JP6334034B1 - 表面処理銅箔及びその製造方法、並びに銅張積層板 - Google Patents
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Abstract
Description
導体損失は、高周波域では表皮効果があり、電流は導体の表面を流れるという特性を有するため、銅箔表面が粗いと複雑な経路を辿って、電流が流れることになる。したがって、導体損失を少なくするためには、表面粗さが小さい圧延銅箔を用いることが望ましい。
そこで、銅箔と樹脂基材との間を接着剤なしに接着するために、銅箔に粗化処理を施すと共に、銅箔と樹脂基材との間にシラン処理層を設ける方法が提案されている(例えば、特許文献1)。銅箔の粗化処理は、銅箔表面に粗化粒子が樹木状に形成されるため、アンカー効果によって銅箔と樹脂基材との間の接着性を高めることができる。
また、シラン処理層は、銅箔と樹脂基材との間の接着性を向上させる効果を有するものの、その種類によっては、接着性の向上効果が十分とは言えない状況である。
また、本発明は、樹脂基材、特に高周波用途に好適な樹脂基材と表面処理銅箔との間の接着性に優れた銅張積層板を提供することを課題とする。
すなわち、本発明は、以下の第(1)項〜第(27)項である。
前記第1シラン化合物は、アミノ基及びエポキシ基から選択される少なくとも1種を末端に有する反応性官能基と加水分解性基又は炭化水素基とを有するシラン化合物であり、
前記第2シラン化合物は、エポキシ基、(メタ)アクリル基、チオール基及びアミノ基から選択される少なくとも1種を末端に有する反応性官能基と加水分解性基若しくは炭化水素基とを有するシラン化合物、又はテトラアルコキシシラン化合物である表面処理銅箔。
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(3)前記第1シラン化合物は、一般式(1):
(4)前記第2シラン化合物は、一般式(2):
(6)前記第1シラン化合物の反応性官能基の末端がアミノ基である、第(1)項〜第(5)項のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
(7)前記一般式(1)において、R1が、炭素数1〜5のアルキレン鎖、又は窒素原子を含む炭素数3〜7のアルキレン鎖であり、nが0である、第(3)項〜第(6)項のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
(8)前記第2シラン化合物の反応性官能基の末端が、エポキシ基、メタクリル基又はアミノ基である、第(1)項〜第(7)項のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
(9)前記一般式(2)において、Xがメトキシ基であり、Yがエポキシ基であり、Lが直接結合であり、R1が、酸素原子を含む炭素数2〜6のアルキレン鎖であり、nが0である、第(4)項〜第(8)項のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
(11)前記一般式(2)において、Xがエトキシ基であり、Yがアミノ基であり、Lが直接結合であり、R1が炭素数2〜6のアルキレン鎖であり、nが0である、第(4)項〜第(8)項のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
(12)前記一般式(2)において、Xがメトキシ基であり、Yがアミノ基であり、Lが直接結合であり、R1が窒素原子を含む炭素数5〜9のアルキレン鎖であり、nが0である、第(4)項〜第(8)項のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
(13)前記第1シラン化合物が3−アミノプロピルトリエトキシシラン又はN−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシランであり、前記第2シラン化合物がグリシドキシプロピルトリエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、4−アミノブチルトリエトキシシラン又はN−(6−アミノヘキシル)アミノメチルトリエトキシシランである、第(1)項〜第(12)項のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
(15)前記第1シラン化合物と前記第2シラン化合物との体積比が25:75〜90:10である、第(1)項及び第(3)項〜第(14)項のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
(16)前記第1シラン化合物がN−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシランであり、前記第2シラン化合物が4−アミノブチルトリエトキシシランであり、前記第1シラン化合物と前記第2シラン化合物との体積比が50:75〜90:10である、第(1)項及び第(3)項〜第(15)項のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
(17)前記第1シラン化合物がN−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシランであり、前記第2シラン化合物がN−(6−アミノヘキシル)アミノメチルトリエトキシシランであり、前記第1シラン化合物と前記第2シラン化合物との体積比が90:10である第(1)項及び第(3)項〜第(15)項のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
(19)前記第1シラン化合物が3−アミノプロピルトリエトキシシランであり、前記第2シラン化合物がN−(6−アミノヘキシル)アミノメチルトリエトキシシランであり、前記第1シラン化合物と前記第2シラン化合物との体積比が50:50である第(1)項及び第(3)項〜第(15)項のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
(20)前記銅箔と前記シラン処理層との間に、耐熱処理層、防錆処理層及びクロメート処理層からなる群から選択される1種以上の層を有する、第(1)項〜第(19)項のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
(21)樹脂基材に接合される、第(1)項〜第(20)項のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
(22)前記樹脂基材が低誘電材料である、第(21)項に記載の表面処理銅箔。
(23)前記低誘電材料が、液晶ポリマー、低誘電ポリイミド、低誘電エポキシ樹脂、フッ素樹脂又はポリフェニレンエーテル樹脂である、第(22)項に記載の表面処理銅箔。
(25)前記樹脂基材が、液晶ポリマー、低誘電ポリイミド、低誘電エポキシ樹脂、フッ素樹脂又はポリフェニレンエーテル樹脂である、第(24)項に記載の銅張積層板。
(26)フレキシブル配線板、リジッド配線板、シールド材、RF−ID、面状発熱体又は放熱体に用いられる、第(24)項又は第(25)項に記載の銅張積層板。
(27)第1シラン化合物及び前記第1シラン化合物とは異なる第2シラン化合物を含む混合溶液、2種類の前記第1シラン化合物を含む混合溶液、又は2種類の前記第2シラン化合物を含む混合溶液を調製した後、銅箔表面に前記混合溶液を塗布して乾燥させることでシラン処理層を形成する表面処理銅箔の製造方法であって、
前記第1シラン化合物は、アミノ基及びエポキシ基から選択される少なくとも1種を末端に有する反応性官能基と加水分解性基又は炭化水素基とを有するシラン化合物であり、
前記第2シラン化合物は、エポキシ基、(メタ)アクリル基、チオール基及びアミノ基から選択される少なくとも1種を末端に有する反応性官能基と加水分解性基若しくは炭化水素基とを有するシラン化合物、又はテトラアルコキシシラン化合物である、表面処理銅箔の製造方法。
また、本発明によれば、樹脂基材、特に高周波用途に好適な樹脂基材と表面処理銅箔との間の接着性に優れた銅張積層板を提供することができる。
ここで、本明細書において「銅箔」とは、銅箔だけでなく銅合金箔を含む。また、「シラン処理層」とは、シラン化合物を含む混合物から形成されたシラン化合物の皮膜のことを意味する。
ここで、本明細書において「反応性官能基」とは、樹脂基材と化学結合し得る反応基を意味する。また、「加水分解性基」とは、水分によって加水分解され、銅箔と化学結合し得る反応基を意味する。
加水分解性基としては、特に限定されないが、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基などのアルコキシ基;アシロキシ基などが挙げられる。その中でも、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基などのアルコキシ基は、樹脂基材と表面処理銅箔との間の接着性を高める効果が高くなるため好ましい。
R1に含まれていてもよいヘテロ原子としては、特に限定されないが、酸素原子、窒素原子、硫黄原子などが挙げられる。
R1は、炭素数1〜5のアルキレン鎖、又は窒素原子を含む炭素数3〜7のアルキレン鎖であることが好ましく、炭素数2〜4のアルキレン鎖、又は窒素原子を含む炭素数4〜6のアルキレン鎖であることがより好ましい。R1が、これらのアルキレン鎖である場合、樹脂基材と表面処理銅箔との間の接着性を高める効果が高くなる。
nは、0であることが好ましい。nが0である場合、樹脂基材と表面処理銅箔との間の接着性を高める効果が高くなる。
第2シラン化合物は、上記のような官能基を有するものであれば特に限定されないが、下記の一般式(2)によって表すことができる。
ここで、本明細書において「(メタ)アクリル基」とは、アクリル基及びメタクリル基の両方を意味する。
反応性官能基の末端であるYは、エポキシ基、メタクリル基又はアミノ基であることが好ましい。Yがこれらの官能基である場合、樹脂基材と表面処理銅箔との間の接着性を高める効果が高くなる。また、Yがアミノ基である場合、水などの溶媒に対するシラン化合物の溶解性が高くなるため、均質なシラン処理層を形成することが容易になる。
銅箔の表面には、樹脂基材との接着性を高めるなどの観点から、粗化処理を施すことによって粗化処理層を形成してもよい。ここで、本明細書において「粗化処理層」とは、銅箔上に電着した粗化粒子の層を意味する。
粗化粒子としては、特に限定されず、粗化処理に一般的に用いられる銅、ニッケル、リン、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム、コバルト、亜鉛、又はそれらの1種以上を含む合金から形成された微粒子を用いることができる。
ただし、銅箔表面に電着した粗化粒子は、表皮効果によって導体損失を増大させると共に、粉落ちと称される粗化粒子が剥がれ落ちる現象を引き起こす原因となるため、必要に応じて銅箔表面に電着させる粗化粒子を少なくするか、又は粗化処理を行わない態様としてもよい。
混合溶液は、シラン化合物以外に水などの溶媒を含むことができる。混合溶液中のシラン化合物の濃度としては、特に限定されないが、混合溶液中のシラン化合物全体のシラン濃度が0.5体積%〜10体積%となるようにすることが好ましい。また、混合溶液中の溶媒に対する溶解性などの観点からは、混合溶液中のシラン化合物全体のシラン濃度は、好ましくは0.1体積%〜5.0体積%である。
混合溶液は、例えば、シラン化合物を溶媒に加えて混合することによって調製することができる。
シラン処理層に含まれる化合物の同定は既知の方法によって行うことができる。例えばシラン処理層からサンプルを採取し、NMRや、TOF−SIMS等のMSスペクトルを解析することによって行うことができる。
粗化処理としては、例えば、以下の粗化処理方法(1)や粗化処理方法(2)を用いることができる。
(粗化処理方法(1))
液組成:銅10〜20g/L、ニッケル7〜10g/L、コバルト7〜10g/L
液温:30〜60℃
電流密度:1〜50A/dm2
pH:2.0〜3.0
時間:0.12〜1.15秒
粗化処理によって付着する1dm2当たりの各金属量は、銅15〜40mg、ニッケル100〜1500μg、コバルト700〜2500μgが好ましい。
1次粒子めっき(1)
組成:銅10〜15g/L、ニッケル0〜10g/L、コバルト0〜20g/L、硫酸10〜60g/L
液温:30〜40℃
電流密度:10〜30A/dm2
時間:0.2〜5秒
1次粒子めっき(2)
組成:銅20〜30g/L、硫酸70〜90g/L
液温:30〜50℃
電流密度:10〜30A/dm2
時間:0.2〜5秒
2次粒子めっき
組成:銅10〜20g/L、ニッケル0〜10g/L、コバルト0〜10g/L
液温:30〜40℃
電流密度:10〜30A/dm2
時間:0.2〜5秒
ここで、本明細書において「低誘電」とは、誘電正接(1GHz)が0.01以下であることを意味する。
低誘電材料としては、特に限定されないが、液晶ポリマー(LCP)、低誘電ポリイミド、低誘電エポキシ樹脂、フッ素樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂などが挙げられる。
ここで、本明細書において「液晶ポリマー」とは、液相で光学的な異方性を示す芳香族ポリエステルを意味する。液晶ポリマーは、一般に市販されており、例えば、クラレ株式会社製のVecstar(登録商標)シリーズなどを用いることができる。
また、本明細書において「低誘電ポリイミド」とは、例えば、比誘電率(1GHz)が3.3以下、誘電正接(1GHz)が0.005以下のポリイミドを意味する。低誘電ポリイミドは、一般に市販されており、例えば、宇部興産株式会社製のUワニス、ユーピレックス(登録商標)などを用いることができる。
フッ素樹脂としては、例えば、PTFEなどが挙げられる。
ポリフェニレンエーテル樹脂は、ポリスチレンなどの他の樹脂とのコンパウンドも含む。
加圧力としては、特に限定されず、使用する表面処理銅箔及び樹脂基材の種類に応じて適宜設定すればよい。
各実施例で使用したシラン化合物は以下の通りである。
<第1シラン化合物>
・KBE903(信越化学工業株式会社製,3−アミノプロピルトリエトキシシラン,一般式(1)において、Xがエトキシ基であり、Yがアミノ基であり、R1がプロピレン鎖であり、nが0であるシラン化合物)
・KBM603(信越化学工業株式会社製,N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン,一般式(1)において、Xがメトキシ基であり、Yがアミノ基であり、R1が−(CH2)3NH(CH2)2−であり、nが0であるシラン化合物)
・SH6040(東レ・ダウコーニング株式会社製,グリシドキシプロピルトリエトキシシラン,一般式(1)において、Xがエトキシ基であり、Yがエポキシ基であり、R1が−(CH2)3OCH2−であり、nが0であるシラン化合物)
・KBM4803(信越化学工業株式会社製,8−グリシドオキシオクチルトリメトキシシラン,一般式(2)において、Xがメトキシ基であり、Yがエポキシ基であり、Lが直接結合であり、R1が−(CH2)8OCH2−であり、nが0であるシラン化合物)
・S00550(和光純薬工業株式会社製,4−アミノブチルトリエトキシシラン,一般式(2)において、Xがエトキシ基であり、Yがアミノ基であり、Lが直接結合であり、R1がブチレン鎖であり、nが0であるシラン化合物)
・S25035(和光純薬工業株式会社製,N−(6−アミノヘキシル)アミノメチルトリエトキシシラン,一般式(2)において、Xがエトキシ基であり、Yがアミノ基であり、Lが直接結合であり、R1が−CH2NH(CH2)6−であり、nが0であるシラン化合物)
・SH6040(東レ・ダウコーニング株式会社製,グリシドキシプロピルトリエトキシシラン,一般式(2)において、Xがエトキシ基であり、Yがエポキシ基であり、Lが直接結合であり、R1が−(CH2)3OCH2−であり、nが0であるシラン化合物)
・KBE503(信越化学工業株式会社製,3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン,一般式(2)において、Xがエトキシ基であり、Yがメタクリル基であり、Lが−OCO−であり、R1がプロピレン鎖であり、nが0であるシラン化合物)
・KBM5803(信越化学工業株式会社製,8−メタクリロキシオクチルトリメトキシシラン,一般式(2)において、Xがメトキシ基であり、Yがメタクリル基であり、Lが直接結合であり、R1が−(CH2)8OCH2−であり、nが0であるシラン化合物)
・KBM5103(信越化学工業株式会社製,3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン,一般式(2)において、Xがメトキシ基であり、Yがアクリル基であり、Lが−OCO−であり、R1がプロピレン鎖であるシラン化合物)
・KBM4803(信越化学工業株式会社製,8−グリシドオキシオクチルトリメトキシシラン,一般式(2)において、Xがメトキシ基であり、Yがエポキシ基であり、Lが直接結合であり、R1が−(CH2)8OCH2−であり、nが0であるシラン化合物)
・KBM803(信越化学工業株式会社製,3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン,一般式(2)において、Xがメトキシ基であり、Yがチオール(メルカプト)基であり、Lが直接結合であり、R1がプロピレン鎖であり、nが0であるシラン化合物)
・TEOS(信越化学株式会社製,テトラエトキシシラン,テトラアルコキシシラン化合物)
厚さ12μmの圧延銅箔に対し、上述した粗化処理方法(2)条件で粗化処理を行った。
次に、第1シラン化合物としてKBM903、第2シラン化合物としてS00550を選択し、これらを水に加えて混合することによって混合溶液を調製した。このとき、混合溶液中のシラン化合物全体のシラン濃度は1.2体積%に設定した。また、KBM903とS00550との体積比は90:10に設定した。
次に、この混合物を用い、粗化処理を行った圧延銅箔の表面をシラン処理してシラン処理層を形成することにより、表面処理銅箔を得た。シラン処理の条件は以下の通りとした。
温度:10〜30℃
pH:1〜12
処理時間:1〜5秒
乾燥温度:100〜120℃
乾燥時間:10〜300秒
KBM903とS00550との体積比を75:25に変更したこと以外は実施例1と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例3)
KBM903とS00550との体積比を50:50に変更したこと以外は実施例1と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例4)
KBM903とS00550との体積比を25:75に変更したこと以外は実施例1と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例5)
KBM903とS00550との体積比を10:90に変更したこと以外は実施例1と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
第2シラン化合物としてS25035を用いたこと以外は実施例1と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例7)
KBM903とS25035との体積比を75:25に変更したこと以外は実施例6と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例8)
KBM903とS25035との体積比を50:50に変更したこと以外は実施例6と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例9)
KBM903とS25035との体積比を25:75に変更したこと以外は実施例6と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例10)
KBM903とS25035との体積比を10:90に変更したこと以外は実施例6と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
第2シラン化合物としてSH6040を用いたこと以外は実施例1と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例12)
KBM903とSH6040との体積比を75:25に変更したこと以外は実施例11と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例13)
KBM903とSH6040との体積比を50:50に変更したこと以外は実施例11と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例14)
KBM903とSH6040との体積比を25:75に変更したこと以外は実施例11と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例15)
KBM903とSH6040との体積比を10:90に変更したこと以外は実施例11と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
第2シラン化合物としてKBE503を用いたこと以外は実施例1と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例17)
KBM903とKBE503との体積比を75:25に変更したこと以外は実施例16と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例18)
KBM903とKBE503との体積比を50:50に変更したこと以外は実施例16と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例19)
KBM903とKBE503との体積比を25:75に変更したこと以外は実施例16と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例20)
KBM903とKBE503との体積比を10:90に変更したこと以外は実施例16と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
第2シラン化合物としてZ6030を用いたこと以外は実施例1と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例22)
KBM903とZ6030との体積比を75:25に変更したこと以外は実施例21と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例23)
KBM903とZ6030との体積比を50:50に変更したこと以外は実施例21と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例24)
KBM903とZ6030との体積比を25:75に変更したこと以外は実施例21と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
第2シラン化合物としてKBM5803を用いたこと以外は実施例1と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例26)
KBM903とKBM5803との体積比を75:25に変更したこと以外は実施例25と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例27)
KBM903とKBM5803との体積比を50:50に変更したこと以外は実施例25と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例28)
KBM903とKBM5803との体積比を25:75に変更したこと以外は実施例25と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例29)
第2シラン化合物としてKBM5103を用いたこと以外は実施例1と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例30)
KBM903とKBM5103との体積比を75:25にしたこと以外は実施例1と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
第2シラン化合物としてKBM803を用いたこと以外は実施例1と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例32)
第2シラン化合物としてKBM4803を用いたこと以外は実施例1と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例33)
第2シラン化合物としてTEOSを用いたこと以外は実施例2と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例34)
KBM903とTEOSとの体積比を50:50にしたこと以外は実施例33と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例35)
KBM903とTEOSとの体積比を25:75にしたこと以外は実施例33と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
第1シラン化合物としてKBM603を用いたこと以外は実施例1と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例37)
KBM603とS00550との体積比を75:25に変更したこと以外は実施例36と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例38)
KBM603とS00550との体積比を50:50に変更したこと以外は実施例36と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例39)
KBM603とS00550との体積比を25:75に変更したこと以外は実施例36と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
第1シラン化合物としてKBM603を用いたこと以外は実施例6と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例41)
KBM603とS25035との体積比を75:25に変更したこと以外は実施例40と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例42)
KBM603とS25035との体積比を50:50に変更したこと以外は実施例40と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例43)
KBM603とS25035との体積比を25:75に変更したこと以外は実施例40と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
第1シラン化合物としてKBM603を用いたこと以外は実施例11と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例45)
KBM603とSH6040との体積比を75:25に変更したこと以外は実施例44と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例46)
KBM603とSH6040との体積比を50:50に変更したこと以外は実施例44と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例47)
KBM603とSH6040との体積比を25:75に変更したこと以外は実施例44と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
第1シラン化合物としてKBM603を用いたこと以外は実施例16と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例49)
KBM603とKBE503との体積比を75:25に変更したこと以外は実施例48と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例50)
KBM603とKBE503との体積比を50:50に変更したこと以外は実施例48と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例51)
KBM603とKBE503との体積比を25:75に変更したこと以外は実施例48と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
第1シラン化合物としてKBM603を用いたこと以外は実施例32と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例53)
KBM603とKBM4803との体積比を75:25に変更したこと以外は実施例52と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例54)
KBM603とKBM4803との体積比を50:50に変更したこと以外は実施例52と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例55)
KBM603とKBM4803との体積比を25:75に変更したこと以外は実施例52と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
第1シラン化合物としてKBM603を用い、KBM603とTEOSとの体積比を90:10に変更したこと以外は実施例33と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例57)
KBM603とTEOSとの体積比を75:25に変更したこと以外は実施例56と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例58)
KBM603とTEOSとの体積比を50:50に変更したこと以外は実施例56と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例59)
KBM603とTEOSとの体積比を25:75に変更したこと以外は実施例56と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
第1シラン化合物としてSH6040を用いたこと以外は実施例56と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例61)
SH6040とTEOSとの体積比を75:25に変更したこと以外は実施例60と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例62)
SH6040とTEOSとの体積比を50:50に変更したこと以外は実施例60と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例63)
SH6040とTEOSとの体積比を25:75に変更したこと以外は実施例60と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
シラン化合物としてKBE903のみを水に加えて混合することによって混合溶液を調製したこと以外は実施例1と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例65)
シラン化合物としてKBM603のみを水に加えて混合することによって混合溶液を調製したこと以外は実施例1と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例66)
シラン化合物としてSH6040のみを水に加えて混合することによって混合溶液を調製したこと以外は実施例1と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例67)
シラン化合物としてKBE503のみを水に加えて混合することによって混合溶液を調製したこと以外は実施例1と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例68)
シラン化合物としてZ6030のみを水に加えて混合することによって混合溶液を調製したこと以外は実施例1と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
シラン化合物としてKBM5803のみを水に加えて混合することによって混合溶液を調製したこと以外は実施例1と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例70)
シラン化合物としてKBM5103のみを水に加えて混合することによって混合溶液を調製したこと以外は実施例1と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例71)
シラン化合物としてKBM803のみを水に加えて混合することによって混合溶液を調製したこと以外は実施例1と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例72)
シラン化合物としてKBM4803のみを水に加えて混合することによって混合溶液を調製したこと以外は実施例1と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例73)
シラン化合物としてS00550のみを水に加えて混合することによって混合溶液を調製したこと以外は実施例1と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例74)
シラン化合物としてS25035のみを水に加えて混合することによって混合溶液を調製したこと以外は実施例1と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
(実施例75)
シラン化合物としてTEOSのみを水に加えて混合することによって混合溶液を調製したこと以外は実施例1と同様にして表面処理銅箔及び銅張積層板を作製した。
また、上記の実施例のシラン処理で用いた混合物について、シラン化合物の溶媒に対する溶解性を目視観察によって評価した。溶解性の評価では、混合物に白濁及び/又は沈殿が発生しなかったものを〇、白濁及び/又は沈殿が発生したものを△と表す。
これらの結果を表1〜3に示す。
Claims (27)
- 第1シラン化合物及び前記第1シラン化合物とは異なる第2シラン化合物を含む混合物、2種類の前記第1シラン化合物を含む混合物、又は2種類の前記第2シラン化合物を含む混合物の硬化物であるシラン処理層を銅箔表面上に有する表面処理銅箔であって、
前記第1シラン化合物は、アミノ基及びエポキシ基から選択される少なくとも1種を末端に有する反応性官能基と加水分解性基又は炭化水素基とを有するシラン化合物であり、
前記第2シラン化合物は、エポキシ基、(メタ)アクリル基、チオール基及びアミノ基から選択される少なくとも1種を末端に有する反応性官能基と加水分解性基若しくは炭化水素基とを有するシラン化合物、又はテトラアルコキシシラン化合物である表面処理銅箔。 - 第1シラン化合物、又は前記第1シラン化合物とは異なる第2シラン化合物の硬化物であるシラン処理層を銅箔表面上に有する表面処理銅箔であって、
前記第1シラン化合物は、アミノ基及びエポキシ基から選択される少なくとも1種を末端に有する反応性官能基と加水分解性基又は炭化水素基とを有するシラン化合物であり、
前記第2シラン化合物は、エポキシ基、(メタ)アクリル基、チオール基及びアミノ基から選択される少なくとも1種を末端に有する反応性官能基と加水分解性基若しくは炭化水素基とを有するシラン化合物又はテトラアルコキシシラン化合物である表面処理銅箔。 - 前記第1シラン化合物及び前記第2シラン化合物の前記加水分解性基が、メトキシ基、エトキシ基又はプロポキシ基である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 前記第1シラン化合物の反応性官能基の末端がアミノ基である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 前記一般式(1)において、R1が、炭素数1〜5のアルキレン鎖、又は窒素原子を含む炭素数3〜7のアルキレン鎖であり、nが0である、請求項3〜6のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 前記第2シラン化合物の反応性官能基の末端が、エポキシ基、メタクリル基又はアミノ基である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 前記一般式(2)において、Xがメトキシ基であり、Yがエポキシ基であり、Lが直接結合であり、R1が、酸素原子を含む炭素数2〜6のアルキレン鎖であり、nが0である、請求項4〜8のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 前記一般式(2)において、Xがエトキシ基であり、Yがメタクリル基であり、Lが直接結合であり、R1が炭素数1〜5のアルキレン鎖であり、nが0である、請求項4〜8のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 前記一般式(2)において、Xがエトキシ基であり、Yがアミノ基であり、Lが直接結合であり、R1が炭素数2〜6のアルキレン鎖であり、nが0である、請求項4〜8のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 前記一般式(2)において、Xがメトキシ基であり、Yがアミノ基であり、Lが直接結合であり、R1が窒素原子を含む炭素数5〜9のアルキレン鎖であり、nが0である、請求項4〜8のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 前記第1シラン化合物が3−アミノプロピルトリエトキシシラン又はN−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシランであり、前記第2シラン化合物がグリシドキシプロピルトリエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、4−アミノブチルトリエトキシシラン又はN−(6−アミノヘキシル)アミノメチルトリエトキシシランである、請求項1〜12のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 前記第1シラン化合物と前記第2シラン化合物との体積比、2種類の前記第1シラン化合物の体積比、又は2種類の前記第2シラン化合物の体積比が10:90〜90:10である、請求項1及び3〜13のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 前記第1シラン化合物と前記第2シラン化合物との体積比が25:75〜90:10である、請求項1及び3〜14のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 前記第1シラン化合物がN−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシランであり、前記第2シラン化合物が4−アミノブチルトリエトキシシランであり、前記第1シラン化合物と前記第2シラン化合物との体積比が50:75〜90:10である、請求項1及び3〜15のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 前記第1シラン化合物がN−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシランであり、前記第2シラン化合物がN−(6−アミノヘキシル)アミノメチルトリエトキシシランであり、前記第1シラン化合物と前記第2シラン化合物との体積比が90:10である請求項1及び3〜15のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 前記第1シラン化合物がN−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシランであり、前記第2シラン化合物がグリシドキシプロピルトリエトキシシラン又は3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシランであり、前記第1シラン化合物と前記第2シラン化合物との体積比が75:25である請求項1及び3〜15のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 前記第1シラン化合物が3−アミノプロピルトリエトキシシランであり、前記第2シラン化合物がN−(6−アミノヘキシル)アミノメチルトリエトキシシランであり、前記第1シラン化合物と前記第2シラン化合物との体積比が50:50である請求項1及び3〜15のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 前記銅箔と前記シラン処理層との間に、耐熱処理層、防錆処理層及びクロメート処理層からなる群から選択される1種以上の層を有する、請求項1〜19のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 樹脂基材に接合される、請求項1〜20のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 前記樹脂基材が低誘電材料である、請求項21に記載の表面処理銅箔。
- 前記低誘電材料が、液晶ポリマー、低誘電ポリイミド、低誘電エポキシ樹脂、フッ素樹脂又はポリフェニレンエーテル樹脂である、請求項22に記載の表面処理銅箔。
- 請求項1〜23のいずれか一項に記載の表面処理銅箔の前記シラン処理層上に、樹脂基材が接合された銅張積層板。
- 前記樹脂基材が、液晶ポリマー、低誘電ポリイミド、低誘電エポキシ樹脂、フッ素樹脂又はポリフェニレンエーテル樹脂である、請求項24に記載の銅張積層板。
- フレキシブル配線板、リジッド配線板、シールド材、RF−ID、面状発熱体又は放熱体に用いられる、請求項24又は25に記載の銅張積層板。
- 第1シラン化合物及び前記第1シラン化合物とは異なる第2シラン化合物を含む混合溶液、2種類の前記第1シラン化合物を含む混合溶液、又は2種類の前記第2シラン化合物を含む混合溶液を調製した後、銅箔表面に前記混合溶液を塗布して乾燥させることでシラン処理層を形成する表面処理銅箔の製造方法であって、
前記第1シラン化合物は、アミノ基及びエポキシ基から選択される少なくとも1種を末端に有する反応性官能基と加水分解性基又は炭化水素基とを有するシラン化合物であり、
前記第2シラン化合物は、エポキシ基、(メタ)アクリル基、チオール基及びアミノ基から選択される少なくとも1種を末端に有する反応性官能基と加水分解性基若しくは炭化水素基とを有するシラン化合物、又はテトラアルコキシシラン化合物である、表面処理銅箔の製造方法。
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