JP6304965B2 - Imprint apparatus, imprint method, and article manufacturing method using the same - Google Patents

Description

本発明は、インプリント装置およびインプリント方法、ならびにそれを用いた物品の製造方法に関する。   The present invention relates to an imprint apparatus, an imprint method, and a method for manufacturing an article using the same.

半導体デバイスやＭＥＭＳなどの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィー技術に加え、基板（ウエハ）上に供給された未硬化の樹脂を型（モールド）で成形し、基板上にパターンを形成する微細加工技術が注目を集めている。この技術はインプリント技術とも呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。例えば、インプリント技術の１つとして光硬化法がある。この光硬化法を採用したインプリント装置では、まず、基板上のパターン形成領域に未硬化の樹脂（光硬化性樹脂）を供給する。次に、基板上の樹脂とパターンが形成された型とを接触させる（押型する）。そして、樹脂と型とを接触させた状態で光を照射して樹脂を硬化させる。基板と型との間隔を広げる（硬化した樹脂から型を引き離す）ことにより、樹脂のパターンが基板上に形成される。   The demand for miniaturization of semiconductor devices, MEMS, and the like has progressed, and in addition to conventional photolithography technology, uncured resin supplied on a substrate (wafer) is molded with a mold, and a pattern is formed on the substrate. Microfabrication technology is attracting attention. This technique is also called an imprint technique, and can form a fine structure on the order of several nanometers on a substrate. For example, one of the imprint techniques is a photocuring method. In an imprint apparatus employing this photocuring method, first, an uncured resin (photocurable resin) is supplied to a pattern formation region on a substrate. Next, the resin on the substrate and the mold on which the pattern is formed are brought into contact (pressed). Then, the resin is cured by irradiating light while the resin and the mold are in contact with each other. By increasing the distance between the substrate and the mold (pulling the mold away from the cured resin), a resin pattern is formed on the substrate.

ここで、インプリント装置では、引き離し後の型に樹脂の硬化物が付着（残留）した場合、次のパターン形成領域に形成されるパターンの形状が乱れ、所望の形状のパターンが形成できない場合がある。そこで、このような硬化物が付着した場合には、硬化物を除去するための型の洗浄を行う必要がある。従来、型に付着した硬化物を洗浄対象物から除去する方法としては、例えば、硬化物を軟化（膨潤）、溶解させることで除去する方法や、硬化物にエネルギーを与えてガス状の低分子量物質まで分解することで除去する方法などがある。前者の方法において、軟化、溶解の時間を短縮するために、超音波振動などの物理的刺激を与える手段を併用する場合もあるが、インプリント装置に用いられる型に対しては、微細なパターンが形成されたパターン部を破損する可能性があるため適さない。そこで、特許文献１は、硬化物を除去しやすくするために、架橋と分解反応との両方の機能を有する紫外線硬化樹脂を用いたインプリント方法を開示している。一方、特許文献２は、ＵＶ光やＶＵＶ光によりガス状の物質に分解するようなエネルギーを硬化物に付与して除去する技術を開示している。なお、特許文献２におけるＦｉｇ．３に図示されているノズルから供給されるオゾンガス、ヘリウム、または二酸化炭素には、硬化物を軟化または溶解させる性質はない。また、特許文献３は、水素ラジカルのような還元性ガスを供給し、付着物をメタンのようなガス状の物質に変化させて除去するクリーニング方法を開示している。また、特許文献４は、洗浄対象物に粘着層を接触させて異物を除去する技術として、露光装置内の被洗浄部位に接触させる粘着層を有するクリーニングシートを開示している。さらに、特許文献５は、凝縮性ガスの雰囲気でインプリント処理を実施するインプリント方法を開示している。この特許文献５に関連して、非特許文献１は、凝縮性ガスの中でも特にペンタフルオロプロパン（ＰＦＰ）が未硬化のアクリル系紫外線硬化樹脂の粘度を下げる旨を記載している。   Here, in the imprint apparatus, when a cured product of the resin adheres (residual) to the separated mold, the shape of the pattern formed in the next pattern formation region may be disturbed, and a pattern having a desired shape may not be formed. is there. Therefore, when such a cured product adheres, it is necessary to clean the mold for removing the cured product. Conventional methods for removing the cured product adhering to the mold from the object to be cleaned include, for example, a method of removing the cured product by softening (swelling) and dissolving it, and a method of applying energy to the cured product to give a gaseous low molecular weight. There is a method of removing the substance by decomposing it. In the former method, in order to shorten the time for softening and dissolution, a means for applying physical stimulation such as ultrasonic vibration may be used in combination, but a fine pattern is used for the mold used in the imprint apparatus. This is not suitable because there is a possibility of damaging the formed pattern portion. Therefore, Patent Document 1 discloses an imprint method using an ultraviolet curable resin having both functions of crosslinking and decomposition in order to facilitate removal of a cured product. On the other hand, Patent Document 2 discloses a technique for applying and removing energy that decomposes into a gaseous substance by UV light or VUV light to a cured product. Note that FIG. The ozone gas, helium, or carbon dioxide supplied from the nozzle shown in FIG. 3 has no property of softening or dissolving the cured product. Patent Document 3 discloses a cleaning method in which a reducing gas such as hydrogen radicals is supplied and the deposits are changed to a gaseous substance such as methane to be removed. Patent Document 4 discloses a cleaning sheet having an adhesive layer that is brought into contact with a site to be cleaned in an exposure apparatus, as a technique for removing a foreign substance by bringing the adhesive layer into contact with an object to be cleaned. Furthermore, patent document 5 is disclosing the imprint method which implements the imprint process in the atmosphere of a condensable gas. In relation to this Patent Document 5, Non-Patent Document 1 describes that pentafluoropropane (PFP), among condensable gases, lowers the viscosity of uncured acrylic ultraviolet curable resin.

国際公開第２００９／１１３３５７号International Publication No. 2009/113357 米国特許出願公開第２０１０／００８５５５号明細書US Patent Application Publication No. 2010/008555 特開２００９−８８４８４号公報JP 2009-88484 A 特許第３８２２７６３号公報Japanese Patent No. 3822763 特許第３７００００１号公報Japanese Patent No. 3700001

HiroshiHiroshima, etc, "Viscosity of a Thin Film of UV Curable Resin inPentafluoropropane", J. Photopolymer Science and Technology, Vol. 23, No.1, 2010, p. 45-50.HiroshiHiroshima, etc, "Viscosity of a Thin Film of UV Curable Resin in Pentafluoropropane", J. Photopolymer Science and Technology, Vol. 23, No.1, 2010, p. 45-50.

しかしながら、特許文献１に示す方法では、樹脂の硬化物を軟化させるのに加熱が必要となり、型をインプリント装置から外さずに洗浄するためには、温度制御機構が大掛かりになる。また、特許文献２および３に示す方法では、硬化物を二酸化炭素などのガス状の低分子量物質にまで分解するのに時間がかかる。また、特許文献４には、インプリント装置に用いられる型の洗浄に適用する旨の記載がなく、ここに示す方法では、実際に型のパターン部（凹部）に付着した硬化物を効率的に除去することが難しい。さらに、特許文献５および非特許文献１には、硬化物を軟化、溶解させ、型の洗浄へ応用する旨の記載がない。   However, in the method shown in Patent Document 1, heating is required to soften the cured resin, and a temperature control mechanism becomes large in order to clean the mold without removing it from the imprint apparatus. In the methods shown in Patent Documents 2 and 3, it takes time to decompose the cured product into a gaseous low molecular weight substance such as carbon dioxide. In addition, Patent Document 4 does not describe that it is applied to cleaning of a mold used in an imprint apparatus, and in the method shown here, a cured product actually attached to a pattern portion (concave portion) of a mold is efficiently removed. Difficult to remove. Furthermore, Patent Document 5 and Non-Patent Document 1 do not describe that the cured product is softened and dissolved and applied to mold cleaning.

本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、例えば、型に付着したインプリント材の硬化物を短時間で除去するのに有利なインプリント装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such a situation, and an object of the present invention is to provide an imprint apparatus that is advantageous, for example, for removing a cured product of an imprint material attached to a mold in a short time. .

上記課題を解決するために、本発明は、型を用いて、第１基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、第１基板を保持する第１基板保持部と、型に付着したインプリント材の硬化物を除去するための第２基板を保持する第２基板保持部と、型に付着したインプリント材の硬化物を軟化または溶解させる気体を供給する気体供給部と、を有し、インプリント材の硬化物を、気体によって軟化または溶解させ、第２基板上のインプリント材と接触させ、第２基板上で再硬化させる、ことを特徴とする。 In order to solve the above problems, the present invention uses a mold, a imprint apparatus for forming a pattern of the imprint material on a first substrate, a first substrate holding portion for holding the first substrate, A second substrate holding unit for holding a second substrate for removing a cured product of the imprint material attached to the mold, and a gas supply unit for supplying a gas for softening or dissolving the cured product of the imprint material attached to the mold When have, a cured product of the imprint material, is softened or dissolved by the gas, is contacted with imprint material on the second substrate, it causes re-hardening in the second substrate, wherein the.

本発明によれば、例えば、型に付着したインプリント材の硬化物を短時間で除去するのに有利なインプリント装置を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the imprint apparatus advantageous for removing the hardened | cured material of the imprint material adhering to the type | mold for a short time can be provided, for example.

本発明の第１実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the imprint apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention. 第１実施形態に係るウエハステージの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the wafer stage which concerns on 1st Embodiment. 第１実施形態に係るインプリント装置の動作を示すフローチャートである。4 is a flowchart illustrating an operation of the imprint apparatus according to the first embodiment. 第１実施形態に係る洗浄工程の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of the washing | cleaning process which concerns on 1st Embodiment. 洗浄工程における気体や樹脂の状態を時系列で示す図である。It is a figure which shows the state of the gas and resin in a washing | cleaning process in time series. 本発明の第２実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the imprint apparatus which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 第２実施形態に係るウエハステージの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the wafer stage which concerns on 2nd Embodiment. 第３実施形態に係るインプリント装置の動作を示すフローチャートである。10 is a flowchart illustrating an operation of an imprint apparatus according to a third embodiment. 本発明の第３実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the imprint apparatus which concerns on 3rd Embodiment of this invention.

以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。   Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.

（第１実施形態）
まず、本発明の第１実施形態に係るインプリント装置および方法について説明する。図１は、本実施形態に係るインプリント装置１の構成を示す概略図である。インプリント装置１は、物品としての半導体デバイスなどの製造に使用され、ウエハＷ上（基板上）に供給（塗布）された未硬化樹脂とモールド（型）Ｍとを接触させて成形し、ウエハＷ上にパターンを形成する装置である。なお、ここでは、光硬化法を採用したインプリント装置とする。また、以下の図においては、上下方向（鉛直方向）にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内に互いに直交するＸ軸およびＹ軸を取っている。インプリント装置１は、まず、光照射部２と、モールド保持機構３と、ウエハステージ（ディスペンサ）４と、塗布部５と、気体供給機構６と、制御部７とを備える。 (First embodiment)
First, an imprint apparatus and method according to the first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a configuration of an imprint apparatus 1 according to the present embodiment. The imprint apparatus 1 is used for manufacturing a semiconductor device as an article, and is formed by bringing an uncured resin supplied (applied) onto a wafer W (on a substrate) and a mold (mold) M into contact with each other to form a wafer. An apparatus for forming a pattern on W. Here, it is assumed that the imprint apparatus adopts a photocuring method. Further, in the following drawings, the Z axis is taken in the vertical direction (vertical direction), and the X axis and the Y axis perpendicular to each other are taken in a plane perpendicular to the Z axis. The imprint apparatus 1 includes a light irradiation unit 2, a mold holding mechanism 3, a wafer stage (dispenser) 4, an application unit 5, a gas supply mechanism 6, and a control unit 7.

光照射部２は、インプリント処理の際に、モールドＭに対して紫外線（ＵＶ）１０を照射する。この光照射部２は、不図示であるが、光源と、この光源から発せられた紫外線１０をインプリントに適切な光に調整し、モールドＭに照射する照明光学系とを含む。光源は、水銀ランプなどのランプ類を採用可能であるが、モールドＭを透過し、かつ樹脂（インプリント材、紫外線硬化樹脂）が硬化する波長の光を発する光源であれば、特に限定するものではない。照明光学系は、レンズ、ミラー、アパーチャ、照射と遮光とを切り替えるためのシャッターなどを含み得る。   The light irradiation unit 2 irradiates the mold M with ultraviolet rays (UV) 10 during the imprint process. Although not shown, the light irradiation unit 2 includes a light source and an illumination optical system that adjusts ultraviolet light 10 emitted from the light source to light suitable for imprinting and irradiates the mold M. The light source may be a lamp such as a mercury lamp, but is particularly limited as long as it is a light source that transmits light of a wavelength that passes through the mold M and cures the resin (imprint material, ultraviolet curable resin). is not. The illumination optical system may include a lens, a mirror, an aperture, a shutter for switching between irradiation and light shielding, and the like.

モールドＭは、外周形状が多角形（好適には、矩形または正方形）であり、ウエハＷに対する面には、例えば回路パターンなどの転写すべき凹凸パターンが３次元状に形成されたパターン部Ｍａを含む。なお、パターンサイズは、製造対象となる物品により様々であるが、微細なものでは線幅が十数ナノメートルのパターンも含まれる。また、モールドＭの材質は、紫外線１０を透過させることが可能で、かつ熱膨張率の低いことが望ましく、例えば石英とし得る。   The mold M has a polygonal shape (preferably, a rectangle or a square), and a pattern portion Ma on which a concavo-convex pattern to be transferred, such as a circuit pattern, is formed in a three-dimensional manner on the surface of the wafer W. Including. The pattern size varies depending on the article to be manufactured, but a fine pattern includes a pattern having a line width of several tens of nanometers. The material of the mold M is preferably capable of transmitting the ultraviolet light 10 and has a low coefficient of thermal expansion, and may be, for example, quartz.

モールド保持機構（型保持部）３は、不図示であるが、モールドＭを保持するモールドチャックと、このモールドチャックを保持し移動可能とするモールド駆動機構とを含む。モールドチャックは、モールドＭにおける紫外線１０の照射面の外周領域を真空吸着力や静電力により引き付けることでモールドＭを保持し得る。モールド駆動機構は、モールドＭのウエハＷ上の樹脂との接触（押型）、または引き離し（離型）を行うとともに、モールドＭとウエハＷとのＸ軸方向とＹ軸方向との位置合わせを行えるように、モールドＭを各軸方向に移動させる。このモールド駆動機構に採用可能な動力源としては、例えばリニアモータまたはエアシリンダーがある。なお、インプリント装置１における押型および離型の各動作は、モールドＭをＺ軸方向に移動させることで実現してもよいが、後述のウエハステージ４をＺ軸方向に移動させることで実現してもよく、または、その双方を相対的に移動させてもよい。なお、モールド保持機構３は、モールドチャックにおけるモールドＭの保持側に設置され、モールドＭの側面に対して外力または変位を機械的に与えることによりモールドＭ（パターン部Ｍａ）の形状を補正する倍率補正機構を含む場合もある。さらに、モールド保持機構３は、ＸＹ平面方向の中心部（内側）に、光照射部２から照射された紫外線１０をウエハＷに向かい通過可能とする開口領域１１を有する。   Although not shown, the mold holding mechanism (mold holding unit) 3 includes a mold chuck for holding the mold M and a mold driving mechanism for holding and moving the mold chuck. The mold chuck can hold the mold M by attracting the outer peripheral area of the irradiation surface of the ultraviolet ray 10 in the mold M with a vacuum suction force or an electrostatic force. The mold drive mechanism can perform contact (pushing) or separation (release) of the mold M with the resin on the wafer W, and can align the mold M and the wafer W in the X-axis direction and the Y-axis direction. In this way, the mold M is moved in each axial direction. As a power source that can be employed in the mold driving mechanism, for example, there is a linear motor or an air cylinder. The pressing and releasing operations in the imprint apparatus 1 may be realized by moving the mold M in the Z-axis direction, but are realized by moving a wafer stage 4 described later in the Z-axis direction. Or both of them may be moved relatively. The mold holding mechanism 3 is installed on the mold chuck holding side of the mold chuck, and a magnification for correcting the shape of the mold M (pattern portion Ma) by mechanically applying an external force or displacement to the side surface of the mold M. A correction mechanism may be included. Further, the mold holding mechanism 3 has an opening region 11 that allows the ultraviolet rays 10 irradiated from the light irradiation unit 2 to pass toward the wafer W at the center (inside) in the XY plane direction.

ウエハＷは、例えば、単結晶シリコン基板やＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板、またはガラス基板である。このウエハＷ（ウエハＷ１）上には、複数のショット（ショット領域、パターン形成領域）が存在し、これらのショットには、パターン部Ｍａにより樹脂のパターン（パターンを含む層）が成形される。 The wafer W is, for example, a single crystal silicon substrate, an SOI (Silicon on Insulator) substrate, or a glass substrate. On this wafer W (wafer W1), there are a plurality of shots ( shot areas, pattern formation areas), and resin patterns (layers including patterns) are formed on these shots by the pattern portion Ma.

ウエハステージ（基板保持部）４は、ウエハＷを保持して移動可能である。このウエハステージ４は、通常のインプリント工程において、被処理基板としてのウエハ（第１基板）Ｗ１を保持する第１ステージＳＴ１と、後述するモールドＭの洗浄工程において、洗浄用ウエハ（第２基板）Ｗ２を保持する第２ステージＳＴ２とを含む。図２は、第１ステージＳＴ１および第２ステージＳＴ２をＺ軸方向から見た平面図である。第１ステージＳＴ１は、ウエハＷ１を吸着力により引き付けて保持するウエハチャック（第１基板保持部、第１チャック）１２ａを有する。さらに、第１ステージＳＴ１は、ウエハチャック１２ａを機械的に保持し、各軸方向に移動可能とするステージ駆動機構（第１駆動機構）１３ａを有する。一方、第２ステージＳＴ２は、洗浄用ウエハＷ２を吸着力により引き付けて保持するウエハチャック（第２基板保持部、第２チャック）１２ｂを有する。さらに、第２ステージＳＴ２は、ウエハチャック１２ｂを機械的に保持し、各軸方向に移動可能とするステージ駆動機構（第２駆動機構）１３ｂを有する。洗浄用ウエハＷ２の表面積は、ウエハＷ１に存在するよりも少ない数のショットが存在する程度の大きさでよいため、ウエハチャック１２ｂの洗浄用ウエハＷ２を保持する面の面積は、ウエハチャック１２ａのウエハＷ１を保持する面の面積よりも小さくてよい。すなわち、ウエハチャック１２ｂ（第２ステージＳＴ）自体の大きさを小型化できるので、インプリント装置１内の駆動範囲を省スペース化できる。各ウエハチャック１２ａ、１２ｂは、例えば、高さの揃った複数のピンでウエハＷを支持し、ピン以外の部分を真空排気により減圧することでウエハＷを保持する。各ステージ駆動機構１３ａ、１３ｂは、駆動中および静止中の振動が少ない動力源であり、採用可能な動力源としては、例えばリニアモータまたは平面モータなどがある。また、第１ステージＳＴ１および第２ステージＳＴ２は、それぞれ、ステージ表面に後述のアライメント工程で参照される基準マーク１４ａ、１４ｂを備える。さらに、第１ステージＳＴ１および第２ステージＳＴ２の位置は、それぞれ、例えばレーザー干渉計により実時間で計測され、後述する制御部７は、このときの計測値に基づいて位置決め制御を実行する。   The wafer stage (substrate holding unit) 4 can hold and move the wafer W. The wafer stage 4 includes a first stage ST1 that holds a wafer (first substrate) W1 as a substrate to be processed in a normal imprint process, and a cleaning wafer (second substrate) in a mold M cleaning process described later. ) 2nd stage ST2 holding W2. FIG. 2 is a plan view of the first stage ST1 and the second stage ST2 as viewed from the Z-axis direction. The first stage ST1 includes a wafer chuck (first substrate holding unit, first chuck) 12a that attracts and holds the wafer W1 by an adsorption force. Further, the first stage ST1 has a stage drive mechanism (first drive mechanism) 13a that mechanically holds the wafer chuck 12a and is movable in each axial direction. On the other hand, the second stage ST2 includes a wafer chuck (second substrate holding unit, second chuck) 12b that attracts and holds the cleaning wafer W2 by an attractive force. Furthermore, the second stage ST2 has a stage drive mechanism (second drive mechanism) 13b that mechanically holds the wafer chuck 12b and is movable in each axial direction. Since the surface area of the cleaning wafer W2 may be large enough to have a smaller number of shots than the wafer W1, the area of the surface of the wafer chuck 12b that holds the cleaning wafer W2 is equal to that of the wafer chuck 12a. It may be smaller than the area of the surface holding the wafer W1. That is, since the size of the wafer chuck 12b (second stage ST) itself can be reduced, the drive range in the imprint apparatus 1 can be saved. Each of the wafer chucks 12a and 12b, for example, supports the wafer W with a plurality of pins having a uniform height, and holds the wafer W by depressurizing portions other than the pins by evacuation. Each stage drive mechanism 13a, 13b is a power source with little vibration during driving and at rest, and examples of power sources that can be employed include a linear motor and a planar motor. Further, each of the first stage ST1 and the second stage ST2 includes reference marks 14a and 14b that are referred to in an alignment step described later on the stage surface. Further, the positions of the first stage ST1 and the second stage ST2 are each measured in real time by, for example, a laser interferometer, and the control unit 7 described later executes positioning control based on the measured value at this time.

塗布部（ディスペンサ）５は、モールド保持機構３の近傍に設置され、ウエハＷ上に存在するパターン形成領域としてのショット上に、未硬化の樹脂を塗布（供給）する。この樹脂は、紫外線１０を受光することにより硬化する性質を有する紫外線硬化樹脂（光硬化性樹脂、インプリント材）であり、半導体デバイス製造工程などの各種条件により適宜選択される。この塗布部５は、塗布方式としてインクジェット方式を採用し、不図示であるが、未硬化状態の樹脂を収容する容器と、液滴吐出部とを有する。液滴吐出部は、例えば複数の吐出口を含むピエゾタイプの吐出機構（インクジェットヘッド）を含む。   The application unit (dispenser) 5 is installed in the vicinity of the mold holding mechanism 3 and applies (supplies) uncured resin onto a shot as a pattern formation region existing on the wafer W. This resin is an ultraviolet curable resin (photo-curable resin, imprint material) having a property of being cured by receiving ultraviolet rays 10 and is appropriately selected according to various conditions such as a semiconductor device manufacturing process. The application unit 5 employs an inkjet method as an application method, and includes a container for storing an uncured resin and a droplet discharge unit, which are not shown. The droplet discharge unit includes, for example, a piezo-type discharge mechanism (inkjet head) including a plurality of discharge ports.

気体供給機構（気体供給部）６は、後述のモールドＭの洗浄工程において、モールドＭに付着した樹脂の硬化物を軟化、または溶解させる気体を供給する。この気体供給機構６は、気体容器２０と、ノズル（供給口）２１と、気体制御部２２とを含む。気体容器２０は、供給する気体を一旦収容する。ノズル２１は、モールド保持機構３の近傍に設置され、モールドＭとウエハＷとの隙間空間に向かって気体を供給（放出）する。なお、ノズル２１の形状、設置場所または設置個数は、気体を効率良く上記の隙間空間に供給できるものであれば、特に限定するものではない。気体制御部２２は、制御部７からの指示に基づいて、気体の供給量や濃度などを調節する。ここで、洗浄工程にて使用される気体としては、本実施形態では、ペンタフルオロプロパン（以下「ＰＦＰ」と表記する）を使用する。なお、洗浄工程にて使用される気体は、樹脂硬化物を軟化させる性質を有する気体であれば、ＰＦＰに限定するものではない。例えば、アクリル系光硬化型樹脂を軟化または溶解させる気体であれば、ＰＦＰの他に、Ｃ_４ＨＦ_９（ノナフルオロブタン）、Ｃ_４Ｈ_４Ｆ_６（ヘキサフルオロブタン）などのハイドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）が挙げられる。 Gas supply mechanism (gas supply unit) 6 supplies the washing process of the mold M will be described later, softening a cured product of the resin adhering to the mold M, or soluble gas to understood. The gas supply mechanism 6 includes a gas container 20, a nozzle (supply port) 21, and a gas control unit 22. The gas container 20 temporarily stores the gas to be supplied. The nozzle 21 is installed in the vicinity of the mold holding mechanism 3, and supplies (discharges) gas toward the gap space between the mold M and the wafer W. The shape, installation location, or number of installations of the nozzle 21 are not particularly limited as long as the gas can be efficiently supplied to the gap space. The gas control unit 22 adjusts the gas supply amount, concentration, and the like based on an instruction from the control unit 7. Here, in this embodiment, pentafluoropropane (hereinafter referred to as “PFP”) is used as the gas used in the cleaning process. In addition, if the gas used at a washing | cleaning process is a gas which has the property to soften resin hardened | cured material, it will not be limited to PFP. For example, in the case of a gas that softens or dissolves an acrylic photocurable resin, in addition to PFP, hydrofluorocarbons (HFC) such as C ₄ HF ₉ (nonafluorobutane) and C ₄ H ₄ F ₆ (hexafluorobutane) are used. ).

制御部７は、インプリント装置１の各構成要素の動作および調整などを制御し得る。制御部７は、例えばコンピュータなどで構成され、インプリント装置１の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどにしたがって各構成要素の制御を実行し得る。なお、制御部７は、インプリント装置１の他の部分と一体で（共通の筐体内に）構成してもよいし、インプリント装置１の他の部分とは別体で（別の筐体内に）構成してもよい。   The control unit 7 can control the operation and adjustment of each component of the imprint apparatus 1. The control unit 7 is configured by, for example, a computer, and is connected to each component of the imprint apparatus 1 via a line, and can control each component according to a program or the like. The control unit 7 may be configured integrally with other parts of the imprint apparatus 1 (in a common casing), or separate from the other parts of the imprint apparatus 1 (in another casing). To).

また、インプリント装置１は、２種類のアライメント計測系を備える。まず、１つ目のアライメント計測系は、ウエハＷ上に形成されているマークと、モールドＭに形成されているマークとを同時に観察するアライメントスコープ３０である。制御部７は、モールドＭとウエハＷとの位置合わせに際して、アライメントスコープ３０が観察した結果を参照する。このアライメントスコープ３０としては、例えば自動調節スコープ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ａｄｊｕｓｔｍｅｎｔ Ｓｃｏｐｅ：ＡＡＳ）を採用し得る。さらに、２つ目のアライメント計測系は、モールドＭを介さずに、ウエハＷに形成されているマーク、および第１ステージＳＴ１および第２ステージＳＴ２上に存在する基準マーク１４ａ、１４ｂを観察するオフアクシススコープ（ＯＡＳ）３１である。また、インプリント装置１は、ウエハステージ４を載置し、基準平面を形成する定盤３２と、モールド保持機構３を固定するブリッジ定盤３３と、定盤３２から延設され、床面からの振動を除去する除振器を介してブリッジ定盤３３を支持する支柱３４とを備える。例えば、モールド保持機構３、塗布部５、気体供給機構６のノズル２１、および上記アライメント計測系などは、ブリッジ定盤３３に設置されている。さらに、インプリント装置１は、不図示であるが、モールドＭを装置外部とモールド保持機構３との間で搬入出させるモールド搬送機構や、ウエハＷを装置外部とウエハステージ４との間で搬入出させるウエハ搬送機構などを備える。   The imprint apparatus 1 includes two types of alignment measurement systems. First, the first alignment measurement system is an alignment scope 30 that simultaneously observes a mark formed on the wafer W and a mark formed on the mold M. The controller 7 refers to the result observed by the alignment scope 30 when aligning the mold M and the wafer W. As this alignment scope 30, for example, an automatic adjustment scope (AAS) can be adopted. Further, the second alignment measurement system is turned off to observe the marks formed on the wafer W and the reference marks 14a and 14b existing on the first stage ST1 and the second stage ST2 without using the mold M. This is an axis scope (OAS) 31. The imprint apparatus 1 also has a surface plate 32 on which the wafer stage 4 is placed and forms a reference plane, a bridge surface plate 33 that fixes the mold holding mechanism 3, and a surface plate 32 that extends from the floor surface. And a support column 34 that supports the bridge surface plate 33 through a vibration isolator that removes vibrations of the bridge. For example, the mold holding mechanism 3, the application unit 5, the nozzle 21 of the gas supply mechanism 6, the alignment measurement system, and the like are installed on the bridge surface plate 33. Further, although not shown, the imprint apparatus 1 carries a mold transport mechanism for carrying the mold M between the outside of the apparatus and the mold holding mechanism 3 and a wafer W between the outside of the apparatus and the wafer stage 4. A wafer transfer mechanism is provided.

次に、インプリント装置１による処理動作（インプリント方法）について説明する。図３は、インプリント装置１による処理動作の流れを示すフローチャートである。まず、制御部７は、ウエハＷ１に対するパターン形成を実施する（ステップＳ１００：インプリント工程）。このインプリント工程では、制御部７は、まず、ウエハＷ１をウエハ搬送機構により第１ステージＳＴ１へ搬送させ、ウエハチャック１２ａ上に載置および保持させる。次に、制御部７は、ステージ駆動機構１３ａを駆動させてウエハＷ１の位置を変更させつつ、オフアクシススコープ３１により第１ステージＳＴ１上の基準マーク１４ａとウエハＷ１の各ショットのアライメントマークとを検出させ、ウエハＷ１の位置を計測する。そして、制御部７は、その検出結果から各転写座標を演算し、この演算結果に基づいて所定のショットごとにパターンを形成させる（ステップ・アンド・リピート）。ある１つのショットに対するパターン形成としては、制御部７は、まず、ステージ駆動機構１３ａにより塗布部５の吐出口の直下にウエハＷ１上の塗布位置を位置決めさせる。その後、塗布部５は、ウエハＷ１上のショットに樹脂を塗布する（第１塗布工程）。次に、制御部７は、ステージ駆動機構１３ａによりパターン部Ｍａ直下の押し付け位置にショットが位置するようにウエハＷ１を移動させ、位置決めさせる。次に、制御部７は、モールド駆動機構を駆動させ、パターン部Ｍａとショット上の樹脂とを接触させる（第１押型工程）。同時に、制御部７は、アライメントスコープ３０による検出結果に基づいたパターン部Ｍａとショットとの位置合わせや、倍率補正機構によるパターン部Ｍａの倍率補正などを実施させる。この接触させることにより、樹脂は、パターン部Ｍａの凹凸パターンに充填される。この状態で、光照射部２は、モールドＭの背面（上面）から紫外線１０を所定時間照射し、モールドＭを透過した紫外線１０により樹脂を硬化させる（第１硬化工程）。そして、樹脂が硬化した後、制御部７は、モールド駆動機構を再駆動させ、パターン部Ｍａと硬化した樹脂とを引き離す（第１離型工程）。これにより、ウエハＷ１上のショットの表面にはパターン部Ｍａの凹凸パターンに倣った３次元形状の樹脂パターン（層）が形成される。このような一連のインプリント動作を第１ステージＳＴ１の駆動によりショットを変更しつつ複数回実施することで、インプリント装置１は、１枚のウエハＷ１上に複数の樹脂パターンを形成することができる。   Next, the processing operation (imprint method) by the imprint apparatus 1 will be described. FIG. 3 is a flowchart showing the flow of processing operations performed by the imprint apparatus 1. First, the control unit 7 performs pattern formation on the wafer W1 (step S100: imprint process). In this imprint process, the controller 7 first transports the wafer W1 to the first stage ST1 by the wafer transport mechanism, and places and holds it on the wafer chuck 12a. Next, the control unit 7 drives the stage driving mechanism 13a to change the position of the wafer W1, and the reference mark 14a on the first stage ST1 and the alignment mark of each shot of the wafer W1 are changed by the off-axis scope 31. The position of the wafer W1 is measured. And the control part 7 calculates each transfer coordinate from the detection result, and forms a pattern for every predetermined shot based on this calculation result (step and repeat). For pattern formation for one shot, the control unit 7 first positions the coating position on the wafer W1 directly below the discharge port of the coating unit 5 by the stage driving mechanism 13a. Thereafter, the application unit 5 applies resin to the shot on the wafer W1 (first application step). Next, the control unit 7 moves and positions the wafer W1 by the stage driving mechanism 13a so that the shot is positioned at the pressing position immediately below the pattern unit Ma. Next, the control unit 7 drives the mold driving mechanism to bring the pattern portion Ma into contact with the resin on the shot (first pressing process). At the same time, the control unit 7 causes the pattern portion Ma and the shot to be aligned based on the detection result by the alignment scope 30, and the magnification correction of the pattern portion Ma by the magnification correction mechanism. By making this contact, the resin is filled in the concavo-convex pattern of the pattern portion Ma. In this state, the light irradiation unit 2 irradiates the ultraviolet rays 10 from the back surface (upper surface) of the mold M for a predetermined time, and cures the resin with the ultraviolet rays 10 transmitted through the mold M (first curing step). And after resin hardens | cures, the control part 7 redrives a mold drive mechanism, and separates pattern part Ma and the hardened resin (1st mold release process). As a result, a three-dimensional resin pattern (layer) that follows the concave-convex pattern of the pattern portion Ma is formed on the surface of the shot on the wafer W1. By performing such a series of imprint operations a plurality of times while changing shots by driving the first stage ST1, the imprint apparatus 1 can form a plurality of resin patterns on one wafer W1. it can.

ここで、インプリント装置１がステップＳ１００のインプリント工程（少なくとも１回行うパターン形成工程）を実施することで、パターン部Ｍａ（モールドＭ）に樹脂の硬化物が付着（残留）する場合がある。この硬化物の付着は、次のパターン形成領域に形成されるパターンの形状を乱し、所望の形状に形成することができなくなる一因となり得る。そこで、インプリント装置１は、パターン部Ｍａに硬化物が付着している場合には、以下の示すような、硬化物を除去するためのモールドＭの洗浄を実施する。この洗浄工程に先立ち、制御部７は、モールドＭの洗浄が必要であるかどうかを判断する（ステップＳ２００：洗浄実施判断工程）。ここで、制御部７が実行する判断基準は、インプリント処理を行ったショットの数が予め設定した数（閾値）を超えたかどうかとする。すなわち、制御部７は、設定ショット数を超えていないと判定した場合には（ＮＯ）、ステップＳ１００のインプリント工程を継続し、設定ショット数を超えたと判定した場合には（ＹＥＳ）、ステップＳ３００の洗浄工程へ移行する。なお、ここでの判断基準は、上記のものに限らず、例えば、ウエハＷ１上に形成されたパターンの形状（状態）を検査する検査装置を別途準備し、制御部７は、この検査装置による検査結果に基づいて判断してもよい。そして、制御部７は、検査結果により、所望の形状となっていないパターンの数を評価し、このパターン数が予め設定した数（閾値）を超えたかどうかで判断する。モールドＭの検査装置は、転写されたパターンの欠陥の有無や転写の良否などを求めることができる。この検査装置としては、例えば、蛍光物質を含有する樹脂を用いてインプリント処理を行うモールドＭに励起光を照射することで、基板上に形成されたパターンの欠陥を検査するものなどがある。   Here, when the imprint apparatus 1 performs the imprint process (pattern formation process performed at least once) in step S100, the cured product of the resin may adhere (residual) to the pattern portion Ma (mold M). . The adhesion of the cured product may disturb the shape of the pattern formed in the next pattern formation region and contribute to the failure to form the desired shape. Therefore, when the cured product adheres to the pattern portion Ma, the imprint apparatus 1 performs the cleaning of the mold M for removing the cured product as shown below. Prior to this cleaning process, the controller 7 determines whether or not the mold M needs to be cleaned (step S200: cleaning execution determination process). Here, the determination criterion executed by the control unit 7 is whether or not the number of shots that have undergone imprint processing exceeds a preset number (threshold value). That is, if the control unit 7 determines that the number of set shots has not been exceeded (NO), it continues the imprint process in step S100, and if it is determined that the number of set shots has been exceeded (YES), The process proceeds to the cleaning process of S300. Note that the determination criteria here are not limited to those described above. For example, an inspection apparatus for inspecting the shape (state) of the pattern formed on the wafer W1 is separately prepared, and the control unit 7 uses this inspection apparatus. You may judge based on a test result. Then, the control unit 7 evaluates the number of patterns that are not in a desired shape based on the inspection result, and determines whether or not the number of patterns exceeds a preset number (threshold value). The inspection apparatus for the mold M can determine the presence / absence of defects in the transferred pattern and the quality of the transfer. As this inspection apparatus, for example, there is an apparatus that inspects a defect of a pattern formed on a substrate by irradiating excitation light onto a mold M that performs imprint processing using a resin containing a fluorescent substance.

次に、ステップＳ３００の洗浄工程について、図４および図５を参照しつつ説明する。図４は、洗浄工程の流れを示すフローチャートである。図５は、洗浄工程における気体や樹脂の状態を時系列で示す概略図である。まず、制御部７は、洗浄用ウエハＷ２をウエハ搬送機構により第２ステージＳＴ２へ搬送させ、ウエハチャック１２ｂ上に載置および保持させる。ここで、洗浄工程にて用いるウエハＷは、本実施形態では、被処理基板としてのウエハＷ１とは異なる洗浄用ウエハＷ２としている。これは、洗浄工程が実施されている間も所望の形状とならないパターンが形成される可能性があるため、ウエハＷ１をそのまま用いた場合の製品への影響を避けるためである。なお、洗浄用ウエハＷ２としては、洗浄工程における離型工程中に樹脂が表面から剥がれづらくなるように、ベアウエハとするか、または表面に樹脂の密着促進層が塗布されたベアウエハとすることが望ましい。次に、制御部７は、ステージ駆動機構１３ｂを駆動させて洗浄用ウエハＷ２の位置を適宜変更させつつ、オフアクシススコープ３１により第２ステージＳＴ２上の基準マーク１４ｂを検出させ、洗浄用ウエハＷ２の位置を計測する。そして、制御部７は、その検出結果から各転写座標を演算して、この演算結果に基づいて所定のショットごとにパターンを形成させる。なお、洗浄工程は、樹脂の除去効率の観点から、インプリント動作を１つのショットのみよりも複数のショットに対して実施する方が望ましい。したがって、洗浄用ウエハＷ２は、その表面上に、ウエハＷ１よりは少なくてよいが、複数のショットを有する。   Next, the cleaning process in step S300 will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a flowchart showing the flow of the cleaning process. FIG. 5 is a schematic view showing the state of gas and resin in the cleaning process in time series. First, the controller 7 transports the cleaning wafer W2 to the second stage ST2 by the wafer transport mechanism, and places and holds it on the wafer chuck 12b. Here, the wafer W used in the cleaning step is a cleaning wafer W2 different from the wafer W1 as the substrate to be processed in this embodiment. This is for avoiding an influence on the product when the wafer W1 is used as it is because a pattern which does not have a desired shape may be formed even during the cleaning process. The cleaning wafer W2 is preferably a bare wafer or a bare wafer having a resin adhesion promoting layer coated on the surface so that the resin is not easily peeled off from the surface during the mold release process in the cleaning process. . Next, the controller 7 detects the reference mark 14b on the second stage ST2 by the off-axis scope 31 while appropriately changing the position of the cleaning wafer W2 by driving the stage driving mechanism 13b, and the cleaning wafer W2. Measure the position of. And the control part 7 calculates each transfer coordinate from the detection result, and forms a pattern for every predetermined shot based on this calculation result. In the cleaning step, it is preferable to perform the imprint operation on a plurality of shots rather than only one shot from the viewpoint of resin removal efficiency. Therefore, the cleaning wafer W2 may have fewer shots on the surface than the wafer W1, but has a plurality of shots.

ある１つのショットに対する洗浄工程におけるインプリント動作（洗浄動作）として、制御部７は、まず、ステージ駆動機構１３ｂにより塗布部５の吐出口の直下に洗浄用ウエハＷ２上の塗布位置を位置決めさせる。その後、塗布部５は、洗浄用ウエハＷ２上のショットに樹脂を塗布する（ステップＳ３０１：第２塗布工程）。次に、制御部７は、ステージ駆動機構１３ｂによりパターン部Ｍａ直下の押し付け位置にショットが位置するように洗浄用ウエハＷ２を移動させ、位置決めさせる。次に、制御部７は、ノズル２１からパターン部Ｍａに付着した硬化物を軟化させるＰＦＰを供給させ、モールドＭ（パターン部Ｍａ）と、洗浄用ウエハＷ２（ショット上の樹脂）との隙間空間をＰＦＰの雰囲気とする（ステップＳ３０２：気体供給工程）。図５（ａ）は、ステップＳ３０２において、硬化物４０が付着しているパターン部Ｍａの直下に樹脂（未硬化樹脂）４１が塗布された洗浄用ウエハＷ２を配置し、ノズル２１からＰＦＰ４２を供給している状態を示す図である。次に、制御部７は、モールド駆動機構を駆動させて、ＰＦＰの雰囲気中で、パターン部Ｍａとショット上の樹脂４１とを押し付ける（ステップＳ３０３：第２押型工程）。図５（ｂ）は、ステップＳ３０３において、押し付けが完了した状態を示す図である。ＰＦＰ４２は、供給開始から樹脂４１に溶解し始め、パターン部Ｍａが樹脂４１に接触することでパターン部Ｍａに閉じ込められる。そして、ＰＦＰ４２は、押し付けにより圧力がかかることで凝縮し、パターン部Ｍａ内は、凝縮したＰＦＰ４２の液体と、ＰＦＰ４２が溶解した樹脂４１とで満たされる。このとき、硬化物４０は、軟化および溶解し、樹脂４１と一体化する。この樹脂４１は、ＰＦＰ４２を多く溶解するものが望ましく、ステップＳ１００のインプリント工程で使用する樹脂と異なるものを使用してもよい。また、樹脂４１は、単位体積当たりの未硬化の樹脂に溶解する気体の量が多いものを利用するのがよい。つまり、ウエハＷ２上に供給される未硬化の樹脂への気体溶解度は、ウエハＷ１上に供給される未硬化の樹脂への気体溶解度よりも大きいものが良い。これにより、樹脂４１に溶解するＰＦＰ総量が多くなるので、硬化物４０を効率的に軟化、溶解させることができる。樹脂４１がＰＦＰ４２を溶解する量は、最大気体溶解度（ＰＦＰ／（樹脂＋ＰＦＰ））（ｇ／ｇ）が０．４より大きいことが好ましい。ただし、最大気体溶解度は、樹脂３ｇを９ｍｌ用茶褐色瓶に入れ、２３°Ｃ、１気圧において、前記気体を０．１Ｌ／ｍｉｎの流量で１５分間バブリングした前後の重量を測定した際、その前後で増加した増加重量をバブリング後の全重量で除したものである。なお、第２押型工程では、この軟化と溶解を促進させる観点から、制御部７は、図５（ｂ）に示す状態を可能な限り長く保持させ、硬化物４０とＰＦＰ４２とが触れる時間を長くすることが望ましい。この状態で、光照射部２は、モールドＭの背面から紫外線１０を所定時間照射し、モールドＭを透過した紫外線１０により樹脂４１を硬化させる（ステップＳ３０４：第２硬化工程）。この樹脂４１の硬化に伴い、一体化している硬化物４０が再硬化する。そして、樹脂４１が硬化した後、制御部７は、モールド駆動機構を再駆動させて、パターン部Ｍａと硬化した樹脂４１とを引き離す（ステップＳ３０５：第２離型工程）。図５（ｃ）は、ステップＳ３０５において、引き離しが完了した状態を示す図である。このようにパターン部Ｍａと硬化した樹脂４１とが引き離されることで、パターン部Ｍａに付着していた硬化物４０が除去されて、モールドＭの洗浄が終了する。 As an imprint operation (cleaning operation) in a cleaning process for one shot, the control unit 7 first positions the coating position on the cleaning wafer W2 directly below the discharge port of the coating unit 5 by the stage driving mechanism 13b. Thereafter, the application unit 5 applies resin to the shot on the cleaning wafer W2 (step S301: second application step). Next, the control unit 7 moves and positions the cleaning wafer W2 by the stage driving mechanism 13b so that the shot is positioned at the pressing position immediately below the pattern unit Ma. Next, the control unit 7 supplies PFP that softens the cured product attached to the pattern unit Ma from the nozzle 21, and a gap space between the mold M (pattern unit Ma) and the cleaning wafer W <b> 2 (resin on the shot). Is an atmosphere of PFP (step S302: gas supply step). 5A, in step S302, the cleaning wafer W2 coated with the resin (uncured resin) 41 is disposed immediately below the pattern portion Ma to which the cured product 40 is adhered, and the PFP 42 is supplied from the nozzle 21. It is a figure which shows the state which is carrying out. Next, the control unit 7 drives the mold driving mechanism to press the pattern portion Ma and the resin 41 on the shot in the PFP atmosphere (step S303: second pressing step). FIG. 5B is a diagram illustrating a state where the pressing is completed in step S303. The PFP 42 starts to dissolve in the resin 41 from the start of supply, and is confined in the pattern portion Ma when the pattern portion Ma contacts the resin 41. The PFP 42 is condensed by applying pressure by pressing, and the pattern portion Ma is filled with the condensed liquid of the PFP 42 and the resin 41 in which the PFP 42 is dissolved. At this time, the cured product 40 softens and dissolves and is integrated with the resin 41. The resin 41 desirably dissolves a large amount of the PFP 42, and a resin different from the resin used in the imprint process in step S100 may be used. Further, it is preferable to use the resin 41 having a large amount of gas dissolved in the uncured resin per unit volume. That is, the gas solubility in the uncured resin supplied on the wafer W2 is preferably larger than the gas solubility in the uncured resin supplied on the wafer W1. Thereby, since the total amount of PFP dissolved in the resin 41 increases, the cured product 40 can be efficiently softened and dissolved. The amount by which the resin 41 dissolves the PFP 42 is preferably such that the maximum gas solubility (PFP / (resin + PFP)) (g / g) is greater than 0.4. However, the maximum gas solubility was measured before and after measuring 3 g of resin in a 9 ml brown bottle and measuring the weight before and after bubbling the gas at a flow rate of 0.1 L / min for 15 minutes at 23 ° C. and 1 atm. The increased weight increased by the value divided by the total weight after bubbling. In the second pressing step, from the viewpoint of promoting the softening and dissolution, the control unit 7 keeps the state shown in FIG. 5B as long as possible, and lengthens the time for the cured product 40 and the PFP 42 to touch. It is desirable to do. In this state, the light irradiation unit 2 irradiates the ultraviolet ray 10 from the back surface of the mold M for a predetermined time, and cures the resin 41 with the ultraviolet ray 10 that has passed through the mold M (step S304: second curing step). As the resin 41 is cured, the integrated cured product 40 is recured. And after resin 41 hardens | cures, the control part 7 redrives a mold drive mechanism, and separates pattern part Ma and the cured resin 41 (step S305: 2nd mold release process). FIG. 5C is a diagram showing a state in which the separation has been completed in step S305. Thus, by separating the pattern part Ma and the cured resin 41, the cured product 40 attached to the pattern part Ma is removed, and the cleaning of the mold M is completed.

なお、洗浄工程において、洗浄用ウエハＷ２上に形成される樹脂４１の硬化後の残膜の厚さは、ステップＳ１００の通常のインプリント工程で形成される樹脂の残膜と比べて厚くなるように設定することが望ましい。ここで、残膜とは、ウエハＷの表面と樹脂のパターン部Ｍａの先端面との間に存在する部分の膜をいう。この場合、塗布部５は、第２塗布工程でのショットに対する樹脂４１の塗布量を第１塗布工程よりも多くし、樹脂４１の膜厚を厚くする。これにより、樹脂４１に溶解するＰＦＰの総量が多くなるので、硬化物４０を効率的に軟化、溶解させることができる。図５（ｄ）は、参考として、洗浄工程での図５（ｃ）に対応した、通常のインプリント工程での残膜の厚さを示す図である。図５（ｄ）に示すように、通常のインプリント工程では、残膜が薄い。これは、残膜を厚くすると、パターン形成後のウエハＷに対して実施されるエッチング工程において残膜除去速度にムラが生じた場合、パターンの凸部の幅が場所によって変化し、デバイスパターンの線幅精度に悪影響を及ぼす可能性があるためである。これに対して、洗浄工程では、線幅精度への影響を考慮する必要がないため、予めショットに対する樹脂４１の塗布量を多くしても構わない。なお、残膜の厚さを厚くする方法は、上記の樹脂の塗布量を多くする（変更する）だけに限らず、例えば、モールド保持機構３のモールド駆動機構により、押型工程時のＺ軸方向の位置を調整することでも可能である。また、本発明においてステップＳ１００の通常のインプリント工程でＰＦＰが供給されるか否かは限定されないが、洗浄工程において供給されるＰＦＰの量は、ステップＳ１００の通常のインプリント工程におけるＰＦＰの供給量より多くすることが望ましい。これにより、樹脂４１に溶解するＰＦＰの総量が多くなるので、硬化物４０を効率的に軟化、溶解させることができる。   In the cleaning process, the thickness of the residual film after curing of the resin 41 formed on the cleaning wafer W2 is larger than the residual film of the resin formed in the normal imprint process in step S100. It is desirable to set to. Here, the remaining film refers to a film in a portion existing between the surface of the wafer W and the front end surface of the resin pattern portion Ma. In this case, the coating unit 5 increases the coating amount of the resin 41 with respect to the shot in the second coating step as compared with the first coating step, and increases the thickness of the resin 41. Thereby, since the total amount of PFP which melt | dissolves in resin 41 increases, the hardened | cured material 40 can be efficiently softened and dissolved. FIG. 5D is a diagram showing the thickness of the remaining film in the normal imprint process corresponding to FIG. 5C in the cleaning process as a reference. As shown in FIG. 5D, in the normal imprint process, the remaining film is thin. This is because, when the remaining film is thickened, the unevenness of the remaining film removal rate occurs in the etching process performed on the wafer W after pattern formation. This is because the line width accuracy may be adversely affected. On the other hand, since it is not necessary to consider the influence on the line width accuracy in the cleaning process, the amount of the resin 41 applied to the shot may be increased in advance. Note that the method of increasing the thickness of the remaining film is not limited to increasing (changing) the amount of the resin applied as described above. For example, the mold driving mechanism of the mold holding mechanism 3 may be used to perform the Z-axis direction during the pressing process. It is also possible to adjust the position of. In the present invention, whether or not PFP is supplied in the normal imprint process in step S100 is not limited, but the amount of PFP supplied in the cleaning process is the supply of PFP in the normal imprint process in step S100. It is desirable to make it larger than the amount. Thereby, since the total amount of PFP which melt | dissolves in resin 41 increases, the hardened | cured material 40 can be efficiently softened and dissolved.

このように、インプリント装置１は、モールドＭのパターン部Ｍａに樹脂４１の硬化物４０が付着している場合には、モールドＭを洗浄する、すなわち硬化物４０を除去することができる。特に、インプリント装置１は、モールドＭをインプリント装置１内から取り外すことなく洗浄することができるため、モールドＭの着脱に伴う調整を必要とせず、装置のスループットへの影響を抑える（ダウンタイムを短くする）ことができる。また、この洗浄工程を実施する機構は、従来の温度制御機構に比べて簡略なものとし得る。また、本実施形態の洗浄工程では、通常のインプリント工程で処理されるウエハＷ１とは別に、洗浄用ウエハＷ２を用いる。したがって、洗浄工程では、ウエハＷ１に対するデバイスパターンの線幅精度を考慮する必要がないため、さらに洗浄の効率化を図ることができる。また、ウエハＷ１と洗浄用ウエハＷ２とは、それぞれ異なるステージＳＴ１、ＳＴ２上に保持されるため、例えば、ウエハＷ１の交換作業中に洗浄工程を実施することも可能であり、これによっても装置のスループットへの影響を抑えることができる。   Thus, the imprint apparatus 1 can wash the mold M, that is, remove the cured product 40 when the cured product 40 of the resin 41 adheres to the pattern portion Ma of the mold M. In particular, since the imprint apparatus 1 can clean the mold M without removing it from the imprint apparatus 1, it does not require adjustment associated with the removal of the mold M and suppresses the influence on the throughput of the apparatus (downtime). Can be shortened). Further, the mechanism for performing this cleaning step can be simpler than the conventional temperature control mechanism. Further, in the cleaning process of this embodiment, a cleaning wafer W2 is used separately from the wafer W1 processed in the normal imprint process. Accordingly, in the cleaning process, it is not necessary to consider the line width accuracy of the device pattern with respect to the wafer W1, so that the cleaning efficiency can be further improved. Further, since the wafer W1 and the cleaning wafer W2 are held on different stages ST1 and ST2, respectively, for example, it is possible to carry out a cleaning process during the replacement work of the wafer W1, and this also causes the apparatus to The impact on throughput can be suppressed.

以上のように、本実施形態によれば、モールドに付着した樹脂の硬化物を短時間で除去するのに有利なインプリント装置および方法を提供することができる。   As described above, according to the present embodiment, it is possible to provide an imprint apparatus and method that are advantageous for removing a cured product of a resin attached to a mold in a short time.

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係るインプリント装置について説明する。本実施形態に係るインプリント装置の特徴は、第１実施形態に係るウエハステージ４の構成を変更する点にある。図６は、本実施形態に係るインプリント装置５０の構成を示す概略図である。なお、図６において、図１に示す第１実施形態のインプリント装置１の構成と同一のものには同一の符号を付し、説明を省略する。第１実施形態では、ウエハステージ４は、ウエハＷ１を保持する第１ステージＳＴ１と、洗浄用ウエハＷ２を保持する第２ステージＳＴ２との２つの独立したステージを含む。これに対して、インプリント装置５０を構成するウエハステージ５１は、まず、ウエハＷ１を吸着保持するウエハチャック５２ａと、洗浄用ウエハＷ２を吸着保持するウエハチャック５２ｂとを含む。さらに、ウエハステージ５１は、各ウエハチャック５２ａ、５２ｂを双方とも機械的に保持し、各軸方向に移動可能とするステージ駆動機構５３を含む。図７は、ウエハステージ５１をＺ軸方向から見た平面図である。ウエハチャック５２ａ、５２ｂは、それぞれ第１実施形態のウエハチャック１２ａ、１２ｂに形状および機能ともに対応している。さらに、ウエハステージ５１は、第１実施形態の基準マーク１４ａ、１４ｂに対応した基準マーク５４を備えるが、本実施形態ではステージ駆動機構が１つのみであるので、基準マークも統一される。このような構成のもと、インプリント装置１による洗浄工程を含む処理動作は、第１実施形態と同様である。本実施形態のインプリント装置によれば、第１実施形態と同様の効果を奏するとともに、ウエハステージのステージ駆動機構が１つで済むため、装置コストを低減させる点で有利となり得る。 (Second Embodiment)
Next, an imprint apparatus according to the second embodiment of the present invention will be described. The feature of the imprint apparatus according to the present embodiment is that the configuration of the wafer stage 4 according to the first embodiment is changed. FIG. 6 is a schematic diagram illustrating a configuration of the imprint apparatus 50 according to the present embodiment. In FIG. 6, the same components as those of the imprint apparatus 1 according to the first embodiment shown in FIG. In the first embodiment, the wafer stage 4 includes two independent stages, a first stage ST1 that holds the wafer W1 and a second stage ST2 that holds the cleaning wafer W2. On the other hand, the wafer stage 51 constituting the imprint apparatus 50 first includes a wafer chuck 52a that sucks and holds the wafer W1 and a wafer chuck 52b that sucks and holds the cleaning wafer W2. Further, the wafer stage 51 includes a stage drive mechanism 53 that mechanically holds both the wafer chucks 52a and 52b and is movable in the respective axial directions. FIG. 7 is a plan view of the wafer stage 51 as viewed from the Z-axis direction. The wafer chucks 52a and 52b correspond in both shape and function to the wafer chucks 12a and 12b of the first embodiment, respectively. Further, the wafer stage 51 includes reference marks 54 corresponding to the reference marks 14a and 14b of the first embodiment. However, in this embodiment, only one stage driving mechanism is provided, so that the reference marks are also unified. Under such a configuration, the processing operation including the cleaning process by the imprint apparatus 1 is the same as that of the first embodiment. According to the imprint apparatus of the present embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained, and since only one stage driving mechanism for the wafer stage is required, it can be advantageous in terms of reducing the apparatus cost.

（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態に係るインプリント装置および方法について説明する。本実施形態に係るインプリント装置の特徴は、図３に示す第１実施形態に係る処理動作に、ステップＳ３００の洗浄工程の前に、洗浄工程でのモールドＭの洗浄を促進させるための洗浄前工程を追加する点にある。図８は、図３に示す第１実施形態における処理動作の流れに対応した、本実施形態に係るインプリント装置６０（図９）による処理動作の流れを示すフローチャートである。洗浄工程（ステップＳ３００）での洗浄を促進させるとは、具体的には樹脂の硬化物をさらに効率的に軟化させることをいい、例えば、硬化工程にて使用する光とは異なる波長の光（洗浄用光）を照射したり、モールドＭに振動を与えたりする方法がある。特に、洗浄用光を用いる技術としては、真空紫外線（ＶＵＶ）をモールドＭに照射し、硬化物（有機物）をＣＯやＣＯ_２などの気体分子まで分解して除去する、いわゆるドライ洗浄技術がある。このドライ洗浄技術は、硬化物を気体分子まで分解しなければ除去されずに残留してしまうため、それ単独では分解除去に時間を要する。これに対して、ドライ洗浄技術を上記実施形態に示すような洗浄工程と組み合わせれば、硬化物の除去に要する総時間を短縮させることができる。以下、洗浄前工程（ステップＳ２５０）にドライ洗浄技術を採用するものとして説明する。 (Third embodiment)
Next, an imprint apparatus and method according to a third embodiment of the present invention will be described. The imprint apparatus according to the present embodiment is characterized in that the processing operation according to the first embodiment shown in FIG. The point is to add a process. FIG. 8 is a flowchart showing the flow of processing operations performed by the imprint apparatus 60 (FIG. 9) according to the present embodiment, corresponding to the flow of processing operations in the first embodiment shown in FIG. The promotion of cleaning in the cleaning process (step S300) specifically means that the cured product of the resin is more efficiently softened. For example, light having a wavelength different from that of light used in the curing process ( There are methods of irradiating the cleaning light) and applying vibration to the mold M. In particular, as a technique using cleaning light, there is a so-called dry cleaning technique in which a vacuum ultraviolet ray (VUV) is irradiated to the mold M, and a cured product (organic matter) is decomposed and removed to gas molecules such as CO and CO _2. . In this dry cleaning technique, if the cured product is not decomposed to gas molecules, it remains without being removed. On the other hand, when the dry cleaning technique is combined with the cleaning process as shown in the above embodiment, the total time required for removing the cured product can be shortened. Hereinafter, description will be made assuming that the dry cleaning technique is adopted in the pre-cleaning process (step S250).

図９は、本実施形態に係るインプリント装置６０の構成のうち、洗浄前工程を実施するための主要部分を示す概略図である。なお、図９において、図１に示す第１実施形態のインプリント装置１の構成と同一のものには同一の符号を付し、説明を省略する。まず、インプリント装置６０は、少なくとも、モールド保持機構３と、気体供給機構６のノズル２１とを内部に含む収容部（チャンバー）６１と、この収容部６１内に含まれる洗浄用の光源６２とを備える。光源６２は、洗浄前工程にて、モールドＭに対して洗浄用光として真空紫外線６３を照射する。この光源６２は、図９（ａ）に示すように、光照射部２と同様にモールドＭの背面からパターン部Ｍａに真空紫外線６３を照射するように配置されてもよいし、図９（ｂ）に示すように、パターン部Ｍａに直接照射するように配置されてもよい。特に、図９（ａ）に示す構成を採用する場合には、光源６２から照射されてモールドＭを透過した真空紫外線６３が、効率良くパターン部Ｍａに照射されるように、インプリント装置６０は、真空紫外線６３をパターン部Ｍａに反射させるミラー６４を備える。なお、このミラー６４は、洗浄用ウエハＷ２を兼ねたベアウエハとしてもよい。一方、図９（ｂ）に示す構成を採用する場合には、光源６２は、第１実施形態での第２ステージＳＴ２に設置される構成もあり得る。収容部６１は、不図示であるが、ノズル２１から供給された各気体Ａ、Ｂ、Ｃを外部に排気可能とする排気機構を備える。この排気機構は、収容部６１内に存在する気体が以降の工程時に残留していないように排気する。さらに、気体制御部２２に接続される気体容器２０は、本実施形態では３種類の気体（気体Ａ、Ｂ、Ｃ）を１つずつ収容する３つの気体容器２０ａ〜２０ｃからなる。インプリント装置に供給される気体の種類や供給量などは、気体制御部２２によって制御される。ここで、気体Ａは、図８に示すステップＳ３００の洗浄工程で使用される気体であり、例えば、第１実施形態と同様にＰＦＰである。気体Ｂは、ステップＳ２５０の洗浄前工程で使用される気体であり、例えば、窒素と、わずかな酸素とを含む混合気体である。さらに、気体Ｃは、ステップＳ１００のインプリント工程で使用される気体であり、例えば、第１押型工程にてモールドＭのパターン部Ｍａへの樹脂の充填時間を短縮するのに好適な性質を有するヘリウムである。すなわち、本実施形態の気体供給機構６は、それぞれ異なる３種類の気体を供給可能としている。   FIG. 9 is a schematic diagram illustrating a main part for performing the pre-cleaning process in the configuration of the imprint apparatus 60 according to the present embodiment. In FIG. 9, the same components as those of the imprint apparatus 1 according to the first embodiment shown in FIG. First, the imprint apparatus 60 includes at least a housing part (chamber) 61 that includes at least the mold holding mechanism 3 and the nozzle 21 of the gas supply mechanism 6, and a cleaning light source 62 that is included in the housing part 61. Is provided. The light source 62 irradiates the mold M with vacuum ultraviolet rays 63 as cleaning light in the pre-cleaning process. As shown in FIG. 9A, the light source 62 may be arranged so as to irradiate the pattern portion Ma from the back surface of the mold M with the vacuum ultraviolet rays 63, as in the case of the light irradiating unit 2. ), The pattern portion Ma may be directly irradiated. In particular, when the configuration shown in FIG. 9A is adopted, the imprint apparatus 60 is designed so that the vacuum ultraviolet rays 63 irradiated from the light source 62 and transmitted through the mold M are efficiently irradiated to the pattern portion Ma. The mirror 64 for reflecting the vacuum ultraviolet ray 63 to the pattern portion Ma is provided. The mirror 64 may be a bare wafer that also serves as the cleaning wafer W2. On the other hand, when the configuration shown in FIG. 9B is adopted, the light source 62 may be installed on the second stage ST2 in the first embodiment. Although not shown, the accommodating portion 61 includes an exhaust mechanism that allows the gases A, B, and C supplied from the nozzle 21 to be exhausted to the outside. This exhaust mechanism exhausts so that the gas which exists in the accommodating part 61 does not remain at the time of a subsequent process. Furthermore, the gas container 20 connected to the gas control unit 22 includes three gas containers 20a to 20c that store three kinds of gases (gases A, B, and C) one by one in this embodiment. The type and amount of gas supplied to the imprint apparatus are controlled by the gas control unit 22. Here, the gas A is a gas used in the cleaning process of step S300 shown in FIG. 8, and is, for example, PFP as in the first embodiment. The gas B is a gas used in the pre-cleaning process in step S250, and is, for example, a mixed gas containing nitrogen and a slight amount of oxygen. Further, the gas C is a gas used in the imprint process of step S100, and has a property suitable for shortening the filling time of the resin into the pattern portion Ma of the mold M in the first stamping process, for example. Helium. That is, the gas supply mechanism 6 of this embodiment can supply three different types of gases.

次に、インプリント装置６０による処理動作（インプリント方法）について説明する。図８に示す本実施形態に係る処理動作の流れにおいて、ステップＳ２５０の洗浄前工程以外の工程については、図３と同様である。ただし、ステップＳ１００のインプリント工程では、制御部７は、ノズル２１から気体Ｃを供給させ、収容部６１内を気体Ｃの雰囲気とし、その後、インプリント処理を実施させる。これにより、第１押型工程にてモールドＭのパターン部Ｍａへの樹脂の充填時間を短縮させることができる。ステップＳ２５０の洗浄前工程では、制御部７は、まず、ノズル２１から気体Ｂを供給させ、その後、収容部６１内を気体Ｂの雰囲気とする。そして、制御部７は、光源６２から真空紫外線６３を照射する。これにより、パターン部Ｍａに付着している樹脂の硬化物は、分解および低分子化されるので、インプリント装置６０は、ステップＳ３００の洗浄工程において、硬化物の軟化、溶解を促進させることができる。このように、本実施形態のインプリント装置および方法によれば、ステップＳ２５０の洗浄前工程を追加実施することで、ステップＳ３００の洗浄工程の時間をさらに短縮し、モールドに付着した樹脂の硬化物を効率的に除去することができる。   Next, a processing operation (imprint method) by the imprint apparatus 60 will be described. In the flow of the processing operation according to the present embodiment shown in FIG. 8, the processes other than the pre-cleaning process in step S250 are the same as those in FIG. However, in the imprint process of Step S100, the control unit 7 causes the gas C to be supplied from the nozzle 21 so that the inside of the accommodating unit 61 has an atmosphere of the gas C, and then performs the imprint process. Thereby, the resin filling time to the pattern portion Ma of the mold M can be shortened in the first pressing step. In the pre-cleaning step of step S250, the control unit 7 first supplies the gas B from the nozzle 21, and then sets the inside of the housing unit 61 to the atmosphere of gas B. Then, the control unit 7 emits the vacuum ultraviolet rays 63 from the light source 62. Thereby, since the cured product of the resin adhering to the pattern portion Ma is decomposed and reduced in molecular weight, the imprint apparatus 60 can promote softening and dissolution of the cured product in the cleaning process of step S300. it can. As described above, according to the imprint apparatus and method of the present embodiment, the pre-cleaning process of step S250 is additionally performed, so that the time of the cleaning process of step S300 is further shortened, and the cured resin that has adhered to the mold. Can be efficiently removed.

（物品の製造方法）
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含み得る。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりにパターンを形成された基板を加工する他の処理を含み得る。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。 (Product manufacturing method)
A method for manufacturing a device (semiconductor integrated circuit element, liquid crystal display element, etc.) as an article includes a step of forming a pattern on a substrate (wafer, glass plate, film-like substrate) using the above-described imprint apparatus. Furthermore, the manufacturing method may include a step of etching the substrate on which the pattern is formed. In the case of manufacturing other articles such as patterned media (recording media) and optical elements, the manufacturing method may include other processes for processing a substrate on which a pattern is formed instead of etching. The method for manufacturing an article according to the present embodiment is advantageous in at least one of the performance, quality, productivity, and production cost of the article as compared with the conventional method.

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。   As mentioned above, although preferable embodiment of this invention was described, this invention is not limited to these embodiment, A various deformation | transformation and change are possible within the range of the summary.

１ インプリント装置
３ モールド保持機構
６ 気体供給機構
１２ａ ウエハチャック
１２ｂ ウエハチャック
Ｍ モールド
Ｗ１ ウエハ
Ｗ２ 洗浄用ウエハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Imprint apparatus 3 Mold holding mechanism 6 Gas supply mechanism 12a Wafer chuck 12b Wafer chuck M Mold W1 Wafer W2 Cleaning wafer

Claims (15)

型を用いて、第１基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記第１基板を保持する第１基板保持部と、
前記型に付着した前記インプリント材の硬化物を除去するための第２基板を保持する第２基板保持部と、
前記型に付着した前記インプリント材の硬化物を軟化または溶解させる気体を供給する気体供給部と、
を有し、
前記インプリント材の硬化物を、前記気体によって軟化または溶解させ、前記第２基板上のインプリント材と接触させ、前記第２基板上で再硬化させる、
ことを特徴とするインプリント装置。 An imprint apparatus that forms a pattern of an imprint material on a first substrate using a mold,
A first substrate holding unit for holding the first substrate;
A second substrate holding unit for holding a second substrate for removing a cured product of the imprint material attached to the mold;
A gas supply unit for supplying a gas for softening or dissolving the cured product of the imprint material attached to the mold;
Have
The cured product of the imprint material is softened or dissolved by the gas, brought into contact with the imprint material on the second substrate, and recured on the second substrate.
An imprint apparatus characterized by that. 前記気体は、ペンタフルオロプロパンであることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。   The imprint apparatus according to claim 1, wherein the gas is pentafluoropropane. 前記気体は、ハイドロフルオロカーボンであることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。   The imprint apparatus according to claim 1, wherein the gas is hydrofluorocarbon. 前記第１基板保持部と前記第２基板保持部とを移動可能に保持する駆動機構を備えることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のインプリント装置。   4. The imprint apparatus according to claim 1, further comprising a drive mechanism that movably holds the first substrate holding unit and the second substrate holding unit. 5. 前記駆動機構は、前記第１基板保持部を保持し移動させる第１駆動機構と、前記第２基板保持部を保持し移動させる第２駆動機構とから構成されることを特徴とする請求項４に記載のインプリント装置。   5. The drive mechanism includes a first drive mechanism that holds and moves the first substrate holding part, and a second drive mechanism that holds and moves the second substrate holding part. The imprint apparatus described in 1. 前記型に向けて、真空紫外線を照射する光源と、前記型を保持する型保持部と、前記気体供給部を構成する前記気体を放出するノズルとを少なくとも内部に含む収容部と、を備え、
前記気体供給部は、前記気体に加えて窒素と酸素とを含む混合気体を供給可能とする、ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載のインプリント装置。 A light source that radiates vacuum ultraviolet rays toward the mold, a mold holding part that holds the mold, and a housing part that includes at least the nozzle that discharges the gas that constitutes the gas supply part,
The gas supply unit, and can supply a mixed gas containing a pressurized forte nitrogen and oxygen in the gas, imprint apparatus according to any one of claims 1 to 5, characterized in. 前記気体供給部は、前記気体に加えてヘリウムを供給可能とすることを特徴とする請求項６に記載のインプリント装置。 The gas supply unit, the imprint apparatus according to claim 6, characterized in that to enable supply pressurized forte helium to the gas. 前記第２基板保持部の前記第２基板を保持する面の面積は、前記第１基板保持部の前記第１基板を保持する面の面積よりも小さいことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載のインプリント装置。   The area of the surface holding the second substrate of the second substrate holding unit is smaller than the area of the surface holding the first substrate of the first substrate holding unit. The imprint apparatus according to any one of the above. 型を用いて、第１基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
第１基板上に前記インプリント材のパターンの形成を少なくとも１回行うパターン形成工程と、
前記型に付着した前記インプリント材の硬化物を軟化または溶解させ、第２基板上のインプリント材と接触させ、前記第２基板上で再硬化させることで前記型から前記インプリント材の硬化物を除去する工程と、
を含むことを特徴とするインプリント方法。 An imprint method for forming a pattern of an imprint material on a first substrate using a mold,
A pattern forming step of forming the pattern of the imprint material on the first substrate at least once;
Curing of the imprint material from the mold by softening or dissolving the cured product of the imprint material attached to the mold, bringing it into contact with the imprint material on the second substrate, and re-curing on the second substrate Removing the object,
The imprint method characterized by including. 前記インプリント材の硬化物を除去する工程における前記第２基板に対する前記インプリント材の塗布量は、前記パターン形成工程における前記第１基板に対する前記インプリント材の塗布量よりも多いことを特徴とする請求項９に記載のインプリント方法。   The amount of the imprint material applied to the second substrate in the step of removing the cured product of the imprint material is greater than the amount of the imprint material applied to the first substrate in the pattern forming step. The imprint method according to claim 9. 前記インプリント材の硬化物を除去する工程において、前記インプリント材の硬化物を軟化または溶解させる気体を供給し、
前記第２基板上のインプリント材が前記気体を溶解する量は、前記第１基板上のインプリント材が前記気体を溶解する量よりも多いことを特徴とする請求項９または１０に記載のインプリント方法。 In the step of removing the cured product of the imprint material, supplying a gas that softens or dissolves the cured product of the imprint material,
The amount of the imprint material on the second substrate dissolving the gas is greater than the amount of the imprint material on the first substrate dissolving the gas. Imprint method. 前記インプリント材の硬化物を除去する工程において、前記インプリント材の硬化物を軟化または溶解させる気体を供給し、
前記第２基板に対する前記気体の供給量は、前記パターン形成工程における前記第１基板に対する前記気体の供給量よりも多いことを特徴とする請求項９ないし１１のいずれか１項に記載のインプリント方法。 In the step of removing the cured product of the imprint material, supplying a gas that softens or dissolves the cured product of the imprint material,
12. The imprint according to claim 9, wherein a supply amount of the gas to the second substrate is larger than a supply amount of the gas to the first substrate in the pattern forming step. Method. 前記パターン形成工程の後に、前記インプリント材の硬化物を除去する工程が必要とするかどうかを判断する工程を含むことを特徴とする請求項９に記載のインプリント方法。   The imprint method according to claim 9, further comprising a step of determining whether a step of removing a cured product of the imprint material is necessary after the pattern forming step. 前記判断する工程にて前記インプリント材の硬化物の除去が必要であると判定された場合に、前記インプリント材の硬化物を除去する工程の前に、窒素と酸素との混合気体の雰囲気で真空紫外線を前記型に照射する工程を含むことを特徴とする請求項１３に記載のインプリント方法。   When it is determined in the determining step that it is necessary to remove the cured product of the imprint material, before the step of removing the cured product of the imprint material, an atmosphere of a mixed gas of nitrogen and oxygen The imprint method according to claim 13, further comprising: irradiating the mold with vacuum ultraviolet rays. 請求項１ないし８のいずれか１項に記載のインプリント装置、または請求項９ないし１４のいずれか１項に記載のインプリント方法を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成する工程と、
前記工程で前記インプリント材のパターンが形成された基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。 A step of forming an imprint material pattern on a substrate using the imprint apparatus according to any one of claims 1 to 8 or the imprint method according to any one of claims 9 to 14. ,
Processing the substrate on which the pattern of the imprint material is formed in the step;
A method for producing an article comprising:

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