JP6326192B2 - チップ抵抗器およびその製造法 - Google Patents

Description

本発明は、チップ抵抗器およびその製造法に関する。

絶縁基板の片面に形成され銀を主成分とする一対の電極と、一対の電極の双方に接触するように絶縁基板の片面に形成される抵抗体と、抵抗体を覆い一対の電極の一部を露出したままにする絶縁膜と、を有するチップ抵抗器について、一対の電極が硫化されることが問題視されている。その理由は、一対の電極が硫化すると、導通不良または断線に至るおそれがあるからである。

そこでたとえば、一対の電極の金属材料に銀とパラジウムを含有する金属材料を用いることで、一対の電極の硫化を抑制する技術が提案されている（特許文献１参照）。

特開２００８−３００６０７号公報

しかしながら、銀とパラジウムを含有する金属材料は、多くのパラジウムを含有させないと耐硫化の効果を得られ難い。そのため、たとえば、パラジウムを１０重量％以上含有させた銀−パラジウム系材料の電極の場合、パラジウムを含有しない銀電極に比べて比抵抗が高くなってしまう。この比抵抗の違いは、チップ抵抗器の抵抗値が十分に高い場合には問題となりにくいが、チップ抵抗器の抵抗値が非常に低い場合には、その製造過程における、一対の電極に測定用のプローブ電極を接触させ、抵抗値を測定しながら行うトリミング工程で問題となることがある。たとえば、本来の電極間に形成された抵抗素子の抵抗値に、プローブ電極の接触位置から電極間に形成された抵抗素子までの電極の抵抗値が加算されるため、抵抗素子の抵抗値を測定する際に用いる測定用の一対のプローブ電極の間隔にばらつきがある場合には、無視できない影響がある。また、一対の電極にプローブ電極を接触させるときの接触抵抗も、比抵抗の高い一対の電極の抵抗値に影響してしまう。これらの影響により抵抗値の測定を安定して測定することは極めて困難である。

そこで、本発明の目的は、抵抗値が低いチップ抵抗器であっても、その電極の耐硫化性を高く維持したまま、高い精度の抵抗値調整を行うことが可能なチップ抵抗器およびその製造法を提供することである。

上記目的を達成するため、本発明のチップ抵抗器は、絶縁基板と、絶縁基板の片面に形成される一対の電極と、一対の電極の双方に接触するように絶縁基板の片面に形成される抵抗体と、抵抗体を覆い一対の電極の一部を覆う絶縁膜と、を有し、一対の電極は、それぞれが、以下の（１）から（５）に記載した構成である。
（１）金属成分として、銀を主成分とし、パラジウムを１０重量％以上含有する主電極層と、主電極層よりも比抵抗が低い補助電極層とを有している。
（２）絶縁基板の片面から補助電極層、主電極層の順に積層される積層部分を有する。
（３）抵抗体に近い側は、積層部分の一部が絶縁膜に覆われている。
（４）抵抗体から遠い側には、主電極層が補助電極層を部分的に覆わない、補助電極層の露出部を有しており、露出部は絶縁膜に覆われていない。
（５）抵抗体に近い側から遠い側に亘って、積層部分が延在する部分を有している。

ここで、補助電極層は、金属成分が銀の含有比が９５重量％以上であることとしてもよい。

上記目的を達成するため、本発明のチップ抵抗器の製造法は、絶縁基板と、絶縁基板の片面に形成される一対の電極と、一対の電極の双方に接触するように絶縁基板の片面に形成される抵抗体と、抵抗体を覆い一対の電極の一部を覆う絶縁膜と、を有し、一対の電極は、それぞれが、金属成分として、銀を主成分とし、パラジウムを１０重量％以上含有する主電極層と、主電極層よりも比抵抗が低い補助電極層とを有し、絶縁基板の片面から補助電極層、主電極層の順に積層される積層部分を有し、抵抗体に近い側は、積層部分の一部が絶縁膜に覆われており、抵抗体から遠い側には、主電極層が補助電極層を部分的に覆わない、補助電極層の露出部を有し、露出部は絶縁膜に覆われておらず、且つ、抵抗体に近い側から遠い側に亘って、積層部分が延在する部分を有しており、一対の電極と抵抗体とで抵抗素子を構成するチップ抵抗器の製造法であって、抵抗素子の抵抗値を調整するトリミング工程を有し、トリミング工程は、一対の電極間の抵抗値をプローブ電極で測定しながら、目的の抵抗値となるまで抵抗体に溝を形成する工程であり、プローブ電極は、トリミング工程の際に補助電極層の露出部に当接させる。

ここで、複数のチップ抵抗器をロット単位で管理し、トリミング工程の後に一対の電極をそれぞれ覆う一対の外部電極層を形成する工程を有し、トリミング工程で得られた抵抗素子の各抵抗値の第１平均値をロット単位毎に算出し、外部電極層を形成する工程の後の抵抗素子の各抵抗値を、一対の外部電極層間の抵抗値として測定し、その測定値の第２平均値をロット単位毎に算出し、同一のロットにおける第１平均値と第２平均値の違いに基づいて、別のロットのチップ抵抗器のトリミング工程の際に、抵抗素子の抵抗値の調整に補正を加えることとしてもよい。

本発明では、抵抗値が低いチップ抵抗器であっても、その電極の耐硫化性を高く維持したまま、高い精度の抵抗値調整を行うことが可能なチップ抵抗器およびその製造法を提供することができる。

本発明の実施の形態に係るチップ抵抗器の平面図である。 （ａ）は図１のＡ−Ａ断面図であり、（ｂ）は図１のＡ’−Ａ’断面図である。 本発明の実施の形態に係るチップ抵抗器の製造の過程を示すフロー図である。 本発明の実施の形態に係るチップ抵抗器の製造過程における、抵抗値調整の過程を示すフロー図である。 本発明の実施の形態の変形例に係るチップ抵抗器の平面図である。 （ａ）は図５のＢ−Ｂ断面図であり、（ｂ）は図５のＢ’−Ｂ’断面図である。

以下、本発明の実施の形態に係るチップ抵抗器およびその製造法について、図面を参照しながら説明する。

（本発明の実施の形態に係るチップ抵抗器の構成）
図１は、本発明の実施の形態に係るチップ抵抗器の平面図である。図２は、（ａ）が図１のＡ−Ａ断面図であり、（ｂ）は図１のＡ’−Ａ’断面図である。チップ抵抗器１は、絶縁基板２と、絶縁基板２の上面２Ａに形成される一対の電極３，３と、一対の電極３，３の双方に接触するように形成される酸化ルテニウムを主成分とする抵抗体４と、抵抗体４を覆い一対の電極３，３の一部を覆う絶縁膜（後述する、オーバーコート１５）と、を有している。

一対の電極３，３は、それぞれが、平面形状が長方形の補助電極層３Ａと、補助電極層３Ａよりも耐硫化性が高く比抵抗が高い、平面形状がコの字状の主電極層３Ｂとを有している。なお、補助電極層３Ａは、金属成分が銀である。そして、主電極層３Ｂは、金属成分が、パラジウムを２０重量％、金を５重量％含有し、残部が銀からなる。また、一対の電極３，３は、それぞれが、絶縁基板２の上面２Ａから補助電極層３Ａ、主電極層３Ｂの順に積層される部分を有している。また、一対の電極３，３は、それぞれが、抵抗体４から近い側は、積層部分の一部が絶縁膜におおわれている。また、一対の電極３，３は、それぞれが抵抗体４から遠い側に主電極層３Ｂが補助電極層３Ａを部分的に覆わない、補助電極層３Ａの露出部３Ａ１を有している。また、一対の電極３，３は、それぞれが抵抗体４から近い側から遠い側に亘って、積層部分が延在する部分である延在部３Ｂ１を有している。

また、絶縁基板２の裏面２Ｂにおける一対の電極３，３に対応する位置には、一対の裏面電極１１，１１が形成されている。そして、絶縁基板２の表面２Ａと裏面２Ｂとを結ぶ端面２Ｃ，２Ｃには、一対の電極３，３と一対の裏面電極１１，１１とを接続する端面電極１２，１２が形成されている。

また、抵抗体４の上には、後述のトリミングをする際に抵抗体４を保護するガラスからなる保護コート１３が形成されている。そして、抵抗体４および保護コート１３には、チップ抵抗器１の抵抗値調整用のトリミング溝１４が形成されている。そして、一対の電極３，３の一部と抵抗体４と保護コート１３を覆うようにエポキシ樹脂からなるオーバーコート１５（絶縁膜）が形成されている。さらに、オーバーコート１５で覆われていない一対の電極３，３の部分、端面電極１２，１２および裏面電極１１，１１の表面には、ニッケル層およびはんだ層がこの順に形成されためっき層１６，１６（外部電極層）が形成されている。

（本発明の実施の形態に係るチップ抵抗器の製造法）
図３は、本発明の実施の形態に係るチップ抵抗器１の製造の過程を示すフロー図である。まず、工程Ｐ１は、絶縁基板２の裏面２Ｂに一対の裏面電極１１，１１を形成する工程である。具体的には、金属成分が銀からなるペーストをスクリーン印刷により絶縁基板２の裏面２Ｂに配置し、その後絶縁基板２を焼成炉で焼成することで、一対の裏面電極１１，１１を形成する。

次に、工程Ｐ２は、絶縁基板２の上面２Ａであって一対の裏面電極１１，１１に対応する位置に、一対の電極３，３を形成する工程である。具体的には、まず、金属成分が銀からなるペーストをスクリーン印刷により絶縁基板２の上面２Ａに対して配置し、その後絶縁基板２を焼成炉で焼成することで、補助電極層３Ａ，３Ａを形成する。その後、補助電極層３Ａ，３Ａに重ね合わせるように、金属成分が銀とパラジウム（２０重量％）と金（５重量％）からなるペーストをスクリーン印刷により配置し、その後絶縁基板２を焼成炉で焼成することで、主電極層３Ｂ，３Ｂを形成する。このとき、各電極（裏面電極１１、補助電極層３Ａ、主電極層３Ｂ）は、それぞれ別々に焼成するのでなく、これら全てを同時に焼成を行なってもよい。しかし、補助電極層３Ａと主電極層３Ｂは、別に焼成した方が、補助電極層３Ａの銀が主電極層３Ｂへ拡散することを抑制できるので、硫化特性が良くなる。

次に、工程Ｐ３は、一対の電極３，３の双方に接触するように抵抗体４を形成する工程である。具体的には、酸化ルテニウム等からなるペーストをスクリーン印刷により絶縁基板２の上面２Ａに配置し、その後絶縁基板２を焼成炉で焼成することで、抵抗体４を形成する。

次に、工程Ｐ４は、抵抗体４を覆うように保護コート１３を形成する工程である。具体的には、ガラスペーストをスクリーン印刷により絶縁基板２の上面２Ａに配置し、その後絶縁基板２を焼成炉で焼成することで、保護コート１３を形成する。

次に、工程Ｐ５は、一対の電極３，３と抵抗体４とで構成される抵抗素子の抵抗値を調整するトリミング工程である。トリミング工程前の抵抗素子の抵抗値は、目的とする抵抗値よりも低く設定されている。トリミング工程は、一対の電極３，３間の抵抗値をプローブ電極（図示省略）で測定しながら、目的の抵抗値となるまで抵抗体４および保護コート１３にトリミング溝１４を形成する工程である。プローブ電極は、トリミング工程の際に補助電極層３Ａ，３Ａの露出部３Ａ１、３Ａ１に当接させるようにする。その状態で、レーザー照射によってトリミング溝１４を形成し、抵抗素子の電流の流路を徐々に狭めることで抵抗素子の抵抗値を高くして目的とする抵抗値とする。

次に、工程Ｐ６は、抵抗体４および保護コート１３を覆うように、オーバーコート１５を形成する工程である。具体的には、エポキシ樹脂ペーストをスクリーン印刷により絶縁基板２の上面２Ａに配置し、その後絶縁基板２を熱硬化することで、オーバーコート１５を形成する。

次に、工程Ｐ７は、絶縁基板２の表面２Ａと裏面２Ｂとを結ぶ端面２Ｃ，２Ｃに対して、一対の電極３，３と一対の裏面電極１１，１１とをそれぞれ接続する端面電極１２，１２を形成する工程である。その形成方法は、ニッケル-クロムをスパッタリングにより形成するものである。

次に、工程Ｐ８は、オーバーコート１５で覆われていない一対の電極３，３の部分、端面電極１２，１２および裏面電極１１，１１の表面に、ニッケル層およびはんだ層をこの順に形成しためっき層１６，１６（外部電極層）を形成するめっき工程である。この工程Ｐ８は、バレルめっき法により行われる。

ここで、トリミング工程Ｐ５に関連する抵抗値調整の方法について詳述する。図４は、本発明の実施の形態に係るチップ抵抗器１の製造過程における、抵抗値調整の過程を示すフロー図である。トリミング工程Ｐ５を含む抵抗値調整の過程では、複数のチップ抵抗器１をロット単位で管理する。そして、ロットＡについて、抵抗値調整の目的値ａをチップ抵抗器１の抵抗値である１オームとした、トリミング工程Ｐ５で得られた抵抗素子の各抵抗値の第１平均値を算出する（Ｔ１）。このとき、同一条件でトリミングを行なっていれば、ロットＡ全ての抵抗素子の抵抗値を測定する必要は無く、少なくとも抜き取りにて複数個測定して第１平均値を測定しても良い。

そして、めっき層１６，１６を形成するめっき工程Ｐ８を行った後のロットＡの抵抗素子の各抵抗値を、一対のめっき層１６，１６間の抵抗値として測定する。この測定は、抵抗値測定用のプローブ電極をめっき層１６，１６に当接して行う。その各測定値の平均値を第２平均値として算出する。このとき、トリミング工程Ｐ５にて、同一条件でトリミングを行っていれば、ロットＡ全ての抵抗素子の抵抗値を測定する必要は無く、少なくとも抜き取りにて複数個測定して第２平均値を測定しても良い。

そして、「第１平均値÷第２平均値＝Ｙ」の係数Ｙを算出する（Ｔ３）。そして、ロットＡとは別のロットＢのチップ抵抗器１のトリミング工程Ｐ５の際に、抵抗値の調整の目的値ｂとして、ロットＡの目的値ａだった１オームに係数Ｙを乗じて、補正を行った値を採用する（Ｔ４）。

以上の補正は、ロットＡとロットＢのチップ抵抗器１が同じ公称の抵抗値の場合を想定したが、例えばロットＡのチップ抵抗器１の公称の抵抗値とロットＢのチップ抵抗器１の公称の抵抗値が異なる場合にも同様の補正を行うことができる。たとえば、ロットＡの公称の抵抗値が１オームであり、ロットＢのチップ抵抗器１の公称の抵抗値が５オームである場合には、上述の係数ＹをロットＢの目的値ｂとして、５オームに係数Ｙを乗じた値を採用することができる。このような補正ができる抵抗値の範囲は、ロットＢの公称の抵抗値がロットＡの公称の抵抗値の０．５倍から５倍の範囲とすることが、抵抗値調整の高い精度を維持する意味で好ましい。

（本発明の実施の形態によって得られる主な効果）
本発明の実施の形態に係るチップ抵抗器１は、一対の電極３，３それぞれが、補助電極層３Ａの露出部３Ａ１を有している。補助電極層３Ａは主電極層３Ｂに比べ比抵抗が低い。そのため、その露出部３Ａ１にプローブ電極を当接してトリミング工程Ｐ５を行うことが可能である。すると、プローブ電極の間隔のばらつきが、測定される抵抗値に影響し難くなるため、抵抗値が低いチップ抵抗器であっても、高い精度の抵抗値調整を行うことが可能である。

また、チップ抵抗器１を構成する一対の電極３，３のうち、硫化水素等の硫化ガスに曝されるおそれが最も大きい部分は、絶縁膜であるオーバーコート１５と外部電極層との隙間部分（図２に示す部分Ｘ，Ｘ）である。しかし、その部分Ｘ，Ｘには、耐硫化性の高い主電極層３Ｂがそれぞれ配置しているため、一対の電極３，３の耐硫化性は維持できている。

また、一対の電極３，３は、それぞれが、主電極層３Ｂと補助電極層３Ａにより積層部分が形成されており、抵抗体４に近い側から遠い側に亘って積層部分が延在する延在部３Ｂ１を有している。すると、露出部３Ａ１，３Ａ１にそれぞれ当接したプローブ電極間の電流経路は、その当接した点から延在部３Ｂ１（補助電極層３Ａと主電極層３Ｂとが重なりあう積層部分）を通り易い。なお、補助電極層３Ａと主電極層３Ｂとが重なりあう積層部分は、厚みが大きい分だけ比抵抗値が小さい。また、積層部分の少なくとも一部は絶縁膜にて覆われるように形成されているため、絶縁膜まで形成される外部電極層を形成した際に生じる抵抗値変化がしにくい。したがって、トリミング工程Ｐ５を行う際に、露出部３Ａ１，３Ａ１にそれぞれ当接したプローブ電極間の電流経路は、実際にチップ抵抗器１を使用する際の電流経路により近いものとすることができる。

また、本発明の実施の形態に係るチップ抵抗器１の製造法では、トリミング工程の際にプローブ電極を主電極層３Ｂより比抵抗値が低い補助電極層３Ａの露出部３Ａ１に当接させている。したがって、プローブ電極の接触位置による測定誤差が発生しにくく、その位置での接触抵抗も低くなるため、より正確な測定値を得ることができ、高い精度の抵抗値調整を行うことが可能となっている。

また、図４に示すように、トリミング工程Ｐ５を含む抵抗値調整の過程では、複数のチップ抵抗器１をロット単位で管理し、ロットＡでのめっき層１６，１６形成工程Ｐ８を経た前後のチップ抵抗器１の抵抗値変化を、ロットＡとは別のロットＢに反映させている。めっき層１６，１６形成工程Ｐ８によって、一対の電極３，３の上にめっき層１６，１６が形成されると、チップ抵抗器１を使用する際の一対の電極３，３の部分の通電経路には、めっき層１６，１６が加わり、通電経路の厚みが大きくなる分だけ比抵抗値が小さくなる。その結果としてチップ抵抗器１の抵抗値が低くなる。そのため、ロットＢに係るチップ抵抗器１は、トリミング工程Ｐ５の段階でロットＡよりも目的の抵抗値を若干高く設定し、めっき層１６，１６の形成によってチップ抵抗器１の抵抗値が低下する分の補正を加えることができる。

チップ抵抗器１の構成は、一対の電極３，３の比抵抗が問題視されるような抵抗値の低い抵抗器にとって、有利な構成である。たとえば、公称の抵抗値が１オーム以下の低抵抗器にチップ抵抗器１の構成を採用することが特に有利である。

（他の形態）
上述した本発明の実施の形態に係るチップ抵抗器およびその製造法は、本発明の好適な形態の一例ではあるが、これに限定されるものではなく本発明の要旨を変更しない範囲において種々の変形実施が可能である。

たとえば、一対の電極３，３は、それぞれが、平面形状が長方形の補助電極層３Ａと、補助電極層３Ａよりも耐硫化性が高く比抵抗が高い、平面形状がコの字状の主電極層３Ｂとを有している。しかし、補助電極層３Ａと主電極層３Ｂの平面形状は、別の形状とすることができる。たとえば、図５は、本発明の実施の形態の変形例に係るチップ抵抗器２１の平面図である。また、図６は、（ａ）が図５のＢ−Ｂ断面図であり、（ｂ）が図５のＢ’−Ｂ’断面図である。チップ抵抗器２１は、チップ抵抗器１における主電極層３Ｂの形状を変形させ、平面形状が凸の字状の主電極層２３Ｂとした以外はチップ抵抗器１と同じ構成である。図５および図６は、チップ抵抗器２１について、チップ抵抗器１と同じ構成部材にはチップ抵抗器１における符号を付している。そして、チップ抵抗器１とチップ抵抗器２１とで共通する構成部材については説明を省略する。

このチップ抵抗器２１は、一つの電極２３について補助電極層３Ａの露出部２３Ａ１が、延在部２３Ｂ１を挟んで通電方向と直交する方向の電極２３の両端に２箇所存在する。そのため、トリミング工程Ｐ５の際の抵抗値測定を、いわゆる４端子測定で行うのであれば、それぞれのプローブ電極を当接させる位置を明確にすることができる。もちろん、チップ抵抗器１の露出部３Ａ１を用いても同様に４端子測定できることは言うまでもない。

また、補助電極層３Ａは、金属成分が銀であり、主電極層３Ｂは、金属成分が、パラジウムの含有比が２０重量％で、金の含有比が５重量％の、銀を主成分とするものである。しかし、補助電極層３Ａおよび主電極層３Ｂの材料は、これに限定されず適宜変更することができる。たとえば、補助電極層３Ａは、金属成分が、主電極層３Ｂのものより比抵抗が低ければよく、５重量％以下程度であればパラジウムを含有しても良い。補助電極層３Ａが少量のパラジウムを含有することで、補助電極層３Ａから抵抗体４への銀の拡散と、それによる抵抗体４の温度特性の悪影響を軽減できる。また、補助電極層３Ａが少量のパラジウムを含有することで、補助電極層３Ａから主電極層３Ｂへの銀の拡散も抑えることができるため、主電極層３Ｂの耐硫化性の低下を防ぐことができる。また、主電極層３Ｂは、金属成分が耐硫化性の高いものであればよく、パラジウムの含有比が１０重量％以上、２０重量％以上または３０重量％以上とすることができる。さらに、主電極層３Ｂは、金属成分が金を実質的に含有しないものとすることができる。

また、一対の裏面電極１１，１１および端面電極１２，１２は、必須の構成要素ではないため、省略することができる。その場合には、チップ抵抗器１は、一対の電極３，３を実装基板に対向するように実装する、いわゆるフェイスダウンの抵抗器とすることができる。

さらに、チップ抵抗器１は、公称の抵抗値が１オームのものである。しかし、チップ抵抗器１の抵抗値は、１オームを超えるものであっても良いし、１オーム未満のものであっても良い。本発明の実施の形態に係るチップ抵抗器１は、公称の抵抗値が１オーム以下のような、いわゆる低抵抗器の場合に特に有利である。

また、図４に示すように、トリミング工程Ｐ５を含む抵抗値調整の過程では、複数のチップ抵抗器１をロット単位で管理し、ロットＡでのめっき層１６，１６形成工程Ｐ８を経た前後のチップ抵抗器１の抵抗値変化を、ロットＡとは別のロットＢに反映させている。しかし、図４に示すような抵抗値調整方法は、必ずしも採用する必要はない。

さらに、ロットＢのチップ抵抗器１のトリミング工程Ｐ５の際に、抵抗値の調整の目的値ｂとして、ロットＡの目的値ａだった１オームに係数Ｙ（＝第１平均値÷第２平均値）を乗じた値を採用することで、抵抗値調整の補正を行っている。しかし、このような補正方法ではなく、たとえば、「第１平均値−第２平均値」の値（係数Ｚ）を算出し、抵抗値の調整の目的値ｂとして、ロットＡの目的値ａだった１オームに係数Ｚを加えた値を採用することとしても良い。つまり、第１平均値と第２平均値の違いに基づいて、ロットＢのチップ抵抗器１のトリミング工程Ｐ５の際に、抵抗素子の抵抗値の調整に補正を加える場合は、その補正の方法には、多くの選択肢がある。

１ チップ抵抗器
２ 絶縁基板
３ 電極
３Ａ 補助電極層
３Ｂ 主電極層
３Ａ１、２３Ａ１ 露出部
３Ｂ１，２３Ｂ１ 延在部（延在する部分）
４ 抵抗体
１３ 保護コート
１５ オーバーコート（絶縁膜）
１６ めっき層（外部電極層）
Ｐ５ トリミング工程
Ｐ８ めっき工程（外部電極層を形成する工程）

Claims (4)

1. 絶縁基板と、
   上記絶縁基板の片面に形成される一対の電極と、
   上記一対の電極の双方に接触するように上記絶縁基板の片面に形成される抵抗体と、
   上記抵抗体を覆い上記一対の電極の一部を覆う絶縁膜と、を有するチップ抵抗器において、
   上記一対の電極は、それぞれが、以下の（１）から（５）に記載した構成であることを特徴とするチップ抵抗器。
   （１）金属成分として、銀を主成分とし、パラジウムを１０重量％以上含有する主電極層と、上記主電極層よりも比抵抗が低い補助電極層とを有している。
   （２）上記絶縁基板の片面から上記補助電極層、上記主電極層の順に積層される積層部分を有する。
   （３）上記抵抗体に近い側は、上記積層部分の一部が上記絶縁膜に覆われている。
   （４）上記抵抗体から遠い側には、上記主電極層が上記補助電極層を部分的に覆わない、上記補助電極層の露出部を有しており、上記露出部は上記絶縁膜に覆われていない。
   （５）上記抵抗体から近い側から遠い側に亘って、上記積層部分が延在する部分を有している。
2. 前記補助電極層は、金属成分が銀の含有比が９５重量％以上であることを特徴とする請求項１記載のチップ抵抗器。
3. 絶縁基板と、
   上記絶縁基板の片面に形成される一対の電極と、
   上記一対の電極の双方に接触するように上記絶縁基板の片面に形成される抵抗体と、
   上記抵抗体を覆い上記一対の電極の一部を覆う絶縁膜と、を有し、
   上記一対の電極は、それぞれが、金属成分として、銀を主成分とし、パラジウムを１０重量％以上含有する主電極層と、上記主電極層よりも比抵抗が低い補助電極層とを有し、
   上記絶縁基板の片面から上記補助電極層、上記主電極層の順に積層される積層部分を有し、
   上記抵抗体に近い側は、上記積層部分の一部が上記絶縁膜に覆われており、
   上記抵抗体から遠い側には、上記主電極層が上記補助電極層を部分的に覆わない、上記補助電極層の露出部を有しており、上記露出部は上記絶縁膜に覆われておらず、且つ上記抵抗体から近い側から遠い側に亘って、上記積層部分が延在する部分を有しており、
   上記一対の電極と上記抵抗体とで抵抗素子を構成するチップ抵抗器の製造法であって、
   上記抵抗素子の抵抗値を調整するトリミング工程を有し、
   上記トリミング工程は、上記一対の電極間の抵抗値をプローブ電極で測定しながら、目的の抵抗値となるまで上記抵抗体に溝を形成する工程であり、
   上記プローブ電極は、上記トリミング工程の際に上記補助電極層の露出部に当接させることを特徴とするチップ抵抗器の製造法。
4. 複数の前記チップ抵抗器をロット単位で管理し、前記トリミング工程の後に前記一対の電極をそれぞれ覆う一対の外部電極層を形成する工程を有する請求項３記載のチップ抵抗器の製造法であって、
   前記トリミング工程で得られた前記抵抗素子の各抵抗値の第１平均値を上記ロット単位毎に算出し、
   上記外部電極層を形成する工程の後の前記抵抗素子の各抵抗値を、上記一対の外部電極層間の抵抗値として測定し、その測定値の第２平均値を上記ロット単位毎に算出し、
   同一の上記ロットにおける上記第１平均値と上記第２平均値の違いに基づいて、別のロットの前記チップ抵抗器の前記トリミング工程の際に、前記抵抗素子の抵抗値の調整に補正を加えることを特徴とするチップ抵抗器の製造法。