JP6292361B1 - 光半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1から図7は、本発明の実施の形態1に係る光半導体装置の製造方法を示す断面図である。まず、図1に示すように、半導体基板1の上に活性層2を形成する。活性層2の最表面層2aはInP層である。活性層2の上に、活性層2の最表面層2aとは材料が異なる犠牲層3を形成する。犠牲層3は、InPとエッチングの選択比があることが要求され、例えばInGaAsP層である。なお、InGaAsP層の上にキャップ層として薄いInP層を形成してもよい。犠牲層3の厚みは、後に形成するリッジ下部の高さに一致する。
図9から図16は、本発明の実施の形態2に係る光半導体装置の製造方法を示す断面図である。まず、図9に示すように、半導体基板1の上に活性層2を形成する。活性層2の最表面層2aはInP層である。活性層2の上にInP層14を形成する。
Claims (7)
- 半導体基板の上に、リッジ下部と、前記リッジ下部の上に配置され前記リッジ下部よりも広い幅を持つリッジ上部とを有するリッジ構造を形成する工程と、
前記リッジ下部と前記リッジ上部の幅の差により前記リッジ下部が前記リッジ上部に対して横方向に奥まったことによって生じる前記リッジ構造の窪み箇所を原子層堆積法により絶縁膜で完全に埋め込むことにより、前記リッジ構造の側面に設けた前記絶縁膜の側面に段差の無い凸形状を前記半導体基板上に形成する工程とを備えることを特徴とする光半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板の上に活性層を形成する工程と、
前記活性層の上に、前記活性層の最表面層とは材料が異なる犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層の一部を除去して開口を形成する工程と、
前記犠牲層とは材料が異なる半導体層を前記活性層及び前記犠牲層の上に形成して前記開口の内部にリッジ下部を形成する工程と、
前記半導体層をパターニングして前記リッジ上部を形成する工程と、
前記リッジ上部を形成した後、前記絶縁膜を形成する前に、前記活性層の前記最表面層及び前記半導体層に対して前記犠牲層を選択的にエッチングして除去する工程とを更に備えることを特徴とする請求項1に記載の光半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板の上に活性層を形成する工程と、
前記活性層の上に第1の半導体層を形成する工程と、
前記第1の半導体層をパターニングして前記リッジ下部を形成する工程と、
前記活性層の最表面層及び前記第1の半導体層とは材料が異なる犠牲層を、前記リッジ下部の周りに前記リッジ下部の上面を覆わない高さまで形成する工程と、
前記リッジ下部及び前記犠牲層の上に、前記犠牲層とは材料が異なる第2の半導体層を形成する工程と、
前記第2の半導体層をパターニングして前記リッジ上部を形成する工程と、
前記リッジ上部を形成した後、前記絶縁膜を形成する前に、前記活性層の前記最表面層及び前記第1及び第2の半導体層に対して前記犠牲層を選択的にエッチングして除去する工程とを更に備えることを特徴とする請求項1に記載の光半導体装置の製造方法。 - 前記活性層の前記最表面層、前記リッジ下部及び前記リッジ上部の材料はInPであり、前記犠牲層の材料はInGaAsPであることを特徴とする請求項2又は3に記載の光半導体装置の製造方法。
- 前記リッジ下部及び前記リッジ上部は垂直リッジ形状であり、
前記リッジ構造はT字型であることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の光半導体装置の製造方法。 - 前記光半導体装置はDFBレーザであることを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の光半導体装置の製造方法。
- 前記光半導体装置は光集積化デバイスであることを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の光半導体装置の製造方法。
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---|---|---|---|---|
CN112534662A (zh) * | 2018-08-20 | 2021-03-19 | 三菱电机株式会社 | 半导体激光器装置的制造方法和半导体激光器装置 |
CN114764163A (zh) * | 2021-01-15 | 2022-07-19 | 宁波元芯光电子科技有限公司 | 一种悬空波导支撑结构及其制作方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02156588A (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザおよびその製造方法 |
JPH04242981A (ja) * | 1991-01-07 | 1992-08-31 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 埋込型化合物半導体発光装置及びその製法 |
US5851849A (en) * | 1997-05-22 | 1998-12-22 | Lucent Technologies Inc. | Process for passivating semiconductor laser structures with severe steps in surface topography |
JP2014007295A (ja) * | 2012-06-25 | 2014-01-16 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置及びその製造方法 |
JP5454381B2 (ja) * | 2010-06-22 | 2014-03-26 | 三菱電機株式会社 | リッジ型半導体光素子の製造方法 |
JP2014179389A (ja) * | 2013-03-13 | 2014-09-25 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
JP2016129244A (ja) * | 2011-11-30 | 2016-07-14 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 半導体レーザダイオード |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02156588A (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザおよびその製造方法 |
JPH04242981A (ja) * | 1991-01-07 | 1992-08-31 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 埋込型化合物半導体発光装置及びその製法 |
US5851849A (en) * | 1997-05-22 | 1998-12-22 | Lucent Technologies Inc. | Process for passivating semiconductor laser structures with severe steps in surface topography |
JP5454381B2 (ja) * | 2010-06-22 | 2014-03-26 | 三菱電機株式会社 | リッジ型半導体光素子の製造方法 |
JP2016129244A (ja) * | 2011-11-30 | 2016-07-14 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 半導体レーザダイオード |
JP2014007295A (ja) * | 2012-06-25 | 2014-01-16 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置及びその製造方法 |
JP2014179389A (ja) * | 2013-03-13 | 2014-09-25 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112534662A (zh) * | 2018-08-20 | 2021-03-19 | 三菱电机株式会社 | 半导体激光器装置的制造方法和半导体激光器装置 |
CN112534662B (zh) * | 2018-08-20 | 2022-05-24 | 三菱电机株式会社 | 半导体激光器装置的制造方法和半导体激光器装置 |
CN114764163A (zh) * | 2021-01-15 | 2022-07-19 | 宁波元芯光电子科技有限公司 | 一种悬空波导支撑结构及其制作方法 |
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