JP6346786B2 - エッチング方法 - Google Patents
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 83
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 12
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 41
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- IGELFKKMDLGCJO-UHFFFAOYSA-N xenon difluoride Chemical compound F[Xe]F IGELFKKMDLGCJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
図1に示すウェーハWは、被加工物の一例であって、その表面Waには、複数のデバイスDと、デバイスDがそれぞれ形成されたデバイス領域を区画する複数の格子状のストリートSとを有している。ウェーハWの表面Waと反対側の面にある裏面Wbには、デバイスDが形成されていない。以下では、ウェーハWに対してエッチングを施す方法について説明する。このウェーハWは、図2に示す表面WaにデバイスDが形成されたデバイス領域が、ウェーハWに対してエッチングを施したくない非エッチング領域A1となっている。一方、ウェーハWの表面WaにストリートSが形成された領域が、ウェーハWに対してエッチングを施すべきエッチング領域A2となっている。
保護膜形成ステップ
まず、図3に示すように、例えばウェーハWの上方側に配置されたインクジェットノズル1を用いてデバイスDが形成されたデバイス領域(非エッチング領域A1)のみに保護膜を形成する。インクジェットノズル1は、その先端に形成された噴射口1aと、図示しないピエゾ素子とを有しており、ピエゾ素子の振動によって液状の保護膜剤を微小液滴として噴射口1aから噴射させることができる。なお、インクジェットノズル1はこの構成に限られるものではない。
保護膜形成ステップを実施した後、図6に示すように、表面WaのストリートS(図2に示すエッチング領域A2)に沿ってエッチングを施す。エッチングステップは、例えば特開2004−247454号公報で開示されるプラズマエッチング装置を用いて実施してもよいし、異なるエッチング装置を用いて実施してもよい。ここで、ウェーハWの基板がシリコンで形成され、深さ100μmのエッチング溝を形成する場合には、下記のエッチング条件A及びエッチング条件Bに基づいてエッチングを実施する。
エッチングガス:SF6
処理圧力:10[Pa]
ガス供給量:1500[cc/分]
プラズマ発生部に印加する高周波電力:3000[W]
基板側に印加する高周波電力:300[W]
エッチングガス:C4F8
処理圧力:10[Pa]
ガス供給量:1000[cc/分]
プラズマ発生部に印加する高周波電力:3000[W]
基板側に印加する高周波電力:0[W]
保護膜形成ステップ
本例では、保護膜形成ステップを、以下に示す第一工程と第二工程とに分ける。
図7に示すように、上記したインクジェットノズル1と同様の構成を有するインクジェットノズル4を用いて第一工程を実施する。具体的には、噴射口4aを下向きにしてインクジェットノズル4をデバイスDの上方側に位置づけ、噴射口4aから液状の保護膜剤5を微小液滴としてデバイス領域の一部である外周縁D1に沿って噴射する。このようにして保護膜剤5を外周縁D1に堆積させて土手6を形成する。そして、全てのデバイス領域の外周縁D1に沿って保護膜剤5の噴射を繰り返し行い、該外周縁D1に沿った土手6を形成する。土手6の内周側には凹部が形成され、図8に示すように、第一工程時は、デバイスDの表面が露出した状態となっている。
第一工程を実施した後、ポッティングによってデバイス領域に保護膜を形成する第二工程を実施する。具体的には、図9に示すように、吐出口8aを下向きにしてポッティング用ノズル8をデバイスDの上方に位置づけ、吐出口8aから液状の保護膜剤7aを滴下して土手6の内周側に向けて供給する。
保護膜形成ステップを実施した後、図11に示すように、ストリートS(図2に示すエッチング領域A2)に沿って上記エッチング方法の第一例のエッチングステップと同様のエッチングを施す。すなわち、図11(a)に示すように、ウェーハWの上方に配置されたガス供給部10aは、エッチング条件Aに基づいて、ストリートSに向けてSF6からなるエッチングガスを処理圧力(10Pa)で例えば0.6秒間噴射する。続いて、ガス供給部10aは、エッチング条件Aをエッチング条件Bに変えてストリートSに向けてC4F8からなるエッチングガスを処理圧力(10Pa)で例えば0.4秒間噴射する。このようにエッチング条件Aに基づく0.6秒のエッチングとエッチング条件Bに基づく0.4秒のエッチングとを交互に繰り返し行い、ウェーハWのストリートSに沿って4分間エッチングする。その結果、図11(b)に示すように、ウェーハWには、ストリートSに沿った溝11aが形成される。
4:インクジェットノズル 5,5a:保護膜剤 6:土手
7:保護膜 7a:保護膜剤 8:ポッティング用ノズル 8a:吐出口
10,10a:ガス供給部 11,11a:溝
Claims (1)
- エッチング領域と非エッチング領域とを備えた被加工物のエッチング方法であって、
該非エッチング領域のみに保護膜を形成する保護膜形成ステップと、
該保護膜形成ステップを実施した後、被加工物にエッチングを施して被加工物の該エッチング領域をエッチングするエッチングステップと、を備え、
被加工物は、表面に形成された複数のデバイスと、該デバイスが複数形成されたデバイス領域を区画する複数のストリートとを有し、
該非エッチング領域は該デバイス領域であり、
該エッチング領域は該ストリートであり、
該保護膜形成ステップは、該液状の保護膜剤を微小液滴として噴射して該デバイス領域の外周縁に沿った土手を形成する第一工程と、
該第一工程を実施した後、該土手の内周側に該保護膜剤を供給して該デバイス領域に保護膜を形成する第二工程と、
を含み、
該非エッチング領域の少なくとも一部に液状の保護膜剤を微小液滴として噴射して該保護膜を形成する被加工物のエッチング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014099384A JP6346786B2 (ja) | 2014-05-13 | 2014-05-13 | エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014099384A JP6346786B2 (ja) | 2014-05-13 | 2014-05-13 | エッチング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015216297A JP2015216297A (ja) | 2015-12-03 |
JP6346786B2 true JP6346786B2 (ja) | 2018-06-20 |
Family
ID=54752917
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014099384A Active JP6346786B2 (ja) | 2014-05-13 | 2014-05-13 | エッチング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6346786B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006210401A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの分割方法 |
JP4554384B2 (ja) * | 2005-01-27 | 2010-09-29 | 株式会社ディスコ | ウェーハの分割方法 |
JP5246001B2 (ja) * | 2009-04-10 | 2013-07-24 | パナソニック株式会社 | 基板の加工方法および半導体チップの製造方法ならびに樹脂接着層付き半導体チップの製造方法 |
-
2014
- 2014-05-13 JP JP2014099384A patent/JP6346786B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015216297A (ja) | 2015-12-03 |
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