KR102499854B1 - 격리 구조물 및 이를 포함하는 이미지 센서 - Google Patents

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Abstract

격리 구조물을 갖는 이미지 센서가 개시된다. 상기 격리 구조물은, 제1 도전형을 갖고 제2 도전형 기판 내에 형성되는 깊은 웰 영역과, 광전하를 수집하기 위한 전하저장영역들 사이를 서로 격리시키기 위하여 상기 전하저장영역들 사이에 형성되는 격리 영역을 포함한다. 상기 전하저장영역들은 상기 깊은 웰 영역 상에 형성되며 상기 제2 도전형을 갖고, 상기 격리 영역은 상기 깊은 웰 영역과 연결되며 상기 제1 도전형을 갖는다.

Description

격리 구조물 및 이를 포함하는 이미지 센서{Isolation structure and image sensor having the same}
본 발명의 실시예들은 격리 구조물 및 이를 포함하는 이미지 센서에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 이미지 센서의 전하저장영역들 사이를 격리시키기 위한 격리 구조물 및 이를 포함하는 이미지 센서에 관한 것이다.
일반적으로, 이미지 센서는 광학적 영상(optical image)을 전기적 신호로 변환하는 반도체 소자로서, 전하결합소자(charge coupled device; CCD)와 씨모스 이미지 센서(CMOS image sensor; CIS)로 구분될 수 있다.
씨모스 이미지 센서는 단위 화소 내에 포토 다이오드와 모스 트랜지스터를 형성하고 스위칭 방식으로 단위 화소의 전기적 신호를 순차적으로 검출함으로써 이미지를 형성할 수 있다.
씨모스 이미지 센서는 반도체 기판 상에 포토 다이오드들과 상기 포토 다이오드들과 연결된 트랜지스터들을 형성하고, 상기 트랜지스터들과 연결된 신호 라인들로서 기능하는 배선층들을 형성하며, 상기 배선층들 상에 컬러 필터층과 마이크로 렌즈들을 형성함으로써 완성될 수 있다.
특히, 상기 씨모스 이미지 센서는 복수의 행과 복수의 열의 형태로 배열된 복수의 화소 영역들을 포함할 수 있으며, 각각의 화소 영역에는 포토 다이오드와 전송 게이트 및 플로팅 확산 영역이 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 포토 다이오드는 P형 표면 영역과 N형 전하저장영역을 구비할 수 있으며, 상기 포토 다이오드에 입사된 광에 의해 생성된 전자들(광전하)은 상기 N형 전하저장영역에 저장될 수 있다. 상기 광전하는 상기 전송 게이트를 경유하여 상기 플로팅 확산 영역으로 이동될 수 있다.
최근 상기 이미지 센서의 집적도가 향상됨에 따라 상기 포토 다이오드의 면적이 점차 감소되고 있다. 상기 포토 다이오드의 면적 감소에 의해 상기 이미지 센서의 감도 및 다이나믹 레인지가 감소될 수 있으며, 크로스 토크와 같은 노이즈가 상대적으로 증가될 수 있다.
대한민국 공개특허공보 제10-2005-0072485호 (2005.07.11)
본 발명의 실시예들은 포토 다이오드의 면적을 증가시키기 위하여 상대적으로 작은 면적을 갖는 격리 구조물 및 이를 포함하는 이미지 센서를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 격리 구조물은, 제1 도전형을 갖고 제2 도전형 기판 내에 형성되는 깊은 웰 영역과, 광전하를 수집하기 위한 전하저장영역들 사이를 서로 격리시키기 위하여 상기 전하저장영역들 사이에 형성되는 격리 영역을 포함할 수 있다. 이때, 상기 전하저장영역들은 상기 깊은 웰 영역 상에 형성되며 상기 제2 도전형을 갖고, 상기 격리 영역은 상기 깊은 웰 영역과 연결되며 상기 제1 도전형을 가질 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 격리 영역은 상기 깊은 웰 영역보다 높은 불순물 농도를 가질 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 격리 구조물은, 상기 격리 영역 상에 형성된 절연막과, 상기 절연막 상에 형성되며 상기 격리 영역 내에 제2 광전하를 수집하기 위한 전계를 형성하는 전극을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 깊은 웰 영역에는 제1 전압이 인가되며, 상기 전극에는 상기 제1 전압과 같거나 상기 제1 전압보다 높은 제2 전압이 인가될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 깊은 웰 영역에는 제1 전압이 인가되며, 상기 전극에는 상기 제1 전압과 같거나 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압이 인가될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 격리 영역은 이온 주입 공정에 의해 형성된 이온 주입 영역일 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따른 이미지 센서는, 제1 도전형을 갖고 제2 도전형 기판 내에 형성되는 깊은 웰 영역과, 상기 깊은 웰 영역 상에 형성되며 상기 제2 도전형을 갖고 광전하를 수집하기 위한 전하저장영역들과, 상기 전하저장영역들 사이를 서로 격리시키기 위하여 상기 전하저장영역들 사이에 형성되며 상기 제1 도전형을 갖고 상기 깊은 웰 영역과 연결되는 격리 영역을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 이미지 센서는, 상기 전하저장영역들 상에 각각 형성되며 상기 제1 도전형을 갖는 피닝층들을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 격리 영역과 상기 피닝층들은 동일한 불순물 농도를 가질 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 격리 영역은 상기 깊은 웰 영역보다 높은 불순물 농도를 가질 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 이미지 센서는, 상기 격리 영역 상에 형성된 절연막과, 상기 절연막 상에 형성되며 상기 격리 영역 내에 제2 광전하를 수집하기 위한 전계를 형성하는 전극을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 깊은 웰 영역에는 제1 전압이 인가되며, 상기 전극에는 상기 제1 전압과 같거나 상기 제1 전압보다 높은 제2 전압이 인가될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 깊은 웰 영역에는 제1 전압이 인가되며, 상기 전극에는 상기 제1 전압과 같거나 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압이 인가될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 기판은 에피택시얼 층을 포함하며, 상기 깊은 웰 영역과 상기 격리 영역은 상기 에피택시얼 층 내에 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 전하저장영역들과 상기 깊은 웰 영역 사이에는 상기 전하저장영역들보다 낮은 불순물 농도를 갖는 제2 도전형의 저농도 불순물 영역들이 배치될 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 측면에 따른 이미지 센서는, 제1 도전형을 갖고 제2 도전형 기판 내에 형성되는 깊은 웰 영역과, 상기 깊은 웰 영역 상에 형성되며 상기 제2 도전형을 갖고 광전하를 수집하기 위한 전하저장영역과, 상기 전하저장영역을 인접하는 전하저장영역으로부터 격리시키기 위하여 상기 전하저장영역의 일측에 형성되며 상기 제1 도전형을 갖고 상기 깊은 웰 영역과 연결되는 격리 영역과, 상기 전하저장영역에 인접하도록 상기 기판 상에 형성되는 전송 게이트와, 상기 전송 게이트에 인접하도록 형성되며 상기 제2 도전형을 갖는 플로팅 확산 영역을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 전하저장영역은 정공들을 수집하기 위한 P형 불순물 영역이고, 상기 격리 영역은 고농도 N형 불순물 영역일 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 이미지 센서는, 상기 격리 영역 상에 형성된 절연막과, 상기 절연막 상에 형성되며 상기 격리 영역 내에 전자들을 수집하기 위한 전계를 형성하는 전극을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 깊은 웰 영역에는 제1 전압이 인가되며, 상기 전극에는 상기 제1 전압과 같거나 상기 제1 전압보다 높은 제2 전압이 인가될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 이미지 센서는, 상기 전하저장영역에 인접하게 형성되며 상기 제1 도전형을 갖는 제2 웰 영역을 더 포함할 수 있으며, 상기 전송 게이트와 상기 플로팅 확산 영역은 상기 제2 웰 영역 상에 형성될 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 이미지 센서의 격리 구조물은 기판 내에 형성되는 깊은 웰 영역과 광전하를 수집하기 위한 전하저장영역들 사이에 형성되는 격리 영역을 포함할 수 있다. 상기 전하저장영역들이 제2 도전형을 갖는 경우 상기 깊은 웰 영역과 상기 격리 영역은 제1 도전형을 가질 수 있다. 상기 격리 영역은 이온 주입 공정에 의해 형성된 이온 주입 영역일 수 있으며, 상기 격리 영역 상에는 상기 격리 영역 내부로 제2 광전하를 수집하기 위한 전계를 형성하는 전극이 형성될 수 있다.
따라서, 종래의 얕은 트렌치 소자 분리 영역에 비하여 상기 격리 영역의 폭을 충분히 감소시킬 수 있으며, 아울러 상기 전하저장영역들의 면적을 충분히 증가시킬 수 있다. 결과적으로, 상기 이미지 센서의 다이나믹 레인지 및 감도가 충분히 향상될 수 있다.
또한, 상기 격리 영역이 종래의 얕은 트렌치 소자 분리 영역에 비하여 충분히 깊게 형성될 수 있고, 상기 깊은 웰 영역에 연결될 수 있으므로, 상기 전하저장영역으로부터 누설 전류가 감소될 수 있으며, 아울러 상기 이미지 센서의 크로스 토크가 충분히 감소될 수 있다.
추가적으로, 종래의 얕은 트렌치 소자 분리 영역을 사용하지 않으므로, 상기 얕은 트렌치 소자 분리 영역의 계면들에 존재하는 트랩 사이트들에 기인하는 암전류가 충분히 제거될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 격리 구조물 및 이를 포함하는 이미지 센서를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 이미지 센서를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 전송 게이트와 플로팅 확산 영역을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 4는 도 1 및 도 2에 도시된 이미지 센서에 연결된 전원 공급부를 설명하기 위한 블록도이다.
도 5 내지 도 7은 도 1에 도시된 이미지 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도들이다.
이하, 본 발명의 실시예들은 첨부 도면들을 참조하여 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.
본 발명의 실시예들에서 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들이 이들 사이에 개재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결되는 것으로 설명되는 경우 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.
본 발명의 실시예들에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.
본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차를 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 요소들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 요소들의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 격리 구조물 및 이를 포함하는 이미지 센서를 설명하기 위한 개략적인 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 이미지 센서를 설명하기 위한 개략적인 평면도이며, 도 3은 도 2에 도시된 전송 게이트와 플로팅 확산 영역을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 이미지 센서(100)는 입사된 광에 의해 형성된 광전하를 수집하기 위한 포토 다이오드(110)를 포함할 수 있다. 상기 포토 다이오드(110)에 저장된 광전하는 전송 게이트(150)의 동작에 의해 플로팅 확산 영역(160)으로 이동될 수 있으며, 상기 플로팅 확산 영역(160)은 소스 팔로워 트랜지스터(170)의 게이트와 연결될 수 있다. 또한, 상기 이미지 센서(100)는 상기 플로팅 확산 영역(160)을 기 설정된 전압 레벨로 리셋하기 위한 리셋 트랜지스터(180)와 상기 소스 팔로워 트랜지스터(170)와 연결된 선택 트랜지스터(190)를 포함할 수 있다.
상기 이미지 센서(100)는 기판(102) 내에 형성되는 전하저장영역들(112)을 포함할 수 있으며, 상기 전하저장영역들(112)은 포토 다이오드들(110)로서 기능할 수 있다. 상기 전하저장영역들(112)은 격리 구조물(120)에 의해 서로 격리될 수 있다.
상기 격리 구조물(120)은 상기 기판(102) 내에 형성되는 깊은 웰 영역(deep well region; 122)과 상기 전하저장영역들(112) 사이에 형성된 격리 영역(124)을 포함할 수 있다. 상기 깊은 웰 영역(122)과 상기 격리 영역(124)은 제1 도전형을 가질 수 있으며, 상기 전하저장영역(112)은 제2 도전형을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 깊은 웰 영역(122)은 깊은 N형 웰 영역(deep N-type well; DNW)일 수 있으며, 상기 격리 영역(124)은 상기 깊은 웰 영역(122)보다 높은 불순물 농도를 갖는 고농도 N형 불순물 영역일 수 있다. 또한, 상기 전하저장영역들(112)은 P형 불순물 영역일 수 있다. 특히, 도시된 바와 같이 상기 격리 영역(124)은 상기 깊은 웰 영역(122) 상에 형성될 수 있으며, 상기 깊은 웰 영역(122)과 연결될 수 있다.
특히, 상기 격리 영역(124)은 이온 주입 공정에 의해 형성된 이온 주입 영역일 수 있으며, 이에 따라 종래의 얕은 트렌치 소자 분리 영역(shallow trench isolation region)에 비하여 충분히 작은 폭을 가질 수 있다. 결과적으로, 상기 전하저장영역들(112)의 면적이 증가될 수 있으며, 이에 따라 상기 이미지 센서(100)의 다이나믹 레인지 및 감도가 충분히 향상될 수 있다. 또한, 종래의 얕은 트렌치 소자 분리 영역을 사용하지 않으므로, 상기 얕은 트렌치 소자 분리 영역의 계면들에 존재하는 트랩 사이트들에 기인하는 암전류가 충분히 제거될 수 있다.
상기 전하저장영역들(112) 상에는 제1 도전형을 갖는 피닝층들(114)이 각각 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 전하저장영역들(112) 상에는 상기 피닝층들(114)로서 기능하는 고농도 N형 불순물 영역들이 형성될 수 있으며, 상기 피닝층들(114)은 상기 격리 영역(124)과 동일한 불순물 농도를 가질 수 있다. 또한, 상기 피닝층들(114)은 상기 격리 영역(124)의 상부에 연결될 수 있다.
상기 기판(102)은 제2 도전형을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 기판(102)으로는 P형 기판이 사용될 수 있다. 또한, 상기 기판(102)은 상기 제2 도전형을 갖는 에피택시얼 층(104)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 기판(102)은 P형 에피택시얼 층(104)을 포함할 수 있으며, 이 경우 상기 깊은 웰 영역(122)과 상기 격리 영역(124)은 상기 에피택시얼 층(104) 내에 형성될 수 있다.
상기 전하저장영역들(112)과 상기 깊은 웰 영역(122) 사이에는 상기 전하저장영역들(112)보다 낮은 불순물 농도를 갖는 제2 도전형의 저농도 불순물 영역들(116)이 배치될 수 있다. 상기 저농도 불순물 영역들(116)은 이온 주입되지 않은 영역들일 수 있다. 즉, 상기 저농도 불순물 영역들(116)은 상기 P형 에피택시얼 층(104)의 일부 영역들일 수 있다.
상기 이미지 센서(100)는 상기 전하저장영역(112)과 인접하게 형성되며 상기 제1 도전형을 갖는 제2 웰 영역(106)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 웰 영역(106)은 N형 웰(N-type well; NW) 영역일 수 있으며, 이온 주입 공정을 통해 형성될 수 있다. 상기 제2 웰 영역(106)은 상기 격리 영역(124)보다 낮은 불순물 농도를 가질 수 있다. 또한, 상기 제2 웰 영역(106)은 상기 깊은 웰 영역(122)보다 낮은 불순물 농도를 가질 수 있다.
상기 전송 게이트(150)와 상기 플로팅 확산 영역(160)은 상기 제2 웰 영역(106) 상에 형성될 수 있다. 상기 전송 게이트(150)와 상기 제2 웰 영역(106) 사이에는 게이트 절연막(152)이 배치될 수 있으며, 상기 전송 게이트(150)의 측면들 상에는 스페이서(154)가 형성될 수 있다.
또한, 상기 리셋 트랜지스터(180)와 상기 소스 팔로워 트랜지스터(170) 및 상기 선택 트랜지스터(190)가 상기 제2 웰 영역(106) 상에 형성될 수 있다. 상기 플로팅 확산 영역(160) 및 상기 소스 팔로워 트랜지스터(170)와 상기 선택 트랜지스터(190)의 소스/드레인 영역들은 고농도 P형 불순물 영역들일 수 있다. 상기 리셋 트렌지스터와 상기 소스 팔로워 트랜지스터는 소스/드레인 영역을 공유할 수 있으며, 상기 공유된 소스/드레인 영역에는 공급 전압(Vdd)을 제공하는 전원 공급부(140; 도 4 참조)가 연결될 수 있다.
한편, 입사광에 의해 상기 기판(102) 내에서 생성된 광전하, 예를 들면, 정공들은 내부 전위에 의해 상기 전하저장영역(112)에 수집될 수 있으며, 제2 광전하, 예를 들면, 전자들은 상기 깊은 웰 영역(122) 및 상기 격리 영역(124)으로 수집될 수 있다. 이때, 상기 깊은 웰 영역(122)에는 상기 전자들을 각각의 픽셀들로부터 제거하기 위하여 제1 전압, 예를 들면, 약 3.3 V 정도의 공급 전압(Vdd)이 인가될 수 있다. 예를 들면, 상기 깊은 웰 영역(122)은 상기 공급 전압을 제공하는 전원 공급부(140)와 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 격리 영역(122) 상에는 상기 제2 광전하 즉 상기 전자들을 수집하기 위하여 상기 격리 영역(122) 내에 전계를 형성하는 전극(130)이 배치될 수 있다. 상기 격리 영역(122)과 상기 전극(130) 사이에는 절연막(132), 예를 들면, 실리콘 산화막이 형성될 수 있으며, 상기 전극의 측면들에는 스페이서(134)가 형성될 수 있다. 특히, 상기 전극(130)에는 상기 공급 전압(Vdd)과 같거나 상기 공급 전압(Vdd)보다 높은 제2 전압이 인가될 수 있다.
도 4는 도 1 및 도 2에 도시된 이미지 센서에 연결된 전원 공급부를 설명하기 위한 블록도이다.
도 4를 참조하면, 상기 이미지 센서(100)는 상기 전원 공급부(140)와 연결된 복수의 전하 펌프들을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 이미지 센서(100)는 전송 게이트(150)와 연결된 전송 게이트 펌프(156), 리셋 게이트(182)와 연결된 리셋 게이트 펌프(184) 및 선택 게이트(192)와 연결된 선택 게이트 펌프(194)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 이미지 센서(100)는 상기 전극(130)과 연결된 제4 전하 펌프(136)를 포함할 수 있으며, 상기 제4 전하 펌프(136)는 상기 공급 전압(Vdd)보다 높은 제2 전압, 예를 들면, 약 4 V 정도의 제2 전압을 상기 전극(130)에 인가할 수 있다.
상기와 다르게, 상기 전하저장영역(112)이 제1 도전형을 갖고, 상기 깊은 웰 영역(122)과 상기 격리 영역(124)이 제2 도전형을 갖는 경우, 즉 N형 포토 다이오드와 P형 격리 영역 및 깊은 P형 웰 영역이 사용되는 경우, 상기 N형 포토 다이오드에는 전자들이 수집될 수 있으며, 상기 P형 격리 영역과 상기 깊은 P형 웰 영역에는 정공들이 수집될 수 있다. 특히, 상기 깊은 P형 웰 영역에는 약 -1 V 정도의 제1 전압이 인가될 수 있으며, 상기 전극(130)에는 상기 제1 전압과 같거나 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압, 예를 들면, 약 -2 V 정도의 제2 전압이 인가될 수 있다.
상기와 같이 N형 포토 다이오드가 사용되는 경우 상기 깊은 P형 웰 영역에는 상기 제1 전압을 인가하기 위한 제1 네거티브(negative) 전하 펌프가 연결될 수 있으며, 상기 전극(130)에는 상기 제2 전압을 인가하기 위한 제2 네거티브 전하 펌프가 연결될 수 있다.
상술한 바와 같이 상기 전극(130)에 상기 제2 광전하를 수집하기 위한 제2 전압이 인가될 수 있으므로, 상기 이미지 센서(100)의 광전 변환 효율이 크게 향상될 수 있으며, 이에 따라 상기 이미지 센서(100)의 다이나믹 레인지와 감도가 충분히 향상될 수 있다.
한편, 상기 격리 영역(124)과 상기 전극(130)은 도 2에 도시된 바와 같이 상기 전송 게이트(150)와 인접하는 상기 포토 다이오드(110)의 일측면을 제외한 나머지 측면들을 감싸도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 격리 영역(124)이 종래의 얕은 트렌치 소자 분리 영역에 비하여 충분히 깊게 형성될 수 있고, 상기 깊은 웰 영역(122)에 연결될 수 있으므로, 상기 포토 다이오드(110)로부터의 누설 전류가 감소될 수 있으며, 아울러 상기 이미지 센서(100)의 크로스 토크가 충분히 감소될 수 있다.
도 5 내지 도 7은 도 1에 도시된 이미지 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도들이다.
도 5를 참조하면, 제2 도전형 기판(102) 내에 제1 도전형을 갖는 깊은 웰 영역(122)을 형성한다. 예를 들면, 상기 깊은 웰 영역(122)은 N형 불순물 영역일 수 있으며 이온 주입 공정을 통해 형성될 수 있다. 상기 기판(102)으로는 P형 기판이 사용될 수 있으며 P형 에피택시얼 층(104)을 포함할 수 있다. 상기 기판(102)이 P형 에피택시얼 층(104)을 포함하는 경우 상기 깊은 웰 영역(122)은 상기 P형 에피택시얼 층(104) 내에 형성될 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 기판(102) 내에 상기 제1 도전형을 갖는 격리 영역(124)이 형성될 수 있다. 상기 격리 영역(124)은 고농도 N형 불순물 영역일 수 있으며 이온 주입 공정을 통해 형성될 수 있다. 상기 격리 영역(124)은 상기 기판(102)의 표면 즉 상기 P형 에피택시얼 층(104)의 상부면으로부터 상기 깊은 웰 영역(122)의 상부면까지 연장할 수 있다. 즉, 상기 격리 영역(124)은 도시된 바와 같이 상기 깊은 웰 영역(122)과 연결될 수 있다.
상기 격리 영역(124)을 형성한 후 도 3에 도시된 바와 같은 제2 웰 영역(106)을 형성할 수 있다. 상기 제2 웰 영역(106)은 N형 불순물 영역일 수 있으며 이온 주입 공정을 통해 형성될 수 있다.
상기 제2 웰 영역(106)을 형성한 후, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 상기 기판(102) 상에 전송 게이트(150), 리셋 게이트(182), 소스 팔로워 게이트(미도시), 선택 게이트(192) 및 전극(130)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 전송 게이트(150), 리셋 게이트(182), 소스 팔로워 게이트 및 선택 게이트(192)는 P형 불순물로 도핑된 폴리 실리콘으로 이루어질 수 있으며, 상기 전극(130)은 N형 불순물로 도핑된 폴리실리콘으로 이루어질 수 있다.
상기 기판(102) 상에는 게이트 절연막들이 형성될 수 있으며, 상기 전송 게이트(150), 리셋 게이트(182), 소스 팔로워 게이트 및 선택 게이트(192)는 상기 게이트 절연막들 상에 각각 형성될 수 있다. 또한, 상기 기판(102) 상에는 절연막(132)이 형성될 수 있으며, 상기 절연막(132) 상에 상기 전극(130)이 형성될 수 있다. 상기 게이트 절연막들 및 상기 절연막(132)은 실리콘 산화물로 이루어질 수 있다.
예를 들면, 상기 기판(102) 상에 실리콘 산화막을 형성하고, 상기 실리콘 산화막 상에 폴리실리콘 막을 형성할 수 있다. 이어서, 상기 전송 게이트(150), 리셋 게이트(182), 소스 팔로워 게이트 및 상기 선택 게이트(192)가 형성될 영역들을 상기 P형 불순물로 도핑하고, 상기 전극(130)이 형성될 영역을 상기 N형 불순물로 도핑할 수 있다. 상기 전송 게이트(150), 리셋 게이트(182), 소스 팔로워 게이트, 선택 게이트(192), 전극(130), 게이트 절연막들 및 상기 절연막(132)은 상기 폴리실리콘 막과 상기 실리콘 산화막을 패터닝함으로써 획득될 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 격리 영역들(124) 사이에 전하저장영역들(112)을 형성할 수 있다. 상기 전하저장영역들(112)은 P형 불순물 영역들일 수 있으며 이온 주입 공정에 의해 형성될 수 있다. 이어서, 상기 전하저장영역들(112) 상에 피닝층들(114)이 각각 형성될 수 있다. 상기 피닝층들(114)은 고농도 N형 불순물 영역들일 수 있으며, 이온 주입 공정에 의해 형성될 수 있다.
이어서, 도 3에 도시된 바와 같이 플로팅 확산 영역(160)을 형성할 수 있다. 상기 플로팅 확산 영역(160)은 고농도 P형 불순물 영역일 수 있으며 이온 주입 공정에 의해 형성될 수 있다. 특히, 상기 플로팅 확산 영역(160)은 상기 소스 팔로워 트랜지스터(170)와 상기 선택 트랜지스터(190)의 소스/드레인 영역들과 동시에 형성될 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 이미지 센서(100)의 격리 구조물(120)은 기판 내에 형성되는 깊은 웰 영역(122)과 광전하를 수집하기 위한 전하저장영역들(112) 사이에 형성되는 격리 영역(124)을 포함할 수 있다. 상기 전하저장영역들(112)이 제2 도전형을 갖는 경우 상기 깊은 웰 영역(122)과 상기 격리 영역(124)은 제1 도전형을 가질 수 있다. 상기 격리 영역(124)은 이온 주입 공정에 의해 형성된 이온 주입 영역일 수 있으며, 상기 격리 영역(124) 상에는 상기 격리 영역(124) 내부에 제2 광전하를 수집하기 위한 전계를 형성하는 전극(130)이 형성될 수 있다.
따라서, 종래의 얕은 트렌치 소자 분리 영역에 비하여 상기 격리 영역(124)의 폭을 충분히 감소시킬 수 있으며, 아울러 상기 전하저장영역들(112)의 면적을 충분히 증가시킬 수 있다. 결과적으로, 상기 이미지 센서(100)의 다이나믹 레인지 및 감도가 충분히 향상될 수 있다.
또한, 상기 격리 영역(124)이 종래의 얕은 트렌치 소자 분리 영역에 비하여 충분히 깊게 형성될 수 있고, 상기 깊은 웰 영역(122)에 연결될 수 있으므로, 상기 전하저장영역들(112)로부터 누설 전류가 감소될 수 있으며, 아울러 상기 이미지 센서(100)의 크로스 토크가 충분히 감소될 수 있다.
추가적으로, 종래의 얕은 트렌치 소자 분리 영역을 사용하지 않으므로, 상기 얕은 트렌치 소자 분리 영역의 계면들에 존재하는 트랩 사이트들에 기인하는 암전류가 충분히 제거될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100 : 이미지 센서 102 : 기판
104 : 에피택시얼 층 106 : 제2 웰 영역
110 : 포토 다이오드 112 : 전하저장영역
114 : 피닝층 116 : 저농도 불순물 영역
120 : 격리 구조물 122 : 깊은 웰 영역
124 : 격리 영역 130 : 전극
132 : 절연막 134 : 스페이서
136 : 제4 게이트 펌프 140 : 전원 공급부
150 : 전송 게이트 160 : 플로팅 확산 영역
170 : 소스 팔로워 트랜지스터 180 : 리셋 트랜지스터
190 : 선택 트랜지스터

Claims (20)

  1. 제1 도전형을 갖고 제2 도전형 기판 내에 형성되는 깊은 웰 영역;
    광전하를 수집하기 위한 전하저장영역들 사이를 서로 격리시키기 위하여 상기 전하저장영역들 사이에 형성되는 격리 영역;
    상기 격리 영역 상에 형성된 절연막; 및
    상기 절연막 상에 형성되며 상기 격리 영역 내에 제2 광전하를 수집하기 위한 전계를 형성하는 전극을 포함하되,
    상기 전하저장영역들은 상기 깊은 웰 영역 상에 형성되며 상기 제2 도전형을 갖고, 상기 격리 영역은 상기 깊은 웰 영역과 연결되며 상기 제1 도전형을 갖는 것을 특징으로 하는 격리 구조물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 격리 영역은 상기 깊은 웰 영역보다 높은 불순물 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 격리 구조물.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 깊은 웰 영역에는 제1 전압이 인가되며, 상기 전극에는 상기 제1 전압과 같거나 상기 제1 전압보다 높은 제2 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 격리 구조물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 깊은 웰 영역에는 제1 전압이 인가되며, 상기 전극에는 상기 제1 전압과 같거나 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 격리 구조물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 격리 영역은 이온 주입 공정에 의해 형성된 이온 주입 영역인 것을 특징으로 하는 격리 구조물.
  7. 제1 도전형을 갖고 제2 도전형 기판 내에 형성되는 깊은 웰 영역;
    상기 깊은 웰 영역 상에 형성되며 상기 제2 도전형을 갖고 광전하를 수집하기 위한 전하저장영역들;
    상기 전하저장영역들 사이를 서로 격리시키기 위하여 상기 전하저장영역들 사이에 형성되며 상기 제1 도전형을 갖고 상기 깊은 웰 영역과 연결되는 격리 영역;
    상기 격리 영역 상에 형성된 절연막; 및
    상기 절연막 상에 형성되며 상기 격리 영역 내에 제2 광전하를 수집하기 위한 전계를 형성하는 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  8. 제7항에 있어서, 상기 전하저장영역들 상에 각각 형성되며 상기 제1 도전형을 갖는 피닝층들을 더 포함하며 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  9. 제8항에 있어서, 상기 격리 영역과 상기 피닝층들은 동일한 불순물 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  10. 제7항에 있어서, 상기 격리 영역은 상기 깊은 웰 영역보다 높은 불순물 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  11. 삭제
  12. 제7항에 있어서, 상기 깊은 웰 영역에는 제1 전압이 인가되며, 상기 전극에는 상기 제1 전압과 같거나 상기 제1 전압보다 높은 제2 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  13. 제7항에 있어서, 상기 깊은 웰 영역에는 제1 전압이 인가되며, 상기 전극에는 상기 제1 전압과 같거나 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  14. 제7항에 있어서, 상기 기판은 에피택시얼 층을 포함하며, 상기 깊은 웰 영역과 상기 격리 영역은 상기 에피택시얼 층 내에 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  15. 제7항에 있어서, 상기 전하저장영역들과 상기 깊은 웰 영역 사이에는 상기 전하저장영역들보다 낮은 불순물 농도를 갖는 제2 도전형의 저농도 불순물 영역들이 배치되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  16. 제1 도전형을 갖고 제2 도전형 기판 내에 형성되는 깊은 웰 영역;
    상기 깊은 웰 영역 상에 형성되며 상기 제2 도전형을 갖고 광전하를 수집하기 위한 전하저장영역;
    상기 전하저장영역을 인접하는 전하저장영역으로부터 격리시키기 위하여 상기 전하저장영역의 일측에 형성되며 상기 제1 도전형을 갖고 상기 깊은 웰 영역과 연결되는 격리 영역;
    상기 격리 영역 상에 형성된 절연막;
    상기 절연막 상에 형성되며 상기 격리 영역 내에 전자들을 수집하기 위한 전계를 형성하는 전극;
    상기 전하저장영역에 인접하도록 상기 기판 상에 형성되는 전송 게이트; 및
    상기 전송 게이트에 인접하도록 형성되며 상기 제2 도전형을 갖는 플로팅 확산 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  17. 제16항에 있어서, 상기 전하저장영역은 정공들을 수집하기 위한 P형 불순물 영역이고, 상기 격리 영역은 고농도 N형 불순물 영역인 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  18. 삭제
  19. 제16항에 있어서, 상기 깊은 웰 영역에는 제1 전압이 인가되며, 상기 전극에는 상기 제1 전압과 같거나 상기 제1 전압보다 높은 제2 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  20. 제16항에 있어서, 상기 전하저장영역에 인접하게 형성되며 상기 제1 도전형을 갖는 제2 웰 영역을 더 포함하며,
    상기 전송 게이트와 상기 플로팅 확산 영역은 상기 제2 웰 영역 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007207891A (ja) 2006-01-31 2007-08-16 Sony Corp 固体撮像装置、及び固体撮像装置の製造方法
JP2008103566A (ja) * 2006-10-19 2008-05-01 Toshiba Corp 固体撮像装置
JP2012038981A (ja) 2010-08-09 2012-02-23 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法、並びに電子機器

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6818930B2 (en) 2002-11-12 2004-11-16 Micron Technology, Inc. Gated isolation structure for imagers
JP2006506813A (ja) 2002-11-12 2006-02-23 マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド Ｃｍｏｓイメージセンサにおける暗電流を減少させる接地ゲート及び分離技術
US6888214B2 (en) 2002-11-12 2005-05-03 Micron Technology, Inc. Isolation techniques for reducing dark current in CMOS image sensors
US7709777B2 (en) * 2003-06-16 2010-05-04 Micron Technology, Inc. Pumps for CMOS imagers
KR20080044440A (ko) * 2006-11-16 2008-05-21 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 제조 방법
JP2010192483A (ja) * 2009-02-16 2010-09-02 Panasonic Corp 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法
JP5651982B2 (ja) * 2010-03-31 2015-01-14 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び電子機器
JP5682150B2 (ja) * 2010-06-14 2015-03-11 ソニー株式会社 固体撮像素子及びその製造方法、撮像装置
JP2012199489A (ja) * 2011-03-23 2012-10-18 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び電子機器
JP2014192348A (ja) * 2013-03-27 2014-10-06 Sony Corp 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器
KR20160012459A (ko) 2014-07-24 2016-02-03 주식회사 동부하이텍 반도체 소자 및 그 제조 방법
JP6448289B2 (ja) * 2014-10-07 2019-01-09 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007207891A (ja) 2006-01-31 2007-08-16 Sony Corp 固体撮像装置、及び固体撮像装置の製造方法
JP2008103566A (ja) * 2006-10-19 2008-05-01 Toshiba Corp 固体撮像装置
JP2012038981A (ja) 2010-08-09 2012-02-23 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法、並びに電子機器

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