JP2013102315A - Piezoelectric device and electronic apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、感温部品と圧電振動素子とを備えた圧電デバイスに関する。両者の温度分布がほぼ同程度になるように構成することにより、マザーボード上に共に搭載されるＩＣ部品と本圧電デバイスとにより、精度のよい温度補償型圧電発振器が構成される。また、この圧電デバイスを用いた圧電モジュール、及び電子機器に関する。 The present invention relates to a piezoelectric device including a temperature-sensitive component and a piezoelectric vibration element. By configuring the two temperature distributions to be approximately the same, an IC component mounted together on the mother board and the present piezoelectric device constitute a highly accurate temperature compensated piezoelectric oscillator. The present invention also relates to a piezoelectric module using the piezoelectric device and an electronic apparatus.
特許文献１乃至４には、携帯電話等の無線通信機器に用いられる温度補償型圧電発振器が開示されている。特許文献４には、温度補償回路として温度に関する四次成分以上の回路を用いて、電源投入後の周波数ドリフトを小さくした温度補償型圧電発振器が開示されている。これに使用されるＩＣ部品は、温度を感知する温度センサーと、圧電振動素子の温度変化による周波数変動を補償するための温度補償回路と、可変容量素子と、増幅回路等を有しており、圧電振動素子を高精度に温度補償できると開示されている。また、実装端子、素子搭載パッド、ＩＣ搭載パッドは、容器（パッケージ）の絶縁基板内部に設けられたビア電極（貫通孔（ビアホール）にビア電極ペーストを充填した導体）、及び絶縁基板の層間に配置された配線パターン等により電気的接続されている。 Patent Documents 1 to 4 disclose temperature compensated piezoelectric oscillators used for wireless communication devices such as mobile phones. Patent Document 4 discloses a temperature-compensated piezoelectric oscillator that uses a circuit having a fourth or higher-order component related to temperature as a temperature compensation circuit to reduce frequency drift after power-on. The IC component used for this has a temperature sensor for sensing temperature, a temperature compensation circuit for compensating for frequency fluctuations due to temperature changes of the piezoelectric vibration element, a variable capacitance element, an amplifier circuit, and the like. It is disclosed that the temperature of the piezoelectric vibration element can be compensated with high accuracy. In addition, the mounting terminals, the element mounting pads, and the IC mounting pads are provided between via electrodes (conductors in which through-holes (via holes) are filled with via electrode paste) provided in the insulating substrate of the container (package) and between the insulating substrates. It is electrically connected by the arranged wiring pattern or the like.
特許文献５には、絶縁容器の隅部に設けたキャスタレーションに金属膜等を焼成し、この導電膜（キャスタレーション電極）を、実装端子と素子搭載パッドとの電気的導通の手段とした例が開示されている。なお、絶縁容器の４つの角部に上下方向に伸長するキャスタレーションは、多数の容器がマトリクス状に形成された積層マザーウェーハから、個別の容器に小割切断する際に用いられる。
容器の内部に形成したビア電極の一方の端部を蓋部材（リッド）に接続し、他方の端部を接地用実装端子に接続することにより、電磁気的なシールド効果が得られる。また、容器の層間に焼成した配線パターンとキャスタレーション電極とを接続することにより、実装端子と配線パターンとを電気的に導通することができる。キャスタレーション電極同志を層間に焼成した配線パターンにより導通した例も開示されている。配線パターン等の電極材料にはタングステン等が用いられる。
An electromagnetic shielding effect can be obtained by connecting one end of a via electrode formed inside the container to a lid member (lid) and connecting the other end to a grounding mounting terminal. Further, by connecting the fired wiring pattern and the castellation electrode between the layers of the container, the mounting terminal and the wiring pattern can be electrically connected. An example is also disclosed in which the castellation electrodes are made conductive by a wiring pattern fired between layers. Tungsten or the like is used for an electrode material such as a wiring pattern.
ところで、上記の温度補償型圧電発振器では、パッケージ内の圧電振動素子の温度と、絶縁容器の外部に設けたＩＣ部品に内蔵する温度センサーが検出する温度との間に僅かに温度差が生じる。両者間に温度差があると、誤差のある温度に基づいて圧電振動子の周波数温度特性を補償することになり、高精度の温度補償ができず、周波数ドリフトが生じるという問題があった。そこで、このような不具合に対処するために、圧電振動素子が搭載されている絶縁基板の温度を精度よく測定する試みがなされてきた。 By the way, in the above temperature compensated piezoelectric oscillator, there is a slight temperature difference between the temperature of the piezoelectric vibration element in the package and the temperature detected by the temperature sensor built in the IC component provided outside the insulating container. If there is a temperature difference between the two, the frequency temperature characteristic of the piezoelectric vibrator is compensated based on the temperature having an error, so that there is a problem that high-precision temperature compensation cannot be performed and frequency drift occurs. Therefore, in order to deal with such problems, attempts have been made to accurately measure the temperature of the insulating substrate on which the piezoelectric vibration element is mounted.
特許文献６〜特許文献８には、温度検出精度の向上と、小型化を図るために、容器の上部のキャビティー内に圧電振動素子を収容し、反対側の下部のキャビティー内に発振回路、温度補償回路等を収容した構造の表面実装型圧電発振器が開示されている。特許文献６には、圧電振動素子を接続するパッドの近傍に温度センサーを配置し、圧電振動素子の温度と温度センサーにより検出される温度との温度差を小さくすることにより、周波数温度特性、周波数ドリフト特性を安定化できると開示されている。しかし、圧電振動素子搭載用のパッドに接続されたＩＣ部品の端子は、発振回路の増幅器の近傍に配置されているので、増幅器の動作に伴い発熱する。その結果、ＩＣ部品に内蔵する温度センサーを圧電振動素子側に近接させてもＩＣ部品の発熱温度を検出する虞があり、周波数ドリフト特性を劣化させるという課題がある。 In Patent Documents 6 to 8, in order to improve the temperature detection accuracy and reduce the size, a piezoelectric vibration element is accommodated in the upper cavity of the container, and an oscillation circuit is disposed in the lower cavity on the opposite side. A surface mount piezoelectric oscillator having a structure containing a temperature compensation circuit and the like is disclosed. In Patent Document 6, a temperature sensor is disposed in the vicinity of a pad to which a piezoelectric vibration element is connected, and the temperature difference between the temperature of the piezoelectric vibration element and the temperature detected by the temperature sensor is reduced, whereby the frequency temperature characteristics, the frequency It is disclosed that the drift characteristic can be stabilized. However, since the terminal of the IC component connected to the pad for mounting the piezoelectric vibration element is disposed in the vicinity of the amplifier of the oscillation circuit, heat is generated with the operation of the amplifier. As a result, even if a temperature sensor built in the IC component is brought close to the piezoelectric vibration element side, the heat generation temperature of the IC component may be detected, and there is a problem that the frequency drift characteristic is deteriorated.
次に、特許文献７には、容器の上部のキャビティーに圧電振動素子と、発振回路、温度センサーを備えた第１のＩＣ部品と、を収容すると共に、下部のキャビティーに温度補償回路を備えた第２のＩＣ部品を収容することにより、圧電振動素子と、温度センサーとを同じ温度環境下に配置でき、周波数温度特性、周波数ドリフト特性を安定化できると開示されている。しかし、ＩＣ部品を二分して、温度センサー付きの第１のＩＣ部品を、圧電振動素子と同じキャビティーに収容する構造は、コスト高となって実現性が低く、また発振器全体の小型化に逆行するという課題がある。
また、特許文献８には、容器の上部の凹部に圧電振動素子を片持ち支持状態で収容し、下部の凹部にＩＣ部品を収容し、ＩＣ部品の温度センサー端子を上部凹部に設けた枕部材と接続することにより、圧電振動素子の温度と、温度センサーの検出温度との温度差を縮小して、周波数温度特性、周波数ドリフト特性を安定化できると開示されている。
Next, in Patent Document 7, a piezoelectric vibration element, an oscillation circuit, and a first IC component including a temperature sensor are accommodated in an upper cavity of a container, and a temperature compensation circuit is provided in a lower cavity. It is disclosed that by accommodating the second IC component provided, the piezoelectric vibration element and the temperature sensor can be arranged in the same temperature environment, and the frequency temperature characteristic and the frequency drift characteristic can be stabilized. However, the structure in which the IC part is divided into two parts and the first IC part with the temperature sensor is accommodated in the same cavity as the piezoelectric vibration element is high in cost and is not feasible, and the whole oscillator is downsized. There is a problem of going backwards.
Further, Patent Document 8 discloses a pillow member in which a piezoelectric vibration element is housed in a cantilever-supported state in an upper recess of a container, an IC component is housed in a lower recess, and a temperature sensor terminal of the IC component is provided in the upper recess. It is disclosed that the frequency temperature characteristic and the frequency drift characteristic can be stabilized by reducing the temperature difference between the temperature of the piezoelectric vibration element and the temperature detected by the temperature sensor.
しかし、特許文献６〜特許文献８に開示された何れの構造も、セラミック基板に圧電振動素子を搭載する構成であるため、導電性接着剤を介して圧電振動素子と接続されたセラミック基板の温度を測定すれば、圧電振動素子の温度を正確に検出できると推測されている。しかし、実際には周波数ドリフト特性を改善する効果は、十分ではなかった。このように、圧電振動素子と離れて温度センサーを内蔵するＩＣ部品を配置した従来の表面実装型圧電発振器では、圧電振動素子の温度を正確に検出することはできず、安定した周波数温度特性が得られない。また起動時の周波数ドリフト特性の改善も不十分であるという問題があった。 However, since any of the structures disclosed in Patent Documents 6 to 8 has a structure in which the piezoelectric vibration element is mounted on the ceramic substrate, the temperature of the ceramic substrate connected to the piezoelectric vibration element via the conductive adhesive is not limited. Is measured, it is estimated that the temperature of the piezoelectric vibration element can be accurately detected. However, in practice, the effect of improving the frequency drift characteristic has not been sufficient. As described above, in the conventional surface mount piezoelectric oscillator in which the IC component including the temperature sensor is arranged apart from the piezoelectric vibration element, the temperature of the piezoelectric vibration element cannot be accurately detected, and a stable frequency temperature characteristic is obtained. I can't get it. Further, there has been a problem that the frequency drift characteristic at the time of start-up is insufficient.
特許文献９には、圧電振動子の容器の主面に、ＩＣチップを接着した表面実装型圧電発振器が開示されている。ＩＣチップは温度センサーを内蔵し、圧電振動素子は容器内に収容されている。圧電振動素子は温度変化によってその周波数が変動し、温度センサーは温度変化によって出力信号が変化する。ＩＣチップに内蔵される発振回路と、圧電振動素子とによって圧電発振器が構成され、ＩＣチップに内蔵される温度補償回路で圧電発振器の周波数が補償される。つまり、温度補償発振回路は、温度センサーからの出力信号に基づいて温度補償用の電圧信号を出力し、それを可変容量素子に印加することにより可変容量素子の容量を変化させて、周波数を補償する。即ち、温度の変化により圧電振動素子の振動周波数が変動するが、温度センサーの出力信号により温度補償発振回路が動作し、周波数の変化分を補償する。ＩＣチップを圧電振動子の容器に固定することで、両者の位置を近接させ、温度差を縮小できると記述されている。温度センサーはＩＣチップの表層部に形成されている。この構成を用いることにより周波数温度特性、周波数ドリフト特性を安定化できると開示されている。 Patent Document 9 discloses a surface-mount piezoelectric oscillator in which an IC chip is bonded to the main surface of a container of a piezoelectric vibrator. The IC chip incorporates a temperature sensor, and the piezoelectric vibration element is accommodated in the container. The frequency of the piezoelectric vibration element varies with a temperature change, and the output signal of the temperature sensor changes with a temperature change. A piezoelectric oscillator is constituted by the oscillation circuit built in the IC chip and the piezoelectric vibration element, and the frequency of the piezoelectric oscillator is compensated by the temperature compensation circuit built in the IC chip. In other words, the temperature compensated oscillation circuit outputs a voltage signal for temperature compensation based on the output signal from the temperature sensor, and changes the capacitance of the variable capacitance element by applying it to the variable capacitance element to compensate the frequency. To do. That is, although the vibration frequency of the piezoelectric vibration element fluctuates due to the change in temperature, the temperature compensation oscillation circuit operates by the output signal of the temperature sensor to compensate for the change in frequency. It is described that the temperature difference can be reduced by fixing the IC chip to the container of the piezoelectric vibrator to bring the positions of the two close together. The temperature sensor is formed on the surface layer of the IC chip. It is disclosed that frequency temperature characteristics and frequency drift characteristics can be stabilized by using this configuration.
最近、携帯電話の主回路基板に関し、集積化、チップセット化等の技術革新が進み、部品の小型・低背化、少数化の傾向は目覚ましい。即ち、前述の特許文献１乃至９に記載されているような温度補償型圧電発振器は必ずしも必要とされず、主回路基板（マザーボード）上に搭載されるＩＣ部品に温度補償回路を付加する傾向があり、基準周波数源には圧電振動子を用い、この圧電振動子と前記のようなＩＣ部品（チップセット）と組合せることにより、圧電振動子の温度補償を実現するという試みがなされている。 Recently, with respect to the main circuit boards of mobile phones, technological innovations such as integration and chipset advance have progressed, and the trend of miniaturization, low profile, and fewer parts is remarkable. That is, the temperature-compensated piezoelectric oscillator described in Patent Documents 1 to 9 is not necessarily required, and there is a tendency to add a temperature compensation circuit to an IC component mounted on the main circuit board (motherboard). There is an attempt to realize temperature compensation of a piezoelectric vibrator by using a piezoelectric vibrator as a reference frequency source and combining this piezoelectric vibrator with the above IC component (chip set).
しかし、主回路基板に搭載された圧電振動子の温度と、温度センサーの検出温度との間に温度差があることが問題になっている。これは回路基板上に圧電振動子、温度センサー、及び熱源を配置し、回路基板上の温度分布をシミュレーションにより求めることにより明らかとなった。圧電振動子と温度センサーとの僅かの温度差は、携帯電話に搭載されているＧＰＳの位置測定精度に影響する。ＧＰＳは基準周波数の短期安定度が極めて重要な要素となるからである。 However, there is a problem that there is a temperature difference between the temperature of the piezoelectric vibrator mounted on the main circuit board and the temperature detected by the temperature sensor. This has been clarified by arranging a piezoelectric vibrator, a temperature sensor, and a heat source on the circuit board and obtaining a temperature distribution on the circuit board by simulation. A slight temperature difference between the piezoelectric vibrator and the temperature sensor affects the position measurement accuracy of the GPS mounted on the mobile phone. This is because the short-term stability of the reference frequency is an extremely important factor for GPS.
特許文献１０には、底板及び枠壁からなる凹部を有する矩形状の容器と、容器に収容された水晶振動素子と、容器の開口部に接合された金属カバーと、水晶振動素子の温度検出用で容器の長手方向の一端側に付着させたサーミスタと、を備えた表面実装型水晶振動子が開示されている。サーミスタの長手方向が、容器の高さ方向に直交して容器の外側面に固着した構成とした温度センサー付き水晶振動子である。
In
特許文献１１には、底板層と枠壁層と有した凹状積層セラミックからなる容器と、容器内に収容され一端部両側が固着された水晶振動素子と、水晶振動素子と共に容器内に収容されたサーミスタと、を備えた表面実装型水晶振動子が開示されている。水晶振動素子の主面は底板層の最上位層と対面し、サーミスタは底板層に設けられた凹所内に配置された構成の温度センサー付き水晶振動子である。 In Patent Document 11, a container made of a concave laminated ceramic having a bottom plate layer and a frame wall layer, a crystal resonator element housed in the container and fixed at both ends at one end, and a container together with the crystal resonator element were housed in the container. A surface-mounted crystal resonator including a thermistor is disclosed. The main surface of the crystal resonator element faces the uppermost layer of the bottom plate layer, and the thermistor is a crystal resonator with a temperature sensor configured to be disposed in a recess provided in the bottom plate layer.
しかしながら、特許文献１０に開示の構造では、サーミスタが圧電振動子の容器に接続されているものの、容器が絶縁性のセラミックであるため、熱伝導性の点から容器内の圧電振動素子が呈している温度とサーミスタが検出する温度との間に温度差が生じるという問題がある。更に、容器の外側に突出してサーミスタが固定されているため、ハンドリング時や他の部品との接触により破損や、脱落の虞があるという問題がある。
However, in the structure disclosed in
また、特許文献１１に開示の構造では、サーミスタが圧電振動子の容器の内部に搭載されており、圧電振動素子が呈している温度を検出できることが期待できる。しかし、容器に収容された圧電振動素子に何らかの特性不良が発生したとき、同じ容器内に搭載されているサーミスタも廃棄させざるを得ず、その分コスト高となるという問題があった。 Further, in the structure disclosed in Patent Document 11, it can be expected that the thermistor is mounted inside the container of the piezoelectric vibrator and the temperature exhibited by the piezoelectric vibration element can be detected. However, when some characteristic failure occurs in the piezoelectric vibration element accommodated in the container, the thermistor mounted in the same container must be discarded, and there is a problem that the cost increases accordingly.
特許文献１２、特許文献１３には、容器の断面がＨ型である所謂、Ｈ型パッケージを用いて、第１の収納部（上部）に圧電振動素子を搭載し、第１の収納部と反対側の第２の収納部（下部）に、チップコンデンサー、容量素子、可変容量素子、リアクタンス素子、等のチップ状の電子部品を搭載した圧電デバイスが開示されている。この圧電デバイスは、容器に搭載された圧電振動素子と、並列接続された２つの容量素子と、を直列に接続し、回路基板上に実装され増幅回路等と接続することによりコルピッツ発振回路が実現される。
In
本願発明者らは、特許文献１２や特許文献１３の技術を活用し、所謂Ｈ型パッケージ（容器）を用いて、第１の収納部（上部）に圧電振動素子を搭載し、第１の収納部と反対側の第２の収納部（下部）に、温度センサーとして、サーミスタ等の感温部品を搭載する圧電デバイスの構造を検討した。
しかしながら、特許文献１０の問題と同様に、圧電デバイスの圧電振動素子を収容する第１の収納部は、その底部（セラミック製）を介して反対側の第２の収納部に感温部品（サーミスタ）を搭載する構造をしており、容器が絶縁性のセラミックであるため、熱伝導性の点から、第１の収納部内の圧電振動素子の温度と、第２の収納部内の感温部品が検知する温度との間に温度差が生じるという問題があった。つまり、開示された構造では、本願発明者の検証した結果からは、携帯電話に搭載されるＧＰＳ用の規格を満たすには不十分であり、更なる改善が必要とされることが明らかとなった。
本発明は上記に鑑みてなされたものであり、圧電振動素子の第１の収容部の外に感温部品（温度センサー）を配置した構成の圧電デバイスであっても、圧電振動素子の温度を高精度に検出することを可能とし、主回路基板（マザーボード）上に搭載され補償回路と組合せることにより、高安定、高精度の周波数温度特性の発振器を可能とする、表面実装型の圧電デバイスを提供することを目的としている。
The inventors of the present application make use of the technology of
However, similarly to the problem of
The present invention has been made in view of the above, and even in a piezoelectric device having a structure in which a temperature-sensitive component (temperature sensor) is disposed outside the first housing portion of the piezoelectric vibration element, the temperature of the piezoelectric vibration element is controlled. A surface-mount type piezoelectric device that enables high-precision detection and enables a highly stable and highly accurate frequency-temperature oscillator by combining with a compensation circuit mounted on the main circuit board (motherboard). The purpose is to provide.
本発明は、上記の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。 SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.
［適用例１］本発明に係る圧電デバイスは、圧電振動素子と、温度を検出する感温部品と、前記圧電振動素子を収容する第１の収容部を有し、前記感温部品を収容する第２の収容部を有した容器と、を備えた圧電デバイスであって、前記容器は、前記第２の収容部を構成する貫通孔を有し且つ底部に複数の実装端子を備えた第１の絶縁基板と、前記第１の絶縁基板の前記底部とは反対側の表部に対して裏面を積層固定され、前記裏面とは反対側の表面に前記圧電振動素子搭載用の第１の電極パッドが設けられ、前記裏面に前記実装端子と前記第１の電極パッドとを導通させる第１の配線パターン、前記実装端子と前記感温部品とを導通させる第２の配線パターン、及び前記感温部品搭載用の第２の電極パッドが設けられた第２の絶縁基板と、前記第２の絶縁基板の前記表面に積層固定され、前記第１の収容部を構成する第３の基板と、を備え、少なくとも１つの前記実装端子と前記第１の電極パッドとは、第１の熱伝導部及び前記第１の配線パターンにより電気的に接続され、他の少なくとも１つの前記実装端子と前記第２の電極パッドとは、第２の熱伝導部及び前記第２の配線パターンにより電気的に接続されていることを特徴とする圧電デバイスである。 Application Example 1 A piezoelectric device according to the present invention includes a piezoelectric vibration element, a temperature-sensitive component that detects temperature, and a first housing portion that houses the piezoelectric vibration element, and houses the temperature-sensitive component. A piezoelectric device including a container having a second housing portion, the container having a through-hole constituting the second housing portion and having a plurality of mounting terminals at the bottom. And a first electrode for mounting the piezoelectric vibration element on a surface opposite to the back surface, the back surface of the first insulating substrate being opposite to the bottom portion of the first insulating substrate. A pad is provided, and a first wiring pattern for conducting the mounting terminal and the first electrode pad on the back surface, a second wiring pattern for conducting the mounting terminal and the temperature sensitive component, and the temperature sensing A second insulating substrate provided with a second electrode pad for mounting components; A third substrate that is laminated and fixed to the surface of the second insulating substrate and constitutes the first housing portion, wherein at least one of the mounting terminals and the first electrode pad is a first substrate. The at least one other mounting terminal and the second electrode pad are electrically connected to each other by the second heat conduction part and the second wiring pattern. A piezoelectric device characterized by being electrically connected.
上記のように圧電デバイスを構成することにより、圧電振動素子の温度と、感温部品の検知する温度との温度差を縮小することが可能となり、外部回路と接続されて良好な周波数温度特性が得られ、また優れた周波数ドリフト特性（短期安定度）特性を有する温度補償型圧電発振器が実現できるという効果がある。 By configuring the piezoelectric device as described above, it is possible to reduce the temperature difference between the temperature of the piezoelectric vibration element and the temperature detected by the temperature-sensitive component, and a good frequency-temperature characteristic can be obtained when connected to an external circuit. In addition, there is an effect that a temperature compensated piezoelectric oscillator having excellent frequency drift characteristics (short-term stability) characteristics can be realized.
［適用例２］また圧電デバイスは、圧電振動素子と、温度を検出する感温部品と、前記圧電振動素子を収容する第１の収容部を有し、前記感温部品を収容する第２の収容部を有した容器と、を備えた圧電デバイスであって、前記容器は、前記第２の収容部を構成形成する貫通孔を有し且つ底部に複数の実装端子を備えた第１の絶縁基板と、前記第１の絶縁基板の前記底部とは反対側の表部に対して裏面を積層固定され、前記裏面とは反対側の表面に前記圧電振動素子搭載用の第１の電極パッドが設けられ、前記裏面に前記実装端子と前記第１の電極パッドとを導通させる第１の配線パターン、前記実装端子と前記感温部品とを導通させる第２の配線パターン、及び前記感温部品搭載用の第２の電極パッドが設けら形成された第２の絶縁基板と、前記第２の絶縁基板の前記表面に積層固定され、前記第１の収容部を構成する第３の基板と、を備え、少なくとも１つの前記実装端子と前記第１の電極パッドとは、第１の熱伝導部により電気的に接続され、他の少なくとも１つの前記実装端子と前記第２の電極パッドとは、第２の熱伝導部及び前記第２の配線パターンにより電気的に接続されていることを特徴とする圧電デバイスである。 Application Example 2 In addition, the piezoelectric device includes a piezoelectric vibration element, a temperature-sensitive component that detects temperature, and a first housing portion that houses the piezoelectric vibration element, and a second housing that houses the temperature-sensitive component. And a container having a housing portion, wherein the container has a through hole that forms the second housing portion and has a plurality of mounting terminals at the bottom. A back surface is laminated and fixed to a substrate and a front portion opposite to the bottom portion of the first insulating substrate, and a first electrode pad for mounting the piezoelectric vibration element is provided on a surface opposite to the back surface. A first wiring pattern provided on the back surface for conducting the mounting terminal and the first electrode pad; a second wiring pattern for conducting the mounting terminal and the temperature-sensitive component; and mounting the temperature-sensitive component. A second insulating substrate formed with a second electrode pad for use; A third substrate that is laminated and fixed to the surface of the second insulating substrate and constitutes the first housing portion, wherein at least one of the mounting terminals and the first electrode pad is a first substrate. The at least one other mounting terminal and the second electrode pad are electrically connected by the second heat conducting portion and the second wiring pattern. This is a piezoelectric device.
上記のように圧電デバイスを構成することにより、極めて短時間で圧電振動素子の温度と、感温部品の検出する温度との温度差を縮小することが可能となり、外部回路と接続されて、優れた周波数ドリフト特性（短期安定度）特性を有する温度補償型圧電発振器が実現できるので、ＧＰＳ等の性能を改善できるという効果がある。 By configuring the piezoelectric device as described above, it becomes possible to reduce the temperature difference between the temperature of the piezoelectric vibration element and the temperature detected by the temperature-sensitive component in an extremely short time, and it is connected to an external circuit and is excellent. In addition, since the temperature compensated piezoelectric oscillator having the frequency drift characteristic (short-term stability) characteristic can be realized, there is an effect that the performance of GPS or the like can be improved.
［適用例３］また圧電デバイスは、前記第１、第２の熱伝導部の少なくとも何れか一方の少なくとも一部は、前記第１基板の内部に貫通配置されていることを特徴とする圧電デバイスである。 Application Example 3 In addition, the piezoelectric device is characterized in that at least a part of at least one of the first and second heat conducting portions is disposed through the first substrate. It is.
上記のように構成することにより、第１、第２の熱伝導部を経由するため、実装端子から伝わる熱の流れ（熱伝導）の速度は、速く、極めて短時間で圧電振動素子の温度と、感温部品の検出する温度との温度差を縮小できるという効果がある。 By configuring as described above, the flow of heat (heat conduction) transmitted from the mounting terminal is fast because it passes through the first and second heat conducting portions, and the temperature of the piezoelectric vibration element can be increased in a very short time. There is an effect that the temperature difference from the temperature detected by the temperature sensitive component can be reduced.
［適用例４］また圧電デバイスは、前記第１、第２の熱伝導部の少なくとも何れか一方の少なくとも一部は、前記容器の外側面に設けられたキャスタレーション内に配置されていることを特徴とする圧電デバイスである。 Application Example 4 In the piezoelectric device, at least a part of at least one of the first and second heat conducting units is disposed in a castellation provided on an outer surface of the container. The piezoelectric device is characterized.
上記のように構成することにより、第１、第２の熱伝導部少なくとも何れか一方をキャスタレーション内に設けることにより、実装端子から伝わる熱の流れ（熱伝導）の速度は速く、極めて短時間で圧電振動素子の検出する温度と、感温部品の検出する温度との温度差を縮小できるという効果がある。 By configuring as described above, by providing at least one of the first and second heat conducting portions in the castellation, the speed of the heat flow (heat conduction) transmitted from the mounting terminal is fast and extremely short. Thus, the temperature difference between the temperature detected by the piezoelectric vibration element and the temperature detected by the temperature-sensitive component can be reduced.
［適用例５］また圧電デバイスは、前記第１、第２の熱伝導部のうちの一方の少なくとも一部は、前記第１の絶縁基板の内部に貫通配置され、他方の少なくとも一部は前記容器の外側面に設けられたキャスタレーション内に配置されていることを特徴とする圧電デバイスである。 Application Example 5 In the piezoelectric device, at least a part of one of the first and second heat conducting portions is disposed to penetrate inside the first insulating substrate, and at least a part of the other is the above-described one. The piezoelectric device is arranged in a castellation provided on an outer surface of the container.
上記のように構成することにより、実装端子から伝わる熱の流れ（熱伝導）は、基板内に設けた熱伝導部と、容器の側面に設けたキャスタレーション電極と、を経由するため熱伝導の速度が速く、極めて小さい時間で圧電振動素子の温度と、感温部品の検出する温度との温度差を縮小できるという効果がある。 By configuring as described above, the heat flow (heat conduction) transmitted from the mounting terminal passes through the heat conduction portion provided in the substrate and the castellation electrode provided on the side surface of the container. The speed is high, and there is an effect that the temperature difference between the temperature of the piezoelectric vibration element and the temperature detected by the temperature sensitive component can be reduced in a very short time.
［適用例６］また圧電デバイスは、前記第１、第２の熱伝導部の少なくとも何れか一方が、前記第１の絶縁基板の内部に貫通配置された熱伝導部と、前記絶縁容器外側面に設けられたキャスタレーション内に配置された熱伝導部と、が連結していることを特徴とする圧電デバイスである。 [Application Example 6] In the piezoelectric device, at least one of the first and second heat conduction portions includes a heat conduction portion in which the first insulation substrate penetrates, and an outer surface of the insulating container. The piezoelectric device is characterized in that it is connected to a heat conducting portion arranged in a castellation provided in the.
上記のように構成することにより、実装端子から伝わる熱の流れ（熱伝導）は、基板内に設けた熱伝導部と、容器の側面に設けたキャスタレーション電極と、を経由するため熱伝導の速度が速く、極めて小さい時間で圧電振動素子の温度と、感温部品の検出する温度との温度差を縮小できるという効果がある。 By configuring as described above, the heat flow (heat conduction) transmitted from the mounting terminal passes through the heat conduction portion provided in the substrate and the castellation electrode provided on the side surface of the container. The speed is high, and there is an effect that the temperature difference between the temperature of the piezoelectric vibration element and the temperature detected by the temperature sensitive component can be reduced in a very short time.
［適用例７］また圧電デバイスは、前記第１の収容部を気密封止する蓋部材を備え、前記蓋部材は、前記容器の内部を貫通する第３の熱伝導部により前記感温部品と接続する実装端子と電気的に接続されていることを特徴とする圧電デバイスである。 Application Example 7 In addition, the piezoelectric device includes a lid member that hermetically seals the first housing portion, and the lid member is connected to the temperature-sensitive component by a third heat conduction portion that penetrates the inside of the container. The piezoelectric device is electrically connected to a mounting terminal to be connected.
上記のように構成することにより、実装端子と蓋部材との熱伝導の速度は速くなり、実装端子と接続する感温部品の温度と、蓋部材に近接して配置された圧電振動素子の温度と、の温度差を極めて短時間で縮小できるという効果がある。 By configuring as described above, the speed of heat conduction between the mounting terminal and the lid member is increased, the temperature of the temperature-sensitive component connected to the mounting terminal, and the temperature of the piezoelectric vibration element disposed in the vicinity of the lid member. The temperature difference can be reduced in a very short time.
［適用例８］また圧電デバイスは、前記圧電振動素子は、前記圧電振動素子の圧電基板が、水晶の結晶軸である電気軸としてのＸ軸と、機械軸としてのＹ軸と、光学軸としてのＺ軸と、からなる直交座標系の前記Ｘ軸を中心として、前記Ｚ軸を前記Ｙ軸の−Ｙ方向へ所定の角度だけ傾けた軸をＺ’軸とし、前記Ｙ軸を前記Ｚ軸の＋Ｚ方向へ前記所定の角度だけ傾けた軸をＹ’軸とし、前記Ｘ軸と前記Ｚ’軸に平行な面で構成され、前記Ｙ’軸に平行な方向を厚みとする水晶基板であり、前記Ｘ軸に平行な辺を長辺とし、前記Ｚ’軸に平行な辺を短辺とした水晶基板を用いたＡＴカット水晶振動素子であることを特徴とする圧電デバイスである。 Application Example 8 In the piezoelectric device, the piezoelectric vibrating element includes an X axis as an electric axis that is a crystal axis of crystal, a Y axis as a mechanical axis, and an optical axis. Z-axis is an axis obtained by tilting the Z-axis by a predetermined angle with respect to the -Y direction of the Y-axis, with the X-axis of the Cartesian coordinate system consisting of the Z-axis and the Y-axis being the Z-axis A crystal substrate having an axis inclined by the predetermined angle in the + Z direction as a Y ′ axis, a plane parallel to the X axis and the Z ′ axis, and having a thickness parallel to the Y ′ axis. The piezoelectric device is an AT-cut quartz crystal resonator element using a quartz substrate having a side parallel to the X axis as a long side and a side parallel to the Z ′ axis as a short side.
上記のように、圧電基板にＡＴカット水晶基板を用いることにより、圧電デバイスの周波数温度特性は優れた３次特性となり、今までに蓄積された温度補償技術が有効に活用できるという効果がある。また、ＡＴカット水晶基板のエッチング手法も長い間の経験に裏打ちされているので、高周波で小型の圧電基板が量産できるという利点がある。 As described above, by using an AT-cut quartz substrate as the piezoelectric substrate, the frequency temperature characteristic of the piezoelectric device becomes an excellent third-order characteristic, and there is an effect that the temperature compensation technology accumulated so far can be effectively used. Moreover, since the AT-cut quartz substrate etching method has been backed by long experience, there is an advantage that a small piezoelectric substrate can be mass-produced at a high frequency.
［適用例９］また圧電デバイスは、前記圧電振動素子が、音叉型水晶振動素子であることを特徴とする圧電デバイスである。 Application Example 9 In the piezoelectric device, the piezoelectric vibration element is a tuning fork type crystal vibration element.
上記のように、圧電振動素子に音叉型水晶振動素子を用いることにより、高周波を分周することなく低周波が得られるという利点がある。 As described above, the use of a tuning fork type quartz vibrating element as the piezoelectric vibrating element has an advantage that a low frequency can be obtained without dividing a high frequency.
［適用例１０］また圧電デバイスは、前記圧電振動素子が、ＡＴカット水晶振動素子と音叉型水晶振動素子とが前記第１の収容部に併置されていることを特徴とする圧電デバイスである。 Application Example 10 Further, the piezoelectric device is a piezoelectric device in which the piezoelectric vibration element includes an AT-cut crystal vibration element and a tuning fork type crystal vibration element arranged in the first housing portion.
上記のように構成すると、外部回路を用いることにより、高周波と低周波の２つの圧電発振器が温度補償され、高安定で短期安定度の優れた基準周波数が得られるという効果がある。 When configured as described above, by using an external circuit, two piezoelectric oscillators of high frequency and low frequency are temperature-compensated, and there is an effect that a reference frequency having high stability and excellent short-term stability can be obtained.
［適用例１１］本発明に係る電子機器は、上記の圧電デバイスを備えたことを特徴とする電子機器である。 Application Example 11 An electronic apparatus according to the present invention is an electronic apparatus including the piezoelectric device described above.
上記の圧電デバイスを用いて電子機器を製作すると、高安定で短期安定度の優れた基準周波数源が容易に構成できるという効果がある。 When an electronic apparatus is manufactured using the above-described piezoelectric device, a reference frequency source having high stability and excellent short-term stability can be easily configured.
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る圧電デバイス１の構成を示す概略図である。図１（ａ）は蓋部材を省略した平面図であり、同図（ｂ）は（ａ）のＱ−Ｑ断面図であり、同図（ｃ）は底面図である。圧電デバイス１は、図１（ｂ）に示すように、外部の発振回路及び補償回路（主回路基板上に搭載された発振回路部品及び補償回路部品）と接続されて、所望の周波数を出力する圧電振動素子１０と、圧電振動素子１０の温度を検出する感温部品３０と、圧電振動素子１０を収容する第１の収容部２７を表部（図１（ｂ）では上部）に有すると共に、感温部品３０を収容する第２の収容部２１を第１の収容部と反対側の底部（下部）に有した容器（パッケージ）２０と、第１の収容部２７を封止する蓋部材３８と、を備えている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a piezoelectric device 1 according to an embodiment of the present invention. FIG. 1A is a plan view in which the lid member is omitted, FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line QQ of FIG. 1A, and FIG. 1C is a bottom view. As shown in FIG. 1B, the piezoelectric device 1 is connected to an external oscillation circuit and compensation circuit (oscillation circuit component and compensation circuit component mounted on the main circuit board) and outputs a desired frequency. The
容器２０の一例は、図１（ｂ）に示すように、中央部に貫通孔２１を有する矩形状の第１の絶縁基板２０ａと、矩形平板状の第２の絶縁基板２０ｂと、中央に大きな貫通孔を有する額縁平板状の第３の基板２０ｃと、を積層して形成されている。第２の絶縁基板２０ｂの表面と、第３の基板２０ｃの貫通孔とで、圧電振動素子１０を収容する第１の収容部（キャビティー）２７を形成する。更に、第１の絶縁基板２０ａの貫通孔２１と、第２の絶縁基板２０ｂの裏面とで、感温部品３０を収容する第２の収容部２１を形成する。なお、第１の絶縁基板２０ａ、第２の絶縁基板２０ｂ、及び第３の基板２０ｃの角隅部の側壁には、キャスタレーションＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４が形成されている。
As shown in FIG. 1B, an example of the
図２は、図１（ｂ）に示す容器２０に用いる第１の絶縁基板２０ａと、第２の絶縁基板２０ｂの構成を示す図である。図２（ａ）、（ｂ）は、夫々第２の絶縁基板２０ｂの表面と裏面の構成を示す平面図と裏面図である。第２の絶縁基板２０ｂの表面には、図２（ａ）に示すように、長手方向と直交して端部寄りに、圧電振動素子１０を搭載する一対の第１の電極パッド２８ａ、２８ｂが直線上に形成されている。また、裏面には、図２（ｂ）に示すように、実装端子２２ｂ、２２ｄと第１の電極パッド２８ｂ、２８ａとを夫々導通接続するための第１の配線パターン２６ａ、２６ａが形成されている。更に、実装端子２２ａ、２２ｃと、第２の電極パッド２９ａ、２９ｂとを夫々導通接続するための第２の配線パターン２６ｂ、２６ｂが形成されている。
図２（ｃ）は、第１の絶縁基板２０ａの底部の構成を示す裏面図であり、矩形状の第１の絶縁基板２０ａの中央部には貫通孔２１が設けられ、底部の４つの隅部に実装端子２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄが形成されている。なお、第１の絶縁基板２０ａの表部には、配線パターン等は形成されていない。また、第３の基板２０ｃは、中央部を中空とした環状体であり、環状囲繞部の上部周縁にシールリングが焼成された絶縁基板である。
FIG. 2 is a diagram illustrating the configuration of the first insulating
FIG. 2C is a back view showing the configuration of the bottom of the first insulating
第１及び第２の絶縁基板２０ａ、２０ｂの絶縁体内部には、ビア電極（ビアホール（貫通孔）にビア電極ペーストを充填し、焼成形成した導体）が形成されている。図１に示す実施形態例を図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を参照して説明する。第１の絶縁基板２０ａの絶縁体の肉厚内部には、底部に形成された実装端子２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄと、第２の絶縁基板２０ｂの裏面に設けられた中継パッド４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ｄと、を夫々導通接続するビア電極２４ａ、２３ａ、２４ｂ、２３ｂが貫通形成されている。また、第２の絶縁基板２０ｂの絶縁体内部には、表面の第１の電極パッド２８ａ、２８ｂと、裏面の第１の配線パターン２６ａ、２６ａとを夫々導通接続するビア電極２３ｃ、２３ｄが貫通形成されている。
A via electrode (a conductor formed by filling a via hole (through hole) with a via electrode paste and firing) is formed inside the insulators of the first and second
実装端子２２ａ、２２ｃは、夫々ビア電極２４ａ、２４ｂを介して中継パッド４０ａ、４０ｃに接続し、中継パッド４０ａ、４０ｃは夫々第２の配線パターン２６ｂ、２６ｂを介して感温部品３０を搭載する第２の電極パッド２９ａ、２９ｂと導通接続している。
また、実装端子２２ｂ、２２ｄは、夫々第１の絶縁基板２０ａを貫通するビア電極２３ａ、２３ｂを介して中継パッド４０ｂ、４０ｄに導通接続し、中継パッド４０ｂ、４０ｄは第１の配線パターン２６ａ、２６ａを介して、第２の絶縁基板２０ｂを貫通するビア電極２３ｄ、２３ｃと接続している。そして、ビア電極２３ｄ、２３ｃは、夫々第１の電極パッド２８ｂ、２８ａと導通接続している。つまり、実装端子２２ｂ、２２ｄは、圧電振動素子１０搭載用の第１の電極パッド２８ｂ、２８ａと導通接続し、実装端子２２ａ、２２ｃは、感温部品３０搭載用の第２の電極パッド２９ａ、２９ｂと導通接続している。ここで、第１の電極パッド２８ａ、２８ｂに接続するビア電極２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄを第１の熱伝導部と称し、第２の電極パッド２９ａ、２９ｂに接続するビア電極２４ａ、２４ｂを第２の熱伝導部と称する。なお、図２（ａ）、（ｂ）に示す第２の絶縁基板２０ｂ、同図（ｃ）に示す第１の絶縁基板２０ａのキャスタレーションＣ１〜Ｃ４の壁面には電極が焼成されていない例である。
The mounting
Further, the mounting
図３は他の例に係る圧電デバイス１を構成する第１及び第２の絶縁基板２０ａ１、２０ｂ１の構成を示す図である。図３（ａ）は他の例に係る第２の絶縁基板２０ｂ１の平面（表面）図であり、同図（ｂ）は第２の絶縁基板２０ｂ１の裏面図であり、同図（ｃ）は他の例に係る第１の絶縁基板２０ａ１の裏面図である。図２に示した第１及び第２の絶縁基板２０ａ、２０ｂと、図３に示した他の第１及び第２の絶縁基板２０ａ１、２０ｂ１との違いは、図３に示す例では、キャスタレーションＣ１〜Ｃ４の側面には金属膜が焼成されてキャスタレーション電極Ｃｅ１〜Ｃｅ４となり、実装端子２２ａ〜２２ｄ、中継パッド４０ａ〜４０ｄとキャスタレーション電極Ｃｅ１〜Ｃｅ４とが配線により導通している点である。従って、実装端子２２ａ〜２２ｄと、第１及び第２の電極パッド２８ａ、２８ｂ、及び２９ａ、２９ｂとの導通接続は、第１及び第２の熱伝導部を経由しても可能であり、またキャスタレーション電極Ｃｅ１〜Ｃｅ４を経由しても可能である。
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of the first and second insulating substrates 20a1 and 20b1 constituting the piezoelectric device 1 according to another example. FIG. 3A is a plan (front) view of the second insulating substrate 20b1 according to another example, FIG. 3B is a back view of the second insulating substrate 20b1, and FIG. It is a back view of the 1st insulating substrate 20a1 which concerns on another example. The difference between the first and second
また、図４は他の例に係る圧電デバイス１を構成する第１及び第２の絶縁基板２０ａ２、２０ｂ２の構成を示す図である。図４（ａ）は他の例に係る第２の絶縁基板２０ｂ２の表面図であり、同図（ｂ）は第２の絶縁基板２０ｂ２の裏面図であり、同図（ｃ）は他の例に係る第１の絶縁基板２０ａ２の裏面図である。図４に示すキャスタレーションＣ１〜Ｃ４の側面には金属膜が焼成されてキャスタレーション電極Ｃｅ１〜Ｃｅ４となっている。しかし、第１の絶縁基板２０ａ２と第２の絶縁基板２０ｂ２とを導通接続するビア電極は設けていない。従って、実装端子２２ａ〜２２ｄと、第１及び第２の電極パッド２８ａ、２８ｂ、及び２９ａ、２９ｂとの導通接続は、キャスタレーション電極Ｃｅ１〜Ｃｅ４を経由して行われる。
FIG. 4 is a diagram showing the configuration of the first and second insulating substrates 20a2 and 20b2 constituting the piezoelectric device 1 according to another example. FIG. 4A is a front view of a second insulating substrate 20b2 according to another example, FIG. 4B is a rear view of the second insulating substrate 20b2, and FIG. 4C is another example. It is a back view of the 1st insulating substrate 20a2 concerning. A metal film is baked on the side surfaces of the castellations C1 to C4 shown in FIG. 4 to form castellation electrodes Ce1 to Ce4. However, a via electrode for electrically connecting the first insulating substrate 20a2 and the second insulating substrate 20b2 is not provided. Accordingly, the conductive connection between the mounting
図１に示す実施形態の圧電デバイス１は、容器２０が、第２の収容部２１を形成する貫通孔を有し、且つ底部の角隅部に複数の実装端子２２（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ）（図１の実施例）を備えた第１の絶縁基板２０ａを有している。更に、容器２０は、第１の絶縁基板２０ａの表部に対して裏面を積層固定され、裏面とは反対側の表面に圧電振動素子１０を搭載する第１の電極パッド２８ａ、２８ｂが形成されると共に、裏面には実装端子２２ｂ、２２ｄと、第１の電極パッド２８ｂ、２８ａとを導通する第１の配線パターン２６ａ、２６ａと、実装端子２２ａ、２２ｃと第２の電極パッド２９ａ、２９ｂとを導通接続する第２の配線パターン２６ｂ、２６ｂと、が形成された第２の絶縁基板２０ｂを有している。
更に、容器２０は、図１（ｂ）に示した実施形態例では、第２の絶縁基板２０ｂの表面に対して底部を積層固定され、上部にメタライズ部（図示せず）が焼成された枠状の第３の基板２０ｃを有している。
つまり、図１（ｂ）に示した実施形態例では、容器２０は、第１の絶縁基板２０ａ、第２の絶縁基板２０ｂ、及び第３の基板２０ｃを積層して構成されている。
In the piezoelectric device 1 of the embodiment shown in FIG. 1, the
Further, in the embodiment shown in FIG. 1B, the
That is, in the embodiment shown in FIG. 1B, the
容器２０の実装端子２２（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ）、第１の熱伝導部（ビア電極）２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄと、第２の熱伝導部（ビア電極）２４ａ、２４ｂと、第１及び第２の配線パターン２６ａ、２６ｂに用いる金属材料としては、例えばタングステン材を例示することができる。第３の基板２０ｃの上面周縁に形成されるメタライズ部としてもタングステン材を用いることができる。
Mounting terminals 22 (22a, 22b, 22c, 22d) of the
図１、図２に示した圧電デバイス１の構成例では、ビア電極（第１の熱伝導部）２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄと、ビア電極（第２の熱伝導部）２４ａ、２４ｂと、を用いて、実装端子２２と、圧電振動素子１０、感温部品３０との導通を図っている。
図３に示した絶縁基板を用いて形成した容器２０を使用して圧電デバイス１を構成した場合は、第１の熱伝導部（ビア電極）２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄ、及び第２の熱伝導部（ビア電極）２４ａ、２４ｂと、キャスタレーション電極Ｃｅ１〜Ｃｅ４と、を使って、実装端子２２と、圧電振動素子１０、感温部品３０との導通を図っている。しかし、電気的には第１の熱伝導部及び第２の熱伝導部と、キャスタレーション電極Ｃｅ１〜Ｃｅ４との両方を共に必要とするわけではないが、圧電振動素子１０と感温部品３０との熱的平衡状態、即ち両者がほぼ同じ温度となる状態をつくるには、必要となる場合がある。
また、図４に示した第１及び第２の絶縁基板２０ａ２、２０ｂ２を用いて形成した容器２０を使って圧電デバイス１を構成する例では、実装端子２２と、圧電振動素子１０、感温部品３０との導通接続は、キャスタレーション電極Ｃｅ１〜Ｃｅ４を経由して行われる。
In the configuration example of the piezoelectric device 1 shown in FIG. 1 and FIG. 2, via electrodes (first heat conducting portions) 23a, 23b, 23c, 23d, via electrodes (second heat conducting portions) 24a, 24b, Is used to connect the mounting
When the piezoelectric device 1 is configured using the
Moreover, in the example which comprises the piezoelectric device 1 using the
図１の実施形態例に用いられる圧電振動素子１０には、例えばＡＴカット水晶振動素子がある。水晶等の圧電材料は三方晶系に属し、図５に示すように互いに直交する結晶軸Ｘ、Ｙ、Ｚを有する。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は、夫々電気軸、機械軸、光学軸と呼称される。ＡＴカット水晶基板１２は、ＸＺ面をＸ軸の回りに角度θだけ回転させた平面に沿って、水晶から切り出された平板である。ＡＴカット水晶基板１２の場合は、θは略３５°１５′である。なお、Ｙ軸及びＺ軸もＸ軸の周りにθ回転させて、夫々Ｙ’軸、及びＺ’軸とする。従って、ＡＴカット水晶基板１２は、直交する結晶軸Ｘ、Ｙ’、Ｚ’を有する。ＡＴカット水晶基板１２は、厚み方向がＹ’軸であって、Ｙ’軸に直交するＸＺ’面（Ｘ軸及びＺ’軸を含む面）が主面であり、厚みすべり振動が主振動として励振される。
The
即ち、図１に示す圧電基板１２は、図５に示すようにＸ軸（電気軸）、Ｙ軸（機械軸）、Ｚ軸（光学軸）からなる直交座標系のＸ軸を中心として、Ｚ軸をＹ軸の−Ｙ方向へ傾けた軸をＺ’軸とし、Ｙ軸をＺ軸の＋Ｚ方向へ傾けた軸をＹ’軸とし、Ｘ軸とＺ’軸に平行な面で構成され、Ｙ’軸に平行な方向を厚みとするＡＴカット水晶基板からなる。
That is, as shown in FIG. 5, the
ＡＴカット水晶基板の外形形状は、一般的にＸ軸方向を長手方向とする矩形状であり、Ｙ’軸方向の厚さで周波数が決まる。周波数が高い場合には平板形状の水晶基板が用いられるが、周波数が低い場合にはメサ型水晶基板（周辺部に比べ中央部を厚くした水晶基板）１２が用いられる。図６はメサ型水晶振動素子の一例であり、同図（ａ）は平面図であり、同図（ｂ）はＱ−Ｑ断面図である。
水晶基板１２は、その中央に位置し主たる振動領域となる励振部１３と、励振部１３より薄肉で励振部１３の周縁に沿って形成された、従たる振動領域となる周辺部１５と、を有している。つまり、振動領域は、後述するように、励振部１３と、周辺部１５の一部に跨っている。
平面形状がほぼ矩形である励振部１３の対向する２つの側面（短手方向に沿った両側面）は夫々無段差状の１つの平面であり、励振部１３の他の対向する２つの側面（長手方向に沿った２つの側面）は夫々厚み方向に段差部を有した構造をしている。
The external shape of the AT-cut quartz substrate is generally a rectangular shape with the X-axis direction as the longitudinal direction, and the frequency is determined by the thickness in the Y′-axis direction. When the frequency is high, a flat plate-shaped quartz substrate is used, but when the frequency is low, a mesa-type quartz substrate (a quartz substrate having a thicker central portion than the peripheral portion) 12 is used. FIG. 6 shows an example of a mesa-type crystal resonator element, where FIG. 6A is a plan view and FIG. 6B is a QQ cross-sectional view.
The
The two opposing side surfaces (both side surfaces along the short side direction) of the
水晶基板１２の励振部１３の表裏に励振電極１４ａ、１４ｂを形成し、励振電極１４ａ、１４ｂの夫々から、水晶基板１２の端部に設けた端子電極１８ａ、１８ｂに向かって延びるリード電極１６ａ、１６ｂを形成する。
励振電極１４ａ、１４ｂに交番電圧を印加すると、水晶振動素子１０は固有の振動周波数で励振される。
また、図１に示す圧電デバイス１に用いる感温部品３０は、温度変化に応じて物理量、例えば電気抵抗が変わるサーミスタを用いる。サーミスタ３０の電気抵抗を外部回路で検出し、サーミスタ３０の検出する温度が測定できる。
When an alternating voltage is applied to the
Further, the temperature
本発明に係る圧電デバイス１によれば、圧電振動素子１０の温度と、感温部品３０の検出する温度と、がほぼ等しくなるように、圧電振動素子１０、感温部品３０の熱容量を考慮し、第１の熱伝導部（ビア電極）２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄ、及び第１の配線パターン２６ａと、第２の熱伝導部（ビア電極）２４ａ、２４ｂ、及び第２の配線パターン２６ｂと、を適切に設定することができる。つまり、実装端子２２ｂ、２２ｄと圧電振動素子１０とを接続する第１の熱伝導部（ビア電極）２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄの熱伝導率、長さ及び太さ、及び配線パターン２６ａの熱伝導率、幅、厚さ、長さと、実装端子２２ａ、２２ｃと感温部品３０とを接続する第２の熱伝導部（ビア電極）２４ａ、２４ｂの熱伝導率、長さ及び太さ、及び第２の配線パターン２６ｂの熱伝導率、幅、厚さ、長さと、を圧電振動素子１０の温度と、感温部品３０の温度と、がほぼ等しくなるように、即ち両者の熱的平衡状態が素早く達成されるように、上記部材の種類、寸法形状を適切に設定することでができる。
According to the piezoelectric device 1 according to the present invention, the heat capacity of the
図７（ａ）は、圧電デバイス１の熱の主伝導経路を示す断面図であり、同図（ｂ）は圧電デバイス１に使用される部材の熱伝導率を示す表である。圧電デバイス１を包む雰囲気内の空気の熱伝導率は極めて小さい。また、容器２０を主に構成するセラミック材（Ａｌ2Ｏ3）の熱伝導率は、例えば第１、第２の熱伝導部（ビア電極２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄ、２４ａ、２４ｂ）や第１、第２の配線パターン２６ａ、２６ｂに用いるタングステンの熱伝導率に比べて１／１０程度である。従って、主回路基板（マザーボード）の各種の増幅器等から生じる熱の大部分は、実装端子２２からビア電極、配線パターンを経由して、圧電振動素子１０と感温部品３０とに伝導する。
FIG. 7A is a cross-sectional view showing a main conduction path of heat of the piezoelectric device 1, and FIG. 7B is a table showing the thermal conductivity of members used in the piezoelectric device 1. The thermal conductivity of air in the atmosphere surrounding the piezoelectric device 1 is extremely small. Further, the thermal conductivity of the ceramic material (Al 2 O 3 ) that mainly constitutes the
圧電振動素子１０の温度上昇に関与する経路においては、端子電極２２ｂ、２２ｄに伝達した熱は、ビア電極２３ａ、２３ｂを経由して第１の配線パターン２６ａ、２６ａに伝わり、ビア電極２３ｄ、２３ｃを経由して、第１の電極パッド２８ｂ、２８ａ、導電性接着剤３５を介して圧電振動素子１０の端子電極１８ｂ、１８ａ、リード電極１６ｂ、１６ａを経て励振電極１４ｂ、１４ａに伝わり、圧電基板１２の温度を上昇させる。
また、感温部品３０の温度上昇に関与する経路としては、端子電極２２ａ、２２ｃに伝達した熱は、ビア電極２４ａ、２４ｂを経由して第２の配線パターン２６ｂ、２６ｂに伝わり、第２の配線パターン２６ｂ、２６ｂから第２の電極パッド２９ａ、２９ｂを介し、半田層を経て感温部品３０に伝導して感温部品３０の温度を上昇させる。
In the path related to the temperature rise of the
Further, as a path related to the temperature rise of the temperature
容器２０の形状寸法とメタライズ材を設定した後は、圧電振動素子１０、感温部品３０の夫々の熱容量に応じて実装端子２２から熱が流れるように、第１の絶縁基板２０ａのビア電極２３ａ、２３ｂの径φ１、第１の配線パターン２６ａ、２６ａの幅と厚さ、第２の絶縁基板２０ｂのビア電極２３ｃ、２３ｄの径φ２と、第１の絶縁基板２０ａのビア電極２４ａ、２４ｂの径φ３、第２の配線パターン２６ｂの幅と厚さと、を圧電振動素子１０、感温部品３０の温度が夫々ほぼ等しくなるように設定する。
また、第１の熱伝導部（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄ）と、第２の熱伝導部（２４ａ、２４ｂ）の熱量の伝導が等しい場合には、圧電振動素子１０、感温部品３０の夫々の熱容量に応じて第１、第２の配線パターンの夫々の長さ、幅を設定する必要がある。
After setting the shape and metallization material of the
Further, when the heat conduction of the first heat conduction part (23a, 23b, 23c, 23d) and the second heat conduction part (24a, 24b) is equal, the
図１６は圧電デバイスの配線導体の長さを説明する模式図である。図７（ｂ）に示す各部材の熱伝導率から明らかなように、圧電振動素子１０の励振電極、リード電極の材料である金（Ａｕ）を除けば、容器２０のメタライズを構成するタングステン（Ｗ）の熱伝導率が圧倒的に大きい。従って、圧電振動素子１０、感温部品３０への熱の伝導は、主として配線導体を経由すると考えてよい。圧電振動素子１０用の実装端子に接続するビア電極の中心T１、T２と、圧電振動素子１０の端子電極１８ａ、１８ｂとの配線導体の長さを夫々Ｌ１、Ｌ２とする。また、感温部品用３０の実装端子に接続するビア電極の中心T３、T４と、感温部品用３０の端子３０ａ、３０ｂとの配線導体の長さを夫々Ｌ３、Ｌ４とする。実装端子の中心Ｔ１、Ｔ２と、圧電振動素子１０の端子電極１８ａ、１８ｂとの配線導体の長さの合計は（Ｌ１＋Ｌ２）であり、実装端子の中心Ｔ３，Ｔ４と、感温部品３０の端子３０ａ、３０ｂとの配線導体の長さの合計は（Ｌ３＋Ｌ４）である。夫々の配線導体の長さを等しく、つまり（Ｌ１＋Ｌ２）＝（Ｌ３＋Ｌ４）に設定した場合に、圧電振動素子１０と感温部品３０との温度が夫々ほぼ等しくなるように設定できる。
FIG. 16 is a schematic diagram for explaining the length of the wiring conductor of the piezoelectric device. As is apparent from the thermal conductivity of each member shown in FIG. 7B, tungsten (which constitutes the metallization of the container 20) except for gold (Au) which is a material of the excitation electrode and the lead electrode of the
図１の実施形態例に示すように圧電デバイス１を構成すると、圧電振動素子１０の温度と、感温部品３０の検出する温度との温度差を縮小することが可能となり、外部回路と接続されて良好な周波数温度特性が得られ、また優れた周波数ドリフト特性（短期安定度）特性を有する温度補償型圧電発振器が実現できるという効果がある。
また、第１、第２の熱伝導部を経由するため、実装端子から伝わる熱の流れ（熱伝導）の速度は、速く、極めて短時間で圧電振動素子１０の検出する温度と、感温部品３０の検出する温度との温度差を縮小できるという効果がある。
また、圧電基板１２にＡＴカット水晶基板を用いることにより、圧電デバイス１の周波数温度特性は優れた３次特性となり、今までに蓄積された温度補償技術が有効に活用できるという効果がある。さらに、ＡＴカット水晶基板のエッチング手法も長い間の経験に裏打ちされているので、高周波で小型の圧電基板が量産できるという利点がある。
If the piezoelectric device 1 is configured as shown in the embodiment of FIG. 1, the temperature difference between the temperature of the
In addition, since it passes through the first and second heat conducting portions, the speed of the heat flow (heat conduction) transmitted from the mounting terminal is high, and the temperature detected by the
In addition, by using an AT-cut quartz substrate for the
図８は、図３に示した第１及び第２の絶縁基板２０ａ１、２０ｂ１を用いた第２の実施形態例である圧電デバイス２の断面図と、その図に重ねて熱の伝導経路を示した図である。図１の圧電デバイス１と異なる点は、図３に示すように、キャスタレーションＣ１〜Ｃ４内にメタライズを施し、キャスタレーション電極Ｃｅ１〜Ｃｅ４とした点である。つまり、実装端子２２からキャスタレーション電極Ｃｅ１〜Ｃｅ４を経由して、圧電振動素子１０、感温部品３０へ伝導される熱も考慮している。キャスタレーション電極Ｃｅ１〜Ｃｅ４の形状は対称であるので、これらを流れる熱量はほぼ等しいと考えられ、キャスタレーション電極Ｃｅ１〜Ｃｅ４から圧電振動素子１０、感温部品３０への配線パターンの長さと、幅は両者の熱容量を考慮して設定する。
FIG. 8 shows a cross-sectional view of the piezoelectric device 2 as the second embodiment using the first and second insulating substrates 20a1 and 20b1 shown in FIG. 3, and a heat conduction path superimposed on the figure. It is a figure. The difference from the piezoelectric device 1 in FIG. 1 is that metallization is performed in the castellations C1 to C4 to form castellation electrodes Ce1 to Ce4, as shown in FIG. That is, the heat conducted from the mounting
図８に示す実施形態例の圧電デバイス２に示すように、第１、第２の熱伝導部の少なくとも何れか一方をキャスタレーションＣ１〜Ｃ４内に設けることにより、実装端子２２から伝わる熱の流れ（熱伝導）の速度は速く、極めて短時間で圧電振動素子１０の検出する温度と、感温部品３０の検出する温度との温度差を縮小できるという効果がある。
実装端子２２から伝わる熱の流れ（熱伝導）は、基板内に設けた熱伝導部と、容器の側面に設けたキャスタレーション電極Ｃｅ１〜Ｃｅ４とを経由するため、熱伝導の速度が速く、極めて短い時間で圧電振動素子の検出する温度と、感温部品検出する温度との温度差を縮小できるという効果がある。
As shown in the piezoelectric device 2 of the embodiment shown in FIG. 8, the flow of heat transmitted from the mounting
Since the heat flow (heat conduction) transmitted from the mounting
図９（ａ）は第３の実施形態例の圧電デバイス３の構成を示す断面図であり、同図（ｂ）は第２の絶縁基板２０ｂ３の裏面図であり、同図（ｃ）は第１の絶縁基板２０ａ３の裏面図である。図１に示す圧電デバイス１では、圧電振動素子１０へ接続する実装端子２２ｂ、２２ｄは、第１の絶縁基板２０ａの底部に対角状に配置されているが、図９に示す実施形態例の圧電デバイス３では、圧電振動素子１０用の実装端子２２ａ、２２ｂを、第１の絶縁基板２０ａＡの底部の短辺側の一方の端部に配置し、感温部品３０用の実装端子を短辺側の他方の端部に配置している点が異なる。これは、実装端子２２と圧電振動素子１０との接続経路を配線パターンを介さないストレートな第１の熱伝導部で導通接続するようにしたからである。
FIG. 9A is a cross-sectional view showing the configuration of the piezoelectric device 3 of the third embodiment, FIG. 9B is a back view of the second insulating substrate 20b3, and FIG. It is a back view of 1 insulation board 20a3. In the piezoelectric device 1 shown in FIG. 1, the mounting
図１に示す実施形態の圧電デバイス１では、実装端子２２ｂ（２２ｄ）は、ビア電極２３ａ（２３ｂ）、第１の配線パターン２６ａ、ビア電極２３ｄ（２３ｃ）、第１の電極パッド２８ｂ（２８ａ）を経由して圧電振動素子１０に接続している。これに対し、図９に示す実施形態の圧電デバイス３では、実装端子２２ａ、２２ｂは、第１の絶縁基板２０ａ３を貫通するビア電極２３ａ、２３ｂと、第２の絶縁基板２０ｂ３と貫通するビア電極２３ｃ、２３ｄとがストレートに接続されており、第１の電極パッド２８ａ、２８ｂを経て圧電振動素子１０に導通接続されている。つまり、第１の配線パターン２６ａを経ずに、実装端子２２ａ、２２ｂは、第１の熱伝導部（ビア電極２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄ）のみで圧電振動素子１０と導通接続されている。実装端子２２ｃ、２２ｄと感温部品３０との導通経路は、圧電デバイス１とほぼ同様である。このように、実装端子２２と圧電振動素子１０との伝導経路が第１の配線パターン２６ａを経由しないと、熱の伝導性も良く成り、圧電振動素子１０の温度と、感温部品３０の温度とをほぼ等しくするのが容易となる。
In the piezoelectric device 1 of the embodiment shown in FIG. 1, the mounting
図９の実施形態例に示すように圧電デバイス３を構成することにより、極めて短時間で圧電振動素子１０の温度と、感温部品３０の検出する温度との温度差を縮小することが可能となり、外部回路と接続されて、優れた周波数ドリフト特性（短期安定度）特性を有する温度補償型圧電発振器が実現できるので、ＧＰＳ等の性能を改善できるという効果がある。
By configuring the piezoelectric device 3 as shown in the embodiment of FIG. 9, it is possible to reduce the temperature difference between the temperature of the
図１０は、第４の実施形態例の圧電デバイス４の構成を示す断面図である。圧電デバイス４が図８に示す第２の実施形態例の圧電デバイス２と異なる点は、第２の絶縁基板２０ｂ４と第３の基板２０ｃ４とを貫通するビア電極２４ｇを設けている点である。図１０（ａ）に示すように、ビア電極２４ｂとビア電極２４ｇとを直線的に導通接続し、１つの実装端子２２ｃ（接地用）と蓋部材３８との導通を図っている。感温部品３０の一方の端子電極は接地して用いる場合が多いので、感温部品３０と接続する実装端子２２ｃと、第３の基板２０ｃの上部周縁に形成するシールリング（図示せず）とを導通接続するには、ビア電極２４ｂに直結するビア電極２４ｇを設ければよい。図１０に示す断面図ではキャスタレーション電極Ｃｅ（Ｃｅ１〜Ｃｅ４）も示している。蓋部材３８を接地することにより圧電デバイス４からの高周波雑音の放射を防止できる。
FIG. 10 is a cross-sectional view showing the configuration of the piezoelectric device 4 according to the fourth embodiment. The piezoelectric device 4 is different from the piezoelectric device 2 of the second embodiment shown in FIG. 8 in that a via electrode 24g penetrating the second insulating substrate 20b4 and the third substrate 20c4 is provided. As shown in FIG. 10A, the via
圧電デバイス（感温部品内蔵の振動子）において、感温部品（サーミスタ）３０と蓋部材３８とを接続する利点は、次の通りである。即ち、蓋部材３８と圧電振動素子１０とは温度分布的に近い温度となる。そこで、蓋部材３８と感温部品３０とを第２の熱伝導部（ビア電極２４ｂ、２４ｇ）で導通接続すると、圧電振動素子１０の温度と感温部品３０との温度差が小さくなることが期待できる。つまり、圧電振動素子１０と、感温部品３０とは、短時間で熱的平衡状態に近づくことが推測される。更に感温部品３０の一方の端子電極が接続する実装端子を接地すると、主回路基板からの熱は接地から多く伝導されるので、この実装端子を経由して感温部品３０と蓋部材３８に熱が伝導し、熱的平衡状態が早まる。また、蓋部材３８を接地することによりシールド効果も同時に得られる。感温部品（サーミスタ）３０用に２つの実装端子と、圧電振動素子１０用に２つの実装端子の計４つの実装端子２２のうち、感温部品３０の一方の端子に繋がる実装端子２２ｃを接地すればよく、接地用の独立の実装端子を設けなくてもよい。
第２の熱伝導部（ビア電極２４ｂ、２４ｇ）を用いると、実装端子２２と蓋部材３８との熱伝導の速度は速くなり、実装端子２２と接続する感温部品３０の温度と、蓋部材３８に近接して配置された圧電振動素子１０の温度との温度差を極めて短時間で縮小できるという効果がある。
The advantages of connecting the temperature sensitive component (thermistor) 30 and the
When the second heat conduction part (via
図１１（ａ）は、第５の実施形態例の圧電デバイス５の構成を示す断面図であり、同図（ｂ）は、第２の絶縁基板２０ｂ５の平面図であり、同図（ｃ）は、（ｂ）のＱ−Ｑ断面図である。圧電デバイス５の構成が図１に示す圧電デバイス１の構成と異なる点は、図１に示す第３の基板２０ｃとして厚肉環状のシールリング４２を用い、図１１に示すように、第２の絶縁基板２０ｂ５の表面とシールリング４２とで第１の収容部２７を構成している点である。シールリング４２の上部にコバール等の蓋部材３８をシーム溶接することにより、第１の収容部２７を気密封止することができる。圧電デバイス５の方が圧電デバイス１より低背化が可能となる。
FIG. 11A is a cross-sectional view showing the configuration of the
図１２は、第６の実施形態の圧電デバイス６を用いる電子機器の一例としてデジタル携帯電話１００の構成を示す概略ブロック図である。圧電デバイス６は、既に説明した容器２０を用い、第１の収容部２７に音叉型水晶振動素子５０を、第２の収容部２１に感温部品３０を、収容し、蓋部材３８で第１の収容部２７を真空・密封した圧電デバイスである。
図１２に示すデジタル携帯電話１００で音声を送信する場合、使用者が自分の音声をマイクロフォンに入力すると、信号はパルス幅変調・符号化の回路と変調器／ 復調器の回路を経てトランスミッター、アンテナスイッチを介しアンテナから送信される。一方、他者から送信された信号は、アンテナで受信され、アンテナスイッチ、受信フィルター＋アンプ回路等を経て、レシーバー回路に入り、このレシーバー回路から変調器／ 復調器回路に入力される。そして、復調器回路で復調された信号がパルス幅変調・符号化回路を経てスピーカーから音声として出力されるように構成されている。アンテナスイッチや変調器／ 復調器ブ回路等を制御するためにコントローラが設けられている。
FIG. 12 is a schematic block diagram illustrating a configuration of a digital
In the case of transmitting voice with the digital
このコントローラは、上述の機能の他に表示部であるＬＣＤや、数字等の入力部であるキー、さらにＲＡＭやＲＯＭ等も制御するため、用いられる音叉振動子の周波数は、高精度、高安定度であることが求められる。この要求に応えるべく、感温部品３０と音叉振動素子５０とを、容器２０に収容した圧電振動子が、図１３に示す圧電デバイス６である。
つまり、第６の実施形態例の圧電デバイス６と、図１に示す圧電デバイス１との異なる点は、圧電デバイス１では圧電振動素子１０は厚みすべり振動素子を用いているが、圧電デバイス６では屈曲振動をする音叉型圧電振動素子５０を用いている点である。高周波が必要とされる場合は、圧電デバイス１が適し、低周波が要求される場合は圧電デバイス６が適している。
圧電振動素子１０に音叉型水晶振動素子５０を用いることにより、高周波を分周することなく所望の低周波得られるという利点がある。また、圧電デバイス１〜６及び後述する圧電デバイス７を用いて電子機器を製作すると、高安定で短期安定度の優れた基準周波数源が容易に構成できるという効果がある。
In addition to the functions described above, this controller controls the LCD, which is the display unit, the keys, which are input units for numbers, etc., and the RAM, ROM, etc., so the frequency of the tuning fork vibrator used is highly accurate and stable. The degree is required. In order to meet this requirement, the piezoelectric vibrator 6 in which the temperature
That is, the difference between the piezoelectric device 6 of the sixth embodiment and the piezoelectric device 1 shown in FIG. 1 is that, in the piezoelectric device 1, the
By using the tuning-fork type
音叉型圧電振動素子について簡単に説明する。図１４（ａ）は、音叉型圧電振動素子５０の平面図であり、同図（ｂ）は（ａ）のＰ−Ｐ断面図である。圧電基板５２は、フォトリソグラフィ技術とエッチング手法を用いて形成される。図１４（ａ）に示すように、互いに並行（平行）して直線状に延びる細幅帯状の複数の振動腕５５ａ、５５ｂと、各振動腕５５ａ、５５ｂの一方の端部（基端部）間を連接する基部５４と、各振動腕５５ａ、５５ｂの振動中心線に沿った表面及び裏面に夫々形成された溝部５７ａ、５７ｂ、５８ａ、５８ｂと、を備えている。
A tuning fork type piezoelectric vibration element will be briefly described. 14A is a plan view of the tuning-fork type
図１４（ｂ）は、各振動腕５５ａ、５５ｂに夫々形成された励振電極６０、６２、６４、６６の配置を示すＰ−Ｐ断面図である。励振電極６０、６４は、各溝部５７ａ（５７ｂ）、５８ａ（８ｂ）の表面、及び側面に形成され、励振電極６２、６６は各振動腕５５ａ、５５ｂの夫々両側面に形成されている。励振電極６０、６６と、励振電極６２、６４とは、互いに異符号の電圧が基部５４の電極パッド（図示せず）を介して印加されるように構成されている。つまり、励振電極６０、６６に＋電圧が印加されるとき、励振電極６２、６４には−電圧が印加され、図１４（ｂ）の矢印で示すような電界が生じ、圧電振動素子５０の重心を通る中心線に対し対称な音叉振動（屈曲振動）が励振される。
なお、溝部５７ａ（５７ｂ）、５８ａ（５８ｂ）を形成することにより、電界強度が強まり、音叉振動をより効率的に励振することができる。即ち、圧電振動素子のＣＩ（クリスタルインピーダンス）を小さくすることができる。
FIG. 14B is a PP cross-sectional view showing the arrangement of the
In addition, by forming the
図１５は、第７の実施形態例の圧電デバイス７の構成を示す図である。図１５（ａ）は平面図であり、同図（ｂ）は（ａ）のＱ−Ｑ断面図であり、同図（ｃ）は底面図である。図１に示す圧電デバイス１と異なる点は、第２の絶縁基板２０ｂ６の表面と、第３の絶縁基板２０ｃ６とで形成される第１の収容部２７に、厚みすべり振動の圧電振動素子１０ａと、屈曲振動の音叉型圧電振動素子１０ｂと、を併置して収容した点である。２つの圧電振動素子１０ａ、１０ｂを併置したので、第１の電極パッドは４個２８ａ〜２８ｄ必要となり、これに対応するビア電極も４つ必要となる。また、ビア電極の個数が増えるのに応じ、実装端子の数も多くなり、図１５の実施形態例では実装端子２２ａ〜２２ｆは、圧電デバイス７の裏面図に示すように、６個となる。
圧電デバイス７は、低周波と高周波の両方の周波数を必要とする電子機器には有用であり、１つの感温部品３０で２つの高精度の周波数を得ることができる。
圧電デバイス７を用いると、外部回路を用いることにより、高周波と低周波の２つの圧電発振器が温度補償され、高安定で短期安定度の優れた基準周波数が得られるという効果がある。
FIG. 15 is a diagram illustrating the configuration of the piezoelectric device 7 according to the seventh embodiment. 15A is a plan view, FIG. 15B is a QQ cross-sectional view of FIG. 15A, and FIG. 15C is a bottom view. 1 is different from the piezoelectric device 1 shown in FIG. 1 in that the first
The piezoelectric device 7 is useful for electronic devices that require both low frequency and high frequency, and two high-accuracy frequencies can be obtained with one temperature-
When the piezoelectric device 7 is used, by using an external circuit, two piezoelectric oscillators of high frequency and low frequency are temperature-compensated, and there is an effect that a reference frequency having high stability and excellent short-term stability can be obtained.
１、２、３、４、５、６、７…圧電デバイス、１０、１０ａ、１０ｂ…圧電振動素子、１２…圧電基板、１３…励振部、１４ａ、１４ｂ…励振電極、１５…周辺部、１６ａ、１６ｂ…リード電極、１８ａ、１８ｂ…端子電極、２０…容器、２０ａ、２０ａ１、２０ａ２、２０ａ３、２０ａ４、２０ａ５、２０ａ６…第１の絶縁基板、２０ｂ、２０ｂ１、２０ｂ２、２０ｂ３、２０ｂ４、２０ｂ５、２０ｂ６…第２の絶縁基板、２０ｃ、２０ｃ３、２０ｃ４、２０ｃ６…第３の基板、２１…第２の収容部、２２…実装端子、２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄ…第１の熱伝導部（ビア電極）、２４ａ、２４ｂ…第２の熱伝導部（ビア電極）、２４ｇ…ビア電極、２５…第３の熱伝導部（ビア電極）、２６ａ…第１の配線パターン、２６ｂ…第２の配線パターン、２７…第１の収容部、２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄ…第１の電極パッド、２９ａ、２９ｂ…第２の電極パッド、３０…感温部品、３５導電性接着剤…、３８…蓋部材、４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ｄ…中継パッド、４２…シールリング、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４…キャスタレーション、Ｃｅ１、Ｃｅ２、Ｃｅ３、Ｃｅ４…キャスタレーション電極
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 ...
Claims (11)
前記容器は、前記第２の収容部を構成する貫通孔を有し且つ底部に複数の実装端子を備えた第１の絶縁基板と、
前記第１の絶縁基板の前記底部とは反対側の表部に対して裏面を積層固定され、前記裏面とは反対側の表面に前記圧電振動素子搭載用の第１の電極パッドが設けられ、前記裏面に前記実装端子と前記第１の電極パッドとを導通させる第１の配線パターン、前記実装端子と前記感温部品とを導通させる第２の配線パターン、及び前記感温部品搭載用の第２の電極パッドが設けられた第２の絶縁基板と、
前記第２の絶縁基板の前記表面に積層固定され、前記第１の収容部を構成する第３の基板と、を備え、
少なくとも１つの前記実装端子と前記第１の電極パッドとは、第１の熱伝導部及び前記第１の配線パターンにより電気的に接続され、
他の少なくとも１つの前記実装端子と前記第２の電極パッドとは、第２の熱伝導部及び前記第２の配線パターンにより電気的に接続されていることを特徴とする圧電デバイス。 A piezoelectric vibration element; a temperature-sensitive component for detecting temperature; and a container having a first housing part for housing the piezoelectric vibration element and having a second housing part for housing the temperature-sensitive part. Piezoelectric device,
The container has a first insulating substrate having a through-hole constituting the second accommodating portion and having a plurality of mounting terminals at the bottom,
A back surface is laminated and fixed to a surface portion opposite to the bottom portion of the first insulating substrate, and a first electrode pad for mounting the piezoelectric vibration element is provided on a surface opposite to the back surface, A first wiring pattern for electrically connecting the mounting terminal and the first electrode pad to the back surface, a second wiring pattern for electrically connecting the mounting terminal and the temperature sensitive component, and a first wiring pattern for mounting the temperature sensitive component. A second insulating substrate provided with two electrode pads;
A third substrate that is laminated and fixed to the surface of the second insulating substrate and constitutes the first housing portion,
At least one of the mounting terminals and the first electrode pad are electrically connected by a first heat conducting portion and the first wiring pattern,
The other at least one mounting terminal and the second electrode pad are electrically connected by a second heat conducting portion and the second wiring pattern.
前記容器は、前記第２の収容部を構成する貫通孔を有し且つ底部に複数の実装端子を備えた第１の絶縁基板と、
前記第１の絶縁基板の前記底部とは反対側の表部に対してを積層固定され、前記裏面とは反対側の表面に前記圧電振動素子搭載用の第１の電極パッドが設けられ、前記裏面に前記実装端子と前記第１の電極パッドとを導通させる第１の配線パターン、前記実装端子と前記感温部品とを導通させる第２の配線パターン、及び前記感温部品搭載用の第２の電極パッドが設けられた第２の絶縁基板と、
前記第２の絶縁基板の前記表面に積層固定され、前記第１の収容部を構成する第３の基板と、を備え、
少なくとも１つの前記実装端子と前記第１の電極パッドとは、第１の熱伝導部により電気的に接続され、
他の少なくとも１つの前記実装端子と前記第２の電極パッドとは、第２の熱伝導部及び前記第２の配線パターンにより電気的に接続されていることを特徴とする圧電デバイス。 A piezoelectric vibration element; a temperature-sensitive component for detecting temperature; and a container having a first housing part for housing the piezoelectric vibration element and having a second housing part for housing the temperature-sensitive part. Piezoelectric device,
The container has a first insulating substrate having a through-hole constituting the second accommodating portion and having a plurality of mounting terminals at the bottom,
A first electrode pad for mounting the piezoelectric vibration element is provided on a surface opposite to the back surface, and is laminated and fixed to a surface portion opposite to the bottom portion of the first insulating substrate; A first wiring pattern for electrically connecting the mounting terminal and the first electrode pad on the back surface, a second wiring pattern for electrically connecting the mounting terminal and the temperature sensitive component, and a second for mounting the temperature sensitive component. A second insulating substrate provided with an electrode pad of
A third substrate that is laminated and fixed to the surface of the second insulating substrate and constitutes the first housing portion,
At least one of the mounting terminals and the first electrode pad is electrically connected by a first heat conducting unit,
The other at least one mounting terminal and the second electrode pad are electrically connected by a second heat conducting portion and the second wiring pattern.
前記蓋部材は、前記容器の内部を貫通する第３の熱伝導部により、前記感温部品と接続する実装端子と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至６のうち何れか一項に記載の圧電デバイス。 A lid member for hermetically sealing the first accommodating portion;
The lid member is electrically connected to a mounting terminal connected to the temperature-sensitive component by a third heat conducting portion that penetrates the inside of the container. The piezoelectric device according to claim 1.
前記Ｚ軸を前記Ｙ軸の−Ｙ方向へ所定の角度だけ傾けた軸をＺ’軸とし、
前記Ｙ軸を前記Ｚ軸の＋Ｚ方向へ前記所定の角度だけ傾けた軸をＹ’軸とし、
前記Ｘ軸と前記Ｚ’軸に平行な面で構成され、
前記Ｙ’軸に平行な方向を厚みとする水晶基板であり、
前記Ｘ軸に平行な辺を長辺とし、
前記Ｚ’軸に平行な辺を短辺とした水晶基板を用いたＡＴカット水晶振動素子であることを特徴とする請求項１乃至７のうち何れか一項に記載の圧電デバイス。 The piezoelectric substrate of the piezoelectric vibration element is centered on the X axis of an orthogonal coordinate system including an X axis as an electric axis which is a crystal axis of quartz, a Y axis as a mechanical axis, and a Z axis as an optical axis. As
An axis obtained by inclining the Z axis by a predetermined angle in the −Y direction of the Y axis is defined as a Z ′ axis.
An axis obtained by inclining the Y axis by the predetermined angle in the + Z direction of the Z axis is a Y ′ axis,
It is composed of a plane parallel to the X axis and the Z ′ axis,
A quartz substrate having a thickness in a direction parallel to the Y ′ axis,
The side parallel to the X axis is the long side,
8. The piezoelectric device according to claim 1, wherein the piezoelectric device is an AT-cut quartz crystal resonator element using a quartz substrate having a side parallel to the Z ′ axis as a short side.
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|---|---|
| JP (1) | JP2013102315A (en) |
Cited By (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104601136A (en) * | 2013-10-30 | 2015-05-06 | 精工爱普生株式会社 | package, resonation device, oscillator, electronic device, and moving object |
| JP2015088953A (en) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | Crystal device |
| JP2015088962A (en) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | Crystal device |
| JP2015090989A (en) * | 2013-11-05 | 2015-05-11 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | Crystal oscillator |
| JP2015091127A (en) * | 2014-10-24 | 2015-05-11 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | Crystal oscillator |
| CN104925055A (en) * | 2014-03-18 | 2015-09-23 | 福特全球技术公司 | Method and device for detecting moving objects in area surrounding vehicle |
| JP2015186107A (en) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | Crystal resonator |
| JP2015211328A (en) * | 2014-04-25 | 2015-11-24 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | Crystal oscillator |
| JP2015211314A (en) * | 2014-04-25 | 2015-11-24 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | Crystal oscillator |
| JP2015226151A (en) * | 2014-05-27 | 2015-12-14 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | Crystal oscillator |
| JP2016010095A (en) * | 2014-06-26 | 2016-01-18 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | Crystal resonator |
| JP2016010096A (en) * | 2014-06-26 | 2016-01-18 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | Crystal resonator |
| JP2016010093A (en) * | 2014-06-26 | 2016-01-18 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | Crystal device |
| JP2016072645A (en) * | 2014-09-26 | 2016-05-09 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | Crystal oscillator |
| JP2016092437A (en) * | 2014-10-29 | 2016-05-23 | 日本電波工業株式会社 | Crystal oscillator, and method of manufacturing the same |
| JP2016116054A (en) * | 2014-12-15 | 2016-06-23 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | Crystal oscillator |
| CN105763167A (en) * | 2015-01-06 | 2016-07-13 | 精工爱普生株式会社 | Resonator Device, Electronic Apparatus And Moving Object |
| JP2016140104A (en) * | 2012-11-16 | 2016-08-04 | 株式会社大真空 | Piezoelectric vibration device |
| JP2017538299A (en) * | 2014-10-22 | 2017-12-21 | 応達利電子股▲ふん▼有限公司Ｉｎｔｅｒｑｕｉｐ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ （Ｓｈｅｎｚｈｅｎ） Ｃｏ．， Ｌｔｄ | Piezoelectric quartz crystal resonator and manufacturing method thereof |
| US10009004B2 (en) | 2014-07-30 | 2018-06-26 | Seiko Epson Corporation | Resonator device, electronic device, and mobile object |
| US10103709B2 (en) | 2013-11-05 | 2018-10-16 | Kyocera Corporation | Crystal unit |
| US10122342B2 (en) | 2014-04-25 | 2018-11-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Crystal vibration device |
| JP2019062416A (en) * | 2017-09-27 | 2019-04-18 | 京セラ株式会社 | Crystal oscillator |
| JP2019134250A (en) * | 2018-01-30 | 2019-08-08 | 京セラ株式会社 | Crystal oscillator |
| US10529910B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-01-07 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Piezoelectric device |
| JP2020088781A (en) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | 京セラ株式会社 | Crystal device and electronic apparatus |
| US11363718B2 (en) | 2019-10-30 | 2022-06-14 | Samsung Electronics Co., Ltd | Oscillator structure and electronic device including the same |
| JP2022140662A (en) * | 2020-10-06 | 2022-09-26 | セイコーエプソン株式会社 | Vibration device, electronic apparatus and mobile body |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000077942A (en) * | 1998-08-31 | 2000-03-14 | Kyocera Corp | Surface mounting type quartz oscillator |
| JP2004260598A (en) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Kyocera Corp | Surface mount temperature compensation crystal oscillator |
| JP2005244920A (en) * | 2004-01-29 | 2005-09-08 | Kyocera Corp | Temperature compensated crystal oscillator |
| JP2006041926A (en) * | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Kyocera Corp | Package for housing piezoelectric resonator, and piezoelectric device |
| JP2007067778A (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Kyocera Kinseki Corp | Piezoelectric device |
| JP2007288551A (en) * | 2006-04-18 | 2007-11-01 | Epson Toyocom Corp | Holding structure of piezoelectric vibrating element, piezoelectric vibrator, and piezoelectric oscillator |
| JP2009105199A (en) * | 2007-10-23 | 2009-05-14 | Epson Toyocom Corp | Electronic device |
| JP2009225223A (en) * | 2008-03-18 | 2009-10-01 | Epson Toyocom Corp | Piezoelectric device |
| JP2009272734A (en) * | 2008-05-01 | 2009-11-19 | Epson Toyocom Corp | Piezoelectric oscillator |
| JP2010035078A (en) * | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Kyocera Kinseki Corp | Piezoelectric oscillator |
| JP2010109881A (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Kyocera Kinseki Corp | Piezoelectric oscillator |
| JP2010206443A (en) * | 2009-03-03 | 2010-09-16 | Epson Toyocom Corp | Temperature compensated piezoelectric oscillator |
-
2011
- 2011-11-08 JP JP2011244214A patent/JP2013102315A/en active Pending
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000077942A (en) * | 1998-08-31 | 2000-03-14 | Kyocera Corp | Surface mounting type quartz oscillator |
| JP2004260598A (en) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Kyocera Corp | Surface mount temperature compensation crystal oscillator |
| JP2005244920A (en) * | 2004-01-29 | 2005-09-08 | Kyocera Corp | Temperature compensated crystal oscillator |
| JP2006041926A (en) * | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Kyocera Corp | Package for housing piezoelectric resonator, and piezoelectric device |
| JP2007067778A (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Kyocera Kinseki Corp | Piezoelectric device |
| JP2007288551A (en) * | 2006-04-18 | 2007-11-01 | Epson Toyocom Corp | Holding structure of piezoelectric vibrating element, piezoelectric vibrator, and piezoelectric oscillator |
| JP2009105199A (en) * | 2007-10-23 | 2009-05-14 | Epson Toyocom Corp | Electronic device |
| JP2009225223A (en) * | 2008-03-18 | 2009-10-01 | Epson Toyocom Corp | Piezoelectric device |
| JP2009272734A (en) * | 2008-05-01 | 2009-11-19 | Epson Toyocom Corp | Piezoelectric oscillator |
| JP2010035078A (en) * | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Kyocera Kinseki Corp | Piezoelectric oscillator |
| JP2010109881A (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Kyocera Kinseki Corp | Piezoelectric oscillator |
| JP2010206443A (en) * | 2009-03-03 | 2010-09-16 | Epson Toyocom Corp | Temperature compensated piezoelectric oscillator |
Cited By (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016140104A (en) * | 2012-11-16 | 2016-08-04 | 株式会社大真空 | Piezoelectric vibration device |
| US9264015B2 (en) | 2013-10-30 | 2016-02-16 | Seiko Epson Corporation | Package, resonation device, oscillator, electronic device, and moving object |
| JP2015088877A (en) * | 2013-10-30 | 2015-05-07 | セイコーエプソン株式会社 | Package, oscillation device, oscillator, electronic device and movable body |
| CN104601136A (en) * | 2013-10-30 | 2015-05-06 | 精工爱普生株式会社 | package, resonation device, oscillator, electronic device, and moving object |
| CN104601136B (en) * | 2013-10-30 | 2018-11-20 | 精工爱普生株式会社 | Encapsulation, vibration device, oscillator, electronic equipment and moving body |
| JP2015088953A (en) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | Crystal device |
| JP2015088962A (en) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | Crystal device |
| JP2015090989A (en) * | 2013-11-05 | 2015-05-11 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | Crystal oscillator |
| US10103709B2 (en) | 2013-11-05 | 2018-10-16 | Kyocera Corporation | Crystal unit |
| CN104925055A (en) * | 2014-03-18 | 2015-09-23 | 福特全球技术公司 | Method and device for detecting moving objects in area surrounding vehicle |
| JP2015186107A (en) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | Crystal resonator |
| JP2015211328A (en) * | 2014-04-25 | 2015-11-24 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | Crystal oscillator |
| US10122342B2 (en) | 2014-04-25 | 2018-11-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Crystal vibration device |
| JP2015211314A (en) * | 2014-04-25 | 2015-11-24 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | Crystal oscillator |
| JP2015226151A (en) * | 2014-05-27 | 2015-12-14 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | Crystal oscillator |
| JP2016010096A (en) * | 2014-06-26 | 2016-01-18 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | Crystal resonator |
| JP2016010093A (en) * | 2014-06-26 | 2016-01-18 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | Crystal device |
| JP2016010095A (en) * | 2014-06-26 | 2016-01-18 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | Crystal resonator |
| US10396754B2 (en) | 2014-07-30 | 2019-08-27 | Seiko Epson Corporation | Resonator device, electronic device, and moving object |
| US10009004B2 (en) | 2014-07-30 | 2018-06-26 | Seiko Epson Corporation | Resonator device, electronic device, and mobile object |
| US11979138B2 (en) | 2014-07-30 | 2024-05-07 | Seiko Epson Corporation | Resonator device, electronic device, and moving object |
| US11641186B2 (en) | 2014-07-30 | 2023-05-02 | Seiko Epson Corporation | Resonator device, electronic device, and moving object |
| US11101785B2 (en) | 2014-07-30 | 2021-08-24 | Seiko Epson Corporation | Resonator device, electronic device, and moving object |
| JP2016072645A (en) * | 2014-09-26 | 2016-05-09 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | Crystal oscillator |
| JP2017538299A (en) * | 2014-10-22 | 2017-12-21 | 応達利電子股▲ふん▼有限公司Ｉｎｔｅｒｑｕｉｐ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ （Ｓｈｅｎｚｈｅｎ） Ｃｏ．， Ｌｔｄ | Piezoelectric quartz crystal resonator and manufacturing method thereof |
| JP2015091127A (en) * | 2014-10-24 | 2015-05-11 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | Crystal oscillator |
| JP2016092437A (en) * | 2014-10-29 | 2016-05-23 | 日本電波工業株式会社 | Crystal oscillator, and method of manufacturing the same |
| JP2016116054A (en) * | 2014-12-15 | 2016-06-23 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | Crystal oscillator |
| CN105763167A (en) * | 2015-01-06 | 2016-07-13 | 精工爱普生株式会社 | Resonator Device, Electronic Apparatus And Moving Object |
| US10529910B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-01-07 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Piezoelectric device |
| JP2019062416A (en) * | 2017-09-27 | 2019-04-18 | 京セラ株式会社 | Crystal oscillator |
| JP2019134250A (en) * | 2018-01-30 | 2019-08-08 | 京セラ株式会社 | Crystal oscillator |
| JP7008518B2 (en) | 2018-01-30 | 2022-01-25 | 京セラ株式会社 | Crystal oscillator |
| JP2020088781A (en) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | 京セラ株式会社 | Crystal device and electronic apparatus |
| US11363718B2 (en) | 2019-10-30 | 2022-06-14 | Samsung Electronics Co., Ltd | Oscillator structure and electronic device including the same |
| JP2022140662A (en) * | 2020-10-06 | 2022-09-26 | セイコーエプソン株式会社 | Vibration device, electronic apparatus and mobile body |
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