JP6350167B2 - 電力変換装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体素子を内蔵した半導体モジュールと、該半導体モジュールのパワー端子に溶接された一対の直流バスバーとを備える電力変換装置に関する。

例えば直流電力と交流電力との間で電力変換を行う電力変換装置として、半導体素子を内蔵した半導体モジュールと、該半導体モジュールのパワー端子に溶接された一対の直流バスバーとを備えるものがある（下記特許文献１参照）。直流バスバーは、半導体モジュールと直流電源とを電気的に接続するために設けられている。

上記電力変換装置は、複数の上記パワー端子を備える。パワー端子は、第１列と第２列との二列に配列されている。各列のパワー端子は、該パワー端子の厚さ方向に並んでいる。また、第１列と第２列とは、パワー端子の突出方向と上記厚さ方向との双方に直交する幅方向において、互いに隣り合っている。

上記一対の直流バスバーは、それぞれ異なる列に属するパワー端子に溶接されている。また、上記電力変換装置では、一対の直流バスバーを上記突出方向に重ね合わせ、これらの間隔をなるべく狭くしてある。これにより、直流バスバーに寄生するインダクタンスを低減している。直流バスバー間の間隔が狭いほど、インダクタンスを低減することが可能となる。

また、直流バスバーは、板状本体部と、該板状本体部から上記突出方向に突出した折曲部とを備える（図１８〜図２０参照）。この折曲部をパワー端子に重ね合わせ、これら折曲部とパワー端子の端面を溶接してある。これにより、直流バスバーとパワー端子とを接続している。

特許第４９３５８８３号公報

しかしながら、上記電力変換装置は、上記一対の直流バスバーに寄生するインダクタンスを充分に低減しにくいという問題がある。すなわち、上記折曲部を形成する場合、一方の直流バスバーに比較的大きな切欠部や穴部を形成し、他方の直流バスバーの折曲部およびこれに溶接されたパワー端子を、上記一方の直流バスバーの切欠部等に挿通させる必要がある。このようにしないと、折曲部が邪魔になって、一対の直流バスバーを互いに接近させることができなくなる。しかし、大きな切欠部や穴部を形成すると、直流バスバー同士が上記突出方向に重なり合う面積が低減するため、インダクタンスを十分に低減しにくくなる。したがって、半導体モジュールに加わるサージを低減しにくくなるという問題が生じる。

本発明は、かかる背景に鑑みてなされたもので、直流バスバーに寄生するインダクタンスをより低減できる電力変換装置を提供しようとするものである。

本発明の一態様は、直流電力と交流電力との間で電力変換を行う電力変換装置であって、
半導体素子を内蔵した本体部と、該本体部から突出した板状のパワー端子とを備える半導体モジュールと、
上記パワー端子に溶接され、直流電源と上記半導体素子との間の電流経路をなすと共に、それぞれ板状に形成された一対の直流バスバーと、
該一対の直流バスバーに接続し、上記半導体モジュールに加わる直流電圧を平滑化するコンデンサとを備え、
複数の上記半導体モジュールと、該半導体モジュールを冷却する複数の冷却管とを積層して積層体を構成してあり、
複数の上記パワー端子が、該パワー端子の厚さ方向に配列した第１列と第２列とに並べられており、上記第１列と上記第２列とは、上記パワー端子の突出方向と上記厚さ方向との双方に直交する幅方向に隣り合っており、
上記一対の直流バスバーは、上記幅方向における上記直流バスバーの端部である溶接側端部にて、それぞれ異なる列に属する上記パワー端子に溶接され、上記一対の直流バスバーは、上記突出方向に互いに重なり合うように配されており、
上記パワー端子は屈曲しておらず、上記直流バスバーと上記パワー端子とは、該パワー端子の先端面を上記直流バスバーの主面に当接させた状態で、レーザ溶接によって互いに溶接されており、
上記コンデンサは、上記突出方向において上記積層体に隣り合う位置に配され、上記一対の直流バスバーは、上記突出方向において上記コンデンサと上記積層体との間に介在していることを特徴とする電力変換装置にある。

上記電力変換装置においては、直流バスバーとパワー端子とを、パワー端子の先端面を上記直流バスバーの主面に当接させた状態で、互いに溶接してある。
そのため、従来のように、直流バスバーに折曲部を形成する必要がなくなり、この折曲部を、溶接されたパワー端子と共に挿通させるための上記切欠部や穴部を、他方の直流バスバーに形成する必要がなくなる。したがって、一対の直流バスバーが上記突出方向に重なり合う面積を増やすことができ、直流バスバーに寄生するインダクタンスを低減することができる。そのため、半導体モジュールに加わるサージを低減することができる。

以上のごとく、本発明によれば、直流バスバーに寄生するインダクタンスをより低減できる電力変換装置を提供することができる。

実施例１における、電力変換装置の断面図であって、図２のI-I断面図。 図１のII-II断面図。 図２のIII-III断面図。 実施例１における、電力変換装置の断面図であって、正極バスバーを取り除いたもの。 実施例１における、電力変換装置の断面図であって、正極バスバー、負極バスバー、出力バスバーを取り除いたもの。 実施例１における、電力変換装置の回路図。 実施例１における、電力変換装置の製造方法説明図。 図７に続く図。 実施例２における、電力変換装置の断面図。 実施例３における、電力変換装置の断面図。 実施例３における、電力変換装置の断面図であって、正極バスバーを取り除いたもの。 図１０の要部拡大図。 実施例４における、電力変換装置の断面図。 参考例１における、電力変換装置の断面図であって、図１５のXIV-XIV断面図。 図１４のXV-XV断面図。 実施例５における、電力変換装置の断面図。 実施例５における、電力変換装置の回路図。 比較例における、電力変換装置の拡大平面図。 図１８のXIX-XIX断面図。 図１８のXX-XX断面図。

上記電力変換装置は、電気自動車やハイブリッド車等の車両に搭載するための、車載用電力変換装置とすることができる。

（実施例１）
上記電力変換装置に係る実施例について、図１〜図８を用いて説明する。本例の電力変換装置１は、直流電力と交流電力との間で電力変換を行う。図１〜図３に示すごとく、本例の電力変換装置１は、複数の半導体モジュール２と、一対の直流バスバー３（３ａ，３ｂ）とを備える。半導体モジュール２は、半導体素子２０（図６参照）を内蔵した本体部２１と、該本体部２１から突出した板状のパワー端子２２とを備える。直流バスバー３は、パワー端子２２に溶接されている。直流バスバー３は、直流電源８０（図６参照）と半導体素子２０との間の電流経路をなしている。一対の直流バスバー３ａ，３ｂは、それぞれ板状に形成されている。

図５に示すごとく、複数のパワー端子２２が、該パワー端子２２の厚さ方向（Ｘ方向）に配列した第１列１１と第２列１２との二列に並べられている。第１列１１と第２列１２とは、パワー端子２２の突出方向（Ｚ方向）とＸ方向との双方に直交する幅方向（Ｙ方向）において互いに隣り合っている。

図１、図２、図４に示すごとく、一対の直流バスバー３ａ，３ｂは、Ｙ方向における直流バスバー３の端部である溶接側端部３０にて、それぞれ異なる列に属するパワー端子２２に溶接されている。また、一対の直流バスバー３ａ，３ｂは、Ｚ方向に互いに重なり合うように配されている。
図１、図３に示すごとく、直流バスバー３とパワー端子２２とは、パワー端子２２の先端面２９を直流バスバー３の主面３４に当接させた状態で、互いに溶接されている。

本例の電力変換装置１は、電気自動車やハイブリッド車等の車両に搭載するための、車載用電力変換装置である。

図１に示すごとく、一対の直流バスバー３には、Ｚ方向において本体部２１から相対的に遠い位置に配された遠方直流バスバー３ａと、該遠方直流バスバー３ａよりも本体部２１に近い位置に配された近方直流バスバー３ｂとがある。一対の直流バスバー３ａ，３ｂは、Ｙ方向において溶接側端部３０とは反対側に位置する基端側端部３１（３１ａ，３１ｂ）が、Ｚ方向に重なり合っている。遠方直流バスバー３ａは、第１列１１と第２列１２とのうち、Ｙ方向において基端側端部３１ａから遠い位置に配された列（第１列１１）に属するパワー端子２２ａに溶接されている。近方直流バスバー３ｂは、Ｙ方向において基端側端部３１ｂに近い位置に配された列（第２列１２）に属するパワー端子２２ｂに溶接されている。

図１に示すごとく、半導体モジュール２は、直流用のパワー端子２２ａ，２２ｂと、交流用のパワー端子２２ｃとを備える。遠方直流バスバー３ａと近方直流バスバー３ｂは、それぞれパワー端子２２ａ，２２ｂに溶接されている。遠方直流バスバー３ａは、直流電源８０（図６参照）の正電極８０１と半導体モジュール２との間の電流経路をなしている。近方直流バスバー３ｂは、直流電源８０の負電極８０２と半導体モジュール２との間の電流経路をなしている。交流用のパワー端子２２ｃは、交流バスバー６０に溶接されている。

図２に示すごとく、本例では、複数の交流バスバー６０を、封止部材６１によって封止し、一体化してバスバーモジュール６にしてある。

図１に示すごとく、半導体モジュール２の本体部２１からは、制御端子２３が突出している。この制御端子２３に制御回路基板５が接続している。制御回路基板５によって半導体素子２０（図６参照）のオンオフ動作を制御している。これにより、パワー端子２２ａ，２２ｂの間に加わる直流電圧を交流電圧に変換し、交流用のパワー端子２２ｃから出力している。そして、得られた交流電力を用いて、交流負荷８１（図６参照）を駆動するよう構成されている。

図２に示すごとく、個々の直流バスバー３ａ，３ｂは、コンデンサ１３に接続するための接続端子３７を備える。遠方直流バスバー３ａは、近方直流バスバー３ｂの、接続端子３７以外の全ての部位を、Ｚ方向から覆っている。

本例では、レーザビームＬ（図７、図８参照）を用いて、直流バスバー３ａ，３ｂ及び交流バスバー６０をパワー端子２２に溶接している。すなわち、直流バスバー３ａ，３ｂの主面３４にパワー端子２２の先端面２９を当接させた状態で、反対側の主面３５にレーザビームＬを照射する。これにより、直流バスバー３ａ，３ｂとパワー端子２２とを溶接してある。交流バスバー６０も同様である。
図２、図４に示すごとく、直流バスバー３ａ，３ｂ及び交流バスバー６０には、レーザビームＬを照射した痕である溶接痕３３０が残っている。

図５に示すごとく、本例では、複数の半導体モジュール２と複数の冷却管７とを積層して、積層体１０を形成してある。Ｘ方向において積層体１０に隣り合う位置には、加圧部材１８（板ばね）が設けられている。この加圧部材１８によって、積層体１０を、ケース４の壁部４１に向けて押圧している。これにより、冷却管７と半導体モジュール２との接触圧を確保しつつ、積層体１０をケース４内に固定している。

Ｘ方向に隣り合う２つの冷却管７は、Ｙ方向における両端にて、連結管７０によって連結されている。また、複数の冷却管７のうち、Ｘ方向における一端に位置する端部冷却管７ａには、冷媒１６を導入するための導入管１４と、冷媒１６を導出するための導出管１５とが取り付けられている。導入管１４から冷媒１６を導入すると、冷媒１６は連結管７０を通って全ての冷却管７を流れ、導出管１５から導出される。これにより、半導体モジュール２を冷却するようになっている。

また、図３に示すごとく、ケース４にはコンデンサ１３が収容されている。本例ではコンデンサ１３を、Ｚ方向において積層体１０に隣り合う位置に設けてある。コンデンサ１３は、コンデンサ素子１３１と、該コンデンサ素子１３１を封止するコンデンサ封止部１３２と、コンデンサ素子１３１の電極面に取り付けられた接続部材１３３，１３４とを備える。図１に示すごとく、接続部材１３３，１３４の一部はコンデンサ封止部１３２から突出し、直流バスバー３の上記接続端子３７ａ，３７ｂに接続している。

次に、本例の電力変換装置１の製造方法について説明する。図７に示すごとく、電力変換装置１を製造する際には、まず、複数の半導体モジュール２と複数の冷却管７とを積層して積層体１０を構成し、上記加圧部材１８を用いて、積層体１０をケース４内に固定する。次いで、近方直流バスバー３ｂを配置し、パワー端子２２ｂに溶接する。すなわち、パワー端子２２ｂの先端面２９を、近方直流バスバー３ｂの主面３４に当接させ、反対側の主面３５にレーザビームＬを照射する。これにより、近方直流バスバー３ｂとパワー端子２２ｂとを溶接する。交流バスバー６０も同様にして、パワー端子２２ｃに溶接する。

次いで、図８に示すごとく、近方直流バスバー３ｂを覆うように遠方直流バスバー３ａを取り付ける。そして、パワー端子２２ａの先端面２９を遠方直流バスバー３ａの主面３４に当接させ、反対側の主面３５にレーザビームＬを照射する。これにより、遠方直流バスバー３ａとパワー端子２２ａとを溶接する。その後、コンデンサ１３を取り付ける。以上の工程を行うことにより、電力変換装置１を製造する。

本例の作用効果について説明する。本例においては、直流バスバー３とパワー端子２２とを、パワー端子２２の先端面３９を上記直流バスバー３の主面３４に当接させた状態で、互いに溶接してある。
そのため、従来のように、直流バスバーに折曲部を形成する必要がなくなり、この折曲部を、溶接されたパワー端子と共に挿通させるための切欠部や穴部を、他方の直流バスバーに形成する必要がなくなる。したがって、一対の直流バスバー３ａ，３ｂがＺ方向に重なり合う面積を増やすことができ、直流バスバー３に寄生するインダクタンスを低減することができる。そのため、半導体モジュール２に加わるサージを低減することができる。

すなわち、パワー端子と直流バスバーとを溶接する場合、図１８〜図２０に示すごとく、直流バスバー９３に折曲部９９を形成し、この折曲部９９とパワー端子９２２とを重ね合わせ、これらの端面を溶接する方法が一般に採用されている。しかしながら、この場合、遠方直流バスバー９３ａに比較的大きな切欠部９８を形成し、近方直流バスバー９３ｂの折曲部９９ｂを切欠部９８に挿通させる必要が生じる。切欠部９８を形成しないと、折曲部９９ｂが遠方直流バスバー９３ａに当接してしまい、遠方直流バスバー９３ａと近方直流バスバー９３ｂとを接近させることができなくなる。

上記構成では、比較的大きな切欠部９８を形成する必要があるため、近方直流バスバー９３ｂの折曲部９９ｂの周囲において、近方直流バスバー９３ｂと遠方直流バスバー９３ａとがＺ方向に重なる面積が低減する。そのため、直流バスバー９３ａ，９３ｂに寄生するインダクタンスを充分に低減しにくくなる。

これに対して、図１に示すごとく、本例のように、パワー端子２２の先端面２９を直流バスバー３の主面３４に当接させた状態で溶接すれば、直流バスバー３に折曲部９９を形成する必要がなくなる。そのため、この折曲部９９をパワー端子と共に挿通させるための切欠部９８（図１８参照）を、直流バスバー９３に形成する必要がなくなる。したがって、一対の直流バスバー３ａ，３ｂが重なり合う面積を増やすことができ、インダクタンスを低減することが可能になる。

また、本例では、図１に示すごとく、遠方直流バスバー３ａを、Ｙ方向において基端側端部３１ａから遠い位置に配された列（第１列１１）に属するパワー端子２２ａに溶接してある。また、近方直流バスバー３ｂを、Ｙ方向において基端側端部３１ｂに近い位置に配された列（第２列１２）に属するパワー端子２２ｂに溶接してある。
このようにすると、直流バスバー３ａ，３ｂに寄生するインダクタンスを、より低減しやすくなる。すなわち、図１３に示すごとく、遠方直流バスバー３ａを、Ｙ方向において基端側端部３１ａから近い位置に配された列（第２列１２）に属するパワー端子２２ｂに溶接し、近方直流バスバー３ｂを、Ｙ方向において基端側端部３１ｂから遠い位置に配された列（第１列１１）に属するパワー端子２２ａに溶接することも可能である。しかし、この場合、近方直流バスバー３ｂに、少なくともパワー端子２２ｂが通ることが可能な大きさの孔部３００を形成する必要が生じる。そのため、近方直流バスバー３ｂと遠方直流バスバー３ａとが重なる面積が低減し、インダクタンスが僅かに増加する可能性が考えられる。
しかしながら、図１に示すごとく、本例のように、遠方直流バスバー３ａを、Ｙ方向において基端側端部３１ａから遠い位置に配された列（第１列１１）に属するパワー端子２２ａに溶接し、近方直流バスバー３ｂを、Ｙ方向において基端側端部３１ｂに近い位置に配された列（第２列１２）に属するパワー端子２２ｂに溶接すれば、近方直流バスバー３ｂに孔部３００を形成する必要がなくなる。そのため、直流バスバー３ａ，３ｂが重なる面積をより増やすことができ、インダクタンスをより低減することが可能になる。

また、図２に示すごとく、本例では、遠方直流バスバー３ａが、近方直流バスバー３ｂの、接続端子３７ｂ以外の全ての部位を、Ｚ方向から覆っている。そのため、遠方直流バスバー３ａと近方直流バスバー３ｂとが重なる面積をより増やすことができ、インダクタンスをより低減することが可能となる。

また、本例では図７、図８に示すごとく、直流バスバー３ａ，３ｂとパワー端子２２とを、レーザ溶接により溶接してある。
このようにすると、パワー端子２２を短くすることができ、パワー端子２２に寄生するインダクタンスを低減できる。すなわち、従来から用いられているＴＩＧ溶接は、狭い領域にエネルギー（熱）を集中しにくい溶接方法であるため、溶接時に大きな熱を加える必要がある。この熱がパワー端子２２を介して半導体モジュール２０に伝わると、半導体素子２０に熱ストレスが加わるおそれがあるため、ＴＩＧ溶接を行うときは、パワー端子２２のＺ方向長さを長くして、パワー端子２２を空冷する必要が生じる。そのため、パワー端子２２に大きなインダクタンスが寄生しやすくなる。
これに対して、上記レーザ溶接は、狭い領域にエネルギー（熱）を集中できる溶接方法であるため、加える熱量が少なくても、直流バスバーとパワー端子とを溶接することができる。そのため、パワー端子２２のＺ方向長さを短くしても、溶接時に発生した熱の一部がパワー端子２２を介して半導体素子２０に伝わる不具合を抑制できる。パワー端子２２を短くすれば、パワー端子２２に寄生するインダクタンスを低減することが可能になる。そのため、半導体素子２０に加わるサージを効果的に抑制することが可能となる。

以上のごとく、本例によれば、直流バスバーに寄生するインダクタンスをより低減できる電力変換装置を提供することができる。

（実施例２）
以下の実施例においては、図面に用いた符号のうち、実施例１において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、実施例１と同様の構成要素等を表す。

本例は、直流バスバー３の形状を変更した例である。図９に示すごとく、本例では、２本のパワー端子２２ａ，２２ｂのＺ方向長さを略同一にしてある。そして、遠方直流バスバー３ａを屈曲させ、遠方直流バスバー３ａの溶接側端部３０ａと、近方直流バスバー３ｂの溶接側端部３０ｂとが、Ｚ方向において略同一の高さ位置に配されるようにしてある。
その他、実施例１と同様の構成および作用効果を有する。

（実施例３）
本例は、直流バスバー３の形状を変更した例である。図１０〜図１２に示すごとく、本例では、個々の直流バスバー３に、複数のスリット３２を形成してある。スリット３２は、直流バスバー３の、Ｙ方向におけるバスバーモジュール６側の端面３９から、Ｙ方向に延出している。個々のスリット３２は、Ｚ方向から見たときに、Ｘ方向に隣り合う２つのパワー端子２２の間に介在している。

このようにすると、直流バスバー３のうち、２つのスリット３２に挟まれた部位が、Ｚ方向に撓みやすくなる。そのため、この部位をパワー端子２２の先端面２９に密着させやすくなり、溶接作業を行いやすくなる。

また、本例では、図１０、図１１に示すごとく、遠方直流バスバー３ａに、複数の貫通孔３８を形成してある。そして、近方直流バスバー３ｂの溶接部３３ｂを、貫通孔３８を通してＺ方向から個別に視認できるよう構成してある。

このようにすると、電力変換装置１を製造する際に、貫通孔３８を通して溶接部３３ｂにレーザビームＬを照射し、これによって近方直流バスバー３ｂとパワー端子２２ｂとを溶接することができる。したがって、実施例１のように、近方直流バスバー３ｂのみ先に溶接し（図７、図８参照）、その後、遠方直流バスバー３ａを取り付けて溶接する必要がなくなり、遠方直流バスバー３ａと近方直流バスバー３ｂとを一度に溶接することが可能になる。そのため、溶接工程を短時間で行うことが可能になる。

なお、本例の貫通孔３８は、レーザビームＬを通過させる程度の大きさであれば良いため、その面積を小さくすることができる。また、スリット３２は、直流バスバー３が撓むことができれば良いため、スリット３２のＸ方向幅は短くてもよい。そのため、スリット３２と貫通孔３８を形成しても、一対の直流バスバー３ａ，３ｂが互いに重なり合う面積が大きく低減することは抑制できる。
その他、実施例１と同様の構成および作用効果を有する。

（実施例４）
本例は、直流バスバー３の形状等を変更した例である。図１３に示すごとく、本例では、近方直流バスバー３ｂを、第１列１１と第２列１２とのうち、基端側端部３１ｂから遠い位置に配した列（第１列１１）に属するパワー端子２２ａに溶接してある。また、遠方直流バスバー３ａを、基端側端部３１ａから近い位置に配した列（第２列１２）に属するパワー端子２２ｂに溶接してある。近方直流バスバー３ｂには、孔部３００を形成してある。第２列１２に属するパワー端子２２ｂは、孔部３００を通り、遠方直流バスバー３１ａに溶接されている。

本例では、孔部３００に、パワー端子２２ｂのみを挿通させており、従来のように折曲部９９ｂ（図１８、図２０参照）とパワー端子９２２とを両方とも挿通させている訳ではない。そのため、孔部３００の開口面積は、比較的小さくすることができる。そのため、孔部３００を形成しても、直流バスバー３ａ，３ｂ同士が重なり合う面積が大きく低減する不具合を抑制できる。
その他、実施例１と同様の構成および作用効果を有する。

（参考例１）
本例は、半導体モジュール２の形状を変更した例である。図１４、図１５に示すごとく、本例では、１個の半導体モジュール２を用いて電力変換装置１を構成している。本例の半導体モジュール２は、いわゆるＩＰＭ（Intelligent Power Module）であり、その内部に複数の半導体素子２０と制御回路基板５とが内蔵されている。半導体モジュール２の本体部２１からは、複数のパワー端子２２が突出している。複数のパワー端子２２は、実施例１と同様に、Ｘ方向に配列した第１列１１と第２列１２とに並べられている。第１列１１に属するパワー端子２２ａは、遠方直流バスバー３ａに溶接されている。また、第２列１２に属するパワー端子２２ｂは、近方直流バスバー３ｂに溶接されている。

半導体モジュール２は、冷却器７５に接触している。この冷却器７５を用いて、半導体モジュール２を冷却するよう構成されている。
その他、実施例１と同様の構成および作用効果を備える。

（実施例５）
本例は、図１６、図１７に示すごとく、フィルタコンデンサ１３ａと平滑コンデンサ１３ｂとの、２つのコンデンサ１３を設けた例である。また、本例の電力変換装置１は、昇圧用のリアクトル１７を備える。リアクトル１７は、ケース４内に設けられている。

図１６に示すごとく、フィルタコンデンサ１３ａは、Ｘ方向において積層体１０に隣り合う位置に設けられている。また、リアクトル１７は、Ｘ方向において平滑コンデンサ１３ｂに隣り合う位置に設けられている。
その他、実施例１と同様の構成および作用効果を備える。

１ 電力変換装置
１１ 第１列
１２ 第２列
２ 半導体モジュール
２０ 半導体素子
２１ 本体部
２２ パワー端子
２９ 先端面
３ 直流バスバー
３０ 溶接側端部
３４ 主面

Claims (5)

1. 直流電力と交流電力との間で電力変換を行う電力変換装置（１）であって、
   半導体素子（２０）を内蔵した本体部（２１）と、該本体部（２１）から突出した板状のパワー端子（２２）とを備える半導体モジュール（２）と、
   上記パワー端子（２２）に溶接され、直流電源と上記半導体素子（２０）との間の電流経路をなすと共に、それぞれ板状に形成された一対の直流バスバー（３，３ａ，３ｂ）と、
   該一対の直流バスバー（３，３ａ，３ｂ）に接続し、上記半導体モジュール（２）に加わる直流電圧を平滑化するコンデンサ（１３）とを備え、
   複数の上記半導体モジュール（２）と、該半導体モジュール（２）を冷却する複数の冷却管（７）とを積層して積層体（１０）を構成してあり、
   複数の上記パワー端子（２２）が、該パワー端子（２２）の厚さ方向に配列した第１列（１１）と第２列（１２）とに並べられており、上記第１列（１１）と上記第２列（１２）とは、上記パワー端子（２２）の突出方向と上記厚さ方向との双方に直交する幅方向に隣り合っており、
   上記一対の直流バスバー（３ａ，３ｂ）は、上記幅方向における上記直流バスバー（３ａ，３ｂ）の端部である溶接側端部（３０）にて、それぞれ異なる列に属する上記パワー端子（２２）に溶接され、上記一対の直流バスバー（３ａ，３ｂ）は、上記突出方向に互いに重なり合うように配されており、
   上記パワー端子（２２）は屈曲しておらず、上記直流バスバー（３）と上記パワー端子（２２）とは、該パワー端子（２２）の先端面（２９）を上記直流バスバー（３）の主面（３４）に当接させた状態で、レーザ溶接によって互いに溶接されており、
   上記コンデンサ（１３）は、上記突出方向において上記積層体（１０）に隣り合う位置に配され、上記一対の直流バスバー（３ａ，３ｂ）は、上記突出方向において上記コンデンサ（１３）と上記積層体（１０）との間に介在していることを特徴とする電力変換装置（１）。
2. 上記一対の直流バスバー（３）には、上記突出方向において上記本体部（２１）から相対的に遠い位置に配された遠方直流バスバー（３ａ）と、該遠方直流バスバー（３ａ）よりも上記本体部（２１）に近い位置に配された近方直流バスバー（３ｂ）とがあり、上記一対の直流バスバー（３ａ，３ｂ）は、上記幅方向において上記溶接側端部（３０）とは反対側に位置する端部である基端側端部（３１）が、上記突出方向に重なり合っており、上記遠方直流バスバー（３ａ）は、上記第１列（１１）と上記第２列（１２）とのうち上記幅方向において上記基端側端部（３１ａ）から遠い位置に配された列に属する上記パワー端子（２２ａ）に溶接され、上記近方直流バスバー（３ｂ）は、上記幅方向において上記基端側端部（３１ｂ）に近い位置に配された列に属する上記パワー端子（２２ｂ）に溶接されていることを特徴とする請求項１に記載の電力変換装置（１）。
3. 個々の上記直流バスバー（３）は、上記半導体モジュール（２）以外の電子部品に接続するための接続端子（３７）を備え、上記遠方直流バスバー（３ａ）が、上記近方直流バスバー（３ｂ）における上記接続端子（３７ｂ）以外の全ての部位を、上記突出方向から覆っていることを特徴とする請求項２に記載の電力変換装置（１）。
4. 上記遠方直流バスバー（３ａ）には複数の貫通孔（３８）が形成されており、上記近方直流バスバー（３ｂ）における、上記パワー端子（２２）に溶接するための部位である溶接部（３３ｂ）を、上記貫通孔（３８）を通して上記突出方向から個別に視認できるよう構成されていることを特徴とする請求項２に記載の電力変換装置（１）。
5. 個々の上記直流バスバー（３ａ，３ｂ）には、上記幅方向における上記パワー端子（２２）側の端面（３９）から上記幅方向に延出した複数のスリット（３２）が形成され、個々の上記スリット（３２）は、上記突出方向から見たときに、上記厚さ方向に隣り合う２つの上記パワー端子（２２）の間に介在していることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の電力変換装置（１）。

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