JP6279266B2 - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
少なくとも1つのトランスデューサー素子およびこの少なくとも1つのトランスデューサー素子に形成された導電性構造体を、少なくとも1つの導電性材料内に完全に埋め込むことによって、本発明の半導体装置内で短絡および/または漏れ電流が生じるのが、確実に阻止される。従って、本発明によって実現可能な、少なくとも1つのトランスデューサー素子およびこのトランスデューサー素子に形成された導電性構造体、殊に少なくとも1つのトランスデューサー素子と担体基板との間のリード線のパッシベーション化は本発明の半導体装置の信頼性を有利に向上させることができる。
Claims (14)
- 半導体装置であって、
少なくとも1つの導体路(24)を備えた担体基板(26)と、
少なくとも1つのトランスデューサー素子(10)とを有しており、前記トランスデューサー素子は、別の半導体基板(12)から少なくとも部分的に構造化されている少なくとも2つの半導体領域(22)と、前記各トランスデューサー素子(10)に形成されている導電性構造体(52、52a、52b、52c)とを有しており、前記トランスデューサー素子は、少なくとも部分的に導電性の少なくとも1つの支持部材(90)を介して、前記少なくとも1つの導体路(24)に電気的に結合されており、前記支持部材は、前記担体基板(26)のコンタクト面(60)と、前記トランスデューサー素子(10)の、前記担体基板(26)側を向いた内面(62)との間に配置されており、
前記トランスデューサー素子(10)の前記内面(62)が、前記担体基板(26)の前記コンタクト面(60)から間隔を空けて保持されるように、前記少なくとも1つのトランスデューサー素子(10)は、前記少なくとも部分的に導電性の、少なくとも1つの支持部材(90)を介して、前記担体基板(26)の前記コンタクト面(60)に配置されている、半導体装置であって、
前記少なくとも1つのトランスデューサー素子(10)の前記少なくとも2つの半導体領域(22)および前記少なくとも1つのトランスデューサー素子(10)に形成されている前記導電性構造体(52、52a、52b、52c)が完全に少なくとも1つの絶縁材料(16、36、40、46、54、74、92)内に埋設されており、
前記導電性構造体(52、52a、52b、52c)は、前記少なくとも2つの半導体領域(22)を相互に接続する少なくとも1つの配線構造体(52b)を含む、
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記少なくとも部分的に導電性の少なくとも1つの支持部材(90)は、少なくとも1つのボンディング接続部(70、106)を含んでいる、請求項1記載の半導体装置。
- 前記少なくとも1つのトランスデューサー素子(10)に形成されている前記導電性構造体(52、52a、52b、52c)は、前記割り当てられているトランスデューサー素子(10)の前記少なくとも2つの半導体領域(22)の、前記担体基板(26)側に向かった面に形成されている、請求項1または2記載の半導体装置。
- 前記少なくとも1つのトランスデューサー素子(10)は、光学的なセンサ素子および/または画像ピクセルとして形成されている、請求項1から3までのいずれか一項記載の半導体装置。
- 前記少なくとも1つのトランスデューサー素子(10)は、少なくとも1つの熱ダイオードを含んでいる、請求項4記載の半導体装置。
- 前記少なくとも1つのトランスデューサー素子(10)はそれぞれ複数の量子薄膜(86)を有しており、前記量子薄膜(86)の最大境界面(88)が、前記コンタクト面(60)に対して垂直に、および/または、前記少なくとも1つのトランスデューサー素子(10)側を向いた、前記担体基板(26)の外面(28)に対して垂直に配向されるように、前記量子薄膜は形成されている、請求項4または5記載の半導体装置。
- 前記少なくとも1つのトランスデューサー素子(10)は、前記担体基板(26)と逆側を向いた、前記割り当てられているトランスデューサー素子(10)の外面(72)に形成されている吸収層(74)を含んでいる、請求項4または5記載の半導体装置。
- 少なくとも1つのトランスデューサー素子(10)を形成するステップであって、前記トランスデューサー素子に導電性構造体(52、52a、52b、52c)を形成し、前記トランスデューサー素子(10)の少なくとも2つの半導体領域(22)を半導体基板(12)から少なくとも部分的に構造化するステップと、
前記少なくとも1つのトランスデューサー素子(10)を、少なくとも1つの導体路(24)を有する担体基板(26)に結合するステップであって、前記少なくとも1つのトランスデューサー素子(10)を、少なくとも部分的に導電性の少なくとも1つの支持部材(90)を介して、前記少なくとも1つの導体路(24)に電気的に結合し、前記支持部材は、前記担体基板(26)のコンタクト面(60)と、前記担体基板(26)側を向いた、前記トランスデューサー素子(10)の内面(62)との間に配置されるステップとを含み、
前記トランスデューサー素子(10)の前記内面(62)が、前記担体基板(26)の前記コンタクト面(60)から間隔を空けて保持されるように、前記少なくとも1つのトランスデューサー素子(10)を、前記少なくとも部分的に導電性の、少なくとも1つの支持部材(90)を介して、前記担体基板(26)の前記コンタクト面(60)に配置する、半導体装置の製造方法において、
前記少なくとも1つのトランスデューサー素子(10)の前記少なくとも2つの半導体領域(22)および前記少なくとも1つのトランスデューサー素子(10)に形成されている前記導電性構造体(52、52a、52b、52c)を完全に少なくとも1つの絶縁材料(16、36、40、46、54、74、92)内に埋設し、
前記導電性構造体(52、52a、52b、52c)は、前記少なくとも2つの半導体領域(22)を相互に接続する少なくとも1つの配線構造体(52b)を含む、
ことを特徴とする、半導体装置の製造方法。 - 前記少なくとも1つのトランスデューサー素子(10)を前記少なくとも部分的に導電性の支持部材(90)のボンディング接続部(70、106)によって、前記担体基板(26)に結合する、請求項8記載の製造方法。
- 前記少なくとも1つのトランスデューサー素子(10)に形成されている前記導電性構造体(52、52a、52b、52c)を、前記割り当てられているトランスデューサー素子(10)の前記少なくとも2つの半導体領域(22)の一方の面に形成し、前記面は、前記少なくとも1つのトランスデューサー素子(10)を前記担体基板(26)に結合させる際に前記担体基板(26)側を向いた面である、請求項8または9記載の製造方法。
- 前記少なくとも1つのトランスデューサー素子(10)を、光学的なセンサ素子および/または画像ピクセルとして形成する、請求項8から10までのいずれか一項記載の製造方法。
- 前記少なくとも1つのトランスデューサー素子(10)内に、少なくとも1つの熱ダイオードを形成する、請求項11記載の製造方法。
- 前記少なくとも1つのトランスデューサー素子(10)内にそれぞれ複数の量子薄膜(86)を形成し、前記量子薄膜の最大境界面(88)を、前記少なくとも1つのトランスデューサー素子(10)を前記担体基板(26)に結合させる際に、前記コンタクト面(60)に対して垂直に、および/または、前記少なくとも1つのトランスデューサー素子(10)側を向いた、前記担体基板(26)の外面(28)に対して垂直に配向する、請求項11または12記載の製造方法。
- 前記少なくとも1つのトランスデューサー素子(10)の、前記担体基板(26)と逆側を向いた外面(72)に、吸収層(74)を形成する、請求項11または12記載の製造方法。
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