JP5016383B2 - センサ装置 - Google Patents
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Description
以下、本実施形態のセンサ装置について図1および図2を参照しながら説明する。なお、図1は、図2をA−A’で階段状に切断し矢印の方向から見た場合の概略の断面図に対応するものである。
本実施形態の赤外線センサの基本構成は実施形態1と略同じであって、図6に示すように、センサ基板1において第1の半導体基板10の主表面側にIC部E2が形成されており、熱型赤外線検出部13に電気的に接続された引き出し配線16がIC部E2を介して第1の電気接続用金属層19と電気的に接続されている点などが相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の赤外線センサの基本構成は実施形態1と略同じであって、図7に示すように、センサ基板1におけるベース基板部12が第1の半導体基板10と第1の半導体基板10の主表面側に形成されたシリコン窒化膜からなる絶縁膜11と裏面側に形成されたシリコン窒化膜からなる絶縁膜10dとで構成され、ベース基板部12に厚み方向に貫通する開孔部12aが形成され、第1の半導体基板10の主表面側において開孔部12aが断熱部14により閉塞されている点が相違する。ここにおいて、センサ基板1は、断熱部14がダイヤフラム状の形状に形成されている。なお、本実施形態においても、実施形態1と同様、第1の半導体基板10の主表面側に形成された絶縁層において熱型赤外線検出部13が形成された第1の領域と第1の封止用金属層18および第1の電気接続用金属層19が形成された第2の領域(接合用領域部E3)との間に段差が形成されている。また、他の構成は実施形態1と同じなので、説明を省略する。
本実施形態の赤外線センサの基本構成は実施形態1と略同じであって、図8に示すように、センサ基板1の構造が相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
2 パッケージ用基板(貫通孔配線形成基板)
10 第1の半導体基板
13 熱型赤外線検出部
14 断熱部
15 配線層
16 引き出し配線
17 間隙
18 第1の封止用金属層
19 第1の電気接続用金属層
20 第2の半導体基板
24 貫通孔配線
28 第2の封止用金属層
29 第2の電気接続用金属層
E3 接合用領域部
Claims (4)
- 第1の半導体基板を用いて形成され熱型赤外線検出部を有するセンサ基板と、第2の半導体基板を用いて形成され熱型赤外線検出部に電気的に接続される貫通孔配線を有しセンサ基板の一表面側に封着された貫通孔配線形成基板とを備え、センサ基板は、第1の半導体基板の主表面側に絶縁層が形成され該絶縁層のうちセンサ基板における貫通孔配線形成基板との接合用領域部に形成されている部位をエッチバックすることにより接合用領域部の表面を平坦化した後で、接合用領域部の表面上にセンサ基板の前記一表面における周部の全周に亘って第1の封止用金属層が形成されるとともに、第1の封止用金属層よりも内側に熱型赤外線検出部と電気的に接続された第1の電気接続用金属層が形成され、貫通孔配線形成基板は、センサ基板側の表面における周部の全周に亘って第2の封止用金属層が形成されるとともに、第2の封止用金属層よりも内側に貫通孔配線と電気的に接続された第2の電気接続用金属層が形成され、センサ基板と貫通孔配線形成基板とは、前記各電気接続用金属層と前記各封止用金属層とが同一の金属材料によりなり、それぞれの接合面が活性化された第1の封止用金属層と第2の封止用金属層とが常温接合されるとともに、それぞれの接合面が活性化された第1の電気接続用金属層と第2の電気接続用金属層とが常温接合され、貫通孔配線形成基板は、第2の電気接続用金属層における第1の電気接続用金属層との接合部位を、当該第2の電気接続用金属層における貫通孔配線との接続部位からずらしてあることを特徴とするセンサ装置。
- 前記貫通孔配線形成基板における前記第2の電気接続用金属層は、細長の形状であり且つ長手方向が前記第2の封止用金属層の周方向に一致する形で配置されてなることを特徴とする請求項1記載のセンサ装置。
- 前記センサ基板は、前記熱型赤外線検出部と協働する集積回路が形成されてなることを特徴とする請求項1または請求項2記載のセンサ装置。
- 前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板とはウェハレベルで接合されてから所望のチップサイズに切断されてなることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のセンサ装置。
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