JP6378122B2 - 積層セラミック電子部品 - Google Patents

Description

本発明は、積層セラミック電子部品に関する。

積層セラミックコンデンサや積層セラミックインダクタ等の積層セラミック電子部品は、一般に、積層構造の部品本体に外部電極を設けて構成されている。部品本体は長さと幅と高さとで規定された略直方体状を成しており、外部電極は部品本体内の内部電極層やコイル層等の導体部と電気的に接続するように該部品本体に設けられている。この積層セラミック電子部品は部品実装基板や部品内蔵基板等に多用されているものの、該積層セラミック電子部品の小型化及び薄型化が依然として要求されている現状にあっては、導体パッドや導体ビアに対する外部電極の接続信頼性が懸念されている。

後記特許文献１には、前掲の接続信頼性に鑑みた外部電極８ａ及び８ｂの構造が開示されている（図１及び図２を参照）。この外部電極８ａ及び８ｂは、延在部９ａ及び９ｂが積層セラミック素体３の引出部５ａ及び５ｂの上面から機能部４の上面に亘って形成され、且つ、引出部５ａ及び５ｂの上面の延在部９ａ及び９ｂが機能部４の延在部９ａ及び９ｂよりも低くなっており、回り込み部１０ａ及び１０ｂが積層セラミック素体３の端面から引出部５ａ及び５ｂの上面の延在部９ａ及び９ｂの表面に亘って形成されており、これら延在部９ａ及び９ｂと回り込み部１０ａ及び１０ｂの表面に金属層１２ａ及び１２ｂが形成されている。

しかしながら、後記特許文献１に開示されている外部電極８ａ及び８ｂの構造では、金属膜１２ａ及び１２ｂの上面にその下側に存する延在部９ａ及び９ｂと回り込み部１０ａ及び１０ｂの形態に起因して顕著な段差や起伏が生じてしまうため、導体パッドや導体ビアに対する接続信頼性を向上することは難しい。例えば、金属膜１２ａ及び１２ｂの上面をハンダを介して導体パッドに接続する場合、前掲の顕著な段差や起伏によって金属膜１２ａ及び１２ｂの上面と導体パッドとの隙間が変化してしまうため、隙間が大きい箇所のハンダ量と隙間が小さい箇所のハンダ量に偏りが生じ易くなって接続不良を生じる懸念がある。また、金属膜１２ａ及び１２ｂの上面に導体ビアを接続する場合、前掲の顕著な段差や起伏によって導体ビアの接続に利用できる区域が狭くなってしまうため、導体ビアの位置公差如何では接続不良を生じる懸念がある。

特許第５２１７５８４号公報

本発明の課題は、導体パッドや導体ビアに対する外部電極の接続信頼性を格段向上できる積層セラミック電子部品を提供することにある。

前記課題を解決するため、本発明は、積層構造の部品本体に外部電極を設けた積層セラミック電子部品であって、前記部品本体は、長さと幅と高さとで規定された略直方体状を成していて、高さ方向一面及び他面の端縁に該端縁に沿って形成された凹部を有しており、前記外部電極は、高さ方向側回り込み部が前記部品本体の凹部内に形成された下地導体層と、高さ方向側回り込み部が前記下地導体層の高さ方向側回り込み部上から前記部品本体の高さ方向一面及び他面の前記凹部を除く面状部上に及んで連続して形成された主導体層とを有しており、前記主導体層の高さ方向側回り込み部は、前記下地導体層の高さ方向側回り込み部上の表面区域と前記部品本体の面状部上の表面区域とによって構成された面状の被接続区域を有している。

本発明によれば、導体パッドや導体ビアに対する外部電極の接続信頼性を格段向上できる積層セラミック電子部品を提供することができる。

図１は本発明を適用した積層セラミックコンデンサ（第１実施形態）を高さ方向から見た図である。 図２（Ａ）は図１に示した積層セラミックコンデンサを幅方向から見た図、図２（Ｂ）は図１のＳ１−Ｓ１線に沿う断面図、図２（Ｃ）は図２（Ｂ）の部分拡大図である。 図３（Ａ）は図１に示した積層セラミックコンデンサを長さ方向から見た図、図３（Ｂ）は図１のＳ２−Ｓ２線に沿う断面図、図３（Ｃ）は図１のＳ３−Ｓ３線に沿う断面図、図３（Ｄ）は図３（Ｂ）の部分拡大図、図３（Ｅ）は図３（Ｃ）の部分拡大図である。 図４は図１に示した積層セラミックコンデンサの製造方法例の説明図である。 図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は図１に示した積層セラミックコンデンサの製造方法例の説明図である。 図６は図１に示した積層セラミックコンデンサの製造方法例の説明図である。 図７は図１に示した積層セラミックコンデンサの製造方法例の説明図である。 図８（Ａ）及び図８（Ｂ）は図１に示した積層セラミックコンデンサの製造方法例の説明図である。 図９は図１に示した積層セラミックコンデンサの変形例を示す部分拡大断面図である。 図１０は本発明を適用した積層セラミックコンデンサ（第２実施形態）を高さ方向から見た図である。 図１１（Ａ）は図１０に示した積層セラミックコンデンサを幅方向から見た図、図１１（Ｂ）は図１０のＳ４−Ｓ４線に沿う断面図、図１１（Ｃ）は図１１（Ｂ）の部分拡大図である。 図１２（Ａ）は図１０に示した積層セラミックコンデンサを長さ方向から見た図、図１２（Ｂ）は図１０のＳ５−Ｓ５線に沿う断面図、図１２（Ｃ）は図１０のＳ６−Ｓ６線に沿う断面図、図１２（Ｄ）は図１２（Ｂ）の部分拡大図、図１２（Ｅ）は図１２（Ｃ）の部分拡大図である。 図１３は図１０に示した積層セラミックコンデンサの製造方法例の説明図である。 図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）は図１０に示した積層セラミックコンデンサの製造方法例の説明図である。 図１５は図１０に示した積層セラミックコンデンサの製造方法例の説明図である。 図１６は図１０に示した積層セラミックコンデンサの製造方法例の説明図である。 図１７（Ａ）及び図１７（Ｂ）は図１０に示した積層セラミックコンデンサの製造方法例の説明図である。 図１８は図１０に示した積層セラミックコンデンサの変形例を示す部分拡大断面図である。 図１９は本発明を適用した積層セラミックコンデンサ（第３実施形態）を高さ方向から見た図である。 図２０（Ａ）は図１９に示した積層セラミックコンデンサを幅方向から見た図、図２０（Ｂ）は図１９のＳ７−Ｓ７線に沿う断面図、図２０（Ｃ）は図２０（Ｂ）の部分拡大図である。 図２１（Ａ）は図１９に示した積層セラミックコンデンサを長さ方向から見た図、図２１（Ｂ）は図１９のＳ８−Ｓ８線に沿う断面図、図２１（Ｃ）は図１９のＳ９−Ｓ９線に沿う断面図、図２１（Ｄ）は図２１（Ｂ）の部分拡大図、図２１（Ｅ）は図２１（Ｃ）の部分拡大図である。 図２２は本発明を適用した積層セラミックコンデンサ（第４実施形態）を高さ方向から見た図である。 図２３（Ａ）は図２２に示した積層セラミックコンデンサを幅方向から見た図、図２３（Ｂ）は図２２のＳ１０−Ｓ１０線に沿う断面図、図２３（Ｃ）は図２３（Ｂ）の部分拡大図である。 図２４（Ａ）は図２２に示した積層セラミックコンデンサを長さ方向から見た図、図２４（Ｂ）は図２２のＳ１１−Ｓ１１線に沿う断面図、図２４（Ｃ）は図２２のＳ１２−Ｓ１２線に沿う断面図、図２４（Ｄ）は図２４（Ｂ）の部分拡大図、図２４（Ｅ）は図２４（Ｃ）の部分拡大図である。 図２５は本発明を適用した積層セラミックコンデンサ（第５実施形態）を高さ方向から見た図である。 図２６（Ａ）は図２５に示した積層セラミックコンデンサを幅方向から見た図、図２６（Ｂ）は図２５のＳ１３−Ｓ１３線に沿う断面図、図２６（Ｃ）は図２６（Ｂ）の部分拡大図である。 図２７（Ａ）は図２５に示した積層セラミックコンデンサを長さ方向から見た図、図２７（Ｂ）は図２５のＳ１４−Ｓ１４線に沿う断面図、図２７（Ｃ）は図２５のＳ１５−Ｓ１５線に沿う断面図、図２７（Ｄ）は図２７（Ｂ）の部分拡大図、図２７（Ｅ）は図２７（Ｃ）の部分拡大図である。 図２８は本発明を適用した積層セラミックコンデンサ（第６実施形態）を高さ方向から見た図である。 図２９（Ａ）は図２８に示した積層セラミックコンデンサを幅方向から見た図、図２９（Ｂ）は図２８のＳ１６−Ｓ１６線に沿う断面図、図２９（Ｃ）は図２９（Ｂ）の部分拡大図である。 図３０（Ａ）は図２８に示した積層セラミックコンデンサを長さ方向から見た図、図３０（Ｂ）は図２８のＳ１７−Ｓ１７線に沿う断面図、図３０（Ｃ）は図２８のＳ１８−Ｓ１８線に沿う断面図、図３０（Ｄ）は図３０（Ｂ）の部分拡大図、図３０（Ｅ）は図３０（Ｃ）の部分拡大図である。 図３１（Ａ）及び図３１（Ｂ）は、第１実施形態、第２実施形態、第５実施形態及び第６実施形態の製造方法例の補足説明図である。

《第１実施形態（図１〜図９）》
先ず、図１〜図３を引用して、本発明を適用した積層セラミックコンデンサ１０-1の構造について説明する。因みに、図１は積層セラミックコンデンサ１０-1の高さ方向一面及び他面の両方を示し、図２（Ａ）は積層セラミックコンデンサ１０-1の幅方向一面及び他面の両方を示し、図３（Ａ）は積層セラミックコンデンサ１０-1の長さ方向一面及び他面の両方を示す。

図１〜図３に示した積層セラミックコンデンサ１０-1の長さＬは１０００μｍ、幅は５００μｍ、高さＨは１００μｍである（何れも公差を含まない基準寸法）。この積層セラミックコンデンサ１０-1は、長さと幅と高さとで規定された略直方体状のコンデンサ本体１１と、コンデンサ本体１１の長さ方向両端部に設けられた計２個の外部電極１２とを備えている。

コンデンサ本体１１の長さは９６０μｍ、幅は４６０μｍ、高さは８０μｍである（何れも公差を含まない基準寸法）。このコンデンサ本体１１は、高さ方向一面及び他面の長さ方向端縁及び幅方向端縁に各端縁に沿って連続して形成された矩形枠状の凹部１１ｂを有しており、高さ方向一面及び他面の凹部１１ｂを除く部分が略平坦な面状部１１ａとなっている（図５も参照）。凹部１１ｂの長さ方向寸法及び幅方向寸法は５０〜１００μｍの範囲内で設定され、凹部１１ｂの深さは５〜１０μｍの範囲内で設定されている。因みに、矩形枠状の凹部１１ｂの面状部１１ａと近接する箇所は、面状部１１ａに向かって徐々に深さが浅くなる傾斜面又は湾曲面となっている。

また、コンデンサ本体１１は、６〜６０層（図２及び図３には便宜上６層を表示）の矩形状の内部電極層１１ｃが誘電体層１１ｄを介して積層された容量部（符号無し）と、容量部の高さ方向両側に位置する保護部（符号無し）とを有している。内部電極層１１ｃは長さ方向に交互にずれていて、高さ方向一方から奇数番目の内部電極層１１ｃの長さ方向端縁は一方の外部電極１２に電気的に接続され、偶数番目の内部電極層１１ｃの長さ方向端縁は他方の外部電極１２に電気的に接続されている。

内部電極層１１ｃの長さは［コンデンサ本体１１の長さ］−［凹部１１ｂの長さ方向寸法］の値以下となっており、内部電極層１１ｃの幅は［コンデンサ本体１１の幅］−２×［凹部１１ｂの幅方向寸法］の値以下となっている。例えば、凹部１１ｂの長さ方向寸法が１００μｍの場合、内部電極層１１ｃの長さは８６０μｍ以下に設定され、凹部１１ｂの幅方向寸法が５０μｍの場合、内部電極層１１ｃの幅は３６０μｍ以下に設定されている。一方、誘電体層１１ｄと保護部の長さ及び幅は、コンデンサ本体１１の長さ及び幅と同じである。

また、内部電極層１１ｃの厚さは０．５〜５μｍの範囲内で設定され、誘電体層１１ｄの厚さは０．５〜１０μｍの範囲内で設定され、保護部の厚さは１０〜２０μｍの範囲内で設定されている。例えば、内部電極層１１ｃの厚さが０．５μｍで誘電体層１１ｄの厚さが０．５μｍで保護部の厚さが１０μｍの場合、内部電極層１１ｃの総数は概ね６０層となる。

前掲の内部電極層１１ｃには、好ましくはニッケル、銅、パラジウム、白金、銀、金、これらの合金等を主成分した良導体が使用されている。また、誘電体層１１ｄと保護部には、好ましくはチタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、ジルコン酸カルシウム、チタン酸ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウム、酸化チタン等を主成分とした誘電体セラミックス、より好ましくはε＞１０００又はクラス２（高誘電率系）の誘電体セラミックスが使用されている。

各外部電極１２は、下地導体層１２ａと、補助導体層１２ｂと、主導体層１２ｃとを有している。下地導体層１２ａは、コンデンサ本体１１の長さ方向端面を覆う部分（符号無し）とに、コンデンサ本体１１の高さ方向両面に位置する高さ方向側回り込み部１２ａ１と、コンデンサ本体１１の幅方向両面に位置する幅方向側回り込み部１２ａ２とを連続して有している。図２及び図３から分かるように、高さ方向側回り込み部１２ａ１は、コンデンサ本体１１の高さ方向一面及び他面に存する凹部１１ｂのうちの長さ方向端縁に沿う部分内に形成されており、幅方向側回り込み部１２ａ２は、コンデンサ本体１１の幅方向一面及び他面の端部に形成されている。また、高さ方向側回り込み部１２ａ１及び幅方向側回り込み部１２ａ２の長さは凹部１１ｂの長さ方向寸法と同等であり、高さ方向側回り込み部１２ａ１及び幅方向側回り込み部１２ａ２の厚さは、コンデンサ本体１１の長さ方向端面を覆う部分の厚さを含め、凹部１１ｂの深さと同等である。

また、補助導体層１２ｂは、主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１とコンデンサ本体１１の高さ方向一面及び他面との間に介在している。図２及び図３から分かるように、補助導体層１２ｂは、下地導体層１２ａの高さ方向側回り込み部１２ａ１の表面からコンデンサ本体１１の高さ方向一面及び他面、詳しくは面状部１１ａの表面及び凹部１１ｂのうちの幅方向端縁に沿う部分の内面に及んで連続して形成されている（図７も参照）。この補助導体層１２ｂは、コンデンサ本体１１に対する主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１の密着を補助する役割を担うものであり、その厚さは０．０５〜５μｍの範囲内で設定されている。補助導体層１２ｂの長さは、主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１の長さと同等又は該長さよりも僅かに短く、補助導体層１２ｂの幅は、コンデンサ本体１１の幅と同等又は該幅よりも僅かに狭い。

さらに、主導体層１２ｃは、下地導体層１２ａの長さ方向端面を覆う部分（符号無し）と、補助導体層１２ｂの表面に位置する高さ方向側回り込み部１２ｃ１と、下地導体層１２ａの幅方向側回り込み部１２ａ２の表面に位置する幅方向側回り込み部１２ｃ２とを連続して有している。図２及び図３から分かるように、高さ方向側回り込み部１２ｃ１は、補助導体層１２ｂの表面、換言すれば下地導体層１２ａの高さ方向側回り込み部１２ａ１上からコンデンサ本体１１の面状部１１ａ上及び凹部１１ｂのうちの幅方向端縁に沿う部分上に及んで連続して形成されており、幅方向側回り込み部１２ｃ２は、下地導体層１２ａの幅方向側回り込み部１２ａ２の表面に形成されている。また、高さ方向側回り込み部１２ｃ１の長さは積層セラミックコンデンサ１０-1の長さの１／５〜２／５の範囲内で設定されており、高さ方向側回り込み部１２ｃ１及び幅方向側回り込み部１２ｃ２の厚さは、下地導体層１２ａの長さ方向端面を覆う部分を含め、３〜１０μｍの範囲内で設定されている。因みに、幅方向側回り込み部１２ｃ２は下地導体層１２ａの幅方向側回り込み部１２ａ２の表面に形成されているため、図２（Ａ）に示したように、幅方向側回り込み部１２ｃ２の長さは高さ方向側回り込み部１２ｃ１の長さよりも短い。

つまり、各外部電極１２の主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１は、下地導体層１２ａの高さ方向側回り込み部１２ａ１上の表面区域とコンデンサ本体１１の面状部１１ａ上の表面区域とによって構成された略平坦な面状の被接続区域ＣＡを有している。

前掲の下地導体層１２ａと補助導体層１２ｂと主導体層１２ｃには、好ましくはニッケル、銅、パラジウム、白金、銀、金、チタン、スズ、亜鉛、これらの合金等を主成分した良導体が使用されている。下地導体層１２ａと補助導体層１２ｂと主導体層１２ｃの主成分は異なっていても良いし、同じであっても良い。

次に、図４〜図８を引用して、図１〜図３に示した積層セラミックコンデンサ１０-1の好ましい製造方法例について説明する。

コンデンサ本体１１の内部電極層１１ｃの主成分がニッケル、誘電体層１１ｄと保護部の主成分がチタン酸バリウムの場合には、先ず、ニッケル粉末とターピネオール（溶剤）とエチルセルロース（バインダ）と分散剤等の添加剤とを含む金属ペーストを用意すると共に、チタン酸バリウム粉末とエタノール（溶剤）とポリビニルブチラール（バインダ）と分散剤等の添加剤等とを含むセラミックスラリーを用意する。

そして、ダイコータやグラビアコータ等の塗工装置と乾燥装置とを用いて、キャリアフィルムの表面にセラミックスラリーを塗工し乾燥して、第１グリーンシートを作製する。また、スクリーン印刷機やグラビア印刷機等の印刷装置と乾燥装置とを用いて、第１グリーンシートの表面に金属ペーストをマトリクス状又は千鳥状に印刷し乾燥して、内部電極層用パターン群が形成された第２グリーンシートを作製する（図４を参照）。図４は１個の積層セラミックコンデンサ１０-1に対応する第２グリーンシートＧＳを示すものであり、矩形状の内部電極層用パターンＣＰの長さ方向一端縁と幅方向両端縁を囲むようにコ字状のマージンＭＡが存在する。

そして、打ち抜き刃及びヒータを有する可動式吸着ヘッド等の積層装置を用いて、第１グリーンシートから打ち抜いた単位シートを所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着して、保護部に対応した部位を作製する。続いて、第２グリーンシートから打ち抜いた単位シート（内部電極層用パターン群を含む）を所定数に達するまで積み重ねて熱圧着して、容量部に対応した部位を作製する。続いて、熱間静水圧プレス機や機械式又は油圧式プレス機等の本圧着装置を用いて、各部位を積み重ねたものを本熱圧着して、未焼成積層シートを作製する。

そして、ブレードダイシング機やレーザーダイシング機等の切断装置を用いて、未焼成積層シートを格子状に切断して、コンデンサ本体１１に対応した未焼成チップを作製する。そして、トンネル型焼成炉や箱型焼成炉等の焼成装置を用いて、多数の未焼成チップを還元性雰囲気下又は低酸素分圧雰囲気下で、ニッケル及びチタン酸バリウムに応じた温度プロファイルにて焼成（脱バインダ処理と焼成処理を含む）を行って、コンデンサ本体１１を作製する。

図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は焼成工程を経て作製されたコンデンサ本体１１を高さ方向から見た図と幅方向から見た図をそれぞれ示す。作製されたコンデンサ本体１１は、高さ方向一面及び他面の長さ方向端縁及び幅方向端縁に各端縁に沿って連続して形成された矩形枠状の凹部１１ｂを有しており、高さ方向一面及び他面の凹部１１ｂを除く部分が略平坦な面状部１１ａとなっている。この凹部１１ｂは未焼成積層シート作製工程で形成されるものであって、具体的には隣接する内部電極層１１ｃが高さ方向で向き合う区域に比べて、他の区域の高さ寸法が熱圧着時や本熱圧着時に減少し易いことを利用している。このような凹部１１ｂを形成する方法としては、熱間静水圧プレス機を用いて本熱圧着を行う方法の他、合成ゴム製の弾性板を高さ方向両面に接触させつつ機械式又は油圧式プレス機によって本熱圧着を行う方法が好ましく採用できる。

そして、ローラ塗布機やディップ塗布機等の塗布装置と乾燥装置とを用いて、コンデンサ本体１１の長さ方向両端部に金属ペースト（前記の金属ペーストを流用）を塗布し乾燥した後、前記同様の雰囲気下で焼き付け処理を行って、下地導体層１２ａを作製する（図６を参照）。下地導体層１２ａを作製するときには、図２及び図３に示したように、一部がコンデンサ本体１１の長さ方向端面に形成され、高さ方向側回り込み部１２ａ１が凹部１１ｂのうちの長さ方向端縁に沿う部分内に形成され、幅方向側回り込み部１２ａ２がコンデンサ本体１１の幅方向一面及び他面の端部に形成されるようにすると共に、高さ方向側回り込み部１２ａ１の厚さが凹部１１ｂの深さと極力同等になるようにする。高さ方向側回り込み部１２ａ１の厚さが凹部１１ｂの深さよりも顕著に大きく又は小さくなる場合には、使用する金属ペーストの粘度を調整することによって、厚さ調整を行うことができる。また、高さ方向側回り込み部１２ａ１の厚さが凹部１１ｂの深さよりも顕著に大きくなる場合には、金属ペーストを塗布した後に余分なペースト分を掻き取る方法、或いは、作製後の下地導体層１２ａの余分な部分を研磨する方法によって、厚さ調整を行うこともできる。

そして、下地導体層１２ａの高さ方向側回り込み部１２ａ１の表面からコンデンサ本体１１の面状部１１ａの表面及び凹部１１ｂのうちの幅方向端縁に沿う部分の内面に及んで連続するように、補助導体層１２ｂを作製する（図７を参照）。厚さが薄い補助導体層１２ｂを作製する方法としては、前記の金属ペーストを低粘度化したものや他の低粘度金属ペーストをスプレー噴霧等で吹き付けて、これに前記同様の雰囲気下で焼き付け処理を施す方法の他、スパッタ法や真空蒸着法等の気相法によってニッケル又はニッケル以外の金属の薄膜を形成する方法が好ましく採用できる。また、補助導体層１２ｂの厚さが数μｍの場合には、スクリーン印刷法で前記の金属ペースト又は他の金属ペーストを印刷して、これに前記同様の雰囲気下で焼き付け処理を施す方法でも、補助導体層１２ｂを問題なく作製することができる。尚、図７には、図示の便宜上、補助導体層１２ｂの長さが主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１の長さと同等で、幅がコンデンサ本体１１の幅と同等のものを示したが、先に述べたように該補助導体層１２ｂの長さは主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１の長さよりも僅かに短くても良いし（図８（Ａ）を参照、幅はコンデンサ本体１１の幅よりも僅かに狭くても良い（図８（Ｂ）を参照）。

そして、下地導体層１２ａの長さ方向端面を覆う部分と、補助導体層１２ｂの表面に位置する高さ方向側回り込み部１２ｃ１と、下地導体層１２ａの幅方向側回り込み部１２ａ２の表面に位置する幅方向側回り込み部１２ｃ２とが連続するように、主導体層１２ｃを作製する。この主導体層１２ｃを作製する方法としては、電解メッキ法の他、スパッタ法や真空蒸着法等の気相法を好ましく採用できる。

次に、図１〜図３に示した積層セラミックコンデンサ１０-1によって得られる効果について説明する（後記Ｅ１１〜Ｅ１３は効果を示す記号）。

（Ｅ１１）各外部電極１２の主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１は、下地導体層１２ａの高さ方向側回り込み部１２ａ１上の表面区域とコンデンサ本体１１の面状部１１ａ上の表面区域とによって構成された面状の被接続区域ＣＡを有しているため、該被接続区域ＣＡを利用して導体パッドや導体ビアに対する接続を高信頼下で行うことができる。例えば、被接続区域ＣＡをハンダを介して導体パッドに接続する場合、該被接続区域ＣＡに従前のような顕著な段差や起伏がないことから導体パッドとの隙間を略一様にすることができ、これによりハンダ量の偏りを原因とした接続不良を未然に防止することができる。また、被接続区域ＣＡに導体ビアに接続する場合、該被接続区域ＣＡに従前のような顕著な段差や起伏がないことから導体ビアが接続できる区域を十分に確保することができ、これにより導体ビアの位置公差を原因とした接続不良を未然に防止することができる。

（Ｅ１２）各外部電極１２の主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１とコンデンサ本体１１の高さ方向一面及び他面との間に、該コンデンサ本体１１に対する主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１の密着を補助する役割を担う補助導体層１２ｂが介在しているため、被接続区域ＣＡを利用して導体パッドや導体ビアに対して接続を行うときや接続完了後に主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１が面状部１１ａから剥離することを未然に防止することができる。この補助導体層１２ｂは、主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１をコンデンサ本体１１に直接形成したときに、コンデンサ本体１１の表面粗さや材質等に起因して十分な密着力が得難い場合に有用である。

（Ｅ１３）各外部電極１２の主導体層１２ｃの幅方向側回り込み部１２ｃ２の長さが高さ方向側回り込み部１２ｃ１の長さよりも短いため（図１及び図２（Ａ）を参照）、主導体層１２ｃから導体パッドや導体ビアとの接続にさほど関与しない部分を除外して、該主導体層１２ｃの形成に関する材料コストを削減することができる。また、積層セラミックコンデンサ１０-1が外力等によって撓みを生じた場合でも、各外部電極１２の主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１にかかる応力を分散することができる。

〈変形例〉
次に、図１〜図３に示した積層セラミックコンデンサ１０-1の変形例について説明する（後記Ｍ１１及びＭ１２は変形例を示す記号）。

（Ｍ１１）図１〜図３に示した積層セラミックコンデンサ１０-1では、各外部電極１２の補助導体層１２ｂを下地導体層１２ａの高さ方向側回り込み部１２ａ１の表面からコンデンサ本体１１の高さ方向一面及び他面に及んで連続して形成したが、図９に示したように、補助導体層１２ｂを凹部１１ｂのうちの長さ方向端縁に沿う部分の内面からコンデンサ本体１１の高さ方向一面及び他面に及んで連続して形成しても、前記同様の効果を得ることができる。このような補助導体層１２ｂの形態を採用する場合には、前記の製造方法例における補助導体層１２ｂの作製工程を、未焼成積層シート作製工程と未焼成チップ作製工程との間、或いは、未焼成チップ作製工程と下地導体層作製工程との間で実行すれば良い。

（Ｍ１２）図１〜図３に示した積層セラミックコンデンサ１０-1では、各外部電極１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１の一部が被接続区域ＣＡとして使用されないものを示したが、補助導体層１２ｂを下地導体層１２ａの高さ方向側回り込み部１２ａ１上からコンデンサ本体１１の面状部１１ａ上のみに及んで連続形成して、主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１の形状を被接続区域ＣＡに対応した形状となるようにしても、前記同様の効果を得ることができる。

《第２実施形態（図１０〜図１８）》
先ず、図１０〜図１２を引用して、本発明を適用した積層セラミックコンデンサ１０-2の構造について説明する。因みに、図１０は積層セラミックコンデンサ１０-2の高さ方向一面及び他面の両方を示し、図１１（Ａ）は積層セラミックコンデンサ１０-2の幅方向一面及び他面の両方を示し、図１２（Ａ）は積層セラミックコンデンサ１０-2の長さ方向一面及び他面の両方を示す。

図１０〜図１２に示した積層セラミックコンデンサ１０-2が、前記の積層セラミックコンデンサ１０-1（第１実施形態）と構造上で異なる点は、
・凹部１１ｂ’が、コンデンサ本体１１の高さ方向一面及び他面の長さ方向端縁のみに該長さ方向端縁に沿って帯状に形成されており、コンデンサ本体１１の高さ方向一面及び他面の凹部１１ｂ’を除く部分が、略平坦な面状部１１ａ’となっている点（図１０〜図１２及び図１４を参照）
・補助導体層１２ｂが、下地導体層１２ａの高さ方向側回り込み部１２ａ１の表面からコンデンサ本体１１の高さ方向一面及び他面の面状部１１ａ’の表面に及んで連続して形成されている点（図１０〜図１２及び図１６を参照）
・主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１が補助導体層１２ｂの表面、換言すれば下地導体層１２ａの高さ方向側回り込み部１２ａ１上からコンデンサ本体１１の面状部１１ａ上に及んで連続して形成されていて、下地導体層１２ａの高さ方向側回り込み部１２ａ１上の表面区域と面状部１１ａ’上の表面区域とによって略平坦な面状の被接続区域ＣＡが構成されている点（図１０〜図１２を参照）
にある。他の構造は前記の積層セラミックコンデンサ１０-1（第１実施形態）と同じであるため、その説明を省略する。

次に、図１３〜図１７を引用して、図１０〜図１２に示した積層セラミックコンデンサ１０-2の好ましい製造方法例について説明する。

コンデンサ本体１１の内部電極層１１ｃの主成分がニッケル、誘電体層１１ｄと保護部の主成分がチタン酸バリウムの場合には、先ず、ニッケル粉末とターピネオール（溶剤）とエチルセルロース（バインダ）と分散剤等の添加剤とを含む金属ペーストを用意すると共に、チタン酸バリウム粉末とエタノール（溶剤）とポリビニルブチラール（バインダ）と分散剤等の添加剤等とを含むセラミックスラリーを用意する。

そして、ダイコータやグラビアコータ等の塗工装置と乾燥装置とを用いて、キャリアフィルムの表面にセラミックスラリーを塗工し乾燥して、第１グリーンシートを作製する。また、スクリーン印刷機やグラビア印刷機等の印刷装置と乾燥装置とを用いて、第１グリーンシートの表面に金属ペーストをマトリクス状又は千鳥状に印刷し乾燥すると共に、各内部電極層用パターンの幅方向両側のマージンにセラミックスラリーを塗工し乾燥して、内部電極層用パターン群が形成された第２グリーンシートを作製する（図１３を参照）。図１３は１個の積層セラミックコンデンサ１０-2に対応する第２グリーンシートＧＳを示すものであり、矩形状の内部電極層用パターンＣＰの幅方向両側には該パターンＣＰと同等厚さのグリーンシート部分ＧＳａが形成されているため、マージンＭＡは第２グリーンシートＧＳの長さ方向一端縁のみに沿って存在する。

そして、打ち抜き刃及びヒータを有する可動式吸着ヘッド等の積層装置を用いて、第１グリーンシートから打ち抜いた単位シートを所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着して、保護部に対応した部位を作製する。続いて、第２グリーンシートから打ち抜いた単位シート（内部電極層用パターン群を含む）を所定数に達するまで積み重ねて熱圧着して、容量部に対応した部位を作製する。続いて、熱間静水圧プレス機や機械式又は油圧式プレス機等の本圧着装置を用いて、各部位を積み重ねたものを本熱圧着して、未焼成積層シートを作製する。

そして、ブレードダイシング機やレーザーダイシング機等の切断装置を用いて、未焼成積層シートを格子状に切断して、コンデンサ本体１１に対応した未焼成チップを作製する。そして、トンネル型焼成炉や箱型焼成炉等の焼成装置を用いて、多数の未焼成チップを還元性雰囲気下又は低酸素分圧雰囲気下で、ニッケル及びチタン酸バリウムに応じた温度プロファイルにて所定（脱バインダ処理と焼成処理を含む）を行って、コンデンサ本体１１を作製する。

図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）は焼成工程を経て作製されたコンデンサ本体１１を高さ方向から見た図と幅方向から見た図をそれぞれ示す。作製されたコンデンサ本体１１は、高さ方向一面及び他面の長さ方向端縁のみに該長さ方向端縁に沿って形成された帯状の凹部１１ｂ’を有しており、高さ方向一面及び他面の凹部１１ｂ’を除く部分が略平坦な面状部１１ａ’となっている。この凹部１１ｂ’は未焼成積層シート作製工程で形成されるものであって、具体的には隣接する内部電極層１１ｃが高さ方向で向き合う区域に比べて、他の区域の高さ寸法が熱圧着時や本熱圧着時に減少し易いことを利用している。このような凹部１１ｂ’を形成する方法としては、熱間静水圧プレス機を用いて本熱圧着を行う方法の他、合成ゴム製の弾性板を高さ方向両面に接触させつつ機械式又は油圧式プレス機によって本熱圧着を行う方法が好ましく採用できる。

そして、ローラ塗布機やディップ塗布機等の塗布装置と乾燥装置とを用いて、コンデンサ本体１１の長さ方向両端部に金属ペースト（前記の金属ペーストを流用）を塗布し乾燥した後、前記同様の雰囲気下で焼き付け処理を行って、下地導体層１２ａを作製する（図１５を参照）。下地導体層１２ａを作製するときには、図１１及び図１２に示したように、一部がコンデンサ本体１１の長さ方向端面に形成され、高さ方向側回り込み部１２ａ１が凹部１１ｂ’内に形成され、幅方向側回り込み部１２ａ２がコンデンサ本体１１の幅方向一面及び他面の端部に形成されるようにすると共に、高さ方向側回り込み部１２ａ１の厚さが凹部１１ｂ’の深さと極力同等になるようにする。高さ方向側回り込み部１２ａ１の厚さが凹部１１ｂ’の深さよりも顕著に大きく又は小さくなる場合には、使用する金属ペーストの粘度を調整することによって、厚さ調整を行うことができる。また、高さ方向側回り込み部１２ａ１の厚さが凹部１１ｂ’の深さよりも顕著に大きくなる場合には、金属ペーストを塗布した後に余分なペースト分を掻き取る方法、或いは、作製後の下地導体層１２ａの余分な部分を研磨する方法によって、厚さ調整を行うこともできる。

そして、下地導体層１２の高さ方向側回り込み部１２ａ１の表面からコンデンサ本体１１の面状部１１ａ’の表面に及んで連続するように、補助導体層１２ｂを作製する（図１６を参照）。厚さが薄い補助導体層１２ｂを作製する方法としては、前記の金属ペーストを低粘度化したものや他の低粘度金属ペーストをスプレー噴霧等で吹き付けて、これに前記同様の雰囲気下で焼き付け処理を施す方法の他、スパッタ法や真空蒸着法等の気相法によってニッケル又はニッケル以外の金属の薄膜を形成する方法が好ましく採用できる。また、補助導体層１２ｂの厚さが数μｍの場合には、スクリーン印刷法で前記の金属ペースト又は他の金属ペーストを印刷して、これに前記同様の雰囲気下で焼き付け処理を施す方法でも、補助導体層１２ｂを問題なく作製することができる。尚、図１６には、図示の便宜上、補助導体層１２ｂの長さが主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１の長さと同等で、幅がコンデンサ本体１１の幅と同等のものを示したが、先に述べたように該補助導体層１２ｂの長さは主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１の長さよりも僅かに短くても良いし（図１７（Ａ）を参照）、幅はコンデンサ本体１１の幅よりも僅かに狭くても良い（図１７（Ｂ）を参照）。

そして、下地導体層１２ａの長さ方向端面を覆う部分と、補助導体層１２ｂの表面に位置する高さ方向側回り込み部１２ｃ１と、下地導体層１２ａの幅方向側回り込み部１２ａ２の表面に位置する幅方向側回り込み部１２ｃ２とが連続するように、主導体層１２ｃを作製する。この主導体層１２ｃを作製する方法としては、電解メッキ法の他、スパッタ法や真空蒸着法等の気相法を好ましく採用できる。

次に、図１０〜図１２に示した積層セラミックコンデンサ１０-2によって得られる効果について説明する（後記Ｅ２１〜Ｅ２３は効果を示す記号）。

（Ｅ２１）各外部電極１２の主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１は、下地導体層１２ａの高さ方向側回り込み部１２ａ１上の表面区域とコンデンサ本体１１の面状部１１ａ’上の表面区域とによって構成された面状の被接続区域ＣＡを有しているため、該被接続区域ＣＡを利用して導体パッドや導体ビアに対する接続を高信頼下で行うことができる。例えば、被接続区域ＣＡをハンダを介して導体パッドに接続する場合、該被接続区域ＣＡに従前のような顕著な段差や起伏がないことから導体パッドとの隙間を略一様にすることができ、これによりハンダ量の偏りを原因とした接続不良を未然に防止することができる。また、被接続区域ＣＡに導体ビアに接続する場合、該被接続区域ＣＡに従前のような顕著な段差や起伏がないことから導体ビアが接続できる区域を十分に確保することができ、これにより導体ビアの位置公差を原因とした接続不良を未然に防止することができる。

（Ｅ２２）各外部電極１２の主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１とコンデンサ本体１１の高さ方向一面及び他面との間に、該コンデンサ本体１１に対する主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１の密着を補助する役割を担う補助導体層１２ｂが介在しているため、被接続区域ＣＡを利用して導体パッドや導体ビアに対して接続を行うときや接続完了後に主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１が面状部１１ａから剥離することを未然に防止することができる。この補助導体層１２ｂは、主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１をコンデンサ本体１１に直接形成したときに、コンデンサ本体１１の表面粗さや材質等に起因して十分な密着力が得難い場合に有用である。

（Ｅ２３）各外部電極１２の主導体層１２ｃの幅方向回り込み部１２ｃ２の長さが高さ方向側回り込み部１２ｃ１の長さよりも短いため（図１０及び図１１（Ａ）を参照）、主導体層１２ｃから導体パッドや導体ビアとの接続にさほど関与しない部分を除外して、該主導体層１２ｃの形成に関する材料コストを削減することができる。また、積層セラミックコンデンサ１０-2が外力等によって撓みを生じた場合でも、各外部電極１２の主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１にかかる応力を分散することができる。

〈変形例〉
次に、図１０〜図１２に示した積層セラミックコンデンサ１０-2の変形例について説明する（後記Ｍ２１は変形例を示す記号）。

（Ｍ２１）図１０〜図１２に示した積層セラミックコンデンサ１０-2では、各外部電極１２の補助導体層１２ｂを下地導体層１２ａの高さ方向側回り込み部１２ａ１の表面からコンデンサ本体１１の高さ方向一面及び他面に及んで連続して形成したが、図１８に示したように、補助導体層１２ｂを凹部１１ｂ’の内面からコンデンサ本体１１の高さ方向一面及び他面に及んで連続して形成しても、前記同様の効果を得ることができる。このような補助導体層１２ｂの形態を採用する場合には、前記の製造方法例における補助導体層１２ｂの作製工程を、未焼成積層シート作製工程と未焼成チップ作製工程との間、或いは、未焼成チップ作製工程と下地導体層作製工程との間で実行すれば良い。

《第３実施形態（図１９〜図２１）》
先ず、図１９〜図２１を引用して、本発明を適用した積層セラミックコンデンサ１０-3の構造について説明する。因みに、図１９は積層セラミックコンデンサ１０-3の高さ方向一面及び他面の両方を示し、図２０（Ａ）は積層セラミックコンデンサ１０-3の幅方向一面及び他面の両方を表し示し、図２１（Ａ）は積層セラミックコンデンサ１０-3の長さ方向一面及び他面の両方を示す。

図１９〜図２１に示した積層セラミックコンデンサ１０-3が、前記の積層セラミックコンデンサ１０-1（第１実施形態）と構造上で異なる点は、
・補助導体層１２ｂを排除した点（図１９〜図２１を参照）
・主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１が、下地導体層１２ａの高さ方向側回り込み部１２ａ１の表面からコンデンサ本体１１の面状部１１ａの表面及び凹部１１ｂのうちの幅方向端縁に沿う部分の内面に及んで連続して形成され、また、幅方向側回り込み部１２ｃ２が、下地導体層１２ａの幅方向側回り込み部１２ａ２の表面からコンデンサ本体１１の幅方向一面及び他面に及んで連続して形成されている点（図１９〜図２１を参照）
・主導体層１２ｃの幅方向側回り込み部１２ｃ２の長さが高さ方向側回り込み部１２ｃ１の長さと同等である点（図１９及び図２０（Ａ）を参照）
にある。他の構造は前記の積層セラミックコンデンサ１０-1（第１実施形態）と同じであるため、その説明を省略する。

次に、図１９〜図２１に示した積層セラミックコンデンサ１０-3の好ましい製造方法例について、図４〜図６を流用して説明する。

コンデンサ本体１１の内部電極層１１ｃの主成分がニッケル、誘電体層１１ｄと保護部の主成分がチタン酸バリウムの場合には、先ず、ニッケル粉末とターピネオール（溶剤）とエチルセルロース（バインダ）と分散剤等の添加剤とを含む金属ペーストを用意すると共に、チタン酸バリウム粉末とエタノール（溶剤）とポリビニルブチラール（バインダ）と分散剤等の添加剤等とを含むセラミックスラリーを用意する。

そして、ダイコータやグラビアコータ等の塗工装置と乾燥装置とを用いて、キャリアフィルムの表面にセラミックスラリーを塗工し乾燥して、第１グリーンシートを作製する。また、スクリーン印刷機やグラビア印刷機等の印刷装置と乾燥装置とを用いて、第１グリーンシートの表面に金属ペーストをマトリクス状又は千鳥状に印刷し乾燥して、内部電極層用パターン群が形成された第２グリーンシートを作製する（図４を参照）。図４は１個の積層セラミックコンデンサ１０-3に対応する第２グリーンシートＧＳを示すものであり、矩形状の内部電極層用パターンＣＰの長さ方向一端縁と幅方向両端縁を囲むようにコ字状のマージンＭＡが存在する。

そして、打ち抜き刃及びヒータを有する可動式吸着ヘッド等の積層装置を用いて、第１グリーンシートから打ち抜いた単位シートを所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着して、保護部に対応した部位を作製する。続いて、第２グリーンシートから打ち抜いた単位シート（内部電極層用パターン群を含む）を所定数に達するまで積み重ねて熱圧着して、容量部に対応した部位を作製する。続いて、熱間静水圧プレス機や機械式又は油圧式プレス機等の本圧着装置を用いて、各部位を積み重ねたものを本熱圧着して、未焼成積層シートを作製する。

そして、ブレードダイシング機やレーザーダイシング機等の切断装置を用いて、未焼成積層シートを格子状に切断して、コンデンサ本体１１に対応した未焼成チップを作製する。そして、トンネル型焼成炉や箱型焼成炉等の焼成装置を用いて、多数の未焼成チップを還元性雰囲気下又は低酸素分圧雰囲気下で、ニッケル及びチタン酸バリウムに応じた温度プロファイルにて焼成（脱バインダ処理と焼成処理を含む）を行って、コンデンサ本体１１を作製する。

作製されたコンデンサ本体１１は、高さ方向一面及び他面の長さ方向端縁及び幅方向端縁に各端縁に沿って連続して形成された矩形枠状の凹部１１ｂを有しており、高さ方向一面及び他面の凹部１１ｂを除く部分が略平坦な面状部１１ａとなっている（図５を参照）。この凹部１１ｂは未焼成積層シート作製工程で形成されるものであって、具体的には隣接する内部電極層１１ｃが高さ方向で向き合う区域に比べて、他の区域の高さ寸法が熱圧着時や本熱圧着時に減少し易いことを利用している。このような凹部１１ｂを形成する方法としては、熱間静水圧プレス機を用いて本熱圧着を行う方法の他、合成ゴム製の弾性板を高さ方向両面に接触させつつ機械式又は油圧式プレス機によって本熱圧着を行う方法が好ましく採用できる。

そして、ローラ塗布機やディップ塗布機等の塗布装置と乾燥装置とを用いて、コンデンサ本体１１の長さ方向両端部に金属ペースト（前記の金属ペーストを流用）を塗布し乾燥した後、前記同様の雰囲気下で焼き付け処理を行って、下地導体層１２ａを作製する（図６を参照）。下地導体層１２ａを作製するときには、図２０及び図２１に示したように、一部がコンデンサ本体１１の長さ方向端面に形成され、高さ方向側回り込み部１２ａ１が凹部１１ｂのうちの長さ方向端縁に沿う部分内に形成され、幅方向側回り込み部１２ａ２がコンデンサ本体１１の幅方向一面及び他面の端部に形成されるようにすると共に、高さ方向側回り込み部１２ａ１の厚さが凹部１１ｂの深さと極力同等になるようにする。高さ方向側回り込み部１２ａ１の厚さが凹部１１ｂの深さよりも顕著に大きく又は小さくなる場合には、使用する金属ペーストの粘度を調整することによって、厚さ調整を行うことができる。また、高さ方向側回り込み部１２ａ１の厚さが凹部１１ｂの深さよりも顕著に大きくなる場合には、金属ペーストを塗布した後に余分なペースト分を掻き取る方法、或いは、作製後の下地導体層１２ａの余分な部分を研磨する方法によって、厚さ調整を行うこともできる。

そして、下地導体層１２ａの長さ方向端面を覆う部分と、下地導体層１２ａの高さ方向側回り込み部１２ａ１の表面及びコンデンサ本体１１の高さ方向一面及び他面に位置する高さ方向側回り込み部１２ｃ１と、下地導体層１２ａの幅方向側回り込み部１２ａ２の表面及びコンデンサ本体１１の幅方向一面及び他面に位置する幅方向側回り込み部１２ｃ２１とが連続するように、主導体層１２ｃを作製する。この主導体層１２ｃを作製する方法としては、スパッタ法や真空蒸着法等の気相法を好ましく採用できる。

次に、図１９〜図２１に示した積層セラミックコンデンサ１０-3によって得られる効果について説明する（後記Ｅ３１及びＥ３２は効果を示す記号）。

（Ｅ３１）各外部電極１２の主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１は、下地導体層１２ａの高さ方向側回り込み部１２ａ１上の表面区域とコンデンサ本体１１の面状部１１ａ上の表面区域とによって構成された面状の被接続区域ＣＡを有しているため、該被接続区域ＣＡを利用して導体パッドや導体ビアに対する接続を高信頼下で行うことができる。例えば、被接続区域ＣＡをハンダを介して導体パッドに接続する場合、該被接続区域ＣＡに従前のような顕著な段差や起伏がないことから導体パッドとの隙間を略一様にすることができ、これによりハンダ量の偏りを原因とした接続不良を未然に防止することができる。また、被接続区域ＣＡに導体ビアに接続する場合、該被接続区域ＣＡに従前のような顕著な段差や起伏がないことから導体ビアが接続できる区域を十分に確保することができ、これにより導体ビアの位置公差を原因とした接続不良を未然に防止することができる。

（Ｅ３２）各外部電極１２の主導体層１２ｃの幅方向側回り込み部１２ｃ２の長さが高さ方向側回り込み部１２ｃ１の長さと同等であるため（図１９及び図２０（Ａ）を参照）、コンデンサ本体１１の全表面の略４０〜８０％が柔軟性の高い主導体層１２ｃで覆われる形態を確保して、積層セラミックコンデンサ１０-3の抗折強度を向上させることができる。

《第４実施形態（図２２〜図２４）》
先ず、図２２〜図２４を引用して、本発明を適用した積層セラミックコンデンサ１０-4の構造について説明する。因みに、図２２は積層セラミックコンデンサ１０-4の高さ方向一面及び他面の両方を示し、図２３（Ａ）は積層セラミックコンデンサ１０-4の幅方向一面及び他面の両方を示し、図２４（Ａ）は積層セラミックコンデンサ１０-4の長さ方向一面及び他面の両方を示す。

図２２〜図２４に示した積層セラミックコンデンサ１０-4が、前記の積層セラミックコンデンサ１０-1（第１実施形態）と構造上で異なる点は、
・凹部１１ｂ’が、コンデンサ本体１１の高さ方向一面及び他面の長さ方向端縁のみに該長さ方向端縁に沿って帯状に形成されており、コンデンサ本体１１の高さ方向一面及び他面の凹部１１ｂ’を除く部分が、略平坦な面状部１１ａ’となっている点（図２２〜図２４を参照）
・補助導体層１２ｂを排除した点（図２２〜図２４を参照）
・主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１が、下地導体層１２ａの高さ方向側回り込み部１２ａ１の表面からコンデンサ本体１１の面状部１１ａ’の表面に及んで連続して形成され、また、幅方向側回り込み部１２ｃ２が、下地導体層１２ａの幅方向側回り込み部１２ａ２のからコンデンサ本体１１の幅方向一面及び他面に及んで連続して形成されている点（図２２〜図２４を参照）
・主導体層１２ｃの幅方向側回り込み部１２ｃ２の長さが高さ方向側回り込み部１２ｃ１の長さと同等である点（図２２及び図２３（Ａ）を参照）
にある。他の構造は前記の積層セラミックコンデンサ１０-1（第１実施形態）と同じであるため、その説明を省略する。

次に、図２２〜図２４に示した積層セラミックコンデンサ１０-4の好ましい製造方法例について、図１３〜図１５を流用して説明する。

コンデンサ本体１１の内部電極層１１ｃの主成分がニッケル、誘電体層１１ｄと保護部の主成分がチタン酸バリウムの場合には、先ず、ニッケル粉末とターピネオール（溶剤）とエチルセルロース（バインダ）と分散剤等の添加剤とを含む金属ペーストを用意すると共に、チタン酸バリウム粉末とエタノール（溶剤）とポリビニルブチラール（バインダ）と分散剤等の添加剤等とを含むセラミックスラリーを用意する。

そして、ダイコータやグラビアコータ等の塗工装置と乾燥装置とを用いて、キャリアフィルムの表面にセラミックスラリーを塗工し乾燥して、第１グリーンシートを作製する。また、スクリーン印刷機やグラビア印刷機等の印刷装置と乾燥装置とを用いて、第１グリーンシートの表面に金属ペーストをマトリクス状又は千鳥状に印刷し乾燥すると共に、各内部電極層用パターンの幅方向両側のマージンにセラミックスラリーを塗工し乾燥して、内部電極層用パターン群が形成された第２グリーンシートを作製する（図１３を参照）。図１３は１個の積層セラミックコンデンサ１０-4に対応する第２グリーンシートＧＳを示すものであり、矩形状の内部電極層用パターンＣＰの幅方向両側には該パターンＣＰと同等厚さのグリーンシート部分ＧＳａが形成されているため、マージンＭＡは第２グリーンシートＧＳの長さ方向一端縁のみに沿って存在する。

そして、打ち抜き刃及びヒータを有する可動式吸着ヘッド等の積層装置を用いて、第１グリーンシートから打ち抜いた単位シートを所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着して、保護部に対応した部位を作製する。続いて、第２グリーンシートから打ち抜いた単位シート（内部電極層用パターン群を含む）を所定数に達するまで積み重ねて熱圧着して、容量部に対応した部位を作製する。続いて、熱間静水圧プレス機や機械式又は油圧式プレス機等の本圧着装置を用いて、各部位を積み重ねたものを本熱圧着して、未焼成積層シートを作製する。

そして、ブレードダイシング機やレーザーダイシング機等の切断装置を用いて、未焼成積層シートを格子状に切断して、コンデンサ本体１１に対応した未焼成チップを作製する。そして、トンネル型焼成炉や箱型焼成炉等の焼成装置を用いて、多数の未焼成チップを還元性雰囲気下又は低酸素分圧雰囲気下で、ニッケル及びチタン酸バリウムに応じた温度プロファイルにて所定（脱バインダ処理と焼成処理を含む）を行って、コンデンサ本体１１を作製する。

作製されたコンデンサ本体１１は、高さ方向一面及び他面の長さ方向端縁のみに該長さ方向端縁に沿って形成された帯状の凹部１１ｂ’を有しており、高さ方向一面及び他面の凹部１１ｂ’を除く部分が略平坦な面状部１１ａ’となっている（図１４を参照）。この凹部１１ｂ’は未焼成積層シート作製工程で形成されるものであって、具体的には隣接する内部電極層１１ｃが高さ方向で向き合う区域に比べて、他の区域の高さ寸法が熱圧着時や本熱圧着時に減少し易いことを利用している。このような凹部１１ｂ’を形成する方法としては、熱間静水圧プレス機を用いて本熱圧着を行う方法の他、合成ゴム製の弾性板を高さ方向両面に接触させつつ機械式又は油圧式プレス機によって本熱圧着を行う方法が好ましく採用できる。

そして、ローラ塗布機やディップ塗布機等の塗布装置と乾燥装置とを用いて、コンデンサ本体１１の長さ方向両端部に金属ペースト（前記の金属ペーストを流用）を塗布し乾燥した後、前記同様の雰囲気下で焼き付け処理を行って下地導体層１２ａを作製する（図１５を参照）。下地導体層１２ａを作製するときには、図２３及び図２４に示したように、一部がコンデンサ本体１１の長さ方向端面に形成され、高さ方向側回り込み部１２ａ１が凹部１１ｂ’内に形成され、幅方向側回り込み部１２ａ１がコンデンサ本体１１の幅方向一面及び他面の端部に形成されるようにすると共に、高さ方向側回り込み部１２ａ１の厚さが凹部１１ｂ’の深さと極力同等になるようにする。高さ方向側回り込み部１２ａ１の厚さが凹部１１ｂ’の深さよりも顕著に大きく又は小さくなる場合には、使用する金属ペーストの粘度を調整することによって厚さ調整を行うことができる。また、高さ方向側回り込み部１２ａ１の厚さが凹部１１ｂ’の深さよりも顕著に大きくなる場合には、金属ペーストを塗布した後に余分なペースト分を掻き取る方法、或いは、作製後の下地導体層１２ａの余分な部分を研磨する方法によって厚さ調整を行うこともできる。

そして、下地導体層１２ａの長さ方向端面を覆う部分と、下地導体層１２ａの高さ方向側回り込み部１２ａ１の表面及びコンデンサ本体１１の高さ方向一面及び他面に位置する高さ方向側回り込み部１２ｃ１と、下地導体層１２ａの幅方向側回り込み部１２ａ２の表面及びコンデンサ本体１１の幅方向一面及び他面に位置する幅方向側回り込み部１２ｃ２１とが連続するように、主導体層１２ｃを作製する。この主導体層１２ｃを作製する方法としては、スパッタ法や真空蒸着法等の気相法を好ましく採用できる。

次に、図２２〜図２４に示した積層セラミックコンデンサ１０-4によって得られる効果について説明する（後記Ｅ４１及びＥ４２は効果を示す記号）。

（Ｅ４１）各外部電極１２の主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１は、下地導体層１２ａの高さ方向側回り込み部１２ａ１上の表面区域とコンデンサ本体１１の面状部１１ａ上の表面区域とによって構成された面状の被接続区域ＣＡを有しているため、該被接続区域ＣＡを利用して導体パッドや導体ビアに対する接続を高信頼下で行うことができる。例えば、被接続区域ＣＡをハンダを介して導体パッドに接続する場合、該被接続区域ＣＡに従前のような顕著な段差や起伏がないことから導体パッドとの隙間を略一様にすることができ、これによりハンダ量の偏りを原因とした接続不良を未然に防止することができる。また、被接続区域ＣＡに導体ビアに接続する場合、該被接続区域ＣＡに従前のような顕著な段差や起伏がないことから導体ビアが接続できる区域を十分に確保することができ、これにより導体ビアの位置公差を原因とした接続不良を未然に防止することができる。

（Ｅ４２）各外部電極１２の主導体層１２ｃの幅方向側回り込み部１２ｃ２の長さが高さ方向側回り込み部１２ｃ１の長さと同等であるため（図２２及び図２３（Ａ）を参照）、コンデンサ本体１１の全表面の略４０〜８０％が柔軟性の高い主導体層１２ｃで覆われる形態を確保して、積層セラミックコンデンサ１０-4の抗折強度を向上させることができる。

《第５実施形態（図２５〜図２７）》
先ず、図２５〜図２７を引用して、本発明を適用した積層セラミックコンデンサ１０-5の構造について説明する。因みに、図２５は積層セラミックコンデンサ１０-5の高さ方向一面及び他面の両方を示し、図２６（Ａ）は積層セラミックコンデンサ１０-5の幅方向一面及び他面の両方を示し、図２７（Ａ）は積層セラミックコンデンサ１０-5の長さ方向一面及び他面の両方を示す。

図２５〜図２７に示した積層セラミックコンデンサ１０-5が、前記の積層セラミックコンデンサ１０-1（第１実施形態）と構造上で異なる点は、
・主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１における幅方向側回り込み部１２ｃ２よりも長い部分（符号無し）が、該長い部分の幅方向両端縁に、コンデンサ本体１１の長さ方向稜線を覆う稜線被覆部１２ｃ３を連続して有している点（図２５〜図２７を参照）
にある。他の構造は前記の積層セラミックコンデンサ１０-1（第１実施形態）と同じであるため、その説明を省略する。

次に、図２５〜図２７に示した積層セラミックコンデンサ１０-5の好ましい製造方法例について、図４〜図８を流用して説明する。

コンデンサ本体１１の内部電極層１１ｃの主成分がニッケル、誘電体層１１ｄと保護部の主成分がチタン酸バリウムの場合には、先ず、ニッケル粉末とターピネオール（溶剤）とエチルセルロース（バインダ）と分散剤等の添加剤とを含む金属ペーストを用意すると共に、チタン酸バリウム粉末とエタノール（溶剤）とポリビニルブチラール（バインダ）と分散剤等の添加剤等とを含むセラミックスラリーを用意する。

そして、ダイコータやグラビアコータ等の塗工装置と乾燥装置とを用いて、キャリアフィルムの表面にセラミックスラリーを塗工し乾燥して、第１グリーンシートを作製する。また、スクリーン印刷機やグラビア印刷機等の印刷装置と乾燥装置とを用いて、第１グリーンシートの表面に金属ペーストをマトリクス状又は千鳥状に印刷し乾燥して、内部電極層用パターン群が形成された第２グリーンシートを作製する（図４を参照）。図４は１個の積層セラミックコンデンサ１０-5に対応する第２グリーンシートＧＳを示すものであり、矩形状の内部電極層用パターンＣＰの長さ方向一端縁と幅方向両端縁を囲むようにコ字状のマージンＭＡが存在する。

そして、打ち抜き刃及びヒータを有する可動式吸着ヘッド等の積層装置を用いて、第１グリーンシートから打ち抜いた単位シートを所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着して、保護部に対応した部位を作製する。続いて、第２グリーンシートから打ち抜いた単位シート（内部電極層用パターン群を含む）を所定数に達するまで積み重ねて熱圧着して、容量部に対応した部位を作製する。続いて、熱間静水圧プレス機や機械式又は油圧式プレス機等の本圧着装置を用いて、各部位を積み重ねたものを本熱圧着して、未焼成積層シートを作製する。

そして、ブレードダイシング機やレーザーダイシング機等の切断装置を用いて、未焼成積層シートを格子状に切断して、コンデンサ本体１１に対応した未焼成チップを作製する。そして、トンネル型焼成炉や箱型焼成炉等の焼成装置を用いて、多数の未焼成チップを還元性雰囲気下又は低酸素分圧雰囲気下で、ニッケル及びチタン酸バリウムに応じた温度プロファイルにて焼成（脱バインダ処理と焼成処理を含む）を行って、コンデンサ本体１１を作製する。

作製されたコンデンサ本体１１は、高さ方向一面及び他面の長さ方向端縁及び幅方向端縁に各端縁に沿って連続して形成された矩形枠状の凹部１１ｂを有しており、高さ方向一面及び他面の凹部１１ｂを除く部分が略平坦な面状部１１ａとなっている（図５を参照）。この凹部１１ｂは未焼成積層シート作製工程で形成されるものであって、具体的には隣接する内部電極層１１ｃが高さ方向で向き合う区域に比べて、他の区域の高さ寸法が熱圧着時や本熱圧着時に減少し易いことを利用している。このような凹部１１ｂを形成する方法としては、熱間静水圧プレス機を用いて本熱圧着を行う方法の他、合成ゴム製の弾性板を高さ方向両面に接触させつつ機械式又は油圧式プレス機によって本熱圧着を行う方法が好ましく採用できる。

そして、ローラ塗布機やディップ塗布機等の塗布装置と乾燥装置とを用いて、コンデンサ本体１１の長さ方向両端部に金属ペースト（前記の金属ペーストを流用）を塗布し乾燥した後、前記同様の雰囲気下で焼き付け処理を行って、下地導体層１２ａを作製する（図６を参照）。下地導体層１２ａを作製するときには、図２６及び図２７に示したように、一部がコンデンサ本体１１の長さ方向端面に形成され、高さ方向側回り込み部１２ａ１が凹部１１ｂのうちの長さ方向端縁に沿う部分内に形成され、幅方向側回り込み部１２ａ２がコンデンサ本体１１の幅方向一面及び他面の端部に形成されるようにすると共に、高さ方向側回り込み部１２ａ１の厚さが凹部１１ｂの深さと極力同等になるようにする。高さ方向側回り込み部１２ａ１の厚さが凹部１１ｂの深さよりも顕著に大きく又は小さくなる場合には、使用する金属ペーストの粘度を調整することによって、厚さ調整を行うことができる。また、高さ方向側回り込み部１２ａ１の厚さが凹部１１ｂの深さよりも顕著に大きくなる場合には、金属ペーストを塗布した後に余分なペースト分を掻き取る方法、或いは、作製後の下地導体層１２ａの余分な部分を研磨する方法によって、厚さ調整を行うこともできる。

そして、下地導体層１２ａの高さ方向側回り込み部１２ａ１の表面からコンデンサ本体１１の面状部１１ａの表面及び凹部１１ｂのうちの幅方向端縁に沿う部分の内面に及んで連続するように、補助導体層１２ｂを作製する（図７を参照）。厚さが薄い補助導体層１２ｂを作製する方法としては、前記の金属ペーストを低粘度化したものや他の低粘度金属ペーストをスプレー噴霧等で吹き付けて、これに前記同様の雰囲気下で焼き付け処理を施す方法の他、スパッタ法や真空蒸着法等の気相法によってニッケル又はニッケル以外の金属の薄膜を形成する方法が好ましく採用できる。また、補助導体層１２ｂの厚さが数μｍの場合には、スクリーン印刷法で前記の金属ペースト又は他の金属ペーストを印刷して、これに前記同様の雰囲気下で焼き付け処理を施す方法でも、補助導体層１２ｂを問題なく作製することができる。尚、図７には、図示の便宜上、補助導体層１２ｂの長さが主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１の長さと同等で、幅がコンデンサ本体１１の幅と同等のものを示したが、先に述べたように該補助導体層１２ｂの長さは主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１の長さよりも僅かに短くても良いし（図８（Ａ）を参照、幅はコンデンサ本体１１の幅よりも僅かに狭くても良い（図８（Ｂ）を参照）。

そして、下地導体層１２ａの長さ方向端面を覆う部分と、補助導体層１２ｂの表面に位置する高さ方向側回り込み部１２ｃ１と、下地導体層１２ａの幅方向側回り込み部１２ａ２の表面に位置する幅方向側回り込み部１２ｃ２とが連続するように、主導体層１２ｃを作製する。また、主導体層１２ｃを作製するときには、図２５〜図２７に示したように、該主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１における幅方向側回り込み部１２ｃ２よりも長い部分の幅方向両端縁に、コンデンサ本体１１の長さ方向稜線を覆う稜線被覆部１２ｃ３が連続して形成されるようにする。この主導体層１２ｃを作製する方法としては、電解メッキ法の他、スパッタ法や真空蒸着法等の気相法を好ましく採用できる。

次に、図２５〜図２７に示した積層セラミックコンデンサ１０-5によって得られる効果について説明する（後記Ｅ５１〜Ｅ５４は効果を示す記号）。

（Ｅ５１）各外部電極１２の主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１は、下地導体層１２ａの高さ方向側回り込み部１２ａ１上の表面区域とコンデンサ本体１１の面状部１１ａ上の表面区域とによって構成された面状の被接続区域ＣＡを有しているため、該被接続区域ＣＡを利用して導体パッドや導体ビアに対する接続を高信頼下で行うことができる。例えば、被接続区域ＣＡをハンダを介して導体パッドに接続する場合、該被接続区域ＣＡに従前のような顕著な段差や起伏がないことから導体パッドとの隙間を略一様にすることができ、これによりハンダ量の偏りを原因とした接続不良を未然に防止することができる。また、被接続区域ＣＡに導体ビアに接続する場合、該被接続区域ＣＡに従前のような顕著な段差や起伏がないことから導体ビアが接続できる区域を十分に確保することができ、これにより導体ビアの位置公差を原因とした接続不良を未然に防止することができる。

（Ｅ５２）各外部電極１２の主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１とコンデンサ本体１１の高さ方向一面及び他面との間に、該コンデンサ本体１１に対する主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１の密着を補助する役割を担う補助導体層１２ｂが介在しているため、被接続区域ＣＡを利用して導体パッドや導体ビアに対して接続を行うときや接続完了後に主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１が面状部１１ａから剥離することを未然に防止することができる。この補助導体層１２ｂは、主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１をコンデンサ本体１１に直接形成したときに、コンデンサ本体１１の表面粗さや材質等に起因して十分な密着力が得難い場合に有用である。

（Ｅ５３）各外部電極１２の主導体層１２ｃの幅方向側回り込み部１２ｃ２の長さが高さ方向側回り込み部１２ｃ１の長さよりも短いため（図２５及び図２６（Ａ）を参照）、主導体層１２ｃから導体パッドや導体ビアとの接続にさほど関与しない部分を除外して、該主導体層１２ｃの形成に関する材料コストを削減することができる。また、積層セラミックコンデンサ１０-5が撓み応力を受けたときに、各外部電極１２の主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１にかかる応力を分散して軽減することができる。

（Ｅ５４）各外部電極１２の主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１における幅方向側回り込み部１２ｃ２よりも長い部分（符号無し）が、該長い部分の幅方向両端縁に、コンデンサ本体１１の長さ方向稜線を覆う稜線被覆部１２ｃ３を連続して有しているため、積層セラミックコンデンサ１０-5が温度変動等に基づいて膨張収縮を生じた場合でも、該膨張収縮に伴う応力によってコンデンサ本体１１の長さ方向稜線箇所にクラックが生じることを防止できると共に、欠けが生じ易い該長さ方向稜線箇所を稜線被覆部１２ｃ３によって保護することができる。

《第６実施形態（図２８〜図３０）》
先ず、図２８〜図３０を引用して、本発明を適用した積層セラミックコンデンサ１０-6の構造について説明する。因みに、図２８は積層セラミックコンデンサ１０-6の高さ方向一面及び他面の両方を示し、図２９（Ａ）は積層セラミックコンデンサ１０-6の幅方向一面及び他面の両方を示し、図３０（Ａ）は積層セラミックコンデンサ１０-6の長さ方向一面及び他面の両方を示す。

図２８〜図３０に示した積層セラミックコンデンサ１０-6が、前記の積層セラミックコンデンサ１０-1（第１実施形態）と構造上で異なる点は、
・凹部１１ｂ’が、コンデンサ本体１１の高さ方向一面及び他面の長さ方向端縁のみに該長さ方向端縁に沿って帯状に形成されており、コンデンサ本体１１の高さ方向一面及び他面の凹部１１ｂ’を除く部分が、略平坦な面状部１１ａ’となっている点（図２８〜図３０を参照）
・補助導体層１２ｂが、下地導体層１２ａの高さ方向側回り込み部１２ａ１の表面からコンデンサ本体１１の高さ方向一面及び他面の面状部１１ａ’の表面に及んで連続して形成されている点（図２８〜図３０を参照）
・主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１が補助導体層１２ｂの表面、換言すれば下地導体層１２ａの高さ方向側回り込み部１２ａ１上からコンデンサ本体１１の面状部１１ａ上に及んで連続して形成されていて、下地導体層１２ａの高さ方向側回り込み部１２ａ１上の表面区域と面状部１１ａ’上の表面区域とによって略平坦な面状の被接続区域ＣＡが構成されている点（図２８〜図３０を参照）
・主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１における幅方向側回り込み部１２ｃ２よりも長い部分（符号無し）が、該長い部分の幅方向両端縁に、コンデンサ本体１１の長さ方向稜線を覆う稜線被覆部１２ｃ３を連続して有している点（図２８〜図３０を参照）
にある。他の構造は前記の積層セラミックコンデンサ１０-1（第１実施形態）と同じであるため、その説明を省略する。

次に、図２８〜図３０に示した積層セラミックコンデンサ１０-6の好ましい製造方法例について、図１３〜図１７を流用して説明する。

コンデンサ本体１１の内部電極層１１ｃの主成分がニッケル、誘電体層１１ｄと保護部の主成分がチタン酸バリウムの場合には、先ず、ニッケル粉末とターピネオール（溶剤）とエチルセルロース（バインダ）と分散剤等の添加剤とを含む金属ペーストを用意すると共に、チタン酸バリウム粉末とエタノール（溶剤）とポリビニルブチラール（バインダ）と分散剤等の添加剤等とを含むセラミックスラリーを用意する。

そして、ダイコータやグラビアコータ等の塗工装置と乾燥装置とを用いて、キャリアフィルムの表面にセラミックスラリーを塗工し乾燥して、第１グリーンシートを作製する。また、スクリーン印刷機やグラビア印刷機等の印刷装置と乾燥装置とを用いて、第１グリーンシートの表面に金属ペーストをマトリクス状又は千鳥状に印刷し乾燥すると共に、各内部電極層用パターンの幅方向両側のマージンにセラミックスラリーを塗工し乾燥して、内部電極層用パターン群が形成された第２グリーンシートを作製する（図１３を参照）。図１３は１個の積層セラミックコンデンサ１０-6に対応する第２グリーンシートＧＳを示すものであり、矩形状の内部電極層用パターンＣＰの幅方向両側には該パターンＣＰと同等厚さのグリーンシート部分ＧＳａが形成されているため、マージンＭＡは第２グリーンシートＧＳの長さ方向一端縁のみに沿って存在する。

そして、打ち抜き刃及びヒータを有する可動式吸着ヘッド等の積層装置を用いて、第１グリーンシートから打ち抜いた単位シートを所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着して、保護部に対応した部位を作製する。続いて、第２グリーンシートから打ち抜いた単位シート（内部電極層用パターン群を含む）を所定数に達するまで積み重ねて熱圧着して、容量部に対応した部位を作製する。続いて、熱間静水圧プレス機や機械式又は油圧式プレス機等の本圧着装置を用いて、各部位を積み重ねたものを本熱圧着して、未焼成積層シートを作製する。

そして、ブレードダイシング機やレーザーダイシング機等の切断装置を用いて、未焼成積層シートを格子状に切断して、コンデンサ本体１１に対応した未焼成チップを作製する。そして、トンネル型焼成炉や箱型焼成炉等の焼成装置を用いて、多数の未焼成チップを還元性雰囲気下又は低酸素分圧雰囲気下で、ニッケル及びチタン酸バリウムに応じた温度プロファイルにて所定（脱バインダ処理と焼成処理を含む）を行って、コンデンサ本体１１を作製する。

作製されたコンデンサ本体１１は、高さ方向一面及び他面の長さ方向端縁のみに該長さ方向端縁に沿って形成された帯状の凹部１１ｂ’を有しており、高さ方向一面及び他面の凹部１１ｂ’を除く部分が略平坦な面状部１１ａ’となっている（図１４を参照）。この凹部１１ｂ’は未焼成積層シート作製工程で形成されるものであって、具体的には隣接する内部電極層１１ｃが高さ方向で向き合う区域に比べて、他の区域の高さ寸法が熱圧着時や本熱圧着時に減少し易いことを利用している。このような凹部１１ｂ’を形成する方法としては、熱間静水圧プレス機を用いて本熱圧着を行う方法の他、合成ゴム製の弾性板を高さ方向両面に接触させつつ機械式又は油圧式プレス機によって本熱圧着を行う方法が好ましく採用できる。

そして、ローラ塗布機やディップ塗布機等の塗布装置と乾燥装置とを用いて、コンデンサ本体１１の長さ方向両端部に金属ペースト（前記の金属ペーストを流用）を塗布し乾燥した後、前記同様の雰囲気下で焼き付け処理を行って、下地導体層１２ａを作製する（図１５を参照）。下地導体層１２ａを作製するときには、図２９及び図３０に示したように、一部がコンデンサ本体１１の長さ方向端面に形成され、高さ方向側回り込み部１２ａ１が凹部１１ｂ’内に形成され、幅方向側回り込み部１２ａ２がコンデンサ本体１１の幅方向一面及び他面の端部に形成されるようにすると共に、高さ方向側回り込み部１２ａ１の厚さが凹部１１ｂ’の深さと極力同等になるようにする。高さ方向側回り込み部１２ａ１の厚さが凹部１１ｂ’の深さよりも顕著に大きく又は小さくなる場合には、使用する金属ペーストの粘度を調整することによって、厚さ調整を行うことができる。また、高さ方向側回り込み部１２ａ１の厚さが凹部１１ｂ’の深さよりも顕著に大きくなる場合には、金属ペーストを塗布した後に余分なペースト分を掻き取る方法、或いは、作製後の下地導体層１２ａの余分な部分を研磨する方法によって、厚さ調整を行うこともできる。

そして、下地導体層１２の高さ方向側回り込み部１２ａ１の表面からコンデンサ本体１１の面状部１１ａ’の表面に及んで連続するように、補助導体層１２ｂを作製する（図１６を参照）。厚さが薄い補助導体層１２ｂを作製する方法としては、前記の金属ペーストを低粘度化したものや他の低粘度金属ペーストをスプレー噴霧等で吹き付けて、これに前記同様の雰囲気下で焼き付け処理を施す方法の他、スパッタ法や真空蒸着法等の気相法によってニッケル又はニッケル以外の金属の薄膜を形成する方法が好ましく採用できる。また、補助導体層１２ｂの厚さが数μｍの場合には、スクリーン印刷法で前記の金属ペースト又は他の金属ペーストを印刷して、これに前記同様の雰囲気下で焼き付け処理を施す方法でも、補助導体層１２ｂを問題なく作製することができる。尚、図１６には、図示の便宜上、補助導体層１２ｂの長さが主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１の長さと同等で、幅がコンデンサ本体１１の幅と同等のものを示したが、先に述べたように該補助導体層１２ｂの長さは主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１の長さよりも僅かに短くても良いし（図１７（Ａ）を参照）、幅はコンデンサ本体１１の幅よりも僅かに狭くても良い（図１７（Ｂ）を参照）。

そして、下地導体層１２ａの長さ方向端面を覆う部分と、補助導体層１２ｂの表面に位置する高さ方向側回り込み部１２ｃ１と、下地導体層１２ａの幅方向側回り込み部１２ａ２の表面に位置する幅方向側回り込み部１２ｃ２とが連続するように、主導体層１２ｃを作製する。また、主導体層１２ｃを作製するときには、図２８〜図３０に示したように、該主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１における幅方向側回り込み部１２ｃ２よりも長い部分の幅方向両端縁に、コンデンサ本体１１の長さ方向稜線を覆う稜線被覆部１２ｃ３が連続して形成されるようにする。この主導体層１２ｃを作製する方法としては、電解メッキ法の他、スパッタ法や真空蒸着法等の気相法を好ましく採用できる。

次に、図２８〜図３０に示した積層セラミックコンデンサ１０-6によって得られる効果について説明する（後記Ｅ６１〜Ｅ６４は効果を示す記号）。

（Ｅ６１）各外部電極１２の主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１は、下地導体層１２ａの高さ方向側回り込み部１２ａ１上の表面区域とコンデンサ本体１１の面状部１１ａ’上の表面区域とによって構成された面状の被接続区域ＣＡを有しているため、該被接続区域ＣＡを利用して導体パッドや導体ビアに対する接続を高信頼下で行うことができる。例えば、被接続区域ＣＡをハンダを介して導体パッドに接続する場合、該被接続区域ＣＡに従前のような顕著な段差や起伏がないことから導体パッドとの隙間を略一様にすることができ、これによりハンダ量の偏りを原因とした接続不良を未然に防止することができる。また、被接続区域ＣＡに導体ビアに接続する場合、該被接続区域ＣＡに従前のような顕著な段差や起伏がないことから導体ビアが接続できる区域を十分に確保することができ、これにより導体ビアの位置公差を原因とした接続不良を未然に防止することができる。

（Ｅ６２）各外部電極１２の主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１とコンデンサ本体１１の高さ方向一面及び他面との間に、該コンデンサ本体１１に対する主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１の密着を補助する役割を担う補助導体層１２ｂが介在しているため、被接続区域ＣＡを利用して導体パッドや導体ビアに対して接続を行うときや接続完了後に主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１が面状部１１ａから剥離することを未然に防止することができる。この補助導体層１２ｂは、主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１をコンデンサ本体１１に直接形成したときに、コンデンサ本体１１の表面粗さや材質等に起因して十分な密着力が得難い場合に有用である。

（Ｅ６３）各外部電極１２の主導体層１２ｃの幅方向回り込み部１２ｃ２の長さが高さ方向側回り込み部１２ｃ１の長さよりも短いため（図２８及び図２９（Ａ）を参照）、主導体層１２ｃから導体パッドや導体ビアとの接続にさほど関与しない部分を除外して、該主導体層１２ｃの形成に関する材料コストを削減することができる。また、積層セラミックコンデンサ１０-6が外力等によって撓みを生じた場合でも、各外部電極１２の主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１にかかる応力を分散することができる。

（Ｅ６４）各外部電極１２の主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１における幅方向側回り込み部１２ｃ２よりも長い部分（符号無し）が、該長い部分の幅方向両端縁に、コンデンサ本体１１の長さ方向稜線を覆う稜線被覆部１２ｃ３を連続して有しているため、積層セラミックコンデンサ１０-6が温度変動等に基づいて膨張収縮を生じた場合でも、該膨張収縮に伴う応力によってコンデンサ本体１１の長さ方向稜線箇所にクラックが生じることを防止できると共に、欠けが生じ易い該長さ方向稜線箇所を稜線被覆部１２ｃ３によって保護することができる。

《第１実施形態、第２実施形態、第５実施形態及び第６実施形態の製造方法例に関する補足》
（１）前記の第１実施形態、第２実施形態、第５実施形態及び第６実施形態では、各々の製造方法例において、下地導体層１２ａの高さ方向側回り込み部１２ａ１の厚さ（図９と図１８にあっては補助導体層１２ｂの厚さを含む）が凹部１１ｂ又は１１ｂ’の深さと極力同等になるようにする手法を説明したが、主導体層１２ｃの作製方法として電解メッキ法を採用する場合には、その手段として回転型電解メッキ装置（例えば特開２００６−０２２３９９号公報を参照）を用いることより、下地導体層１２ａの高さ方向側回り込み部１２ａ１の厚さが凹部１１ｂ又は１１ｂ’の深さと若干異なる場合でも、主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１の表面に前記同様の面状の被接続区域ＣＡを形成することができる。以下、この点について図３１を引用して説明する。

図３１（Ａ）は図２（Ｃ）と図１０（Ｃ）と図２６（Ｃ）と図２９（Ｃ）に対応する断面図であり、下地導体層１２ａの高さ方向側回り込み部１２ａ１の厚さが凹部１１ｂ又は１１ｂ’の深さよりも若干大きい場合を例示している。また、図３１（Ｂ）は図９と図１８に対応する断面図であり、下地導体層１２ａの高さ方向側回り込み部１２ａ１の厚さが凹部１１ｂ又は１１ｂ’の深さよりも若干小さい場合を例示している。因みに、図３１（Ａ）及び図３１（Ｂ）に記した２点鎖線は、回転型電解メッキ装置の回転容器の内面ＩＦを示している。各図では、図示の便宜上、内面ＩＦを横向きに描いているが、該内面ＩＦは回転容器の底面から連続する縦向きの内面を指す。

回転型電解メッキ装置は、多数のワークが投入された回転容器内にメッキ液を連続供給し、且つ、回転容器を回転しつつ、回転容器内に挿入された電極と回転容器との間に電流を流すことによって、回転容器内の各ワークに対して所期の電解メッキを行う装置である。回転容器の回転には、一定速回転と減速を順次繰り返す方法と、一定速回転と停止を順次繰り返す方法と、一方向の一定速回転と減速又は停止と他方向の一定速回転と減速又は停止を順次繰り返す方法が採用されている。

つまり、図３１（Ａ）及び図３１（Ｂ）に示したように、下地導体層１２ａ及び補助導体層１２ｂを作製した後の多数のコンデンサ本体１１を前掲の回転型電解メッキ装置の回転容器に投入して該回転容器を一定速回転させると、各コンデンサ本体１１は遠心力によって回転容器の底面から内面ＩＦに移動して各々の面状部１１ａ又は１１ａ’が内面ＩＦに向き合った姿勢となる。具体的には、図３１（Ａ）の場合には２つの下地導体層１２ａの高さ方向側回り込み部１２ａ１上に存する補助導体層１２ｂが内面ＩＦに接した状態で、図３１（Ｂ）の場合にはコンデンサ本体１１の面状部１１ａ又は１１ａ’上に存する補助導体層１２ｂが内面ＩＦに接した状態で、それぞれ所期の電解メッキが行われる。

即ち、前記状態で電解メッキが行われるとき、内面ＩＦに接する部分の主導体層１２ｃのメッキ厚は薄くなり、且つ、内面ＩＦに接しない部分の主導体層１２ｃのメッキ厚は薄くなることから、下地導体層１２ａの高さ方向側回り込み部１２ａ１の厚さが凹部１１ｂ又は１１ｂ’の深さと若干異なる場合でも、主導体層１２ｃの高さ方向側回り込み部１２ｃ１の表面に前記同様の面状の被接続区域ＣＡを形成することが可能となる。実験によれば、前記の第１実施形態、第２実施形態、第５実施形態及び第６実施形態で説明した積層セラミックコンデンサ１０-1、１０-2、１０-5及び１０-6の場合、下地導体層１２ａの高さ方向側回り込み部１２ａ１の厚さ（図３１（Ｂ）にあっては補助導体層１２ｂの厚さを含む）と凹部１１ｂ又は１１ｂ’の深さとの差ＧＡが５μｍ以下であるとき、該差ＧＡを吸収する厚さ調整が為された高さ方向側回り込み部１２ａ１を有する主導体層１２ｃを作製できることが確認できた。

《他の実施形態》
（Ｍ５１）前記第１実施形態〜第６実施形態には、長さＬが１０００μｍで幅が５００μｍで高さＨが１００μｍ（何れも公差を含まない基準寸法）の積層セラミックコンデンサ１０-1〜１０-6を示したが、基準寸法がこれら数値以外の積層セラミックコンデンサや、内部電極層１１ｃの層数が６層未満の積層セラミックコンデンサや、６０層を超える積層セラミックコンデンサであっても、前記同様の効果を得ることができる。

（Ｍ５２）前記第１実施形態〜第６実施形態には、主導体層１２ｃが１層である外部電極１２を示したが、主導体層１２ｃの表面に別の主導体層を１層形成して外部電極１２を作製したり、主導体層１２ｃの表面に別の主導体層を２層以上形成して外部電極１２を作製したりしても、前記同様の効果を得ることができる。

（Ｍ５３）前記第１実施形態〜第６実施形態には、本発明を積層セラミックコンデンサに適用したものを示したが、積層セラミックインダクタや積層セラミックバリスタ等の他の積層セラミック電子部品に本発明を適用しても、前記同様の効果を得ることができる。

１０-1，１０-2，１０-3，１０-4，１０-5，１０-6…積層セラミックコンデンサ、１１…コンデンサ本体、１１ａ，１１ａ’…面状部、１１ｂ，１１ｂ’…凹部、１１ｃ…内部電極層、１１ｄ…誘電体層、１２…外部電極、１２ａ…下地導体層、１２ａ１…下地導体層の高さ方向側回り込み部、１２ａ２…下地導体層の幅方向側回り込み部、１２ｂ…補助導体層、１２ｃ…主導体層、１２ｃ１…主導体層の高さ方向側回り込み部、１２ｃ２…主導体層の幅方向側回り込み部、１２ｃ３…主導体層の稜線被覆部、ＣＡ…被接続区域。

Claims (6)

1. 積層構造の部品本体に外部電極を設けた積層セラミック電子部品であって、
   前記部品本体は、長さと幅と高さとで規定された略直方体状を成していて、高さ方向一面及び他面の端縁に該端縁に沿って形成された凹部を有しており、
   前記外部電極は、高さ方向側回り込み部が前記部品本体の凹部内に形成された下地導体層と、高さ方向側回り込み部が前記下地導体層の高さ方向側回り込み部上から前記部品本体の高さ方向一面及び他面の前記凹部を除く面状部上に及んで連続して形成された主導体層とを有しており、
   前記主導体層の高さ方向側回り込み部は、前記下地導体層の高さ方向側回り込み部上の表面区域と前記部品本体の面状部上の表面区域とによって構成された面状の被接続区域を有しており、
   前記主導体層の高さ方向側回り込み部と前記部品本体の高さ方向一面及び他面との間に、前記部品本体に対する前記主導体層の高さ方向側回り込み部の密着を補助する役割を担う補助導体層が介在している、
   積層セラミック電子部品。
2. 前記凹部は、前記部品本体の高さ方向一面及び他面の長さ方向端縁及び幅方向端縁に各端縁に沿って連続して形成されている、
   請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
3. 前記凹部は、前記部品本体の高さ方向一面及び他面の長さ方向端縁のみに該長さ方向端縁に沿って形成されている、
   請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
4. 前記主導体層は前記高さ方向側回り込み部と連続する幅方向側回り込み部を有していて、該幅方向側回り込み部の長さは前記高さ方向側回り込み部の長さよりも短い、
   請求項１〜３の何れか１項に記載の積層セラミック電子部品。
5. 前記高さ方向側回り込み部における前記幅方向側回り込み部よりも長い部分は、前記部品本体の長さ方向稜線を覆う稜線被覆部を連続して有している、
   請求項４に記載の積層セラミック電子部品。
6. 前記主導体層は前記高さ方向側回り込み部と連続する幅方向側回り込み部を有していて、該幅方向側回り込み部の長さは前記高さ方向側回り込み部の長さと同等である、
   請求項１〜３の何れか１項に記載の積層セラミック電子部品。

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