JP2014119683A - 液晶装置、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】表示品質を向上させることができる液晶装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】素子基板１０と、素子基板１０に対向配置された対向基板２０と、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせるシール材１４と、シール材１４により囲まれる領域の内側に、液晶分子を含む液晶層と、素子基板１０と液晶層との間に配置され、液晶分子を素子基板１０の第１辺及び第１辺と隣り合い第１辺と交差する第２辺に対して交差する第１方向に垂直配向させる配向膜と、を含み、液晶層の表示領域Ｅの第１方向に位置する第１角部において、液晶層の外縁は、表示領域Ｅと反対側に突出した第１突出部１４ａ１を有する。
【選択図】図５

Description

本発明は、液晶装置、及び電子機器に関する。

上記液晶装置の一つとして、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。液晶装置は、例えば、直視型ディスプレイやプロジェクターのライトバルブなどにおいて用いられている。

このような液晶装置において、液晶供給時に混入したり、液晶層を取り囲んでいるシール材や封止材から溶出したりした不純物が、液晶装置の駆動によって表示領域に凝集することにより、液晶装置の表示特性が劣化する恐れがあることが知られている。

例えば、特許文献１には、有効画素領域の周囲に複数の周辺電極を設け、周辺電極間に電位差を生じさせて、不純物を有効画素領域の外側に移動させている技術が開示されている。

特開２００８−５８４９７号公報

しかしながら、上記特許文献１に記載の方法では、有効画素領域の外側に移動した不純物が、シール材の延設方向に沿って再度拡散する恐れがあるという課題がある。

本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る液晶装置は、第１辺及び前記第１辺と隣り合う第２辺を有する第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、前記シール材により囲まれる領域の内側に、前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された液晶分子を含む液晶層と、前記第１基板と前記液晶層との間に配置され、前記液晶分子を前記第１辺の方向及び前記第２辺の方向に対して交差する第１方向に垂直配向させる配向膜と、を含み、前記液晶層の表示領域の前記第１方向に位置する第１角部において、前記液晶層の外縁は、前記表示領域と反対側に突出した第１突出部を有することを特徴とする。

本適用例によれば、液晶層の外縁の第１角部において、表示領域とは反対側に突出する第１突出部を有する、つまり、シール材に突出部が設けられているので、印加電圧による液晶分子の動作によって第１方向の角部に集められた不純物を、第１突出部の中に留まらせることが可能となる。よって、第１突出部の中から外部に不純物が再拡散することを抑えることができる。加えて、第１突出部が表示領域とは反対側に突出しているので、表示領域から不純物が留まる部分を遠ざけることが可能となり、表示への影響を抑制することができる。その結果、表示品質を向上させることができる。

［適用例２］上記適用例に係る液晶装置において、前記表示領域の外縁は、前記第１角部側に位置する第３辺と、第４辺とを有し、前記第１突出部は、前記第３辺の延長線である第１延長線と前記第１基板の縁部との間で、かつ、前記第４辺の延長線である第２延長線と前記第１基板の縁部との間の領域内に位置することが好ましい。

本適用例によれば、第１延長線と第１基板の縁部との間、かつ、第２延長線と第１基板の縁部との間、の領域内に第１突出部が設けられているので、第１突出部を表示領域から遠くすることが可能となり、表示領域に影響が出ることを抑えることができる。

［適用例３］上記適用例に係る液晶装置において、前記第１突出部の内部に形成された第１部分と、前記第１部分から前記表示領域の前記第３辺と前記シール材との間に延在する第２部分と、を有する第１電極と、前記第１突出部の内部に形成され、前記第１部分と対向するように配置された第３部分と、前記第３部分から、前記表示領域の前記第３辺に隣り合う前記第４辺と前記シール材との間に延在する第４部分と、を有する第２電極と、前記第２部分と前記表示領域との間と、前記第４部分と前記表示領域との間と、に延設された第３電極と、を有し、前記第１電極と前記第３電極は異なる電位が印加されるように構成され、前記第２電極と前記第３電極は異なる電位が印加されるように構成されていることが好ましい。

本適用例によれば、第１電極と第３電極との間、及び第２電極と第３電極との間の電位が異なるように構成されているので、電極間の電位差によって発生した電界により、不純物を引き寄せることができる。

［適用例４］上記適用例に係る液晶装置において、前記第１電極と前記第２電極との電位差は、前記第１電極と前記第３電極との電位差より大きく、前記第２電極と前記第３電極との電位差より大きいことが好ましい。

本適用例によれば、第１電極と第３電極との間、及び第２電極と第３電極と間の電位差と比較して、第１電極と第２電極との電位差が大きいので、第１電極と第２電極とが隣り合う第１突出部の内部の電位差を大きくすることができる。よって、印加電圧による液晶分子の動作に加えて、効果的に第１突出部の内部に不純物を集めることができる。

［適用例５］上記適用例に係る液晶装置において、前記液晶層の前記表示領域の前記第１方向と反対方向に位置する第２角部において、前記液晶層の外縁は、前記表示領域と反対側に突出した第２突出部を有することが好ましい。

本適用例によれば、第１方向と反対側に第２突出部を設けるので、印加電圧による液晶分子の動作によって第１方向及び第１方向と反対方向の角部に集められた不純物を、第１突出部及び第２突出部の中に留まらせることができる。

［適用例６］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の液晶装置を備えることを特徴とする。

本適用例によれば、上記した液晶装置を備えているので、表示特性を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。

第１実施形態の液晶装置の構成を示す模式平面図。 図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 液晶装置の構造を示す模式断面図。 液晶装置のうち主にシール材の構成を示す模式平面図。 図５に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図。 液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図。 第２実施形態の液晶装置のうち主にシール材の構成を示す模式平面図。 変形例のシール材の構成を示す模式平面図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。

本実施形態では、液晶装置として、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。

（第１実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図１〜図３を参照しながら説明する。

図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０（第１基板）および対向基板２０（第２基板）と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、および対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。

素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。平面視で環状に設けられたシール材１４の内側で、素子基板１０は対向基板２０の間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。

シール材１４の内側には、複数の画素Ｐが配列した表示領域Ｅが設けられている。表示領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図１及び図２では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光膜（ブラックマトリックス；ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。

素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、データ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。

対向基板２０における環状に配置されたシール材１４と表示領域Ｅとの間には、遮光膜１８（見切り部）が設けられている。遮光膜１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜１８の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。なお、図１では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光膜が設けられている。

これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子６１に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。

図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極２７およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以降、「ＴＦＴ３０」と呼称する）と、信号配線と、これらを覆う配向膜２８とが形成されている。

また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、ＴＦＴ３０、配向膜２８を含むものである。

対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された平坦化層３３と、平坦化層３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも対向電極３１、配向膜３２を含むものである。

遮光膜１８は、図１に示すように、表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている（図示簡略）。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。

平坦化層３３は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜１８を覆うように設けられている。このような平坦化層３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。

対向電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた導通部としての上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。

画素電極２７を覆う配向膜２８および対向電極３１を覆う配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子を１辺部と交差する方向に略垂直配向させる無機配向膜が挙げられる。

このような液晶装置１００は透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きくて明表示となるノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さくて暗表示となるノーマリーブラックモードが用いられる。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。

図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。

走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。

走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域（ソース領域）に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域（ドレイン領域）に電気的に接続されている。

データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。

データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングで供給する。

液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持される。

保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。

図４は、液晶装置の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図４を参照しながら説明する。なお、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。

図４に示すように、液晶装置１００は、一対の基板のうち一方の基板である素子基板１０と、これに対向配置される他方の基板である対向基板２０とを備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、及び対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、上記したように、例えば、石英基板等によって構成されている。

第１基材１０ａ上には、チタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）等からなる下側遮光膜３ｃが形成されている。下側遮光膜３ｃは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素の開口領域を規定している。なお、下側遮光膜３ｃは、走査線３ａの一部として機能するようにしてもよい。第１基材１０ａ及び下側遮光膜３ｃ上には、シリコン酸化膜等からなる下地絶縁層１１ａが形成されている。

下地絶縁層１１ａ上には、ＴＦＴ３０及び走査線３ａ等が形成されている。ＴＦＴ３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン等からなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁膜１１ｇと、ゲート絶縁膜１１ｇ上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極３０ｇとを有する。上記したように、走査線３ａは、ゲート電極３０ｇとしても機能する。

半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されることにより、Ｎ型のＴＦＴ３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ１と、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ１と、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを備えている。

チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされている。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンがドープされている。このように、ＴＦＴ３０は、Ｎ型のＴＦＴとして形成されている。

ゲート電極３０ｇ、下地絶縁層１１ａ、及び走査線３ａ上には、シリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁層１１ｂが形成されている。第１層間絶縁層１１ｂ上には、容量素子１６が設けられている。具体的には、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第１容量電極１６ａと、固定電位側容量電極としての容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）の一部とが、誘電体膜１６ｃを介して対向配置されることにより、容量素子１６が形成されている。

容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。

第１容量電極１６ａは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子１６の画素電位側容量電極として機能する。ただし、第１容量電極１６ａは、容量線３ｂと同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第１容量電極１６ａは、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールＣＮＴ５２、中継層５５、コンタクトホールＣＮＴ５３、ＣＮＴ５１を介して、画素電極２７とＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）とを中継接続する機能を有する。

容量素子１６上には、第２層間絶縁層１１ｃを介してデータ線６ａが形成されている。データ線６ａは、第１層間絶縁層１１ｂ及び第２層間絶縁層１１ｃに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ５４を介して、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ（ソース領域）に電気的に接続されている。

データ線６ａ上には、第３層間絶縁層１１ｄを介して画素電極２７が形成されている。画素電極２７は、第２層間絶縁層１１ｃ及び第３層間絶縁層１１ｄに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ５２、ＣＮＴ５３、中継層５５を介して第１容量電極１６ａに接続されることにより、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）に電気的に接続されている。なお、画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ膜等の透明導電性膜から形成されている。

画素電極２７及び第３層間絶縁層１１ｄ上には、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜２８が設けられている。配向膜２８上には、シール材１４（図１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が設けられている。

一方、第２基材２０ａ上には、その全面に渡って対向電極３１が設けられている。対向電極３１上（図４では下側）には、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜３２が設けられている。対向電極３１は、上述の画素電極２７と同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。

液晶層１５は、画素電極２７からの電界が印加されていない状態で配向膜２８，３２によって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。

＜シール材の構成＞
図５は、液晶装置のうち主にシール材の構成を示す模式平面図である。図６は、図５に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。以下、主にシール材の構成について、図５及び図６を参照しながら説明する。なお、第１基材１０ａから第３層間絶縁層１１ｄまでを第１基材１０ａと称して説明する。

図５及び図６に示すように、液晶装置１００の素子基板１０を構成する第１基材１０ａ上には、表示領域Ｅに画素電極２７が設けられている。画素電極２７上を含む第１基材１０ａ上の全体には、図示しない、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜２８（図４参照）が設けられている。なお、配向方向（蒸着方向）を方位角方向と称する。

配向膜２８は、柱状構造物（カラム）を有している。柱状構造物は、第１基材１０ａ上の全体に亘って密集して設けられている。複数の柱状構造物は、第１基材１０ａに対し傾斜して設けられており、傾斜角度によって液晶層１５の液晶分子１５ａにプレチルト角が付与されるようになっている。ここで、プレチルト角とは、第１基材１０ａ表面に直交する方向と液晶分子１５ａの長軸方向とのなす角度をいう。

配向膜２８上における表示領域Ｅの周囲には、表示領域Ｅを囲むようにシール材１４が設けられている。シール材１４における第１方向の角部（第１角部）には、表示領域Ｅと反対側に突出する第１突出部１４ａ１が設けられている。言い換えれば、第１方向における液晶層１５の外縁は、表示領域Ｅと反対側に突出している。第１突出部１４ａ１は、シール材１４の内縁が表示領域Ｅと反対側に突出している（第１突出部１４ａ１の内部）。

ここで、第１方向とは、素子基板１０の第１辺、及び第１辺と交差する第２辺、に対して交差する方向をいう。

第１突出部１４ａ１の幅（口元の幅）は、例えば、表示領域Ｅの一辺（第３辺）の延長線である第１延長線Ｅ１と素子基板１０の縁部との間、かつ、一辺と隣り合う他辺（第４辺）の延長線である第２延長線Ｅ２と素子基板１０の縁部との間、の領域内に収まっている。これにより、第１突出部１４ａ１を表示領域Ｅから遠くすることが可能となり、表示領域Ｅに影響が出ることを抑えることができる。

また、シール材１４における第１方向と反対方向に位置する角部（第２角部）には、表示領域Ｅと反対側に突出した第２突出部１４ａ２が設けられている。言い換えれば、第１方向と反対方向における液晶層１５の外縁は、表示領域Ｅと反対側に突出している。また、第２突出部１４ａ２は、シール材１４の内縁が表示領域Ｅと反対側に突出している（第２突出部１４ａ２の内部）。なお、第２突出部１４ａ２の大きさなどは、第１突出部１４ａ１と略同じである。

第２基材２０ａ上（液晶層１５側）には、対向電極３１が設けられている。対向電極３１の表面には、素子基板１０側と同様に、柱状構造物を有する配向膜３２（図４参照）が設けられている。

このようにシール材１４を設けることにより、図６に示すように、液晶を駆動させた際、液晶分子１５ａが動作し、配向膜２８，３２の配向処理が施された方向（方位角方向）にイオン性不純物７０が掃き寄せられる。具体的には、方位角方向に設けられたシール材１４の第２突出部１４ａ２（第１突出部１４ａ１）の内部（窪み１４ｂ１，１４ｂ２）の中にイオン性不純物７０が集められる。そして、シール材１４によって囲まれた窪み１４ｂがイオン性不純物７０の溜まり場となり、イオン性不純物７０が窪み１４ｂの外に再拡散することを抑えることができる。加えて、シール材１４の角部に、シール材１４の内縁が表示領域Ｅと反対側に突出する第１突出部１４ａ１及び第２突出部１４ａ２を設けるので、表示領域Ｅからイオン性不純物７０を遠ざけることができる。その結果、表示品質を向上させることができる。

＜電子機器の構成＞
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図７を参照して説明する。図７は、上記した液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図である。

図７に示すように、本実施形態の投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。

偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。

ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。

ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。

このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。

液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。

このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、焼き付き等が抑えられた液晶装置１００を用いているので、高い表示品質を実現することができる。

なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、投射型表示装置１０００の他、ヘッドアップディスプレイ、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。

以上詳述したように、本実施形態の液晶装置１００、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。

（１）本実施形態の液晶装置１００によれば、シール材１４における配向方向（方位角方向）の角部において、表示領域Ｅとは反対側に突出する第１突出部１４ａ１、及び第２突出部１４ａ２が設けられているので、液晶分子１５ａの動作によって配向方向の角部に集められたイオン性不純物７０を、第１突出部１４ａ１及び第２突出部１４ａ２の中に留まらせることが可能となる。よって、第１突出部１４ａ１及び第２突出部１４ａ２の中から外部にイオン性不純物７０が再拡散することを抑えることができる。加えて、第１突出部１４ａ１及び第２突出部１４ａ２が表示領域Ｅとは反対側に突出しているので、表示領域Ｅからイオン性不純物７０が留まる部分を遠ざけることが可能となり、表示への影響を抑制することができる。その結果、表示品質を向上させることができる。

（２）本実施形態の電子機器によれば、上記に記載の液晶装置１００を備えるので、表示特性を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。

（第２実施形態）
図８は、第２実施形態の液晶装置のうち主にシール材の構成を示す模式平面図である。以下、主にシール材の構成について、図８を参照しながら説明する。

第２実施形態の液晶装置２００は、上述の第１実施形態と比べて、周辺電極としてのイオントラップ電極４１，４２，４３を用いている部分が異なり、その他の構成については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。

図８に示す図は、素子基板１０の四隅のうち第１突出部１４ａ１周辺の領域を示す模式平面図である。図８に示すように、第２実施形態の液晶装置２００は、上記した第１実施形態と同様に、表示領域Ｅを囲むようにシール材１４が設けられている。

シール材１４の角部は、上記したように、方位角方向に沿って外側に張り出すように第１突出部１４ａ１が設けられている。言い換えれば、シール材１４の内縁が表示領域Ｅと反対側に張り出している。

第２実施形態の特徴として、表示領域Ｅとシール材１４との間に、第１イオントラップ電極４１（第１電極）、第２イオントラップ電極４２（第２電極）、及び第３イオントラップ電極４３（第３電極）が設けられている。

第１イオントラップ電極４１は、第１突出部１４ａ１の内部（窪み１４ｂ１）に設けられた第１支線部４１ａ（第１部分）と、第１支線部４１ａから表示領域Ｅの一辺（第３辺）とシール材１４との間に延在する第１本線部４１ｂ（第２部分）とを有する。

第２イオントラップ電極４２は、第１突出部１４ａ１の内部（窪み１４ｂ１）に設けられた第２支線部４２ａ（第３部分）と、第２支線部４２ａから表示領域Ｅの一辺（第３辺）に隣り合う他辺（第４辺）とシール材１４との間に延在する第２本線部４２ｂ（第４部分）とを有する。

第３イオントラップ電極４３は、第１本線部４１ｂと表示領域Ｅとの間と、第２本線部４２ｂと表示領域Ｅとの間と、に延設されている。

第１イオントラップ電極４１及び第２イオントラップ電極４２には対向電極３１に印加される電位より低い電位が印加されている。一方、第１イオントラップ電極４１及び第２イオントラップ電極４２と表示領域Ｅとの間に配置された第３イオントラップ電極４３には、対向電極３１に印加される電位より高い電位が印加されている。

例えば、第１イオントラップ電極４１には、対向電極３１に印加される電位に対して−２Ｖが印加されている。第２イオントラップ電極４２には、例えば、対向電極３１に対して−５Ｖが印加されている。第３イオントラップ電極４３には、例えば、対向電極３１に対して＋１Ｖが印加されている。

これにより、第１イオントラップ電極４１と第２イオントラップ電極４２との間には、３Ｖの電位差が生じる。第１イオントラップ電極４１と第３イオントラップ電極４３との間には、３Ｖの電位差が生じる。窪み１４ｂの内側に配置された第１イオントラップ電極４１の第１支線部４１ａと第２イオントラップ電極４２の第２支線部４２ａとの間には、６Ｖの電位差が生じる。

このように配置することにより、第１突出部１４ａ１の内部（窪み１４ｂの内側）の第１支線部４１ａと第２支線部４２ａとの間で生じる電位差が、第１イオントラップ電極４１と第３イオントラップ電極４３との間の電位差、及び第２イオントラップ電極４２と第３イオントラップ電極４３との間で生じる電位差と比較して大きくすることができる。よって、液晶分子１５ａが揺らぐことによるフロー効果に加えて、効果的に窪み１４ｂの内側にイオン性不純物７０を引き寄せることが可能となり、窪み１４ｂの中にイオン性不純物７０を留めることができる。

なお、イオントラップ電極４１，４２，４３に印加する電圧は、ＤＣ電圧でもよいしＡＣ電圧でもよい。また、イオントラップ電極４１，４２，４３は、画素電極２７と同層に設けられ、ＩＴＯ膜で形成されている。

以上詳述したように、第２実施形態の液晶装置２００によれば、上記した第１実施形態の効果に加え、以下に示す効果が得られる。

（３）第２実施形態の液晶装置２００によれば、第１イオントラップ電極４１と第３イオントラップ電極４３との間の電位、及び第２イオントラップ電極４２と第３イオントラップ電極４３との間の電位が異なるように構成されているので、電極間の電位差によって発生した電界により、イオン性不純物７０を表示領域Ｅの周囲に集めることができる。

（４）第２実施形態の液晶装置２００によれば、第１イオントラップ電極４１と第３イオントラップ電極４３との間の電位差、及び第２イオントラップ電極４２と第３イオントラップ電極４３と間の電位差と比較して、第１イオントラップ電極４１と第２イオントラップ電極４２との間の電位差が大きいので、第１支線部４１ａと第２支線部４２ａとが隣り合う第１突出部１４ａ１の内部の電位差を大きくすることができる。よって、液晶分子１５ａの動作に加えて、効果的に第１突出部１４ａ１の内部（窪み１４ｂ１）にイオン性不純物７０を集めることができる。

なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。

（変形例１）
上記したように、第１突出部１４ａ１は、シール材１４の内縁及び外縁が外側に張り出すように突出していることに限定されず、シール材１４の内縁のみが外側に張り出すように設けられていればよく、図９に示すように形成してもよい。なお、以下の変形例において、イオントラップ電極を含む構成でもよい。

図９に示す液晶装置３００は、シール材１４の角部において素子基板１０の縁部側に窪む窪み１４ｃが設けられている。具体的には、シール材１４の内縁１４ｃ１によって窪み１４ｃが設けられている。シール材１４の外縁１４ｃ２は、窪み１４ｃの形状に倣って突出することなく略方形状になっている。これによれば、窪み１４ｃが設けられた部分のシール材１４の幅が狭くなり、耐湿性が低下する恐れが高くなるものの、シール材１４の内縁１４ｃ１によって形成された窪み１４ｃによって、イオン性不純物７０を溜めることができる。

（変形例２）
上記したように、表示領域Ｅと反対側に張り出す窪み１４ｂの角度は、配向方向と略並行に設けられていることに限定されず、集めたイオン性不純物７０が窪み１４ｂの外に拡散しにくい形状であればよく、例えば、円弧状、三角状などであってもよい。

（変形例３）
上記したように、透過型の液晶装置１００であることに限定されず、例えば、反射型の液晶装置に本発明を適用するようにしてもよい。

３ａ…走査線、３ｂ…容量線、３ｃ…下側遮光膜、６ａ…データ線、１０…第１基板としての素子基板、１０ａ…第１基材、１１ａ…下地絶縁層、１１ｂ…第１層間絶縁層、１１ｃ…第２層間絶縁層、１１ｄ…第３層間絶縁層、１１ｇ…ゲート絶縁膜、１４…シール材、１４ａ１…第１突出部、１４ｂ１…窪み、１４ａ２…第２突出部、１４ｂ２…窪み、１４ｃ２…外縁、１５…液晶層、１５ａ…液晶分子、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…第２容量電極、１６ｃ…誘電体膜、１８…遮光膜、２０…第２基板としての対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８，３２…配向膜、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３０ｄ１…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線側ソースドレイン領域、３０ｓ１…データ線側ＬＤＤ領域、３１…対向電極、３３…平坦化層、４１…第１電極としての第１イオントラップ電極、４１ａ…第１部分としての第１支線部、４１ｂ…第２部分としての第１本線部、４２…第２電極としての第２イオントラップ電極、４２ａ…第３部分としての第２支線部、４２ｂ…第４部分としての第２本線部、４３…第３電極としての第３イオントラップ電極、ＣＮＴ５１，５２，５３，５４…コンタクトホール、５５…中継層、６１…外部接続用端子、７０…イオン性不純物、１００，２００，３００…液晶装置、１０００…投射型表示装置、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。

Claims (6)

1. 第１辺及び前記第１辺と隣り合う第２辺を有する第１基板と、
   前記第１基板に対向配置された第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、
   前記シール材により囲まれる領域の内側に、前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された液晶分子を含む液晶層と、
   前記第１基板と前記液晶層との間に配置され、前記液晶分子を前記第１辺の方向及び前記第２辺の方向に対して交差する第１方向に垂直配向させる配向膜と、
   を含み、
   前記液晶層の表示領域の前記第１方向に位置する第１角部において、前記液晶層の外縁は、前記表示領域と反対側に突出した第１突出部を有することを特徴とする液晶装置。
2. 請求項１に記載の液晶装置であって、
   前記表示領域の外縁は、前記第１角部側に位置する第３辺と、第４辺とを有し、
   前記第１突出部は、
   前記第３辺の延長線である第１延長線と前記第１基板の縁部との間で、かつ、前記第４辺の延長線である第２延長線と前記第１基板の縁部との間の領域内に位置することを特徴とする液晶装置。
3. 請求項２に記載の液晶装置であって、
   前記第１突出部の内部に形成された第１部分と、前記第１部分から前記表示領域の前記第３辺と前記シール材との間に延在する第２部分と、を有する第１電極と、
   前記第１突出部の内部に形成され、前記第１部分と対向するように配置された第３部分と、前記第３部分から、前記表示領域の前記第３辺に隣り合う前記第４辺と前記シール材との間に延在する第４部分と、を有する第２電極と、
   前記第２部分と前記表示領域との間と、前記第４部分と前記表示領域との間と、に延設された第３電極と、
   を有し、
   前記第１電極と前記第３電極は異なる電位が印加されるように構成され、
   前記第２電極と前記第３電極は異なる電位が印加されるように構成されていることを特徴とする液晶装置。
4. 請求項３に記載の液晶装置であって、
   前記第１電極と前記第２電極との電位差は、
   前記第１電極と前記第３電極との電位差より大きく、
   前記第２電極と前記第３電極との電位差より大きいことを特徴とする液晶装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
   前記液晶層の前記表示領域の前記第１方向と反対方向に位置する第２角部において、前記液晶層の外縁は、前記表示領域と反対側に突出した第２突出部を有することを特徴とする液晶装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。

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