JP6361155B2 - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 - Google Patents
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Description
<液晶装置の構成>
図1は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図2は、図1に示す液晶装置のH−H’線に沿う模式断面図である。図3は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図1〜図3を参照しながら説明する。
図4は、液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置のうち画素の構造を、図4を参照しながら説明する。なお、図4は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
図5は、液晶装置のうち主に無機配向膜の構成、及び有機膜の構成を示す模式断面図である。以下、無機配向膜、及び有機膜の構成について、図5を参照しながら説明する。なお、図5は、説明しやすいように簡略化して図示する。
接触角差(deg)=k×開口率差(%)
0.3≦k≦0.7
開口率差=(1−画素電極27の面積/対向電極31の面積)×100
但し、画素電極27の面積及び対向電極31の面積は、いずれも1画素あたりのものであり、接触角差は水との接触角を基に算出する。
被覆率が大きくなると、接触角が大きくなる。具体的には、被覆率が100%のとき、水との接触角が90°〜100°程度になる。
図6は、液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図7及び図8は、液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を工程順に示す模式断面図である。図9は、CVD装置の構造を示す模式図である。以下、液晶装置の製造方法を、図6〜図9を参照しながら説明する。
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図10を参照しながら説明する。図10は、上記した液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図である。
<透過型の液晶装置における、配向膜の構成、有機膜の構成>
図11は、第2実施形態の液晶装置の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置の構造について、図11を参照しながら説明する。
図12及び図13は、第2実施形態の液晶装置の製造方法の一部を工程順に示す模式断面図である。以下、液晶装置の製造方法を、図12及び図13を参照しながら説明する。なお、第1実施形態の液晶装置の製造方法と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
上記したように、透過型の液晶装置100,200であることに限定されず、反射型の液晶装置300,400に適用するようにしてもよい。反射型の液晶装置300,400の場合の構造を、以下に説明する。図14及び図15は、反射型の液晶装置300,400において、素子基板10と対向基板20とで被覆率を変えた場合の構造を示す模式断面図である。
接触角差(deg)=k×仕事関数差(eV)
50≦k≦150
但し、接触角差は第1有機膜の水との接触角と第2有機膜の水との接触角の差であり、仕事関数差は対向電極の仕事関数と画素電極の仕事関数との差である。なお、
画素電極27の仕事関数は4.1〜4.3(eV)であり、
対向電極31の仕事関数は4.6〜4.9(eV)である。
上記したように、アクティブマトリックス型の液晶装置100に適用することに限定されず、例えば、単純マトリックス型の液晶装置に適用するようにしてもよい。
上記したように、電気光学装置として液晶装置100を適用することに限定されず、例えば、有機EL装置、プラズマディスプレイ、電子ペーパー(EPD)等に適用するようにしてもよい。
Claims (7)
- 素子基板と、
前記素子基板とシール材を介して対向するように配置された対向基板と、
前記シール材で囲まれた領域に封入された電気光学層と、
前記素子基板と前記電気光学層との間に配置された画素電極と、
前記対向基板と前記電気光学層との間に配置された対向電極と、
前記画素電極を覆うように配置された第1配向膜と、
前記対向電極を覆うように配置された第2配向膜と、
前記第1配向膜を覆うように配置された第1有機膜と、
前記第2配向膜を覆うように配置された第2有機膜と、
を含み、
前記第1有機膜の水との接触角と比較して、前記第2有機膜の水との接触角が大きく、
前記第2有機膜の水との接触角と前記第1有機膜の水との接触角の差である接触角差と、前記画素電極の面積と、前記対向電極の面積とは、以下の関係式を満たすことを特徴とする電気光学装置。
接触角差(deg)=k×(1− 1画素あたりの画素電極の面積/1画素あたりの対向電極の面積)×100(%)(但し、0.3≦k≦0.7) - 素子基板と、
前記素子基板とシール材を介して対向するように配置された対向基板と、
前記シール材で囲まれた領域に封入された電気光学層と、
前記素子基板と前記電気光学層との間に配置された画素電極と、
前記対向基板と前記電気光学層との間に配置された対向電極と、
前記画素電極を覆うように配置された第1配向膜と、
前記対向電極を覆うように配置された第2配向膜と、
前記第1配向膜を覆うように配置された第1有機膜と、
前記第2配向膜を覆うように配置された第2有機膜と、
を含み、
前記画素電極の仕事関数と比較して、前記対向電極の仕事関数が大きく、
前記画素電極の仕事関数及び前記対向電極の仕事関数の差である仕事関数差と、前記第1有機膜の水との接触角と前記第2有機膜の水との接触角の差である接触角差は、以下の関係式を満たすことを特徴とする電気光学装置。
接触角差(deg)=k×仕事関数差(eV)(但し、50≦k≦150) - 請求項1又は請求項2に記載の電気光学装置であって、
前記第1配向膜及び前記第2配向膜は、無機配向膜であり、
前記第1有機膜及び前記第2有機膜は、シランカップリング材から生成された物質を含むことを特徴とする電気光学装置。 - 画素電極を覆うように配置された第1配向膜に第1の表面処理を行い、第1有機膜を形成する工程と、
対向電極を覆うように配置された第2配向膜に第2の表面処理を行い、第2有機膜を形成する工程と、
を含み、
前記第1有機膜の水との接触角と比較して、前記第2有機膜の水との接触角が大きく、
前記第2有機膜の水との接触角と前記第1有機膜の水との接触角の差である接触角差と、前記画素電極の面積と、前記対向電極の面積とは、以下の関係式を満たすことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
接触角差(deg)=k×(1− 1画素あたりの画素電極の面積/1画素あたりの対向電極の面積)×100(%)(但し、0.3≦k≦0.7) - 画素電極を覆うように配置された第1配向膜に第1の表面処理を行い、第1有機膜を形成する工程と、
対向電極を覆うように配置された第2配向膜に第2の表面処理を行い、第2有機膜を形成する工程と、
を含み、
前記画素電極の仕事関数と比較して、前記対向電極の仕事関数が大きく、
前記画素電極の仕事関数及び前記対向電極の仕事関数の差である仕事関数差と、前記第1有機膜の水との接触角と前記第2有機膜の水との接触角の差である接触角差は、以下の関係式を満たすことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
接触角差(deg)=k×仕事関数差(eV)(但し、50≦k≦150) - 請求項4又は請求項5に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記第1配向膜及び前記第2配向膜は、無機配向膜であり、
前記第1の表面処理及び前記第2の表面処理は、シランカップリング処理であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
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