JP6285667B2 - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
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- 半導体基板の中に第1画素および第2画素を有する固体撮像装置の製造方法であって、前記第1画素は、第1領域に第1導電型の第1電荷蓄積部を有し、前記第2画素は、第2領域に前記第1導電型の第2電荷蓄積部を有し、かつ、第3領域に前記第1導電型とは異なる第2導電型の半導体領域を有し、
前記製造方法は、
前記第1電荷蓄積部および前記第2電荷蓄積部を形成する工程と、
前記半導体領域を形成する工程と、を含み、
前記半導体領域を形成する工程において、前記第3領域に前記第2導電型の不純物がドープされることにより、前記第1領域における前記第2導電型の不純物のドープ量と前記第2領域における前記第2導電型の不純物のドープ量との間に差が生じるように、少なくとも前記第2領域に前記第2導電型の不純物がドープされ、
前記第1電荷蓄積部および前記第2電荷蓄積部を形成する工程では、前記差による前記第1領域における前記第1導電型の不純物の正味のドープ量と前記第2領域における前記第1導電型の不純物の正味のドープ量との差が低減されるように、前記第1領域および前記第2領域に不純物をドープする、
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記製造方法は、前記半導体基板における前記第1電荷蓄積部および前記第2電荷蓄積部よりも深い位置に前記第2導電型の埋め込み層を形成する工程を更に含み、
前記第1画素は、第1波長帯域の光を受光する画素であり、前記第2画素は、前記第1波長帯域の中心波長よりも中心波長が短い第2波長帯域の光を受光する画素であり、
前記第3領域は、前記第2領域と前記埋め込み層との間に位置する、
ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記第1電荷蓄積部および前記第2電荷蓄積部を形成する工程は、
前記第1領域および前記第2領域に対して同時に前記第1導電型の不純物をドープする工程と、
前記第1領域および前記第2領域のうち前記第2領域に対して前記第1導電型の不純物をドープする工程と、を含む、
ことを特徴とする請求項2に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記第1電荷蓄積部および前記第2電荷蓄積部を形成する工程は、
前記第1領域および前記第2領域のうち前記第1領域に対して前記第1導電型の不純物をドープする工程と、
前記第1領域および前記第2領域のうち前記第2領域に対して前記第1導電型の不純物をドープする工程と、を含む、
ことを特徴とする請求項2に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記半導体領域を形成する工程と、前記第1領域および前記第2領域のうち前記第2領域に対して前記第1導電型の不純物をドープする工程とにおいて、同一のマスクが使用される、
ことを特徴とする請求項3又は4に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記第1電荷蓄積部および前記第2電荷蓄積部を形成する工程は、
前記第1領域および前記第2領域に対して同時に前記第1導電型の不純物をドープする工程と、
前記第1領域および前記第2領域のうち前記第1領域に対して前記第2導電型の不純物をドープする工程と、を含む、
ことを特徴とする請求項2に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記半導体領域は、前記半導体基板の表面に露出した露出面を有し、前記露出面にコンタクトプラグが接続される、
ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記第1電荷蓄積部および前記第2電荷蓄積部を形成する工程は、
前記第1領域および前記第2領域に対して同時に前記第1導電型の不純物をドープする工程と、
前記第1領域および前記第2領域のうち前記第2領域に対して前記第1導電型の不純物をドープする工程と、を含む、
ことを特徴とする請求項7に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記第1電荷蓄積部および前記第2電荷蓄積部を形成する工程は、
前記第1領域および前記第2領域のうち前記第1領域に対して前記第1導電型の不純物をドープする工程と、
前記第1領域および前記第2領域のうち前記第2領域に対して前記第1導電型の不純物をドープする工程と、を含む、
ことを特徴とする請求項7に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記第1電荷蓄積部および前記第2電荷蓄積部を形成する工程は、
前記第1領域および前記第2領域に対して同時に前記第1導電型の不純物をドープする工程と、
前記第1領域および前記第2領域のうち前記第1領域に対して前記第2導電型の不純物をドープする工程と、を含む、
ことを特徴とする請求項7に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 半導体基板の中に、第1波長帯域の光を受光する第1画素、および、前記第1波長帯域の中心波長よりも中心波長が短い第2波長帯域の光を受光する第2画素を有する固体撮像装置の製造方法であって、
前記第1画素は、第1領域に第1導電型の第1電荷蓄積部を有し、前記第2画素は、第2領域に前記第1導電型の第2電荷蓄積部を有し、かつ、第3領域に前記第1導電型とは異なる第2導電型の半導体領域を有し、
前記製造方法は、
前記第1電荷蓄積部および前記第2電荷蓄積部を形成する工程と、
前記半導体基板における前記第1電荷蓄積部よび前記第2電荷蓄積部よりも深い位置に前記第2導電型の埋め込み層を形成する工程と、
前記第2領域と前記埋め込み層との間に前記半導体領域を形成する工程と、を含み、
前記第1電荷蓄積部および前記第2電荷蓄積部を形成する工程では、前記第1領域における前記第1導電型の不純物の正味のドープ量よりも前記第2領域における前記第1導電型の不純物の正味のドープ量が多くなるように、前記第1領域および前記第2領域に不純物をドープする、
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記第1電荷蓄積部および前記第2電荷蓄積部を形成する工程および前記半導体領域を形成する工程を通して、前記第1導電型の不純物および前記第2導電型の不純物の双方が、前記第1領域および前記第2領域の少なくとも一方にドープされる、
ことを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記半導体領域を形成する工程は、前記第1領域を覆い、前記第3領域に対応する開口部を有するマスクを形成する工程を含む、
ことを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記第1電荷蓄積部および前記第2電荷蓄積部を形成する工程は、前記第1領域および前記第2領域の一方を覆い、前記第1領域および前記第2領域の他方に対応する開口部を有するマスクを形成する工程を含む、
ことを特徴とする請求項1乃至13のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記固体撮像装置は、前記第1電荷蓄積部および前記第2電荷蓄積部の上に配された前記第2導電型の表面層を更に含み、
前記製造方法は、前記表面層を形成する工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項1乃至14のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。
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