導体素子14とリードフレーム13のパワー端子22との間などを接続するために使用される。大電流用配線部材15aには、図3に示すように、ヒューズ部16が形成されている。ヒューズ部16は、大電流用配線部材15aの通電経路内に設けられている。ヒューズ部16は、大電流用配線部材15aの通電経路内であれば、いずれの箇所に設けてもよい。但し、大電流用配線部材15aの通電経路であっても、リードフレーム13との接合部、及び、半導体素子14との接合部には、ヒューズ部16は設けない。図3では、大電流用配線部材15aの接合部の厚さがヒューズ部16の厚さよりも厚くなっているが、この場合に限らず、同じ厚さにしてもよい。あるいは、大電流用配線部材15aの接合部の厚さを、ヒューズ部16の厚さよりも薄くしてもよい。
大電流用配線部材15aには、数アンペアから数百アンペア程度の大電流が流れるため、電流値に合わせた断面積を有する必要がある。また、通電時のジュール発熱を抑えるために、大電流用配線部材15aは、例えば、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金などの導電性の良好な金属で構成される。大電流用配線部材15aは、例えば、0.1mm〜2mm程度の厚みを有する金属プレートを打ち抜き加工することにより形成することができる。なお、大電流用配線部材15aをアルミニウムで構成する場合、アルミニウムに対し、スズまたはニッケルでメッキを施すことで、接合部の半田付けが良好になる。
図3に示すように、大電流用配線部材15aのヒューズ部16の下面側、すなわち、半導体素子14側のエリアを「エリアR1」とし、ヒューズ部16の上面側を「エリアR2」とする。このとき、エリアR1におけるモールド樹脂20の厚さとエリアR2におけるモールド樹脂20の厚さとは互いに異なり、エリアR2におけるモールド樹脂20の厚さの方が、エリアR1よりも薄くなるように構成されている。
次に、大電流用配線部材15aに形成したヒューズ部16について説明する。図4は、大電流用配線部材15aの上面図である。
図4に示すように、ヒューズ部16は、大電流用配線部材15aの接合部を除いた通電経路内に、切り欠き部33を設けることで形成される。図4の例では、切り欠き部33は、丸穴から構成されている。ヒューズ部16の形成方法は、図4に示すように、大電流用配線部材15aを構成している金属プレートに対して、切り欠き部33としての丸穴を空けることで、ヒューズ部16は形成される。このように、ヒューズ部16は、大電流用配線部材15aの一部から構成される。従って、ヒューズ部16は、大電流用配線部材15aと、同一材料で、一体化して、生成される。従って、新たにヒューズ用の部材を追加する必要がない。そのため、部品点数の追加が無く、コストもかからない。また、切り欠き部33を設けたことで、ヒューズ部16の断面積は、切り欠き部33の分だけ、大電流用配線部材15aの他の部分に比べて、小さくなる。そのため、図5の太線の矢印C2で示すように、他の部分に流れる電流C1に比べて、ヒューズ部16のみ局所的に電流密度が増加する。さらに、電気抵抗および熱抵抗が、ヒューズ部16のみ、局所的に増大する。これにより、大電流用配線部材15aに電流が流れた時に、ヒューズ部16のみ、放熱性の悪化と発熱密度の増加とにより、局所的に温度が上昇することとなる。
ヒューズ部16に過大な電流が流れた場合、短時間のうちに急激にヒューズ部16の温度が上昇する。そして、大電流用配線部材15aを構成する金属の溶点まで温度が上昇すると、ヒューズ部16が熱により断裂してはじけ飛ぶ。このとき、ヒューズ部16は、モールド樹脂20の厚さが薄いエリアR2部分のモールド樹脂20を上面側に吹き飛ばし、ヒューズ部16がモールド樹脂20の外側に弾け飛ぶことで、大電流用配線部材15aとヒューズ部16の離間距離を大きくすることができ、大電流用配線部材15aとヒューズ部16が接触して再度通電することを防ぐ。さらにヒューズ部16がモールド樹脂20の外側に弾け飛びやすいことから、大電流用配線部材15aの断裂部の離間距離を大きくすることができ、大電流用配線部材15aに流れる過電流を確実に遮断できる。
モールド樹脂20は、配線部材15の上面側のエリアR2が、下面側のエリアR1よりも厚さが薄いため、ヒューズ部16の断裂時には、上面側のモールド樹脂20がヒューズ部16と共に電力変換モジュール100の外部に向かって吹き飛ぶ。従来の半導体装置のように、もし、ヒューズ部16が吹き飛ばずに、電力変換モジュール100内に残留していると、断裂したヒューズ部16の金属が熱で溶解して、再度、リードフレーム13または半導体素子14と電気的に接続してしまい、その結果、電流が再度流れてしまうことになる。そのため、実施の形態1では、ヒューズ部16の上側のモールド樹脂20を薄くしておき、ヒューズ部16をモールド樹脂20と共に外部に向かって吹き飛ばすことで、溶解したヒューズ部16の付着により電流が再び流れることを防ぐことができる。さらに、自動車向けの12Vバッテリを使用する低耐圧系では、大電流が流れると、バッテリ電圧が低下して10Vを下回るため、ヒューズ部16の断裂時にアークが発生しないため、構造をより簡素化でき、電力変換装置のさらなる小型化および低コスト化が可能である。
なお、図4の例では、金属プレートに丸穴をあけることでヒューズ部16の断面積を減らしたが、プレス加工などにより局所的に金属プレートの厚さを減らすことでもヒューズ部16の断面積を減らすことができるため、同様の効果が得られることは言うまでもない。また、丸穴の形成と厚さを減らすこととを組み合わせて、ヒューズ部16を形成してもよい。
図6に、大電流用配線部材15aに電流を流した時の温度分布を示す。
図6は、図4に示す大電流用配線部材15aに過大な電流が流れてヒューズ部16が融点に達した時の大電流用配線部材15aの温度分布である。図6に示すように、大電流用配線部材15aにおいて、ヒューズ部16のみが局所的に高温になるが、このとき、大電流用配線部材15aの両端の接合部に向かって、温度勾配がついていることがわかる。従って、ヒューズ部16が断裂しても、接合部が破壊することはない。また、切り欠き部33を構成する丸穴の大きさを変えることで、融点に達した時の電流と、融点に達してヒューズ部16が断裂するまでの時間を調整することができる。
以上のように、実施の形態1では、電力変換モジュール100に用いる大電流用配線部材15aに切り欠き部33を設けて局所的に断面積を減らすことで、ヒューズ部16を形成している。このように、大電流用配線部材15aの一部をヒューズ部16として用いているため、新たにヒューズ用の部材を追加する必要がない。そのため、部品点数の追加が無く、実装工数も増加しないため、生産性が高い。また、電力変換装置が大型化することもない。
また、実施の形態1では、大電流用配線部材15aのヒューズ部16の上面側と下面側とでモールド樹脂20の厚さを変え、上面側のモールド樹脂20の厚さを薄くしている。これにより、過電流によりヒューズ部16が断裂した時に、上面側のモールド樹脂20を吹き飛ばすことが可能である。これにより、断裂したヒューズ部16も、モールド樹脂20とともに、外側に吹き飛ぶ。その結果、断裂したヒューズ部16の金属が溶解して、ヒューズ部16の下側にあるリードフレーム13と接触し短絡することを防ぐことができる。また、ヒューズ部16を吹き飛ばすことで、大電流用配線部材15aの断裂部の離間距離が稼げるため、大電流用配線部材15aが再び導通するのを抑制することができ、確実に過電流を遮断することができる。その結果、電力変換装置の発煙および発火が防止できる。
また、ヒューズ部16を設けることで、大電流用配線部材15aの断面積が少なくとも部分的に減り、剛性が低くなるため、温度変化による熱応力が緩和され、接合部の信頼性の向上が期待できる。
また、切り欠き部33の形状を丸穴としたが、丸穴に限らず、他の形状でもよい。すなわち、切り欠き部33の形状として、楕円形、正方形および長方形などの四角形、五角形および六角形などの他の多角形、台形、ひし形、平行四辺形などでもよい。また、切り欠き部33の個数は、1個に限らず、複数個でもよい。さらに、切り欠き部33を複数個設ける場合は、それらの切り欠き部33を、大電流用配線部材15aの幅方向に配置しても、長さ方向に配置してもよく、あるいは、千鳥配置など互い違いに配置してもよく、あるいは、不規則に配置してもよい。また、丸と四角というように形状が異なる複数の切り欠き部33を組み合わせることも可能であり、また、大きさの異なる複数の切り欠き部33を組み合わせることも可能である。さらに、図4においては、大電流用配線部材15aの幅方向の中央に切り欠き部33を設けているが、この場合に限らず、大電流用配線部材15aの幅方向の片側もしくは両側に切り欠き部33を設けて、大電流用配線部材15aの断面積を減らしても、同様の効果が得られる。また、それらの場合も、切り欠き部33の形状は、楕円形、正方形および長方形などの四角形、五角形および六角形などの他の多角形、台形、ひし形、平行四辺形などでもよい。また、それらの切り欠き部33の個数は、1個に限らず、複数個でもよい。すなわち、大電流用配線部材15aにおいて局所的に断面積を減らす形状および個数であれば何でもよく、これらの形状および個数に限定されるものではない。
実施の形態2.
この発明の実施の形態2に係る電力変換装置を、図7を参照して説明する。図7は、実施の形態2に係る電力変換装置の断面図である。なお、図7においては、図3に示した構成と同一または対応する部分については、同一の符号を付し、ここでは、その説明を省略する。また、実施の形態2は、基本的に実施の形態1で説明した思想を前提とするものである。
図7に示すように、実施の形態2では、制御基板23が、電力変換モジュール100の上側に配置されている。また、制御基板23には、半導体素子14を制御するための電子部品24が搭載されている。制御基板23と制御用端子21とは、例えば半田接合によって接続しており、半導体素子14と電子部品24とは、配線部材15b、制御用端子21、および、制御基板23上に形成された配線パターン(図示省略)を介して、信号をやりとりしている。
図7に示すように、制御基板23は、第一の封止材25により封止されている。第一の封止材25は、絶縁ケース11、制御用端子21、パワー端子22等と密着している。第一の封止材25は、例えば剛性が高く、熱伝導率が高い樹脂材料によって構成されている。従って、第一の封止材25は、例えば熱伝導性フィラーを含有したエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、PPS、PEEK、ABSから構成される。第一の封止材25のヤング率は1MPa〜50GPa、熱伝導率は0.1W/mK〜20W/mKであることが望ましい。制御基板23は、第一の封止材25に包まれていることによって、電力変換装置内で固定されており、その結果、制御基板23の耐振動性および耐環境性が向上している。
また、図7に示すように、第一の封止材25とヒートシンク12との間には、第二の封止材26が充填されている。第二の封止材26は、第一の封止材25よりも剛性が低く、熱伝導率が低い材料を用いても良い。従って、第二の封止材26は、例えばシリコーン系ゲルやウレタン系ゲル、アクリル系ゲルから構成しても良い。第二の封止材26のヤング率は100MPa以下、熱伝導率は5W/mKであることが望ましい。
以上のように、実施の形態2においても、上記の実施の形態1と同様に、大電流用配線部材15aがヒューズ部16を有し、かつ、ヒューズ部16の上側のモールド樹脂20の厚さを薄くしたので、上記の実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
さらに、実施の形態2では、制御基板23を第一の封止材25で封止したため、制御基板23を第一の封止材25で保持することができる。そのため、制御基板23は、電力変換装置内で固定されており、その結果、制御基板23の耐振動性および耐環境性が向上している。
また、実施の形態2では、熱伝導率が低い第二の封止材26がモールド樹脂20を覆っていることにより、大電流用配線部材15aに大電流が通電した際に、大電流用配線部材15aの放熱性が悪化し、温度上昇率が増加して、ヒューズ部16が断裂するまでの時間を短くすることができる。
さらに、実施の形態2では、半導体素子14が通常動作し、大電流用配線部材15aに電流が通電し、ヒューズ部16が発熱した際に、熱伝導率が低い第二の封止材26が大きな熱抵抗を有することで、制御基板23および電子部品24の温度上昇を低減することができる。
また、実施の形態2では、大電流用配線部材15aに大電流が通電した際、ヒューズ部16が高温となって断裂した際に、飛散した断裂物のエネルギーを、ヤング率が低い第二の封止材26が吸収することによって、制御基板23に到達することを防ぐ。これによって、万が一、大電流用配線部材15aに大電流が通電し、ヒューズ部16が断裂した際にも、制御基板23または電子部品24がヒューズ部16の断裂物によって破損することを防ぐことができる。また、第二の封止材26にシリコーンゲルを用いた際には、シリコーンゲルの消弧作用によって、ヒューズ部16が断裂した後に、制御用配線部材15bとその周囲にある導電部材との間でアークが飛ぶことを防ぐことができる。さらに、第二の封止材26には、ヒューズ部16の断裂時の消音効果がある。
実施の形態3.
この発明の実施の形態3に係る電力変換装置を、図8を参照して説明する。図8は、実施の形態3に係る電力変換装置の断面図である。なお、図8において、図3に示した構成と同一または対応する部分については、同一の符号を付し、ここでは、その説明を省略する。また、実施の形態3は、基本的に実施の形態1で説明した思想を前提とするものである。
図8に示すように、実施の形態3では、上記の実施の形態2で示した図7の構成に、フタ27が追加されている点が、図7と異なる。他の構成は、図7と同じである。
図8に示すように、実施の形態3では、モールド樹脂20の上側で、且つ、第二の封止材26の中に、平板状のフタ27が配置されている。フタ27は、剛性が高い材料から構成されている。また、フタ27を、熱伝導率が高い材料で構成してもよい。さらには、フタ27を、剛性が高く、且つ、熱伝導率が高い材料で構成してもよい。フタ27は、例えばCu、Al、Fe、Cu合金、Al合金、Fe合金などの金属材料で構成されていても良く、また、アルミナ、水酸化アルミニウム、ジルコニア、窒化アルミ、窒化ケイ素などのセラミック材料で構成されていても良い。なお、フタ27は、モールド樹脂20に接触していても良く、もしくは、第一の封止材25と接触していても良い。
実施の形態3では、万が一、大電流用配線部材15aに大電流が通電し、ヒューズ部16が断裂した際にも、ヒューズ部16の断裂物が、剛性の高いフタ27に衝突し、フタ27から上側にヒューズ部16の断裂物が飛散することを抑制することができる。そのため、制御基板23および電子部品24が破損することを防ぐことができる。
さらに、フタ27に熱伝導率が高い材料を用いた際には、大電流用配線部材15aおよび半導体素子14の発熱が、モールド樹脂20または第二の封止材26に熱伝導した際に、フタ27によって均熱化することができる。その結果、局所的に高温になる箇所が減少することから、結果的に、制御基板23および電子部品24の局所的な温度上昇を低減することができる。
図8においては、フタ27が1枚の平板から構成されている例を示した。しかしながら、図9に示すように、フタ27に、ヒートシンク12に向かって延びる複数の脚部28を設けるようにしても良い。フタ27と脚部28とは同一材料で構成してもよく、異なる材料で構成してもよい。但し、脚部28は、高い熱伝導率を有する。これによって、フタ27に熱伝導した半導体素子14および大電流用配線部材15aの発熱を、脚部28を介して、ヒートシンク12に熱伝導させて放熱することができる。それにより、制御基板23および電子部品24の温度上昇を低減することができる。
また、第二の封止材26が熱伝導性を有しているため、フタ27の脚部28は、ヒートシンク12と接触していても、接触していなくても良い。また、脚部28は、ヒートシンク12に対して接着剤によって接着されていても良く、かしめ又は溶接によってヒートシンク12に固定されていても良い。
さらに、脚部28を板状部材で構成して、脚部28とヒートシンク12との間にすき間が無く、フタ27と脚部28とによって、フタ27の下側のエリアが密閉するようにしても良い。すなわち、その場合には、フタ27と脚部28とで、箱を構成する。箱の下端は開口している。従って、箱を、電力変換モジュール100を覆うように配置することで、フタ27の下側のエリアが密閉される。これにより、フタ27とヒートシンク12とを低い熱抵抗で接続することができ、半導体素子14および大電流用配線部材15aの発熱を、ヒートシンク12へより放熱することができる。さらに、ヒューズ部16の断裂物が脚部28に衝突するため、モールド樹脂20の側面から、フタ27の外側に、ヒューズ部16の断裂物が飛散することを防止することができる。本実施の形態における密閉とはフタ27の上側のエリアと下側のエリアにおいて、気体や液体、粘度が低いゲルなどが流入出しないことをいう。
以上のように、実施の形態3においても、上記の実施の形態1と同様に、大電流用配線部材15aがヒューズ部16を有し、かつ、ヒューズ部16の上側のモールド樹脂20の厚さを薄くしたので、上記の実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
また、実施の形態3においても、上記の実施の形態2と同様に、第一の封止材25と第二の封止材26とを設けるようにしたので、上記の実施の形態2と同様の効果を得ることができる。
さらに、実施の形態3では、モールド樹脂20と第一の封止材25との間に、フタ27を設けるようにしたので、万が一、大電流用配線部材15aに大電流が通電し、ヒューズ部16が断裂した際にも、ヒューズ部16の断裂物が、剛性の高いフタ27に衝突し、フタ27から上側に向かって、ヒューズ部16の断裂物が飛散することを抑制することができる。そのため、制御基板23および電子部品24が破損することを防ぐことができる。
また、万が一、電力変換モジュール100で発煙および発火が発生した場合においても、フタ27が延焼防止板として機能することができる。
また、実施の形態3では、フタ27に脚部28を設けた場合には、電力変換モジュール100の発熱を脚部28を介してヒートシンク12に伝達し、ヒートシンク12により放熱することができる。その場合には、制御基板23の温度上昇を防ぐことができる。
また、実施の形態3では、脚部28を板状部材で構成して、フタ27と脚部28とによって、フタ27の下側のエリアを密閉するようにしても良い。その場合には、フタ27と脚部28とで空気を遮断することで、電力変換モジュール100内を燃えにくくすることができる。
実施の形態4.
この発明の実施の形態4に係る電力変換装置を、図10を参照して説明する。図10は、実施の形態4に係る電力変換装置の断面図である。なお、図10において、図3に示した構成と同一または対応する部分については、同一の符号を付し、ここでは、その説明を省略する。また、実施の形態4は、基本的に実施の形態1で説明した思想を前提とするものである。
図10に示すように、実施の形態4では、モールド樹脂20とフタ27との間の密閉された空間に、消弧剤29が充填されている点が、図9と異なる。他の構成については、図9と同じである。消弧剤29は、例えばケイ素またはケイ砂などの砂、あるいは、六フッ化硫黄(SF6)などのガスなどから構成されている。
これにより、大電流用配線部材15aに大電流が通電し、ヒューズ部16が断裂した際に、消弧剤29によってアークが飛ぶことを防ぐことができる。また、大電流用配線部材15aに大電流が通電し、ヒューズ部16が断裂した後に、アークが飛ぶことがなければ、消弧剤29は必要ない。その場合には、消弧剤29の代わりに、モールド樹脂20とフタ27との間に大気が充填されていても良く、あるいは、モールド樹脂20とフタ27との間が真空になっていても良い。
さらに、消弧剤29に熱伝導率が低い材料を用いた場合、大電流用配線部材15aに大電流が通電した際、熱伝導率が低い消弧剤29がモールド樹脂20を覆っていることにより、大電流用配線部材15aの放熱性が悪化し、温度上昇率が増加して、ヒューズ部16が断裂するまでの時間を短くすることができる。
以上のように、実施の形態4においても、上記の実施の形態1と同様に、大電流用配線部材15aがヒューズ部16を有し、かつ、ヒューズ部16の上側のモールド樹脂20の厚さを薄くしたので、上記の実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
また、実施の形態4においても、上記の実施の形態2と同様に、第一の封止材25と第二の封止材26とを設けるようにしたので、上記の実施の形態2と同様の効果を得ることができる。
また、実施の形態4においても、上記の実施の形態3と同様に、フタ27および脚部28を設けるようにしたので、上記の実施の形態3と同様の効果を得ることができる。
さらに、実施の形態4では、モールド樹脂20とフタ27との間に、消弧剤29を設けるようにしたので、ヒューズ部16が断裂した際に、消弧剤29によってアークが飛ぶことを防ぐことができる。
10 外部接続端子、11 絶縁ケース、12 ヒートシンク、13 リードフレーム、14 半導体素子、15 配線部材、15a 大電流用配線部材、15b 制御用配線部材、16 ヒューズ部、17 導電性接合材、18 絶縁材、19 フィン、20 モールド樹脂、21 制御用端子、22 パワー端子、23 制御基板、24 電子部品、25 第一の封止材、26 第二の封止材、27 フタ、28 脚部、29 消弧剤、100 電力変換モジュール。

Claims (4)

  1. 電力変換モジュールを備えた電力変換装置であって、
    前記電力変換モジュールは、
    配線パターン状に設けられた1以上のリードフレームと、
    前記リードフレーム上に設けられた半導体素子と、
    前記リードフレームと前記半導体素子との間を接続する配線部材と、
    前記リードフレームと前記半導体素子と前記配線部材とを封止するモールド樹脂と
    を有し、
    前記配線部材にヒューズ部を設け、
    前記ヒューズ部の上側に設けられた前記モールド樹脂の厚さは、前記ヒューズ部の下側に設けられた前記モールド樹脂の厚さより薄
    前記電力変換装置は、
    前記電力変換モジュールの上側に設けられ、前記半導体素子の動作を制御する電子部品を有する制御基板と、
    前記制御基板を封止する第一の封止材と、
    前記第一の封止材と前記電力変換モジュールとの間に設けられた第二の封止材と
    をさらに備え、
    前記電力変換モジュールは、前記制御基板に接続される制御用端子を有する、
    電力変換装置。
  2. 前記ヒューズ部は、
    前記配線部材の少なくとも1箇所以上に設けられ、前記配線部材の他の部位よりも断面積が小さくなるように形成された部位から構成されている、
    請求項1記載の電力変換装置。
  3. 前記モールド樹脂と前記第一の封止材との間に設けられたフタをさらに備えた、
    請求項1または2に記載の電力変換装置。
  4. 前記モールド樹脂と前記フタとの間に設けられた消弧剤をさらに備えた、
    請求項に記載の電力変換装置。
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