JP6349208B2 - 紫外線照射装置、紫外線照射方法、基板処理装置、及び基板処理装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、紫外線照射装置、紫外線照射方法、基板処理装置、及び基板処理装置の製造方法に関する。

液晶ディスプレイなどの表示パネルを構成するガラス基板上には、配線パターンや電極パターンなどの微細なパターンが形成されている。一般的にこのようなパターンは、例えばフォトリソグラフィなどの手法によって形成される。フォトリソグラフィ法では、レジスト膜をガラス基板に塗布する工程、レジスト膜を露光する工程、露光後のレジスト膜を現像する工程及び現像後のレジスト膜に対して紫外線などの光を照射する工程（キュア工程）が行われる。

上述のキュア工程には、基板に対して紫外線を照射する紫外線照射装置が用いられる。このような紫外線照射装置としては、基板に対して紫外線を均一に照射することが要求される。例えば、下記の特許文献１には、紫外線を反射する反射板を上下移動或いは反射面の角度を適宜変更することで基板の大きさに合わせて紫外線の照射方向を調整する技術が開示されている。

特開２００６−１１４８４８号公報

これに対し、基板の搬送方向と同等の幅を有する形状のランプを用い、基板を搬送しながら紫外線処理を行う態様も考えられるが、この場合、ランプが幅方向に延びているため、紫外線の照度に分布が生じてしまう。そこで、基板の幅方向と同じ幅を有するように細長い形状のランプを用いた場合において、基板の幅方向において生じる紫外線の照度分布差を解消できる新たな技術の提供が望まれていた。

本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、基板に対して紫外線を均一に照射可能な紫外線照射装置、紫外線照射方法、基板処理装置、及び基板処理装置の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の第１態様に係る紫外線照射装置は、基板を第一方向に沿って搬送する基板搬送部と、前記基板搬送部により前記第一方向に移動する基板に紫外線を照射する光照射面を含む照射部と、前記照射部の前記光照射面側に設けられ、前記基板に前記紫外線を集光する集光部材と、を備え、前記光照射面の平面形状は、前記第一方向と交差する第二方向に沿う長辺の幅が前記基板の前記第二方向の幅に対応した矩形であり、前記集光部材は、前記光照射面から前記基板に向かうにつれて開口面積が拡大する筒状からなり、前記第一方向において互いが平行となるように対向配置されて前記紫外線を反射する第１反射板及び第２反射板と、前記第１反射板及び前記第２反射板間に挟持されるように配置されて前記紫外線を反射する第３反射板及び第４反射板と、駆動部と、検出部と、制御部と、を備え、前記第３反射板及び前記第４反射板は、前記光照射面側の側端部が前記第１反射板及び前記第２反射板にそれぞれ軸支されることで回動可能とされており、前記駆動部は、前記第１反射板及び前記第２反射板に対して前記第３反射板及び前記第４反射板を回動させ、前記制御部は、前記集光部材で集光された前記紫外線の前記検出部による検出結果に基づいて、前記駆動部による前記第３反射板及び前記第４反射板の回動動作を制御することを特徴とする。

矩形状の紫外線照射面から照射された紫外線は、第二方向に拡散することで基板外に照射される。そのため、第二方向において基板に照射される紫外線の照度に分布が生じている。そこで、本発明を採用すれば、第二方向に拡散した紫外線を反射して基板上に照射することができる。よって、第二方向において基板に照射される紫外線の照度分布を均一化することができる。

また、上記紫外線照射装置においては、前記反射板は、前記紫外線を鏡面反射する反射面を有するのが好ましい。
この構成によれば、紫外線を基板に向けて効率良く反射することができる。

また、上記紫外線照射装置においては、前記集光部材は、前記反射板の取付角度を調整する角度調整機構を含むのが好ましい。
この構成によれば、紫外線の反射方向を調整することができる。よって、照明部（光照射面）の大きさに応じて反射板に様々な角度で入射する紫外線を基板に向けて反射することができる。

また、上記紫外線照射装置においては、前記集光部材で集光された前記紫外線を検出可能な検出部と、前記検出部の検出結果に基づいて、前記角度調整機構の駆動を制御する制御部と、をさらに備えるのが好ましい。
検出部は、集光部材により集光された紫外線の照度分布を検出する。本発明によれば、検出部の検出結果（照度分布）に基づいて、照度分布を均一化するように反射板の取付角度を調整することができる。

本発明の第２態様に係る紫外線照射方法は、第一方向に移動する基板に紫外線を照射する紫外線照射ステップを備え、前記紫外線照射ステップでは、上記第１態様に係る紫外線照射装置が用いられることを特徴とする。

本態様に係る紫外線照射方法によれば、基板に紫外線を均一に照射できるため、紫外線照射処理を精度良く行うことができる。

本発明の第３態様に係る基板処理装置は、基板に処理膜の塗布処理を行う塗布装置と、前記基板に塗布された前記処理膜の現像処理を行う現像装置と、前記塗布処理、前記現像処理及び紫外線照射処理の関連処理を行う関連装置と、を備え、前記塗布装置、前記現像装置及び前記関連装置の間で直列的に前記基板を搬送する基板搬送ラインが形成された基板処理装置であって、前記現像装置よりも下流側に配置される前記関連装置の一部に前記基板搬送ラインの側方から接続され、現像後の前記処理膜に紫外線照射処理を行う紫外線処理装置と、前記基板搬送ラインと前記紫外線照射装置との間で前記基板の受け渡しを行う基板搬送装置とをさらに備え、前記紫外線処理装置として、上記第１態様に係る紫外線照射装置が用いられていることを特徴とする。

本態様に係る構成によれば、基板に対して均一な紫外線照射を行うことができる紫外線照射装置が用いられるため、信頼性の高い処理を行うことが可能な基板処理装置を提供することができる。

本発明の第４態様に係る基板処理装置の製造方法は、基板に処理膜の塗布処理を行う塗布装置と、前記基板に塗布された前記処理膜の現像処理を行う現像装置と、前記塗布処理、前記現像処理及び紫外線照射処理の関連処理を行う関連装置と、を備え、前記塗布装置、前記現像装置及び前記関連装置の間で直列的に前記基板を搬送する基板搬送ラインが形成された基板処理装置の製造方法であって、現像後の前記処理膜に紫外線照射処理を行う紫外線処理装置を、前記現像装置よりも下流側に配置される前記関連装置の一部に前記基板搬送ラインの側方又は上方から接続する工程を有し、前記紫外線処理装置として、上記第１態様に係る紫外線照射装置を用いることを特徴とする。

本態様に係る構成によれば、現像装置よりも下流側に配置される関連装置の一部に基板搬送ラインの側方から紫外線処理装置を接続するため、紫外線処理装置を容易に取り付けることができる。したがって、信頼性の高い処理を行うことが可能な基板処理装置を簡便に製造することができる。

本発明によれば、基板に対して紫外線を均一に照射することができる。

第一実施形態に係る基板処理装置ＳＰＡを示す平面図。 第一実施形態に係る紫外線処理ユニットＵＶを＋Ｚ方向から見たときの構成を示す図。 第一実施形態に係る紫外線処理ユニットＵＶの動作を示す図。 第一実施形態に係る紫外線処理ユニットＵＶの動作を示す図。 第一実施形態に係る紫外線処理ユニットＵＶの要部構成を示す図。 第一実施形態に係る紫外線処理ユニットＵＶの要部構成を示す図。 光照射面８６ａ１からの紫外線の拡がりを説明するための図。 集光部材８６ｂによる効果を示したグラフ。 第二実施形態に係る照射ユニット１８６の構成を示す図。 第三実施形態に係る紫外線処理ユニットＵＶ１の構成図。 第三実施形態に係る紫外線処理ユニットＵＶ１の動作を示す図。 第三実施形態に係る紫外線処理ユニットＵＶ１の動作を示す図。 第三実施形態に係る紫外線処理ユニットＵＶ１の動作を示す図。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

（第一実施形態）
図１は本実施形態に係る基板処理装置ＳＰＡを示す平面図である。
基板処理装置ＳＰＡは、例えばＸ方向に一列に配置されたローダ・アンローダＬＵ、塗布現像処理部ＣＤ、インターフェース部ＩＦ及び制御部ＣＯＮＴを備えている。基板処理装置ＳＰＡは、塗布現像処理部ＣＤがローダ・アンローダＬＵとインターフェース部ＩＦによって挟まれて配置された構成になっている。制御部ＣＯＮＴは、基板処理装置ＳＰＡの各部を統括的に処理する。

（ローダ・アンローダ）
ローダ・アンローダＬＵは、複数の基板Ｇを収容するカセットＣの搬入及び搬出を行う部分である。ローダ・アンローダＬＵは、カセット待機部１０及び搬送機構１１を有している。

カセット待機部１０は、例えば基板処理装置ＳＰＡの−Ｘ側の端部に配置されており、複数のカセットＣを収容する。カセット待機部１０に収容されたカセットＣは、例えばＹ方向に配列されるようになっている。カセット待機部１０は、−Ｘ側に不図示の開口部が形成されており、当該開口部を介して基板処理装置ＳＰＡの外部との間でカセットＣの受け渡しが行われるようになっている。

搬送機構１１は、カセット待機部１０の＋Ｘ側に配置されており、カセットＣと塗布現像処理部ＣＤとの間で基板Ｇの搬送を行う。搬送機構１１は、例えばＹ方向に沿って２つ配置されており、当該２つの搬送機構１１は例えば同一の構成となっている。−Ｙ側に配置される搬送機構１１ａは、ローダ・アンローダＬＵから塗布現像処理部ＣＤへ基板Ｇを搬送する。＋Ｙ側に配置される搬送機構１１ｂは、塗布現像処理部ＣＤからローダ・アンローダＬＵへ基板Ｇを搬送する。

搬送機構１１は搬送アーム１２（１２ａ、１２ｂ）を有している。搬送アーム１２は、ガラス基板を保持する保持部を有し、例えば一方向に伸縮可能に設けられている。搬送アーム１２は、θＺ方向に回転可能に形成されている。搬送アーム１２は、例えばθＺ方向に回転することで、カセット待機部１０と塗布現像処理部ＣＤとのそれぞれの方向に向かせることが可能になっている。搬送アーム１２は、搬送アーム１２を伸縮させることで、カセット待機部１０及び塗布現像処理部ＣＤのそれぞれにアクセス可能になっている。

（塗布現像処理部）
塗布現像処理部ＣＤは、基板Ｇにレジスト塗布及び現像を含む一連の処理を施す部分である。塗布現像処理部ＣＤは、スクラバユニットＳＲ、脱水ベークユニットＤＨ、塗布ユニットＣＴ、プリベークユニットＰＲ、インターフェース部ＩＦ、現像ユニットＤＶ、紫外線処理ユニットＵＶ及びポストベークユニットＰＢを有している。

塗布現像処理部ＣＤは、Ｙ方向に分割された構成になっており、−Ｙ側の部分では、ローダ・アンローダＬＵからの基板Ｇがインターフェース部ＩＦへ向けて＋Ｘ方向に搬送されるようになっている。＋Ｙ側の部分では、インターフェース部ＩＦからの基板Ｇがローダ・アンローダＬＵへ向けて−Ｘ方向に搬送されるようになっている。

スクラバユニットＳＲは、ローダ・アンローダＬＵの下流に接続されており、基板Ｇの洗浄を行うユニットである。スクラバユニットＳＲは、ドライ洗浄装置４１、ウェット洗浄装置４２及びエアナイフ装置４３を有している。ドライ洗浄装置４１の−Ｘ側及びエアナイフ装置４３の＋Ｘ側には、それぞれコンベア機構ＣＶ１、ＣＶ２が設けられている。コンベア機構ＣＶ１、ＣＶ２には、基板Ｇを搬送する不図示のベルト機構が設けられている。

ドライ洗浄装置４１は、例えば基板Ｇにエキシマレーザなどの紫外線を照射することにより、基板Ｇ上の有機物を除去する。ウェット洗浄装置４２は、例えば不図示のスクラビングブラシを有している。ウェット洗浄装置４２は、洗浄液及び当該スクラビングブラシを用いて基板Ｇを洗浄する。エアナイフ装置４３は、例えば不図示のエアナイフ噴射機構を有している。エアナイフ装置４３は、エアナイフ噴射機構を用いて基板Ｇ上にエアナイフを形成し、基板Ｇ上の不純物を除去する。

脱水ベークユニットＤＨは、スクラバユニットＳＲの下流に接続されており、基板Ｇ上を脱水するユニットである。脱水ベークユニットＤＨは、加熱装置４４、ＨＭＤＳ装置４６及び冷却装置４５を有している。加熱装置４４及びＨＭＤＳ装置４６は、Ｚ方向に重ねられた状態で配置されている。Ｚ方向視で加熱装置４４及びＨＭＤＳ装置４６に重なる位置にコンベア機構ＣＶ３が設けられており、Ｚ方向視で冷却装置４５に重なる位置にコンベア機構ＣＶ４が設けられている。加熱装置４４及びＨＭＤＳ装置４６と、冷却装置４５との間には、基板Ｇを搬送する搬送機構ＴＲ１が設けられている。搬送機構ＴＲ１については、例えばローダ・アンローダＬＵに設けられた搬送機構１１と同一の構成とすることができる。

加熱装置４４は、例えば基板Ｇを収容可能なチャンバ内にヒータを有する構成になっている。加熱装置４４は、Ｚ方向に例えば複数段配置されている。加熱装置４４は、基板Ｇを所定の温度で加熱する。ＨＭＤＳ装置４６は、ＨＭＤＳガスを基板Ｇに作用させて疎水化処理を施し、塗布ユニットＣＴにおいて基板Ｇに塗布するレジスト膜と基板Ｇとの密着性を向上させる装置である。冷却装置４５は、例えば基板Ｇを収容可能なチャンバ内に温調機構を有し、基板Ｇを所定の温度に冷却する。

塗布ユニットＣＴは、脱水ベークユニットＤＨの下流に接続されており、基板Ｇ上の所定の領域にレジスト膜を形成する。塗布ユニットＣＴは、塗布装置４７、減圧乾燥装置４８、周縁部除去装置４９を有している。塗布装置４７は、基板Ｇ上にレジスト膜を塗布する装置である。塗布装置４７としては、例えば回転式塗布装置、ノンスピン式塗布装置、スリットノズル塗布装置などが用いられる。これら各種の塗布装置を交換可能な構成であっても構わない。減圧乾燥装置４８は、レジスト膜を塗布した後の基板Ｇの表面を乾燥させる。周縁部除去装置４９は、基板Ｇの周縁部に塗布されたレジスト膜を除去し、レジスト膜の形状を整える装置である。

プリベークユニットＰＲは、塗布ユニットＣＴの下流に接続されており、基板Ｇにプリベーク処理を行うユニットである。プリベークユニットＰＲは、加熱装置５０及び冷却装置５１を有している。加熱装置５０に重なる位置にコンベア機構ＣＶ５が設けられている。冷却装置５１に重なる位置にコンベア機構ＣＶ６が設けられている。加熱装置５０と冷却装置５１とは、搬送機構ＴＲ２を挟むようにＹ方向に沿って配置されている。

現像ユニットＤＶは、プリベークユニットＰＲの冷却装置５１の−Ｘ側に接続されており、露光後の基板Ｇの現像処理を行う。現像ユニットＤＶは、現像装置５５、リンス装置５６及びエアナイフ装置５７を有している。現像装置５５は、基板Ｇに現像液を供給して現像処理を行う。リンス装置５６は、現像後の基板Ｇにリンス液を供給し、基板Ｇを洗浄する。エアナイフ装置５７は、基板Ｇ上にエアナイフを形成し、基板Ｇ上を乾燥させる。現像装置５５の＋Ｘ側にはコンベア機構ＣＶ９が設けられており、エアナイフ装置５７の−Ｘ側には搬送機構ＴＲ４が設けられている。

紫外線処理ユニットＵＶは、現像ユニットＤＶの＋Ｚ側に配置されており、搬送機構ＴＲ４の＋Ｘ側に接続されている。紫外線処理ユニットＵＶは、現像後の基板Ｇに例えば所定の波長の光を照射する。搬送機構ＴＲ４は、エアナイフ装置５７からの基板Ｇを紫外線処理ユニットＵＶに搬送し、紫外線処理ユニットＵＶからの基板ＧをポストベークユニットＰＢへと搬送する。搬送機構ＴＲ４は、基板Ｇを保持しつつＺ方向に昇降可能なロボットアームを有している。

ポストベークユニットＰＢは、搬送機構ＴＲ４の下流側に接続されており、光処理後の基板Ｇをベークする。ポストベークユニットＰＢは、加熱装置５９及び冷却装置６０を有している。加熱装置５９と冷却装置６０との間には搬送機構ＴＲ５が設けられている。搬送機構ＴＲ５は、加熱装置５９から冷却装置６０へ基板Ｇを搬送する。加熱装置５９は、現像後の基板Ｇにポストベークを行う。冷却装置６０は、ポストベーク後の基板Ｇを冷却する。

インターフェース部ＩＦは、露光装置ＥＸに接続される部分である。インターフェース部ＩＦは、バッファ装置５２、搬送機構ＴＲ３、コンベア機構ＣＶ７、ＣＶ８及び周辺露光装置ＥＥを有している。バッファ装置５２は、プリベークユニットＰＲの搬送機構ＴＲ２の＋Ｘ側に配置されている。バッファ装置５２の＋Ｘ側には、搬送機構ＴＲ３が設けられている。

バッファ装置５２は、基板Ｇを一時的に待機させておく装置である。バッファ装置５２には、基板Ｇを収容する不図示のチャンバや、当該チャンバ内の温度を調整する温調装置、チャンバ内に収容された基板ＧのθＺ方向の位置を調整する回転制御装置などが設けられている。バッファ装置５２のチャンバ内では、基板Ｇの温度を所定の温度に保持できるようになっている。コンベア機構ＣＶ７、ＣＶ８は、プリベークユニットＰＲの冷却装置５１をＸ方向に挟むように配置されている。

（紫外線処理ユニット）
図２は、紫外線処理ユニットＵＶを−Ｚ方向に向かって見たときの構成を示す図である。図３（ａ）及び図３（ｂ）は、紫外線処理ユニットＵＶを＋Ｙ方向に向かって見たときの構成を示す図である。図４（ａ）、（ｂ）は紫外線処理ユニットＵＶを＋Ｘ方向に向かって見たときの構成を示す図である。図５は紫外線処理ユニットＵＶの要部である集光部材の構成を示す図である。なお、図２〜図５においては、図を判別しやすくするため、それぞれ一部の構成を省略して示している。

図２、３に示すように、紫外線処理ユニットＵＶは、予備装置８０及び紫外線照射装置８１を有している。
予備装置８０は、チャンバ８２、減圧機構８３及び昇降機構８４を有している。予備装置８０は、例えば紫外線照射装置８１に搬送する基板Ｇを一時的に収容する予備室として設けられている。勿論、他の用途であっても構わない。予備装置８０は、例えば＋Ｙ側に基板搬出入口８０ａを有している。予備装置８０では、減圧機構８３によってチャンバ８２内を減圧させた状態で基板Ｇ収容することができるようになっている。減圧機構８３としては、例えばポンプ機構などが用いられる。

昇降機構８４は、Ｚ方向に移動可能に設けられている。昇降機構８４の＋Ｚ側には、例えば複数の支持ピン８４ａが設けられている。複数の支持ピン８４ａの＋Ｚ側の端部は、例えばＸＹ平面に平行な同一面内に設けられている。このため、複数の支持ピン８４ａによって基板ＧがＸＹ平面に平行に支持されるようになっている。昇降機構８４は、チャンバ８２内に収容される基板Ｇを支持しつつ、当該基板Ｇをチャンバ８２内のＺ方向に搬送するようになっている。

紫外線照射装置８１は、予備装置８０に接続され、基板Ｇに対して紫外線の照射を行う装置である。紫外線照射装置８１は、チャンバ８５、照射ユニット８６、ステージ８７、受け渡し機構８８、搬送機構（基板搬送部）８９、加熱機構９０及び吸引機構９１を有している。紫外線照射装置８１は、例えば＋Ｘ側に基板搬出入口８１ａを有している。

当該基板搬出入口８１ａは、予備装置８０の−Ｘ側に接続されていて、予備装置８０に対して基板Ｇの搬入及び搬出を行う。また、チャンバ８２の＋Ｘ側の面には、現像ユニットＤＶに接続するための接続部８０ｂが設けられている。接続部８０ｂは、チャンバ８２を現像ユニットＤＶ側に物理的に接続すると共に、チャンバ８２の電気的な配線等を接続させることで、チャンバ８２と現像ユニットＤＶとを電気的にも接続している。

チャンバ８５は、紫外線の照射処理が行われる基板Ｇを収容する。チャンバ８５は、平面視で矩形に形成されており、例えば一方向が長手となるように形成されている。チャンバ８５の天井部８５ａには、紫外線照射用の開口部８５ｂが設けられている。開口部８５ｂは、平面視ではチャンバ８５のうち照射ユニット８６に対応する位置に設けられている。また、チャンバ８５の天井部８５ａには、蓋部８５ｃが設けられている。蓋部８５ｃは、複数箇所、例えば平面視でチャンバ８５の長手方向に沿って３箇所に設けられている。蓋部８５ｃは、チャンバ８５の天井部８５ａのうち開口部８５ｂから外れた位置に設けられている。

チャンバ８５内には、開口部８５ｂを挟む位置に遮光部材８５ｄが設けられている。遮光部材８５ｄは、例えばチャンバ８５の天井部８５ａに取り付けられ、照射ユニット８６からの紫外線を遮光する板状部材である。遮光部材８５ｄは、例えばチャンバ８５内を区切る位置に形成されている。以下、チャンバ８５内のうち遮光部材８５ｄによって区切られた部分を、それぞれ第１基板搬送部８５Ｆ、処理部８５Ｐ及び第２基板搬送部８５Ｓと表記する。第１基板搬送部８５Ｆは、チャンバ８５内のうち予備装置８０側の部分である。処理部８５Ｐは、開口部８５ｂが形成された部分である。第２基板搬送部８５Ｓは、予備装置８０から最も遠い部分である。

照射ユニット８６は、チャンバ８５の開口部８５ｂに取り付けられている。照射ユニット８６は、紫外線（例えばｉ線など）を射出する照射部８６ａと、該照射部８６ａから射出される紫外線を基板Ｇ上に集光する集光部材８６ｂと有する。照射部８６ａは、例えばメタルハライドランプなどから構成される。

ここで、集光部材８６ｂの構成について図５を参照して説明する。図５（ａ）は、集光部材８６ｂを＋Ｚ方向から視た状態の形状（以下、平面形状と称す）を示す図であり、図５（ｂ）は集光部材８６ｂを−Ｙ方向から視た状態の形状（以下、側面形状と称す）を示す図であり、図５（ｃ）が集光部材８６ｂを＋Ｘ方向から視た状態の形状（以下、正面形状と称す）を示す図である。

図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示されるように、集光部材８６ｂは側面形状および正面形状が略台形であり、平面形状が矩形である。

図６は照射ユニット８６の断面構成を示す図であり、図６（ａ）は照射ユニット８６を＋Ｘ方向から視た状態の正面側断面図であり、図６（ｂ）は照射ユニット８６を−Ｙ方向から視た状態の側面側断面図である。

図６（ａ）に示すように、照射部８６ａは、下面（−Ｚ方向側）側に紫外線を放射状に照射する光照射面８６ａ１が形成されている。なお、光照射面８６ａ１に波長が３００ｎｍよりも低い成分をカットするフィルタを設けても良い。これによれば、照射部８６ａは、このフィルタを介して光を射出するため、照射部８６ａから射出される紫外線の波長は３００ｎｍ以上となる。このように紫外線の波長を３００ｎｍ以上とすることにより、紫外線の照射によって基板Ｇの温度が上がり過ぎるのを防ぐことができる。

図５に示したように、集光部材８６ｂは、光照射面８６ａ１から基板Ｇに向かう開口部Ｋを有した筒状の部材である。開口部Ｋは、光照射面８６ａ１から基板側に向かう紫外線が通過する空間を形成するものであって、光照射面８６ａ１から基板Ｇに向かうにつれて開口面積が拡大している。

図６（ａ）、（ｂ）に示すように、集光部材８６ｂは、その内面側に、紫外線Ｌを反射する反射板８６ｂ１が設けられている。反射板８６ｂ１は、例えば、ＳＵＳ、アルミニウム等の金属部材から構成されており、紫外線Ｌを鏡面反射するミラーである。

光照射面８６ａ１の平面形状は、搬送機構８９による基板Ｇの搬送方向であるＸ方向（第一方向）と交差するＹ方向（第二方向）に沿う長辺の幅が基板ＧのＹ方向の幅（以下、基板幅方向）に対応した矩形である。また、光照射面８６ａ１のＸ方向のサイズは基板Ｇよりも小さい。すなわち、光照射面８６ａ１はＹ方向に長細い形状を呈する。

そのため、照射ユニット８６は、照射部８６ａを走査させること無く（移動させること無く）、基板幅方向の全域に紫外線を照射するとともに、照射部８６ａをＸ方向に走査することで基板ＧのＸ方向の全域に紫外線を照射するようになっている。

図７は光照射面８６ａ１からの紫外線の拡がりを説明するための図である。
光照射面８６ａ１は放射状に紫外線を照射する。そのため、図７に示すように、光照射面８６ａ１と基板Ｇとの間に集光部材８６ｂが配置されない場合、光照射面８６ａ１から射出された紫外線Ｌは基板幅方向において基板Ｇの外部に拡散してしまう。

これにより、基板幅方向に長細い形状の光照射面８６ａ１から基板Ｇ上に照射された紫外線Ｌは、基板幅方向において両端部が中央部に比べて相対的に照度が低くなるといった照度分布差が生じていた。これにより、基板Ｇに紫外線処理を均一に行うことができていなかった。

これに対して本実施形態の照射ユニット８６は、光照射面８６ａ１側に集光部材８６ｂを備える。そのため、図６（ａ）に示すように、光照射面８６ａ１から放射状に拡がった紫外線Ｌの一部は、集光部材８６ｂの内面に形成された反射板８６ｂ１で反射されて基板Ｇ上に照射される。

したがって、集光部材８６ｂは、従来、基板Ｇの外部に拡散されていた紫外線を反射することで基板Ｇ上に取り込むことが可能である。よって、基板Ｇ上のＹ方向において紫外線Ｌの照度を均一化することができる。

図８は集光部材８６ｂによる効果（実施例）を示したグラフである。図８には集光部材８６ｂを備えない場合（比較例）も示した。なお、図８において、横軸は基板Ｇの幅方向における座標（単位；ｍｍ）であり、縦軸は基板上の紫外線照度（単位；ｍＷ／ｃｍ^２）である。なお、横軸０ｍｍの座標位置とは、基板Ｇの幅方向の中心座標を意味し、該中心座標に対して一方側を＋座標で規定し、他方側を−座標で規定した。

図８によれば、集光部材８６ｂを設けない場合の照度が８９ｍＷ／ｃｍ^２（平均値）に対し、集光部材８６ｂを設けた場合の照度が１４２ｍＷ／ｃｍ^２（平均値）となることが確認できた。すなわち、集光部材８６ｂにより紫外線照度が向上することが確認できる。これは、集光部材８６ｂにより紫外線が基板Ｇ上に集光されたことで照度が向上したためである。

また、図８の比較例によれば、集光部材８６ｂを設けない場合に所望の照度（８９ｍＷ／ｃｍ^２以上）が得られる基板幅方向における座標範囲（以下、紫外線有効照射幅と称す）Ｅ１が−１００ｍｍ〜１００ｍｍの範囲に対し、集光部材８６ｂを設けた場合に所望の照度（１４２ｍＷ／ｃｍ^２以上）が得られる紫外線有効照射幅Ｅ２が−１２５ｍｍ〜１２５ｍｍの範囲となることが確認できた。

すなわち、集光部材８６ｂにより紫外線有効照射幅Ｅ２が拡大することが確認できた。これは、集光部材８６ｂが基板外部に拡散していた紫外線成分を反射して基板端部に照射することで、基板幅方向において生じていた紫外線照度のバラツキ（基板中央部に比べて基板両端部の照度が相対的に低い状態）を緩和したためである。

以上述べたように、本実施形態において、照射部８６ａからの紫外線は、集光部材８６ｂによって照度分布が均一化された状態で処理部８５Ｐに照射される。処理部８５Ｐに照射された紫外線は、遮光部材８５ｄによって遮光されるようになっている。したがって、照射ユニット８６からの照度が均一な紫外線は、第１基板搬送部８５Ｆ及び第２基板搬送部８５Ｓに照射されること無く、処理部８５Ｐのみに照射されることになる。

ステージ８７は、チャンバ８５内に収容され、チャンバ８５の長手方向に沿って形成された板状部材である。ステージ８７は、第１基板搬送部８５Ｆ、処理部８５Ｐ及び第２基板搬送部８５Ｓに亘って配置されている。ステージ８７は、第１開口部８７ａ、第２開口部８７ｂを有している。第１開口部８７ａは、第１基板搬送部８５Ｆに配置される部分に形成されている。第２開口部８７ｂは、ステージ８７のほぼ全面に亘って形成されている。第２開口部８７ｂは、例えば不図示のエア供給機構及び吸引機構に接続されている。このため、第２開口部８７ｂからはエアが噴出されるようになっており、当該エアによってステージ８７上の全面にエアの層が形成されるようになっている。この吸引機構として、例えば吸引機構９１を接続させる構成であっても構わない。

受け渡し機構８８は、基板保持部材８８ａ、伝達部材８８ｂ、駆動機構８８ｃ及び昇降機構８８ｄを有している。受け渡し機構８８は、予備装置８０と紫外線照射装置８１との両方の装置間を移動可能に設けられている。

基板保持部材８８ａは、櫛状部１００及び移動部１０１を有している。櫛状部１００は、例えばＹ方向において櫛部分が対向するように設けられている。櫛状部１００には基板Ｇが保持されるようになっている。櫛状部１００の根元部分は移動部１０１に接続されている。移動部１０１は、チャンバ８５の＋Ｙ側及び−Ｙ側の壁部を貫通するように設けられている。移動部１０１は、チャンバ８５の＋Ｙ側及び−Ｙ側に固定機構１０２を有している。移動部１０１は、固定機構１０２を介して上記伝達部材８８ｂに固定されている。

伝達部材８８ｂとしては、例えばワイヤーなどの線状部材が用いられている。伝達部材８８ｂは、少なくともチャンバ８５の＋Ｙ側及び−Ｙ側の側部に接するように環状に形成されている。伝達部材８８ｂは、当該チャンバ８５の＋Ｙ側及び−Ｙ側においてはＸ方向に沿って設けられている。

図２及び図４（ｂ）に示したように、伝達部材８８ｂは、チャンバ８５の−Ｘ側の角部においてそれぞれプーリ部８８ｆ、８８ｇによってＹ方向に引き回されている。図４（ｂ）に示すように、チャンバ８５の−Ｘ側端面にはプーリ部８８ｈが複数設けられている。伝達部材８８ｂは、チャンバ８５の−Ｘ側端面において当該プーリ部８８ｈを介して駆動機構８８ｃに接続されている。また、伝達部材８８ｂの＋Ｘ側においては、図２及び図３（ｂ）に示すように、チャンバ８５の＋Ｘ側の角部に設けられるプーリ部８８ｉ、８８ｊに掛けられている。

駆動機構８８ｃは、チャンバ８５の外部であって当該チャンバ８５の−Ｚ側に設けられている。駆動機構８８ｃは、不図示のモータを有しており、当該モータを回転させることによって伝達部材８８ｂを駆動させる構成になっている。図３に示した昇降機構８８ｄは、第１基板搬送部８５Ｆの−Ｚ側に設けられており、不図示のアクチュエータによってＺ方向に移動可能に設けられている。昇降機構８８ｄは、複数の支持ピン８８ｅを有している。支持ピン８８ｅは、ステージ８７に設けられた第１開口部８７ａにＺ方向視で重なる位置に配置されている。昇降機構８８ｄがＺ方向に移動することにより、支持ピン８８ｅが第１開口部８７ａに対してステージ８７上に出没するようになっている。

受け渡し機構８８は、チャンバ８５の外部に設けられる駆動機構８８ｃによって伝達部材８８ｂを駆動させることで、当該伝達部材８８ｂを介して基板保持部材８８ａをＸ方向に移動するようになっている。このように、チャンバ８５の外部に設けられる駆動機構８８ｃの駆動により、チャンバ８５の内部の基板保持部材８８ａを移動させることができるようになっている。また、受け渡し機構８８では、昇降機構８８ｄをＺ方向に移動させることにより、櫛状部１００に保持された基板Ｇを受け取ることができるようになっている。

搬送機構８９は、基板保持部材８９ａ、伝達部材８９ｂ及び駆動機構８９ｃを有している。例えば図４（ａ）などに示すように、搬送機構８９は、受け渡し機構８８の−Ｚ側に設けられている。
基板保持部材８９ａは、Ｚ方向視Ｌ字型に形成されており、基板Ｇの角部に対応する位置に１つずつ、計４つ配置されている。基板保持部材８９ａは、基板Ｇの角部を保持可能になっている。より具体的には、基板保持部材８９ａは、基板Ｇの角部のうちＸ側及びＹ側の面（側面）と−Ｚ側の面（底面）とを保持するようになっている。４つの基板保持部材８９ａは、支持用ワイヤー１０５に固定されている。支持用ワイヤー１０５は、Ｘ方向に沿って設けられているワイヤーが２本、Ｙ方向に沿って設けられているワイヤーが４本の、計６本のワイヤーによって構成されている。支持用ワイヤー１０５は、全て張力が加えられた状態になっている。

Ｘ方向に沿って設けられている２本のワイヤー１０５Ｘは、４つの基板保持部材８９ａのうちＸ方向に沿って配置される基板保持部材８９ａ同士を接続する。Ｙ方向に沿って設けられている４本のワイヤー１０５Ｙは、チャンバ８５をＹ方向に貫通して設けられている。４本のワイヤー１０５Ｙのうち最も＋Ｘ側のワイヤー１０５Ｙは、支持部材１０６を介して＋Ｘ側の２つの基板保持部材８９ａに接続されている。最も−Ｘ側のワイヤー１０５Ｙは、支持部材１０７を介して−Ｘ側の２つの基板保持部材８９ａに接続されている。

チャンバ８５の＋Ｙ側には伝達部材８９ｂに固定される２つの固定機構１０８が設けられている。ワイヤー１０５Ｙの＋Ｙ側端部は当該２つの固定機構１０８にそれぞれ接続されている。チャンバ８５の−Ｙ側には伝達部材８９ｂに固定される２つの固定機構１０９が設けられており、ワイヤー１０５Ｙの−Ｙ側端部は当該固定機構１０９にそれぞれ接続されている。

伝達部材８９ｂとしては、例えばワイヤーなどの線状部材が用いられている。伝達部材８９ｂは、例えば２本設けられている。上記の２つの固定機構１０８及び固定機構１０９は、各伝達部材８９ｂに１つずつ固定されている。したがって、２つの伝達部材８９ｂのうち１本が−Ｘ側の２つの基板保持部材８９ａに接続されており、伝達部材８９ｂのもう１本が＋Ｘ側の２つの基板保持部材８９ａに接続されている。

各伝達部材８９ｂは、例えばチャンバ８５の側部においてはＸ方向に沿って設けられている。また、各伝達部材８９ｂは、少なくともチャンバ８５の＋Ｙ側及び−Ｙ側の側部に接するように環状に形成されている。各伝達部材８９ｂは、当該チャンバ８５の＋Ｙ側及び−Ｙ側においてはＸ方向に沿って設けられている。

図２及び図４（ｂ）に示すように、各伝達部材８９ｂは、チャンバ８５の−Ｘ側の角部においてそれぞれプーリ部８９ｆ、８９ｇによってＹ方向に引き回されている。図４（ｂ）に示すように、チャンバ８５の−Ｘ側端面にはプーリ部８９ｈが複数設けられている。各伝達部材８９ｂは、チャンバ８５の−Ｘ側端面において当該プーリ部８９ｈを介して駆動機構８９ｃに接続されている。プーリ部８９ｆ、８９ｇ及び８９ｈにより、２本の伝達部材８９ｂが絡まないように独立して移動可能になっている。

なお、プーリ部８８ｆ、８９ｆ、８８ｇ、８９ｇ、８８ｈ、８９ｈの配置は、上記伝達部材８８ｂ及び２本の伝達部材８９ｂがそれぞれ絡まないように独立して移動できる形態であれば、本実施形態で示した配置に限られることは無く、他の配置であっても勿論構わない。

伝達部材８９ｂとしては、例えば伝達部材８８ｂと同様、例えばワイヤーなどの線状部材が用いられている。図３（ｂ）に示すように、搬送機構８９に設けられる伝達部材８９ｂは、受け渡し機構８８に設けられる伝達部材８８ｂに対して−Ｚ側に配置されている。

また、図２等に示すように、伝達部材８８ｂと伝達部材８９ｂのうち、例えばチャンバ８５に沿って設けられるそれぞれの部分は、Ｚ方向視で重なるように配置されている。したがって、伝達部材８８ｂと同様、伝達部材８９ｂは、例えばチャンバ８５の側部においてはＸ方向に沿って設けられている。

図２及び図４（ｂ）に示すように、各伝達部材８９ｂは、チャンバ８５の−Ｘ側の角部においてそれぞれプーリ部８９ｆ、８９ｇによってＹ方向に引き回されている。図４（ｂ）に示すように、チャンバ８５の−Ｘ側端面にはプーリ部８９ｈが複数設けられている。

各伝達部材８９ｂは、チャンバ８５の−Ｘ側端面において当該プーリ部８９ｈを介して駆動機構８９ｃに接続されている。また、各伝達部材８９ｂの＋Ｘ側においては、図２及び図３（ｂ）に示すように、チャンバ８５の＋Ｘ側の角部に設けられるプーリ部８９ｉ、８９ｊに掛けられている。

駆動機構８９ｃは、チャンバ８５の外部であって当該チャンバ８５の−Ｚ側に設けられている。駆動機構８９ｃは、不図示のモータを有しており、当該モータを回転させることによって各伝達部材８９ｂを駆動させる構成になっている。駆動機構８９ｃは、２つの伝達部材８９ｂについて、それぞれ１つずつ設けられている。駆動機構８９ｃを例えば同期制御することにより、４つの基板保持部材８９ａを等しい速度で移動させることができるようになっている。

搬送機構８９は、駆動機構８９ｃによって伝達部材８９ｂを駆動させることで、当該伝達部材８９ｂを介して基板保持部材８９ａをＸ方向に移動するようになっている。このように、チャンバ８５の外部に設けられる駆動機構８９ｃの駆動により、チャンバ８５の内部の基板保持部材８９ａを移動させることができるようになっている。

加熱機構９０は、例えばチャンバ８５の処理部８５Ｐの底部に設けられている。加熱機構９０は、内部に例えば電熱線などの加熱部や、当該加熱部の加熱温度を調整する温度制御部などを有している。吸引機構９１は、チャンバ８５内を吸引する。吸引機構９１としては、例えばポンプ機構などが用いられる。

（基板処理装置の製造方法）
上記基板処理装置ＳＰＡは、紫外線処理ユニットＵＶを搬送機構ＴＲ４の側部に接続させることにより、容易に製造することができる。この場合、チャンバ８２の接続部８０ｂを搬送機構ＴＲ４側に接続することで、紫外線処理ユニットＵＶと搬送機構ＴＲ４側との間を物理的に、かつ、電気的に接続することが可能となる。

（基板処理方法、紫外線照射方法）
以上のように構成された基板処理装置ＳＰＡを用いる基板処理方法を説明する。
まず、基板Ｇが収容されたカセットＣをローダ・アンローダＬＵのカセット待機部１０にロードする。カセットＣ内の基板Ｇは、搬送機構１１を介してスクラバユニットＳＲへ搬送される。

スクラバユニットＳＲに搬送された基板Ｇは、コンベア機構ＣＶ１を介してドライ洗浄装置４１へ搬送される。この基板Ｇは、ドライ洗浄装置４１、ウェット洗浄装置４２及びエアナイフ装置４３と順に処理される。エアナイフ装置４３から搬出された基板Ｇは、コンベア機構ＣＶ２を介して脱水ベークユニットＤＨへと搬送される。

脱水ベークユニットＤＨでは、まず加熱装置４４によって基板Ｇの加熱処理が行われる。加熱後の基板Ｇは、例えばＺ方向に搬送され、ＨＭＤＳ装置４６においてＨＭＤＳガスによる処理が行われる。ＨＭＤＳ処理後の基板Ｇは、搬送機構ＴＲ１によって冷却装置４５に搬送され、冷却処理が行われる。冷却処理後の基板Ｇは、コンベア機構ＣＶ４によって塗布ユニットＣＴに搬送される。

その後、基板Ｇは塗布ユニットＣＴにおいてレジスト膜の塗布処理が行われる。塗布処理後の基板ＧはプリベークユニットＰＲに搬送され、加熱装置５０においてプリベーク処理が行われ、冷却装置５１において冷却処理が行われる。プリベークユニットＰＲでの処理を完了させた基板Ｇは、搬送機構ＴＲ２によってインターフェース部ＩＦに搬送される。

インターフェース部ＩＦでは、例えばバッファ装置５２において温度調整が行われた後、周辺露光装置ＥＥにおいて周辺露光が行われる。周辺露光の後、基板Ｇは、搬送機構ＴＲ３によって露光装置ＥＸに搬送され、露光処理が行われる。露光処理後の基板Ｇは、加熱処理及び冷却処理が行われた後、現像ユニットＤＶに搬送される。

現像ユニットＤＶにおいて、基板Ｇには現像処理、リンス処理及び乾燥処理が順に行われる。乾燥処理の後、コンベア機構ＣＶ１０によって基板Ｇは紫外線処理ユニットＵＶへと搬送される。

紫外線処理ユニットＵＶでは、基板Ｇはまず予備装置８０のチャンバ８２内に搬送される。基板搬出入口８０ａを介してチャンバ８２内に基板Ｇが搬送された後、基板搬出入口８０ａを閉塞してチャンバ８２を密閉し減圧機構８３を作動させて減圧処理を行う。減圧処理の後、昇降機構８４を＋Ｚ側に移動させ、支持ピン８４ａによって基板Ｇを持ち上げた状態にする。このとき、受け渡し機構８８の基板保持部材８８ａの高さよりも高い位置（＋Ｚ側の位置）まで基板Ｇを持ち上げる。

基板Ｇを持ち上げた後、基板保持部材８８ａの櫛状部１００をチャンバ８２内に挿入させ、櫛状部１００を基板Ｇの−Ｚ側に配置させる。櫛状部１００が配置された後、昇降機構８４を−Ｚ側に移動させ、持ち上げた基板Ｇを−Ｚ側に移動させる。基板Ｇの−Ｚ側には櫛状部１００が配置されているため、支持ピン８４ａから櫛状部１００へと基板Ｇが渡される。

基板Ｇを受け取った後、駆動機構８８ｃの駆動により伝達部材８８ｂを介して基板保持部材８８ａを−Ｘ側に移動させ、基板Ｇをチャンバ８５内に搬入する。基板Ｇの搬入後、チャンバ８５内を密閉し、吸引機構９１を作動させてチャンバ８５内を減圧する。また、チャンバ８５内を減圧しつつ駆動機構８８ｃを更に駆動させ、第１基板搬送部８５Ｆの第１開口部８７ａにＺ方向視で重なるように基板Ｇを配置する。

基板Ｇの配置後、昇降機構８８ｄを＋Ｚ側に移動させ、支持ピン８８ｅを第１開口部８７ａから突出させる。支持ピン８８ｅの＋Ｚ側には基板Ｇが配置されているため、基板保持部材８８ａから支持ピン８８ｅへ基板Ｇが渡されることになる。基板Ｇが渡された後、駆動機構８９ｃを駆動させ、基板Ｇの−Ｚ側に基板保持部材８９ａを移動させる。このとき、４つの基板保持部材８９ａが基板Ｇの４つの角部にそれぞれＺ方向視で重なるように駆動機構８９ｃを駆動させる。

基板保持部材８９ａを配置させた後、昇降機構８８ｄを−Ｚ側に移動させ、基板Ｇを−Ｚ側に移動させる。基板Ｇの−Ｚ側には基板保持部材８９ａが配置されているため、支持ピン８８ｅから基板保持部材８９ａへと基板Ｇが渡される。この基板Ｇが渡される際に、例えば不図示のエア供給部を作動させ、第２開口部８７ｂにおいて所定の噴出量及び吸引量でエアを噴出及び吸引させ、ステージ８７上にエアの層を形成しておく。基板Ｇが渡される際、基板Ｇとステージ８７との間にはエア層が形成されているため、基板Ｇはエア層と基板保持部材８９ａとで保持されることになる。このため、基板保持部材８９ａが基板Ｇの角部のみを保持する構成であっても、基板Ｇが撓んだり割れたりすること無く安定して保持されることになる。

基板Ｇが基板保持部材８９ａに保持された後、駆動機構８９ｃを駆動させて基板Ｇを処理部８５Ｐへ搬送する。基板Ｇはエアの層上に浮上して搬送されることになるため、少ない駆動力で基板Ｇを搬送させることができる。このため、伝達部材８９ｂの負担が小さくて済むことになる。基板Ｇが処理部８５Ｐに搬送された後、当該基板Ｇを処理部８５Ｐ内で−Ｘ側に搬送しつつ、照射ユニット８６及び加熱機構９０を作動させる。この動作により、処理部８５Ｐでは、基板Ｇが搬送されかつ加熱された状態で照射ユニット８６から基板Ｇの表面に紫外線が照射されることになる。処理部８５Ｐの＋Ｘ側及び−Ｘ側には遮光部材８５ｄが設けられているため、紫外線が処理部８５Ｐから漏れることなく処理が行われることになる。

処理部８５Ｐでは基板Ｇを搬送させながら紫外線が照射されるため、基板Ｇは紫外線照射が完了した部分から徐々に第２基板搬送部８５Ｓへ搬出されていく。基板Ｇの全部に対して紫外線照射が完了した場合、基板Ｇの全部が第２基板搬送部８５Ｓに収容されることになる。紫外線照射が完了した後、照射ユニット８６及び加熱機構９０の作動を停止させ、基板Ｇを第１基板搬送部８５Ｆへと搬送する。

第１基板搬送部８５Ｆに搬送された基板Ｇは、搬送機構８９から基板受け渡し機構８８へと渡され、基板受け渡し機構８８によってチャンバ８５からチャンバ８２へと搬送される。チャンバ８２では、基板受け渡し機構８８から昇降機構８４へと基板Ｇが渡され、その後不図示の搬送機構を介して基板Ｇがチャンバ８２内から基板搬出入口８０ａを介して紫外線処理ユニットＵＶの外部へ搬出される。

次に、基板Ｇは加熱装置５９においてポストベーク処理が行われ、冷却装置６０において冷却される。冷却処理後、基板Ｇは搬送機構１１を介してカセットＣに収容される。このようにして、基板Ｇに対して塗布処理、露光処理及び現像処理の一連の処理が行われることとなる。

以上のように、本実施形態によれば、紫外線処理ユニットＵＶにおいて、基板幅方向と同じ幅の照射部８６ａから紫外線を照射する場合であっても、集光部材８６ｂにより基板幅方向に拡散する紫外線を基板Ｇ上に集光して照射することができる。これにより、基板幅方向において基板Ｇに照射される紫外線の照度分布を均一化することができる。

（第二実施形態）
続いて、本発明の第二実施形態について説明する。
本実施形態と上記実施形態との違いは、照射ユニットの構造である。そのため、以下では、光照射部の構成を主体に説明し、上記実施形態と同一又は共通の構成については同じ符号を付し、その詳細な説明については省略するものとする。

図９は本実施形態の照射ユニットの構成を示す図である。図９（ａ）は照射ユニット１８６の構成を示す斜視図であり、図９（ｂ）は照射ユニット１８６を＋Ｘ方向から視た状態の正面側断面図であり、図９（ｃ）は照射ユニット１８６を−Ｙ方向から視た状態の側面側断面図である。

図９（ａ）に示すように、本実施形態の照射ユニット１８６は、照射部１８６ａと、集光部材１８６ｂと有する。照射部１８６ａは、例えばメタルハライドランプなどから構成される。

本実施形態の集光部材１８６ｂは、正面板部１１１と、背面板部１１２と、右側面板部１１３と、左側面板部１１４と、駆動部１１５と、検出部１１６と、制御部１１７と、を含む。正面板部１１１及び背面板部１１２は、それぞれ平面形状が略矩形状であり、互いが平行となるように対向配置されている。右側面板部１１３および左側面板部１１４は、それぞれ平面形状が矩形状であり、正面板部１１１及び背面板部１１２間に挟持されるように配置されている。右側面板部１１３および左側面板部１１４は、正面板部１１１及び背面板部１１２の内面に密着した状態となっている。

なお、正面板部１１１及び背面板部１１２の平面形状は、右側面板部１１３および左側面板部１１４を内面に密着した状態に保持できれば特に限定されず、例えば、台形状であってもよい。

集光部材１８６ｂは、正面板部１１１、背面板部１１２、右側面板部１１３および左側面板部１１４が組み合わされることで、照射部１８６ａの光照射面１８６ａ１から基板Ｇに向かう開口部Ｋ１を有する筒状の部材を構成する。開口部Ｋ１は、光照射面１８６ａ１から基板Ｇに向かって紫外線が通過する空間を形成するものであって、光照射面１８６ａ１から基板Ｇに向かうにつれて開口面積が拡大する。

本実施形態において、右側面板部１１３および左側面板部１１４は、上述のように開口部Ｋ１の開口面積を拡大させるように、正面板部１１１及び背面板部１１２に取り付けられている。

図９（ｂ）、（ｃ）に示すように、正面板部１１１及び背面板部１１２は、その内面側に、紫外線を反射する反射板１０１ａ、１０２ａがそれぞれ形成されている。また、右側面板部（反射板）１０３および左側面板部（反射板）１０４は、その内面側に、紫外線を反射する反射板１０３ａ、１０４ａがそれぞれ形成されている。反射板１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ、１０４ａは、例えば、ＳＵＳ、アルミニウム等の金属部材から構成されており、紫外線を鏡面反射するミラーである。

右側面板部１１３および左側面板部１１４は、光照射面１８６ａ１側の側端部１１３ａ、１１４ａが正面板部１１１及び背面板部１１２に軸支されることで回動可能とされている。駆動部１１５は、右側面板部１１３および左側面板部１１４を側端部１１３ａ、１１４ａを中心に回動させることで、正面板部１１１及び背面板部１１２に対する右側面板部１１３および左側面板部１１４の取付角度を調整可能である。
すなわち、駆動部１１５は、反射板として機能する右側面板部１１３および左側面板部１１４の取付角度を調整する角度調整機構を構成する。

検出部１１６は、集光部材１８６ｂで集光された紫外線Ｌを検出するセンサーである。検出部１１６は、制御部１１７に電気的に接続されており、検出結果を制御部１１７に送信する。制御部１１７は、検出部１１６から送信された検出結果に基づいて、駆動部１１５の駆動を制御する。なお、制御部１１７は、基板処理装置ＳＰＡの各部を統括的に処理する制御部ＣＯＮＴの一部から構成されていても良い。

検出部１１６は、紫外線Ｌの検出を行わない場合、集光部材１８６ｂの下方から退避した位置で待機する。これにより、紫外線処理時に検出部１１６が紫外線を遮ってしまうことが防止される。

このような構成に基づき、集光部材１８６ｂは、図９中に示すＹＺ平面内において右側面板部１１３および左側面板部１１４を回動させることで、右側面板部１１３および左側面板部１１４の取付角度を所定値に設定する。これにより、基板Ｇの幅方向に拡散する紫外線の反射角度（集光度合い）を調整することが可能である。

ここで、右側面板部１１３および左側面板部１１４の取付角度は、照射部１８６ａの特性（大きさ、形状、固体差等）に応じて変化する。そのため、右側面板部１１３および左側面板部１１４の取付角度は、照射部１８６ａの特性に応じて最適化するのが望ましい。

本実施形態の照射ユニット１８６は、予め、取付角度を種々に設定した場合の紫外線の照度をそれぞれ計測しておき、その結果に基づいて紫外線の照度を最も均一化できる右側面板部１１３および左側面板部１１４の取付角度となるように駆動部１１５を駆動する。これによれば、基板Ｇの幅方向に拡散する紫外線の反射方向を任意に調整できるので、照射部１８６ａの特性によらず、基板Ｇの幅方向における紫外線の照度分布を均一化することができる。

本実施形態においても、照射ユニット１８６は、照射部１８６ａを走査させること無く（移動させること無く）、基板幅方向の全域に紫外線Ｌを照射することが可能である。一方、照射ユニット１８６は、照射部１８６ａをＸ方向に走査することで基板ＧのＸ方向の全域に紫外線Ｌを照射する。

本実施形態において、照射ユニット１８６は、正面板部１１１及び背面板部１１２の取付角度が変化しないため、Ｘ方向において紫外線Ｌの照射方向を変更することはできない。照射ユニット１８６は、照射部１８６ａをＸ方向に走査することで基板ＧのＸ方向の全域に紫外線Ｌを照射する。そのため、基板Ｇは、Ｘ方向において紫外線Ｌが重畳して照射されるため、照度バラツキの発生を抑制することができる。

（第三実施形態）
続いて、本発明の第三実施形態について説明する。
本実施形態と上記実施形態との違いは、紫外線処理ユニットの構造である。そのため、以下では、紫外線処理ユニットの構成を主体に説明し、上記実施形態と同一又は共通の構成については同じ符号を付し、その詳細な説明については省略するものとする。

図１０は、本実施形態の紫外線処理ユニットＵＶ１を＋Ｙ方向に向かって見たときの構成を示す図である。図１０に示すように、紫外線処理ユニットＵＶ１は、チャンバ１８０、照射ユニット８６、第一ステージ１８２、第一搬送部１８３、第二ステージ１８４及び第二搬送部１８５を有している。チャンバ１８０は、直方体の箱状に形成されている。チャンバ１８０は、現像ユニットＤＶの側面（＋Ｙ側の面）に配置されている。なお、本実施形態において、紫外線処理ユニットＵＶ１は、チャンバ１８０が現像ユニットＤＶの上面（＋Ｚ側の面）に配置されている。

チャンバ１８０の−Ｘ側の面（所定面）１８０ｆには、基板搬入出口１８０ａが設けられている。基板搬入出口１８０ａは、チャンバ１８０に対して基板Ｇの搬入及び搬出を行う。また、チャンバ１８０の所定面１８０ｆには、現像ユニットＤＶに接続するための接続部１８０ｂが設けられている。接続部１８０ｂは、チャンバ１８０を現像ユニットＤＶ側に物理的に接続すると共に、チャンバ１８０の電気的な配線等を接続させることで、チャンバ１８０と現像ユニットＤＶとを電気的にも接続している。

本実施形態において、照射ユニット８６は、チャンバ１８０の＋Ｚ側の面に取り付けられており、＋Ｚ側の端部がチャンバ１８０の外部に突出するように配置されている。

第一ステージ１８２は、チャンバ１８０の内部に設けられている。第一ステージ１８２は、チャンバ１８０の内部に搬入される基板Ｇを支持する。第一ステージ１８２は、基板搬入出口１８０ａの＋Ｘ側に配置されており、基板搬入出口１８０ａから搬入される基板Ｇを支持可能である。第一ステージ１８２は、基板ＧをＸ方向に搬送する不図示の搬送機構を有している。また、第一ステージ１８２は、Ｚ方向に昇降可能である。第一ステージ１８２は、第一搬送部１８３に等しい高さ位置（Ｚ方向上の位置）と、第二搬送部１８５に等しい高さ位置との間を移動可能である。第一ステージ１８２は、第二搬送部１８５に等しい高さ位置においては、第二搬送部１８５からの基板Ｇを支持可能である。また、第一ステージ１８２は、基板Ｇを支持した状態で昇降可能である。

第一搬送部１８３は、第一ステージ１８２から搬送される基板Ｇを搬送する。第一搬送部１８３は、搬送機構１８３ａ及び加熱機構１８３ｂを有している。搬送機構１８３ａは、基板Ｇの姿勢を水平面（ＸＹ平面）に平行に保持したまま＋Ｘ方向に搬送する。搬送機構１８３ａの動作を停止させた状態では、基板Ｇの姿勢を保持したまま基板Ｇを支持することができるようになっている。加熱機構１８３ｂは、後に紫外線の照射を受けることになる基板Ｇの温度が適温となるように基板Ｇの温度を調整する。例えば、加熱機構１８３ｂは、基板Ｇの温度を１００℃程度に維持する。

第二ステージ１８４は、チャンバ１８０の内部であって＋Ｘ側の端部に設けられている。第二ステージ１８４は、第一搬送部１８３から搬送される基板Ｇを支持する。第二ステージ１８４は、基板ＧをＸ方向に搬送する不図示の搬送機構を有している。また、第二ステージ１８４は、Ｚ方向に昇降可能である。第二ステージ１８４は、第一搬送部１８３に等しい高さ位置（Ｚ方向上の位置）と、第二搬送部１８５に等しい高さ位置との間を移動可能である。また、第二ステージ１８４は、基板Ｇを支持した状態で昇降可能である。第二ステージ１８４は、第二搬送部１８５に等しい高さ位置に配置される場合、第二搬送部１８５へ基板Ｇを送り出すことが可能である。

第二搬送部１８５は、第二ステージ１８４から搬送される基板Ｇを搬送する。第二搬送部１８５は、第一搬送部１８３の＋Ｚ側に配置されている。第二搬送部１８５は、照射ユニット８６に対向して配置されている。第二搬送部１８５は、搬送機構１８５ａ及び加熱機構１８５ｂを有している。搬送機構１８５ａは、基板Ｇの姿勢を水平面（ＸＹ平面）に平行に保持したまま−Ｘ方向に搬送する。搬送機構１８５ａの動作を停止させた状態では、基板Ｇの姿勢を保持したまま基板Ｇを支持することができるようになっている。加熱機構１８５ｂは、Ｚ方向において照射ユニット８６との間で基板Ｇを挟む位置に配置されている。加熱機構１８５ｂは、照射ユニット８６によって光の照射を受ける基板Ｇを−Ｚ側から加熱する。加熱機構１８５ｂは、搬送機構１８５ａによって支持された基板Ｇを加熱する。搬送機構１８５ａは、第二搬送部１８５の−Ｘ側に第一ステージ１８２が配置されている場合には、基板Ｇを第一ステージ１８２へ搬送可能である。

基板搬入出口１８０ａから搬入された基板Ｇは、第一ステージ１８２及び第一搬送部１８３を経て第二ステージ１８４へと＋Ｘ方向に搬送される。このように、チャンバ１８０内には、基板Ｇを一方向（＋Ｘ方向）に搬送する第一基板搬送経路Ｒ１が形成されている。第二ステージ１８４に支持された基板Ｇは、当該第二ステージ１８４及び第二搬送部１８５を経て第一ステージ１８２へと−Ｘ方向に搬送される。このように、チャンバ１８０内には、基板Ｇを一方向（−Ｘ方向）に搬送する第二基板搬送経路Ｒ２が形成されている。第二基板搬送経路Ｒ２は、第一基板搬送経路Ｒ１に対して＋Ｚ方向に並んで配置されている。

本実施形態において、照射ユニット８６は、光を照射される基板Ｇの搬送経路（第二基板搬送経路Ｒ２）に沿って移動可能とすることもできる。すなわち、照射ユニット８６は、図１０におけるＸ軸に平行な方向Ｄ１及び方向Ｄ２に移動可能とすることができる。例えば、チャンバ１８０に、照射ユニット８６を水平移動させる水平移動機構を設けることができる。このような構成とすることで、照射ユニット８６を方向Ｄ１又は方向Ｄ２に移動させながら基板Ｇに対して光を照射することができる。これにより、第二搬送部１８５上で−Ｘ方向に搬送されている基板Ｇと照射ユニット８６との相対速度を自在に変更することができる。その結果、基板Ｇに対する光照射量やタクトタイムを自在に設定することができる。

具体的には、照射ユニット８６を基板Ｇと同方向（方向Ｄ１）に移動させながら光照射を行うことで、基板Ｇに対する照射ユニット８６の相対速度が低下するので、照射部８６ａの出力を上昇させなくとも基板Ｇに対する光照射量を増大させることができる。このことは、別の観点では、搬送速度を上昇させても基板Ｇに対する光照射量を同等に維持することができることになるため、装置内での基板Ｇの搬送速度を上昇させてスループットを向上させることもできる。

一方、照射ユニット８６を基板Ｇと反対方向（方向Ｄ２）に移動させながら光照射を行うと、基板Ｇと照射ユニット８６との相対速度が上昇するため、基板Ｇへの光照射に要する時間（タクトタイム）が短くなる。これにより、光照射工程がボトルネックである場合にはスループットの向上を図ることができる。また、照射ユニット８６の移動速度を変更することで、基板Ｇの搬送速度や照射部８６ａの出力を変更することなく、基板Ｇに対する光照射量の調整が可能である。照射ユニット８６を方向Ｄ２に移動させる場合には、基板Ｇに対する光照射量を低減する方向の調整が容易になる。

なお、照射ユニット８６の移動方向と、第二搬送部１８５における基板搬送方向とは、概ね平行であればよい。具体的には、照射ユニット８６の移動方向と、第二搬送部１８５における基板搬送方向との成す角度が３０度以下であればよい。

続いて、本実施形態の紫外線処理ユニットＵＶ１における紫外線照射処理について説明する。
図１１乃至図１３は紫外線処理ユニットＵＶ１の動作説明図である。以下、紫外線処理ユニットＵＶ１において、基板Ｇが複数搬入される場合、複数の基板を搬入された順にＧ１、Ｇ２、Ｇ３、…と表記する。

制御部ＣＯＮＴは、基板Ｇを保持するロボットアームを＋Ｚ方向に移動させ、図１１（ａ）に示すように、基板Ｇ１を基板搬入出口１８０ａからチャンバ１８０の内部に搬入させる。紫外線処理ユニットＵＶ１では、第一ステージ１８２を第一搬送部１８３に等しい高さ位置に配置させておく。これにより、チャンバ１８０に搬入された基板Ｇ１が第一ステージ１８２に載置される。

次に、制御部ＣＯＮＴは、図１１（ｂ）に示すように、第一ステージ１８２に載置された基板Ｇ１を＋Ｘ方向に搬送させ、第一搬送部１８３へと移動させる。制御部ＣＯＮＴは、第一搬送部１８３のＸ方向のほぼ中央部に基板Ｇ１を搬送させた後、搬送機構１８３ａを一時停止させ、加熱機構１８３ｂを作動させる。この動作により、搬送機構１８３ａに支持された基板Ｇ１は、加熱機構１８３ｂによって所望の温度に調整される。

基板Ｇ１を一定時間、予備的に加熱させた後、制御部ＣＯＮＴは、図１１（ｃ）に示すように、搬送機構１８３ａによって基板Ｇ１を＋Ｘ方向に搬送させる。基板Ｇ１は、第一搬送部１８３から第二ステージ１８４へ受け渡される。
また、制御部ＣＯＮＴは、現像ユニットＤＶから搬送される他の基板Ｇ２をチャンバ１８０に搬入させる。制御部ＣＯＮＴは、搬送機構ＴＲ４のロボットアームを基板搬入出口１８０ａまで移動させ、基板Ｇ２を基板搬入出口１８０ａからチャンバ１８０の内部に搬入させる。チャンバ１８０の内部に搬入された基板Ｇ２は、第一ステージ１８２に載置される。

次に、制御部ＣＯＮＴは、図１２（ａ）に示すように、基板Ｇ１を支持した状態の第二ステージ１８４を＋Ｚ側へ移動させ、第二搬送部１８５の高さ位置に合わせる。また、制御部ＣＯＮＴは、第一ステージ１８２に載置された基板Ｇ２を＋Ｘ方向に搬送させ、第一搬送部１８３へと移動させる。制御部ＣＯＮＴは、第一搬送部１８３のＸ方向のほぼ中央部に基板Ｇ２を搬送させた後、搬送機構１８３ａを一時停止させ、加熱機構１８３ｂを作動させる。この動作により、搬送機構１８３ａに支持された基板Ｇ２は、加熱機構１８３ｂによって所望の温度に調整される。

次に、制御部ＣＯＮＴは、図１２（ｂ）に示すように、第一ステージ１８２を＋Ｚ方向に移動させ、第二搬送部１８５の高さ位置に合わせておく。また、制御部ＣＯＮＴは、第二ステージ１８４に載置された基板Ｇ１を−Ｘ方向に搬送させ、第二搬送部１８５へと移動させる。制御部ＣＯＮＴは、第二搬送部１８５に搬送された基板Ｇ１に対して、照射ユニット８６による紫外線照射を行わせる。制御部ＣＯＮＴは、搬送機構１８５ａを作動させて基板Ｇ１を−Ｘ方向に移動させると共に、加熱機構１８５ｂを作動させ、基板Ｇ１の温度を１００℃程度に維持する。

この状態で制御部ＣＯＮＴは、照射ユニット８６から紫外線を射出させる。照射ユニット８６から射出された紫外線は、基板Ｇ１に照射される。この動作により、搬送機構１８５ａによって水平面に移動する基板Ｇ１に対して紫外線が照射される。紫外線の照射は、基板Ｇ１の全体が照射ユニット８６を−Ｘ方向に通り過ぎるまで行われる。第二搬送部１８５によって−Ｘ方向に搬送された基板Ｇ１は、図１２（ｃ）に示すように、予め配置させておいた第一ステージ１８２に載置される。制御部ＣＯＮＴは、第一ステージ１８２に基板Ｇ１が載置された後、第一ステージ１８２を−Ｚ方向に移動させ、第一搬送部１８３に高さ位置を合わせる。

次に、制御部ＣＯＮＴは、図１３（ａ）に示すように、第一ステージ１８２及び搬送機構ＴＲ４のロボットアームを用いて、第一ステージ１８２上の基板Ｇ１を搬出させる。また、制御部ＣＯＮＴは、第一搬送部１８３で予備的な加熱を行っていた基板Ｇ２を＋Ｘ方向に移動させ、第二ステージ１８４に載置させる。

次に、制御部ＣＯＮＴは、図１３（ｂ）に示すように、基板Ｇ２を支持した状態の第二ステージ１８４を＋Ｚ側へ移動させ、第二搬送部１８５の高さ位置に合わせる。また、制御部ＣＯＮＴは、第一ステージ１８２に載置された基板Ｇ３を＋Ｘ方向に搬送させ、第一搬送部１８３へと移動させる。制御部ＣＯＮＴは、第一搬送部１８３のＸ方向のほぼ中央部に基板Ｇ３を搬送させた後、搬送機構１８３ａを一時停止させ、基板Ｇ３を予備的に加熱する。

以降、制御部ＣＯＮＴは、上記同様に基板Ｇ２、基板Ｇ３に対して順に紫外線の照射を行い、基板搬入出口１８０ａを介してチャンバ１８０から搬出させる。また、基板搬入出口１８０ａを介して新たな基板をチャンバ１８０に搬入させ、紫外線Ｌの照射を行わせる。チャンバ１８０から搬出された基板Ｇ１〜Ｇ３は、搬送機構ＴＲ４を介してポストベークユニットＰＢに搬送される。以上の動作を繰り返し行わせることにより、現像ユニットＤＶを経た基板Ｇに対して光照射処理（キュア処理）を行うことができる。

以上のように、本実施形態によれば、基板Ｇの搬入及び搬出が可能な基板搬入出口１８０ａが所定面１８０ｆに設けられ、この基板搬入出口１８０ａを通過してチャンバ１８０の内部に搬入される基板Ｇが基板搬入出口１８０ａを通過してチャンバ１８０の外部へ搬出されるようにチャンバ１８０の内部で基板Ｇが移動するため、基板Ｇの搬入及び搬出がチャンバ１８０の同一面側（所定面側）で行われることになる。これにより、既存の装置との間の基板Ｇの受け渡しに必要なスペースを節約することが可能となるため、フットプリントの小さい照射ユニット８６を提供することができる。

また、本実施形態の紫外線処理ユニットＵＶ１において、基板幅方向と同じ幅の照射部８６ａから紫外線を照射する場合であっても、基板幅方向において基板Ｇに照射される紫外線の照度分布を均一化することができる。

なお、図１３（ｂ）に示す光照射工程において、制御部ＣＯＮＴは、照射ユニット８６を方向Ｄ１又は方向Ｄ２に移動させながら、基板Ｇ１に対して光を照射させることもできる。例えば、照射ユニット８６を方向Ｄ１に移動させながら基板Ｇ１に対して光照射を行う場合、制御部ＣＯＮＴは、照射ユニット８６を所定の移動開始位置に配置した状態で、第二ステージ１８４から第二搬送部１８５へ基板Ｇ１を搬入し、基板Ｇ１の先端が上記移動開始位置に達したときに、照射ユニット８６を方向Ｄ１の移動を開始するとともに基板Ｇ１への光照射を開始する。制御部ＣＯＮＴは照射ユニット８６を基板Ｇ１よりも遅い速度で移動させながら光を照射させる。制御部ＣＯＮＴは、基板Ｇ１に遅れて移動する照射ユニット８６が基板Ｇ１の後端に達する位置で、照射ユニット８６の移動を停止させる。その後、制御部ＣＯＮＴは、照射ユニット８６を方向Ｄ２に移動させ、上記移動開始位置に戻す。

以上、本発明の実施形態について説明したが上記実施形態の内容に限定されることはなく、発明の主旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
例えば、上記第一実施形態においては、現像ユニットＤＶ及びポストベークユニットＰＢ間で基板Ｇの受け渡しを行う搬送機構ＴＲ４の側方（すなわち、基板Ｇの搬送ラインの側方）に紫外線処理ユニットＵＶが接続された場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限られることは無い。例えば、紫外線処理ユニットＵＶが第三実施形態のように現像ユニットＤＶの上面に配置されてもよい。また、第三実施形態の紫外線処理ユニットＵＶ１が第一実施形態のように搬送機構ＴＲ４の側方に接続されていても良い。

また、紫外線処理ユニットＵＶ、ＵＶ１は、現像ユニットＤＶの上面のみならず、例えば、例えば、塗布ユニットＣＴやポストベークユニット等といった他のユニット（関連装置）の上面に配置されていてもよい。このように紫外線処理ユニットＵＶ、ＵＶ１が現像ユニットＤＶあるいは他のユニットの上面に配置された基板処理装置は、既存のラインを有する装置のうち現像ユニットＤＶあるいは他のユニットの上面に、紫外線処理ユニットＵＶ、ＵＶ１を接続させることにより、容易に製造することができる。この場合、チャンバ８２の接続部８０ｂあるいはチャンバ１８０の接続部１８０ｂを現像ユニットＤＶあるいは他のユニット側に接続することで、紫外線処理ユニットＵＶ、ＵＶ１と現像ユニットＤＶあるいは他のユニット側との間を物理的に、かつ、電気的に接続することができる。

また、第三実施形態の紫外線照射ユニットについて、第二実施形態の照射ユニットを適用しても良い。

ＳＰＡ…基板処理装置、Ｇ…基板、Ｅ２…紫外線有効照射幅、ＵＶ，ＵＶ１…紫外線処理ユニット、Ｋ，Ｋ１…開口部、ＤＶ…現像ユニット、４７…塗布装置、８６，１８６…光照射部、８６ａ，１８６ａ…照射部、８６ｂ，１８６ｂ…集光部材、８６ｂ１…反射板、８６ａ１，１８６ａ１…光照射面、８９…搬送機構（基板搬送部）、１０１ａ，１０２ａ，１０３ａ，１０４ａ…反射板、１１５…駆動部（角度調整機構）、１１６…検出部、１１７…制御部。

Claims (5)

1. 基板を第一方向に沿って搬送する基板搬送部と、
   前記基板搬送部により前記第一方向に移動する基板に紫外線を照射する光照射面を含む照射部と、
   前記照射部の前記光照射面側に設けられ、前記基板に前記紫外線を集光する集光部材と、を備え、
   前記光照射面の平面形状は、前記第一方向と交差する第二方向に沿う長辺の幅が前記基板の前記第二方向の幅に対応した矩形であり、
   前記集光部材は、前記光照射面から前記基板に向かうにつれて開口面積が拡大する筒状からなり、前記第一方向において互いが平行となるように対向配置されて前記紫外線を反射する第１反射板及び第２反射板と、前記第１反射板及び前記第２反射板間に挟持されるように配置されて前記紫外線を反射する第３反射板及び第４反射板と、駆動部と、検出部と、制御部と、を備え、
   前記第３反射板及び前記第４反射板は、前記光照射面側の側端部が前記第１反射板及び前記第２反射板にそれぞれ軸支されることで回動可能とされており、
   前記駆動部は、前記第１反射板及び前記第２反射板に対して前記第３反射板及び前記第４反射板を回動させ、
   前記制御部は、前記集光部材で集光された前記紫外線の前記検出部による検出結果に基づいて、前記駆動部による前記第３反射板及び前記第４反射板の回動動作を制御する
   ことを特徴とする紫外線照射装置。
2. 前記第１反射板、前記第２反射板、前記第３反射板及び前記第４反射板は、前記紫外線を鏡面反射する
   ことを特徴とする請求項１に記載の紫外線照射装置。
3. 第一方向に移動する基板に紫外線を照射する紫外線照射ステップを備え、
   前記紫外線照射ステップでは、請求項１又は請求項２に記載の紫外線照射装置が用いられる
   ことを特徴とする紫外線照射方法。
4. 基板に処理膜の塗布処理を行う塗布装置と、
   前記基板に塗布された前記処理膜の現像処理を行う現像装置と、
   前記塗布処理、前記現像処理及び紫外線照射処理の関連処理を行う関連装置と
   を備え、前記塗布装置、前記現像装置及び前記関連装置の間で直列的に前記基板を搬送する基板搬送ラインが形成された基板処理装置であって、
   前記現像装置よりも下流側に配置される前記関連装置の一部に前記基板搬送ラインの側方から接続され、現像後の前記処理膜に紫外線照射処理を行う紫外線処理装置と、
   前記基板搬送ラインと前記紫外線照射装置との間で前記基板の受け渡しを行う基板搬送装置と
   をさらに備え、
   前記紫外線処理装置として、請求項１又は請求項２に記載の紫外線照射装置が用いられている
   基板処理装置。
5. 基板に処理膜の塗布処理を行う塗布装置と、
   前記基板に塗布された前記処理膜の現像処理を行う現像装置と、
   前記塗布処理、前記現像処理及び紫外線照射処理の関連処理を行う関連装置とを備え、前記塗布装置、前記現像装置及び前記関連装置の間で直列的に前記基板を搬送する基板搬送ラインが形成された基板処理装置の製造方法であって、
   現像後の前記処理膜に紫外線照射処理を行う紫外線処理装置を、前記現像装置よりも下流側に配置される前記関連装置の一部に前記基板搬送ラインの側方又は上方から接続する工程を有し、
   前記紫外線処理装置として、請求項１又は請求項２に記載の紫外線照射装置を用いる
   基板処理装置の製造方法。

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