JP6282843B2

JP6282843B2 - Crystal device

Info

Publication number: JP6282843B2
Application number: JP2013226440A
Authority: JP
Inventors: 中澤　利夫; 利夫中澤
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2013-10-31
Filing date: 2013-10-31
Publication date: 2018-02-21
Anticipated expiration: 2033-10-31
Also published as: JP2015088953A

Description

本発明は、例えば電子機器等に用いられる水晶デバイスに関するものである。 The present invention relates to a crystal device used in, for example, an electronic apparatus.

水晶振動子は、水晶素子の圧電効果を利用して、特定の周波数を発生させるものである。基板と、基板の下面の外周縁に沿って設けられた枠体と、基板の上面に設けられた電極パッドに実装された水晶素子と、基板の下面に設けられた感温素子と、を備えた水晶振動子が提案されている（例えば、下記特許文献１参照）。 The crystal resonator generates a specific frequency by using the piezoelectric effect of the crystal element. A substrate, a frame provided along the outer peripheral edge of the lower surface of the substrate, a crystal element mounted on an electrode pad provided on the upper surface of the substrate, and a temperature sensitive element provided on the lower surface of the substrate. A crystal resonator has been proposed (see, for example, Patent Document 1 below).

２０１１−２１１３４０号公報2011-212340

上述した水晶デバイスは、基板の下面に枠体を設け、枠体内に感温素子を実装している。また、基板の外部端子と接続するため、圧電素子及び感温素子と電気的に接続する配線が基板の内部及び表面に形成されている。そのため、基板の薄型化が困難であると共に、感温素子を実装する空間を形成するために枠体を削除することができないため、これ以上水晶デバイスを薄型化するのが困難であった。 In the crystal device described above, a frame is provided on the lower surface of the substrate, and a temperature sensitive element is mounted in the frame. In addition, in order to connect to an external terminal of the substrate, wirings electrically connected to the piezoelectric element and the temperature sensitive element are formed inside and on the surface of the substrate. For this reason, it is difficult to reduce the thickness of the substrate, and it is difficult to reduce the thickness of the crystal device because the frame cannot be removed to form a space for mounting the temperature sensitive element.

本発明は前記課題に鑑みてなされたものであり、感温素子を実装すると共に、薄型化が可能な水晶デバイスを提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a quartz crystal device that can be made thin while mounting a temperature sensitive element.

本発明の一つの態様による水晶振動子は、基板と、基板の上面に設けられた電極パッドと、基板の下面に設けられた外部端子と、基板の上下方向に貫通するように設けられた貫通孔と、貫通孔内の向かい合う面に設けられた接続パッドと、接続パッドに導電性接合材を介して実装された感温素子と、貫通孔の上開口部を塞ぐように設けられ、導電性接合部材よりも融点が高い保護部材と、電極パッドに実装された水晶素子と、水晶素子を気密封止するために、基板の上面に設けられた封止蓋体と、基板の上面と封止蓋体の下面との間に設けられた接合部材と、を備えていることを特徴とするものである。 A crystal resonator according to one aspect of the present invention includes a substrate, an electrode pad provided on the upper surface of the substrate, an external terminal provided on the lower surface of the substrate, and a through hole provided so as to penetrate in the vertical direction of the substrate. A hole, a connection pad provided on the opposite surface in the through-hole, a temperature sensing element mounted on the connection pad via a conductive bonding material, and a conductive material provided to close the upper opening of the through-hole . A protective member having a melting point higher than that of the bonding member, a crystal element mounted on the electrode pad, a sealing lid provided on the upper surface of the substrate for hermetically sealing the crystal element, and sealing the upper surface of the substrate And a joining member provided between the lower surface of the lid.

本発明の一つの態様による水晶振動子は、基板の上下方向に貫通するように設けられた貫通孔と、貫通孔内の向かい合う面に設けられた接続パッドと、接続パッドに導電性接合材を介して実装された感温素子と、貫通孔の上開口部を塞ぐように設けられ、導電性接合部材よりも融点が高い保護部材と、を備えていることを特徴とするものである。このようにすることによって、感温素子を実装するためのスペースは貫通孔内に確保されることになり、従来の水晶振動子と比して枠体を削除することができるので、水晶振動子は、枠体の厚み分の薄型化をすることが可能となる。 A crystal resonator according to one aspect of the present invention includes a through hole provided so as to penetrate in the vertical direction of a substrate, a connection pad provided on a face facing the inside of the through hole, and a conductive bonding material for the connection pad. and the temperature sensitive device mounted over, provided so as to close the upper opening of the through hole, and is characterized in that the melting point than the conductive joining member is provided with a high protection member. By doing so, a space for mounting the temperature sensing element would be secured in the through hole, it is possible to remove the frame compared to the conventional crystal oscillator, crystal oscillator Can be made thinner by the thickness of the frame.

本実施形態における水晶デバイスを示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the crystal device in this embodiment. 図１に示された水晶デバイスのＡ−Ａにおける断面図である。It is sectional drawing in AA of the quartz crystal device shown by FIG. （ａ）本実施形態における水晶デバイスを構成する基板を上面から見た平面図であり、（ｂ）本実施形態における水晶デバイスを構成する基板を下面から見た平面図である。(A) It is the top view which looked at the board | substrate which comprises the crystal device in this embodiment from the upper surface, (b) The top view which looked at the board | substrate which comprises the crystal device in this embodiment from the lower surface. （ａ）本実施形態の第一変形例における水晶デバイスを構成する基板を上面から見た平面図であり、（ｂ）本実施形態の第一変形例における水晶デバイスを構成する基板を下面から見た平面図である。(A) It is the top view which looked at the board | substrate which comprises the crystal device in the 1st modification of this embodiment from the upper surface, (b) The board | substrate which comprises the crystal device in the 1st modification of this embodiment is seen from a lower surface. FIG. （ａ）本実施形態の第二変形例における水晶デバイスを構成する水晶素子を実装した状態を示す平面図であり、（ｂ）本実施形態の第二変形例における水晶デバイスを構成する基板を下面から見た平面図である。(A) It is a top view which shows the state which mounted the crystal element which comprises the crystal device in the 2nd modification of this embodiment, (b) The board | substrate which comprises the crystal device in the 2nd modification of this embodiment is a bottom surface It is the top view seen from. （ａ）本実施形態の第三変形例における水晶デバイスを構成する水晶素子を実装した状態を示す平面図であり、（ｂ）本実施形態の第二変形例における水晶デバイスを構成する基板を下面から見た平面図である。(A) It is a top view which shows the state which mounted the crystal | crystallization element which comprises the crystal device in the 3rd modification of this embodiment, (b) The bottom surface which comprises the crystal device in the 2nd modification of this embodiment It is the top view seen from. （ａ）本実施形態の第四変形例における水晶デバイスを構成する基板を上面から見た平面図であり、（ｂ）本実施形態の第四変形例における水晶デバイスを構成する基板を下面から見た平面図である。(A) It is the top view which looked at the board | substrate which comprises the crystal device in the 4th modification of this embodiment from the upper surface, (b) The board | substrate which comprises the crystal device in the 4th modification of this embodiment is seen from a lower surface. FIG. （ａ）本実施形態の第五変形例における水晶デバイスを構成する基板を上面から見た平面図であり、（ｂ）本実施形態の第五変形例における水晶デバイスを構成する基板を下面から見た平面図である。(A) It is the top view which looked at the board | substrate which comprises the quartz device in the 5th modification of this embodiment from the upper surface, (b) The board | substrate which comprises the quartz device in the 5th modification of this embodiment is seen from a lower surface. FIG.

本実施形態における水晶デバイスは、図１及び図２に示されているように、基板１１０と、基板１１０の上面に接合された水晶素子１２０と、水晶素子１２０を気密封止するための封止蓋体１３０と、基板１１０の貫通孔Ｈ内に実装された感温素子１６０とを含んでいる。このような水晶デバイスは、電子機器等で使用する基準信号を出力するのに用いられる。 As shown in FIGS. 1 and 2, the crystal device according to the present embodiment includes a substrate 110, a crystal element 120 bonded to the upper surface of the substrate 110, and a seal for hermetically sealing the crystal element 120. A lid 130 and a temperature sensitive element 160 mounted in the through hole H of the substrate 110 are included. Such a crystal device is used to output a reference signal used in an electronic device or the like.

基板１１０は、矩形状であり、上面で実装された水晶素子１２０を、貫通孔Ｈ内部で感温素子１６０を実装するための実装部材として機能するものである。基板１１０の一辺に沿って、水晶素子１２０を接合するための第一電極パッド１１１ａ及び第二電極パッド１１１ｂが設けられている。基板１１０の一辺と対向する一辺に沿って第三電極パッド１１１ｃが設けられている。基板１１０の下面の四隅には、外部端子１１２が設けられている。また、四つの外部端子１１２の内の二つが、水晶素子１２０と電気的に接続されて、水晶素子１２０の入出力端子として用いられる。 The substrate 110 has a rectangular shape and functions as a mounting member for mounting the temperature-sensitive element 160 inside the through-hole H using the crystal element 120 mounted on the upper surface. A first electrode pad 111 a and a second electrode pad 111 b for bonding the crystal element 120 are provided along one side of the substrate 110. A third electrode pad 111 c is provided along one side facing one side of the substrate 110. External terminals 112 are provided at the four corners of the lower surface of the substrate 110. Two of the four external terminals 112 are electrically connected to the crystal element 120 and used as input / output terminals of the crystal element 120.

基板１１０の中央付近で、基板１１０の上下方向に貫通した貫通孔Ｈが設けられている。貫通孔Ｈの上開口部及び下開口部は、平面視すると、矩形状になっている。貫通孔Ｈは、図１及び図２に示されているように、貫通孔Ｈ内の向かい合う面にそれぞれ一つずつ接続パッド１１６が設けられている。接続パッド１１６は、第一接続パッド１１６ａと第二接続パッド１１６ｂによって構成されている。接続パッド１１６は、図１及び図２に示されているように、内部の一つの面から基板１１０の上下面にある貫通孔Ｈの外周縁にかかるようにして設けられている。また、四つの外部端子１１２の内の残りの二つが、感温素子１６０と電気的に接続されている。 In the vicinity of the center of the substrate 110, a through hole H that penetrates in the vertical direction of the substrate 110 is provided. The upper opening and the lower opening of the through hole H are rectangular when viewed in plan. As shown in FIGS. 1 and 2, the through holes H are each provided with one connection pad 116 on each of the opposing surfaces in the through hole H. The connection pad 116 includes a first connection pad 116a and a second connection pad 116b. As shown in FIGS. 1 and 2, the connection pad 116 is provided so as to extend from one inner surface to the outer peripheral edge of the through hole H in the upper and lower surfaces of the substrate 110. The remaining two of the four external terminals 112 are electrically connected to the temperature sensing element 160.

基板１１０は、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料である絶縁層からなる。基板１１０は、絶縁層を一層用いたものであっても、絶縁層を複数層積層したものであってもよい。基板１１０の上面及び下面には、上面に設けられた電極パッド１１１と下面の外部端子１１２とを電気的に接続するための配線パターン１１３がそれぞれ設けられている。また、基板１１０の上面には、第二電極パッド１１１ｂと第三電極パッド１１１ｃとを電気的に接続するための電極パターン１１５が設けられている。 The substrate 110 is made of an insulating layer made of a ceramic material such as alumina ceramic or glass-ceramic. The substrate 110 may be one using an insulating layer or may be a laminate of a plurality of insulating layers. Wiring patterns 113 for electrically connecting the electrode pads 111 provided on the upper surface and the external terminals 112 on the lower surface are provided on the upper surface and the lower surface of the substrate 110, respectively. In addition, an electrode pattern 115 for electrically connecting the second electrode pad 111b and the third electrode pad 111c is provided on the upper surface of the substrate 110.

基板１１０の第一電極パッド１１１ａ、第二電極パッド１１１ｂ及び第三電極パッド１１１ｃは、図１〜図３に示すように、水晶素子１２０を実装するために用いられている。また、第三電極パッド１１１ｃは、水晶素子１２０が第一電極パッド１１１ａ及び第二電極パッド１１１ｂ上に実装されている場合には、水晶素子１２０の外周縁が基板１１０と接触することを抑制するために用いられている。第一電極パッド１１１ａ及び第二電極パッド１１１ｂは、図３に示すように、基板１１０の一辺に沿って設けられており、第三電極パッド１１１ｃは、基板１１０の一辺と対向する一辺に沿って設けられている。また、第一電極パッド１１１ａと第三電極パッド１１１ｃとは、基板１１０の上面の対角の位置に設けられている。また、電極パッド１１１は、基板１１０の上面及び下面に設けられた配線パターン１１３及び基板１１０の角部に設けられた導体部１１４を介して、外部端子１１２と電気的に接続されている。外部端子１１２は、基板１１０の下面の四隅に、基板１１０の外周縁に沿って設けられている。 The first electrode pad 111a, the second electrode pad 111b, and the third electrode pad 111c of the substrate 110 are used for mounting the crystal element 120 as shown in FIGS. Further, the third electrode pad 111c prevents the outer peripheral edge of the crystal element 120 from coming into contact with the substrate 110 when the crystal element 120 is mounted on the first electrode pad 111a and the second electrode pad 111b. It is used for. As shown in FIG. 3, the first electrode pad 111 a and the second electrode pad 111 b are provided along one side of the substrate 110, and the third electrode pad 111 c is along one side facing one side of the substrate 110. Is provided. Further, the first electrode pad 111 a and the third electrode pad 111 c are provided at diagonal positions on the upper surface of the substrate 110. The electrode pad 111 is electrically connected to the external terminal 112 via a wiring pattern 113 provided on the upper and lower surfaces of the substrate 110 and a conductor portion 114 provided on a corner of the substrate 110. The external terminals 112 are provided along the outer peripheral edge of the substrate 110 at the four corners of the lower surface of the substrate 110.

電極パッド１１１は、図３に示すように、第一電極パッド１１１ａ、第二電極パッド１１１ｂ及び第三電極パッド１１１ｃによって構成されている。また、外部端子１１２は、図３（ｂ）に示すように第一外部端子１１２ａ、第二外部端子１１２ｂ、第三外部端子１１２ｃ及び第四外部端子１１２ｄによって構成されている。配線パターン１１３は、図３に示すように、第一配線パターン１１３ａ及び第二配線パターン１１３ｂによって構成され、導体部１１４は、第一導体部１１４ａ及び第二導体部１１４ｂによって構成されている。第二電極パッド１１１ｂと第二外部端子１１２ｂとは、基板１１０の上面及び下面に設けられた第一配線パターン１１３ａと、基板１１０の角部に設けられた第一導体部１１４ａにより接続されている。第三電極パッド１１１ｃと第四外部端子１１２ｄとは、基板１１０の上面及び下面に設けられた第二配線パターン１１３ｂと、基板１１０の角部に設けられた第二導体部１１４ｂにより接続されている。また、第一電極パッド１１１ａと第三電極パッド１１１ｃとは、基板１１０の上面に設けられている電極パターン１１５により電気的に接続されている。よって、第一電極パッド１１１ａは、第三電極パッド１１１ｃを介して第四外部端子１１２ｄと電気的に接続されることになる。 As shown in FIG. 3, the electrode pad 111 includes a first electrode pad 111a, a second electrode pad 111b, and a third electrode pad 111c. The external terminal 112 includes a first external terminal 112a, a second external terminal 112b, a third external terminal 112c, and a fourth external terminal 112d as shown in FIG. As shown in FIG. 3, the wiring pattern 113 is composed of a first wiring pattern 113a and a second wiring pattern 113b, and the conductor portion 114 is composed of a first conductor portion 114a and a second conductor portion 114b. The second electrode pad 111b and the second external terminal 112b are connected by a first wiring pattern 113a provided on the upper surface and the lower surface of the substrate 110 and a first conductor portion 114a provided on a corner portion of the substrate 110. . The third electrode pad 111 c and the fourth external terminal 112 d are connected by a second wiring pattern 113 b provided on the upper surface and the lower surface of the substrate 110 and a second conductor portion 114 b provided on a corner portion of the substrate 110. . The first electrode pad 111 a and the third electrode pad 111 c are electrically connected by an electrode pattern 115 provided on the upper surface of the substrate 110. Therefore, the first electrode pad 111a is electrically connected to the fourth external terminal 112d through the third electrode pad 111c.

外部端子１１２は、外部の電子機器等を構成する実装基板上に実装するために用いられている。外部端子１１２は、基板１１０の下面の四隅に設けられている。外部端子１１２の内の二つの端子は、基板１１０の上面に設けられた一対の電極パッド１１１とそれぞれ電気的に接続されている。また、電極パッド１１１と電気的に接続されている外部端子１１２は、基板１１０の下面の対角に位置するように設けられている。また、第三外部端子１１２ｃが、外部の実装基板上の基準電位であるグランド電位と接続されている実装パッドと接続されている。 The external terminal 112 is used for mounting on a mounting board constituting an external electronic device or the like. The external terminals 112 are provided at the four corners of the lower surface of the substrate 110. Two of the external terminals 112 are electrically connected to a pair of electrode pads 111 provided on the upper surface of the substrate 110, respectively. The external terminals 112 that are electrically connected to the electrode pads 111 are provided so as to be located diagonally on the lower surface of the substrate 110. The third external terminal 112c is connected to a mounting pad connected to a ground potential that is a reference potential on an external mounting substrate.

また、電極パッド１１１及び外部端子１１２は、基板１１０に沿って設けられた形状となっている。ここで基板１１０を平面視したときの長辺の寸法が、１．２〜２．５ｍｍであり、短辺の寸法が、１．０〜２．０ｍｍである場合を例にして、電極パッド１１１及び外部端子１１２の大きさを説明する。第一電極パッド１１１ａ及び第二電極パッド１１１ｂの長辺の長さは、０．２０〜０．６０ｍｍであり、短辺の長さは、０．１０〜０．５０ｍｍとなっている。第三電極パッド１１１ｃは、長辺の長さが、０．６０〜１．１０ｍｍであり、短辺の長さは、０．１０〜０．５０ｍｍとなっている。外部端子１１２の長辺の長さは、０．３０〜０．９０ｍｍであり、短辺の長さは、０．２０〜０．６０ｍｍとなっている。 Further, the electrode pad 111 and the external terminal 112 have a shape provided along the substrate 110. Here, taking the case where the long side dimension of the substrate 110 in plan view is 1.2 to 2.5 mm and the short side dimension is 1.0 to 2.0 mm, the electrode pad 111 is taken as an example. The size of the external terminal 112 will be described. The length of the long side of the first electrode pad 111a and the second electrode pad 111b is 0.20 to 0.60 mm, and the length of the short side is 0.10 to 0.50 mm. The third electrode pad 111c has a long side length of 0.60 to 1.10 mm, and a short side length of 0.10 to 0.50 mm. The long side length of the external terminal 112 is 0.30 to 0.90 mm, and the short side length is 0.20 to 0.60 mm.

配線パターン１１３は、基板１１０の上面及び下面に設けられ、電極パッド１１１及び外部端子１１２から近傍の基板１１０の角部に向けて引き出されている。第一配線パターン１１３ａの長さと第二配線パターン１１３ｂの長さは、略等しい長さとなる。ここで、略等しい長さとは、基板１１０の上面及び下面に設けられた第一配線パターン１１３ａの長さと基板１１０の上面及び下面に設けられた第二配線パターン１１３ｂの長さとの差が０〜２００μｍ異なるものを含むものとする。配線パターン１１３の長さは、各配線パターン１１３の中心を通る直線の長さを測定したものとする。 The wiring pattern 113 is provided on the upper surface and the lower surface of the substrate 110, and is drawn from the electrode pad 111 and the external terminal 112 toward the corner of the substrate 110 in the vicinity. The length of the first wiring pattern 113a and the length of the second wiring pattern 113b are substantially equal. Here, the substantially equal length means that the difference between the length of the first wiring pattern 113a provided on the upper and lower surfaces of the substrate 110 and the length of the second wiring pattern 113b provided on the upper and lower surfaces of the substrate 110 is 0 to 0. It shall include those that differ by 200 μm. As for the length of the wiring pattern 113, the length of a straight line passing through the center of each wiring pattern 113 is measured.

導体部１１４は、図３に示すように、基板１１０の角部に設けられた切れ込みの内部に設けられている。導体部１１４の両端は、配線パターン１１３と接続されている。このようにすることで、電極パッド１１１は、配線パターン１１３及び導体部１１４を介して外部端子１１２と電気的に接続されている。また、導体部１１４は、切り込み内に導体ペーストを印刷するようにして設けられているため、基板１１０の上面の外周縁と導体部１１４との境界線箇所の導体部１１４の厚みが薄くなっている。このような導体部１１４は、銀パラジウム合金により形成されており、ガラス成分も含有されている。 As shown in FIG. 3, the conductor portion 114 is provided inside a notch provided in a corner portion of the substrate 110. Both ends of the conductor portion 114 are connected to the wiring pattern 113. By doing so, the electrode pad 111 is electrically connected to the external terminal 112 via the wiring pattern 113 and the conductor portion 114. Further, since the conductor portion 114 is provided so as to print the conductor paste in the cut, the thickness of the conductor portion 114 at the boundary line between the outer peripheral edge of the upper surface of the substrate 110 and the conductor portion 114 is reduced. Yes. Such a conductor part 114 is formed of a silver-palladium alloy and also contains a glass component.

電極パターン１１５は、基板１１０の上面に設けられており、その一端で第一電極パッド１１１ａと接続されており、他端で第三電極パッド１１１ｃと電気的に接続されている。このようにすることで、第一電極パッド１１１ａは、第三電極パッド１１１ｃを介して第四外部端子１１２ｄと電気的に接続されることになる。 The electrode pattern 115 is provided on the upper surface of the substrate 110, one end of which is connected to the first electrode pad 111a, and the other end is electrically connected to the third electrode pad 111c. By doing in this way, the 1st electrode pad 111a will be electrically connected with the 4th external terminal 112d via the 3rd electrode pad 111c.

接続パッド１１６は、感温素子１６０を実装するために用いられている。また、接続パッド１１６は、図３に示すように、第一接続パッド１１６ａ及び第二接続パッド１１６ｂによって構成されている。第一接続パッド１１６ａと第一外部端子１１２ａとは、基板１１０の下面に設けられた第一接続パターン１１７ａにより接続されており、第二接続パッド１１６ｂと第三外部端子１１２ｃとは、基板１１０の下面に設けられた第二接続パターン１１７ｂにより接続されている。 The connection pad 116 is used for mounting the temperature sensitive element 160. Further, as shown in FIG. 3, the connection pad 116 includes a first connection pad 116a and a second connection pad 116b. The first connection pad 116 a and the first external terminal 112 a are connected by a first connection pattern 117 a provided on the lower surface of the substrate 110, and the second connection pad 116 b and the third external terminal 112 c are connected to the substrate 110. They are connected by a second connection pattern 117b provided on the lower surface.

接続パターン１１７は、基板１１０の下面に設けられ、接続パッド１１６からから近傍の外部端子１１２に向けて引き出されている。また、接続パターン１１７は、図３に示すように、第一接続パターン１１７ａ及び第二接続パターン１１７ｂによって構成されている。第一接続パターン１１７ａの長さと第二接続パターン１１７ｂの長さは、略等しい長さとなる。ここで、略等しい長さとは、基板１１０の上面及び下面に設けられた第一接続パターン１１７ａの長さと基板１１０の上面及び下面に設けられた第二接続パターン１１７ｂの長さとの差が０〜２００μｍ異なるものを含むものとする。接続パターン１１７の長さは、各接続パターン１１７の中心を通る直線の長さを測定したものとする。 The connection pattern 117 is provided on the lower surface of the substrate 110, and is drawn from the connection pad 116 toward the nearby external terminal 112. As shown in FIG. 3, the connection pattern 117 includes a first connection pattern 117a and a second connection pattern 117b. The length of the first connection pattern 117a and the length of the second connection pattern 117b are substantially equal. Here, the substantially equal length means that the difference between the length of the first connection pattern 117a provided on the upper and lower surfaces of the substrate 110 and the length of the second connection pattern 117b provided on the upper and lower surfaces of the substrate 110 is 0 to 0. It shall include those that differ by 200 μm. As for the length of the connection pattern 117, it is assumed that the length of a straight line passing through the center of each connection pattern 117 is measured.

ここで、基板１１０の作製方法について説明する。基板１１０がアルミナセラミックスから成る場合、まず所定のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得た複数のセラミックグリーンシートを準備する。また、セラミックグリーンシートの表面或いはセラミックグリーンシートに打ち抜き等を施して予め穿設しておいた貫通孔内に、従来周知のスクリーン印刷等によって所定の導体ペーストを塗布する。さらに、これらのグリーンシートを積層してプレス成形したものを、高温で焼成する。最後に、導体パターンの所定部位、具体的には、電極パッド１１１、外部端子１１２、配線パターン１１３、導体部１１４、電極パターン１１５、接続パッド１１６及び接続パターン１１７となる部位にニッケルメッキ又、金メッキ、銀パラジウム等を施すことにより作製される。また、導体ペーストは、例えばタングステン、モリブデン、銅、銀又は銀パラジウム等の金属粉末の焼結体等から構成されている。 Here, a method for manufacturing the substrate 110 is described. When the substrate 110 is made of alumina ceramic, first, a plurality of ceramic green sheets obtained by adding and mixing an appropriate organic solvent or the like to a predetermined ceramic material powder is prepared. In addition, a predetermined conductor paste is applied to the surface of the ceramic green sheet or a through-hole previously punched by punching the ceramic green sheet by screen printing or the like. Further, these green sheets are laminated and press-molded and fired at a high temperature. Finally, nickel plating or gold plating is applied to a predetermined portion of the conductor pattern, specifically, the electrode pad 111, the external terminal 112, the wiring pattern 113, the conductor portion 114, the electrode pattern 115, the connection pad 116, and the connection pattern 117. It is produced by applying silver palladium or the like. Moreover, the conductor paste is comprised from the sintered compact etc. of metal powders, such as tungsten, molybdenum, copper, silver, or silver palladium, for example.

水晶素子１２０は、図１及び図２に示されているように、導電性接着剤１４０を介して電極パッド１１１上に接合されている。水晶素子１２０は、安定した機械振動と圧電効果により、電子装置等の基準信号を発振する役割を果たしている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the crystal element 120 is bonded onto the electrode pad 111 via a conductive adhesive 140. The crystal element 120 plays a role of oscillating a reference signal of an electronic device or the like by stable mechanical vibration and a piezoelectric effect.

また、水晶素子１２０は、図１及び図３に示されているように、水晶素板１２１の上面及び下面のそれぞれに励振用電極１２２及び引き出し電極１２３を被着させた構造を有している。励振用電極１２２は、水晶素板１２１の上面及び下面のそれぞれに金属を所定のパターンで被着・形成したものである。励振用電極１２２は、上面に第一励振用電極１２２ａと、下面に第二励振用電極１２２ｂを備えている。引き出し電極１２３は、励振用電極１２２から水晶素板１２１の一辺に向かってそれぞれ延出されている。引き出し電極１２３は、上面に第一引き出し電極１２３ａと、下面に第二引き出し電極１２３ｂとを備えている。第一引き出し電極１２３ａは、第一励振用電極１２２ａから引き出されており、水晶素板１２１の一辺に向かって延出するように設けられている。第二引き出し電極１２３ｂは、第二励振用電極１２２ｂから引き出されており、水晶素板１２１の一辺に向かって延出するように設けられている。つまり、引き出し電極１２３は、水晶素板１２１の長辺又は短辺に沿った形状で設けられている。また、本実施形態においては、第一電極パッド１１１ａ及び第二電極パッド１１１ｂと接続されている水晶素子１２０の一端を基板１１０の上面と接続した固定端とし、他端を基板１１０の上面と間を空けた自由端とした片持ち支持構造にて水晶素子１２０が基板１１０上に固定されている。 Further, as shown in FIGS. 1 and 3, the crystal element 120 has a structure in which an excitation electrode 122 and an extraction electrode 123 are attached to the upper surface and the lower surface of the crystal base plate 121, respectively. . The excitation electrode 122 is formed by depositing and forming a metal in a predetermined pattern on each of the upper surface and the lower surface of the quartz base plate 121. The excitation electrode 122 includes a first excitation electrode 122a on the upper surface and a second excitation electrode 122b on the lower surface. The extraction electrode 123 extends from the excitation electrode 122 toward one side of the crystal base plate 121. The extraction electrode 123 includes a first extraction electrode 123a on the upper surface and a second extraction electrode 123b on the lower surface. The first extraction electrode 123 a is extracted from the first excitation electrode 122 a and is provided so as to extend toward one side of the crystal base plate 121. The second extraction electrode 123 b is extracted from the second excitation electrode 122 b and is provided so as to extend toward one side of the crystal base plate 121. That is, the extraction electrode 123 is provided in a shape along the long side or the short side of the quartz base plate 121. In the present embodiment, one end of the crystal element 120 connected to the first electrode pad 111 a and the second electrode pad 111 b is a fixed end connected to the upper surface of the substrate 110, and the other end is between the upper surface of the substrate 110. The quartz crystal element 120 is fixed on the substrate 110 by a cantilevered support structure having a free end with a gap.

ここで、水晶素子１２０の動作について説明する。水晶素子１２０は、外部からの交番電圧が引き出し電極１２３から励振用電極１２２を介して水晶素板１２１に印加されると、水晶素板１２１が所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。 Here, the operation of the crystal element 120 will be described. In the crystal element 120, when an alternating voltage from the outside is applied from the extraction electrode 123 to the crystal base plate 121 via the excitation electrode 122, the crystal base plate 121 is excited in a predetermined vibration mode and frequency. ing.

ここで、水晶素子１２０の作製方法について説明する。まず、水晶素子１２０は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し、水晶素板１２１の外周の厚みを薄くし、水晶素板１２１の外周部と比べて水晶素板１２１の中央部が厚くなるように設けるベベル加工を行う。そして、水晶素子１２０は、水晶素板１２１の両主面にフォトリソグラフィー技術、蒸着技術又はスパッタリング技術によって、金属膜を被着させることにより、励振用電極１２２、引き出し電極１２３を形成することにより作製される。 Here, a manufacturing method of the crystal element 120 will be described. First, the crystal element 120 is cut from the artificial crystalline lens at a predetermined cut angle to reduce the thickness of the outer periphery of the crystal base plate 121, and the central portion of the crystal base plate 121 is thicker than the outer peripheral portion of the crystal base plate 121. The bevel processing provided is performed. The crystal element 120 is manufactured by forming the excitation electrode 122 and the extraction electrode 123 by depositing a metal film on both main surfaces of the crystal base plate 121 by a photolithography technique, a vapor deposition technique, or a sputtering technique. Is done.

水晶素子１２０の基板１１０への接合方法について説明する。まず、導電性接着剤１４０は、例えばディスペンサによって第一電極パッド１１１ａ及び第二電極パッド１１１ｂ上に塗布される。水晶素子１２０は、導電性接着剤１４０上に搬送され、導電性接着剤１４０上に載置される。そして導電性接着剤１４０は、加熱硬化させることによって、硬化収縮される。水晶素子１２０は、電極パッド１１１に接合される。つまり、水晶素子１２０の第一引き出し電極１２３ａは、第二電極パッド１１１ｂと接合され、第二引き出し電極１２３ｂは、第一電極パッド１１１ａと接合される。これによって、第二外部端子１１２ｂと第四外部端子１１２ｄが水晶素子１２０と電気的に接続されることになる。 A method for bonding the crystal element 120 to the substrate 110 will be described. First, the conductive adhesive 140 is applied onto the first electrode pad 111a and the second electrode pad 111b by a dispenser, for example. The crystal element 120 is transported onto the conductive adhesive 140 and placed on the conductive adhesive 140. The conductive adhesive 140 is cured and contracted by being heated and cured. The crystal element 120 is bonded to the electrode pad 111. That is, the first extraction electrode 123a of the crystal element 120 is bonded to the second electrode pad 111b, and the second extraction electrode 123b is bonded to the first electrode pad 111a. As a result, the second external terminal 112b and the fourth external terminal 112d are electrically connected to the crystal element 120.

また、水晶素子１２０は、水晶素子１２０の自由端と対向する位置に第三電極パッド１１１ｃが配置されているように実装されている。このようにすることによって、水晶素子１２０の引き出し電極１２３と、電極パッド１１１とが接合している箇所を軸として傾いても、水晶素子１２０の自由端が第三電極パッド１１１ｃに接触するので、基板１１０の上面に水晶素子１２０の自由端が接触することを抑制することできる。仮に、水晶素子１２０の自由端が基板１１０に接触した状態で、落下試験を行うと、水晶素子１２０の自由端が欠けてしまう虞がある。このようにすることで、水晶素子１２０の自由端側が欠けてしまうことを抑えつつ、水晶素子１２０の発振周波数が変動することを低減することができる。 The crystal element 120 is mounted such that the third electrode pad 111c is disposed at a position facing the free end of the crystal element 120. By doing so, the free end of the crystal element 120 is in contact with the third electrode pad 111c even if it is tilted around the location where the extraction electrode 123 of the crystal element 120 and the electrode pad 111 are joined. It is possible to prevent the free end of the crystal element 120 from coming into contact with the upper surface of the substrate 110. If the drop test is performed with the free end of the crystal element 120 in contact with the substrate 110, the free end of the crystal element 120 may be lost. By doing in this way, it can reduce that the oscillation frequency of the crystal element 120 fluctuates, suppressing that the free end side of the crystal element 120 is missing.

導電性接着剤１４０は、シリコーン樹脂等のバインダーの中に導電フィラーとして導電性粉末が含有されているものであり、導電性粉末としては、アルミニウム、モリブデン、タングステン、白金、パラジウム、銀、チタン、ニッケル又はニッケル鉄のうちのいずれか、或いはこれらの組み合わせを含むものが用いられている。また、バインダーとしては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又はビスマレイミド樹脂が用いられる。 The conductive adhesive 140 contains conductive powder as a conductive filler in a binder such as silicone resin, and the conductive powder includes aluminum, molybdenum, tungsten, platinum, palladium, silver, titanium, One containing either nickel or nickel iron, or a combination thereof is used. Moreover, as a binder, a silicone resin, an epoxy resin, a polyimide resin, or a bismaleimide resin is used, for example.

感温素子１６０は、サーミスタ、白金測温抵抗体又はダイオード等が用いられている。サーミスタ素子の場合、感温素子１６０には、直方体形状であり、両端に接続端子１６１が設けられている。感温素子１６０は、温度変化によって電気抵抗が顕著な変化を示すものであり、この抵抗値の変化から電圧が変化するため、抵抗値と電圧との関係及び電圧と温度との関係により、出力された電圧から温度情報を得ることができる。感温素子１６０は、第一外部端子１１２ａ及び第三外部端子１１２ｃ間の電圧が、第一外部端子１１２ａ及び第三外部端子１１２ｃを介して水晶振動子の外へ出力されることにより、例えば、電子機器等のメインＩＣ（図示せず）で出力された電圧を温度に換算することで温度情報を得ることができる。このような感温素子１６０を水晶振動子の近くに配置して、これによって得られた水晶振動子の温度情報に応じて、メインＩＣにより水晶振動子を駆動する電圧を制御し、いわゆる温度補償をすることができる。 As the temperature sensing element 160, a thermistor, a platinum resistance temperature detector, a diode, or the like is used. In the case of the thermistor element, the temperature-sensitive element 160 has a rectangular parallelepiped shape and is provided with connection terminals 161 at both ends. The temperature sensing element 160 shows a remarkable change in electrical resistance due to a temperature change. Since the voltage changes due to the change in resistance value, the output depends on the relationship between the resistance value and the voltage and the relationship between the voltage and the temperature. Temperature information can be obtained from the applied voltage. The temperature sensing element 160 outputs a voltage between the first external terminal 112a and the third external terminal 112c to the outside of the crystal resonator via the first external terminal 112a and the third external terminal 112c, for example, Temperature information can be obtained by converting a voltage output from a main IC (not shown) such as an electronic device into a temperature. Such a temperature sensitive element 160 is arranged near the crystal resonator, and the voltage for driving the crystal resonator is controlled by the main IC in accordance with the temperature information of the crystal resonator obtained thereby, so-called temperature compensation. Can do.

また、白金測温抵抗体が用いられている場合、感温素子１６０は、直方体形状のセラミック板上の中央に白金を蒸着し、白金電極が設けられている。また、セラミック板の両端には接続端子１６１が設けられている。白金電極と接続端子とは、セラミック板上面に設けられた引き出し電極により接続されている。白金電極の上面を被覆するようにして絶縁性樹脂が設けられている。 When a platinum resistance thermometer is used, the temperature sensing element 160 is provided with a platinum electrode by depositing platinum at the center of a rectangular parallelepiped ceramic plate. Connection terminals 161 are provided at both ends of the ceramic plate. The platinum electrode and the connection terminal are connected by a lead electrode provided on the upper surface of the ceramic plate. An insulating resin is provided so as to cover the upper surface of the platinum electrode.

また、ダイオードが用いられている場合、感温素子１６０は、半導体素子を半導体素子用基板の上面に実装し、その半導体素子及び半導体素子用基板の上面を絶縁性樹脂で被覆された構造である。半導体素子用基板の下面から側面には、アノード端子及びカソード端子となる接続端子１６１が設けられている。感温素子１６０は、アノード端子からカソード端子へは電流を流すが、カソード端子からアノード端子へはほとんど電流を流さない順方向特性を有している。感温素子の順方向特性は、温度によって大きく変化する。感温素子に一定電流を流しておいて順方向電圧を測定することによって、電圧情報を得ることができる。その電圧情報から換算することで水晶素子の温度情報を得ることができる。ダイオードは、電圧と温度との関係が直線を示している。第一外部端子１１２ａ及び第三外部端子１１２ｃ間の電圧が、第一外部端子１１２ａ及び第三外部端子１１２ｃを介して水晶振動子の外へ出力される。 When a diode is used, the temperature sensing element 160 has a structure in which a semiconductor element is mounted on the upper surface of a semiconductor element substrate and the upper surface of the semiconductor element and the semiconductor element substrate is covered with an insulating resin. . Connection terminals 161 serving as an anode terminal and a cathode terminal are provided from the lower surface to the side surface of the semiconductor element substrate. The temperature sensing element 160 has a forward characteristic in which current flows from the anode terminal to the cathode terminal, but hardly flows current from the cathode terminal to the anode terminal. The forward characteristics of the temperature sensitive element vary greatly depending on the temperature. Voltage information can be obtained by passing a constant current through the temperature sensing element and measuring the forward voltage. By converting from the voltage information, temperature information of the crystal element can be obtained. In the diode, the relationship between voltage and temperature shows a straight line. The voltage between the first external terminal 112a and the third external terminal 112c is output to the outside of the crystal resonator via the first external terminal 112a and the third external terminal 112c.

感温素子１６０は、図２及び図３に示すように、貫通孔Ｈ内に設けられた接続パッド１１６に半田等の導電性接合材１８０を介して実装されている。また、感温素子１６０の第二接続端子１６１ｂは、第二接続パッド１１６ｂに接続されている。第二接続パッド１１６ｂは、基板１１０の下面に設けられた第二接続パターン１１７ｂを介して第三外部端子１１２ｃと電気的に接続されている。この第三外部端子１１２ｃは、外部の実装基板上の基準電位であるグランドと接続されている実装パッドと接続されることにより、グランド端子の役割を果たす。よって、感温素子１６０の第二接続端子１６１ｂは、基準電位であるグランドに接続されることになる。 2 and 3, the temperature sensitive element 160 is mounted on a connection pad 116 provided in the through hole H via a conductive bonding material 180 such as solder. Further, the second connection terminal 161b of the temperature sensitive element 160 is connected to the second connection pad 116b. The second connection pad 116b is electrically connected to the third external terminal 112c through a second connection pattern 117b provided on the lower surface of the substrate 110. The third external terminal 112c serves as a ground terminal by being connected to a mounting pad connected to the ground which is a reference potential on the external mounting substrate. Therefore, the second connection terminal 161b of the temperature sensitive element 160 is connected to the ground that is the reference potential.

また、感温素子１６０は、平面視で水晶素子１２０に設けられる励振用電極１２２の平面内に位置させていることにより、励振用電極１２２の金属膜によるシールド効果によって感温素子１６０を、電子機器を構成するパワーアンプ等の他の半導体部品や電子部品からのノイズから保護する。よって、励振用電極１２２のシールド効果により、感温素子１６０にノイズが重畳することを低減し、感温素子１６０の正確な電圧を出力することができる。また、感温素子１６０から正確な電圧値を出力することができるので、感温素子１６０から出力された電圧を換算することで得られた温度情報と、実際の水晶素子１２０の周囲の温度情報との差異をさらに低減することが可能となる。 Further, since the temperature sensing element 160 is positioned in the plane of the excitation electrode 122 provided on the crystal element 120 in a plan view, the temperature sensing element 160 is made electronic by the shielding effect of the metal film of the excitation electrode 122. It protects against noise from other semiconductor parts and electronic parts such as power amplifiers that make up the equipment. Therefore, due to the shielding effect of the excitation electrode 122, it is possible to reduce the superimposition of noise on the temperature sensing element 160 and to output an accurate voltage of the temperature sensing element 160. Further, since an accurate voltage value can be output from the temperature sensing element 160, temperature information obtained by converting the voltage output from the temperature sensing element 160 and temperature information around the actual crystal element 120 are obtained. It is possible to further reduce the difference.

感温素子１６０の基板１１０への接合方法について説明する。まず、感温素子１６０を貫通孔Ｈ内に収容するように載置される。導電性接合材１８０は、例えばディスペンサによって貫通孔Ｈの内壁に設けられた接続パッド１１６から感温素子１６０の接続端子１６１に跨るようにして塗布される。そして導電性接合材１８０は、加熱させることによって溶融接合される。よって、感温素子１６０は、基板１１０の貫通孔Ｈ内に設けられた一対の接続パッド１１６に接合される。 A method for bonding the temperature sensing element 160 to the substrate 110 will be described. First, the temperature sensitive element 160 is placed so as to be accommodated in the through hole H. The conductive bonding material 180 is applied so as to straddle the connection terminal 161 of the temperature-sensitive element 160 from the connection pad 116 provided on the inner wall of the through hole H by a dispenser, for example. The conductive bonding material 180 is melt-bonded by heating. Therefore, the temperature sensitive element 160 is bonded to the pair of connection pads 116 provided in the through hole H of the substrate 110.

また、感温素子１６０がサーミスタ素子の場合には、図１及び図３に示すように、直方体形状の両端にそれぞれ一つずつ接続端子１６１が設けられている。一方の接続端子１６１ａは、感温素子１６０の左側面及び上下面に設けられている。他方の接続端子１６１ｂは、感温素子１６０の右側面と上下面に設けられている。感温素子１６０の長辺の長さは、０．４〜０．６ｍｍであり、短辺の長さは、０．２〜０．３ｍｍとなっている。感温素子１６０の厚み方向の長さは、０．１〜０．３ｍｍとなっている。感温素子１６０の接続端子１６１ａ、１６１ｂの側面と貫通孔Ｈの内面との間隔が、０．０５〜０．１ｍｍとなるように設けられている。このようにすることで、感温素子１６０を実装する際に力が加わった場合でも、貫通孔Ｈ内の内壁面にて感温素子１６０が押さえられることになるので、貫通孔Ｈ内より外に感温素子１６０の位置ズレが生じることを低減することができる。 Further, when the temperature sensitive element 160 is a thermistor element, as shown in FIGS. 1 and 3, one connection terminal 161 is provided at each of both ends of the rectangular parallelepiped shape. One connection terminal 161 a is provided on the left side surface and the top and bottom surfaces of the temperature sensing element 160. The other connection terminal 161 b is provided on the right side surface and the upper and lower surfaces of the temperature sensing element 160. The length of the long side of the temperature sensing element 160 is 0.4 to 0.6 mm, and the length of the short side is 0.2 to 0.3 mm. The length of the thermosensitive element 160 in the thickness direction is 0.1 to 0.3 mm. The distance between the side surfaces of the connection terminals 161a and 161b of the temperature sensitive element 160 and the inner surface of the through hole H is set to be 0.05 to 0.1 mm. By doing in this way, even when a force is applied when mounting the temperature sensing element 160, the temperature sensing element 160 is pressed by the inner wall surface in the through hole H. It is possible to reduce the occurrence of displacement of the temperature sensitive element 160.

保護部材１７０は、貫通孔Ｈの上面の開口部を塞ぐようにして、基板１１０の上面に設けられている。このようにすることにより、収容空間Ｋ内を気密封止すると共に、感温素子１６０を接続パッド１１６に実装する際に導電性接合材１８０より発生するガスが水晶素子１２０に付着することを抑えることができる。保護部材１７０は、接合部材１５０よりも融点が高い５００〜８００℃のものを用いている。また、保護部材１７０は、例えば、ガラスフリットペーストをスクリーン印刷法で基板１１０に設けられた貫通孔の上面の開口部を塞ぐようにして塗布され乾燥することで設けられる。また、保護部材１７０の上下方向の厚みは、０．０１〜０．０３ｍｍとなっている。 The protection member 170 is provided on the upper surface of the substrate 110 so as to close the opening on the upper surface of the through hole H. By doing so, the inside of the accommodation space K is hermetically sealed, and gas generated from the conductive bonding material 180 when the temperature-sensitive element 160 is mounted on the connection pad 116 is suppressed from adhering to the crystal element 120. be able to. As the protective member 170, a member having a melting point of 500 to 800 ° C. higher than that of the bonding member 150 is used. The protective member 170 is provided by, for example, applying and drying glass frit paste so as to close the opening on the upper surface of the through hole provided in the substrate 110 by screen printing. Moreover, the thickness of the up-down direction of the protection member 170 is 0.01-0.03 mm.

導電性接合材１８０は、例えば、銀ペースト又は鉛フリー半田により構成されている。また、導電性接合材１８０には、塗布し易い粘度に調整するための添加した溶剤が含有されている。鉛フリー半田の成分比率は、錫が９５〜９８％、銀が２〜４％、銅が０〜１．０％のものが使用されている。 The conductive bonding material 180 is made of, for example, silver paste or lead-free solder. In addition, the conductive bonding material 180 contains an added solvent for adjusting the viscosity to be easily applied. The component ratio of the lead-free solder is 95 to 98% for tin, 2 to 4% for silver, and 0 to 1.0% for copper.

封止蓋体１３０は、矩形状の封止基部１３０ａと、封止基部１３０ａの下面の外周縁に沿って設けられている封止枠部１３０ｂとで構成されており、封止基部１３０ａの下面と封止枠部１３０ｂの内側側面とで収容空間Ｋが形成されている。封止枠部１３０ｂは、封止基部１３０ａの下面に収容空間Ｋを形成するためのものである。封止枠部１３０ｂは、封止基部１３０ａの下面の外縁に沿って設けられている。 The sealing lid 130 includes a rectangular sealing base portion 130a and a sealing frame portion 130b provided along the outer peripheral edge of the lower surface of the sealing base portion 130a, and the lower surface of the sealing base portion 130a. A storage space K is formed by the inner side surface of the sealing frame portion 130b. The sealing frame part 130b is for forming the accommodation space K on the lower surface of the sealing base part 130a. The sealing frame part 130b is provided along the outer edge of the lower surface of the sealing base part 130a.

封止基部１３０ａ及び封止枠部１３０ｂは、例えば、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくともいずれかを含む合金からなり、一体的に形成されている。このような封止蓋体１３０は、真空状態にある収容空間Ｋ又は窒素ガスなどが充填された収容空間Ｋを気密的に封止するためのものである。具体的には、封止蓋体１３０は、所定雰囲気で、基板１１０の上面に載置され、基板１１０の上面と封止枠部１３０ｂの下面との間に設けられた接合部材１５０とが熱が印加されることで、溶融接合される。 The sealing base portion 130a and the sealing frame portion 130b are made of, for example, an alloy containing at least one of iron, nickel, and cobalt, and are integrally formed. Such a sealing lid 130 is for hermetically sealing the housing space K in a vacuum state or the housing space K filled with nitrogen gas or the like. Specifically, the sealing lid 130 is placed on the upper surface of the substrate 110 in a predetermined atmosphere, and the bonding member 150 provided between the upper surface of the substrate 110 and the lower surface of the sealing frame portion 130b is heated. Is applied to melt-bond.

接合部材１５０は、封止蓋体１３０の下面と基板１１０の上面の外周縁とを接合するために用いられている。接合部材１５０は、図２に示すように、封止枠部１３０ｂの下面から基板１１０上の外周縁上にかけて設けられている。 The bonding member 150 is used to bond the lower surface of the sealing lid 130 and the outer peripheral edge of the upper surface of the substrate 110. As shown in FIG. 2, the bonding member 150 is provided from the lower surface of the sealing frame portion 130 b to the outer peripheral edge on the substrate 110.

接合部材１５０は、３００℃〜４００℃で溶融するガラスである例えばバナジウムを含有した低融点ガラス又は酸化鉛系ガラスから構成されている。ガラスは、バインダーと溶剤とが加えられペースト状であり、溶融された後固化されることで他の部材と接着する。接合部材１５０は、例えば、ガラスフリットペーストをスクリーン印刷法で封止枠部１３０ｂの下面に沿って環状に塗布され乾燥することで設けられる。また、この酸化鉛系ガラスの組成は、酸化鉛、フッ化鉛、二酸化チタン、酸化ニオブ、酸化ビスマス、酸化ホウ素、酸化亜鉛、酸化第二鉄、酸化銅及び酸化カルシウムとから構成されている。 The joining member 150 is made of, for example, low melting glass or lead oxide glass containing vanadium which is a glass that melts at 300 ° C. to 400 ° C. Glass is pasty with a binder and a solvent added, and is melted and then solidified to adhere to other members. The joining member 150 is provided by, for example, applying glass frit paste in an annular shape along the lower surface of the sealing frame portion 130b by screen printing and drying. The composition of the lead oxide glass is composed of lead oxide, lead fluoride, titanium dioxide, niobium oxide, bismuth oxide, boron oxide, zinc oxide, ferric oxide, copper oxide and calcium oxide.

本実施形態における水晶デバイスは、基板１１０の上下方向に貫通するように設けられた貫通孔Ｈと、貫通孔Ｈ内の向かい合う面に設けられた接続パッド１１６と、接続パッド１１６に実装された感温素子１６０と、貫通孔Ｈの上面を塞ぐように設けられた保護部材１７０と、を備えている。このようにすることによって、感温素子１６０を実装するためのスペースは貫通孔内に確保されることになり、従来の水晶デバイスと比して枠体１１０ｂを削除することができるので、水晶デバイスは、枠体１１０ｂの厚み分の薄型化をすることが可能となる。 In the quartz crystal device according to the present embodiment, the through hole H provided so as to penetrate the substrate 110 in the vertical direction, the connection pad 116 provided on the facing surface in the through hole H, and the feeling mounted on the connection pad 116. A temperature element 160 and a protective member 170 provided so as to close the upper surface of the through hole H are provided. By doing so, a space for mounting the temperature sensing element 160 is secured in the through hole, and the frame 110b can be eliminated as compared with the conventional crystal device. Can be reduced in thickness by the thickness of the frame 110b.

また、本実施形態における水晶デバイスは、貫通孔Ｈの上面の開口部を塞ぐようにして、基板１１０の上面に保護部材１７０が設けられている。このようにすることにより、収容空間Ｋ内を気密封止することができ、感温素子１６０を接続パッド１１６に実装する際に導電性接合材１８０より発生するガスが水晶素子１２０に付着することを抑えることができる。 Further, in the quartz crystal device according to the present embodiment, the protective member 170 is provided on the upper surface of the substrate 110 so as to close the opening on the upper surface of the through hole H. By doing so, the inside of the accommodation space K can be hermetically sealed, and gas generated from the conductive bonding material 180 adheres to the crystal element 120 when the temperature-sensitive element 160 is mounted on the connection pad 116. Can be suppressed.

（第一変形例）
以下、本実施形態の第一変形例における水晶デバイスについて説明する。なお、本実施形態の第一変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態の第一変形例における水晶デバイスは、図４に示されているように、保護部材２７０が貫通孔Ｈの下開口部を塞ぐように設けられている点において本実施形態と異なる。 (First modification)
Hereinafter, the crystal device according to the first modification of the present embodiment will be described. Note that, in the quartz crystal device according to the first modification of the present embodiment, the same portions as those of the quartz crystal device described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate. The quartz crystal device according to the first modification of the present embodiment is different from the present embodiment in that the protective member 270 is provided so as to block the lower opening of the through hole H as shown in FIG.

保護部材２７０は、図４に示されているように、貫通孔Ｈの上開口部及び下開口部を塞ぐようにして、基板１１０の上面及び下面に設けられている。このようにすることにより、収容空間Ｋ内を気密封止すると共に、感温素子１６０を接続パッド１１６に実装する際に導電性接合材１８０より発生するガスが水晶素子１２０に付着することをさらに抑えることができる。また、保護部材２７０は、貫通孔Ｈの下開口部を塞ぐように設けられることにより、水晶デバイスを実装する際に、外部端子１１２に付着した半田が貫通孔Ｈ内の感温素子１６０に付着して短絡することを低減することができる。また、保護部材２７０は、例えば、ガラスフリットペーストをスクリーン印刷法で基板１１０に設けられた貫通孔Ｈの上開口部及び下開口部を塞ぐように塗布され乾燥することで設けられる。 As shown in FIG. 4, the protection member 270 is provided on the upper surface and the lower surface of the substrate 110 so as to close the upper opening and the lower opening of the through hole H. By doing so, the inside of the accommodation space K is hermetically sealed, and further, the gas generated from the conductive bonding material 180 when the temperature sensitive element 160 is mounted on the connection pad 116 is further adhered to the crystal element 120. Can be suppressed. Further, the protective member 270 is provided so as to close the lower opening of the through hole H, so that the solder attached to the external terminal 112 adheres to the temperature sensitive element 160 in the through hole H when the crystal device is mounted. Thus, it is possible to reduce the short circuit. The protective member 270 is provided by, for example, applying and drying glass frit paste so as to close the upper opening and the lower opening of the through hole H provided in the substrate 110 by a screen printing method.

本実施形態の第一変形例における水晶デバイスは、貫通孔Ｈの下面を覆うように保護部材２７０が設けられている。このように貫通孔Ｈの開口部の下面を保護部材２７０で覆うことで、水晶デバイスを実装する際に、外部端子１１２に付着した半田が貫通孔Ｈ内の感温素子１６０に付着して短絡することを低減することができる。 The quartz crystal device according to the first modification of the present embodiment is provided with a protective member 270 so as to cover the lower surface of the through hole H. By covering the lower surface of the opening of the through hole H with the protective member 270 in this way, when the crystal device is mounted, the solder attached to the external terminal 112 adheres to the temperature sensitive element 160 in the through hole H and is short-circuited. Can be reduced.

（第二変形例）
以下、本実施形態の第二変形例における水晶デバイスについて説明する。なお、本実施形態の第二変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態の第二変形例における水晶デバイスは、図５に示されているように、基板１１０の下面に設けられ、外部端子１１２の内の二つと接続パッド１１６と電気的に接続されている接続パターン１１７と、を備え、保護部材３７０が接続パターン１１７を被覆するように設けられている点において本実施形態と異なる。 (Second modification)
Hereinafter, the quartz crystal device according to the second modification of the present embodiment will be described. Of the quartz crystal device according to the second modification of the present embodiment, the same portions as those of the quartz crystal device described above are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted as appropriate. As shown in FIG. 5, the crystal device according to the second modification of the present embodiment is provided on the lower surface of the substrate 110 and is electrically connected to the two of the external terminals 112 and the connection pads 116. And a connection pattern 117, and is different from the present embodiment in that the protection member 370 is provided so as to cover the connection pattern 117.

保護部材３７０は、図５に示されているように、貫通孔Ｈの上面及び接続パターン１１７を覆うように設けられている。また、接続パターン１１７を覆うように設けられた保護部材３７０は、基板１１０の短辺側外周縁部と平行になるように設けられている。このように接続パターン１１７に設けられた保護部材３７０は、接続パッド１１６に導電性接合材１８０を塗布したのち、接続パターン１１７に沿って導電性接合材１８０が流れることを低減でき、感温素子１６０の接合強度を保つのに十分な導電性接合材１８０を維持させることができる。よって、感温素子１６０が接続パッド１１６から外れてしまうことを低減することができる。 As shown in FIG. 5, the protection member 370 is provided so as to cover the upper surface of the through hole H and the connection pattern 117. Further, the protective member 370 provided so as to cover the connection pattern 117 is provided so as to be parallel to the outer peripheral edge of the short side of the substrate 110. As described above, the protective member 370 provided on the connection pattern 117 can reduce the flow of the conductive bonding material 180 along the connection pattern 117 after the conductive bonding material 180 is applied to the connection pad 116. It is possible to maintain the conductive bonding material 180 sufficient to maintain the bonding strength of 160. Therefore, it is possible to reduce the temperature sensitive element 160 from being detached from the connection pad 116.

本実施形態の第二変形例における水晶デバイスは、基板１１０の下面に設けられ、外部端子１１２の内の二つと接続パッド１１６と電気的に接続されている接続パターン１１７を備え、保護部材３７０が前記接続パターンを被覆するように設けられている。このように接続パターン１１７の上面を保護部材３７０で覆うことで、接続パッド１１６に導電性接合材１８０を塗布したのち、接続パターン１１７に沿って導電性接合材１８０が流れることを低減でき、感温素子１６０の接合強度を保つのに十分な導電性接合材１８０を維持させることができる。よって、感温素子１６０が接続パッド１１６から外れてしまうことを低減することができる。 The quartz crystal device according to the second modified example of the present embodiment includes a connection pattern 117 provided on the lower surface of the substrate 110 and electrically connected to two of the external terminals 112 and the connection pad 116, and a protection member 370 is provided. It is provided so as to cover the connection pattern. Thus, by covering the upper surface of the connection pattern 117 with the protective member 370, it is possible to reduce the flow of the conductive bonding material 180 along the connection pattern 117 after applying the conductive bonding material 180 to the connection pad 116. The conductive bonding material 180 sufficient to maintain the bonding strength of the temperature element 160 can be maintained. Therefore, it is possible to reduce the temperature sensitive element 160 from being detached from the connection pad 116.

（第三変形例）
以下、本実施形態の第三変形例における水晶デバイスについて説明する。なお、本実施形態の第三変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態の第三変形例における水晶デバイスは、図６に示されているように、基板１１０の上面及び下面に設けられ、電極パッド１１１及び外部端子１１２と電気的に接続されている配線パターン１１３と、基板の側面に設けられており、配線パターン１１３と電気的に接続された導通部１１４と、を備え、保護部材４７０が、配線パターン１１３を被覆するように設けられている点において本実施形態と異なる。 (Third modification)
Hereinafter, the quartz crystal device according to the third modification of the present embodiment will be described. Note that, in the quartz crystal device according to the third modification of the present embodiment, the same parts as those of the quartz crystal device described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate. As shown in FIG. 6, the quartz crystal device according to the third modification of the present embodiment is provided on the upper and lower surfaces of the substrate 110 and is electrically connected to the electrode pads 111 and the external terminals 112. 113 and a conductive portion 114 that is provided on the side surface of the substrate and electrically connected to the wiring pattern 113, and the protection member 470 is provided so as to cover the wiring pattern 113. Different from the embodiment.

保護部材４７０は、配線パターン１１３が金属製の封止蓋体１３０と接触して短絡することを低減するために用いられている。また、保護部材４７０は、図６に示すように、基板１１０の上面に設けられた配線パターン１１３を被覆するようにして設けられている。保護部材４７０は、例えば、ガラスフリットペーストをスクリーン印刷法で基板１１０に設けられた配線パターン１１３の上面に塗布され乾燥することで設けられる。また、保護部材４７０の上下方向の厚みは、０．０１〜０．０３ｍｍとなっている。 The protective member 470 is used to reduce a short circuit caused by the wiring pattern 113 coming into contact with the metal sealing lid 130. Further, as shown in FIG. 6, the protection member 470 is provided so as to cover the wiring pattern 113 provided on the upper surface of the substrate 110. The protection member 470 is provided, for example, by applying a glass frit paste on the upper surface of the wiring pattern 113 provided on the substrate 110 by a screen printing method and drying it. Moreover, the thickness of the up-down direction of the protection member 470 is 0.01-0.03 mm.

また、保護部材４７０は、基板１１０の角部に位置する配線パターン１１３上に設けられている。このようにすることによって、金属製の封止蓋体１３０が配線パターン１１３に接触することを抑えることが可能となる。また、保護部材４７０が、基板１１０の角に、平面視して円弧状になるように設けられており、導体部１１４が設けられている切欠き内には、保護部材４７０が設けられていない。このようにすることにより、基板１１０が電子機器等を構成する実装基板上に実装される際に、外部端子１１２に付着した半田が、導体部１１４に這い上がるようにして形成されるため、半田フィレットが形成される。また、半田が、保護部材４７０で覆われている基板１１０の配線パターン１１３上には、這い上がらないため、半田と金属製の封止蓋体１３０との短絡を低減することができる。 Further, the protection member 470 is provided on the wiring pattern 113 located at the corner of the substrate 110. By doing in this way, it becomes possible to suppress that the metal sealing lid body 130 contacts the wiring pattern 113. Further, the protection member 470 is provided at the corner of the substrate 110 so as to have an arc shape in plan view, and the protection member 470 is not provided in the notch in which the conductor portion 114 is provided. . In this way, when the substrate 110 is mounted on a mounting substrate constituting an electronic device or the like, the solder attached to the external terminal 112 is formed so as to crawl up to the conductor portion 114. A fillet is formed. In addition, since the solder does not crawl on the wiring pattern 113 of the substrate 110 covered with the protective member 470, a short circuit between the solder and the metal sealing lid 130 can be reduced.

本実施形態の第三変形例における水晶デバイスは、配線パターン１１３を覆うように保護部材４７０が設けられている。このように配線パターン１１３の上面を保護部材４７０で覆うことで、金属製の封止蓋体１３０を基板１１０の上面に接合する際に、金属製の封止蓋体１３０と基板１１０の上面に設けられている配線パターン１１３との短絡を低減することができる。 The quartz crystal device according to the third modification of the present embodiment is provided with a protection member 470 so as to cover the wiring pattern 113. By covering the upper surface of the wiring pattern 113 with the protective member 470 in this way, when the metal sealing lid 130 is bonded to the upper surface of the substrate 110, the metal sealing lid 130 and the upper surface of the substrate 110 are placed on the upper surface of the substrate 110. Short circuit with the wiring pattern 113 provided can be reduced.

（第四変形例）
以下、本実施形態の第四変形例における水晶デバイスについて説明する。なお、本実施形態の第四変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態の第四変形例における水晶デバイスは、図７に示されているように、電極パッド２１１は矩形状であり、平面視して、電極パッド２１１に面取り部２１８が設けられている点において本実施形態と異なる。 (Fourth modification)
Hereinafter, the quartz crystal device according to the fourth modification of the present embodiment will be described. Of the quartz crystal device according to the fourth modification of the present embodiment, the same portions as those of the quartz crystal device described above are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted as appropriate. As shown in FIG. 7, in the crystal device according to the fourth modification example of the present embodiment, the electrode pad 211 has a rectangular shape, and the electrode pad 211 is provided with a chamfered portion 218 in plan view. However, this embodiment is different from the present embodiment.

面取り部２１８は、励振用電極１２２側を向いている角に、電極パッド２１１の一辺から一辺と隣接する一辺にかけて横断するようにして直線状に設けられている。このようにすることによって、電極パッド２１１を大きくしても、励振用電極１２２と電極パッド２１１との間で十分な距離が確保できているため、励振用電極１２２と電極パッド２１１との接触を低減することができる。 The chamfered portion 218 is provided in a straight line at the corner facing the excitation electrode 122 side so as to cross from one side of the electrode pad 211 to one side adjacent to the one side. In this way, even if the electrode pad 211 is enlarged, a sufficient distance can be secured between the excitation electrode 122 and the electrode pad 211, so that the contact between the excitation electrode 122 and the electrode pad 211 is prevented. Can be reduced.

また、電極パッド２１１は、基板２１０に沿って設けられた形状となっている。ここで基板２１０を平面視したときの長辺の寸法が、１．２〜２．５ｍｍであり、短辺の寸法が、１．０〜２．０ｍｍである場合を例にして、電極パッド２１１の大きさを説明する。電極パッド２１１の長辺の長さは、０．４０〜０．９０ｍｍであり、短辺の長さは、０．３０〜０．６０ｍｍとなっている。また、面取り部２１８は、矩形状の電極パッド２１１の角を三角形状に除去したものであり、電極パッド２１１を平面視したときの縦寸法と平行となる寸法が０．０５〜０．１５ｍｍであり、平面視したときの横寸法が０．０５〜０．１５ｍｍである。また、面取り部２１８が設けられた電極パッド２１１は、矩形状の電極パッド２１１に比べて、その面積が９７〜９９％となるように形成されている。 The electrode pad 211 has a shape provided along the substrate 210. Here, taking the case where the long side dimension of the substrate 210 in plan view is 1.2 to 2.5 mm and the short side dimension is 1.0 to 2.0 mm, the electrode pad 211 is taken as an example. Explain the size of. The long side length of the electrode pad 211 is 0.40 to 0.90 mm, and the short side length is 0.30 to 0.60 mm. The chamfered portion 218 is obtained by removing the corners of the rectangular electrode pad 211 in a triangular shape, and the dimension parallel to the vertical dimension when the electrode pad 211 is viewed in plan is 0.05 to 0.15 mm. Yes, and the horizontal dimension when viewed in plan is 0.05 to 0.15 mm. Further, the electrode pad 211 provided with the chamfered portion 218 is formed so that the area thereof is 97 to 99% as compared with the rectangular electrode pad 211.

本実施形態の第四変形例における水晶デバイスは、第一電極パッド２１１ａ、第二電極パッド２１１ｂ及び第三電極パッド２１１ｃは、矩形状であり、平面視して、第一電極パッド２１１ａ、第二電極パッド２１１ｂ及び第三電極パッド２１１ｃの角に面取り部２１８が設けられている。このようにすることにより、励振用電極１２２と、第一電極パッド２１１ａ、第二電極パッド２１１ｂ及び第三電極パッド２１１ｃとの間で十分な距離が確保できているため、励振用電極１２２と、第一電極パッド２１１ａ、第二電極パッド２１１ｂ及び第三電極パッド２１１ｃとの接触を低減することができる。 In the quartz crystal device according to the fourth modification of the present embodiment, the first electrode pad 211a, the second electrode pad 211b, and the third electrode pad 211c are rectangular, and the first electrode pad 211a and the second electrode are in a plan view. A chamfered portion 218 is provided at the corners of the electrode pad 211b and the third electrode pad 211c. By doing so, a sufficient distance can be secured between the excitation electrode 122 and the first electrode pad 211a, the second electrode pad 211b, and the third electrode pad 211c. Contact with the first electrode pad 211a, the second electrode pad 211b, and the third electrode pad 211c can be reduced.

（第五変形例）
以下、本実施形態の第五変形例における水晶デバイスについて説明する。なお、本実施形態の第五変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態の第五変形例における水晶デバイスは、図８に示されているように、感温素子２６０の長辺が、基板３１０の短辺と平行になるように貫通孔Ｈに配置されている点において本実施形態と異なる。 (Fifth modification)
Hereinafter, a quartz crystal device according to a fifth modification of the present embodiment will be described. Note that, in the quartz device according to the fifth modification of the present embodiment, the same parts as those of the quartz device described above are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted as appropriate. As shown in FIG. 8, the quartz crystal device according to the fifth modified example of the present embodiment is arranged in the through hole H so that the long side of the temperature sensitive element 260 is parallel to the short side of the substrate 310. This is different from the present embodiment.

基板３１０の中央付近で、基板３１０の上下方向に貫通した貫通孔Ｈが設けられている。貫通孔Ｈの開口部は、平面視して矩形状であり、貫通孔Ｈの長辺と基板３１０の短辺とが平行になるように設けられている。貫通孔Ｈの短辺方向となる向かい合う面にそれぞれ接続パッド３１６が設けられている。接続パッド３１６は、第一接続パッド３１６ａと第二接続パッド３１６ｂによって構成されている。接続パッド３１６は、内部の一つの面から基板３１０の上下面にある貫通孔Ｈの外周縁にかかるようにして設けられている。また、四つの外部端子３１２の内の残りの二つが、感温素子２６０と電気的に接続されている。 In the vicinity of the center of the substrate 310, a through-hole H penetrating in the vertical direction of the substrate 310 is provided. The opening of the through hole H has a rectangular shape in plan view, and is provided so that the long side of the through hole H and the short side of the substrate 310 are parallel to each other. Connection pads 316 are respectively provided on the opposing surfaces in the short side direction of the through holes H. The connection pad 316 includes a first connection pad 316a and a second connection pad 316b. The connection pad 316 is provided so as to extend from one inner surface to the outer peripheral edge of the through hole H in the upper and lower surfaces of the substrate 310. The remaining two of the four external terminals 312 are electrically connected to the temperature sensing element 260.

感温素子２６０の長辺と基板３１０の短辺とが平行となるように、感温素子２６０は、貫通孔Ｈ内に配置されている。このようにすることにより、水晶素子１２０と電気的に接続されている外部端子３１２と、接続パッド３１６との間隔を長くすることができるので、感温素子２６０を接合している導電性接合材１８０が溢れ出たとしても、導電性接合材１８０が付着することを抑えることができる。よって、感温素子２６０と水晶素子１２０と電気的に接続されている外部端子３１２との短絡を低減することができる。 The temperature sensing element 260 is disposed in the through hole H so that the long side of the temperature sensing element 260 and the short side of the substrate 310 are parallel to each other. By doing so, the distance between the external terminal 312 electrically connected to the crystal element 120 and the connection pad 316 can be increased, so that the conductive bonding material for bonding the temperature-sensitive element 260 is used. Even if 180 overflows, it is possible to prevent the conductive bonding material 180 from adhering. Therefore, a short circuit between the temperature sensing element 260 and the external terminal 312 electrically connected to the crystal element 120 can be reduced.

尚、本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。上記の実施形態では、水晶素子は、ＡＴ用水晶素子を用いた場合を説明したが、基部と、基部の側面より同一の方向に延びる二本の平板形状の振動腕部とを有する音叉型屈曲水晶素子を用いても構わない。また、上記の実施形態では、水晶素子は、片持ち支持構造にて基板１１０上に固定されている場合を説明したが、水晶素子が両持ち支持構造であっても構わない。 In addition, it is not limited to this embodiment, A various change, improvement, etc. are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention. In the above embodiment, the case where the crystal element for AT is used as the crystal element has been described. A crystal element may be used. In the above-described embodiment, the case where the crystal element is fixed on the substrate 110 with the cantilever support structure has been described. However, the crystal element may have a both-end support structure.

また、水晶素子１２０のベベル加工方法について説明する。所定の粒度のメディアと砥粒とを備えた研磨材と、所定の大きさに形成された水晶素板１２１とを用意する。円筒体に用意した研磨材と水晶素板１２１とを入れ、円筒体の開口した端部をカバーで塞ぐ。研磨材と水晶素板１２１とを入れた円筒体を、円筒体の中心軸線を回転軸として回転させる水晶素板１２１が研磨材で研磨されてベベル加工が行われる。 A bevel processing method for the crystal element 120 will be described. A polishing material provided with media and abrasive grains having a predetermined particle size and a quartz base plate 121 having a predetermined size are prepared. The abrasive prepared in the cylindrical body and the quartz base plate 121 are placed, and the open end of the cylindrical body is closed with a cover. The quartz base plate 121 that rotates the cylindrical body containing the abrasive and the quartz base plate 121 with the central axis of the cylindrical body as the rotation axis is polished with the abrasive and beveled.

上記の実施形態では、接合部材１５０が封止蓋体１３０の封止枠部１３０ｂの下面に設けられた場合を説明したが、接合部材１５０が基板１１０上面の外周縁に環状に設けられるようにしても構わない。このような接合部材１５０は、例えば、ガラスフリットペーストがスクリーン印刷法で基板１１０の外周縁に沿って塗布され乾燥することで設けられる。 In the above embodiment, the case where the bonding member 150 is provided on the lower surface of the sealing frame portion 130b of the sealing lid 130 has been described. However, the bonding member 150 is provided annularly on the outer peripheral edge of the upper surface of the substrate 110. It doesn't matter. Such a joining member 150 is provided, for example, by applying a glass frit paste along the outer peripheral edge of the substrate 110 by a screen printing method and drying it.

１１０、２１０、３１０・・・基板
１１１、２１１、３１１・・・電極パッド
１１２、２１２、３１２・・・外部端子
１１３、２１３、３１３・・・配線パターン
１１４、２１４、３１４・・・導体部
１１５、２１５、３１５・・・電極パターン
１１６、２１６、３１６・・・接続パッド
１１７、２１７、３１７・・・接続パターン
２１８・・・面取り部
１２０・・・水晶素子
１２１・・・水晶素板
１２２・・・励振用電極
１２３・・・引き出し電極
１３０・・・封止蓋体
１３１・・・封止基部
１３２・・・封止枠部
１４０・・・導電性接着剤
１５０・・・接合部材
１６０・・・感温素子
１７０・・・保護部材
１８０・・・導電性接合材
Ｋ・・・収容空間
Ｈ・・・貫通孔 110, 210, 310 ... Substrate 111, 211, 311 ... Electrode pad 112, 212, 312 ... External terminal 113, 213, 313 ... Wiring pattern 114, 214, 314 ... Conductor part 115 215, 315 ... Electrode pattern 116, 216, 316 ... Connection pad 117, 217, 317 ... Connection pattern 218 ... Chamfered portion 120 ... Crystal element 121 ... Crystal base plate 122 ··· Excitation electrode 123 ··· Extraction electrode 130 ··· Sealing lid 131 ··· Sealing base portion 132 ··· Sealing frame portion 140 ··· Conductive adhesive 150 ··· Joining member 160 · ·・・ Temperature sensing element 170 ・・・ Protective member 180 ・・・ Conductive bonding material K ・・・ Storage space H ・・・ Through hole

Claims

基板と、
前記基板の上面に設けられた電極パッドと、
前記基板の下面に設けられた外部端子と、
前記基板の上下方向に貫通するように設けられた貫通孔と、
前記貫通孔内の向かい合う面に設けられた接続パッドと、
前記接続パッドに導電性接合材を介して実装された感温素子と、
前記貫通孔の上開口部を塞ぐように設けられ、前記導電性接合部材よりも融点が高い保護部材と、
前記電極パッドに実装された水晶素子と、
前記水晶素子を気密封止するために、前記基板の上面に設けられた封止蓋体と、
前記基板の上面と前記封止蓋体の下面との間に設けられた接合部材と、を備えていることを特徴とする水晶振動子。 A substrate,
An electrode pad provided on the upper surface of the substrate;
An external terminal provided on the lower surface of the substrate;
A through hole provided so as to penetrate in the vertical direction of the substrate;
A connection pad provided on the facing surface in the through hole;
A temperature sensitive element mounted on the connection pad via a conductive bonding material ;
A protective member provided so as to close the upper opening of the through hole, and having a melting point higher than that of the conductive bonding member ;
A crystal element mounted on the electrode pad;
In order to hermetically seal the crystal element, a sealing lid provided on the upper surface of the substrate;
A crystal resonator comprising: a bonding member provided between an upper surface of the substrate and a lower surface of the sealing lid.

請求項１記載の水晶振動子であって、
前記保護部材が前記貫通孔の下開口部を塞ぐように設けられていることを特徴とする水晶振動子。 The crystal resonator according to claim 1,
The quartz resonator, wherein the protective member is provided so as to close a lower opening of the through hole.

請求項１記載の水晶振動子であって、
前記基板の下面に設けられ、前記外部端子の内の二つと前記接続パッドと電気的に接続されている接続パターンを備え、
前記保護部材が前記接続パターンを被覆するように設けられていることを特徴とする水晶振動子。 The crystal resonator according to claim 1,
A connection pattern provided on the lower surface of the substrate and electrically connected to two of the external terminals and the connection pad ;
A crystal resonator, wherein the protective member is provided so as to cover the connection pattern.

請求項１乃至請求項３記載の水晶振動子であって、
前記基板の上面及び下面に設けられ、前記電極パッド及び前記外部端子と電気的に接続されている配線パターンと、
前記基板の側面に設けられており、前記配線パターンと電気的に接続された導体部と、を備え、
前記保護部材が、前記配線パターンを被覆するように設けられていることを特徴とする水晶振動子。 The crystal resonator according to claim 1, wherein:
A wiring pattern provided on the upper and lower surfaces of the substrate, and electrically connected to the electrode pads and the external terminals;
Provided on a side surface of the substrate, and a conductor portion electrically connected to the wiring pattern,
The quartz resonator , wherein the protective member is provided so as to cover the wiring pattern.

請求項１乃至請求項４記載の水晶振動子であって、
前記電極パッドは、矩形状であり、平面視して、前記電極パッドの角に面取り部が設けられていることを特徴とする水晶振動子。 The crystal resonator according to any one of claims 1 to 4,
The electrode pad has a rectangular shape, a crystal oscillator in plan view, wherein the chamfered portion is provided at the corner of the electrode pads.