JP6355387B2 - 撮像装置及び撮像システム - Google Patents

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Description

本発明は、撮像装置及び撮像システムに関する。
特許文献1は、被写体を透過したX線等の放射線の照射を受けて被写体に関する画像信号を生成する放射線撮像装置を提案する。この放射線撮像装置の画素で生成された電荷は積分アンプに転送され、積分される。この放射線撮像装置は、積分アンプの出力から低周波ノイズを除去するために、2つのサンプルホールド回路を用いて積分アンプの出力に対して相関2重サンプリング(CDS)を行う。さらに、この放射線撮像装置は、積分アンプの出力から高周波ノイズを除去するために、積分アンプとサンプルホールド回路との間にローパスフィルタを有する。特許文献2も同様の構成を有する放射線撮像装置を提案する。
特許第4619640号公報 特許第4448042号公報
特許文献1及び特許文献2の放射線撮像装置では、積分アンプの出力の応答が早く安定するように、ローパスフィルタの時定数を一時的に下げる。しかし、これらの放射線撮像装置では、積分アンプのリセット動作においてのみローパスフィルタの時定数を下げるので、画素信号の読み出し動作全体を十分に短縮できない。本発明は、撮像装置における画素信号の読み出しの短縮に有利な技術を提供することを目的とする。
上記課題に鑑みて、電荷を生成する画素と、前記画素から転送された電荷を積分する積分アンプと、前記積分アンプの出力が供給され、時定数が可変であるローパスフィルタと、前記画素から前記積分アンプに電荷が転送される前の前記ローパスフィルタの出力をサンプリングして保持する第1サンプルホールド回路と、前記画素から前記積分アンプに電荷が転送された後の前記ローパスフィルタの出力をサンプリングして保持する第2サンプルホールド回路と、前記第1サンプルホールド回路が保持する信号と前記第2サンプルホールド回路が保持する信号との差分を出力する差分回路と、前記ローパスフィルタの時定数を変更する制御回路とを備え、前記制御回路は、前記第1サンプルホールド回路によるサンプリングの終了後に前記ローパスフィルタの時定数を下げ、前記第2サンプルホールド回路によるサンプリングの途中に前記ローパスフィルタの時定数を上げ、前記制御回路が前記第2サンプルホールド回路によるサンプリングの途中に上げる前の前記ローパスフィルタの時定数をτ1とし、前記制御回路が前記第2サンプルホールド回路によるサンプリングの途中に上げた後の前記ローパスフィルタの時定数をτ2とし、前記第1サンプルホールド回路によるサンプリングの終了時の前記ローパスフィルタの時定数をτ3とすると、τ1<τ2かつτ1≦τ3を満たすことを特徴とする撮像装置が提供される。
上記手段により、撮像装置における画素信号の読み出しの短縮に有利な技術が提供される。
一部の実施形態の放射線撮像装置の構成の一例を説明するブロック図。 図1の放射線撮像装置の列アンプの構成の一例を説明する等価回路図。 図1の放射線撮像装置の動作の一例を説明するタイミング図。 図3の動作の一部を詳細に説明するタイミング図。 図1の駆動線に流れる制御信号の変化を説明する図。 図2の列アンプで発生するノイズを説明するタイミング図。 図1の放射線撮像装置の動作の別の例を説明するタイミング図。 図1の放射線撮像装置の動作の別の例を説明するタイミング図。 図1の放射線撮像装置の列アンプの構成の別の例を説明する等価回路図。 図1の放射線撮像装置の動作の別の例を説明するタイミング図。 一部の実施形態の放射線撮像システムの構成を説明するブロック図。
添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態について以下に説明する。様々な実施形態を通じて同様の要素には同一の参照符号を付して重複する説明を省略する。また、各実施形態は適宜変更、組み合わせが可能である。本発明は一般に入射された特定の波長帯の電磁波に応じた画像を生成する撮像装置に適用できる。以下では、撮像装置の一例として、X線などを含む放射線に応じた画像を生成する放射線撮像装置について説明する。
図1のブロック図を参照して、一部の実施形態に係る放射線撮像装置100の構成について説明する。放射線撮像装置100は、例えば画素アレイ110と、駆動回路120と、読み出し回路130と、制御回路140と、電源回路150とを備える。制御回路140は駆動回路120及び読み出し回路130に各種制御信号を供給して、これらの動作を制御する。電源回路150は画素アレイ110、駆動回路120、読み出し回路130及び制御回路140の動作に用いられる電圧を供給する。
画素アレイ110は複数の変換素子S11〜S33と複数の薄膜トランジスタT11〜T33とを含む。1つの変換素子と1つの薄膜トランジスタとの組によって1つの画素が構成され、画素アレイ110には複数の画素が2次元アレイ状に配されている。画素アレイ110はエリアセンサと称されることもある。図1の例で、画素アレイ110は3×3の画素を有するが、画素の配列はこれに限られない。
変換素子S11〜S33は入射した特定の波長帯の電磁波を電荷に変換し、この電荷を蓄積する。変換素子S11〜S33で変換される電磁波は、放射線撮像装置100に入射した放射線であってもよいし、放射線撮像装置100に入射した放射線がシンチレータ(不図示)によって変換された可視光であってもよい。変換素子S11〜S33は、PIN型の変換素子であってもよいし、MIS型の変換素子であってもよい。変換素子S11〜S33の一端には電源回路150からバイアス電圧が供給され、変換素子S11〜S33の他端は薄膜トランジスタT11〜T33を通じて信号線Sig1〜Sig3に接続される。
薄膜トランジスタT11〜T33のゲートには、駆動回路120から駆動線Vg1〜Vg3を通じて制御信号が供給される。駆動回路120から供給される制御信号に応じて、薄膜トランジスタT11〜T33のオン・オフが切り替わる。薄膜トランジスタT11〜T33がオンの場合に、変換素子S11〜S33に蓄積された電荷が信号線Sig1〜Sig3に転送される。薄膜トランジスタT11〜T33がオフの場合に、変換素子S11〜S33に電荷が蓄積されたままとなる。すなわち、薄膜トランジスタT11〜T33は転送トランジスタとして、より一般に転送スイッチとして動作する。
変換素子S11〜S33から信号線Sig1〜Sig3に転送された電荷は、読み出し回路130に転送される。具体的に、変換素子S11〜S33から転送された電荷は、読み出し回路130の列アンプCA1〜CA3に転送される。列アンプCA1〜CA3は電荷を電圧に変換して、マルチプレクサMPに供給する。マルチプレクサMPは列アンプCA1〜CA3から供給された信号を順に差分回路Dfに供給する。差分回路DfはマルチプレクサMPから供給された2つの信号の差分を取ってAD変換器ADCに供給する。AD変換器ADCは供給されたアナログ信号をデジタル信号に変換して出力する。
続いて、図2の等価回路図を参照して、図1の列アンプCA1の構成について説明する。図2では列アンプCA1について説明するが、列アンプCA2及びCA3も同様の構成を有する。列アンプCA1は、積分アンプIAと、ローパスフィルタLPFと、第1サンプルホールド回路SH1と、第2サンプルホールド回路SH2とを有する。
積分アンプIAは、例えばオペアンプOPとキャパシタCfとスイッチSWrとを有する。列アンプCA1への入力、すなわち画素から転送される電荷信号は、オペアンプOPの第1入力端子に供給される。オペアンプOPの第2入力端子には基準電圧Vrefが供給される。オペアンプOPの出力端子はローパスフィルタLPFに接続される。
積分アンプIAは画素から転送される電荷をキャパシタCfに蓄積し、この蓄積された電荷を電圧に変換して出力する。積分アンプIAのゲインはキャパシタCfの容量値によって定まる。スイッチSWrは、制御回路140から供給される制御信号RSTによってそのオン・オフが制御される。スイッチSWrがオンの場合に、キャパシタCfの両端が短絡され、この両端の電圧が基準電圧Vrefに等しくなり、キャパシタCfに蓄積された電荷がリセットされる。キャパシタCfに蓄積された電荷をリセットすることを、積分アンプIAをリセットするという。スイッチSwrがオフの場合に、画素から転送された電荷に応じて、キャパシタCfに電荷が蓄積される。
図2の例で、積分アンプIAは1つのキャパシタCfを含む。しかし、積分アンプIAは複数のキャパシタを含み、オペアンプOPに接続されるキャパシタを選択可能なように構成されてもよい。このような構成は、放射線撮像装置100を撮像条件の異なる複数の撮影手技に用いる場合において、撮影手技ごとに適切なゲインに設定することを可能にする。
ローパスフィルタLPFは、抵抗Rfと、3つのスイッチSWf、SWs1、SWs2と、2つのキャパシタCh1、Ch2とを有する。ローパスフィルタLPFには積分アンプIAの出力が供給される。ローパスフィルタLPFによって、積分アンプIAの出力から高周波成分が除去される。キャパシタCh1の容量値とキャパシタCh2の容量値とは互いに等しくてもよい。
スイッチSWs1は、制御回路140から供給される制御信号SMP1によってそのオン・オフが制御される。スイッチSWs1がオンの場合に、抵抗RfとキャパシタCh1とが接続され、抵抗RfとキャパシタCh1とによってローパスフィルタが構成される。スイッチSWs1がオフの場合に、キャパシタCh1にこのローパスフィルタの出力が保持される。すなわち、スイッチSWs1とキャパシタCh1とによって第1サンプルホールド回路SH1が構成される。
スイッチSWs2は、制御回路140から供給される制御信号SMP2によってそのオン・オフが制御される。スイッチSWs2がオンの場合に、抵抗RfとキャパシタCh2とが接続され、抵抗RfとキャパシタCh2とによってローパスフィルタが構成される。スイッチSWs2がオフの場合に、キャパシタCh2にこのローパスフィルタの出力が保持される。すなわち、スイッチSWs2とキャパシタCh2とによって第2サンプルホールド回路SH2が構成される。
スイッチSWfは、制御回路140から供給される制御信号LPFによってそのオン・オフが制御される。スイッチSWfがオンの場合に、抵抗Rfの両端が短絡される。スイッチSWfがオフの場合に、抵抗Rfの両端が短絡されない。スイッチSWfのオン・オフを切り替えることによって、ローパスフィルタLPFの時定数が変化する。
例えば、スイッチSWs1がオフであり、スイッチSWs2がオンであり、抵抗RfとキャパシタCh2とによってローパスフィルタが構成される場合を検討する。以下の説明で、抵抗Rfの抵抗値をrf、キャパシタCh1の容量値をch2、スイッチSWfをオンにした場合のこの抵抗値をronとする。
この場合に、スイッチSWfがオンの場合のローパスフィルタLPFの時定数τ1は以下の式で与えられる。
τ1={ron×rf/(ron+rf)}×ch2
ron<<rfとすると、τ1は以下の式で近似される。
τ1≒ron×ch2
一方、スイッチSWfがオフの場合のローパスフィルタLPFの時定数τ2は以下の式で与えられる。
τ2=rf×ch2
例えば、rf=50kΩ、ron=5Ωとした場合に、τ2/τ1≒10000となる。このように、ローパスフィルタLPFの時定数は可変である。
ここで、τ1は第2サンプルホールド回路SH2によるサンプリングの開始前のローパスフィルタの時定数となり、τ2は第2サンプルホールド回路SH2がサンプリングを開始した直後のローパスフィルタの時定数となる。図2の例では、2つのサンプルホールド回路SH1、SH2によって1つのローパスフィルタLPFが構成されるが、サンプルホールド回路ごとに別個の抵抗が接続され、別個のローパスフィルタが構成されてもよい。また、図2の例では、サンプルホールド回路SH1、SH2がローパスフィルタLPFの一部を構成するが、ローパスフィルタLPFとサンプルホールド回路SH1、SH2とが別個の回路素子で構成されてもよい。
続いて、図3のタイミングチャートを参照して、放射線撮像装置100の動作について説明する。図3において、「曝射ボタン」は、放射線撮像装置100へ放射線を曝射することの指示がなされたタイミングを示す。「放射線」は、放射線撮像装置100に照射される放射線の有無を示す。RST、SMP1、SMP2はそれぞれ、制御回路140からスイッチSWr、SWs1、SWs2に供給される制御信号を示す。Vg1〜Vg3は、駆動線Vg1〜Vg3に流れる制御信号を示す。ADCLKはAD変換器ADCに供給されるクロックを示す。ADOUTはAD変換器ADCからの出力を示す。
制御回路140は、放射線の曝射の待機状態において、駆動線Vg1〜Vg3に供給する制御信号を順次ハイレベルに切り替えて、薄膜トランジスタT11〜T33を順次オンにする(図3の「画素リセット動作」)。この画素リセット動作によって、変換素子S11〜S33の内部で生じる暗電流による電荷が放出され、画素がリセットされる。
放射線の曝射ボタンが押されると、制御回路140は駆動線Vg1〜Vg3に供給する制御信号をローレベルに維持する(図3の「蓄積動作」)。これにより、薄膜トランジスタT11〜T33がオフのままとなり、被写体を透過した放射線に応じた電荷が変換素子S11〜S33に蓄積される。
放射線の曝射が終了すると、制御回路140は変換素子S11〜S33に蓄積された電荷を読み出す(図3の「読み出し動作」)。まず、制御回路140は、制御信号RSTをハイレベルに切り替えて、スイッチSWrをオンにする。これにより、積分アンプIAがリセットされる。積分アンプIAがリセットされた後に、制御回路140は制御信号SMP1をハイレベルに切り替えて、スイッチSWs1をオンにする。これにより、抵抗RfとキャパシタCh1とによってローパスフィルタが構成されるとともに、第1サンプルホールド回路SH1はこのローパスフィルタを通じた積分アンプIAの出力のサンプリングを開始する。その後、制御回路140は制御信号SMP1をローレベルに切り替えて、スイッチSWs1をオフにする。これにより、第1サンプルホールド回路SH1はサンプリングを終了し、その時点のローパスフィルタLPFの出力がキャパシタCh1に保持される。
続いて、制御回路140は、駆動線Vg1に供給する制御信号をハイレベルに切り替え、薄膜トランジスタT11〜T13をオンにする。これにより、変換素子S11〜S13に蓄積された電荷が列アンプCA1〜CA3に転送され、それぞれの積分アンプIAに保持される。
続いて、制御回路140は制御信号SMP2をハイレベルに切り替えて、スイッチSWs2をオンにする。これにより、抵抗RfとキャパシタCh2とによってローパスフィルタが構成されるとともに、第2サンプルホールド回路SH2はこのローパスフィルタを通じた積分アンプIAの出力のサンプリングを開始する。その後、制御回路140は制御信号SMP2をローレベルに切り替えて、スイッチSWs2をオフにする。これにより、第2サンプルホールド回路SH2はサンプリングを終了し、その時点のローパスフィルタLPFの出力がキャパシタCh2に保持される。
この時点で、キャパシタCh1は画素の電荷の転送前の積分アンプIAの出力を保持し、キャパシタCh2は画素の電荷の転送後の積分アンプIAの出力を保持する。その後、差分回路Dfは、これらの出力の差分を算出し、画素信号としてAD変換器ADCに供給する。すなわち、差分回路Dfによって相関2重サンプリング(CDS)が行われる。相関2重サンプリングによって、積分アンプIAの出力から低周波ノイズが除去される。また、上述のローパスフィルタLPFによって積分アンプIAの出力から高周波ノイズが除去される。その後、駆動線Vg2、Vg3についても同様の処理が行われる。
続いて、図4のタイミング図を参照して、図3のタイミング図の読み出し動作の一部について詳細に説明する。図4において、LPFは、制御回路140からスイッチSWfに供給される制御信号を示す。OEは制御回路140から駆動回路120に供給される制御信号を示す。駆動回路120は、制御信号OEがハイレベルの場合に、駆動線Vg1に供給する制御信号をハイレベルにし、制御信号OEがローレベルの場合に、駆動線Vg1に供給する制御信号をローレベルにする。すなわち、制御信号OEがハイレベルである期間が電荷の転送期間となる。LPFOutはローパスフィルタLPFの出力において観測される応答を示す。それ以外は図3と同じである。
制御回路140は、時刻t3で第1サンプルホールド回路SH1によるサンプリングが終了した後に、スイッチSWfに供給する制御信号LPFをハイレベルに切り替えてローパスフィルタLPFの時定数を下げる。その後、制御回路140は、時刻t5で第2サンプルホールド回路SH2によるサンプリングの途中に、スイッチSWfに供給する制御信号LPFをローレベルに切り替えてローパスフィルタLPFの時定数を上げる。図4の例では、制御回路140は、時刻t4で制御信号OEをローレベルに切り替えると同時に、すなわち画素からの電荷の転送期間が終了すると同時に、ローパスフィルタLPFの時定数を下げる。このように、第2サンプルホールド回路SH2によるサンプリングの間のローパスフィルタLPFの時定数を下げることによって、ローパスフィルタLPFの出力における応答の完了までの時間が短縮される。これに応じて、第2サンプルホールド回路SH2によるサンプリングに要する時間を短縮できる。
ローパスフィルタLPFの時定数の低下は、積分アンプIAの応答が完了するまで継続してもよい。例えば、電荷の転送期間が終了し、薄膜トランジスタT11〜T33をオフにした後、積分アンプIAの応答が完了する前に、ローパスフィルタLPFの時定数を上げると、ローパスフィルタLPFの出力における応答は、図4の破線で示すようになる。破線で示す応答は、実線で示す応答よりも、収束するまで長い時間がかかってしまい、それに応じてサンプリングに要する時間も長くなる。
図4に示すように、電荷の転送期間が終了してからローパスフィルタLPFの時定数を上げるまでの時間(すなわち、t5−t4)をT1とする。電荷の転送期間が終了した後の積分アンプIAの応答は、駆動線Vg1〜Vg3を流れる制御信号の影響を受ける。そのため、時間T1は、駆動線Vg1〜Vg3に流れる制御信号を考慮して決定されてもよい。
図5は、放射線撮像装置100の駆動線Vg1及び信号線Sig1〜Sig3に着目したブロック図である。駆動回路120から駆動線Vg1に供給されたパルス状の制御信号は、駆動線Vg1の配線抵抗と、駆動線Vg1と信号線Sig1〜3との間の寄生容量とによって形成されるローパスフィルタの影響により、高周波成分が除去される。また、駆動線Vg1を流れる制御信号は、駆動線Vg1と信号線Sig1〜Sig3との間の寄生容量を介して信号線Sig1〜Sig3に伝達される。この伝達された信号が積分アンプIAに影響を与える。そこで、時間T1は、駆動線Vg1を流れる信号が十分に応答して安定するまでに要する時間よりも長くなるように決定される。
例えば、駆動線Vg1の配線抵抗をRvgとし、駆動線Vg1と信号線Sig1との間の寄生容量の容量値をCvgとすると、T1>Rvg×Cvg×2を満たすように時間T1を決定してもよい。この駆動線Vg1の配線抵抗は、駆動線Vg1における、駆動回路120から信号線Sig1との交差部分までの部分の抵抗値であってもよい。T1=Rvg×Cvg×5の場合に、時間T1が経過すると、積分アンプIAの出力は、薄膜トランジスタT11をオンにした時点と比較して、0.7%程度となる。
時間T1を短く設定する場合には、応答が不十分な状態で第2サンプルホールド回路SH2がサンプリングを終了することになり、応答が完了しなかった分がオフセットとして画素信号に現れる。そこで、このオフセットが放射線撮像装置100のダイナミックレンジを圧迫して性能に影響を与えない程度に時間T1を短縮してもよい。発生するオフセットは、薄膜トランジスタT11〜T33をオンにした際に駆動線Vg1〜Vg3に流れる信号の波高、駆動線Vg1〜Vg3と信号線Sig1〜Sig3との間の寄生容量に依存する。さらに、オフセットは、同時にハイレベルの制御信号が流れる駆動線Vg1〜Vg3の本数、キャパシタCfの容量値に依存する。そこで、これらの値を考慮して時間T1を決定してもよい。
ローパスフィルタLPFの時定数を変更することによるサンプリング時間の短縮は、積分アンプIAのゲインが高いほど効果が大きい。一般に積分アンプIAのゲインが高いときは、透視撮影等の画像読み出し期間が比較的短い場合が多く、加えて、積分アンプIAのゲインが高いと薄膜トランジスタT11〜T33のオン・オフによる出力変化が大きくなる。そのため、応答しきれないままサンプリングしたときオフセットの絶対量が大きくなるためである。
制御回路140は、ローパスフィルタLPFの時定数を、第2サンプルホールド回路SH2によるサンプリングの途中で上げる。具体的に、制御回路140は、転送期間が終了してから所定の時間(図4のT1)が経過したことに応じて、ローパスフィルタLPFの時定数を上げる。これによって、画素信号に含まれるノイズを低減できる。図6を参照してこの原理を説明する。図6は図4のタイミングチャートの一部に着目した図である。図6において、IntOut_nは積分アンプIAから出力されるノイズを表し、LPFOut_nは積分アンプIAのノイズの影響でキャパシタCh2に現れる信号を表す。
積分アンプIAは、時刻T2においてリセットが終了した後に、様々な周波数のノイズを出力する。このノイズの発生源は、信号線Sig1〜3の熱雑音や、積分アンプIAの回路素子のノイズなどを含む。図6では、説明を簡単にするために、積分アンプIAが一定の周波数のノイズを出力すると仮定する。時刻t4において制御回路140がローパスフィルタLPFの時定数を下げると、図6の実線で示すように、ローパスフィルタLPFの出力において、積分アンプIAから出力されるノイズと同じノイズが観測されるようになる。図6に示すように、ローパスフィルタLPFの時定数を上げるタイミング(時刻t5)が、ローパスフィルタLPFの出力において観測されるノイズのピークに重なるとする。この場合に、時刻t5以降において、ノイズのピークを始点としてローパスフィルタLPFによってノイズが減衰していく応答が発生する。そこで、このようなノイズが十分に低減するように、ローパスフィルタLPFの時定数を上げてから第2サンプルホールド回路SH2によるサンプリングを終了するまでの時間T2(すなわち、t6−t5)を設定する。
ローパスフィルタLPFの時定数を下げない場合(すなわち、スイッチSWfを常にオフにした場合)に、キャパシタCh2において観測されるノイズは図6の破線のようになる。そのため、時間T2が短いと応答が不十分のままサンプリングが行われ、ノイズが増加する。
時間T2は、ノイズ量と、時刻t5以降のローパスフィルタLPFの時定数(上述のτ2)とによって決定されてもよい。例えば、時間T2を様々に変更してノイズの増加量を測定し、放射線撮像装置100の性能に影響が出ない値を実験的に決定してもよい。または、時間T2を以下のように定性的に決定してもよい。
画素からのノイズをNs、スイッチSWfをオフにして測定した積分アンプIA及び信号線Sig1のノイズをNamp1、スイッチSWfをオンにして測定した積分アンプIA及び信号線Sig1のノイズをNamp2とおく。また、第2サンプルホールド回路SH2の後段の回路におけるノイズをNADCとおく。この場合に、ノイズの増加分は、Namp2がそのまま出力されてくることに起因すると考えられる。そのため、システムのノイズの総量Nallは、以下の式で与えられる。
all 2=Ns 2+Namp1 2+Namp2 2×G2+NADC 2
ここで、Gは、時刻t5以降におけるノイズの減衰量であり、G=exp(−n) (ただし、nは自然数)と表せる。
例えば、ローパスフィルタLPFの時定数を上述のように変化させた場合の総ノイズが、この時定数を変化させない場合の総ノイズよりも1%だけ大きいとする場合に、以下の関係が成り立つ。
1.012=(Ns 2+Namp1 2+Namp2 2×G2+NADC 2)/(Ns 2+Namp1 2+NADC 2
この式を変形すると、G2=(Ns 2+Namp1 2+NADC 2)×0.0201/Namp2 2となる。
(Ns 2+Namp1 2+NADC 2)は、スイッチSWfをオフにしたままのノイズを測定することによって取得できる。Namp2 2は、スイッチSWfをオフにしたままのノイズと、スイッチSWfをオンにしたままのノイズとから算出できる。
例えば、Ns=100、Namp1=200、Namp2=220、NADC=50とすると、G=0.148となる。従って、n=1.9となる。そこで、時定数τ2の1.9倍の時間をT2として設定することにより、目標のノイズ量を達成できる。例えば、τ2=10μsであるならば、時間T2を19μsとする。一般に、T2<3×τ2となるように時間T2を設定してもよい。
続いて、図7及び図8のタイミング図を参照して、放射線撮像装置100の動作の別の例について説明する。図7及び図8の動作は、ローパスフィルタLPFの時定数を変化するタイミングが図4の動作とは異なり、他の点は同様であってもよい。図7の動作では、制御回路140は、第1サンプルホールド回路SH1によるサンプリングが終了後、電荷の転送期間中にローパスフィルタLPFの時定数を下げる。また、図8の動作では、制御回路140は、第1サンプルホールド回路SH1によるサンプリングが終了後、第2サンプルホールド回路SH2によるサンプリングの途中に、電荷の転送期間中にローパスフィルタLPFの時定数を下げる。いずれの場合であっても、第2サンプルホールド回路SH2によるサンプリングに要する時間を短縮できる。
また、上述の何れの動作においても、時刻t1における制御信号RSTの立ち上がりと制御信号SMP1の立ち上がりとは同時でなくてもよく、スイッチSWrがオンである状態でスイッチSWs1をオンにしてもよい。また、スイッチSWrがオンである状態でスイッチSWs2をオンにしてもよい。
続いて、図9を参照して、列アンプCA1の別の構成例について説明する。図9では、ローパスフィルタLPFが複数の抵抗Rf1〜Rf4と、これらにそれぞれ接続された複数のスイッチSWf1〜SWf4とを備える点で図2の例とは異なり、その他の点は同様でもよい。ローパスフィルタLPFに含まれる抵抗の個数は4個に限られない。制御回路140は、スイッチSWf0〜SW4のうち、オンにするスイッチを切り替えることによって、ローパスフィルタLPFの時定数を3段階以上に変化させることが可能になる。例えば、制御回路140は、画素アレイ110の動作速度等の撮像条件に応じて、ローパスフィルタLPFの各時点における時定数の値を切り替えてもよい。
続いて、図10のタイミング図を参照して、図9の列アンプCA1を用いた放射線撮像装置100の動作例について説明する。この動作例において、スイッチSWf3、SWf4への制御信号は常にローレベルである(すなわち、これらのスイッチを使用しない)ので、これらの波形を省略する。
制御回路140は、時刻t2で積分アンプIAのリセットが終了すると、第1サンプルホールド回路SH1によるサンプリングの途中に、スイッチSWf2をオンにして、ローパスフィルタLPFの時定数を変化させる。スイッチSWf0、SWf1がオフであり、スイッチSWf2がオンである状態のローパスフィルタLPFの時定数をτ3で表す。制御回路140は、時刻t3で第1サンプルホールド回路SH1によるサンプリングが終了すると、スイッチSWf2をオフにして時定数を元に戻す。ローパスフィルタLPFの時定数がτ3である期間の長さをT3で表す。第1サンプルホールド回路SH1によるサンプリングの終了時のローパスフィルタLPFの時定数はτ3である。
続いて、時刻t4で電荷の転送期間が終了すると同時に、制御回路140は、スイッチSWf0をオンにしてローパスフィルタLPFの時定数を下げる。下げた後の時定数を、上記の例と同様にτ1とする。その後、制御回路140は、時刻t5aでスイッチSWf1をオンにしてローパスフィルタLPFの時定数を上げ、時刻t5bでスイッチSWf0をオフにして、ローパスフィルタLPFの時定数をさらに上げる。スイッチSWf0、SWf2がオフであり、スイッチSWf1がオンである状態のローパスフィルタLPFの時定数をτ2で表す。時定数がτ1の場合に、積分アンプIAとサンプルホールド回路SH1、SH2とが短絡されるので、τ1<τ2かつτ1≦τ3を満たす。
積分アンプIAのリセット完了後に発生するノイズは、積分アンプIAをリセットする際に発生するkTCノイズと、積分アンプIA自身のノイズと、積分アンプIAを介して出力される信号線の配線ノイズとを含む。kTCノイズは周波数によって量が変わらないホワイトノイズである。積分アンプIA自身のノイズと、積分アンプIAを介して出力される信号線の配線ノイズは、積分アンプIAの周波数特性に依存し、ほとんどのケースで周波数が増加するとノイズ量は低下する傾向にある。よって、この期間において、ノイズを減ずるためにローパスフィルタLPFの時定数を大きくして、ktCノイズを効果的に除去できるようにする。
一方、第2サンプルホールド回路SH2によるサンプリング時に発生するノイズは、積分アンプIA自身のノイズと、積分アンプIAを介して出力される信号線の配線ノイズである。そのため、積分アンプIAの周波数特性よりもローパスフィルタLPFの時定数を大きくする必要はなく、この期間に求められる値にτ2を決定する。その結果として、τ2≠τ3であってもよい。例えば、τ2<τ3であってもよい。このように、τ2とτ3とを個別に決定することによって、ノイズを更に低減しつつ、読み出し速度を向上できる。また、時間T3は時間T1や時間T2とは個別に設定でき、例えばT3≠T1+T2であってもよい。
続いて、図11のブロック図を参照して、一部の実施形態に係る放射線撮像システム1100の構成例について説明する。放射線撮像システム1100は、撮像部1110、放射線発生装置1120及び制御システム1130を含む。放射線発生装置1120は、放射線管球1121と、放射線管球1121を制御する放射線制御部1122と、放射線の曝射のオン・オフを切り替える曝射スイッチ1123とを含む。曝射スイッチ1123が押されると、放射線制御部1122は予め設定された条件にて放射線管球1121に放射線を曝射させる。
撮像部1110は、上述の放射線撮像装置100と、画像取り込み部1111と、無線通信器1112と、バッテリ1113とを含む。画像取り込み部1111は放射線撮像装置100からの画像信号を取り込み、必要な処理を行う。無線通信器1112は、外部の装置、例えば制御システム1130との無線通信を行う。バッテリ1113は放射線撮像装置100に電力を供給する。放射線撮像システム1100が画像診断に用いられる場合に、画素アレイ110の画素数は2000×2000画素以上になる場合がある。このように画素数が多い場合に、放射線撮像装置100は、読み出し回路130を複数備え、信号線Sig1〜Sig3のグループごとに画素信号の読み出しを行ってもよい。撮像部1110のサイズはフィルムカセッテと同様のサイズであってもよく、従来の装置を改造せずに組み込むことができる。また撮像部1110の重量は可搬可能な3kg程度であってもよく、病室等への持ち運びが容易である。
制御システム1130は、撮像部1110と通信する無線通信器1131と、コンピュータ1132と、ディスプレイ1133とを含む。コンピュータ1132は、撮像部1110の動作を制御する機能や、病院内のネットワークと撮影に関連する情報の送受信を行う機能、ディスプレイ1133の画面の制御機能、撮像部1110から取得した画像信号に信号処理を行う機能を有する。これらの機能は、ソフトウェア上で実現してもよいし、専用のICやプログラム可能なICを用いてハードウェア的に実現してもよい。
以上のような構成で、放射線が曝射されると被写体を透過した放射線が撮像部1110に到達し、撮像部1110はバイアス電流の変化を検知し、画素アレイ110を蓄積動作にして被写体を透過した放射線を電気信号に変換し蓄積する。さらに、撮像部1110は、放射線の曝射完了を検知した後、画像取り込み部1111がデジタル化された放射線画像信号を放射線撮像装置100から取り込み、制御システム1130に送信する。制御システム1130は、コンピュータ1132で適切な画像処理を行った後、放射線画像をディスプレイ1133に表示する。撮像部1110と制御システム1130との関係は、1対1であってもよいし、1対多、多対1、多対多であってもよい。
100 放射線撮像装置; 120 駆動回路; 130 読み出し回路; 140 制御回路; 150 電源回路

Claims (13)

  1. 電荷を生成する画素と、
    前記画素から転送された電荷を積分する積分アンプと、
    前記積分アンプの出力が供給され、時定数が可変であるローパスフィルタと、
    前記画素から前記積分アンプに電荷が転送される前の前記ローパスフィルタの出力をサンプリングして保持する第1サンプルホールド回路と、
    前記画素から前記積分アンプに電荷が転送された後の前記ローパスフィルタの出力をサンプリングして保持する第2サンプルホールド回路と、
    前記第1サンプルホールド回路が保持する信号と前記第2サンプルホールド回路が保持する信号との差分を出力する差分回路と、
    前記ローパスフィルタの時定数を変更する制御回路とを備え、
    前記制御回路は、
    前記第1サンプルホールド回路によるサンプリングの終了後に前記ローパスフィルタの時定数を下げ、
    前記第2サンプルホールド回路によるサンプリングの途中に前記ローパスフィルタの時定数を上げ
    前記制御回路が前記第2サンプルホールド回路によるサンプリングの途中に上げる前の前記ローパスフィルタの時定数をτ1とし、
    前記制御回路が前記第2サンプルホールド回路によるサンプリングの途中に上げた後の前記ローパスフィルタの時定数をτ2とし、
    前記第1サンプルホールド回路によるサンプリングの終了時の前記ローパスフィルタの時定数をτ3とすると、
    τ1<τ2かつτ1≦τ3を満たすことを特徴とする撮像装置。
  2. 前記制御回路は、前記画素から前記積分アンプに電荷を転送するための転送期間が終了してから所定の時間が経過したことに応じて、前記ローパスフィルタの時定数を上げることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
  3. 前記制御回路は、前記第2サンプルホールド回路がサンプリングを開始する前に、前記ローパスフィルタの時定数を下げることを特徴とする請求項1又は2に記載の撮像装置。
  4. 前記制御回路が前記ローパスフィルタの時定数を上げてから前記第2サンプルホールド回路によるサンプリングが終了するまでの時間をT2とすると、
    T2<3×τ2を満たすことを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の撮像装置。
  5. τ2≠τ3を満たすことを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の撮像装置。
  6. τ2<τ3を満たすことを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の撮像装置。
  7. 前記制御回路は、τ1、τ2及びτ3のうちの少なくとも何れかの値を撮像条件に応じて切り替えることを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載の撮像装置。
  8. 前記画素は、
    電磁波を電荷に変換する変換素子と、
    駆動線を通じて供給された制御信号に応じて、前記変換された電荷を信号線を通じて前記積分アンプに転送する転送スイッチとを含むことを特徴とする請求項1乃至の何れか1項に記載の撮像装置。
  9. 前記転送スイッチは薄膜トランジスタで構成されることを特徴とする請求項に記載の撮像装置。
  10. 前記画素から前記積分アンプに電荷を転送するための転送期間が終了してから前記制御回路が前記ローパスフィルタの時定数を上げるまでの時間をT1とし、
    前記駆動線の配線抵抗をRvgとし、
    前記駆動線と前記信号線との間の寄生容量をCvgとすると、
    T1>Rvg×Cvg×2を満たすことを特徴とする請求項8又は9に記載の撮像装置。
  11. 前記積分アンプに蓄積された電荷をリセットするスイッチを更に備え、
    前記制御回路は、前記画素から前記積分アンプに電荷が転送される前に、前記積分アンプに蓄積された電荷をリセットすることを特徴とする請求項1乃至10の何れか1項に記載の撮像装置。
  12. 前記画素は、前記撮像装置に入射した放射線に応じて電荷を生成することを特徴とする請求項1乃至11の何れか1項に記載の撮像装置。
  13. 請求項1乃至12の何れか1項に記載の撮像装置と、
    前記撮像装置によって得られた信号を処理する信号処理手段と
    を備えることを特徴とする撮像システム。
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