JP6376871B2 - 密着露光装置 - Google Patents

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Description

本発明は、密着露光装置に関し、より詳細には、集積回路や集積回路間をつなぐ電気配線などが搭載される半導体チップの製造に好適な密着露光装置に関する。
モバイル機器などの小型化要求に対応するため、半導体における実装技術においては、ウェハーレベルパッケージングにより、集積回路を高密度化すると共に、集積回路を搭載したチップを3次元的に積層化し、更に、積層化したチップをダイシング(Die cutting)して個片化することが行われている。このようなチップを製造する際には、ウェハー上に搭載した集積回路や電気配線を樹脂(ポリアミドイミド等)などによって覆った状態での露光が行われるが、樹脂を熱硬化する必要があるため、ウェハーに反り(撓む)などが生じ、露光する際にマスクとの密着不良の一因となっていた。
従来、マスクパターンに隣接するとともに、ガラス基板の周縁まで連通する通気溝を、ガラス基板の片面に複数本形成して、フォトレジスト層の架橋重合反応により発生する窒素ガスをフォトマスクの外部に排出して、厚膜のフォトレジストが形成された基板とマスクとの密着不良の不具合を解消するようにした密着露光用フォトマスクが開示されている(例えば、特許文献1参照。)。
また、ウェハーの周縁部のみを露光装置の露光台に接触させて固定し、さらにウェハーの中央部と露光台との間に圧力調整室を設け、該圧力調整室に正圧または負圧を加えて圧力調整することで、ウェハーの中央部に生じた撓みを補正するようにしたウェハーの固定方法及び投影露光装置が知られている(例えば、特許文献2参照。)。
特開2006−91647号公報 特開平11−111819号公報
しかしながら、特許文献1は、架橋重合反応で発生する窒素ガスをフォトマスクの通気溝から排出して、窒素ガスによる基板とマスクとの密着不良を抑制するものであるが、ウェハーの反りによる密着不良を解消するものではない。また、特許文献2は、つめによりウェハーを露光台に固定するようにしているが、密着露光装置に適用しようとすると、マスクとつめが干渉してしまうという課題がある。
本発明は、前述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、表面に凹凸がある基板に対しても、基板の表面形状に倣わせてマスクを密着させることができ、良好な露光精度が得られる密着露光装置を提供することにある。
本発明の上記目的は、下記の構成により達成される。
(1) 被露光材としての基板を保持する基板保持部と、
露光すべきパターンを有するマスクを保持するマスク保持部と、
前記基板を囲み、且つ、前記マスク保持部に保持される前記マスクの周縁部の下方に位置して、前記マスクの下面と当接するように前記基板保持部に設けられる密封部材と、
前記マスク、前記基板保持部、及び前記密封部材によって囲まれた密封空間内のエアを吸引して減圧させ、前記マスクを前記基板上面の表面形状に倣わせて前記基板に密着させる減圧機構と、
前記マスクに対して前記基板と反対側に配設され、パターン露光用の光を前記マスクを介して前記基板に照射する照明光学系と、
を備え
前記基板保持部の上面は、互いに独立した複数の凹部を備える、前記基板が載置される基板載置面と、前記基板載置面より外側に位置する吸引孔と、該吸引孔が形成される位置よりも外側に形成された周溝と、を備え、
前記密封部材は、前記周溝に固定して配置される断面中空のOリングであることを特徴とする密着露光装置。
(2) 前記マスクの下面には、レジスト付着防止膜が設けられていることを特徴とする(1)に記載の密着露光装置。
(3) 記各凹部内のエアを吸引するため、前記各凹部に開口する少なくとも一つの吸引孔をそれぞれ備え、前記各凹部内の圧力を独立して減圧可能な基板保持用減圧機構を備え、
前記各凹部における前記吸引孔の合計開口面積は、前記各凹部の吸着面積の大きさに応じて変更することを特徴とする(1)又は(2)に記載の密着露光装置。
本発明の密着露光装置によれば、被露光材としての基板を保持する基板保持部と、露光すべきパターンを有するマスクを保持するマスク保持部と、基板を囲み、且つ、マスク保持部に保持されるマスクの周縁部の下方に位置して、マスクの下面と当接するように基板保持部に設けられる密封部材と、マスク、基板保持部、及び密封部材によって囲まれた密封空間内のエアを吸引して減圧させ、マスクを基板上面の表面形状に倣わせて基板に密着させる減圧機構と、マスクに対して基板と反対側に配設され、パターン露光用の光をマスクを介して基板に照射する照明光学系と、を備えるため、基板の反りや集積回路の高さによって生じる段差などが基板上面にあっても、マスクを基板に倣わせて密着させることができ、これにより精度よく露光することができる。また、密封部材をマスクの下面と当接するようにしたので、マスクの振動を抑え、マスクのマスク保持部からの脱落を確実に防止し、さらに、コンパクトな設計を実現することができる。
本発明の第1実施形態に係る密着露光装置を示す、図3のI−I線に沿った断面図である。 図1のマスクの要部拡大断面図である。 図1に示す基板保持部の平面図である。 本発明の第2実施形態に係る密着露光装置の断面図である。 本発明の第3実施形態に係る密着露光装置の断面図である。 変形例に係る基板保持部の平面図である。 他の変形例に係るマスクの要部拡大断面図である。
以下、本発明に係る密着露光装置の各実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。
(第1実施形態)
まず、図1〜図3を参照して、本発明に係る密着露光装置の第1実施形態について説明する。
本実施形態の密着露光装置10は、基板Wを保持する基板保持部21と、マスクMを保持するマスク保持部12と、密封部材13と、減圧機構14と、図示しない照明光学系と、を備える。
基板Wでは、シリコンウェハ42上にCPUやメモリ等の集積回路41が形成され、該集積回路41の表面が、ポリアミドイミド等の樹脂43によって覆われている。基板Wでは、樹脂43を熱硬化する際に生じる反りや、集積回路41などの高さの差による凹凸によって表面の平面度が良好でない場合が生じる。
マスクMは、図2に示すように、熱膨張係数が小さく、熱による反りが少ない、厚さ0.3〜0.7mm程度の薄肉の無アルカリガラス板や石英ガラス板などで製作され、下面(基板W側)には露光すべきパターンPが形成されている。なお、図中、Paは、露光パターンPを形成するクロムメッキを示す。また、マスクMの下面には、さらに、フッ素樹脂を溶剤化したものをコーティングして形成されたフッ素系樹脂皮膜などの防汚性皮膜からなるレジスト付着防止膜45が設けられている。マスクMは、Oリング15などを介して枠形状のマスク保持部12に真空吸着によって保持されている。
対向配置された基板保持部21の上面21aと、マスク保持部12の下面12aとの間には、マスクM及び基板Wを囲むようにOリングやパッキンなどの断面中空の密封部材13が設けられている。これにより、基板保持部21、マスクM、マスク保持部12、及び密封部材13によって囲まれた密封空間16が形成される。密封部材13としては、変形して密封空間16を形成するものであればOリングやパッキンに限定されないが、変形が容易な方が高い密封性を有するため、中心部が中空とされたOリングが好適である。また、密封部材13の支持方法は任意であり、基板保持部21の上面21aと、マスク保持部12の下面12aのいずれかに予め支持されてもよいし、単に間に配置されていてもよい。
基板保持部21には、載置される基板Wより外側、且つ密封部材13の接触位置より内側に位置する吸引孔17が密封空間16に貫通して下向きに設けられており、真空ポンプなどの減圧機構14が接続されている。減圧機構14は、密封空間16内のエアを吸引孔17から下向きに吸引して密封空間16内の圧力を減圧させる。
また、基板保持部21は、図3も参照して、例えば、円形板状の基板Wより大きな直径を有し、金属やセラミックス材などにより形成され、基板保持部21の上面には、基板Wの載置面を形成する複数の環状凸部24a,24b,24cが同心円状に形成されている。
なお、本実施形態では、環状凸部24cは、吸引孔17が形成される基板保持部21の上面と連続して形成されているが、図5では、第3実施形態に対応して環状に示されている。
隣り合う環状凸部24a,24b,24c同士は、90°間隔で半径方向に延びる4本のリブ25によって接続されている。また、環状凸部24a,24b,24cの上面には、ゴムなどの弾性材料からなる円形(円筒形)で断面中空の封止部材27が配置されている。環状凸部24a,24b,24c及びリブ25の高さは、同じであることが好ましい。また、封止部材27は、リブ25の上面にも配置されてもよい。
換言すれば、環状凸部24aの中心部には、本発明の凹部である円形溝26aが形成され、環状凸部24a,24b間、及び環状凸部24b,24c間には、それぞれ環状溝26b,26cが形成されている。環状溝26b,26cは、更に、半径方向に延びる4本のリブ25によって4分割されて本発明の凹部である円弧状溝26b1〜26b4,26c1〜26c4を形成する。なお、円形溝26a、及び円弧状溝26b1〜26b4,26c1〜26c4は、互いに独立している。
円形溝26a、及び4分割された環状溝26b,26c(円弧状溝26b1〜26b4,26c1〜26c4)の底部には、吸引孔28が下向きに形成されており、真空ポンプなどの基板保持用減圧機構29に接続されている。基板保持用減圧機構29は、円形溝26a、及び各円弧状溝26b1〜26b4,26c1〜26c4内のエアを下向きに吸引することで、基板保持部21上に載置された基板Wと、円形溝26a及び各円弧状溝26b1〜26b4,26c1〜26c4とで囲まれた空間を負圧にして、基板Wを円形溝26a及び各円弧状溝に均一に吸着して保持する。なお、円形溝26a、及び各円弧状溝26b1〜26b4,26c1〜26c4内のそれぞれの圧力を独立に制御して、基板Wの平坦度を矯正するようにしてもよい。
なお、各溝26a、26b1〜26b4,26c1〜26c4に形成される吸引孔28は、これら各溝26a、26b1〜26b4,26c1〜26c4に臨む配管によって構成されてもよい。
また、基板保持部21は、不図示のピンなどによって、基板Wを昇降可能に構成されている。
このような密着露光装置10において、基板保持部21上に基板Wを載置した後、マスクMを保持するマスク保持部12を降下させ、マスクM及び基板Wを囲むように、基板保持部21の上面21aと、マスク保持部12の下面12aとの間を密封部材13で封止する。これにより、マスクM、マスク保持部12、基板保持部21、及び密封部材13によって囲まれた密封空間16を形成する。
次いで、減圧機構14により密封空間16内のエアを、基板Wの外周部に位置する吸引孔17から下向きに吸引することで、基板Wの外周側からマスクMを基板Wに接触させて、基板W上面の表面形状に倣わせて基板Wに均等に密着させる。ここで、マスクMは、薄肉のため撓みやすく設計されているので、基板W上面の表面形状に良好に倣うことができる。
このように、基板Wの反りや集積回路41の高さなどにより生じる表面形状の凹凸に合わせてマスクMを基板Wに密着させた状態で、マスクに対して基板と反対側に配設された照明光学系によって、パターン露光用の光をマスクMを介して基板Wに照射することで、精度の高い露光を行うことができる。また、マスクMにはレジスト付着防止膜45が設けられているので、基板WにマスクMを付着させてもマスクMの汚れを抑制することができる。
以上説明したように、本実施形態の密着露光装置10によれば、基板Wを保持する基板保持部21と、露光すべきパターンを有するマスクMを保持するマスク保持部12と、マスクM及び基板Wを囲み、マスク保持部12と基板保持部21との間に設けられる密封部材13と、マスクM、マスク保持部12、基板保持部21、及び密封部材13によって囲まれた密封空間16内のエアを吸引して減圧させ、マスクMを基板W上面の表面形状に倣わせて基板Wに密着させる減圧機構14と、マスクMに対して基板Wと反対側に配設され、パターン露光用の光をマスクMを介して基板Wに照射する照明光学系と、を備えるため、基板Wの反りや集積回路41の高さによって生じる段差などが基板W上面にあっても、マスクMを基板Wに倣わせて密着させることができ、これにより精度よく露光することができる。
(第2実施形態)
次に、図4を参照して、本発明に係る密着露光装置の第2実施形態について説明する。
本実施形態の密着露光装置10Aは、第1実施形態と同様、基板保持部21と、マスクMを保持するマスク保持部12と、密封部材13と、減圧機構14と、図示しない照明光学系と、を備える。
本実施形態の密封部材13は、基板保持部21の吸引孔17が形成される位置よりも外側に形成された周溝24dに接着などによって固定して配置されている。密封部材13は、マスク保持部12に保持されるマスクMの周縁部の下方に位置し、基板Wを囲み、且つ、マスク保持部12が降下することで、マスクMの下面と当接する。
したがって、基板保持部21上に基板Wを載置した後、マスクMを保持するマスク保持部12を降下させ、基板Wを囲むように、基板保持部21の上面21aと、マスクMの下面との間を密封部材13で封止する。これにより、マスクM、基板保持部21、及び密封部材13によって囲まれた密封空間16を形成する。
次いで、第1実施形態と同様に、減圧機構14により密封空間16内のエアを、基板Wの外周部に位置する吸引孔17から下向きに吸引することで、基板Wの外周側からマスクMを基板Wに接触させて、基板W上面の表面形状に倣わせて基板Wに均等に密着させる。
これにより、本実施形態の密着露光装置10Aによれば、密封部材13は、基板Wを囲み、且つ、マスクMの下面と当接するように基板保持部21に設けられているので、マスク保持部12によるマスクMの吸着力に対して、密封空間16内のエアの吸引力が相対的に大きくなった場合であっても、マスクMの振動を抑制することができ、また、マスク保持部12からマスクMが脱落したりするのを確実に防止することができる。また、密封部材13は、マスクMの下面と当接する位置に配置することで、第1実施形態に比べて、コンパクトな設計を実現することができる。
その他の構成及び作用については、第1実施形態のものと同様である。
(第3実施形態)
次に、図5を参照して、本発明に係る密着露光装置の第3実施形態について説明する。 本実施形態の密着露光装置10Bは、基板Wを保持する基板保持部21と、枠形状のマスク保持部22と、加圧機構23と、図示しない照明光学系と、を備える。
基板保持部21は、円板状に形成され、基板Wを吸着保持する構成において第1実施形態と同じであるが、基板Wより外側の吸引孔17を有する面は設けられていない。
マスク保持部22は、下面22aにマスクMが気密に固定されると共に、上面22bにマスク保持部22の開口を覆うようにカバーガラス30が気密に固定されている。これにより、マスク保持部22、マスクM、及びカバーガラス30によって外部から閉鎖された密封空間31が画成される。マスク保持部22には、密封空間31に連通する通気孔32が形成されており、該通気孔32が加圧機構23に接続されている。
加圧機構23は、送風ポンプなどから構成されており、加圧機構23から送気するエアの圧力を制御することで、密封空間31内の圧力を増圧する。
このような密着露光装置10Bにおいて、先ず、基板保持部21上に基板Wを載置した後、基板保持用減圧機構29で円形溝26a及び環状溝26b,26c内の圧力を負圧にして基板Wを吸着保持する。次いで、加圧機構23から送気して、密封空間31内の圧力を増圧することでマスクMを基板W側に撓ませた後、マスク保持部22を下降させてマスクMを基板Wに押し付ける。これにより、マスクMを基板上面の表面形状に倣わせて基板Wに密着させ、照明光学系によって、パターン露光用の光をマスクMを介して基板Wに照射することで、精度の高い露光を行うことができる。
以上説明したように、本実施形態の密着露光装置10Bによれば、基板Wを保持する基板保持部21と、露光すべきパターンを有するマスクMを下面22aに保持すると共に、上面22b側にカバーガラス30を保持するマスク保持部22と、少なくともマスク保持部22、マスクM、及びカバーガラス30によって画成される密封空間31内の圧力を増圧する加圧機構23と、マスクMに対して基板Wと反対側に配設され、パターン露光用の光をマスクMを介して基板Wに照射する照明光学系と、を備え、密封空間31の圧力を増圧することでマスクMを基板W側に撓ませた状態で基板Wに接触させ、マスクMを基板W上面の表面形状に倣わせて基板Wに密着させるようにしたため、基板Wの反りや集積回路41の高さによって生じる段差などを考慮することなく、マスクMを基板Wに密着させて精度よく露光することができる。
尚、本発明は、前述した実施形態及び実施例に限定されるものではなく、適宜、変形、改良、等が可能である。
例えば、本発明の基板保持部は、基板を保持するものであれば、本実施形態のものに限定されるものではない。
上記実施形態の基板保持部21では、各溝26a,26b1〜26b4,26c1〜26c4ごとに開口面積が同じ吸引孔28を1つずつ設置しているが、例えば、少なくとも一つの吸引孔28を各溝26a,26b1〜26b4,26c1〜26c4ごとに配置し、各溝26a,26b1〜26b4,26c1〜26c4における吸引孔28の合計開口面積を、各凹溝26a,26b1〜26b4,26c1〜26c4の吸着面積の大きさに応じて変更するようにしてもよい。
具体的に、図6(a)に示すように、開口面積の異なる吸引孔28を各溝26a,26b1〜26b4,26c1〜26c4に1つずつ配置してもよい。この場合、円形溝26a、円弧状溝26b1〜26b4、円弧状溝26c1〜26c4の順に吸着面積が大きくなることから、吸引孔28の開口面積も、円形溝26a、円弧状溝26b1〜26b4、円弧状溝26c1〜26c4の順に大きくしている。
又は、図6(b)に示すように、開口面積が同じ吸引孔28の数を各溝26a,26b1〜26b4,26c1〜26c4ごとに変えるようにしてもよい。この場合、吸引孔28の数は、円形溝26a、円弧状溝26b1〜26b4、円弧状溝26c1〜26c4の順に多くしている。
なお、吸引孔28が配管によって構成される場合には、配管径または配管の数を変更すればよい。また、配管径と配管の数の両方を変更して、吸引力を適切に設定することも可能である。
これにより、単一の真空ポンプを用いて、バルブなどで吸引力の調整を行うことなく、各溝26a,26b1〜26b4,26c1〜26c4ごとに適切な吸引力を設定することができる。
また、上記実施形態では、マスクMを基板Wに向けて押し付け、基板Wの上面の表面形状に倣わせているが、押し付けるだけでは、基板Wに接触する箇所と接触しない箇所が生じるため、露光エリア内で露光パターンPのない部分に図7に示すような凸形状部Maを設けて押し付けてもよい。凸形状部Maは、マスクパターンを焼き付けた後で、接着などにより形成してもよい。
また、上記凸形状部Maには、レジスト付着防止膜45を設けてレジストの付着を防止してもよく、また、レジスト付着防止膜45は、凸形状部Maを含むマスクの下面全体に設けられてもよい。
10,10A,10B 密着露光装置
21 基板保持部
12,22 マスク保持部
13 密封部材
14 減圧機構
16,31 密封空間
22a 下面
22b 上面
23 加圧機構
26a 円形溝(凹部)
26b1〜26b4,26c1〜26c4 円弧状溝(凹部)
30 カバーガラス
M マスク
W 基板(被露光材)

Claims (3)

  1. 被露光材としての基板を保持する基板保持部と、
    露光すべきパターンを有するマスクを保持するマスク保持部と、
    前記基板を囲み、且つ、前記マスク保持部に保持される前記マスクの周縁部の下方に位置して、前記マスクの下面と当接するように前記基板保持部に設けられる密封部材と、
    前記マスク、前記基板保持部、及び前記密封部材によって囲まれた密封空間内のエアを吸引して減圧させ、前記マスクを前記基板上面の表面形状に倣わせて前記基板に密着させる減圧機構と、
    前記マスクに対して前記基板と反対側に配設され、パターン露光用の光を前記マスクを介して前記基板に照射する照明光学系と、
    を備え
    前記基板保持部の上面は、互いに独立した複数の凹部を備える、前記基板が載置される基板載置面と、前記基板載置面より外側に位置する吸引孔と、該吸引孔が形成される位置よりも外側に形成された周溝と、を備え、
    前記密封部材は、前記周溝に固定して配置される断面中空のOリングであることを特徴とする密着露光装置。
  2. 前記マスクの下面には、レジスト付着防止膜が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の密着露光装置。
  3. 記各凹部内のエアを吸引するため、前記各凹部に開口する少なくとも一つの吸引孔をそれぞれ備え、前記各凹部内の圧力を独立して減圧可能な基板保持用減圧機構を備え、
    前記各凹部における前記吸引孔の合計開口面積は、前記各凹部の吸着面積の大きさに応じて変更することを特徴とする請求項1又は2に記載の密着露光装置。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016180868A (ja) * 2015-03-24 2016-10-13 富士フイルム株式会社 露光用治具および露光方法
JP6663252B2 (ja) * 2016-03-01 2020-03-11 株式会社アドテックエンジニアリング プリント基板用露光装置
JP2020013958A (ja) * 2018-07-20 2020-01-23 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、及び、物品製造方法
JP6789368B2 (ja) * 2019-12-25 2020-11-25 株式会社アドテックエンジニアリング プリント基板用露光装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS542675A (en) * 1977-06-08 1979-01-10 Nec Corp Exposure device
JPS5435681A (en) * 1977-08-24 1979-03-15 Sharp Corp Alignment device
JPS5874340U (ja) * 1981-11-13 1983-05-19 富士写真光機株式会社 密着露光装置
JPS60189746A (ja) * 1984-03-10 1985-09-27 Canon Inc 露光装置
US5160959A (en) * 1991-12-09 1992-11-03 Massachusetts Institute Of Technology Device and method for the alignment of masks
JPH0758191A (ja) * 1993-08-13 1995-03-03 Toshiba Corp ウェハステージ装置
JPH11111819A (ja) * 1997-09-30 1999-04-23 Asahi Kasei Micro Syst Co Ltd ウェハーの固定方法及び露光装置
JP2004029063A (ja) * 2002-06-21 2004-01-29 Adtec Engineeng Co Ltd 密着型露光装置
JP2006091647A (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Fuji Photo Film Co Ltd 密着露光用フォトマスク
US7607647B2 (en) * 2007-03-20 2009-10-27 Kla-Tencor Technologies Corporation Stabilizing a substrate using a vacuum preload air bearing chuck
JP5617239B2 (ja) * 2009-12-25 2014-11-05 富士通株式会社 保護膜付きレジストパターン形成用部材とその製造方法、及びレジストパターンの製造方法
JP2012226129A (ja) * 2011-04-20 2012-11-15 Toppan Printing Co Ltd フォトマスク
JP6142450B2 (ja) * 2011-09-09 2017-06-07 株式会社ブイ・テクノロジー 密着露光装置及び密着露光方法

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