JP6353602B2 - 真空コーティングプラントにおいて搬送速度を増加させつつエネルギをセーブする方法及び装置 - Google Patents
真空コーティングプラントにおいて搬送速度を増加させつつエネルギをセーブする方法及び装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6353602B2 JP6353602B2 JP2017504378A JP2017504378A JP6353602B2 JP 6353602 B2 JP6353602 B2 JP 6353602B2 JP 2017504378 A JP2017504378 A JP 2017504378A JP 2017504378 A JP2017504378 A JP 2017504378A JP 6353602 B2 JP6353602 B2 JP 6353602B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- segment
- cover
- substrate
- tank
- gas separation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 title claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 52
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 35
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 32
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 27
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 19
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 17
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 10
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 5
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 4
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000005273 aeration Methods 0.000 description 2
- 239000005328 architectural glass Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 239000006115 industrial coating Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/52—Means for observation of the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32513—Sealing means, e.g. sealing between different parts of the vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
- H01J37/32752—Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
- H01J37/32761—Continuous moving
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
- H01J37/32752—Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
- H01J37/32761—Continuous moving
- H01J37/32779—Continuous moving of batches of workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
- H01J37/32788—Means for moving the material to be treated for extracting the material from the process chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
- H01J37/32834—Exhausting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32889—Connection or combination with other apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32899—Multiple chambers, e.g. cluster tools
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Details Or Accessories Of Spraying Plant Or Apparatus (AREA)
Description
本発明は、真空コーティング設備においてスループット速度を増加させつつエネルギをセーブする方法及び装置に関する。
磁場アシステッドマグネトロンスパッタリングは、近代表面技術の多くの分野で応用されている。磁場アシステッドマグネトロンスパッタリングは、マイクロエレクトロニクスでの応用から始まり、現在、建築用ガラス、フラットスクリーン、眼鏡用レンズ、テープ材料、ツール、装飾用品及び機能部品の産業用コーティング法として確立されている。この場合、機能部品には、単層又は複層技術を用い、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＶＮ、ＺｒＮといった窒化物又はＴｉＣＮのような炭窒化物から成る腐食防止或いは硬質材料コーティングがしばしば行われる。また、５０ＧＰａまでの硬度値を有するナノ複層コーティングに基づいた超硬質コーティングも用いられるようになってきている。自動車産業では、摩擦及び損耗低減金属／炭素コーティングが非常に成功している。
最も大きい真空コーティング設備及びこれにしばしば伴うエネルギ必要量の高い設備は、典型的には建築用ガラスコーティングのための水平インライン設備である。
従来技術として以下の文献を参照する。ＤＥ １０ ２０１２ １１０ ３３４ Ｂ３は、従来技術の欠点を有さず且つ特により均一な磁場が得られる平面マグネトロンを生み出すことを目的として、そのような平面マグネトロンを開示している。ここでいう欠点は、ＵＳ ５ ４０７ ５５１ Ａに開示された従来技術に詳述されている。
請求項１は、縦方向に伸びるポールシューが一体に形成された磁化可能なヨークプレート及び永久磁石を有する磁石装置と、磁石装置上の少なくとも一つのターゲットと、平面マグネトロンを通って冷却流体を通すための冷却ダクトと、を備えてガラス板又は他のフラット基板をコーティングする真空コーティング設備のための平面マグネトロンに関する。
上記平面マグネトロンは、ヨークプレートがその全長に亘って一定の断面を有し、ヨークプレートにおいて縦に伸び且つフィードライン及びリターンラインを有する少なくとも一つの冷却ダクトや少なくとも一つのターゲットを固定するための鉤爪ストリップのようなアタッチメント部を固定するレセプタクルを有することを特徴とする。
更に、ＤＥ １０１ ２２ ３１０ Ａ１は、メンテナンスを容易にすると共によりコスト効率を高めるために伸長真空コーティング設備におけるガラス輸送プレーンへのアクセシビリティの改善を目的とした伸長真空コーティング設備について記載している。
輸送方向に移動されるコーティングフラット基板に対する伸長真空コーティング設備における上記目的は、輸送方向に連続して配置された少なくとも二つのコーティングセクションを有する少なくとも一つのコーティングモジュールと、基板のための輸送スペースを上部に有する輸送システムと、により達成される。この場合、輸送スペースは、コーティングセクションの壁に設けられた基板ガイドスロットを介してコーティングセクションを通って伸び、各々のコーティングセクションは、カバー開口を塞いで輸送スペースの上に配置された少なくとも一つのマグネトロンが固定されたカバーを有し、コーティングセクションは、真空ガイドダクトを介して真空ポンプにより脱気することができる。
上記真空コーティング設備は、輸送スペースの上において真空コーティング設備がコーティングモジュールのすべてのコーティングセクションに共通したチャンバ下部と、コーティングモジュールのすべてのコーティングセクションに共通したチャンバ上部と、に分割され、これらチャンバ部は、作動位置で互いに真空気密様式により閉じることが可能で、且つメンテナンス位置で互いに移動可能となっている。
安定且つ効率的なプロセス制御に決定的なことは、基板に対するカソードの配置である。配置の全体的なジオメトリは、コーティングの質及び生産性に影響を及ぼす。この場合、カソード及びアノード、開口ダイヤフラム、輸送ローラ、ガス分配及び磁場構成の配置は言及すべきである。エネルギセーブコーティング設備に対する既知の解決法は、しばしば上記特性の少なくとも一つについて技術的にベストな解決法を与えていないという欠点を有する。特に、ガスガイダンスシステムへのアクセシビリティ及びメンテナンスが、基板及び輸送システムへの近さにより極めて制限されているので、ガス通路は、しばしば基板に対して直接且つ上部に配置されていない。
本発明は、真空コーティング設備においてスループット速度を増加させつつエネルギをセーブする方法及び装置を特定することを目的とする。これにより、同設備の生産性及び耐用年数を改善することを目的とする。
この目的は、請求項１でクレームされる装置により達成される。
スパッタリングセグメント（３）及びガス分離セグメント（２）のシークエンスから成り連続した基板プレーン（１）を備えた真空コーティング設備においてスループット速度を増加させつつエネルギをセーブするための装置であって、
ａ）前記スパッタリングセグメント（３）は、基板（１）を輸送するための輸送機器（１１）を内装したタンクタブ（１２）と、前記タンクタブ（１２）にカバーフランジ（６）により接続された少なくとも一つのタンクカバー（４）と、を備え、前記カバーフランジ（６）は、前記基板プレーン（１）の上ごく近傍に配置され、ターゲット（８）及びガス流入ダクト（１０）と共にカソード支持ブロック（５）は、前記タンクカバー（４）内においてスプラッシュガード（９）と共に前記基板（１）のごく近傍に配置され、
ｂ）前記ガス分離セグメント（２）は、前記基板プレーン（１）の領域に前記ガス分離セグメント（２）の全長に亘って伸びるトンネルカバー（１４）を有し、前記トンネルカバー（１４）は、該トンネルカバー（１４）と前記基板（１）との間で垂直方向に小さなクリアランスギャップ（１８）しか生じないよう、複数の昇降部材（１７）により前記基板（１）の厚みに対応可能となっており、
ｃ）前記スパッタリングセグメント（３）及び／又は前記ガス分離セグメント（２）は、一つ又は複数の真空ポンプ（１５）により脱気され、このプロセスで搬送された空気は、容量可変エアリザーバ（２５）に回収され、前記セグメント（３、２）が次に再びエアレーションされる場合には該セグメント（３、２）に戻されることを特徴とする装置。
スパッタリングセグメント（３）及びガス分離セグメント（２）のシークエンスから成り連続した基板プレーン（１）を備えた真空コーティング設備においてスループット速度を増加させつつエネルギをセーブするための装置であって、
ａ）前記スパッタリングセグメント（３）は、基板（１）を輸送するための輸送機器（１１）を内装したタンクタブ（１２）と、前記タンクタブ（１２）にカバーフランジ（６）により接続された少なくとも一つのタンクカバー（４）と、を備え、前記カバーフランジ（６）は、前記基板プレーン（１）の上ごく近傍に配置され、ターゲット（８）及びガス流入ダクト（１０）と共にカソード支持ブロック（５）は、前記タンクカバー（４）内においてスプラッシュガード（９）と共に前記基板（１）のごく近傍に配置され、
ｂ）前記ガス分離セグメント（２）は、前記基板プレーン（１）の領域に前記ガス分離セグメント（２）の全長に亘って伸びるトンネルカバー（１４）を有し、前記トンネルカバー（１４）は、該トンネルカバー（１４）と前記基板（１）との間で垂直方向に小さなクリアランスギャップ（１８）しか生じないよう、複数の昇降部材（１７）により前記基板（１）の厚みに対応可能となっており、
ｃ）前記スパッタリングセグメント（３）及び／又は前記ガス分離セグメント（２）は、一つ又は複数の真空ポンプ（１５）により脱気され、このプロセスで搬送された空気は、容量可変エアリザーバ（２５）に回収され、前記セグメント（３、２）が次に再びエアレーションされる場合には該セグメント（３、２）に戻されることを特徴とする装置。
また、前記タンクカバー（４）の上部領域においてコーティングプロセスを監視するため、複数の検知部材（３２）が、配置機器上で移動可能とされると共に、配置に関わらず検知範囲に対して回転可能となっていることもクレームされる。
また、前記カソード支持ブロック（５）は、一方の上にもう一方が配置された二つのダブルターゲット形状のマルチカソードを有し、これらは前記スプラッシュガード（９）と共に共通回転軸（３７）に関して回転可能となるようにマウントされ、四つの異なるコーティング構成を可能としていることもクレームされる。
また、互いに隣接して配置された二つのチャンバ（４１、４２）は、全周に亘って設けられたシーリングリング（４０）により外界からシールされ、外部シーリングストリップ（３９）が更にこの領域に設けられ、前記シーリングリング（４０）と前記外部シーリングストリップ（３９）との間のスペースは、真空センサ（３８）によりモニタされることもクレームされる。
また、上記目的は、請求項５でクレームされる方法により達成される。
スパッタリングセグメント（３）及びガス分離セグメント（２）のシークエンスから成り連続した基板プレーン（１）を備えた真空コーティング設備においてスループット速度を増加させつつエネルギをセーブするための方法であって、
ａ）プロセス変更及びメンテナンス作業時に、タンクカバー（４）全体をその内容物ごと時間節約的及びコスト効率的様式で迅速に変更可能とするために、前記スパッタリングセグメント（３）においてタンクタブ（１２）と前記タンクカバー（４）とを接続するカバーフランジ（６）が、前記基板プレーン（１）の上ごく近傍に配置され、
ｂ）前記ガス分離セグメント（２）には、該ガス分離セグメント（２）の隣接領域に対して基板を区切るためのトンネルカバー（１４）が前記ガス分離セグメント（２）の全長に亘って設けられ、前記トンネルカバー（１４）の高さは、該トンネルカバー（１４）と前記基板との間のクリアランスギャップが最少となるように、複数の昇降部材（１７）で前記トンネルカバー（１４）の配置を変更することで前記基板の厚みに対応可能となっており、
ｃ）前記スパッタリングセグメント（３）及び／又は前記ガス分離セグメント（２）は、一つ又は複数の真空ポンプ（１５）により脱気され、このプロセスで搬送された空気は、容量可変エアリザーバ（２５）に回収され、前記セグメント（３、２）が次に再びエアレーションされる場合には、一度すでに調整された空気を時間節約的及びコスト効率的様式で再利用するために該セグメント（３、２）に戻されることを特徴とする方法。
スパッタリングセグメント（３）及びガス分離セグメント（２）のシークエンスから成り連続した基板プレーン（１）を備えた真空コーティング設備においてスループット速度を増加させつつエネルギをセーブするための方法であって、
ａ）プロセス変更及びメンテナンス作業時に、タンクカバー（４）全体をその内容物ごと時間節約的及びコスト効率的様式で迅速に変更可能とするために、前記スパッタリングセグメント（３）においてタンクタブ（１２）と前記タンクカバー（４）とを接続するカバーフランジ（６）が、前記基板プレーン（１）の上ごく近傍に配置され、
ｂ）前記ガス分離セグメント（２）には、該ガス分離セグメント（２）の隣接領域に対して基板を区切るためのトンネルカバー（１４）が前記ガス分離セグメント（２）の全長に亘って設けられ、前記トンネルカバー（１４）の高さは、該トンネルカバー（１４）と前記基板との間のクリアランスギャップが最少となるように、複数の昇降部材（１７）で前記トンネルカバー（１４）の配置を変更することで前記基板の厚みに対応可能となっており、
ｃ）前記スパッタリングセグメント（３）及び／又は前記ガス分離セグメント（２）は、一つ又は複数の真空ポンプ（１５）により脱気され、このプロセスで搬送された空気は、容量可変エアリザーバ（２５）に回収され、前記セグメント（３、２）が次に再びエアレーションされる場合には、一度すでに調整された空気を時間節約的及びコスト効率的様式で再利用するために該セグメント（３、２）に戻されることを特徴とする方法。
また、前記タンクカバー（４）の上部領域においてリアルタイムでコーティングプロセスを監視するために、複数の検知部材（３２）が、配置機器上で移動可能とされると共に、配置に関わらず検知範囲に対して回転可能となっていることもクレームされる。
また、コーティングプロセスを最適化するためにカソード支持ブロック（５）は、一方の上にもう一方が配置された二つのダブルターゲット形状のマルチカソードを有し、これらはスプラッシュガード（９）と共に共通回転軸（３７）に関して回転可能となるようにマウントされていることもクレームされる。
プログラムがコンピュータ上で実行される場合、上記方法ステップを実行するためのプログラムコードを持つコンピュータプログラムがクレームされる。更に、プログラムがコンピュータ上で実行される場合、請求項５乃至請求項７のいずれか一項でクレームされる方法を実行するためのコンピュータプログラムのプログラムコードを持つ機械可読媒体もクレームされる。
本発明に係る装置は、以下でより詳細に記載される。
図１は、真空コーティング設備の基本構造を示す。
真空コーティング設備は、実質的にスパッタリングセグメント３及びガス分離セグメント２のシークエンスから成る。コーティングされる基板は、図示された基板プレーン１上で一つのセグメントから隣のセグメントへと搬送される。
真空コーティング設備は、実質的にスパッタリングセグメント３及びガス分離セグメント２のシークエンスから成る。コーティングされる基板は、図示された基板プレーン１上で一つのセグメントから隣のセグメントへと搬送される。
図２は、タンクの二つの配置の比較を示す。
図２ａではスパッタリングタンクの従来構造が断面で示され、図２ｂでは本発明に係るスパッタリングタンクの構造が断面で示されている。
図２ａではスパッタリングタンクの従来構造が断面で示され、図２ｂでは本発明に係るスパッタリングタンクの構造が断面で示されている。
ここでは個々のカバーフランジ６の位置に関し、上記二つの構造間の違いが明確になっている。左側の従来構造ではカバーフランジ６が比較的高い位置にあるのに対し、右側の構造ではそうなっていない。これは、左側の従来構造ではタンクカバー４が交換されるときに、スパッタリング領域スクリーンのスプラッシュガード９（左側及び右側に示される）が二つのカソード支持ブロック５と共に二つのカバー（ベアリング）フランジ６から取り外されるのに対し、コーティングタンクのメインボディにあるガス流入ダクト１０（左側及び右側に示される）は残るためである。そのため、図２ａに示す従来構造では、タンクカバー４の交換毎に大掛かりで時間のかかる清掃作業が生じ、高い原価要素が許容される必要がある。しかしながら、図２ｂに示す本発明に係る構造では、スパッタリングプロセスの前又は後において、タンクカバー４と一体に構成されたガス流入ダクト１０をタンクカバー４の他の構成と共に入念且つ落ち着いてコスト効率的に清掃することができるので、タンクカバー４をより迅速に交換することができる。また、個々のタンクタブ１２及び基板１を輸送するための輸送機器１１が、図２で示されている。更に、プラズマ領域７及び個々の磁気バー１３と共にターゲットユニット８が、従来構造で示されている。
図３は、図１に示した典型的なセグメントの詳細図を示す。
ここで示されるセグメントは、右側及び左側にスパッタリングセグメントを有し、これら二つのスパッタリングセグメントは、ガス分離セグメントにより分離されている。すべてのセグメントに共通する基板プレーン１上において、コーティングされる個々の基板がこれらセグメントを通過する。異なるターゲット及び異なるガス混合物を用いる異なるコーティングプロセスは、一般に各々のスパッタリングセグメントで起こる。そのため、一のスパッタリングセグメントからのガス混合物が他のスパッタリングセグメントからのガス混合物と接触するのを防止するために、例示されているよう二つのスパッタリングセグメントの間にガス分離セグメントが介在している。
ここで示されるセグメントは、右側及び左側にスパッタリングセグメントを有し、これら二つのスパッタリングセグメントは、ガス分離セグメントにより分離されている。すべてのセグメントに共通する基板プレーン１上において、コーティングされる個々の基板がこれらセグメントを通過する。異なるターゲット及び異なるガス混合物を用いる異なるコーティングプロセスは、一般に各々のスパッタリングセグメントで起こる。そのため、一のスパッタリングセグメントからのガス混合物が他のスパッタリングセグメントからのガス混合物と接触するのを防止するために、例示されているよう二つのスパッタリングセグメントの間にガス分離セグメントが介在している。
図３において左側のスパッタリングセグメントでは、二つのターゲット８及び二つのガス流入ダクト１０が指し示されている。右側のスパッタリングセグメントでは、特に、スパッタリング領域スクリーンの二つのスプラッシュガード９及び基板を輸送するための輸送機器１１の二つのランニングローラが指し示されている。真ん中のガス分離セグメントでは、フィードダクトを介して個々の隣接するスパッタリングセグメントにパーティションプレートにより割り当てられた二つの真空ポンプ１５が、タンクカバー内に示されている。基板プレーン１の領域において特筆すべきことは、いわゆるトンネルカバー１４のための二つの昇降部材１７が示されていることである。このような配置により、ガス分離セグメントの残りスペースから基板の全長及び全幅に亘って基板をトンネルカバー１４により覆うことができ、いわゆるクリアランスギャップが最少となるように通過する基板の異なる厚みに対応するようにトンネルカバー１４を昇降することができる。ここで、クリアランスギャップ１８は、基板１と基板１を覆うトンネルカバー１４との間のスペースであり、個々の基板１の安定な通過に不可欠である。この場合、通過する基板１の厚みは、センサ（不図示）により速やかに決定され、これにより得られた制御信号が、昇降部材１７を制御するのに用いられる。ガス分離セグメントの分離壁領域には、個々の隣接するセグメントから混合されたガスが流入しないようにするための逆止め弁として作用するトンネルカバーフラップ１６が、基板プレーンのレベルに配置されている。
図４は、エア（真空）リザーバ２５の基本構造を示す。
ここで、図４ａは、図４ｂに示す基本機能原理の技術的実施形態例を示す。
ここで、図４ａは、図４ｂに示す基本機能原理の技術的実施形態例を示す。
個々の真空チャンバ２７は、一つ又は複数の真空ポンプ１５により脱気される。このプロセスで真空ポンプ１５により吸引された空気は、容量可変エアリザーバ２５に回収される。容量可変エアリザーバ２５は、一般に真空ポンプ１５により生み出された圧力で膨張されるように設計されている。
真空チャンバ２７の次のエアレーションでは、容量可変エアリザーバ２５に溜められていた空気が、負圧により真空チャンバ２７に戻される。図４ｂに示した方法の利点は、一度すでに調整され特定の乾燥度を持つ空気が再利用されるので、新しい空気を乾燥させる装置が不要となることである。図示された遮断弁２８は、エアフローを制御するのに用いられる。
真空チャンバ２７のエアレーションの間、容量可変エアリザーバ２５に溜められていた空気の流入操作は、エアリザーバ２５に作用してエアリザーバ２５の体積を減少させる力により推進される。これは、例えば、エアリザーバ２５の上方領域においてリザーバカバー２０に取り付けられたカバークロス２２により達成される。カバークロス２２は、張力ケーブル２３により引き下ろされ、張力ケーブル２３は、エアリザーバ２５のベースに設けられた張力ケーブルシーリング部材２９及び更なる偏向ローラ（詳細示さず）を通って伸び、張力ケーブル駆動部材２４へと繋がっている。
この場合、エアリザーバ２５は、リザーバガントリ１９に取り付けられた偏向ローラ２１により固定される。
真空チャンバ２７の更に次の脱気操作を行う際の更なる推進力のため、四つのスプリング部材２６がエアリザーバ２５の下方領域に設けられ得る。これらスプリング部材２６は、カバークロス２２に対応して配置され、張力ケーブル２３を介して圧縮されることでエネルギ貯蔵体として作用する。このようにしてスプリング部材２６に貯蔵されたエネルギは、以降の脱気プロセスで真空ポンプ１５の働きをサポートする。
図５は、エアリザーバ２５及びスパッタリングセグメントを示す。
スパッタリングセグメントは、その上部に容量可変エアリザーバ２５が一体化された状態で示されている。ここで新たな符号で示されるのは、タンクの左側及び右側にあり個々の真空ポンプ１５に繋がった吸い込み口３０である。その他の符号については既に記載している。
スパッタリングセグメントは、その上部に容量可変エアリザーバ２５が一体化された状態で示されている。ここで新たな符号で示されるのは、タンクの左側及び右側にあり個々の真空ポンプ１５に繋がった吸い込み口３０である。その他の符号については既に記載している。
更に、特定のスプラッシュガード９の正確な位置調整のための移動機器３１が、タンクの右側に見られる。この移動機器３１は、タンクの左側にも配置されている。
このようなエアリザーバは、好ましくはインレットチャンバ又はトランスファチャンバに配置される。
図６は、ターゲット領域の断面図を示す。
図６では、本発明に係るタンクのフラットデザインが、断面において特に明確である。タンクカバー４及びタンクタブ１２に加えて、カバーフランジ６及び基板プレーン１も示されている。基板を搬送するために、輸送ローラドライブ３６を有する輸送機器１１のローラ（断面で示す）が用いられる。シリンダ状のターゲット８は、右側ではカソード支持ブロック５によりマウントされ、左側ではタンク内の対応するマウントによりマウントされている。ターゲットドライブ３３は、冷却水回路３４により冷却される。電源３５も、この領域に配置される。１００ボルトまでのＤＣ電圧が印加され、陽極はハウジングに設けられ、陰極はターゲット８に設けられている。
図６では、本発明に係るタンクのフラットデザインが、断面において特に明確である。タンクカバー４及びタンクタブ１２に加えて、カバーフランジ６及び基板プレーン１も示されている。基板を搬送するために、輸送ローラドライブ３６を有する輸送機器１１のローラ（断面で示す）が用いられる。シリンダ状のターゲット８は、右側ではカソード支持ブロック５によりマウントされ、左側ではタンク内の対応するマウントによりマウントされている。ターゲットドライブ３３は、冷却水回路３４により冷却される。電源３５も、この領域に配置される。１００ボルトまでのＤＣ電圧が印加され、陽極はハウジングに設けられ、陰極はターゲット８に設けられている。
コーティングプロセスの結果を監視するために、検知部材３２が用いられる。検知部材３２は、それらの配置機器上で移動可能とされると共に、配置に関わらず検知範囲に対して回転可能となっている。付随する機器については、図が複雑になるので図示していない。
図７は、マルチカソードを示す。
基板１を有するタンクタブ１２、輸送機器１１及び真空ポンプ１５が断面で示され、タンクカバー４の内部に特定の構成を有するカソード支持ブロック５が設けられている。カソード支持ブロック５は、タンクの真ん中に配置され、一方の上にもう一方が配置された二つのノーマルダブルターゲット８形状のマルチカソードを有する。これらのターゲット８は、スプラッシュガード９と共に共通回転軸３７に関して回転可能となるようにマウントされている。これにより、個々のタンクを開ける必要無く、エロ―ジョン後に二つのターゲットを交換することができる。しかしながら、エロ―ジョンを考慮せず、コーティングプロセスの間に異なる種類のターゲットを用いることも可能である。ガス流入ダクト１０は、影響を受けない。
基板１を有するタンクタブ１２、輸送機器１１及び真空ポンプ１５が断面で示され、タンクカバー４の内部に特定の構成を有するカソード支持ブロック５が設けられている。カソード支持ブロック５は、タンクの真ん中に配置され、一方の上にもう一方が配置された二つのノーマルダブルターゲット８形状のマルチカソードを有する。これらのターゲット８は、スプラッシュガード９と共に共通回転軸３７に関して回転可能となるようにマウントされている。これにより、個々のタンクを開ける必要無く、エロ―ジョン後に二つのターゲットを交換することができる。しかしながら、エロ―ジョンを考慮せず、コーティングプロセスの間に異なる種類のターゲットを用いることも可能である。ガス流入ダクト１０は、影響を受けない。
このような配置は、スプラッシュガード及びコーティングカソードを連動させることなく、互いに９０度ずつオフセットした四つの作用位置、すなわち、四つの異なるコーティング構成を可能とする。
図８は、個々のタンクタブ１２のシーリングを示す。
コーティングプロセスの間に真空状態を維持するため、個々のスパッタリングセグメント３及び／又はガス分離セグメント２の間で、コーティングされるセグメントの移動時に基板プレーンの個々のポート開口４３の連続した接続を保証する信頼性の高いシーリングを生み出すことが必要である。
コーティングプロセスの間に真空状態を維持するため、個々のスパッタリングセグメント３及び／又はガス分離セグメント２の間で、コーティングされるセグメントの移動時に基板プレーンの個々のポート開口４３の連続した接続を保証する信頼性の高いシーリングを生み出すことが必要である。
例として、タンク形態の二つのチャンバ４１、４２間の接続が、図８に示されている。輸送機器１１の走行軸を有し三次元的に示されたタンクタブ１２は、全周に亘って外部に設けられると共にポート開口４３を封止するシーリングリング４０を有する。
また、図８では、二つのチャンバ４１、４２において互いに隣接して通常空気圧下にあるコーナー領域が、シーリングリング４０により外界から封止されている。
更に、外部シーリングストリップ３９が設けられ、シーリングリング４０と外部シーリングストリップ３９との間のスペース（図案化して示す）は、真空センサ３８によりモニタされる。
１ 基板、基板プレーン
２ ガス分離セグメント
３ スパッタリングセグメント
４ タンクカバー
５ カソード支持ブロック
６ カバーフランジ
７ プラズマ領域
８ ターゲット
９ スプラッシュガード、スパッタ領域スクリーン
１０ ガス流入ダクト
１１ 輸送機器
１２ タンクタブ
１３ 磁気バー
１４ トンネルカバー
１５ 真空ポンプ
１６ トンネルカバーフラップ
１７ トンネルカバーの昇降部材
１８ クリアランスギャップ
１９ リザーバガントリ
２０ リザーバカバー
２１ 偏向ローラ
２２ カバークロス、スプリング部材２６の止め具
２３ 張力ケーブル
２４ 張力ケーブル駆動部材
２５ 容量可変エアリザーバ
２６ スプリング部材、真空操作における力強化部材
２７ 真空チャンバ（タンク）
２８ 遮断弁
２９ 張力ケーブルシーリング部材
３０ 吸い込み口
３１ スプラッシュガード９のための移動機器
３２ コーティング監視のための検知部材
３３ ターゲットドライブ
３４ 冷却水回路
３５ 電源との接続
３６ 輸送ローラドライブ
２ ガス分離セグメント
３ スパッタリングセグメント
４ タンクカバー
５ カソード支持ブロック
６ カバーフランジ
７ プラズマ領域
８ ターゲット
９ スプラッシュガード、スパッタ領域スクリーン
１０ ガス流入ダクト
１１ 輸送機器
１２ タンクタブ
１３ 磁気バー
１４ トンネルカバー
１５ 真空ポンプ
１６ トンネルカバーフラップ
１７ トンネルカバーの昇降部材
１８ クリアランスギャップ
１９ リザーバガントリ
２０ リザーバカバー
２１ 偏向ローラ
２２ カバークロス、スプリング部材２６の止め具
２３ 張力ケーブル
２４ 張力ケーブル駆動部材
２５ 容量可変エアリザーバ
２６ スプリング部材、真空操作における力強化部材
２７ 真空チャンバ（タンク）
２８ 遮断弁
２９ 張力ケーブルシーリング部材
３０ 吸い込み口
３１ スプラッシュガード９のための移動機器
３２ コーティング監視のための検知部材
３３ ターゲットドライブ
３４ 冷却水回路
３５ 電源との接続
３６ 輸送ローラドライブ
Claims (9)
- スパッタリングセグメント（３）及びガス分離セグメント（２）のシークエンスから成り連続した基板プレーン（１）を備えた真空コーティング設備においてスループット速度を増加させつつエネルギをセーブするための装置であって、
ｄ）前記スパッタリングセグメント（３）は、基板（１）を輸送するための輸送機器（１１）を内装したタンクタブ（１２）と、前記タンクタブ（１２）にカバーフランジ（６）により接続された少なくとも一つのタンクカバー（４）と、を備え、前記カバーフランジ（６）は、前記基板プレーン（１）の上ごく近傍に配置され、ターゲット（８）及びガス流入ダクト（１０）と共にカソード支持ブロック（５）は、前記タンクカバー（４）内においてスプラッシュガード（９）と共に前記基板（１）のごく近傍に配置され、
ｅ）前記ガス分離セグメント（２）は、前記基板プレーン（１）の領域に前記ガス分離セグメント（２）の全長に亘って伸びるトンネルカバー（１４）を有し、前記トンネルカバー（１４）は、該トンネルカバー（１４）と前記基板（１）との間で垂直方向に小さなクリアランスギャップ（１８）しか生じないよう、複数の昇降部材（１７）により前記基板（１）の厚みに対応可能となっており、
ｆ）前記スパッタリングセグメント（３）及び／又は前記ガス分離セグメント（２）は、一つ又は複数の真空ポンプ（１５）により脱気され、このプロセスで搬送された空気は、容量可変エアリザーバ（２５）に回収され、前記セグメント（３、２）が次に再びエアレーションされる場合には該セグメント（３、２）に戻されることを特徴とする装置。 - 前記タンクカバー（４）の上部領域においてコーティングプロセスを監視するため、複数の検知部材（３２）が、配置機器上で移動可能とされると共に、配置に関わらず検知範囲に対して回転可能となっていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
- 前記カソード支持ブロック（５）は、一方の上にもう一方が配置された二つのダブルターゲット形状のマルチカソードを有し、これらは前記スプラッシュガード（９）と共に共通回転軸（３７）に関して回転可能となるようにマウントされ、四つの異なるコーティング構成を可能としていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の装置。
- 互いに隣接して配置された二つのチャンバ（４１、４２）は、全周に亘って設けられたシーリングリング（４０）により外界からシールされ、外部シーリングストリップ（３９）が更にこの領域に設けられ、前記シーリングリング（４０）と前記外部シーリングストリップ（３９）との間のスペースは、真空センサ（３８）によりモニタされることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の装置。
- スパッタリングセグメント（３）及びガス分離セグメント（２）のシークエンスから成り連続した基板プレーン（１）を備えた真空コーティング設備においてスループット速度を増加させつつエネルギをセーブするための方法であって、
ｄ）プロセス変更及びメンテナンス作業時に、タンクカバー（４）全体をその内容物ごと時間節約的及びコスト効率的様式で迅速に変更可能とするために、前記スパッタリングセグメント（３）においてタンクタブ（１２）と前記タンクカバー（４）とを接続するカバーフランジ（６）が、前記基板プレーン（１）の上ごく近傍に配置され、
ｅ）前記ガス分離セグメント（２）には、該ガス分離セグメント（２）の隣接領域に対して基板を区切るためのトンネルカバー（１４）が前記ガス分離セグメント（２）の全長に亘って設けられ、前記トンネルカバー（１４）の高さは、該トンネルカバー（１４）と前記基板との間のクリアランスギャップが最少となるように、複数の昇降部材（１７）で前記トンネルカバー（１４）の配置を変更することで前記基板の厚みに対応可能となっており、
ｆ）前記スパッタリングセグメント（３）及び／又は前記ガス分離セグメント（２）は、一つ又は複数の真空ポンプ（１５）により脱気され、このプロセスで搬送された空気は、容量可変エアリザーバ（２５）に回収され、前記セグメント（３、２）が次に再びエアレーションされる場合には、一度すでに調整された空気を時間節約的及びコスト効率的様式で再利用するために該セグメント（３、２）に戻されることを特徴とする方法。 - 前記タンクカバー（４）の上部領域においてリアルタイムでコーティングプロセスを監視するために、複数の検知部材（３２）が、配置機器上で移動可能とされると共に、配置に関わらず検知範囲に対して回転可能となっていることを特徴とする請求項５に記載の方法。
- コーティングプロセスを最適化するためにカソード支持ブロック（５）は、一方の上にもう一方が配置された二つのダブルターゲット形状のマルチカソードを有し、これらはスプラッシュガード（９）と共に共通回転軸（３７）に関して回転可能となるようにマウントされていることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の方法。
- プログラムがコンピュータ上で実行される場合、請求項５乃至請求項７のいずれか一項でクレームされる方法ステップを実行するためのプログラムコードを持つコンピュータプログラム。
- プログラムがコンピュータ上で実行される場合、請求項５乃至請求項７のいずれか一項でクレームされる方法を実行するためのコンピュータプログラムのプログラムコードを持つ機械可読媒体。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102014011877.0A DE102014011877B4 (de) | 2014-08-11 | 2014-08-11 | Verfahren und Vorrichtung zur Energieeinsparung und gleichzeitigen Erhöhung der Durchlaufgeschwindigkeit bei Vakuum-Beschichtungsanlagen |
| DE102014011877.0 | 2014-08-11 | ||
| PCT/DE2015/000397 WO2016023533A2 (de) | 2014-08-11 | 2015-08-05 | Verfahren und vorrichtung zur energieeinsparung und gleichzeitigen erhöhung der durchlaufgeschwindigkeit bei vakuum-beschichtungsanlagen |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017524071A JP2017524071A (ja) | 2017-08-24 |
| JP6353602B2 true JP6353602B2 (ja) | 2018-07-04 |
Family
ID=54356304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017504378A Expired - Fee Related JP6353602B2 (ja) | 2014-08-11 | 2015-08-05 | 真空コーティングプラントにおいて搬送速度を増加させつつエネルギをセーブする方法及び装置 |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9960020B2 (ja) |
| EP (1) | EP3180456B1 (ja) |
| JP (1) | JP6353602B2 (ja) |
| KR (1) | KR101924739B1 (ja) |
| CN (1) | CN106574364B (ja) |
| DE (1) | DE102014011877B4 (ja) |
| EA (1) | EA035334B1 (ja) |
| ES (1) | ES2731237T3 (ja) |
| HU (1) | HUE044236T2 (ja) |
| PL (1) | PL3180456T3 (ja) |
| WO (1) | WO2016023533A2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102016012460A1 (de) * | 2016-10-19 | 2018-04-19 | Grenzebach Maschinenbau Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung definierter Eigenschaften von Gradientenschichten in einem System mehrlagiger Beschichtungen bei Sputter - Anlagen |
| DE102018102693B4 (de) | 2018-02-07 | 2024-06-27 | VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG | Dehydratationsnetzwerk, Vakuumanordnung und Verfahren |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05311403A (ja) * | 1992-05-11 | 1993-11-22 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | 成膜装置のガス再生装置 |
| US5407551A (en) | 1993-07-13 | 1995-04-18 | The Boc Group, Inc. | Planar magnetron sputtering apparatus |
| US5705044A (en) * | 1995-08-07 | 1998-01-06 | Akashic Memories Corporation | Modular sputtering machine having batch processing and serial thin film sputtering |
| DE19736318C2 (de) * | 1997-08-21 | 2000-12-21 | Leybold Systems Gmbh | Vorrichtung zum Beschichten von plattenförmigen Substraten mit dünnen Schichten mittels Kathodenzerstäubung |
| JP4187323B2 (ja) * | 1998-10-13 | 2008-11-26 | Ｔｄｋ株式会社 | 真空成膜処理装置および方法 |
| JP4796688B2 (ja) * | 2000-08-31 | 2011-10-19 | アルバック・クライオ株式会社 | 希ガス回収方法及び希ガス回収装置 |
| DE10122310B4 (de) | 2001-05-08 | 2007-08-02 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Längserstreckte Vakuumbeschichtungsanlage |
| DE10322935A1 (de) * | 2003-05-21 | 2004-12-16 | Unaxis Deutschland Holding Gmbh | Mit einem Spalt versehene Trennwand zwischen zwei hintereinander angeordneten Prozesskammern |
| DE10352143B4 (de) * | 2003-11-04 | 2009-06-25 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Längserstreckte Vakuumanlage zur ein- oder beidseitigen Beschichtung flacher Substrate |
| ATE360180T1 (de) * | 2004-03-15 | 2007-05-15 | Applied Materials Gmbh & Co Kg | Vakuumbehandlungsanlage mit umsetzbarem wartungsventil |
| DE102005001353B4 (de) * | 2005-01-11 | 2010-01-07 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Pumpkanal einer längserstreckten Vakuumbeschichtunganlage |
| TWI304241B (en) * | 2005-02-04 | 2008-12-11 | Advanced Display Proc Eng Co | Vacuum processing apparatus |
| US20110308458A1 (en) * | 2010-06-21 | 2011-12-22 | Semes Co., Ltd. | Thin Film Deposition Apparatus |
| DE102012110334B3 (de) | 2012-10-29 | 2013-11-28 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Planarmagnetron |
-
2014
- 2014-08-11 DE DE102014011877.0A patent/DE102014011877B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-08-05 CN CN201580040807.0A patent/CN106574364B/zh active Active
- 2015-08-05 US US15/328,818 patent/US9960020B2/en active Active
- 2015-08-05 HU HUE15785048 patent/HUE044236T2/hu unknown
- 2015-08-05 EA EA201790268A patent/EA035334B1/ru not_active IP Right Cessation
- 2015-08-05 ES ES15785048T patent/ES2731237T3/es active Active
- 2015-08-05 WO PCT/DE2015/000397 patent/WO2016023533A2/de active Application Filing
- 2015-08-05 KR KR1020177002297A patent/KR101924739B1/ko active IP Right Grant
- 2015-08-05 PL PL15785048T patent/PL3180456T3/pl unknown
- 2015-08-05 EP EP15785048.8A patent/EP3180456B1/de active Active
- 2015-08-05 JP JP2017504378A patent/JP6353602B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| HUE044236T2 (hu) | 2019-10-28 |
| EA201790268A1 (ru) | 2017-06-30 |
| ES2731237T3 (es) | 2019-11-14 |
| PL3180456T3 (pl) | 2019-10-31 |
| DE102014011877B4 (de) | 2021-08-05 |
| US9960020B2 (en) | 2018-05-01 |
| EP3180456A2 (de) | 2017-06-21 |
| KR20170024035A (ko) | 2017-03-06 |
| EA035334B1 (ru) | 2020-05-28 |
| US20170213708A1 (en) | 2017-07-27 |
| CN106574364A (zh) | 2017-04-19 |
| KR101924739B1 (ko) | 2019-02-27 |
| EP3180456B1 (de) | 2019-05-01 |
| WO2016023533A2 (de) | 2016-02-18 |
| JP2017524071A (ja) | 2017-08-24 |
| WO2016023533A3 (de) | 2016-04-07 |
| DE102014011877A1 (de) | 2016-02-11 |
| CN106574364B (zh) | 2019-08-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8182662B2 (en) | Rotary cathode for magnetron sputtering apparatus | |
| US20060196414A1 (en) | System for coating a substrate, and an insert element | |
| JP6353602B2 (ja) | 真空コーティングプラントにおいて搬送速度を増加させつつエネルギをセーブする方法及び装置 | |
| KR20150133848A (ko) | 가요성 기판들을 위한 증착 플랫폼 및 그 작동 방법 | |
| KR102170483B1 (ko) | 스퍼터링 장치용 캐소드 유닛 | |
| JP5903462B2 (ja) | 鋼板通板装置 | |
| DE202014006417U1 (de) | Vorrichtung zur Energieeinsparung und gleichzeitigen Erhöhung der Durchlaufgeschwindigkeit bei Vakuum-Beschichtungsanlagen | |
| CN106164330A (zh) | 真空处理***以及用于装配处理***的方法 | |
| JP4221324B2 (ja) | 真空室及び被覆ローラを備えた帯材被覆装置 | |
| JP6626977B2 (ja) | 膜形成装置及び膜形成方法 | |
| WO2016184487A1 (en) | Load lock chamber, vacuum processing system with load lock chamber and method for evacuating a load lock chamber | |
| KR101430653B1 (ko) | 박막 증착용 인라인 스퍼터 장치 | |
| CN114592171A (zh) | 一种镀膜机 | |
| CN103643205B (zh) | 一种真空镀膜机 | |
| KR101988336B1 (ko) | 인라인 스퍼터 장치 | |
| CN215050653U (zh) | 一种pvd集束旋转靶座及镀膜装置 | |
| KR102655778B1 (ko) | 스퍼터 장치 | |
| JP2013076147A (ja) | 連続式真空処理装置用真空シール装置 | |
| KR101201364B1 (ko) | 듀얼 챔버를 갖는 스퍼터링 장치 | |
| KR20070011087A (ko) | 기판에 코팅을 피복하기 위한 진공 클러스터 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170323 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180529 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180608 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6353602 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |