KR20060133220A - 오버레이 마크 및 그의 위치 검출방법 계측방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있는 오버레이 마크의 형성방법 및 그의 위치 추출방법에 대하여 개시한다. 그의 위치 추출방법은, 레티클에 형성된 복수개의 오버레이 마크들이 등간격으로 서로 인접하여 형성된 샷 기준점을 인식하는 단계; 상기 샷 기준점에 형성된 복수개의 오버레이 마크들 중 오버레이 좌표 추출이 이루어질 첫 번째 오버레이 마크의 중심점의 위치와 상기 첫번째 오버레이 마크에 인접하는 두 번째 오버레이 마크의 중심점의 위치를 인식하는 단계; 및 상기 첫 번째 오버레이 마크의 중심점과 상기 두 번째 오버레이 마크의 중심점간의 거리를 산출하고, 상기 두 번째 오버레이 마크에 인접하는 또 다른 오버레이 마크의 중심점의 위치를 상기 첫 번째 오버레이 마크의 중심점과 상기 두 번째 오버레이 마크의 중심점간에 산출된 거리를 이용하여 산출하는 단계를 포함하여 이루어진다.
포토레지스트(photo-resist), 오버레이(overlay),

Description

오버레이 마크 및 그의 위치 검출방법 계측방법{overlay mark and method for drawing the same}
도 1은 본 발명에 따른 오버레이 마크의 형성방법을 설명하기 위해 나타낸 평면도.
도 2는 도 1의 오버레이 마크를 확대하여 나타낸 평면도.
도 3은 본 발명에 따른 오버레이 마크의 위치 추출방법을 설명하기 위해 나타낸 플로우차트.
도 4는 본 발명에 따른 오버레이 마크의 위치 추출방법을 보여주기 위한 프로그램을 나타낸 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 오버레이 마크 110 : 어미자
120 : 아들자 130 : 라벨
본 발명은 오버레이 마크 및 그의 위치 검출방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 오버레이 계측설비에 피드백되는 오버레이 마크의 중심위치를 용이하게 산출토록 형성된 오버레이 마크 및 그의 위치 검출방법에 관한 것이다.
최근, 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 그 기능 면에 있어서, 상기 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 이러한 요구에 부응하여, 반도체 장치는 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 제조 기술이 발전되고 있다.
이에 따라, 반도체 산업에서 경쟁력 강화를 위한 일환으로 높은 생산 수율을 보장할 수 있는 각각의 단위 공정이 개발되고 있으며, 동시에 각 단위 공정에서의 공정 에러를 측정하는 방법 및 장치도 활발하게 연구되고 있다. 특히 핵심 반도체 제조 공정들 중의 하나인 사진 공정(Photo-lithographic Process)의 경우에도 공정 조건의 변화가 빈번하여 이에 대처할 수 있는 공정 개발 및 이를 수행하기 위한 장치가 필요한 실정이다.
사진 공정 시에 고려되어야 하는 문제점 중의 하나는 노광 및 현상에 의해 형성되는 포토레지스트 패턴의 미스얼라인(misalign)이다. 상기 미스얼라인은 반도체 장치의 고집적화에 따른 얼라인 마진(align margin)의 축소, 웨이퍼의 대구경화 및 포토 리소그래피 공정의 증가 등에 따라 정확한 얼라인이 점점 어려워지면서, 더욱 심각한 문제점으로 대두되고 있다. 상기 미스얼라인 불량을 방지하기 위해, 웨이퍼에 형성되어 있는 포토레지스트 패턴의 정렬도를 확인하는 작업인 오버레이 계측의 최적화가 필수적으로 요구된다.
이와 같은 오버레이 계측을 최적화하기 위한 종래 기술에 따른 오버레이 마크 및 그의 위치 검출방법은 미합중국 특허 제5,696,835호 및 제 6,357,131호에 개시되어 있다.
먼저, 일반적인 오버레이 계측방법을 설명하면, 웨이퍼 상에 포토레지스트 패턴(예를 들어 정렬측정 패턴(alignment measurement pattern))을 형성시키고 하부 패턴층(예를 들어 기준 패턴(reference pattern)과의 중첩된 위치를 측정한다. 이때, 상기 웨이퍼의 각 셀들에 형성된 패턴층들은 너무 복잡하여 오버레이 측정이 이루어질 수 없기 때문에 웨이퍼 칩 영역 외곽의 스크라이브 라인 상에 형성된 오버레이 마크를 이용한 오버레이 계측이 수행될 수 있다.
보다 상세하게 설명하면, 상기 오버레이 계측은 일반적으로 하나의 웨이퍼에 구비되는 샷(shot)의 개수에 따른 소정의 비율 또는 웨이퍼의 크기에 따라 수행한다. 또한, 오버레이 계측은 오버레이 계측 설비에서의 광학장치를 이용해 상기 웨이퍼의 전 영역에서부터 국부적인 영역까지 순차적으로 수행된다. 이때, 상기 오버레이 계측설비는 상기 오버레이 마크를 확대시키기 위한 상기 광학장치로 하여금 상기 오버레이 마크의 중심위치에 대응되는 위치로 이동되어 포커싱토록 되어야만 한다.
따라서, 오버레이 계측이 이루어질 웨이퍼에 노광공정을 수행하는 노광설비의 레티클에 형성된 오버레이 마크의 중심 위치를 상기 오버레이 계측설비에 피드백시킴으로서 상기 오버레이 계측공정이 용이하게 수행될 수 있다.
이때, 상기 오버레이 마크는 선행 반도체 제조공정을 통해 웨이퍼 상에 패터닝되는 하부막에 형성되는 어미자와, 후속 반도체 제조공정을 통해 상기 하부막 상에서 상기 어미자와 소정간격을 갖고 오버랩되도록 형성되는 아들자와, 상기 어미자 또는 아들자의 일측에서 상기 어미자 및 아들자가 형성되는 반도체 제조공정의 고유명을 나타내도록 형성된 라벨을 포함하여 이루어진다.
예컨대, 상기 오버레이 마크는 다양한 반도체 제조공정을 통해 상기 웨이퍼 상에서 적층되어 형성되기 때문에 한번의 노광공정이 이루어지는 샷(shot)에 대응되는 웨이퍼에 형성된 약 20개 이상의 오버레이 마크가 오버레이 계측된다.
따라서, 종래 기술에 따른 오버레이 마크는 다양한 반도체 제조공정에 대응하여 레티클에 다양한 크기를 갖도록 형성되고, 복수개의 상기 오버레이 마크는 상기 오버레이 계측설비에 의해 개별적으로 그 중심위치가 검출된다.
하지만, 종래 기술에 따른 오버레이 마크 및 그의 위치 검출방법은 다음과 같은 문제점이 있었다.
종래의 오버레이 마크 및 그의 검출방법은 다양한 오버레이 계측공정에 사용되는 다수개의 오버레이 마크가 다양한 종류의 크기를 갖도록 형성되고, 상기 다양한 종류의 크기로 형성된 오버레이 마크들간에 서로 연관성이 없어 상기 오버레이 마크의 중심점의 위치가 개별적으로 계측되어야 함으로 오버레이 마크 위치 검출시간이 증가되기 때문에 생산성이 떨어지는 단점이 있었다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 다양한 오버레이 계측공정에 사용되는 다수개의 오버레이 마크를 동일 또는 유사한 크기로 형성하고, 복수개의 상기 오버레이 마크들을 등간격으로 배열시켜 복수개의 오버레이 마크 위치 검출시간을 줄여 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있는 오버레이 마크 및 그의 위치 검출방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양태에 따른 오버레이 마크는, 선행되는 공정에서 형성되는 어미자와 상기 어미자와 일정간격 이격되어 오버렙되도록 후속 공정에서 형성되는 아들자와, 상기 아들자와 어미자의 일측에 형성된 라벨을 포함하는 오버레이 마크에 있어서; 웨이퍼 상에 형성되는 적어도 하나 이상의 칩에 대응하여 노광공정에 사용되는 레티클에 복수개가 동일 또는 유사한 크기로 형성되고, 오버레이 계측공정을 통해 상기 노광공정의 조건이 피드백되도록 서로 인접한 복수개가 XY 평면상에서 등간격으로 배열되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 양태는, 레티클에 형성된 복수개의 오버레이 마크들이 등간격으로 서로 인접하여 형성된 샷 기준점을 인식하는 단계; 상기 샷 기준점에 형성된 복수개의 오버레이 마크들 중 오버레이 좌표 검출이 이루어질 첫 번째 오버레이 마크의 중심점의 위치와 상기 첫번째 오버레이 마크에 인접하는 두 번째 오버레이 마크의 중심점의 위치를 인식하는 단계; 및 상기 첫 번째 오버레이 마크의 중심점과 상기 두 번째 오버레이 마크의 중심점간의 거리를 산출하고, 상기 두 번째 오버레이 마크에 인접하는 또 다른 오버레이 마크의 중심점의 위치를 상기 첫 번째 오버레이 마크의 중심점과 상기 두 번째 오버레이 마크의 중심점간에 산출된 거리 를 이용하여 산출하는 단계를 포함하여 이루어진다.
여기서, n 번째의 오버레이 마크의 중심위치는 상기 첫 번째 오버레이 마크의 중심점과 상기 두 번째 오버레이 마크의 중심점간의 거리를 n 번 누적시켜 산출하는 단계를 더 포함함이 바람직하다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 오버레이 형성방법 및 그의 검출방법을 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이며, 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다. 그리고 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
도 1은 본 발명에 따른 오버레이 마크의 형성방법을 설명하기 위해 나타낸 평면도이고, 도 2는 도 1의 오버레이 마크(100)를 확대하여 나타낸 평면도이다.
도 1 내지 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 오버레이 마크(100)는 웨이퍼 상에 형성되는 적어도 하나 이상의 칩에 대응하여 노광공정에 사용되는 레 티클에 복수개가 동일 또는 유사한 크기를 갖도록 형성되고, 오버레이 계측공정을 통해 상기 노광공정의 조건이 피드백되도록 상기 오버레이 계측 공정시 계측되는 서로 인접한 복수개가 XY 평면상에서 등간격으로 배열된다.
여기서, 레티클은 정사각형 또는 직사각형과 같은 사각형 모양을 갖도록 형성되며 상기 사각형의 중심과 각 모서리에 오버레이 계측에 사용되는 복수개의 오버레이 마크(100)들이 밀집된 샷 기준점을 갖는다.
예컨대, 상기 샷 기준점은 상기 레티클 내에 5개가 형성되며 상기 레티클의 중심에 대응되는 위치에 형성된 중심부, 상기 사각형의 각 모서리에 형성된 UL(Upper Left)부, UR(Upper Right)부, LL(Lower Left)부, LR(Lower Right)부 등을 포함하여 이루어진다.
이때, 상기 샷 기준점는 상기 웨이퍼에 형성되는 칩의 경계선인 스프라이버 라인 상에 형성된다.
예컨대, 상기 레티클은 상기 노광공정을 통해 4개 또는 6개정도의 칩을 일괄 패터닝할 정도의 크기를 갖도록 형성되고, 상기 칩과 칩사이의 경계선인 상기 스크라이버 라인 상에 상기 샷 기준점이 형성된다.
또한, 상기 LL부를 확대하여 살펴보면 복수개의 오버레이 마크(100)가 Y축 방향의 일렬로 등간격을 갖고 배열되도록 형성되어 있다. 이때, 하나의 샷 기준점 내에 형성된 상기 오버레이 마크(100)는 일방향으로 서로 인접되도록 형성되어 있다.
이때, 상기 오버레이 마크(100)의 중심은 해당 오버레이 마크(100)에 인접하 는 복수개의 오버레이 마크(100)의 모서리들을 연결하는 복수개의 대각선이 교차되는 위치로 지정될 수 있다.
또한, 상기 오버레이 마크(100)는 선행 반도체 제조공정을 통해 웨이퍼 상에 패터닝되는 하부막에 형성되는 어미자(110)와, 후속 반도체 제조공정을 통해 상기 하부막 상에서 상기 어미자(110)와 소정간격을 갖고 오버랩되도록 형성되는 아들자(120)와, 상기 어미자(110) 또는 아들자(120)의 일측에서 상기 어미자(110) 및 아들자(120)가 형성되는 반도체 제조공정의 고유명을 나타내도록 형성된 라벨(130)을 포함하여 이루어진다. 여기서, 상기 어미자(110)와 아들자(120)는 이너 박스(inner box)와 아우터 박스(outer box) 각각을 서로 배타적으로 나타낼 수 있다. 예컨대, 상기 어미자(110)가 이너 박스로 이루어지면 상기 아들자(120)는 아우터 박스로 이루어질 수 있고, 상기 어미자(110)가 아우터 박스로 이루어지면 상기 아들자(120)는 이너 박스로 이루어질 수도 있다.
이때, 상기 어미자(110)와 아들자(120)는 일반적으로 상기 오버레이 마크(100)의 중심위치에 대응되도록 형성될 수 있으나, 도4에서와 같이, 상기 어미자(110) 또는 아들자(120)의 일측변에 상기 오버레이 마크(100)의 중심위치에 대응되도록 형성될 수 있다. 상기 라벨(130)은 상기 오버레이 마크(100)의 중심위치에서 일측으로 상기 어미자(110)와 아들자(120)의 상부에 위치되도록 형성된다. 예컨대, 하나의 상기 샷 기준점에 형성되는 상기 오버레이 마크(100)는 적어도 20개 이상이 서로 인접하도록 형성된다. 이때, 상기 샷 기준점에 형성되는 오버레이 마크(100)의 개수가 너무 작을 경우, 오버레이 계측의 횟수가 줄어듦에 따른 오버레이 계측 의 신뢰성이 떨어질 수 있고, 상기 오버레이 마크(100)의 개수가 너무 많을 경우, 오버레이 계측의 횟수가 증가되거나 칩이 형성되는 영역이 줄어들어 생산성이 떨어질 수 있기 때문에 상기 샷 기준점에 형성되는 오버레이 마크(100)가 약 20개에서 50개정도가 바람직하다.
또한, 상기 샷 기준점에 대응하여 상기 레티클에 형성되는 복수개의 오버레이 마크(100)는, 서로 인접하는 오버레이 마크(100)의 모서리에서 연결되는 복수개의 대각선의 교차점을 오버레이 마크(100)의 중심점으로 하는 정사각형 또는 직사각형과 같은 사각형 모양 내에 어미자(110) 및 아들자(120)와, 상기 어미자(110) 및 아들자(120)의 일측에 라벨(130)을 구비하여 일방향으로 등간격을 갖도록 형성되어 있기 때문에 복수개의 오버레이 마크(100)의 중심을 계측하기에 용이하도록 설계할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 오버레이 마크(100)는 다양한 오버레이 계측공정에 사용되는 다수개의 오버레이 마크(100)를 동일 또는 유사한 크기로 형성하고, 다수개의 상기 오버레이 마크(100)들을 일방향으로 등간격으로 배열시켜 복수개의 오버레이 마크(100) 위치 검출시간을 줄일 수 있기 때문에 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 오버레이 마크(100)가 형성된 레티클에서의 오버레이 마크(100) 위치 검출방법을 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명에 따른 오버레이 마크(100)의 위치 검출방법을 설명하기 위해 나타낸 플로우차트이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 오버레이 마크(100)의 위치 검출방법은, 먼저, 레티클에 형성된 복수개의 오버레이 마크(100)들이 등간격으로 서로 인접하여 형성된 복수개의 샷 기준점들 중 어느 하나의 샷 기준점을 인식한다.(S10) 이때, 상기 샷 기준점은 오버레이 계측설비에 의해 계측될 수 있으며, 상기 레티클에 형성되는 칩의 개수와 이치에 따라 그 위치를 달리하여 형성될 수도 있다.
다음, 상기 샷 기준점에 형성된 복수개의 오버레이 마크(100)들 중 오버레이 좌표 검출이 이루어질 첫 번째 오버레이 마크(100)의 중심점의 위치를 인식한다.(S20) 이때, 상기 첫 번째 오버레이 마크(100)의 중심점 위치 인식은 상기 오버레이 계측설비에 의해 샷 기준점에서보다 더 확대되어 계측됨으로써 이루어질 수 있다. 또한, 사각형 모양으로 형성된 상기 첫 번째 오버레이 마크(100)의 중심점은 상기 사각형의 꼭지점 또는 모서리를 연결하는 복수개의 대각선이 교차되는 위치가 상기 첫 번째 오버레이 마크(100)의 중심점으로 인식되어진다.
그 다음, 상기 첫 번째 오버레이 마크(100)에 인접하는 두 번째 오버레이 마크(100)의 중심점의 위치를 인식한다.(S30) 이때, 상기 두 번째 오버레이 마크(100)의 중심점은 상기 두 번째 오버레이 마크(100)와 인접하는 첫 번째의 오버레이 마크(100)의 모서리와 세 번째 오버레이 마크(100)의 모서리를 연결하는 복수개의 대각선이 교차되는 위치가 상기 두 번째 오버레이 마크(100)의 중심점으로 인식되어진다.
그후, 상기 첫 번째 오버레이 마크(100)의 중심점과 상기 두 번째 오버레이 마크(100)의 중심점간의 거리를 산출한다.(S40) 이때, 상기 첫 번째 버레이 마크의 중심점과 상기 두 번째 오버레이 마크(100)의 중심점간의 거리는 XY 평면상의 좌표값으로 나타내어질 수 있다. 예컨대, X축 또는 Y축중 적어도 하나의 축을 따라 복수개의 오버레이 마크(100)가 계측되도록 오버레이 계측을 수행토록 한다.
그리고, 상기 두 번째 오버레이 마크(100)에 인접하는 세 번째 오버레이 마크(100)의 중심점의 위치를 상기 첫 번째 오버레이 마크(100)의 중심점과 상기 두 번째 오버레이 마크(100)의 중심점간에 산출된 거리를 이용하여 산출한다.(S50) 따라서, n 번째의 오버레이 마크(100)의 중심위치는 상기 첫 번째 오버레이 마크(100)의 중심점과 상기 두 번째 오버레이 마크(100)의 중심점간의 거리를 n 번 누적시켜 산출되어질 수 있다.
도 4는 본 발명에 따른 오버레이 마크(100)의 위치 검출방법을 보여주기 위한 프로그램을 나타낸 도면으로서, 본 발명에 따른 오버레이 마크(100)의 위치 검출방법은, X방향으로 고정된 위치에 중심을 갖는 복수개의 오버레이 마크(100)들이 Y축을 따라 등간격을 갖고 일렬로 배열될 경우, 첫 번째 오버레이 마크(100)의 중심 위치와 두 번째 오버레이 마크(100)의 중심 위치를 이용하여 n 번째 오버레이 마크(100)의 중심위치를 용이하게 산출토록 할 수 있다.
여기서, 상기 오버레이 마크(100)의 중심위치 검출을 위해 사용된 프로그램은 마이크로소프트사에서 개발된 'EXCELL'이 사용된다.
Y축 방향으로 복수개의 오버레이 마크(100)의 이너 박스가 각각 4.1 제조공정, 5.0 제조공정에서 9.5 제조공정을 통해 형성되고, 상기 이너 박스의 주변에 10AIM 오버레이 계측공정, 10 오버레이 계측공정에서 80 오버레이 계측공정이 수행될 아우터 박스가 형성된다.
이때, X축 방향은 약 0.02650mm에 중심위치를 갖고 고정되어 형성되어 있으며, Y축 방향을 따라 일렬로 배열되도록 형성되어 있다. 첫 번째 오버레이 마크(100)는 Y축의 30.47235mm에서 중심위치를 갖고, 상기 첫 번째 오버레이 마크(100)에 인접하는 두 번째 오버레이 마크(100)는 Y축의 30.40875mm에서 중심위치를 갖고 있다. 상기 첫 번째 오버레이 마크(100)의 중심 위치와 상기 두 번째 오버레이 마크(100)의 중심 위치는 Y축 방향으로 0.0636mm 정도의 거리를 갖는다.
또한, n 번째의 오버레이 마크(100)의 중심은 첫 번째 오버레이 마크(100)의 중심 위치 인 30.47235mm에서 Y축의 기준 방향으로 n*0.0636mm정도의 이격된 거리를 갖는다. 이와 같은 첫 번째 오버레이 마크(100)의 중심부터 n 번째의 오버레이 마크(100)의 중심까지의 거리가 산출된 값을 오버레이 계측설비에 피드백시킴으로서 오버레이 계측공정을 용이하게 수행토록 할 수 있다. 예컨대, 상기 'EXCELL'에서 Y축 방향의 블랭크(blank)에 대하여 마우스(mouse)로 드레그(drag)시키면 상기 Y축 방향의 모든 값이 순차적으로 증가되는 값들이 나타날 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 오버레이 마크(100)의 위치 검출방법은 다수개의 오버레이 마크(100)들이 등간격을 갖고 일방향으로 형성된 샷 기준점에서 첫 번째 오버레이 마크(100)의 중심 위치와 상기 첫 번째 오버레이 마크(100)에 인접하는 두 번째 오버레이 마크(100)의 중감 위치간의 거리를 이용하여 n 번째 오버레이 마크(100)의 중심위치를 산출토록 하고 복수개의 오버레이 마크(100)의 중심 위치 검출 시간을 줄일 수 있기 때문에 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있다.
또한, 상기한 실시예의 설명은 본 발명의 더욱 철저한 이해를 제공하기 위하여 도면을 참조로 예를 든 것에 불과하므로, 본 발명을 한정하는 의미로 해석되어서는 안될 것이다. 그리고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기본적 원리를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화와 변경이 가능하다. 등간격을 갖고 형성되는 복수개의 오버레이 마크(100)들은 XY 평면에서 X축과 Y축 사이에서 일방향으로 형성되어도 무방하다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 다양한 오버레이 계측공정에 사용되는 다수개의 오버레이 마크를 동일 또는 유사한 크기로 형성하고, 다수개의 상기 오버레이 마크들을 일방향으로 등간격으로 배열시켜 복수개의 오버레이 마크 위치 검출시간을 줄일 수 있기 때문에 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있는 효과가 있다.

Claims (3)

  1. 선행되는 공정에서 형성되는 어미자와 상기 어미자와 일정간격 이격되어 오버렙되도록 후속 공정에서 형성되는 아들자와, 상기 아들자와 어미자의 일측에 형성된 라벨을 포함하는 오버레이 마크에 있어서;
    웨이퍼 상에 형성되는 적어도 하나 이상의 칩에 대응하여 노광공정에 사용되는 레티클에 복수개가 동일 또는 유사한 크기로 형성되고, 오버레이 계측공정을 통해 상기 노광공정의 조건이 피드백되도록 서로 인접한 복수개가 XY 평면상에서 등간격으로 배열되는 것을 특징으로 하는 오버레이 마크.
  2. 레티클에 형성된 복수개의 오버레이 마크들이 등간격으로 서로 인접하여 형성된 샷 기준점을 인식하는 단계;
    상기 샷 기준점에 형성된 복수개의 오버레이 마크들 중 오버레이 좌표 검출이 이루어질 첫 번째 오버레이 마크의 중심점의 위치와 상기 첫번째 오버레이 마크에 인접하는 두 번째 오버레이 마크의 중심점의 위치를 인식하는 단계; 및
    상기 첫 번째 오버레이 마크의 중심점과 상기 두 번째 오버레이 마크의 중심점간의 거리를 산출하고, 상기 두 번째 오버레이 마크에 인접하는 또 다른 오버레이 마크의 중심점의 위치를 상기 첫 번째 오버레이 마크의 중심점과 상기 두 번째 오버레이 마크의 중심점간에 산출된 거리를 이용하여 산출하는 단계를 포함함을 특 징으로 하는 오버레이 마크 위치 검출방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    n 번째의 오버레이 마크의 중심위치는 상기 첫 번째 오버레이 마크의 중심점과 상기 두 번째 오버레이 마크의 중심점간의 거리를 n 번 누적시켜 산출하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 오버레이 마크 위치 검출방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100782957B1 (ko) * 2006-06-30 2007-12-07 후지쯔 가부시끼가이샤 노광 위치 마크의 위치 어긋남 검출 방법
KR101867648B1 (ko) * 2013-09-10 2018-06-15 캐논 가부시끼가이샤 위치를 구하는 방법, 노광 방법 및 물품의 제조 방법

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