JP6376907B2 - 硬化性エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
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Description
また、本発明の他の目的は、高い耐熱性、耐光性、及び耐熱衝撃性を有し、特に、光半導体装置の高温における通電特性及び耐吸湿リフロー性を向上させ、さらに、基板等の被着体上に形成した場合であっても該被着体に対して大きな反りを生じさせない硬化物を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、高温における通電特性に優れ、さらに高湿条件下で保管された後にリフロー工程で加熱処理した場合の光度低下等の劣化が抑制された、耐久性及び品質の高い光半導体装置を提供することにある。
で表される化合物である前記の硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、脂環式エポキシ化合物(A)と、核水添ビスフェノールA型エポキシ化合物(B)と、脂環式ポリエステル樹脂(C)と、硬化剤(D)と、硬化促進剤(E)とを少なくとも含み、硬化剤(D)として脂肪族酸無水物(D1)を少なくとも含むことを特徴とする組成物(硬化性組成物)である。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物における脂環式エポキシ化合物(A)は、分子内(一分子中)に脂環(脂肪族環)構造とエポキシ基(オキシラニル基)とを少なくとも有する化合物である。脂環式エポキシ化合物(A)としては、具体的には、(i)脂環を構成する隣接する2つの炭素原子と酸素原子とで構成されるエポキシ基(脂環エポキシ基)を有する化合物、(ii)脂環に直接単結合で結合しているエポキシ基を有する化合物等が挙げられる。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物における核水添ビスフェノールA型エポキシ化合物(B)は、ビスフェノールA型エポキシ化合物の芳香環の一部又は全部を水素化することにより得られる化合物(水添ビスフェノールA型エポキシ化合物)である。核水添ビスフェノールA型エポキシ化合物(B)は、特に、硬化物の靭性を向上させ、硬化物や光半導体装置の耐熱衝撃性や耐吸湿リフロー性を向上させる役割を担う。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物における脂環式ポリエステル樹脂(C)は、脂環構造(脂肪族環構造)を少なくとも有するポリエステル樹脂である。本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物が脂環式ポリエステル樹脂(C)を含むことにより、特に、硬化物の耐熱性、耐光性が向上し、光半導体装置の光度低下がいっそう抑制される傾向がある。中でも、硬化物の耐熱性、耐光性向上の観点で、脂環式ポリエステル樹脂(C)は、主鎖に脂環(脂環構造)を有する脂環式ポリエステル樹脂であることが好ましい。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物における硬化剤(D)は、脂環式エポキシ化合物(A)、核水添ビスフェノールA型エポキシ化合物(B)等のエポキシ基を有する化合物と反応することにより、硬化性エポキシ樹脂組成物を硬化させる働きを有する化合物である。硬化剤(D)としては、エポキシ樹脂用硬化剤として公知乃至慣用の硬化剤を使用することができ、特に限定されないが、例えば、酸無水物類(酸無水物系硬化剤)、アミン類(アミン系硬化剤)、ポリアミド樹脂、イミダゾール類(イミダゾール系硬化剤)、ポリメルカプタン類(ポリメルカプタン系硬化剤)、フェノール類(フェノール系硬化剤)、ポリカルボン酸類、ジシアンジアミド類、有機酸ヒドラジド等が挙げられる。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物における硬化促進剤(E)は、エポキシ基を有する化合物が硬化剤(D)と反応する際に、その反応速度を促進する機能を有する化合物である。硬化促進剤(E)としては、公知乃至慣用の硬化促進剤を使用でき、特に限定されないが、例えば、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7(DBU)又はその塩(例えば、フェノール塩、オクチル酸塩、p−トルエンスルホン酸塩、ギ酸塩、テトラフェニルボレート塩等);1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノネン−5(DBN)又はその塩(例えば、フェノール塩、オクチル酸塩、p−トルエンスルホン酸塩、ギ酸塩、テトラフェニルボレート塩等);ベンジルジメチルアミン、2,4,6−トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール、N,N−ジメチルシクロヘキシルアミン等の3級アミン;2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール等のイミダゾール;リン酸エステル;トリフェニルホスフィン、トリス(ジメトキシ)ホスフィン等のホスフィン類;テトラフェニルホスホニウムテトラ(p−トリル)ボレート等のホスホニウム化合物;オクチル酸亜鉛、オクチル酸スズ、ステアリン酸亜鉛等の有機金属塩;アルミニウムアセチルアセトン錯体等の金属キレート等が挙げられる。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、脂肪族エポキシ化合物を含んでいてもよい。上記脂肪族エポキシ化合物とは、分子内にエポキシ基(オキシラン環)を1個以上有し、なおかつ当該エポキシ基以外の環状構造を有しない脂肪族化合物である。本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物が上記脂肪族エポキシ化合物を含む場合には、光ピックアップセンサーの基板等の被着体に塗布し硬化させる態様で使用しても、上記被着体の反りがより効率的に抑制される傾向がある。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、分子内に1個以上のオキシラン環を有するイソシアヌル酸誘導体(単に「イソシアヌル酸誘導体」と称する場合がある)を含んでいてもよい。上記イソシアヌル酸誘導体は、イソシアヌル酸の誘導体であって、分子内に1個以上のオキシラン環を少なくとも有する化合物である。本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物が上記イソシアヌル酸誘導体を含むことにより、硬化物の靭性及び耐熱衝撃性がより向上し、光半導体装置の耐吸湿リフロー性がいっそう向上する傾向がある。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、過酸化物分解剤を含んでいてもよい。上記過酸化物分解剤は、系中(硬化性エポキシ樹脂組成物又はその硬化物中)に生成した過酸化物を分解し、安定な物質へと変換することができる化合物である。上記過酸化物分解剤としては、過酸化物を分解できる公知乃至慣用の化合物を使用することができ、特に限定されないが、例えば、リン系酸化防止剤、イオウ系酸化防止剤等が挙げられる。なお、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物において上記過酸化物分解剤は、一種を単独で使用することもできるし、二種以上を組み合わせて使用することもできる。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、さらに、ゴム粒子を含んでいてもよい。上記ゴム粒子としては、例えば、粒子状NBR(アクリロニトリル−ブタジエンゴム)、反応性末端カルボキシ基NBR(CTBN)、メタルフリーNBR、粒子状SBR(スチレン−ブタジエンゴム)等のゴム粒子が挙げられる。上記ゴム粒子としては、ゴム弾性を有するコア部分と、該コア部分を被覆する少なくとも1層のシェル層とからなる多層構造(コアシェル構造)を有するゴム粒子が好ましい。上記ゴム粒子は、特に、(メタ)アクリル酸エステルを必須モノマー成分とするポリマー(重合体)で構成され、表面に脂環式エポキシ化合物(A)等のエポキシ基を有する化合物と反応し得る官能基としてヒドロキシ基及び/又はカルボキシ基(ヒドロキシ基及びカルボキシ基のいずれか一方又は両方)を有するゴム粒子が好ましい。上記ゴム粒子の表面にヒドロキシ基及び/又はカルボキシ基が存在しない場合、冷熱サイクル等の熱衝撃により硬化物が白濁して透明性が低下しやすくなるため好ましくない。
1/Tg=W1/Tg1+W2/Tg2+・・・・+Wn/Tgn
上記単独重合体のガラス転移温度は、各種文献に記載の値を採用することができ、例えば、「POLYMER HANDBOOK 第3版」(John Wiley & Sons,Inc.発行)に記載の値を採用できる。なお、文献に記載のないものについては、単量体を常法により重合して得られる単独重合体の、DSC法により測定されるガラス転移温度の値を採用することができる。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、上記以外にも、本発明の効果を損なわない範囲内で各種添加剤を含んでいてもよい。上記添加剤として、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン等のヒドロキシ基を有する化合物を含有させると、反応を緩やかに進行させることができる。その他にも、粘度や透明性を損なわない範囲内で、シリコーン系やフッ素系消泡剤、レベリング剤、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランや3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤、界面活性剤、シリカ、アルミナ等の無機充填剤、難燃剤、着色剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、イオン吸着体、顔料、蛍光体(例えば、YAG系の蛍光体微粒子、シリケート系蛍光体微粒子等の無機蛍光体微粒子等)、離型剤等の慣用の添加剤を使用することができる。
上記ゴム粒子分散エポキシ化合物は、上記ゴム粒子を脂環式エポキシ化合物(A)に分散させることによって得られる。なお、上記ゴム粒子分散エポキシ化合物における脂環式エポキシ化合物(A)は、硬化性エポキシ樹脂組成物を構成する脂環式エポキシ化合物(A)の全量であってもよいし、一部の量であってもよい。同様に、上記ゴム粒子分散エポキシ化合物におけるゴム粒子は、硬化性エポキシ樹脂組成物を構成するゴム粒子の全量であってもよいし、一部の量であってもよい。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を硬化させることにより、高い耐熱性、耐光性、及び耐熱衝撃性を有し、特に、光半導体装置の高温における通電特性及び耐吸湿リフロー性を向上させ、さらに、基板等の被着体に塗布し硬化させる態様で使用しても該被着体に対して大きな反りを生じさせない硬化物(本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を硬化させて得られる硬化物を「本発明の硬化物」と称する場合がある)を得ることができる。硬化の手段としては、加熱処理や光照射処理等の公知乃至慣用の手段を利用できる。加熱により硬化させる際の温度(硬化温度)は、特に限定されないが、45〜200℃が好ましく、より好ましくは50〜190℃、さらに好ましくは55〜180℃である。また、硬化の際に加熱する時間(硬化時間)は、特に限定されないが、30〜600分が好ましく、より好ましくは45〜540分、さらに好ましくは60〜480分である。硬化温度と硬化時間が上記範囲の下限値より低い場合は硬化が不十分となり、逆に上記範囲の上限値より高い場合は樹脂成分の分解が起きる場合があるので、いずれも好ましくない。硬化条件は種々の条件に依存するが、例えば、硬化温度を高くした場合は硬化時間を短く、硬化温度を低くした場合は硬化時間を長くする等により、適宜調整することができる。また、硬化は、一段階で行うこともできるし、二段階以上の多段階で行うこともできる。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、光半導体装置における光半導体素子を封止するための樹脂組成物、即ち、光半導体封止用樹脂組成物(光半導体装置における光半導体素子の封止剤)として好ましく使用できる。本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を光半導体封止用樹脂組成物として用いることにより、高い耐熱性、耐光性、及び耐熱衝撃性に優れた硬化物により光半導体素子が封止された光半導体装置が得られる。上記光半導体装置は、熱衝撃や高温の熱が加えられた場合でも光度低下が生じにくい等、高温における通電特性及び耐吸湿リフロー性に優れ、耐久性が高い。
本発明の光半導体装置は、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物(光半導体封止用樹脂組成物)の硬化物により光半導体素子が封止された光半導体装置である。光半導体素子の封止は、例えば、上述の方法で調製した硬化性エポキシ樹脂組成物を所定の成形型内に注入し、所定の条件で硬化(例えば、加熱硬化)して行うことができる。これにより、硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物により光半導体素子が封止された光半導体装置が得られる。硬化温度と硬化時間は、硬化物の調製時と同様の範囲で適宜設定することができる。
(ゴム粒子の製造)
還流冷却器付きの1L重合容器に、イオン交換水500g、及びジオクチルスルホコハク酸ナトリウム0.68gを仕込み、窒素気流下に撹拌しながら、80℃に昇温した。ここに、ゴム粒子のコア部分を形成するために必要とする量の約5重量%分に該当するアクリル酸ブチル9.5g、スチレン2.57g、及びジビニルベンゼン0.39gからなる単量体混合物を一括添加し、20分間撹拌して乳化させた後、ペルオキソ二硫酸カリウム9.5mgを添加し、1時間撹拌して最初のシード重合を行った。続いて、ペルオキソ二硫酸カリウム180.5mgを添加し、5分間撹拌した。ここに、コア部分を形成するために必要とする量の残り(約95重量%分)のアクリル酸ブチル180.5g、スチレン48.89g、及びジビニルベンゼン7.33gにジオクチルスルホコハク酸ナトリウム0.95gを溶解させてなる単量体混合物を2時間かけて連続的に添加し、2度目のシード重合を行い、その後、1時間熟成してコア部分を得た。
次いで、ペルオキソ二硫酸カリウム60mgを添加して5分間撹拌し、ここに、メタクリル酸メチル60g、アクリル酸1.5g、及びアリルメタクリレート0.3gにジオクチルスルホコハク酸ナトリウム0.3gを溶解させてなる単量体混合物を30分かけて連続的に添加し、シード重合を行った。その後、1時間熟成し、コア部分を被覆するシェル層を形成した。
次いで、室温(25℃)まで冷却し、目開き120μmのプラスチック製網で濾過することにより、コアシェル構造を有するゴム粒子を含むラテックスを得た。得られたラテックスをマイナス30℃で凍結し、吸引濾過器で脱水洗浄した後、60℃で一昼夜送風乾燥してゴム粒子を得た。得られたゴム粒子の平均粒子径は254nm、最大粒子径は486nmであった。
(ゴム粒子分散エポキシ化合物の製造)
製造例1で得られたゴム粒子10重量部を、窒素気流下、60℃に加温した状態でディゾルバーを使用して、商品名「セロキサイド2021P」((株)ダイセル製)70重量部に分散させ(1000rpm、60分間)、真空脱泡して、ゴム粒子分散エポキシ化合物(25℃での粘度:1850mPa・s)を得た。
なお、製造例2で得られたゴム粒子分散エポキシ化合物(10重量部のゴム粒子を70重量部のセロキサイド2021Pに分散させたもの)の25℃での粘度は、デジタル粘度計(商品名「DVU−EII型」、(株)トキメック製)を使用して測定した。
(エポキシ硬化剤の製造)
表1又は表2に示す各配合割合(単位:重量部)で、商品名「リカシッド MH−700」(新日本理化(株)製)、商品名「HN−5700」(日立化成工業(株)製)、商品名「HN−7200」(日立化成工業(株)製)、商品名「JERキュアYH−1120」(三菱化学(株)製)、商品名「U−CAT 18X」(サンアプロ(株)製)、エチレングリコール(和光純薬工業(株)製)を、自公転式撹拌装置(商品名「あわとり練太郎AR−250」、(株)シンキー製、以下同じ)を使用して均一に混合し、脱泡して、各エポキシ硬化剤(「K剤」と称する場合がある)を得た。
まず、表1に示す配合割合で、商品名「セロキサイド2021P」((株)ダイセル製)、及び商品名「YX8000」(三菱化学(株)製)を、自公転式撹拌装置を使用して均一に混合し、脱泡して、エポキシ樹脂(エポキシ化合物)の混合物を作製した。
次に、表1に示す配合割合となるように、上記で得た混合物と、製造例3で得たエポキシ硬化剤とを自公転式撹拌装置を使用して均一に混合し、脱泡して、硬化性エポキシ樹脂組成物を得た。
さらに、上記で得た硬化性エポキシ樹脂組成物を図1に示す光半導体のリードフレーム(InGaN素子、3.5mm×2.8mm)に注型した後、120℃のオーブン(樹脂硬化オーブン)で5時間加熱することで、上記硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物により光半導体素子が封止された光半導体装置を得た。なお、図1において、100はリフレクター(光反射用樹脂組成物)、101は金属配線、102は光半導体素子、103はボンディングワイヤ、104は硬化物(封止材)を示す。
硬化性エポキシ樹脂組成物の組成を表1又は表2に示す組成に変更したこと以外は実施例1と同様にして、各硬化性エポキシ樹脂組成物を調製した。なお、実施例10においては、上記混合物の構成成分として、製造例2で得たゴム粒子分散エポキシ化合物を使用した。また、酸化防止剤(リン系酸化防止剤、イオウ系酸化防止剤)を使用した場合(実施例11〜15)、これらは上記混合物の構成成分として配合した。さらに、MA−DGIC、DA−MGIC、又はTEPICを使用した場合(実施例7〜9、15)、これらは上記混合物の構成成分として配合し、これらを溶解させるために80℃で1時間混合して混合物を調製した。
さらに、実施例1と同様にして光半導体装置を作製した。
実施例並びに比較例で得られた光半導体装置及び硬化性エポキシ樹脂組成物について、下記の評価試験を実施した。
実施例及び比較例で得られた光半導体装置の全光束を全光束測定機を用いて測定し、これを「0時間の全光束」とした。さらに、85℃の恒温槽内で100時間、光半導体装置に30mAの電流を流した後の全光束を測定し、これを「100時間後の全光束」とした。そして、次式から光度保持率を算出した。各硬化性エポキシ樹脂組成物につき2個の光半導体装置の光度保持率を測定して、これらの平均値を算出した(即ち、N=2)。結果を表1、2の「光度保持率[%]」の欄に示す。
{光度保持率(%)}
={100時間後の全光束(lm)}/{0時間の全光束(lm)}×100
実施例及び比較例で得られた光半導体装置(各硬化性エポキシ樹脂組成物につき2個ずつ用いた)を、30℃、60%RHの条件下で192時間静置して吸湿処理した。次いで、上記光半導体装置をリフロー炉に入れ、下記加熱条件にて加熱処理した。その後、上記光半導体装置を室温環境下に取り出して放冷した後、再度リフロー炉に入れて同条件で加熱処理した。即ち、当該はんだ耐熱性試験においては、光半導体装置に対して下記加熱条件による熱履歴を二度与えた。
〔加熱条件(光半導体装置の表面温度基準)〕
(1)予備加熱:150〜190℃で60〜120秒
(2)予備加熱後の本加熱:217℃以上で60〜150秒、最高温度260℃
但し、予備加熱から本加熱に移行する際の昇温速度は最大で3℃/秒に制御した。
図2には、リフロー炉による加熱の際の光半導体装置の表面温度プロファイル(二度の加熱処理のうち一方の加熱処理における温度プロファイル)の一例を示す。
その後、デジタルマイクロスコープ(商品名「VHX−900」、(株)キーエンス製)を使用して光半導体装置を観察し、硬化物に長さが90μm以上のクラックが発生したか否か、及び、電極剥離(電極表面からの硬化物の剥離)が発生したか否かを評価した。光半導体装置2個のうち、硬化物に長さが90μm以上のクラックが発生した光半導体装置の個数を表1、2の「はんだ耐熱性試験[クラック数]」の欄に示し、電極剥離が発生した光半導体装置の個数を表1、2の「はんだ耐熱性試験[電極剥離数]」の欄に示した。
実施例及び比較例で得られた光半導体装置(各硬化性エポキシ樹脂組成物につき2個ずつ用いた)に対し、−40℃の雰囲気下に30分曝露し、続いて、120℃の雰囲気下に30分曝露することを1サイクルとした熱衝撃を、熱衝撃試験機を用いて200サイクル分与えた。その後、光半導体装置における硬化物に生じたクラックの長さを、デジタルマイクロスコープ(商品名「VHX−900」、(株)キーエンス製)を使用して観察し、光半導体装置2個のうち硬化物に長さが90μm以上のクラックが発生した光半導体装置の個数を計測した。結果を表1、2の「熱衝撃試験[クラック数]」の欄に示す。
(試料の作製)
まず、以下の手順で、実施例及び比較例で得られた硬化性エポキシ樹脂組成物を用いて、半導体パッケージ(試料)を作製した。
最初に、BT基板(正方形状、サイズ:35mm×35mm×0.56mm厚)上に半導体素子(正方形状、チップサイズ:10mm×10mm×0.5mm厚)を実装したものを作製した。次いで、実施例及び比較例で得られた硬化性エポキシ樹脂組成物を用いて、上記BT基板(半導体素子を実装したBT基板)を、キャビティサイズが30mm×30mm×1.2mmの金型にてトランスファー成形(成形条件:175℃×90秒、続いて、後硬化175℃×5時間)することによって、片面封止タイプの半導体パッケージ(封止樹脂層(硬化物層)サイズ:30mm×30mm×1.2mm厚)を製造した。この半導体パッケージを試料とした。
(反り量の測定)
次に、上記で得られた試料について、反り量の測定を行った。反り量の測定は、25℃の条件下、図3の(a)及び(b)に示すように、半導体素子202を搭載したBT基板201を封止した硬化物層203の角部を結ぶ2本の一点鎖線(一点鎖線mと一点鎖線n)における各反り量Qを測定した。なお、反り量は、マイクロディプスメーター(TECLOCK社製)を用いて測定した。そして、上記2つの反り量の平均値を求めた。算出結果(平均値)を表1、2の「反り量[mm]」の欄に示す。
各試験の結果、下記(1)〜(5)をいずれも満たす場合を○(良好)と判定した。一方、下記(1)〜(5)のいずれかを満たさない場合には×(不良)と判定した。
(1)通電試験:光度保持率が80%以上
(2)はんだ耐熱性試験:硬化物に長さが90μm以上のクラックが発生した光半導体装置の個数が0個
(3)はんだ耐熱性試験:電極剥離が発生した光半導体装置の個数が0個
(4)熱衝撃試験:硬化物に長さが90μm以上のクラックが発生した光半導体装置の個数が0個
(5)反り量の測定試験:反り量(平均値)が10mm以下
結果を表1、2の「総合判定」の欄に示す。
(エポキシ樹脂)
セロキサイド2021P:商品名「セロキサイド2021P」[3,4−エポキシシクロヘキシルメチル(3,4−エポキシ)シクロヘキサンカルボキシレート]、(株)ダイセル製
YX8000:商品名「YX8000」[核水添ビスフェノールA型エポキシ化合物]、三菱化学(株)製
YX8034:商品名「YX8034」[核水添ビスフェノールA型エポキシ化合物]、三菱化学(株)製
YL7410:商品名「jER YL7410」[脂肪族エポキシ化合物(ポリエーテルエポキシ化合物)]、三菱化学(株)製
TEPIC:商品名「TEPIC」[トリグリシジルイソシアヌレート]、日産化学工業(株)製
MA−DGIC:商品名「MA−DGIC」[モノアリルジグリシジルイソシアヌレート]、四国化成工業(株)製
DA−MGIC:商品名「DA−MGIC」[ジアリルモノグリシジルイソシアヌレート]、四国化成工業(株)製
YD−128:商品名「YD−128」[ビスフェノールA型エポキシ樹脂]、新日鐵化学(株)製
(リン系酸化防止剤)
HP−10:商品名「アデカスタブ HP−10」[リン系酸化防止剤]、(株)ADEKA製
GSY−P101:商品名「GSY−P101」[リン系酸化防止剤]、堺化学工業(株)製
(イオウ系酸化防止剤)
AO−412S:商品名「アデカスタブ AO−412S」[イオウ系酸化防止剤]、(株)ADEKA製
AO−503:商品名「アデカスタブ AO−503」[イオウ系酸化防止剤]、(株)ADEKA製
(エポキシ硬化剤)
MH−700:商品名「リカシッド MH−700」[4−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸/ヘキサヒドロ無水フタル酸=70/30]、新日本理化(株)製
HN−5700:商品名「HN−5700」[硬化剤と脂環式ポリエステル樹脂の混合物]、日立化成工業(株)製
HN−7200:商品名「HN−7200」[硬化剤と脂環式ポリエステル樹脂の混合物]、日立化成工業(株)製
YH−1120:商品名「JERキュアYH−1120」[2,4−ジエチルグルタル酸無水物]、三菱化学(株)製
18X:商品名「U−CAT 18X」[硬化促進剤]、サンアプロ(株)製
エチレングリコール:和光純薬工業(株)製
・樹脂硬化オーブン
エスペック(株)製 GPHH−201
・恒温槽
エスペック(株)製 小型高温チャンバー ST−120B1
・全光束測定機
オプトロニックラボラトリーズ社製 マルチ分光放射測定システム OL771
・熱衝撃試験機
エスペック(株)製 小型冷熱衝撃装置 TSE−11−A
・リフロー炉
日本アントム(株)製、UNI−5016F
101:金属配線
102:光半導体素子
103:ボンディングワイヤ
104:硬化物(封止材)
200:半導体パッケージ(試料)
201:BT基板
202:半導体素子
203:硬化物層
m、n:硬化物層の角部を結ぶ線
Q:反り量
Claims (13)
- 脂環式エポキシ化合物(A)と、核水添ビスフェノールA型エポキシ化合物(B)と、脂環式ポリエステル樹脂(C)と、硬化剤(D)と、硬化促進剤(E)とを含み、硬化剤(D)として脂肪族酸無水物(D1)を含み、脂肪族酸無水物(D1)が直鎖又は分岐鎖状の多価脂肪族酸の無水物であり、メチルノルボルナン−2,3−ジカルボン酸無水物を含まないことを特徴とする硬化性エポキシ樹脂組成物。
- 脂環式ポリエステル樹脂(C)が、主鎖に脂環を有する脂環式ポリエステル樹脂である請求項1に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
- 脂環式エポキシ化合物(A)が、シクロヘキセンオキシド基を有する化合物である請求項1又は2に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
- さらに、脂肪族エポキシ化合物を含む請求項1〜4のいずれか一項に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
- さらに、分子内に1個以上のオキシラン環を有するイソシアヌル酸誘導体を含む請求項1〜5のいずれか一項に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
- さらに、過酸化物分解剤を含む請求項1〜7のいずれか一項に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
- さらに、ゴム粒子を含む請求項1〜8のいずれか一項に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
- 請求項1〜9のいずれか一項に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物。
- 光半導体封止用樹脂組成物である請求項1〜9のいずれか一項に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
- 請求項11に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物により光半導体素子が封止された光半導体装置。
- 基板と、該基板上に実装された半導体素子と、該半導体素子を封止する封止材料とを有する光ピックアップセンサーであって、前記封止材料が請求項10に記載の硬化物であることを特徴とする光ピックアップセンサー。
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