JP6278978B2 - スクライビングスロットのストリップ幅を検査するための構造及び方法 - Google Patents
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Description
220 第1のフィールド領域パターン
222 第1の図形
232 第1の孤立線
234 第2の孤立線
Claims (13)
- スクライビングスロットのストリップ幅のための検査構造であって、
互いに垂直である第1の孤立線及び第2の孤立線、
を含み、
前記検査構造は更に、
各々が前記第1の孤立線の一方の側に位置して互いに対向する2つの図形を含む第1のフィールド領域パターン、を含み、
前記第1のフィールド領域パターンは、シリコンの局所酸化(LOCOS)構造のフィールド酸化物領域を模擬するように構成された図形であり、前記検査構造のマスクに対して適用されるフォトリソグラフィ工程に応答して、前記検査構造はウェーハ上のスクライビングスロットに転写されるように構成されている、ことを特徴とするスクライビングスロットのストリップ幅のための検査構造。 - 前記2つの図形から前記第1の孤立線までの距離が同じであることを特徴とする請求項1に記載のスクライビングスロットのストリップ幅のための検査構造。
- 前記第1のフィールド領域パターンの個数が、少なくとも2つであり、異なる第1のフィールド領域パターン内の前記図形から前記第1の孤立線までの距離が等しくないことを特徴とする請求項2に記載のスクライビングスロットのストリップ幅のための検査構造。
- 前記図形は、矩形であり、該矩形の1対の対向する辺が、前記第1の孤立線と平行であることを特徴とする請求項3に記載のスクライビングスロットのストリップ幅のための検査構造。
- 前記第1の孤立線と平行であり、かつ該第1の孤立線に近い前記対向する辺の対の一方の辺から該第1の孤立線までの距離が、1μmから5μmの範囲であることを特徴とする請求項4に記載のスクライビングスロットのストリップ幅のための検査構造。
- 前記第1の孤立線及び前記第2の孤立線は、直角折れ線を形成し、
スクライビングスロットのストリップ幅のための検査構造が、第2のフィールド領域パターンを更に含み、該第2のフィールド領域パターンは、前記第1の孤立線と前記第2の孤立線とによって形成される直角の内側であり、該第2のフィールド領域パターンは、該第2の孤立線に平行な1対の矩形図形を含む、
ことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のスクライビングスロットのストリップ幅のための検査構造。 - 前記第2のフィールド領域パターンは、前記第2の孤立線に対して垂直である該第2のフィールド領域パターンの矩形図形の辺に平行であるストリップ状図形を更に含むことを特徴とする請求項6に記載のスクライビングスロットのストリップ幅のための検査構造。
- 前記第2のフィールド領域パターンの個数が、少なくとも2つであり、該第2のフィールド領域パターンの各々において、前記ストリップ状図形の長さが、前記矩形図形の辺に等しく、前記第2の孤立線までの各第2のフィールド領域パターンの距離が同じであることを特徴とする請求項7に記載のスクライビングスロットのストリップ幅のための検査構造。
- スクライビングスロットのストリップ幅のための検査構造であって、
互いに垂直である第1の孤立線及び第2の孤立線、
を含み、
前記検査構造は更に、
各々が前記第1の孤立線の一方の側に位置して互いに対向する2つの図形を含む第1のフィールド領域パターン、を含み、
前記第1の孤立線及び前記第2の孤立線は、直角折れ線を形成し、
スクライビングスロットのストリップ幅のための検査構造が、第2のフィールド領域パターンを更に含み、該第2のフィールド領域パターンは、前記第1の孤立線と前記第2の孤立線とによって形成される直角の内側であり、該第2のフィールド領域パターンは、該第2の孤立線に平行な1対の矩形図形を含む、
ことを特徴とするスクライビングスロットのストリップ幅のための検査構造。 - 前記第2のフィールド領域パターンは、前記第2の孤立線に対して垂直である該第2のフィールド領域パターンの矩形図形の辺に平行であるストリップ状図形を更に含むことを特徴とする請求項9に記載のスクライビングスロットのストリップ幅のための検査構造。
- 前記第2のフィールド領域パターンの個数が、少なくとも2つであり、該第2のフィールド領域パターンの各々において、前記ストリップ状図形の長さが、前記矩形図形の辺に等しく、前記第2の孤立線までの各第2のフィールド領域パターンの距離が同じであることを特徴とする請求項10に記載のスクライビングスロットのストリップ幅のための検査構造。
- スクライビングスロットのストリップ幅のための検査方法であって、
請求項1から請求項11のいずれか1項に記載の前記スクライビングスロットの前記ストリップ幅のための検査構造のマスクを提供する段階と、
フォトリソグラフィ工程を実施することにより、前記スクライビングスロットの前記ストリップ幅のための前記検査構造をウェーハ上のスクライビングスロットに転写する段階と、
前記ウェーハ上の前記スクライビングスロットの前記ストリップ幅のための前記検査構造の線幅を検査する段階と、
を含むことを特徴とするスクライビングスロットのストリップ幅のための検査方法。 - 前記スクライビングスロットの前記ストリップ幅のための前記検査構造は、フォトリソグラフィによってウェーハの単結晶シリコンソース領域の面に転写されることを特徴とする請求項12に記載のスクライビングスロットのストリップ幅のための検査方法。
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