JP6337659B2 - 5レベル電力変換装置 - Google Patents
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Description
図1は、本実施形態1における5レベル電力変換装置の回路構成図である。図1に示すように、直流電源の正負極端PN間に直流コンデンサCa,Cbが直列接続される。この直流コンデンサCa,Cbは、正負極端PN間の直流電圧を1/2に分圧する。
第1中性点NP→Ca→P→S1→S3→S5→出力端子OUT
このとき、第1中性点NP−出力端子OUT間の相電圧は+2Eとなる。また、電流Iは3つの半導体スイッチング素子S1,S3,S5を導通する。
第1中性点NP→Ca→P→S1→Cc→S4→S5→出力端子OUT
このとき、中性点NP−出力端子OUT間の相電圧は+Eとなる。電流Iが正のとき、コンデンサCcは充電される。また、電流Iは3つの半導体スイッチング素子S1,S4,S5を導通する。
第1中性点NP→S8→S7→Cc→S3→S5→出力端子OUT
このとき、第1中性点NP−出力端子OUT間の相電圧は+Eとなる。電流Iが正のとき、コンデンサCcは放電される。また、電流Iは4つの半導体スイッチング素子S8,S7,S3,S5を導通する。
第1中性点NP→S8→S7→S4→S5→出力端子OUT
このとき、第1中性点NP−出力端子OUT間の相電圧は0となる。また、電流Iは、4つの半導体スイッチング素子S8,S7,S4,S5を導通する。
第1中性点NP→S8→S7→Cd→S6→出力端子OUT
このとき、第1中性点NP−出力端子OUT間の相電圧は−Eとなる。電流Iが正のとき、コンデンサCdは充電される。また、電流Iは、3つの半導体スイッチング素子S8,S7,S6を導通する。
第1中性点NP→Cb→N→S2→Cd→S4→S5→出力端子OUT
このとき、第1中性点NP−出力端子OUT間の相電圧は−Eとなる。電流Iが正のとき、コンデンサCdは放電される。また、電流Iは、3つの半導体スイッチング素子S2,S4,S5を導通する。
第1中性点NP→Cb→N→S2→S6→出力端子OUT
このとき、第1中性点NP−出力端子OUT間の相電圧は−2Eとなる。また、電流Iは、2つの半導体スイッチング素子S2,S6を導通する。
図2は、本実施形態2におけるマルチレベル電力変換装置の回路構成図である。図2に示すように、本実施形態2におけるマルチレベル電力変換装置は、実施形態1の1相分の変換回路1を3相(U相,V相,W相)にわたって設けたものである。これにより、本実施形態2では、U相,V相,W相の三相に2E,E,0,−E,−2Eの5レベルの相電圧を出力することができる。
N…直流電源の負極端
Ca,Cb…直流コンデンサ
Cc,Cd…コンデンサ
S1〜S8…半導体スイッチング素子
Claims (1)
- 直流電圧から交流電圧への5レベル変換、または、交流電圧から直流電圧への5レベル変換を行う5レベル電力変換装置であって、
直流電源の正負極端間に直列接続され、両端子間の直流電圧を1/2に分圧し、この分圧点を第1中性点とする複数の直流コンデンサと、
直流電源の正極端に一端が接続された第1半導体スイッチング素子と、
直流電源の負極端に一端が接続された第2半導体スイッチング素子と、
第1半導体スイッチング素子の他端と第2半導体スイッチング素子の他端間に直列接続され、両他端間の電圧を1/2に分圧し、この分圧点を第2中性点とする複数のコンデンサと、
第1中性点と第2中性点との間に介挿された双方向スイッチと、
第1半導体スイッチング素子の他端と、第2中性点との間に順次直列接続された第3,第4半導体スイッチング素子と、
第3,第4半導体スイッチング素子の共通接続点と、第2半導体スイッチング素子の他端間に順次直列接続され、この共通接続点を出力端子とする第5,第6半導体スイッチング素子と、を備えたことを特徴とする5レベル電力変換装置。
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