JP6337757B2 - 露光装置、レジストパターン形成方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Description
レジスト膜を形成した基板に対して、パターンマスクを用いてパターン露光を行った後に、パターン露光領域を露光する装置であって
基板を載置する載置部と、
この載置部上の基板を露光する露光部と、
事前に得られた情報に基づいて、基板上の複数の領域の各々に応じて露光量を調整するための制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする。
他の発明の露光装置は、
レジスト膜を形成した基板に対して、パターンマスクを用いてパターン露光を行った後に、パターン露光領域を露光する装置であって、
基板を載置する第1の載置部と、この第1の載置部上の基板のパターン露光領域の全体を露光する第1の露光部と、を有する第1の露光ユニットと、
基板を載置する第2の載置部と、この第2の載置部上の基板の複数の領域を露光する第2の露光部と、事前に得られた情報に基づいて、基板上の複数の領域の各々に応じて前記第2の露光部の露光量を調整するための制御信号を出力する制御部と、を有する第2の露光ユニットと、
を備えたことを特徴とする。
レジストを用いて基板上に成膜したレジスト膜に対して、パターンマスクを用いてパターン露光する工程と、
事前に得られた情報に基づいて、基板上の複数の領域の各々に応じた露光量を決定する工程と、
その後、前記工程で決定された露光量に基づいて、基板のパターン露光領域を露光する工程と、
しかる後、基板を加熱する工程と、
続いて基板を現像する工程と、を含むことを特徴とする。
他の発明のレジストパターン形成方法は、
レジストを用いて基板上に成膜したレジスト膜に対して、パターンマスクを用いてパターン露光するパターン露光工程と、
このパターン露光工程で露光された基板上のパターン露光領域の全体を露光する第1の露光工程と、
事前に得られた情報に基づいて、前記パターン露光工程で露光された基板上のパターン領域における複数の領域の各々に応じた露光量を決定する工程と、
この工程で決定された露光量に基づいて、前記基板上の複数の領域を露光する第2の露光工程と、
しかる後、基板を加熱する工程と、
続いて基板を現像する工程と、を含むことを特徴とする。
レジスト膜を形成した基板に対して、パターン露光後に基板を露光する装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、上述のレジストパターン形成方法を実施するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。
また他の発明は、パターン露光の後に基板に露光を行うにあたって、基板の全体を露光する第1の露光と基板の複数の領域を露光する第2の露光とに分け、事前の情報に基づく基板の面内の露光量の調整を第2の露光により行うようにしている。従って露光量の調整が容易である。
本発明の実施形態である露光装置を含む塗布、現像装置8の構成について図1及び図2を参照しながら説明する。図1は塗布、現像装置8にパターン露光機C6が接続されたシステムの平面図であり、図2は同システムの斜視図である。この塗布、現像装置8にはキャリアブロックC1が設けられており、載置台81上に載置された密閉型のキャリアC内のウエハWは受け渡しアーム82により取り出される。受け渡しアーム82は、現像済みのウエハWを検査モジュールC2に受け渡し、検査モジュールC2から検査後のウエハWを受けとってキャリアCに戻す役割を持っている。前記検査モジュールC2は、後述するように処理済のウエハW上に形成されたパターンの線幅を検査するためのモジュールである。
一括露光装置1は、図3に示すようにステージ支持部14に支持され、ステージ支持部14に対して回転することができるウエハ載置部であるステージ13を備えている。ステージ支持部14は、例えばボールねじやモータなどを組み合わせてなるX移動機構12によりX方向に移動自在に構成されている。ステージ13の上方には、露光部11が設けられており、ステージ13及び露光部11は、一括露光装置1の外部と区画するための筐体(図示せず)内に配置されている。図3中L1は後述する露光部11からの光の照射領域(露光領域)である。
この例では、帯状の照射領域L1の幅寸法は、例えば分割領域のX方向の一辺よりも小さい値に設定されている。
製品であるウエハ(製品ウエハ)に対して塗布、現像装置内にて処理を開始する前に、例えばそのウエハに用いられるレジストと同一のレジスト、及びパターン露光マスクを用いてテストウエハにパターンを形成する。次いでテストウエハに対し一括露光装置1にて基準となる露光量を用いる他は、製品ウエハと同一にして一括露光を行い、次いで現像を行う。「製品ウエハと同一にして一括露光を行う」とは、テストウエハに対する照射領域L1の大きさ、テストウエハに対する照射領域のスキャン方向、スキャン速度が製品ウエハの場合と同一であるということである。
本実施形態の一括露光装置1においては、LEDシャッタ22に代えて、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)シャッタを用い、当該MEMSシャッタにおいて、画素ごとに設置した微小なシャッタを高速に開閉することによって光量を制御してもよい。
第2の実施形態に係る一括露光装置1について図9及び図10を参照しながら説明する。なお、以降の実施形態の説明においては、第1の実施形態に係る部分と同一の部分については同一の符号を付し、説明を省略する。
先ずパターン露光機C6にてパターンが形成されたウエハWを一括露光装置1内に搬入する。続いて露光部11において第1の実施形態と同様にしてウエハWの直径と同じかあるいはそれよりも少し長い帯状の照射領域L1を形成する。そして照射領域L1をウエハWの直径に位置させた状態で、ウエハWを支持するステージ13に接続された回転機構15を回転させることにより、ウエハWを例えば半回転(180°)回転させて、あるいは半回転の整数倍だけ回転させて照射領域L1をウエハW全体に亘ってスキャンさせる。
本発明は、このように照射領域L1をパターン露光時における1回の露光のマスクサイズよりも大きく設定し、照射領域L1の相対的移動について回転と直線移動とを組み合わせてもよい。このような例としては、例えば図9に示したように照射領域L1をウエハWの直径に対応する長さ寸法の帯状領域とし、この照射領域L1を例えばX移動機構12によりウエハWの径方向に移動させ、次いで照射領域LをウエハWの中心を回転中心として相対的に回転させる手法を挙げることができる。照射領域Lの相対的回転動作は、ウエハWの中心部を回転中心としてウエハWを回転させる手法を挙げることができる。この場合、ウエハWの径方向の移動パターンの例としては、例えばウエハWの全面を照射領域L1により走査する例が挙げられる。
また、マスク23を用いる代わりとして、マスクの開口部231に対応するLCDシャッタ22の各ピクセル以外のピクセルをオフにして照射領域L1を形成するようにしてもよい。
さらにまた、ウエハW側を移動させる代わりに露光部11側を移動させてもよいし、あるいはウエハWと露光部11側の双方を移動させてもよい。
第1の実施形態及び第2の実施形態においては、ウエハWに対して帯状の照射領域L1にて露光した状態にてウエハWに対する照射領域L1を相対的且つ連続的に移動させているが、第3の実施形態は、パターン露光機C6におけるパターン露光のようにステップ露光を行う態様である。
具体的には、第3の実施形態にかかる一括露光装置1は、図12に示すように、ステージ13がX移動機構12及びY移動機構16によりX、Y方向の双方に移動可能となるように構成されている。
LCDシャッタ22やMEMSシャッタにおける照射領域L2に対応する以外の領域のピクセルをオフにして光透過領域を規制してもよい。あるいは第1の実施形態のように、照射領域L2に対応する開口部を備えたマスクを用いてもよい。制御部100内のプログラムは、照射領域L2を形成するための工程、ウエハWに一括露光を行う時の露光量の調整に関する工程を実行するようにステップが組まれている。
そして図16に示すように、一括露光時におけるショット(ステップ露光)の順序(P1´、P2´、P3´・・・)をパターン露光時のショットの順序(P1、P2、P3・・・)に合わせると共に、一括露光時における各ショットの露光のタイミング(1番目のショットを行ってから続く各ショットの開始時間)をパターン露光時のショットのタイミングに合わせている。なお、一括露光装置1に搬入されるウエハWの向きは、例えばノッチを基準に常に一定である。従って、1番目のショットが行われてから、n(nは整数)番目のショットが開始されるまでの時間は、パターン露光及び一括露光の間で揃うことになる。このように処理することにより、各チップの間で、あるいはチップのグループの間で、パターンの線幅の面内均一性の調整が行いやすくなる。
このような実施形態においても、第1の実施形態と同様に、ウエハWの面内におけるパターン線幅の均一性を高めることができる。
そして一括露光時に各ショットの露光量を調整するためには、既述のように露光部11の光強度の調整に限らず照射時間を調整してもよいし、両方を組み合わせてもよい。
また、本発明の一括露光装置1を含めた塗布、現像装置8によるウエハWの処理においては、パターン露光機C6から一括露光装置1までのウエハWの搬送経路にバッファ領域を設けて、バッファ時間が存在するようにしてもよい。パターン露光機C6からは常に一定の時間間隔でウエハWが塗布、現像装置に払い出されるわけではないので、ウエハW間の払い出しのタイミングが早い場合にはバッファ領域にて待たせることにより各ウエハW間にて、パターン露光が終了してから一括露光が行われるまでの時間が揃う。
そしてこのバッファ時間の長さについては、パターン露光の開始からPEBの開始可能までの時間のバラツキを予めシミュレートし、最も遅いPEBの開始可能時間に対応して決定することにより、一括露光装置1の処理が終了してからPEBが開始されるまでの時間についてもウエハWの間で揃う。
本発明の第4の実施形態が第1〜第3の実施形態と異なる個所は次の通りである。図20(a)は、第1〜第3の実施形態(以下、「先の実施形態」という)におけるウエハWの処理の順序の概略を示している。先の実施形態では、ウエハWはレジスト膜が形成された後、パターン露光機C6にてパターン露光され、次いで一括モジュールC4内の一括露光装置1(図1参照)にて一括露光され、更に処理ブロックC3内にて加熱処理(PEB)された後、現像処理される。
高照度露光の露光量については、ウエハのロットに対して事前に各分割領域における一括露光時の露光量の最小値を見込んでおき、その最小値に対してマージンをとってマージン分だけ低い露光量を高照度の露光量として設定する。このため低照度の露光量は例えば高照度の露光量に対して高々1%程度である。図21は例えば(a)に示すように高照度露光を行い、次いで(b)のように低照度露光を行うことにより、(c)に示すように、先の実施形態のように一括露光を行った結果になることを示している。
高照度露光ユニット1−1及び低照度露光ユニット1−2の各々は、先の実施形態で使用した一括露光装置1と同じ構成のものを使用することができる。そして、高照度露光ユニット1−1は、ウエハWの全面を同じ露光量で露光する点において一括露光装置1と異なり、また低照度露光ユニット1−2は、メモリ104内のデータに基づいて露光量の調整が行われるが、露光量が小さいという点で一括露光装置1と異なる。
高照度露光と低照度露光との順番については、高照度露光、低照度露光の順番に限られず、図20(c)に示すように、低照度露光、高照度露光の順番であってもよい。
また第4の実施形態では、ウエハWの全面を露光する場合、例えば全面を同じ露光量で露光する場合(第1の露光工程)には高照度、ウエハW上の各領域について露光量を調整して露光する場合(第2の露光工程)には低照度で夫々露光を行っていたが、本発明ではこのような手法に限られず、例えば第1及び第2の露光工程を同程度の照度で行うなどの手法を採用してもよい。
1 一括露光装置
1−1 高照度露光装置
1−2 低照度露光装置
11 露光部
13 ステージ
21 光源
22 LCDシャッタ
23 マスク
83 塗布モジュール
84 現像モジュール
100 制御部
C6 パターン露光機
L1、L2、L3 照射領域
W ウエハ
Claims (34)
- レジスト膜を形成した基板に対して、パターンマスクを用いてパターン露光を行った後に、パターン露光領域を露光する装置であって、
基板を載置する載置部と、
前記載置部上の基板を露光し、その照射領域が基板のレジストパターン形成領域の全体よりも小さく設定されると共にY方向に沿って帯状に伸びる露光部と、
前記照射領域を前記載置部上の基板に対して基板の面に沿って相対的にX方向に連続して移動させる移動機構と、
事前に得られた情報に基づいて、前記基板上における照射領域の位置に応じて露光量を調整するために、前記基板上における照射領域の位置に応じて照射領域の移動速度を調整するように前記移動機構に制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする露光装置。 - レジスト膜を形成した基板に対して、パターンマスクを用いてパターン露光を行った後に、パターン露光領域を露光する装置であって、
基板を載置する載置部と、
前記載置部上の基板を露光し、その照射領域が基板のレジストパターン形成領域の全体よりも小さく設定されると共に基板の中心部側から基板の周縁部に向かって帯状に伸びる露光部と、
前記基板の中心部を回転中心として照射領域に対して基板を相対的に回転させる回転機構を含む移動機構と、
事前に得られた情報に基づいて、前記基板上における照射領域の位置に応じて露光量を調整するために、前記基板上における照射領域の位置に応じて照射領域の移動速度を調整するように前記移動機構に制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする露光装置。 - レジスト膜を形成した基板に対して、パターンマスクを用いてパターン露光を行った後に、パターン露光領域を露光する装置であって、
基板を載置する載置部と、
前記載置部上の基板を露光し、その照射領域がパターン露光時における1回の露光のマスクサイズよりも大きく設定された露光部と、
前記照射領域を基板の径方向に相対的に移動させる機構と、前記照射領域を、基板の中心部を回転中心として前記基板に対して相対的に回転させる機構と、を備えた移動機構と、
事前に得られた情報に基づいて、前記基板上における照射領域の位置に応じて露光量を調整するための制御信号を出力する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記照射領域を基板の径方向に相対的に移動させるステップと、前記照射領域を、基板の中心部を回転中心として前記基板に対して相対的に回転させるステップと、を実行するように前記移動機構に制御信号を出力することを特徴とする露光装置。 - レジスト膜を形成した基板に対して、パターンマスクを用いてパターン露光を行った後に、パターン露光領域を露光する装置であって、
基板を載置する載置部と、
前記載置部上の基板を露光し、その照射領域がパターン露光時における1回の露光のマスクサイズに対応する大きさの整数倍の大きさに設定された露光部と、
前記照射領域を前記載置部上の基板に対して基板の面に沿って相対的に移動させる移動機構と、
事前に得られた情報に基づいて、前記基板上における照射領域の位置に応じて露光量を調整するための制御信号を出力する制御部と、を備え、
前記移動機構は、前記照射領域をパターン露光時の露光領域に順次停止するように前記基板に対して相対的に間欠的に移動させるように構成され、
前記制御部は、照射領域が基板に対して静止しているときだけ露光するように制御信号を出力することを特徴とする露光装置。 - レジスト膜を形成した基板に対して、パターンマスクを用いてパターン露光を行った後に、パターン露光領域を露光する装置であって、
基板を載置する第1の載置部と、この第1の載置部上の基板のパターン露光領域の全体を露光する第1の露光部と、を有する第1の露光ユニットと、
基板を載置する第2の載置部と、この第2の載置部上の基板の複数の領域を露光する第2の露光部と、事前に得られた情報に基づいて、基板上の複数の領域の各々に応じて前記第2の露光部の露光量を調整するための制御信号を出力する制御部と、を有する第2の露光ユニットと、
を備えたことを特徴とする露光装置。 - 前記第2の露光部は、前記第1の露光部の露光時の照度よりも小さな照度で露光するように構成されていることを特徴とする請求項5記載の露光装置。
- 前記情報は、露光後に加熱し、次いで現像することにより得られた基板上のレジストパターンを検査装置により検査して取得されたパターンの線幅の情報であることを特徴とする請求項5または6に記載の露光装置。
- 前記レジストパターンは、基板上のレジスト膜に対してパターン露光を行い、次いで基板全面に対して露光を行った後に、加熱し、次いで現像することにより得られたものであることを特徴とする請求項7記載の露光装置。
- 前記制御部は、前記情報に基づいて作成された、基板上の位置と露光量とを対応させたデータを記憶する記憶部を備えたことを特徴とする請求項5ないし8のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記第2の露光部の照射領域は、基板のレジストパターン形成領域の全体よりも小さく設定され、
前記照射領域を前記第2の載置部上の基板に対して基板の面に沿って相対的に移動させる移動機構を設け、
前記制御部は、前記基板上における照射領域の位置に応じて露光量を調整するための制御信号を出力するように構成されていることを特徴とする請求項5または6に記載の露光装置。 - 前記移動機構は、前記照射領域を前記基板に対して相対的にX方向に連続して移動させるように構成され、
前記照射領域は、Y方向に沿って帯状に伸びることを特徴とする請求項10記載の露光装置。 - 前記制御部は、前記基板上における前記照射領域のX方向の位置に応じてY方向の照度分布を調整するための制御信号を出力するように構成されている請求項11記載の露光装置。
- 前記照射領域の長さ寸法は、基板のレジストパターン形成領域の全体におけるY方向の最大寸法以上に設定されていることを特徴とする請求項11または12記載の露光装置。
- 前記照射領域は、基板の中心部側から基板の周縁部に向かって帯状に伸び、
前記移動機構は、基板の中心部を回転中心として照射領域に対して基板を相対的に回転させる回転機構を含むことを特徴とする請求項10記載の露光装置。 - 前記制御部は、前記照射領域の位置に応じて照射領域の長さ方向の照度分布を調整するための制御信号を出力するように構成されていることを特徴とする請求項14記載の露光装置。
- 前記制御部は、前記基板上における照射領域の位置に応じて照射領域の移動速度を調整するように前記移動機構に制御信号を出力することを特徴とする請求項11または14記載の露光装置。
- 前記照射領域は、パターン露光時における1回の露光のマスクサイズよりも大きく設定され、
前記移動機構は、前記照射領域を基板の径方向に相対的に移動させる機構と、前記照射領域を、基板の中心部を回転中心として前記基板に対して相対的に回転させる機構と、を備え、
前記制御部は、前記照射領域を基板の径方向に相対的に移動させるステップと、前記照射領域を、基板の中心部を回転中心として前記基板に対して相対的に回転させるステップと、を実行するように前記移動機構に制御信号を出力することを特徴とする請求項10記載の露光装置。 - 前記照射領域は、パターン露光時における1回の露光のマスクサイズに対応する大きさの整数倍の大きさに設定され、
前記移動機構は、前記照射領域をパターン露光時の露光領域に順次停止するように前記基板に対して相対的に間欠的に移動させるように構成され、
前記制御部は、照射領域が基板に対して静止しているときだけ露光するように制御信号を出力することを特徴とする請求項10に記載の露光装置。 - 前記制御部は、パターン露光時における露光の順序に対応した順序で、前記照射領域を前記基板に対して相対的に間欠的に移動させるように制御信号を出力する請求項4または18記載の露光装置。
- 前記制御部は、前記基板上における前記照射領域のX方向及びY方向の位置に応じて露光量を調整するための制御信号を出力するように構成されている請求項4、18または19記載の露光装置。
- 前記制御部は、前記基板上における前記照射領域の位置に応じて照射領域内の照度分布を調整するための制御信号を出力するように構成されていることを特徴とする請求項4、18、19または20に記載の露光装置。
- 前記露光部は、電気信号により光透過状態と遮光状態との一方を選択可能な複数の被制御領域がその面方向に沿って配列された光制御板を備え、
前記制御信号は、前記被制御領域の状態を制御するための信号、または光透過状態の時間と遮光状態の時間との比率を制御するための信号であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一項に記載の露光装置。 - 前記露光部は、複数の発光ダイオードを備え、
前記制御信号は、前記発光ダイオードの駆動電流を制御するための信号であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一項に記載の露光装置。 - レジストを用いて基板上に成膜したレジスト膜に対して、パターンマスクを用いてパターン露光する工程と、
事前に得られた情報に基づいて、基板上の複数の領域の各々に応じた露光量を決定する工程と、
その後、前記工程で決定された露光量に基づいて、基板のパターン露光領域を露光する工程と、
しかる後、基板を加熱する工程と、
続いて基板を現像する工程と、を含み、
前記露光量を決定する工程に基づいて露光する工程は、
基板上のレジストパターン形成領域の全体よりも小さく設定された露光部の照射領域を、基板に対して基板の面に沿って相対的に移動させる工程と、
前記基板上における照射領域の位置に応じて露光量を調整する工程と、を含み、
前記照射領域を、基板に対して基板の面に沿って相対的に移動させる工程は、基板の中心部を回転中心として照射領域に対して基板を相対的に回転させる工程と前記照射領域を基板の径方向に移動させる工程とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。 - レジストを用いて基板上に成膜したレジスト膜に対して、パターンマスクを用いてパターン露光する工程と、
事前に得られた情報に基づいて、基板上の複数の領域の各々に応じた露光量を決定する工程と、
その後、前記工程で決定された露光量に基づいて、基板のパターン露光領域を露光する工程と、
しかる後、基板を加熱する工程と、
続いて基板を現像する工程と、を含み、
前記露光量を決定する工程に基づいて露光する工程は、
基板上のレジストパターン形成領域の全体よりも小さく設定された露光部の照射領域を、基板に対して基板の面に沿って相対的に移動させる工程と、
前記基板上における照射領域の位置に応じて露光量を調整するために照射領域の移動速度を調整する工程を含み、
前記照射領域を、基板に対して基板の面に沿って相対的に移動させる工程は、基板の中心部を回転中心として照射領域に対して基板を相対的に回転させる工程であることを特徴とするレジストパターン形成方法。 - 前記照射領域を、基板に対して基板の面に沿って相対的に移動させる工程は、更に前記照射領域を基板の径方向に移動させる工程を含むことを特徴とする請求項25に記載のレジストパターン形成方法。
- レジストを用いて基板上に成膜したレジスト膜に対して、パターンマスクを用いてパターン露光する工程と、
事前に得られた情報に基づいて、基板上の複数の領域の各々に応じた露光量を決定する工程と、
その後、前記工程で決定された露光量に基づいて、基板のパターン露光領域を露光する工程と、
しかる後、基板を加熱する工程と、
続いて基板を現像する工程と、を含み、
露光後に加熱し、次いで現像することにより得られた基板上のレジストパターンを検査装置により検査して取得されたレジストパターンの側壁の角度情報に基づいて、パターン露光領域を露光する工程時における露光波長を選択することを特徴とするレジストパターン形成方法。 - レジストを用いて基板上に成膜したレジスト膜に対して、パターンマスクを用いてパターン露光するパターン露光工程と、
このパターン露光工程で露光された基板上のパターン露光領域の全体を露光する第1の露光工程と、
事前に得られた情報に基づいて、前記パターン露光工程で露光された基板上のパターン領域における複数の領域の各々に応じた露光量を決定する工程と、
この工程で決定された露光量に基づいて、前記基板上の複数の領域を露光する第2の露光工程と、
しかる後、基板を加熱する工程と、
続いて基板を現像する工程と、を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。 - 前記露光量を決定する工程に基づいて露光する工程は、
基板上のレジストパターン形成領域の全体よりも小さく設定された露光部の照射領域を、基板に対して基板の面に沿って相対的に移動させる工程と、
前記基板上における照射領域の位置に応じて露光量を調整する工程と、を含むことを特徴とする請求項28に記載のレジストパターン形成方法。 - 前記照射領域を、基板に対して基板の面に沿って相対的に移動させる工程は、基板の中心部を回転中心として照射領域に対して基板を相対的に回転させる工程であることを特徴とする請求項29に記載のレジストパターン形成方法。
- 前記照射領域を、基板に対して基板の面に沿って相対的に移動させる工程は、更に前記照射領域を基板の径方向に移動させる工程を含むことを特徴とする請求項30に記載のレジストパターン形成方法。
- 照射領域の位置に応じた露光量の調整を行うために、照射領域の移動速度を調整する工程を含むことを特徴とする請求項30または31に記載のレジストパターン形成方法。
- 露光後に加熱し、次いで現像することにより得られた基板上のレジストパターンを検査装置により検査して取得されたレジストパターンの側壁の角度情報に基づいて、パターン露光領域を露光する工程時における露光波長を選択することを特徴とする請求項25ないし32のいずれか一項に記載のレジストパターン形成方法。
- レジスト膜を形成した基板に対して、パターン露光後に基板を露光する装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項25ないし33のいずれか一項のレジストパターン形成方法を実施するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
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