JP6300206B2 - 離型フィルム付銅箔の製造方法 - Google Patents
離型フィルム付銅箔の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6300206B2 JP6300206B2 JP2014261806A JP2014261806A JP6300206B2 JP 6300206 B2 JP6300206 B2 JP 6300206B2 JP 2014261806 A JP2014261806 A JP 2014261806A JP 2014261806 A JP2014261806 A JP 2014261806A JP 6300206 B2 JP6300206 B2 JP 6300206B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- layer
- copper
- copper foil
- release
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 180
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 title claims description 90
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 92
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 92
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 59
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 54
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 54
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 46
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 18
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 18
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 18
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 223
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 60
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 35
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 28
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 23
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 21
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 13
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 11
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 11
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 10
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 9
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 6
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 5
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- BXKDSDJJOVIHMX-UHFFFAOYSA-N edrophonium chloride Chemical compound [Cl-].CC[N+](C)(C)C1=CC=CC(O)=C1 BXKDSDJJOVIHMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920010524 Syndiotactic polystyrene Polymers 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni] Chemical compound [Co].[Ni] QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
表面粗さRaはJIS B 0601-1994に定義される算術平均粗さのことであり、粗さ曲線からその平均線の方向に基準粗さ(l)だけ抜き取り、この抜き取り部分の平均線の方向にX軸を、X軸と直行する方向にY軸を取り、粗さ曲線をy=f(x)であらわしたときに、次の式によって求められる値である。
暗室中で民生用の写真用バックライトを光源にして目視で5μm以上のピンホールの数を測定した。測定は5平方m以上の面積を行い、1平方mあたりの数に換算した。
フィルムの厚みを膜厚計DIGMICRO MFC-101を用いて測定した。またJIS K 7133に準じて120℃、30minの条件で加熱前の寸法L、加熱後の寸法L0から寸法変化率
ΔL=(L−L0)/L0×100
を算出した。測定はフィルムのMD方向およびTD方向で行い、値の大きな方を熱収縮率とした。
離型フィルム付銅箔を150mm×20mmの大きさにカットした。カットしたサンプルの銅層面を両面テープ(ナイスタック強力タイプ)でアクリル板に固定した。剥離層を介してフィルムを銅層から一部剥離してテンシロンに固定し、銅層を180°ピールで剥離して得られた値を1cm当りの剥離力に換算して剥離力とした。剥離力は0.1×10−2N/mm以上4.9×10−2N/mm未満の範囲を良好な範囲で◎とし、4.9×10−2N/mm以上10.0×10−2N/mm以下の範囲を剥離可能な範囲で○とした。
離型フィルム付銅箔340mm×340mmの大きさにカットして、プリプレグHL-832NXAとの張り合わせを行った。張り合わせは110℃、30min、0.5MPaの後、所定の温度で105min、3.0MPaの条件で真空プレスを行った。真空条件は16torrとした。ここで所定の温度は160〜220℃まで10℃ごとの範囲とした。160〜220℃までのすべての温度条件で剥離可能であったものを◎とした。
また、張り合わせた銅張品を150mm×20mmの大きさにカットした。カットしたサンプルのプリプレグ面を両面テープ(ナイスタック強力タイプ)でアクリル板に固定した。剥離層を介してフィルムを銅層から一部剥離してテンシロンに固定し、銅層を180°ピールで剥離して得られた値を1cm当りの剥離力に換算して剥離力とした。剥離力は0.1×10−2N/mm以上9.0×10−2N/mm未満の範囲を良好な範囲で◎とし、9.0×10−2N/mm以上9.8×10−2N/mm以下の範囲を剥離可能な範囲で○とした。
厚さ100μmの2軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製、商標名”ルミラー”タイプ:U483)に、マグネトロンスパッタリング法でニッケル層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さRaは0.02μm、融点は262℃、120℃での収縮率は0.9%であった。
ニッケル層形成のスパッタリング条件としては、50mm×550mmサイズのターゲットを用い、真空到達度は1×10−2Pa以下、スパッタリング出力はDC電源を用いて5kwを採用した。また、ニッケル層のみでの透過率は70.0%であり換算式から算出した金属層膜厚は4.83nmであった。炭素層形成のスパッタリング条件としては、50mm×550mmサイズのターゲットを用い、真空到達度は1×10−2Pa以下、スパッタリング出力はDC電源を用いて5kwを採用した。
厚さ75μmの2軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製、商標名”ルミラー”タイプ:S10)に、マグネトロンスパッタリング法でチタン層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さRaは0.02μm、融点は262℃、120℃での収縮率は0.9%であった。
チタン層形成のスパッタリング条件としては、50mm×550mmサイズのターゲットを用い、真空到達度は1×10−2Pa以下、スパッタリング出力はDC電源を用いて5kwを採用した。また、チタン層のみでの透過率は93.2%であり換算式から算出した金属層膜厚は1.21nmであった。炭素層形成のスパッタリング条件としては、50mm×550mmサイズのターゲットを用い、真空到達度は1×10−2Pa以下、スパッタリング出力はDCパルス電源を用いて5kwを採用した。
厚さ100μmの2軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製、商標名”ルミラー”タイプ:U483)に、マグネトロンスパッタリング法でアルミニウム層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さRaは0.02μm、融点は262℃、120℃での収縮率は0.9%であった。
アルミニウム層形成のスパッタリング条件としては、50mm×550mmサイズのターゲットを用い、真空到達度は1×10−2Pa以下、スパッタリング出力はDCパルス電源を用いて5kwを採用した。また、アルミニウム層のみでの透過率は62.9%であり換算式から算出した金属層膜厚は3.90nmであった。
厚さ100μmの2軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製、商標名”ルミラー”タイプ:U483)に、マグネトロンスパッタリング法でニッケル層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さRaは0.02μm、融点は262℃、120℃での収縮率は0.9%であった。ニッケル層形成のスパッタリング条件としては、50mm×550mmサイズのターゲットを用い、真空到達度は1×10−2Pa以下、スパッタリング出力はDC電源を用いて5kwを採用した。また、ニッケル層のみでの透過率は70.0%であり換算式から算出した金属層膜厚は4.83nmであった。
厚さ50μmの2軸配向ポリイミドフィルム(東レ・デュポン(株)製、商標名”カプトン”タイプ:200EN)に、マグネトロンスパッタリング法でニッケル層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さRaは0.03μm、融点は500℃以上、120℃での収縮率は0.1%以下であった。
ニッケル層形成のスパッタリング条件としては、50mm×550mmサイズのターゲットを用い、真空到達度は1×10−2Pa以下、スパッタリング出力はDC電源を用いて5kwを採用した。また、ニッケル層のみでの透過率は70.0%であり換算式から算出した金属層膜厚は4.83nmであった。
厚さ100μmの2軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製、商標名”ルミラー”タイプ:U483)に、マグネトロンスパッタリング法でクロム層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さRaは0.02μm、融点は262℃、120℃での収縮率は0.9%であった。
クロム層形成のスパッタリング条件としては、50mm×550mmサイズのターゲットを用い、真空到達度は1×10−2Pa以下、スパッタリング出力はDCパルス電源を用いて5kwを採用した。また、クロム層のみでの透過率は81.0%であり換算式から算出した金属層膜厚は2.41nmであった。
厚さ75μmの2軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製、商標名”ルミラー”タイプ:S10)に、マグネトロンスパッタリング法で白金層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さRaは0.02μm、融点は262℃、120℃での収縮率は0.9%であった。
白金層形成のスパッタリング条件としては、50mm×550mmサイズのターゲットを用い、真空到達度は1×10−2Pa以下、スパッタリング出力はDC電源を用いて5kwを採用した。また、白金層のみでの透過率は85.2%であり換算式から算出した金属層膜厚は1.95nmであった。
厚さ20μmの2軸配向ポリイミドフィルム(東レ・デュポン(株)製、商標名”カプトン”タイプ:80EN)に、マグネトロンスパッタリング法で金層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さRaは0.03μm、融点は500℃以上、120℃での収縮率は0.1%以下であった。
金層形成のスパッタリング条件としては、50mm×550mmサイズのターゲットを用い、真空到達度は1×10−2Pa以下、スパッタリング出力はDC電源を用いて5kwを採用した。また、金層のみでの透過率は84.5%であり換算式から算出した金属層膜厚は2.77nmであった。
厚さ188μmの2軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製、商標名”ルミラー”タイプ:T60)に、マグネトロンスパッタリング法でニッケル層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さRaは0.02μm、融点は262℃、120℃での収縮率は0.9%であった。
ニッケル層形成のスパッタリング条件としては、50mm×550mmサイズのターゲットを用い、真空到達度は1×10−2Pa以下、スパッタリング出力はDC電源を用いて5kwを採用した。また、ニッケル層のみでの透過率は70.0%であり換算式から算出した金属層膜厚は4.83nmであった。
(実施例10)
厚さ75μmの2軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製、商標名”ルミラー”タイプ:S10)に、マグネトロンスパッタリング法でタンタル層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さRaは0.02μm、融点は262℃、120℃での収縮率は0.9%であった。
タンタル層形成のスパッタリング条件としては、50mm×550mmサイズのターゲットを用い、真空到達度は1×10−2Pa以下、スパッタリング出力はDC電源を用いて5kwを採用した。また、タンタル層のみでの透過率は95.8%であり換算式から算出した金属層膜厚は1.02nmであった。炭素層形成のスパッタリング条件としては、50mm×550mmサイズのターゲットを用い、真空到達度は1×10−2Pa以下、スパッタリング出力はDCパルス電源を用いて5kwを採用した。
厚さ100μmの2軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製、商標名”ルミラー”タイプ:U483)に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さRaは0.02μm、融点は262℃、120℃での収縮率は0.9%であった。
炭素層形成のスパッタリング条件としては、50mm×550mmサイズのターゲットを用い、真空到達度は1×10−2Pa以下、スパッタリング出力はDC電源を用いて5kwを採用した。
厚さ50μmのアルミ箔(東海東洋アルミ製)に、マグネトロンスパッタリング法でニッケル層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。アルミ箔の表面粗さRaは0.40μmであった。
ニッケル層形成のスパッタリング条件としては、50mm×550mmサイズのターゲットを用い、真空到達度は1×10−2Pa以下、スパッタリング出力はDC電源を用いて5kwを採用した。また、ニッケル層のみでの透過率は70.0%であり換算式から算出した金属層膜厚は4.83nmであった。
厚さ75μmの2軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製、商標名”ルミラー”タイプ:T60)に、グラビアコータ法で水溶性セルロース樹脂を1.1μmの厚さにコーティングし、剥離層をもつフィルムを作成した。フィルムの表面粗さRaは0.03μm、融点は262℃、120℃での収縮率は1.0%であった。この離型フィルムの水溶性セルロース樹脂形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度10μm/min、ライン速度5.0m/minで2.0μmの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は巻きズレ、シワの発生は無く巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は0.4個/m2、表面粗さRaは0.02μmであった。この離型フィルム付銅箔を剥離したところ、剥離力は2.5×10−2N/mmであった。また真空プレス条件は120℃以上で銅層とフィルムが固着してしまい剥離することが出来なかった。
厚さ100μmの2軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製、商標名”ルミラー”タイプ:U483)に、マグネトロンスパッタリング法でニッケル層を形成した。フィルムの表面粗さRaは0.02μm、融点は262℃、120℃での収縮率は0.9%であった。
ニッケル層形成のスパッタリング条件としては、50mm×550mmサイズのターゲットを用い、真空到達度は1×10−2Pa以下、スパッタリング出力はDC電源を用いて5kwを採用した。また、ニッケル層のみでの透過率は70.0%であり換算式から算出した金属層膜厚は4.83nmであった。このフィルムのニッケル層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度6.6μm・m/min、ライン速度4.4m/minで1.5μmの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。蒸着は巻きズレ、シワの発生は無く巻き取ることが出来た。この蒸着膜のピンホール数は0.0個/m2、表面粗さRaは0.02μmであった。このフィルム付銅箔を剥離したところ、剥離できなかった。また、真空プレス条件を行ったところ、160〜220℃のいずれの温度条件でも剥離できなかった。
厚さ100μmの2軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製、商標名”ルミラー”タイプ:U483)に、グラビアコータ法でシリカをフィラーとして加えたポリイミド樹脂を1.0μmの厚さにコーティングし、このフィルムにマグネトロンスパッタリング法でニッケル層を形成した後、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。フィルムの表面粗さRaは0.71μm、融点は262℃、120℃での収縮率は0.9%であった。
ニッケル層形成のスパッタリング条件としては、50mm×550mmサイズのターゲットを用い、真空到達度は1×10−2Pa以下、スパッタリング出力はDC電源を用いて5kwを採用した。また、ニッケル層のみでの透過率は70.0%であり換算式から算出した金属層膜厚は4.83nmであった。
(2) 剥離層
(3) 銅層
(4) 金属層
(5) 炭素層
Claims (4)
- フィルムの一方の面に剥離層を有する離型フィルムの該剥離層の上に銅層が設けられた離型フィルム付銅箔であって、該剥離層はフィルム側から金属層および炭素層がこの順に形成され、該銅層は表面粗さRaが0.10μm以下である離型フィルム付銅箔の製造方法であって、電子ビーム蒸着法で銅層を形成することを特徴とする離型フィルム付銅箔の製造方法。
- 該金属層は、アルミニウム、亜鉛、チタン、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、ゲルマニウム、白金、金、鉛から選ばれる少なくとも1種である請求項1に記載の離型フィルム付銅箔の製造方法。
- 該銅層は、厚みが0.3μm以上3.0μm以下であり、大きさが5μm以上のピンホール数が1平方mあたり1個以下である請求項1または2に記載の離型フィルム付銅箔の製造方法。
- 該フィルムは、厚みが25μm以上150μm以下であり、剥離層と接する面の表面粗さRaが0.10μm以下であり、120℃、30分で熱処理した後の熱収縮率がMD方向(長手方向)、TD方向(幅方向)いずれも2.0%以下であり、かつ、融点が220℃以上である請求項1〜3のいずれかに記載の離型フィルム付銅箔の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014261806A JP6300206B2 (ja) | 2014-01-21 | 2014-12-25 | 離型フィルム付銅箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014008314 | 2014-01-21 | ||
JP2014008314 | 2014-01-21 | ||
JP2014261806A JP6300206B2 (ja) | 2014-01-21 | 2014-12-25 | 離型フィルム付銅箔の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015157472A JP2015157472A (ja) | 2015-09-03 |
JP2015157472A5 JP2015157472A5 (ja) | 2016-12-28 |
JP6300206B2 true JP6300206B2 (ja) | 2018-03-28 |
Family
ID=54181892
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014261806A Active JP6300206B2 (ja) | 2014-01-21 | 2014-12-25 | 離型フィルム付銅箔の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6300206B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6466235B2 (ja) * | 2015-04-16 | 2019-02-06 | 三井金属鉱業株式会社 | キャリア付銅箔、キャリア付銅張積層板、及びプリント配線板の製造方法 |
JP6432793B2 (ja) * | 2015-12-03 | 2018-12-05 | 東レKpフィルム株式会社 | 離型フィルム付銅箔 |
US10772219B2 (en) | 2015-12-25 | 2020-09-08 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Copper foil with carrier, copper foil with resin and method for manufacturing printed wiring board |
WO2017149810A1 (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-08 | 三井金属鉱業株式会社 | キャリア付銅箔及びその製造方法、並びに配線層付コアレス支持体及びプリント配線板の製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200804626A (en) * | 2006-05-19 | 2008-01-16 | Mitsui Mining & Smelting Co | Copper foil provided with carrier sheet, method for fabricating copper foil provided with carrier sheet, surface-treated copper foil provided with carrier sheet, and copper-clad laminate using the surface-treated copper foil provided with carrier she |
JP2009231790A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-10-08 | Ajinomoto Co Inc | 多層プリント配線板の製造方法 |
-
2014
- 2014-12-25 JP JP2014261806A patent/JP6300206B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015157472A (ja) | 2015-09-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10356898B2 (en) | Carrier-attached copper foil, laminate, method for producing printed wiring board, and method for producing electronic device | |
US8624125B2 (en) | Metal foil laminated polyimide resin substrate | |
US8187722B2 (en) | Copper foil with carrier sheet, method for manufacturing copper foil with carrier sheet, and surface-treated copper foil with carrier sheet | |
US11052638B2 (en) | Metal-clad laminate and manufacturing method for same | |
JP6069749B2 (ja) | 離型フィルム付銅箔 | |
JP6300206B2 (ja) | 離型フィルム付銅箔の製造方法 | |
JP2007307767A (ja) | キャリア箔付銅箔、キャリア箔付銅箔の製造方法、キャリア箔付表面処理銅箔及びそのキャリア箔付表面処理銅箔を用いた銅張積層板 | |
JP6480289B2 (ja) | 金属蒸着層付き熱可塑性液晶ポリマーフィルムの製造方法、該製造方法を用いた金属蒸着層付き熱可塑性液晶ポリマーフィルム、金属張積層板の製造方法、及び金属張積層板 | |
TW201811557A (zh) | 附脫模層的銅箔、積層體、印刷配線板的製造方法及電子機器的製造方法 | |
JP5081831B2 (ja) | 配線部材およびその製造方法 | |
JP2021035755A (ja) | キャリア層付き金属積層基材及びその製造方法、金属積層基材及びその製造方法、並びにプリント配線板 | |
JP5672299B2 (ja) | 2層フレキシブル基板およびその製造方法 | |
JP6671051B2 (ja) | 金属化フィルムおよび金属化フィルムの製造方法 | |
JP6705094B2 (ja) | 離型フィルム付銅箔および離型フィルム付銅箔の製造方法 | |
JP2011091082A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
JP6432793B2 (ja) | 離型フィルム付銅箔 | |
JP6671050B2 (ja) | 離型フィルム付銅箔 | |
JP2004128365A (ja) | フレキシブル銅張回路基板 | |
JP2007208251A (ja) | フレキシブル基板用基材およびそれを用いたフレキシブル基板ならびにそれらの製造方法 | |
CN114342571A (zh) | 带载体层的金属层叠基材及其制造方法、金属层叠基材及其制造方法、以及印刷线路板 | |
JP6349641B2 (ja) | 転写銅箔付きフィルム、銅箔貼り合わせ積層板の製造方法、転写銅箔付きフィルム中間体 | |
JP2011031570A (ja) | 両面導通粘着金属フィルム及びその製造方法 | |
JP2006179827A (ja) | フレキシブル基板用基材およびそれを用いたフレキシブル基板ならびそれらの製造方法 | |
JP2022061730A (ja) | フレキシブル金属付積層板 | |
JP6481864B2 (ja) | 金属化フィルムおよびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161109 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161109 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20161109 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20161109 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170808 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170822 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170926 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20171212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180109 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20180117 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180213 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180219 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6300206 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |