JP6984228B2 - 露光装置、露光装置の調整方法及び記憶媒体 - Google Patents

Description

本発明は基板の表面全体を露光する技術に関する。

半導体装置の製造工程では、基板である半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）の表面全体を露光する処理が行われる場合が有る。例えば、特許文献１にはウエハの表面に光増感化学増幅型レジストによって構成されるレジスト膜を形成し、次いでパターンマスクを用いた露光により当該レジスト膜を露光し、その後に当該ウエハの表面全体を露光することが記載されている。上記のウエハの表面全体の露光（一括露光）により、レジスト膜のうちパターンマスクによって露光された領域において酸が増殖し、この一括露光後に行われる加熱処理と現像処理とによって当該領域が溶解して、レジストパターンが形成される。

上記のウエハの表面全体の露光は、各々下方に向けて光を照射する複数のＬＥＤ（発光ダイオード）を横方向に配列し、当該ＬＥＤの列の下方を前後方向にウエハを移動させることで行われる。特許文献１にはこのような構成の露光装置について示されている。ところで、この表面全体の露光を行う装置の使用を続けるにあたり、ＬＥＤに供給する電流値が一定であると、ＬＥＤの劣化によりウエハの各部の露光量が次第に低下する。その結果、所望の処理が行えなくなってしまうおそれが有る。例えば上記のようにレジスト膜に酸を発生させるためにウエハ表面全体を露光する場合は、形成されるレジストパターンの寸法であるＣＤ（Critical Dimension）がウエハの面内でばらついてしまうことが考えられる。特許文献１においては、このような問題の解決手法は記載されていない。

特開２０１５−１５６４７２号公報

本発明はこのような問題を解決するためになされたものであり、その目的は、基板の表面全体を露光する露光装置において、基板面内の各部を適切な露光量で露光することができる技術を提供することである。

本発明の露光装置は、基板を載置するための載置部と、
前記基板の表面の左右の互いに異なる位置に各々独立して光を照射して、前記基板の表面の一端から他端に亘る帯状の照射領域を形成する複数の光照射部と、
前記基板の表面全体が露光されるように、前記照射領域に対して前記載置部を前後に相対的に移動させる載置部用移動機構と、
前記照射領域の長さ方向における照度分布を検出するために、当該照射領域を一端部と他端部との間で移動して光を受光する受光部と、
を備え、
前記受光部は、前記基板が移動する移動路を移動する導光部材を備え、
前記導光部材によって導光される光の照度を検出するための照度検出部が設けられ、
前記導光部材は、前記照度検出部に導光される光の強度を減衰させるための減衰部を備えていることを特徴とする露光装置。
本発明の他の露光装置は、基板を載置するための載置部と、
前記基板の表面の左右の互いに異なる位置に各々独立して光を照射して、前記基板の表面の一端から他端に亘る帯状の照射領域を形成する複数の光照射部と、
前記基板の表面全体が露光されるように、前記照射領域に対して前記載置部を前後に相対的に移動させる載置部用移動機構と、
前記照射領域の長さ方向における照度分布を検出するために、当該照射領域を一端部と他端部との間で移動して光を受光する受光部と、
を備え、
前記複数の光照射部とは別個に、前記基板への光照射を行わない監視用光照射部が設けられ、
前記照度検出部は、前記複数の光照射部及び前記監視用光照射部のうちの一方から照射される光を選択的に受光し、
前記調整部は、前記監視用光照射部から前記照度検出部に照射された光の照度に基づいて、前記基板を露光するときの各光照射部から出力される光量を一括で調整することを特徴とする。

本発明の露光装置の調整方法は、基板を載置部に載置する工程と、
複数の光照射部により、前記基板の表面の左右の互いに異なる位置に各々独立して光を照射して、前記基板の表面の一端から他端に亘る帯状の照射領域を形成する工程と、
載置部用移動機構により、前記基板の表面全体が露光されるように、前記照射領域に対して前記載置部を前後に相対的に移動させる工程と、
前記照射領域の長さ方向における照度分布を検出するために、受光部を当該照射領域の一端部と他端部との間で移動させて、光を受光させる工程と、
前記照度分布に基づいて、前記光照射部の光の照射量を調整する工程と、
を備え、
前記受光部は、前記基板が移動する移動路を移動する導光部材を備え、
前記導光部材は、前記照度検出部に導光される光の強度を減衰させるための減衰部を備え、
前記導光部材によって導光される光の照度を照度検出部により検出する工程を備えることを特徴とする。
本発明の他の露光装置の調整方法は、基板を載置部に載置する工程と、
複数の光照射部により、前記基板の表面の左右の互いに異なる位置に各々独立して光を照射して、前記基板の表面の一端から他端に亘る帯状の照射領域を形成する工程と、
載置部用移動機構により、前記基板の表面全体が露光されるように、前記照射領域に対して前記載置部を前後に相対的に移動させる工程と、
前記照射領域の長さ方向における照度分布を検出するために、受光部を当該照射領域の一端部と他端部との間で移動させて、光を受光させる工程と、
前記照度分布に基づいて、前記光照射部の光の照射量を調整する工程と、
を備え、
前記複数の光照射部、及び前記複数の光照射部とは別個に設けられて前記基板への光照射を行わない監視用光照射部のうちの一方から照射される光を選択的に前記照度検出部により受光する工程と、
前記監視用光照射部から前記照度検出部に照射された光の照度に基づいて、前記基板を露光するときの各光照射部から出力される光量を一括で調整する工程と、
を備えることを特徴とする。

基板を露光するための露光装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、上記の露光装置の調整方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。

本発明によれば、複数の光照射部によって前後に移動する基板の表面の左右の一端から他端に亘る帯状の照射領域が形成され、この照射領域の一端部から他端部へ移動して光を受光する受光部が設けられる。それによって、照射領域の長さ方向における照度分布を検出することができる。従って、基板の各部における露光量が所定の量からずれることを抑制し、当該基板に不具合が発生することを防ぐことができる。

本発明の露光装置が適用された塗布、現像装置の平面図である。 前記塗布、現像装置の縦断側面図である。 第１の実施形態に係る一括露光モジュールの縦断側面図である。 前記一括露光モジュールの横断平面図である。 一括露光モジュールにより形成される照射領域の模式図である。 前記一括露光モジュールに設けられるセルの構成を示すブロック図である。 前記一括露光モジュールに設けられる導光部の斜視図である。 前記導光部の縦断側面図である。 前記導光部の縦断正面図である。 前記一括露光モジュールに設けられるメモリに記憶されるデータの概略を示すグラフ図である。 前記メモリに記憶されるデータの概略を示すグラフ図である。 前記一括露光モジュールによる露光処理を示す説明図である。 前記セルへの供給電流を調整する照度調整のフロー図である。 前記供給電流の調整時における前記導光部の動作を示す説明図である。 取得される照度分布の一例を示すグラフ図である。 第２の実施形態に係る一括露光モジュールの縦断側面図である。 前記一括露光モジュールの縦断背面図である。 第３の実施形態に係る一括露光モジュールの縦断側面図である。 前記一括露光モジュールの横断平面図である。 第４の実施形態に係る一括露光モジュールの縦断側面図である。 前記一括露光モジュールの縦断背面図である。 第５の実施形態に係る一括露光モジュールの縦断側面図である。 前記一括露光モジュールの縦断背面図である。 第６の実施形態に係る一括露光モジュールの縦断側面図である。 前記一括露光モジュールの縦断側面図である。 前記一括露光モジュールの縦断背面図である。 第７の実施形態に係る一括露光モジュールの縦断側面図である。 前記一括露光モジュールの縦断側面図である。 第８の実施形態に係る一括露光モジュールの縦断側面図である。 前記一括露光モジュールの縦断背面図である。 前記一括露光モジュールに設けられる石英ロッドの側面図である。 前記石英ロッドの上面図である。 前記一括露光モジュールに用いられる冶具の斜視図である。 前記冶具の縦断側面図である。 前記冶具の平面図である。

（第１の実施形態）
本発明が適用された塗布、現像装置１について、平面図、概略縦断側面図である図１、図２を参照しながら説明する。塗布、現像装置１は、キャリアブロックＤ１と、処理ブロックＤ２と、インターフェイスブロックＤ３と、を水平に直線状に接続することで構成されている。便宜上、これらのブロックＤ１〜Ｄ３の配列方向をＹ方向、Ｙ方向に直交する水平方向をＸ方向とする。インターフェイスブロックＤ３には露光装置Ｄ４が接続されている。キャリアブロックＤ１は、例えば直径が３００ｍｍの円形の基板であるウエハＷを格納するキャリアＣが載置される載置部１１を備えている。図中１２は開閉部、図中１３は介してキャリアＣと処理ブロックＤ２との間でウエハＷを搬送するための移載機構である。

処理ブロックＤ２は、ウエハＷに液処理を行う単位ブロックＥ１〜Ｅ６が下方から順番に積層されて構成されており、これらの単位ブロックＥ１〜Ｅ６では互いに並行してウエハＷの搬送及び処理が行われる。単位ブロックＥ１、Ｅ２が互いに同様に構成され、単位ブロックＥ３、Ｅ４が互いに同様に構成され、単位ブロックＥ５、Ｅ６が互いに同様に構成されている。

ここでは単位ブロックのうち代表してＥ５を、図１を参照しながら説明する。キャリアブロックＤ１からインターフェイスブロックＤ３へ向かう搬送領域１４のＸ方向の一方側には棚ユニットＵが前後方向に複数配置され、他方側には２つの現像モジュール２１がＹ方向に並べて設けられている。現像モジュール２１は、ウエハＷの表面に形成されたレジスト膜に現像液を供給する。棚ユニットＵは、ウエハＷを加熱する加熱モジュール２２と、一括露光モジュール３と、を備えている。一括露光モジュール３は、本発明に係る露光装置をなし、ウエハＷの表面全体を露光する。これ以降、この表面全体の露光を一括露光とする。一括露光モジュール３の詳細な構成は後述する。また、上記の搬送領域１４には、ウエハＷの搬送機構である搬送アームＦ５が設けられており、この単位ブロックＥ５に設けられる各モジュール及び後述のタワーＴ１、Ｔ２において単位ブロックＥ５と同じ高さに設けられるモジュール間でウエハＷが搬送される。

単位ブロックＥ１〜Ｅ４は、ウエハＷに供給する薬液が異なることを除き、単位ブロックＥ５、Ｅ６と同様に構成される。単位ブロックＥ１、Ｅ２は、現像モジュール２１の代わりにウエハＷに反射防止膜形成用の薬液を供給する反射防止膜形成モジュールを備えている、単位ブロックＥ３、Ｅ４は、現像モジュール２１の代わりにウエハＷに薬液として光増感化学増幅型レジストと呼ばれるレジストを供給してレジスト膜を形成するレジスト膜形成モジュールを備える。図２では各単位ブロックＥ１〜Ｅ６の搬送アームをＦ１〜Ｆ６として示している。

処理ブロックＤ２におけるキャリアブロックＤ１側には、各単位ブロックＥ１〜Ｅ６に跨って上下に伸びるタワーＴ１と、タワーＴ１に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な受け渡し機構である受け渡しアーム１５とが設けられている。タワーＴ１は互いに積層された複数のモジュールにより構成されており、ウエハＷが載置される受け渡しモジュールＴＲＳを備えている。

インターフェイスブロックＤ３は、単位ブロックＥ１〜Ｅ６に跨って上下に伸びるタワーＴ２、Ｔ３、Ｔ４を備えており、タワーＴ２とタワーＴ３に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な受け渡し機構であるインターフェイスアーム１６と、タワーＴ２とタワーＴ４に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な受け渡し機構であるインターフェイスアーム１７と、タワーＴ２と露光装置Ｄ４の間でウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェイスアーム１８が設けられている。露光装置Ｄ４はパターンマスクを用いてウエハＷの表面を例えば極端紫外線（ＥＵＶ）により露光する。つまり、一括露光モジュール３と異なり、ウエハＷの一部を限定的に露光する。露光装置Ｄ４による露光を、一括露光モジュール３による一括露光と区別するために、パターン露光として記載する場合が有る。

タワーＴ２は、受け渡しモジュールＴＲＳ、露光処理前の複数枚のウエハＷを格納して滞留させるバッファモジュール、露光処理後の複数枚のウエハＷを格納するバッファモジュール、及びウエハＷの温度調整を行う温度調整モジュールＳＣＰＬなどが互いに積層されて構成されているが、ここでは、バッファモジュール及び温度調整モジュールの図示は省略する。なお、タワーＴ３、Ｔ４にも夫々モジュールが設けられているが、ここでは説明を省略する。

この塗布、現像装置１及び露光装置Ｄ４からなるシステムにおけるウエハＷの搬送経路について説明する。ウエハＷは、キャリア１１から移載機構１３により、処理ブロックＤ２におけるタワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ０に搬送される。この受け渡しモジュールＴＲＳ０からウエハＷは、単位ブロックＥ１、Ｅ２に振り分けられて搬送される。例えばウエハＷを単位ブロックＥ１に受け渡す場合には、タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳのうち、単位ブロックＥ１に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ１（搬送アームＦ１によりウエハＷの受け渡しが可能な受け渡しモジュール）に対して、上記の受け渡しモジュールＴＲＳ０からウエハＷが受け渡される。またウエハＷを単位ブロックＥ２に受け渡す場合には、タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳのうち、単位ブロックＥ２に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ２に対して、前記ＴＲＳ０からウエハＷが受け渡される。これらのウエハＷの受け渡しは、受け渡しアーム１５により行われる。

このように振り分けられたウエハＷは、受け渡しモジュールＴＲＳ１（ＴＲＳ２）→反射防止膜形成モジュール→加熱モジュール→受け渡しモジュールＴＲＳ１（ＴＲＳ２）の順に搬送され、続いて受け渡しアーム１５により単位ブロックＥ３に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ３と、単位ブロックＥ４に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ４とに振り分けられる。

このように受け渡しモジュールＴＲＳ３、ＴＲＳ４に振り分けられたウエハＷは、受け渡しモジュールＴＲＳ３（ＴＲＳ４）からレジスト膜形成モジュールに搬送されて、表面全体に上記の光増感化学増幅型レジストが塗布され、レジスト膜が形成される。然る後、ウエハＷは、加熱モジュール→タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳの順で搬送される。その後、このウエハＷは、インターフェイスアーム１６、１８により、タワーＴ３を介して露光装置Ｄ４へ搬入され、レジスト膜がパターン露光され、パターン露光された領域に酸と光増感剤とが発生する。

パターン露光後のウエハＷは、インターフェイスアーム１６、１７によりタワーＴ２、Ｔ４間を搬送されて、単位ブロックＥ５、Ｅ６に対応するタワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ５１、ＴＲＳ６１に夫々搬送される。然る後、一括露光モジュール３にてウエハＷの表面全体が露光され、上記の光増感剤が光を吸収し、パターン露光された領域においてさらに酸と光増感剤とが発生する。つまり、一括露光が行われることで、パターン露光が行われた領域において限定的に酸が増殖する。然る後、ウエハＷは加熱モジュール２２に搬送されて加熱される。いわゆるポストエクスポージャベーク（ＰＥＢ）が行われる。

このＰＥＢによってパターン露光された領域が、上記の酸によって現像液に可溶となるように変質する。続いてウエハＷは、現像モジュール２１に搬送されて現像液が供給され、変質した領域が現像液に溶解することによってレジストパターンが形成される。その後、ウエハＷはタワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ５、ＴＲＳ６に搬送された後、移載機構１３を介してキャリアＣに戻される。

続いて、上記の単位ブロックＥ５に設けられる一括露光モジュール３について、図３の縦断側面図及び図４の横断平面図を参照しながら説明する。図中３１は筐体であり、当該筐体３１の側壁にはウエハＷの搬送口３２が開口している。筐体３１内には、ウエハＷが水平に載置される円形の載置台（載置部）３３が設けられている。上記の搬送アームＦ５は、載置台３３に対してウエハＷを互いの中心軸が揃うように受け渡す。載置台３３は、載置されたウエハＷを吸着保持する。図中３４は載置台３３の下方に設けられる回転機構であり、載置台３３に載置されたウエハＷが中心軸回りに回転するように、当該載置台３３を回転させる。図中３５は支持台であり、回転機構３４を下方から支持する。図中３６は、モータとボールねじとを含む載置部用移動機構である。モータによりボールねじが回転し、当該ボールねじに接続される上記の支持台３５が、載置台３３と共に前後に水平移動する。

上記の支持台３５の移動により、載置台３３は筐体３１内において上記の搬送口３２に比較的近く、搬送アームＦ５によりウエハＷの受け渡しが行われる受け渡し位置と、筐体３１内において上記の搬送口３２から比較的大きく離れ、後述するようにウエハＷの向きの調整が行われる向き調整位置との間で移動する。図３、図４では、受け渡し位置に位置する載置台３３を示している。これ以降の説明では、この載置台３３の移動方向において、受け渡し位置側を前方側、向き調整位置側を後方側とする。

筐体３１内の後方側には、ウエハＷの周縁に形成された切り欠きであるノッチＮを検出する検出機構をなす投光部３８と受光部３９とが設けられている。投光部３８及び受光部３９は、上記の向き調整位置に位置する載置台３３上のウエハＷの周縁部を上下に挟むように設けられ、載置台３３によるウエハＷの回転中、投光部３８から受光部３９へ光が照射される。この回転中に受光部３９が受光する光量の変化に基づいて、後述の制御部１０がノッチＮを検出する。載置台３３及び回転機構３４によって、検出されたノッチＮが所定の向きを向くようにウエハＷの向きが調整される。

上記の載置部用移動機構３６によるウエハＷの移動路の上方には、光源ユニット４０が設けられている。光源ユニット４０は、ケース体４１、シャッタ４４、ＬＥＤ群４７、支持基板４５、制御基板４９及び照度分布検出部５を備えている。ケース体４１の下部は、載置部用移動機構３６によるウエハＷの前後方向の移動路を覆う水平板４２として構成されている。この水平板４２の前後方向の中央部には、左右方向に伸びる露光用開口部４３が設けられており、水平板４２上にはシャッタ４４が設けられている。シャッタ４４はケース体４１内に設けられる図示しない移動機構により、露光用開口部４３を塞ぐ閉鎖位置と、当該閉鎖位置の後方側で露光用開口部４３を開放する開放位置との間で移動する。

ケース体４１内において露光用開口部４３の上方には支持基板４５が水平に設けられており、支持基板４５の下面には、多数のＬＥＤ（発光ダイオード）４６が下方に例えば波長が３６５ｎｍの紫外光を照射することができるように支持されている。このＬＥＤ４６は例えば合計３５６個設けられており、４×８９の行列状に配置されている。前後方向の配置数が４、左右方向の配置数が８９である。ただし図４では図示の便宜上、左右方向にはおよそ２０個のみのＬＥＤ４６が配置されているように示している。この行列状に配置されたＬＥＤ４６を一括してＬＥＤ群４７とすると、ＬＥＤ群４７からの紫外光の照射により、載置台３３に載置されたウエハＷの表面の高さ位置に帯状の紫外光の照射領域３０が形成される。また、照射領域３０の左右方向の各位置には、複数のセル４から紫外光が照射される。図５は照射領域３０と載置台３３によって移動するウエハＷとの位置関係を示しており、この照射領域３０の長さ方向の大きさはウエハＷの直径よりも大きく、ウエハＷが前後方向に移動することでウエハＷの表面全体が照射領域３０を通過し、当該表面全体が露光される。

ＬＥＤ群４７のうち、前後方向に一列に配置された４つのＬＥＤ４６を、セル４とする。各セルについて互いに区別するために、セル４−１、４−２、４−３・・・４−８９として、セル４にハイフンと１〜８９の番号とを付して示す場合が有る。番号は左右の一方から他方へ向けて順番に付されているものとする。図６のブロック図も用いて説明すると、電流調整部４８を介して、例えば筐体３１の外部に設けられる電源２３に接続されており、電流調整部４８は電源２３からＬＥＤ４６へ供給する電流をセル４毎に調整する。各セル４に供給される電流によって、照射領域３０における左右の各部における照度が調整される。なお、一括露光モジュール３の動作中は、例えば常時ＬＥＤ群４７から光が出力される。電流調整部４８は、ケース体４１内において例えば支持基板４５の上方に設けられる制御基板４９に設けられる。

ところで、図５で説明したようにウエハＷの一括露光が行われるが、この一括露光モジュール３による露光量が多くなるほど、ウエハＷ表面のレジスト膜において上記のパターン露光が行われた領域には多くの酸が発生し、後に現像処理を受けたときにパターンの寸法であるＣＤが大きくなる。つまり、ウエハＷの面内でＣＤを均一化するには、ウエハＷの面内各部の露光量を制御することが必要になる。

しかし、背景技術の項目で述べたようにＬＥＤ群４７に供給される電流が一定である場合、ＬＥＤ４６の劣化によって、当該ＬＥＤ群４７から出力される光量は低下する。つまり、各セル４に供給する電流が一定である場合、ウエハＷの面内の各部の露光量はセル４を構成するＬＥＤ４６の劣化によってばらつくことになる。また、ＬＥＤ４６が劣化した場合には供給する電流を上昇させて対処するため、交換当初あるいは製造当初に用いられるＬＥＤ４６としては定格よりも低い、例えば定格の７５％程度の電流が供給されることで所望の照度が得られるものが使用されることになる。しかし、このように定格電流よりも低い電流を各ＬＥＤ４６に供給することで、ＬＥＤ４６間での光量のばらつきが比較的大きくなる。また、各セルは互いに密接して配置されているため、左右の配列方向の中心部におけるセル４については他のセル４に比べて、ＬＥＤ４６のジャンクション温度が上がる。結果としてＬＥＤ４６の順電圧が下がり、光量の低下が起きる。

このように複数の要因によって、ＬＥＤ４６間での光量のばらつきが起きる。そのようなＬＥＤ４６の光量のばらつきによって、ウエハＷの面内各部の露光量が設定からずれることを防ぐために、一括露光モジュール３ではウエハＷの露光が行われていない待機時において、照射領域３０の長さ方向における照度分布の検出と、この検出結果に基づいた各セル４に供給する電流の設定値の補正と、が行われる。

この照度分布の検出を行うために、一括露光モジュール３には照度分布検出部５が設けられている。照度分布検出部５は、導光部５１と、照度センサ５２と、アーム５６と、移動機構５８とを含み、受光部である導光部５１はセル４から照射される紫外光を受光し、照度が低下しないように照度センサ５２へと導光する。照度検出部である照度センサ５２は上記の制御基板４９に接続されており、導光された光の照度に応じた電流（検出電流）を当該制御基板４９に出力する。この照度センサ５２としては、例えば応答速度が比較的速いフォトダイオードが用いられるが、サーモパイルにより構成してもよい。

導光部５１について図７の斜視図、図８の縦断側面図、図９の縦断正面図を用いて説明する。導光部５１は、外装部５３及び蛍光ガラス５４を備えている。外装部５３は水平板４２の下方に設けられ、前後方向に細長の箱状に構成されている。蛍光ガラス５４は細長の角棒として形成されており、外装部５３内において当該外装部５３に沿って設けられている。外装部５３の上部には前後方向に伸びるスリット５５が開口しており、セル４から照射された紫外光は、当該スリット５５を介して水平な蛍光ガラス５４の上面に照射される。つまり、外装部５３は、セル４から照射される光の一部を遮光する遮光部である。スリット５５の短手方向の幅は例えば１ｍｍである。

外装部５３はアーム５６の一端に接続されており、アーム５６の他端はケース体４１内へ伸び、上記の照度センサ５２に接続されている（図３参照）。また、蛍光ガラス５４の長さ方向における一端と照度センサ５２とが、光ファイバ５７により接続されている。照度センサ５２はケース体４１内に設けられる移動機構５８に接続されている。当該移動機構５８によって、照度センサ５２、アーム５６及び導光部５１は左右方向に移動することができ、導光部５１については、上記の照射領域３０の外側の待機位置と照射領域３０における左右の各位置とに位置することができる。つまり、導光部５１は、ウエハＷの移動路を移動することができるように構成されている。なお、図４は待機位置に位置した状態の導光部５１を示している。

上記の照射領域３０の照度を測定することを目的とするため、蛍光ガラス５４の上面は、当該照射領域３０と同じ高さ、即ちウエハＷの表面と同じ高さになるように水平に形成されている。そして、蛍光ガラス５４に照射された紫外光は可視光に変換されて、光ファイバ５７を介して照度センサ５２に導光される。つまり、蛍光ガラス５４は、光が有するスペクトル分布を変換する波長変換部である。このように照度センサ５２に可視光を導光することで、照度センサ５２に紫外光を導光するよりも照度センサ５２が受けるエネルギーを小さくし、照度センサ５２の温度上昇を抑制し、当該温度上昇によって、照度センサ５２の検出精度が低下することを抑制する、即ち温度ドリフトを抑制する役割も有する。

なお図８、図９の鎖線は、各セル４により形成される光路を示している。照射領域３０の短手方向の一端から他端に亘って照射される光を受光することができるように、蛍光ガラス５４の一端、他端は、当該照射領域３０の短手方向の一端、他端の外側に夫々位置するように設けられている。ところで上記の導光部５１のスリット５５は、セル４から照射される光の一部のみを蛍光ガラス５４に導光することによって照度センサ５２へ供給される光量を抑え、当該照度センサ５２の温度が上昇することに起因する当該照度センサ５２の検出精度の低下を抑制する、即ち温度ドリフトを抑制する役割も有する。また、短手方向が左右方向となるようにスリット５５が形成されているため、照射領域３０の長さ方向において、より多くの互いに異なる位置の照度を検出することができる。つまり、導光部５１は、長さ照射領域３０の長さ方向について照度分布を詳細に取得することができるように構成されている。

図６に戻って、制御基板４９についてさらに説明する。この制御基板４９には、演算部５９及びメモリ５０が含まれている。このメモリ５０に記憶されるデータについて概略的に示した図１０、図１１を参照しながら説明する。図１０、図１１では、セル４−１〜４−８９のうち、代表して任意の３つを選び、セル４−Ａ１〜４−Ａ３としている。図１０のグラフの横軸はセル４へ供給される供給電流（単位：ｍＡ）を示し、縦軸は照度（単位：Ｗ／ｃｍ^２）を示している。ここでの照度は、１個のセル４のみによって光照射が行われたとした場合の照度である。つまり、メモリ５０には１つのセル４への供給電流の変化量に対する、照射領域３０のうち当該セル４に光照射される領域の照度の変化量が記憶されており、この互いの変化量の対応関係は、グラフに示すように１次関数で表されるものとする。便宜上、このグラフに示す互いの変化量の対応関係を電流−照度対応関係とする。セル４毎に異なる特性を有するため、電流−照度対応関係は、セル４毎に記憶されている。

また、照射領域３０を長さ方向にｎ個（ｎは整数）に等分割した各領域を分割領域１〜ｎとする。これらの分割領域は、後述するように照度の検出が各々行われる領域である。図１０では一部の連続して配置される分割領域をＢ１〜Ｂ１６として示している。図１０の上段のグラフについて説明すると、縦軸は（単位：Ｗ／ｃｍ^２）を示している。またグラフの横軸における各位置は、横軸の上方に示した分割領域Ｂ１〜Ｂ１６の各位置に対応する。図中のグラフの各波形は、セル４−Ａ１〜４−Ａ３に夫々所定の電流を供給したときにおける、セルの１つ１つが形成する照度分布を示している。さらに詳しく説明すると、各波形は、所定の電流を供給して１つのセル４のみを点灯させたときに、各分割領域の照度が各々どの程度変化するかを示す、つまり、セル４の各分割領域への照度の寄与の度合を示していると言える。この波形についてのデータをセル個別照度分布とすると、このセル個別照度分布がセル４毎に設定されてメモリ５０に記憶されている。

なお、図１１の上段に示す波形が形成される状態よりも、セル４に供給される電流を一定量増加させたとしても、図１１の下段のグラフに示すように、セル個別照度分布の波形の形状は変化せずに、各分割領域の照度が上昇するものとする。つまり、１つのセル４の各分割領域への照度の寄与の度合は一定である。なお、図１０で説明したように、セル毎の照度の上昇量は異なる。ところで分割領域の照度は、当該分割領域に光を照射する各セル４による照度の合計値である。具体的に説明すると、図１１の下段では分割領域Ｂ１０において、セル４−Ａ１及び４−Ａ２から光が照射されるものとして示しているが、セル４−Ａ１による照度が（Ｃ１）Ｗ／ｃｍ^２、セル４−Ａ２による照度が（Ｃ２）Ｗ／ｃｍ^２とすると、当該分割領域Ｂ６の照度は（Ｃ１＋Ｃ２）Ｗ／ｃｍ^２となる。

メモリ５０に記憶される他のデータについて説明しておく。メモリ５０には、セル４に供給する電流の値（設定供給電流値）がセル４毎に記憶されている。制御基板４９に設けられる演算部５９は、この設定供給電流が各セル４に供給されるように電流調整部４８の制御と、後述するように取得される照射領域３０の照度分布に基づいた設定供給電流値の更新と、を行う。さらにメモリ５０には、照度の許容値についてのデータと、分割領域毎の基準の照度についてのデータとが記憶されている。検出された各分割領域の照度が、この許容値を下回ったときに、上記の基準の照度となるように設定供給電流値の更新が行われる。

また、一括露光モジュール３には、図３に示すようにコンピュータからなる制御部１０が設けられている。制御部１０は、図示しないプログラムを備えている。各プログラムは、一括露光モジュール３の各部に制御信号を送り、後述するウエハＷの露光と、照度の調整とを行うことができるようにステップ群が組み込まれている。具体的には当該プログラムによって、回転機構３４による載置台３３の回転、回転機構３４による載置台３３の前後方向の移動、投光部３８からの光の照射及び照射の停止、受光部３９による受光量を監視することによるノッチＮの検出、シャッタ４４の開閉、制御基板４９の動作の制御などが行われる。このプログラムは、例えば、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）、メモリーカードなどの記憶媒体に格納されて、制御部１０にインストールされる。

続いて、一括露光モジュール３によるウエハＷの露光について説明する。各セル４に対してメモリ５０に記憶された設定供給電流値の電流が供給され且つ、シャッタ４４により露光用開口部４３が閉鎖された状態で、搬送アームＦ５によって受け渡し位置に位置する載置台３３にウエハＷが載置される。然る後、載置台３３は向き調整位置に移動し、投光部３８から受光部３９へ光が照射され、ウエハＷが１回転し、ノッチＮの向きが検出される。そして、当該ノッチＮが所定の方向を向くようにウエハＷが回転すると、ウエハＷの回転が停止する。然る後、シャッタ４４が移動して露光用開口部４３が開放され、図１２に示すように載置台３３が受け渡し位置に向かって移動する。そして、ウエハＷが各セル４からの光照射によって形成される照射領域３０を通過し、ウエハＷの表面全体が露光されると、シャッタ４４が移動して露光用開口部４３が閉鎖される。載置台３３が受け渡し位置に位置すると停止し、ウエハＷは搬送アームＦ５により、一括露光モジュール３から搬出される。

続いて、照度の調整について図１３のフローを参照しながら説明する。ウエハＷが筐体３１内に搬入されておらず、且つ各セル４に対してメモリ５０に記憶された設定供給電流が供給された状態でシャッタ４４が移動し、露光用開口部４３が開放される。そして、待機位置に位置する導光部５１が、図１４に示すように照射領域３０の左右方向の一端へ移動し、当該左右方向の他端へ向けて移動する。この導光部５１の移動は一定の速度で行われる。そして、この移動中に導光部５１の蛍光ガラス５４に紫外光が照射される（ステップＳ１）。そして、照度センサ５２に当該紫外光が変換された可視光が導光されて、照度センサ５２からは分割領域の照度に対応する電流が出力され、この電流値（検出電流値）がメモリ５０に記憶される。導光部５１が移動を続けることにより、照射領域３０の長さ方向における各分割領域の検出電流が取得される。導光部５１が照射領域３０の他端に位置すると、シャッタ４４が移動して露光用開口部４３が閉鎖されると共に導光部５１は待機位置に戻る。その一方で取得された検出電流から、照射領域３０の長さ方向における照度分布が取得される（ステップＳ２）。図１５の上段のグラフは、このように取得された照度分布の例を示している。グラフの縦軸は照度（単位：Ｗ／ｃｍ^２）、横軸は検出電流を取得した分割領域を示す。グラフ中のＣ３は照度の許容値を示している。

続いて、各分割領域について検出された照度が許容値を下回っているか否かが判定され、照度が許容値を下回っていると判定された分割領域については、図１０、図１１で説明した電流−照度対応関係及びセル個別照度分布に基づいて、当該分割領域に対応するセル４についての設定供給電流値が更新され（ステップＳ３）、照度の調整が終了する。

上記の設定供給電流値の更新について具体的な一例を示しておくと、照度の許容値と検出された照度との乖離が最も大きい分割領域について、検出された照度と、当該分割領域に設定された照度の基準値との差分が演算される（工程１）。例えば、図１５の上段のような照度分布が取得された場合、分割領域３において許容値と検出された照度についての乖離が最も大きいので、この分割領域３について検出された照度と、分割領域３について設定された照度の基準値との差分が演算される。この差分の演算後、セル個別照度分布より、当該分割領域について最も照度の寄与が大きいセル４を特定し、電流−照度対応関係を用いて、この差分が解消するように当該セル４に供給する設定供給電流値を上昇させる（工程２）。

このように設定供給電流値を上昇させることで、既述の差分を検出した分割領域以外の分割領域の照度も上昇するが、各分割領域の照度の上昇量は、セル個別照度分布及び電流−照度対応関係より演算によって取得することができる。つまり、設定供給電流を上昇させることによって補正された照度分布を取得することができる。この補正後の照度分布について、照度が許容値を下回っていると判定される分割領域が無ければ、照度の調整が終了する。許容値を下回っていると判定される分割領域が有れば、工程１、２が繰り返し行われる。なお、図１５の下段は、上記のように分割領域３に対応するセルの設定供給電流値が補正されることで、図１５の上段の照度分布から補正された照度分布を示しており、この補正された照度分布については、各分割領域の照度が許容値Ｃ３を越えている。従って、これ以上の設定供給電流の補正は行われず、照度の調整が終了する。

上記のステップＳ１〜Ｓ３のフローである各セル４−１〜４−８９への供給設定電流値の補正をキャリブレーションと呼ぶことにすると、このキャリブレーションは、定期的に行われてもよいし、不定期に行われてもよい。例えば一括露光モジュール３において、一のロットに属するウエハＷの処理が全て終了した後、次のロットに属するウエハＷが当該一括露光モジュールに搬送されるまでにキャリブレーションを行ってもよいし、１枚のウエハＷに一括露光処理を終える度にキャリブレーションを行ってもよい。また、一括露光モジュール３に電源を投入して起動させる度に、このキャリブレーションが行われるようにしてもよい。

ところで、説明の便宜上、メモリ５０には、照度の許容値及び照度の基準値が格納されており、これらの照度のデータと、検出された照度とに基づいてキャリブレーションが行われると説明した。この検出された照度は、照度センサ５２から出力される検出電流に対応するので、メモリ５０には、検出電流の許容値、検出電流の基準値が格納されており、これらの電流のデータと検出電流とに基づいてキャリブレーションが行われていると見ることができる。つまり、メモリ５０にはこれらの照度についてのデータ、電流についてのデータのうちのいずれが格納されていてもよい。また、図１５では、各分割領域の照度の許容値は一律にＣ３であるものとしたが、この一括露光モジュール３については照射領域３０の左右の各位置で照度が同じになるように運用されることには限られないため、この照度の許容値について、分割領域毎に個別の値を設定してよい。

この一括露光モジュール３によれば、照射領域３０の長さ方向における各分割領域の照度を取得することができるように、導光部５１が当該長さ方向に移動し、導光部５１による受光に基づいて、照射領域３０の長さ方向における照度分布が取得される。そして、この照度分布に基づいてセル４から照射される光量が補正され、各分割領域の照度が許容値を下回ることを抑制することができる。従って、ウエハＷの面内各部の露光量が設定値よりも低下することを抑制することができるので、一括露光モジュール３による一括露光後に形成されるレジストパターンのＣＤについて、ウエハＷの面内各部でばらつくことを抑制することができる。

上記の例ではウエハＷを向き調整位置から受け渡し位置に移動して露光する間、ウエハＷを回転させていないが、移動中に回転させて露光を行ってもよい。また、上記の例では、照射領域３０の長さ方向における照度分布の調整が自動で行われているが、一括露光モジュール３のユーザーにより手動で行われるようにしてもよい。この手動調整の例を具体的に説明する。先ず、コンピュータである制御部１０に対してユーザーが所定の操作を行うことで、照度分布検出部５の導光部５１が上記のように照射領域３０の長さ方向に沿って移動し、図１５に例示した照度分布の取得が行われるようにする。この取得された照度分布が、制御部１０に含まれるモニターに表示されるように、当該制御部１０が構成される。そして、この照度分布の表示を見たユーザーが、設定供給電流値を補正するセル４を選び、制御部１０から所定の操作を行うことで、選んだセル４の設定供給電流値を任意の補正量で補正する。補正後は、再度導光部５１を移動させて、照度分布を取得してモニターに表示させ、補正が適切に行われたかを確認する、という運用を行うことができる。

図１１で説明したセル個別照度分布について、その取得方法の一例について説明しておく。例えばセル４を全て点灯させた状態で、照射領域３０の長さ方向の照度分布を取得する。次に８９個のセル４のうちの１つのセル４を消灯させた状態で同様に照度分布を取得する。この２つの照度分布の差分を演算することで、消灯したセル４についてのセル個別照度分布を取得することができる。このような差分を取得する手法の他に、８９個のセルのうち、１つのみセル４を点灯させて当該セル４の下方の照度分布を取得し、セル個別照度分布を取得することができる。ただし、既述のようにＬＥＤ４６の光量はＬＥＤ４６の温度によって変動し、１つのみのセル４を点灯させる場合は、当該セル４が所定の温度になり、上記の照度分布を取得できるようになるまで比較的多くの時間を要することになる。従って上記のように差分を取得する手法を用いることが、速やかに全てのセル４についてのセル個別照度分布を取得することができるので好ましい。

（第２の実施形態）
第２の実施形態の一括露光モジュール６１について、第１の実施形態の一括露光モジュール３との差異点を中心に、縦断側面図である図１６及び縦断背面図である図１７を参照して説明する。この一括露光モジュール６１においては検出部５が導光部５１を備えておらず、ケース体４１の下方には当該導光部５１の代わりに照度センサ５２が、アーム５６の一端に支持されて設けられている。アーム５６の他端は光源ユニット４０のケース体４１内へと伸び、移動機構５８に接続されている。この移動機構５８によって、照度センサ５２は、第１の実施形態の導光部５１と同様に左右方向に移動することができ、照度の調整が行われるときには照射領域３０の各分割位置に位置し、ウエハＷの露光が行われるときには照射領域３０の外側の待機位置にて待機することができる。このように照度センサ５２が照射領域３０に位置するので、この一括露光モジュール６１においては紫外光が可視光に変換されずに、照度センサ５２に照射される。図１７は、当該待機位置に位置する状態の照度センサ５２を示している。

この第２の実施形態における照度センサ５２は、水平な上面で各セル４から照射される紫外光を受光し、例えば図示しない配線を介して照度に対応する検出電流を制御基板４９に送信する。ウエハＷの表面の照度を検出することができるように、この照度センサ５２の上面は、載置台３３に載置されたウエハＷの表面と同じ高さに位置している。図１６中の二点鎖線は、ウエハＷの表面の高さ及び照度センサ５２の上面の高さを示している。

この一括露光モジュール６１において、ウエハＷの露光は一括露光モジュール３と同様に行われる。そして、照度の調整として、第１の実施形態で説明したキャリブレーションが行われる。ただし、図１３で説明したフローのステップＳ１においては、導光部５１の代わりに照度センサ５２が、照射領域３０の長さ方向の一端から他端へと移動することによって、各分割領域の照度に応じた検出電流が取得される。このように構成された一括露光モジュール６１についても、一括露光モジュール３と同様に、ウエハＷの各部の露光量が設定値からずれることを抑えることができる。

（第３の実施形態）
第３の実施形態の一括露光モジュール６２について、縦断側面図である図１８及び横断平面図である図１９を参照して、第２の実施形態の一括露光モジュール６１との差異点を中心に説明する。この一括露光モジュール６２における検出部５は、回転機構３４から後方へ水平に伸びるアーム６３と、アーム６３の先端部に設けられるセンサ用移動機構６４と、センサ用移動機構６４に設けられる照度センサ５２とにより構成される。つまり、この一括露光モジュール６２では、照度センサ５２は載置部用移動機構３６によって、ウエハＷの載置台３３と共に前後方向に移動する。また、照度センサ５２は、センサ用移動機構６４によって左右に水平に移動する。照度センサ５２の上面は、第２の実施形態と同様にウエハＷの表面と同じ高さに設けられている。この一括露光モジュール６２においても、一括露光モジュール６１と同様に、照度センサ５２が照射領域３０の長さ方向の一端から他端へと移動することによって、上記のキャリブレーションが行われる。

（第４の実施形態）
第４の実施形態の一括露光モジュール６６について、縦断側面図である図２０及び縦断背面図である図２１を参照して、第１の実施形態の一括露光モジュール３との差異点を中心に説明する。この一括露光モジュール６６においては、セル４−１〜４−８９における設定供給電流値が、キャリブレーションとは異なる手法で補正される。一括露光モジュール６６では、一括露光モジュール３よりもＬＥＤ群４７を構成するセル４が１つ多く設けられており、従って、支持基板４５には４×９０の行列状にＬＥＤ４６が設けられている。この１つ多く設けられたセル４を、セル４−０と記載する場合が有る。セル４−０についても、セル４−１〜セル４―８９と同様に固有の設定供給電流値が設定されており、当該設定供給電流値の電流が供給されることで、一括露光モジュール６６の稼働中は常時、下方に光を照射する。

ＬＥＤ群４７において、セル４−０は左右方向の一端に配置される。セル４−１〜４−８９は、上記のように照射領域３０を形成してウエハＷを露光するために用いられる光照射部であるが、セル４−０はウエハＷの露光を目的としない監視用光照射部であり、図２１に示すように、露光用開口部４３の上方領域から左右方向に外れた位置に設けられており、シャッタ４４が開放位置に移動して露光用開口部４３が開放されたときであってもセル４−０から照射された紫外光はウエハＷに照射されない。なお、図２１では一点鎖線でセル４−０により形成される光路を、二点鎖線でセル４−１〜４−８９により形成される光路を夫々示している。また、図２０では一点鎖線の矢印によって、セル４−０により形成される光路を示している。

セル４−０の下方には例えばプリズムである反射部材６７が設けられており、セル４−０から照射された紫外光を前方側へ反射する。セル４−１〜４−８９によるこの反射部材６７への光照射は行われず、セル４−０のみが反射部材６７への光照射を行う。反射部材６７の前方側にはレンズ６８が設けられ、レンズ６８のさらに前方側には照度センサ５２が設けられている。なお、レンズ６８としては劣化による光量の低下を防ぐために、ＵＶ耐性を有するガラス製のものを用いることが好ましい。反射部材６７によって反射された光は、レンズ６８によって集光されて照度センサ５２に照射される。この光を受光できるように、照度センサ５２において光を受光する受光面は、後方に向かう垂直面として設けられている。この一括露光モジュール６６ではセンサ用の移動機構５８が設けられておらず、照度センサ５２の位置が固定されており、セル４−０から照射される紫外光を常時、受光する。

また、この一括露光モジュール６６における制御基板４９のメモリ５０には、既述した各データの他に、セル４−０についての図１０で説明した電流−照度対応関係と、セル４−０についての供給設定電流値、セル４−０についての基準の照度とが記憶されている。セル４−０についても、他のセル４と同様に供給設定電流値の電流が供給される。

一括露光モジュール６６の動作中、制御基板４９の演算部５９により、照度センサ５２により検出される照度と、セル４−０について設定された基準の照度との差分の有無が常時監視される。そして、差分が有ることが検出されると、この差分値に対応する分、各セル４−０〜４−８９について、夫々のセルについて設定された電流−照度対応関係に基づいて、この差分が解消されるように設定供給電流値が一括で補正され、セル４−０〜４−８９の光量が補正される。

つまり、この一括露光モジュール６６ではセル４−０の照度を常時監視し、照度の低下が検出された場合には、セル４−１〜４−８９でも同様に照度の低下が起きているものとみなして、この照度の低下分、セル４−０〜４−８９への供給電流を補正する。このような補正を、ここではフィードバック補正と呼ぶことにすると、当該フィードバック補正を行うことによってもウエハＷの各部における露光量の変動を抑制することができる。ただし、上記のキャリブレーションを行う第１〜第３の実施形態によれば、セル４−１〜４−８９の照度を直接検出することで、より確実にウエハＷの各部における露光量の変動を抑制することができるため好ましい。

（第５の実施形態）
第５の実施形態の一括露光モジュール７１について、第４の実施形態の一括露光モジュール６６との差異点を中心に、縦断側面図である図２２と、縦断背面図である図２３とを参照して説明する。この一括露光モジュール７１は、上記のフィードバック補正及びキャリブレーションの両方を行うことができるように構成されている。この一括露光モジュール７１には、上記の反射部材６７、レンズ６８及び照度センサ５２を支持する支持部材７２が設けられている。この一括露光モジュール７１では、レンズ６８は前後方向においてセル４と同じ位置に、上方のセル４から照射された光を下方に向けて集光するように設けられており、反射部材６７はそのように集光された光を後方の照度センサ５２に向けて反射する。

この支持部材７２はセンサ用移動機構５８に接続されており、左右方向に移動することができる。従って、反射部材６７、レンズ６８及び照度センサ５２については互いの相対位置が同じまま水平に移動することができる。それによって、セル４−１〜セル４−８９の紫外光が照度センサ５２に照射される。例えば照度センサ５２の受光面の照度が、照射領域３０のうち当該照度センサ５２の受光面が位置する領域と左右方向の位置が同じ領域の照度と同じになるように、当該照度センサ５２が配置されている。従って、照度センサ５２がそのように左右に移動することで、上記のキャリブレーションを行うことができる。

キャリブレーションが行われないタイミングにおいては、セル４−０から照射される紫外光が照度センサ５２に照射される位置で反射部材６７、レンズ６８及び照度センサ５２が静止し、一括露光モジュール６６で説明したフィードバック補正が行われる。この第５の実施形態の一括露光モジュール７１によれば、キャリブレーションを行った後、次のキャリブレーションを行うまでの間に、フィードバック補正が行われることによって、セル４−１〜４−８９から照射される光量の低下を抑制することができる。従って、ウエハＷの各位置における露光量の低下を、より確実に抑制することができる。

（第６の実施形態）
第６の実施形態の一括露光モジュール７３について、縦断側面図である図２４、図２５及び縦断背面図である図２６を参照して、第１の実施形態の一括露光モジュール３との差異点を中心に説明する。この一括露光モジュール７３では、一括露光モジュール３と同様に、フィードバック補正は行われず、キャリブレーションが行われる。一括露光モジュール７３には、検出部５として照度センサ５２及びセンサ用移動機構５８が設けられている。照度センサ５２は、受光面が後方に向かうように設けられ、センサ用移動機構５８によって左右に水平に移動する。

各セル４による紫外光の照射方向には、かまぼこ形で左右に細長のレンズ７４が設けられており、このレンズ７４は１つのセル４を構成するＬＥＤ４６の配列方向に集光することができるように構成されている。ＬＥＤ群４７を支持する支持基板４５及びレンズ７４は、回転機構７５に接続されており、回転機構７５は、左右方向に伸びる水平軸回りに支持基板４５及びＬＥＤ４６を回転させる。この回転が行われても支持基板４５及びＬＥＤ４６について、互いの相対位置は一定である。従って、レンズ７４を介してＬＥＤ４６により紫外光が照射される向きを、上記の水平軸回りに変更することができる。従って、回転機構７５は光の照射方向を変更するためにセル４を移動させる移動機構である。

図２４〜図２６の一点鎖線は、ＬＥＤ群４７から照射される紫外光の光路を示している。ウエハＷの露光時には、図２４、図２６に示すように下方に向けてＬＥＤ群４７は光を照射し、照射領域３０を形成してウエハＷを露光する。なおレンズ７４により集光されているので、第１の実施形態よりも照射領域３０の前後の幅は小さい。そしてキャリブレーションを行うときには、ＬＥＤ群４７及びレンズ７４の向きが９０°回転し、図２５に示すように前方に向けてＬＥＤ群４７が光を照射する。このように前方に向けて光が照射されるときに、照度センサ５２が左右方向に移動する。

照度センサ５２の受光面の照度が、照射領域３０において当該受光面と左右方向の位置が同じ領域の照度となるように、図２４に示すレンズ７４の頂部からウエハＷの表面までの垂直距離Ｌ１と、図２５に示すレンズ７４の頂部から照度センサ５２の受光面までの水平距離Ｌ２とが、互いに同じ大きさとなるように設定されている。このように構成された一括露光モジュール７３についても、キャリブレーションを行うことで、ウエハＷの各部の露光量が異常になることを抑制することができる。

（第７の実施形態）
第７の実施形態の一括露光モジュール８１について、縦断側面図である図２７、図２８を参照して、第６の実施形態の一括露光モジュール７１との差異点を中心に説明する。一括露光モジュール８１では、ケース体４１内において露光用開口部４３よりも後方側にＬＥＤ群４７が配置され、ＬＥＤ群４７は前方に向けて紫外光を照射する。このＬＥＤ群４７の前方には、上記のレンズ７４が設けられている。レンズ７４の前方側には光を全反射させる反射部材として、ミラー７６が設けられている。このミラー７６は、当該ミラー７６の位置を変更するための回転機構７７に接続されている。回転機構７７によりミラー７６は、左右方向に伸びる水平軸まわりに回転移動することができ、レンズ７４から照射された光の光路上の反射位置と、当該光路から外れた非反射位置との間で移動する。図２７はミラー７６が反射位置に位置する状態を、図２８はミラー７６が非反射位置に位置する状態を夫々示している。なお、図２７、図２８における一点鎖線はＬＥＤ群４７から照射されて形成される光路を示している。

反射位置に位置するミラー７６は、ＬＥＤ群４７から照射された紫外光が下方の露光用開口部４３に向かうように、当該紫外光を反射させる。露光用開口部４３には拡散板７８が設けられており、ミラー７６によって反射された紫外光を前後方向に拡散させてウエハＷに照射し、ウエハＷに照射領域３０を形成する。ミラー７６の前方側には、拡散板７９が設けられており、ミラー７６が非反射位置に位置するときに、ＬＥＤ群４７から照射された紫外光を上下方向に拡散させる。拡散板７９の前方側には照度センサ５２が設けられている。この照度センサ５２は、第６の実施形態の一括露光モジュール７３の照度センサ５２と同様に、センサ用移動機構５８によって左右に移動自在であり、受光面が前方を向いている。

ミラー７６はキャリブレーションを行うときを除いて反射位置に位置し、キャリブレーションを行うときには非反射位置に位置する。図２７に示す、反射位置に位置するミラー７６の反射面とウエハＷの表面との垂直距離Ｌ３と、当該反射面と照度センサ５２の受光面との水平距離Ｌ４とは同じである。このようにＬ３、Ｌ４が設定されることで、照度センサ５２の受光面の照度は、照射領域３０のうち当該受光面と左右方向の位置が同じ領域の照度と同じになるように構成されている。つまり、この一括露光モジュール８１においても、第１の実施形態と同様に、キャリブレーションを行うことができるので、ウエハＷの各部の露光量が設定値からずれることを抑制することができる。また、この一括露光モジュール８１では、第６の実施形態の一括露光モジュール７３と異なり、ＬＥＤ群４７及びレンズ７４を回転させる必要が無いので、光源ユニット４０の高さが大きくなることを抑えることができるという利点が有る。

ところで、受光によって照度センサ５２の温度が上昇すると、上記の温度ドリフトにより照度の検出値が低下する。それを防ぐために、照度センサ５２を冷却するための冷却部を設けてもよい。具体的には、例えばチラーによって冷却液が供給される流路を冷却部として照度センサ５２に設け、当該照度センサ５２が冷却される構成であってもよい。また、上記のように第６の実施形態、第７の実施形態ではＬＥＤ４６から照度センサ５２に至るまでの距離が、ＬＥＤ４６からウエハＷの表面に至るまでの距離と同じになるように照度センサ５２が設けられているが、ＬＥＤ４６からウエハＷの表面に至るまでの距離よりも大きくすることで、照度センサ５２の温度上昇を抑えてもよい。その場合は、例えば検出された照度に所定の定数を乗じて補正することで、照射領域３０の照度を算出し、上記のキャリブレーションやフィードバック補正を行う。

その他に照度センサ５２の温度上昇を防ぐために、キャリブレーションを行うときには各セル４に供給する電流値を、ウエハＷに露光を行うときの設定供給電流値よりも所定の量、低下させて照射領域３０の照度分布を測定し、得られた照度分布を、図１０で説明した電流−照度対応関係を用いて補正することで、設定供給電流値で電流が各セル４に供給されたときの照射領域３０の照度分布を算出してもよい。また、そのようにセル４に供給する電流値を低下させる代わりにＬＥＤ群４７をＰＷＭ制御し、ウエハＷの露光時には例えばデューティ比１００％で光が照射され、キャリブレーションを行うときにはウエハＷの露光時よりも低い、例えばデューティ比１０％でＬＥＤ群４７から光を照射し、照射領域３０の各分割領域の照度を取得する。そして、取得された各照度に所定の定数を乗算して補正することによって、デューティ比が１００％であるときの照度分布を算出してもよい。

さらに、ＮＤ（Neutral Density）フィルタを設けて、ＬＥＤ４６から照度センサ５２に照射される光を減光させ、検出された照度を補正することでＮＤフィルタが設けられない場合の照度を算出してもよい。具体的には、第４の実施形態でセル４−０と照度センサ５２との間にＮＤフィルタを設け、検出された照度に対して所定の定数を乗じることでＮＤフィルタが設けられない場合に照度センサ５２によって取得される照度を算出してもよい。また、例えば第１の実施形態で、外装部５３内で蛍光ガラス５４上にＮＤフィルタを設け、当該ＮＤフィルタを介して蛍光ガラス５４にセル４から紫外光が照射されるようにしてもよい。その場合にも、検出された照度に所定の定数を乗算することでＮＤフィルタが設けられない場合に、取得される照度を算出してもよい。このようにＮＤフィルタによる減光を行うことで、照度センサ５２の温度上昇を抑制することができる。

（第８の実施形態）
続いて、第８の実施形態である一括露光モジュール９について、第１の実施形態の一括露光モジュール３との差異点を中心に、図２９の縦断側面図及び図３０の縦断背面図を参照しながら説明する。この一括露光モジュール９は、一括露光モジュール３と同様にキャリブレーションを行うことができるように構成されている。この一括露光モジュール９における照度分布検出部５は、照度センサ５２と、アーム５６と、移動機構５８と、導光部材である石英ロッド９１と、を備えている。アーム５６は上下方向に伸長しており、当該アーム５６の一端は光源ユニット４０のケース体４１内にて移動機構５８に接続されている。アーム５６の他端は、ケース体４１の下方において照度センサ５２を照射領域３０よりも前方側に位置するように支持している。この照度センサ５２は、照度を検出するために光を受光する受光面が左右方向に向かうように支持されている。そして、この受光面に石英ロッド９１の一端部が重なるように設けられており、石英ロッド９１の他端部は後方側へ延伸されている。

移動機構５８によって、照度センサ５２は照射領域３０の外側を、石英ロッド９１は照射領域３０を、夫々照射領域３０の長さ方向に沿って移動する。従って、石英ロッド９１は、ウエハＷの移動路を移動するように構成されている。キャリブレーションを行うときには石英ロッド９１が照射領域３０に位置し、石英ロッド９１は、照射領域３０において当該石英ロッド９１に照射される光を照度センサ５２に導光する。

石英ロッド９１について側面図である図３１、上面図である図３２も参照しながら説明する。石英ロッド９１は、側面視、水平な辺及び垂直な辺を有すると共に後方へ向かうにつれて細る直角三角形状に構成されている。この直角三角形の辺をなす、後方へ向かって上る傾斜面を９２として示している。また、上方から見ると、石英ロッド９１は前後に細長の概ね矩形状に形成されており、その前端部において照度センサ５２に臨む側とは反対側が切り欠かれて尖頭形状とされている。従って、当該前端部には、前方へ向かうに従って照度センサ５２に近づく傾斜面が形成されており、当該傾斜面を９３とする。

石英ロッド９１の上面は水平であり、この上面のうち後端から前端寄りの領域については、石英ロッド９１内に光を入射させる入射面９４として構成されている。照射領域３０における照度を検出する目的から、当該入射面９４は、載置台３３に載置されたウエハＷの表面と同じ高さに位置している。図２９、図３０の点線は、ウエハＷの表面及び入射面９４の各高さを示している。入射面９４の前後の長さは、照射領域３０の前後の長さより長く、入射面９４の前端の位置は照射領域３０の前端よりも前方、入射面９４の位置は照射領域３０の後端よりも後方に夫々位置している。

さらにこの入射面９４は、すりガラスとして構成されている。即ち、微小な凹凸を有するように構成されている。図３２では、そのようにすりガラスとされた入射面９４をグレースケールで表示している。また、石英ロッド９１において上記の照度センサ５２の受光面に重なる側面は、当該石英ロッド９１から光が出射する出射面９５をなす。

図３１、図３２中の矢印は、石英ロッド９１における光路を示している。入射面９４が照射領域３０に位置するとき、入射面９４が上記のようにすりガラスとして構成されているため、石英ロッド９１に照射された光は、減光されて当該石英ロッド９１内に入射する。そして、石英ロッド９１内において傾斜面９２により前方へ向かって反射され、さらに傾斜面９３によって側方へ向けて反射され、照度センサ５２の受光面に照射される。このように入射面９４から入射後、照度センサ５２に導光されるまでの間も光は減衰される。従って、照射領域３０にて石英ロッド９１が位置する領域おける照度（照度Ｋ１（単位：Ｗ／ｃｍ^２）とする）よりも当該石英ロッド９１により照度センサ５２に導光される光の照度、即ち照度センサ５２の受光面の照度（照度Ｋ２（単位：Ｗ／ｃｍ^２）とする）が小さくなる。例えば照度Ｋ２は、照度Ｋ１の１／２以下である。石英ロッド９１によってこのように照度Ｋ２を比較的低くするのは、比較的高い照度で光が照射されることによる照度センサ５２の劣化及び上記した温度ドリフトによる照度の検出精度の低下を防ぐためである。なお、照射領域３０の照度分布を取得するために、照度Ｋ１と照度Ｋ２との対応関係については予め取得しておき、例えば制御基板４９のメモリ５０に記憶しておく。

また、図２９、図３０に示すように、照射領域３０の左右の外側で石英ロッド９１の移動路の上方には、遮光部材９７が各々設けられている。石英ロッド９１がこの遮光部材９７の真下に位置するとき、遮光部材９７により遮蔽されることで各セル４から石英ロッド９１の入射面９４への光照射は行われない。各遮光部材９７の真下は、キャリブレーションが行われないときに石英ロッド９１が待機する待機領域であり、図３０では当該待機領域に位置する状態の石英ロッド９１を示している。

キャリブレーションは、一方の待機領域から他方の待機領域へ石英ロッド９１が移動することで行われる。この石英ロッド９１の移動中、一括露光モジュール３におけるキャリブレーションと同様に、制御基板４９によって照度センサ５２から出力される電流値が取得されて、照射領域３０の各分割領域の照度が取得される。このように取得された各分割領域の照度は、上記のように実際の各分割領域の照度よりも小さいため、制御基板４９によって上記の照度Ｋ１と照度Ｋ２の対応関係を用いて補正され、実際の各分割領域の照度、即ち照射領域３０の照度分布が取得される。そして、このように取得された照度分布に基づいて、一括露光モジュール３と同様に各セル４への供給電流値が更新される。

なお、導光部材としては上記の構成例に限られるものでは無い。例えば上記の石英ロッド９１については入射面９４をすりガラスとすることで照度センサ５２に照射される光の強度を減衰させるための減衰部としているが、入射面９４をすりガラスとする代わりに出射面９５をすりガラスとして構成してもよい。また、導光部材としては１つの石英ロッド９１により構成されていなくてもよく、複数の石英ロッドによって構成してもよい。その場合、各石英ロッドの入射面及び／または出射面をすりガラスとしてもよい。さらに、そのように複数の石英ロッドを設ける場合、石英ロッド間に上記のＮＤフィルタを減衰部として設け、照度センサ５２における照度を小さく抑えてもよい。

ところで、ウエハＷに化学増幅型のレジストではないレジスト膜が形成されたウエハＷについても、上記した各実施形態の一括露光モジュールで処理を受けることによって各部の露光量を適切なものとして、ウエハＷの面内の各部でレジストパターンの均一化を図ることができる。つまり、各一括露光モジュールは化学増幅型ではないレジストが塗布されたウエハＷにも適用することができる。さらに、レジスト膜やレジスト膜以外の有機膜が露光量に応じて硬化する場合、これらの膜に対して既述の一括露光モジュールによる処理を行い、膜の硬化度合を制御することで、エッチング時にこれらの膜がウエハＷの面内で均一性高くエッチングされるようにすることができる。つまり、本発明はレジストパターンのＣＤを調整することのみに用いられるものではない。従って、本発明でいう露光装置とは、レジストを露光する装置であることには限定されず、基板に光を照射して処理を行う光照射処理装置である。

また、第１の実施形態で説明したようにレジストパターンのＣＤを調整する場合には、一括露光モジュール３は既述した位置に設けることには限られない。例えば処理ブロックＤ２とインターフェイスブロックＤ３との間においてウエハＷの受け渡しを行う搬送機構、一括露光モジュール３、受け渡しモジュールを備えたブロック（中間ブロックとする）を設ける。そして、インターフェイスブロックＤ３からタワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ５１、ＴＲＳ６１に搬送されたパターン露光済みのウエハＷを中間ブロックの搬送機構が、一括露光モジュールに搬送した後、当該中間ブロックの受け渡しモジュールに搬送する。当該受け渡しモジュールに、単位ブロックＥ５、Ｅ６の搬送アームＦ５、Ｆ６がアクセスして一括露光済みのウエハＷが単位ブロックＥ５、Ｅ６に搬送されて、以降の処理が行われる構成とすることができる。

また、一括露光モジュール３では導光部５１をＬＥＤ群４７に対して移動させることで照度を検出しているが、ＬＥＤ群４７を移動させる移動機構を設け、ＬＥＤ群４７を導光部５１に対して移動させて照度の検出を行ってもよい。またウエハＷを光源ユニット４０に対して移動させる代わりに、光源ユニット４０をウエハＷに対して移動させることで露光が行われるようにしてもよい。ところで、ウエハＷの表面全体の露光とは、ウエハＷの表面において半導体デバイスが形成される領域全体が露光されていればよく、従ってこの半導体デバイスの形成領域の外側が露光されていない場合も当該形成領域全体が露光されていれば、ウエハＷの表面全体の露光に含まれる。なお、本発明は既述した各実施形態に限られるものではなく、各実施形態は互いに組み合わせたり、適宜変更したりことができる。

なお、上記の一括露光モジュール３では図８で説明したように照射領域３０の短手方向に照射された光を一括で受光し、当該短手方向の照度の積算値を測定できる構成となっている。つまり、照射領域３０内の短手方向における個々の領域の照度については測定していない。そのように、短手方向の照度の積算値を測定する構成としているのは、照射領域３０のうち、長さ方向の位置が同じで短手方向における位置が異なる領域間で照度にばらつきが生じていても、ウエハＷの一括露光に影響が無いためである。より具体的に述べると、図１１に示したように照射領域３０を長さ方向に分割したときの分割領域Ｂ１〜Ｂ１６の各々について、照射領域３０の短手方向に見てばらつきが生じていてもウエハＷの一括露光に影響が無い。それは、既述のようにウエハＷは一括露光時にこの短手方向に沿って移動して照射領域３０を通過するため、ウエハＷを照射領域３０の長さ方向に分割したときの各分割領域の露光量は、照射領域３０の長さ方向におけるその分割領域に対応する位置の短手方向の照度の積算値に対応するためである。従って、一括露光モジュール３のキャリブレーションとして説明したように、短手方向の照度の積算値を測定し、この積算値が照射領域３０の長さ方向の各部で互いに揃うようにすることで、ウエハＷの面内各部における露光量を揃えることができる。

ところで既述の各実施形態ではモジュールに設けられた受光部である照度センサ５２により照射領域３０の照度を測定する例を示したが、以下にモジュールとは別個に設けられた冶具を用いて当該照度を測定する例を説明する。図３３、図３４、図３５はそのように照度の測定を行うための冶具１００の斜視図、縦断側面図、平面図を夫々示している。冶具１００は、平面で見てウエハＷと同じ大きさに形成された円板状の冶具本体１０１を備えている。冶具本体１０１の中心部には貫通孔が形成されている。そして、冶具本体１０１には、この貫通孔を上側から塞ぐ閉塞板１０２が設けられている。冶具本体１０１の下側には上記の貫通孔の周縁部に沿うように環状突起１０３が設けられており、当該環状突起１０３、貫通孔を形成する側壁及び閉塞板１０２により、載置用凹部１０４が形成されている。閉塞板１０２の裏面は、既述した各一括露光モジュールの載置台３３に載置される。そのように載置台３３に載置されるとき、載置用凹部１０４は当該載置台３３に嵌合し、冶具本体１０１は水平に支持される。

冶具本体１０１には、中心部側から周縁部側へ向けて伸びる細長のスリットが形成されており、このスリットを下面側から塞ぐことで測定器載置用凹部１０５を形成するように閉塞部材１０６が設けられている。そして、この測定器載置用凹部１０５内には細長の測定器１０７が、当該測定器載置用凹部１０５に対して着脱自在に設けられている。測定器１０７は、照度センサ５２と、当該照度センサ５２により検出された照度を記憶する不図示のメモリと、を含んでいる。照度センサ５２の受光面は小径の円形に構成されており、上方に向かうように設けられている。また、例えば当該受光面の中心は例えば冶具本体１０１の中心から１４０ｍｍ離れている。そして、図３４に示すように、冶具１００が載置台３３に載置されたときに、当該受光面は照射領域３０と同じ高さに位置する。そして、図３４、図３５に矢印で示すように、載置台３３の回転と前後移動とによって、照度センサ５２の受光面は照射領域３０に沿って移動し、照射領域３０内の各位置の照度を取得することができる。

照度分布検出部５が設けられていないことを除いては図３などで説明した一括露光モジュール３と同様に構成された一括露光モジュールにおいて、冶具１００を用いて照度を検出する手順を述べる。なお、この一括露光モジュールではユーザーが制御部１０から操作を行い、手動で当該一括露光モジュールの各部の動作を制御できるものとする。先ずユーザーが、冶具１００が所定の向きを向くように当該冶具１００を、ウエハＷが載置されていない載置台３３に載置する。続いてユーザーは、載置台３３の上面に設けられるウエハＷを吸引するための吸引孔（不図示）からの吸引が行われるように操作し、冶具１００を載置台３３に固定する。然る後、載置台３３の回転と前後移動とを行うことで、照射領域３０における任意の位置に照度センサ５２を移動させる。この回転と前後移動とを繰り返し行い、所望の各位置の照度を測定する。このように照度が測定されることに並行して、制御部１０によって、各時間における回転する載置台３３の向き及び前後方向における位置についてのデータが取得される。その後、載置台３３の吸引を停止し、冶具１００を載置台３３から取り外す。そして、冶具本体１０１から測定器１０７を取り外し、コンピュータに接続して照度のデータを取得する。この照度のデータと制御部１０が取得したデータとを照合し、照射領域３０における各位置の照度が取得される。

この冶具１００によって、照射領域３０のうちの局所的な位置の照度を取得してもよい。また、一括露光モジュール３、６１などと同様に、照射領域３０の一端部と他端部との間に亘る各位置の照度を取得して照度分布を取得し、その照度分布に基づいて各セル４から出力される光量を調整してもよい。そのように照度分布を取得するにあたり、照射領域３０の長さ方向の中央部から一端側へ照度センサ５２を移動させ、次いで中央部から他端側へ照度センサ５２を移動させるようにしてもよい。つまり、照射領域３０の一端部から他端部へ向けて照度センサ５２を移動させることで照度分布を取得することには限られない。なお、載置台３３にアームを介して照度センサ５２が設けられ、載置台３３の回転と進退動作とにより冶具１００を用いる場合と同様に照度センサ５２が照射領域３０内の各部へ移動することで照度の検出が行えるようにしてもよい。載置台３３の回転及び前後移動を利用して照射領域３０の照度を検出する場合も、照度センサ５２はモジュールに設けられる構成としてもよい。

Ｗ ウエハ
１０ 制御部
３ 一括露光モジュール
３０ 照射領域
３３ 載置部
３６ 載置部用移動機構
４ セル
４０ 光源ユニット
４６ ＬＥＤ
４７ ＬＥＤ群
５ 照度分布検出部
５１ 導光部
５２ 照度センサ

Claims (15)

1. 基板を載置するための載置部と、
   前記基板の表面の左右の互いに異なる位置に各々独立して光を照射して、前記基板の表面の一端から他端に亘る帯状の照射領域を形成する複数の光照射部と、
   前記基板の表面全体が露光されるように、前記照射領域に対して前記載置部を前後に相対的に移動させる載置部用移動機構と、
   前記照射領域の長さ方向における照度分布を検出するために、当該照射領域を一端部と他端部との間で移動して光を受光する受光部と、
   を備え、
   前記受光部は、前記基板が移動する移動路を移動する導光部材を備え、
   前記導光部材によって導光される光の照度を検出するための照度検出部が設けられ、
   前記導光部材は、前記照度検出部に導光される光の強度を減衰させるための減衰部を備えていることを特徴とする露光装置。
2. 前記導光部材は石英ロッドによって構成され、
   当該石英ロッドにおける光が入射する入射面及び光が出射される出射面のうちの少なくとも一方は、前記減衰部を構成するすりガラスであることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
3. 基板を載置するための載置部と、
   前記基板の表面の左右の互いに異なる位置に各々独立して光を照射して、前記基板の表面の一端から他端に亘る帯状の照射領域を形成する複数の光照射部と、
   前記基板の表面全体が露光されるように、前記照射領域に対して前記載置部を前後に相対的に移動させる載置部用移動機構と、
   前記照射領域の長さ方向における照度分布を検出するために、当該照射領域を一端部と他端部との間で移動して光を受光する受光部と、
   を備え、
   前記複数の光照射部とは別個に、前記基板への光照射を行わない監視用光照射部が設けられ、
   前記照度検出部は、前記複数の光照射部及び前記監視用光照射部のうちの一方から照射される光を選択的に受光し、
   前記調整部は、前記監視用光照射部から前記照度検出部に照射された光の照度に基づいて、前記基板を露光するときの各光照射部から出力される光量を一括で調整することを特徴とする露光装置。
4. 前記受光部により検出された照度分布に基づいて、前記基板を露光するときの各光照射部から出力される光量を調整するための調整部が設けられることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の露光装置。
5. 前記受光部は、前記載置部用移動機構によって前記基板が移動する移動路を移動することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の露光装置。
6. 前記受光部は、前記基板が移動する移動路を移動し、受光した光の波長のスペクトルを変換する波長変換部を備え、
   前記波長変換部にて波長スペクトルが変換された光が導光され、当該波長変換部における照度を検出するための照度検出部が設けられることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の露光装置。
7. 前記受光部は、前記光照射部から前記波長変換部へ照射される光の一部を遮光するために、開口部が形成された遮光部を備えることを特徴とする請求項６記載の露光装置。
8. 前記開口部は前記左右が短手方向となるスリット状に形成されていることを特徴とする請求項７記載の露光装置。
9. 前記基板を露光するときと、前記照度検出部に光を照射するときとで、
   前記各光照射部による光の照射方向が変更されるように光照射部を移動させる光照射部用の移動機構が設けられることを特徴とする１ないし８のいずれか一つに記載の露光装置。
10. 前記各光照射部により照射された光を反射する反射部材と、
    当該反射部材の位置を変更する位置変更機構と、が設けられ、
    前記基板を露光するときと、前記照度検出部に光を照射するときとで、前記反射部材が異なる位置に位置することを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一つに記載の露光装置。
11. 前記基板においては、パターンマスクを用いてパターン露光が行われたレジスト膜が、表面に形成されていることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか一つに記載の露光装置。
12. 基板を載置部に載置する工程と、
    複数の光照射部により、前記基板の表面の左右の互いに異なる位置に各々独立して光を照射して、前記基板の表面の一端から他端に亘る帯状の照射領域を形成する工程と、
    載置部用移動機構により、前記基板の表面全体が露光されるように、前記照射領域に対して前記載置部を前後に相対的に移動させる工程と、
    前記照射領域の長さ方向における照度分布を検出するために、受光部を当該照射領域の一端部と他端部との間で移動させて、光を受光させる工程と、
    前記照度分布に基づいて、前記光照射部の光の照射量を調整する工程と、
    を備え、
    前記受光部は、前記基板が移動する移動路を移動する導光部材を備え、
    前記導光部材は、前記照度検出部に導光される光の強度を減衰させるための減衰部を備え、
    前記導光部材によって導光される光の照度を照度検出部により検出する工程を備えることを特徴とする露光装置の調整方法。
13. 基板を載置部に載置する工程と、
    複数の光照射部により、前記基板の表面の左右の互いに異なる位置に各々独立して光を照射して、前記基板の表面の一端から他端に亘る帯状の照射領域を形成する工程と、
    載置部用移動機構により、前記基板の表面全体が露光されるように、前記照射領域に対して前記載置部を前後に相対的に移動させる工程と、
    前記照射領域の長さ方向における照度分布を検出するために、受光部を当該照射領域の一端部と他端部との間で移動させて、光を受光させる工程と、
    前記照度分布に基づいて、前記光照射部の光の照射量を調整する工程と、
    を備え、
    前記複数の光照射部、及び前記複数の光照射部とは別個に設けられて前記基板への光照射を行わない監視用光照射部のうちの一方から照射される光を選択的に前記照度検出部により受光する工程と、
    前記監視用光照射部から前記照度検出部に照射された光の照度に基づいて、前記基板を露光するときの各光照射部から出力される光量を一括で調整する工程と、
    を備えることを特徴とする露光装置の調整方法。
14. 前記受光部を備える冶具を、前記基板が載置されていない前記載置部に載置する工程を含み、
    前記受光部に光を受光させる工程は、前記冶具を載置した載置部を回転させる工程及び当該載置部を前記照射領域に対して前後に相対的に移動させる工程を含むことを特徴とする請求項１２または１３記載の露光装置の調整方法。
15. 基板を露光するための露光装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、
    前記コンピュータプログラムは、請求項１２ないし１４のいずれか一つに記載の露光装置の調整方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。

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