JP6291796B2 - 増幅器 - Google Patents
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Description
図5は、実施の形態の増幅器100を示す図である。図5において、前提技術の増幅器1(図3参照)と同様の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
以上の実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
(付記1)
入力信号が一次側に入力され、前記入力信号に基づく差動信号を二次側から出力する第1トランスと、
前記第1トランスの二次側に接続される第1差動増幅段と、
前記第1差動増幅段の出力側に接続される第2トランスと、
前記第2トランスの出力側に接続される第2差動増幅段と、
前記第2差動増幅段から出力される差動信号をシングルエンド形式の出力信号に変換する第3トランスと、
前記第1トランスの二次側コイルに第1バイアス電圧を供給する第1バイアス回路と
を含み、
前記第1バイアス回路は、前記出力信号の電力に対する利得の特性が、前記出力信号の電力に対して利得が一定になる特性に近づくように、前記入力信号に基づき、前記出力信号の電力が第1電力以上の動作領域において、前記第1バイアス電圧を第1電圧以上に制御する、増幅器。
(付記2)
前記入力信号は、ベースバンド信号と第1周波数の信号とを合成した信号であり、
前記第1バイアス回路は、前記入力信号の包絡線の振幅に応じて、前記出力信号の電力が第1電力以上の動作領域において、前記第1バイアス電圧を第1電圧以上に制御する、付記1記載の増幅器。
(付記3)
前記第1バイアス回路は、
前記包絡線の振幅が第1振幅以上のときに前記包絡線の振幅に応じた電流を出力する第1包絡線検波部と、
前記第1包絡線検波部から出力される電流を前記第1バイアス電圧に変換する第1変換回路と
を有する、付記2記載の増幅器。
(付記4)
前記第1包絡線検波部は、前記入力信号の振幅に応じてC級動作することにより、前記電流を出力するトランジスタを有する、付記3記載の増幅器。
(付記5)
前記第1バイアス回路は、さらに、前記第1変換回路から前記第1バイアス電圧を出力する出力ノードにおけるカットオフ周波数を前記包絡線のカットオフ周波数よりも高く設定するように制御するバッファを有する、付記3又は4記載の増幅器。
(付記6)
前記バッファは、
一方の入力端子に前記出力ノードが接続され、他方の入力端子が前記バッファの出力端子に接続されるオペアンプと、
前記オペアンプの出力端子に自己の入力端子が接続され、自己の出力端子が前記バッファの出力端子に接続されるインバータと
を有し、
前記バッファの出力端子から前記第1バイアス電圧を出力する、付記5記載の増幅器。
(付記7)
前記第2トランスの二次側コイルに第2バイアス電圧を供給する第2バイアス回路をさらに含み、
前記第2バイアス回路は、前記出力信号の電力に対する利得の特性が一定な特性に近づくように、前記入力信号に基づき、前記出力信号の電力が前記第1電力よりも低い第2電力以下の動作領域において、前記第2バイアス電圧を第2電圧以上に制御する、付記1乃至6のいずれか一項記載の増幅器。
(付記8)
前記第2バイアス回路は、
前記包絡線の振幅が第2振幅以上のときに前記包絡線の振幅に応じた電流を出力する第2包絡線検波部と、
前記第2包絡線検波部から出力される電流を前記第2バイアス電圧に変換する第2変換回路と
を有する、付記7記載の増幅器。
(付記9)
前記第1バイアス回路は、前記ベースバンド信号の振幅に応じて、前記出力信号の電力が前記第1電力以上の動作領域において、前記第1バイアス電圧を前記第1電圧以上に制御する、付記2乃至6のいずれか一つ記載の増幅器。
101A 入力端子
101B 出力端子
10 入力トランス
20 DR段
30 段間トランス
40 PA段
50 出力トランス
110 制御回路
120 包絡線検波部
130 IVコンバータ
140 コアバイアス回路
150 バッファ
160 制御回路
170 包絡線検波部
180 電流付加回路
190 コアバイアス回路
500 送受信回路
501 ベースバンド回路
502 発振器
503 アンテナスイッチ
504 アンテナ
511 変調回路
512 ミキサ
513 送信フィルタ
514 パワーアンプ
Claims (5)
- 入力信号が一次側に入力され、前記入力信号に基づく差動信号を二次側から出力する第1トランスと、
前記第1トランスの二次側に接続される第1差動増幅段と、
前記第1差動増幅段の出力側に接続される第2トランスと、
前記第2トランスの出力側に接続される第2差動増幅段と、
前記第2差動増幅段から出力される差動信号をシングルエンド形式の出力信号に変換する第3トランスと、
前記第1トランスの二次側コイルに第1バイアス電圧を供給する第1バイアス回路と、
前記第2トランスの二次側コイルに第2バイアス電圧を供給する第2バイアス回路と
を含み、
前記第1バイアス回路は、前記出力信号の電力に対する利得の特性が、前記出力信号の電力に対して利得が一定になる特性に近づくように、前記入力信号に基づき、前記出力信号の電力が第1電力以上の動作領域において、前記第1バイアス電圧を第1電圧以上に制御し、前記出力信号の電力が前記第1電力より小さい動作領域において、前記第1バイアス電圧を前記第1電圧より小さくなるように制御し、
前記第2バイアス回路は、前記出力信号の電力に対する利得の特性が一定な特性に近づくように、前記入力信号に基づき、前記出力信号の電力が前記第1電力よりも低い第2電力以下の動作領域において、前記第2バイアス電圧を第2電圧以上に制御し、前記出力信号の電力が前記第2電力より大きい動作領域において、前記第2バイアス電圧を前記第2電圧より小さくなるように制御する、増幅器。 - 前記入力信号は、ベースバンド信号と第1周波数の信号とを合成した信号であり、
前記第1バイアス回路は、前記入力信号の包絡線の振幅に応じて、前記出力信号の電力が第1電力以上の動作領域において、前記第1バイアス電圧を第1電圧以上に制御する、請求項1記載の増幅器。 - 前記第1バイアス回路は、
前記包絡線の振幅が第1振幅以上のときに前記包絡線の振幅に応じた電流を出力する第1包絡線検波部と、
前記第1包絡線検波部から出力される電流を前記第1バイアス電圧に変換する第1変換回路と
を有する、請求項2記載の増幅器。 - 前記第1バイアス回路は、さらに、前記第1変換回路から前記第1バイアス電圧を出力する出力ノードにおけるカットオフ周波数を前記包絡線の周波数よりも高く設定するように制御するバッファを有する、請求項3記載の増幅器。
- 前記第2バイアス回路は、
前記入力信号の包絡線の振幅が第2振幅以上のときに前記包絡線の振幅に応じた電流を出力する第2包絡線検波部と、
前記第2包絡線検波部から出力される電流を前記第2バイアス電圧に変換する第2変換回路と
を有する、請求項1乃至4のいずれか一項記載の増幅器。
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