JP6277643B2 - ナノインプリント用モールドの製造方法 - Google Patents
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Description
第一の課題は、フォトリソグラフィ法や電子線リソグラフィ法等の高価で特別な設備が必要であるということである。
第二の課題は、微細凹凸構造の形状(例えば、微細凹凸構造の周期等)を容易に制御できないということである。
第三の課題は、微細凹凸構造を大面積に均一に転写できないということである。
尚、突起物12はランダムに形成されるため、1つ1つの突起物12の形状は異なっている。そのため、凹凸構造の周期は、断面SEM画像からランダムに5つの突起物12を抽出し、その幅wの平均値から算出した。
尚、突起物12はランダムに形成されるため、1つ1つの突起物12の形状は異なっている。そのため、凹凸構造の深さは、断面SEM画像からランダムに5つの突起物12を抽出し、その高さdの平均値から算出した。
また、上記場合において、例えば、放電電力を800W、スパッタガス圧力を0.2Pa、反応性ガス流量の比率を7%、T−Sポジションを250mm、成膜時間を10分とすると、図2(b)に示す表面形態を有する無機層11が得られる。この場合、凹凸構造の周期は61nmであり、凹凸構造の深さは35nmである。
また、上記場合において、例えば、放電電力を800W、スパッタガス圧力を0.2Pa、反応性ガス流量の比率を7%、T−Sポジションを250mm、成膜時間を40分とすると、図2(c)に示す表面形態を有する無機層11が得られる。この場合、凹凸構造の周期は221nmであり、凹凸構造の深さは60nmである。
以下に、本発明の実施形態に係るナノインプリント用モールドの実施例について説明する。
まず、シリコンウエハからなる基材10を用意し、基材10の表面に膜厚100nmの窒化クロムからなる無機層11を反応性スパッタリング法により形成し、ナノインプリント用モールド13を得た(図1(a))。
11、31、41 無機層
12 突起物
13、33、43 ナノインプリント用モールド
21 被転写材
22 微細凹凸構造形成体
50 スパッタターゲット
51 部分的な遮蔽板
Claims (4)
- ナノインプリント用モールドの製造方法であって、
遮蔽板で仕切られたスパッタチャンバ内の一方の領域にロール状の基材を配置し、他方の領域にスパッタターゲットを配置する工程と、
前記ロール状の基材を回転しながら、前記スパッタターゲット下部の電極へ所定の電力を印加してプラズマ放電し、前記ロール状の基材の表面上に、ランダムに配列して形成された複数の突起物を有する無機層をスパッタリング法により形成する工程とを備え、
前記遮蔽板は、前記ロール状の基材の長さ方向と平行な方向に均等な幅の開口部を有し、
前記無機層形成工程において、前記スパッタターゲットから飛来するスパッタ粒子が前記遮蔽板の開口部を通過して前記ロール状の基材の表面に到達することで、前記ロール状の基材の表面に対して前記突起物を形成し、かつ、前記突起物を前記ロール状の基材に対してつなぎ目なく形成することを特徴とする、ナノインプリント用モールドの製造方法。 - 前記無機層が、クロムまたはクロム化合物からなることを特徴とする、請求項1に記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
- スパッタリング条件を変化させることで、前記突起物が配列する周期を制御することを特徴とする、請求項1または2に記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
- 前記突起物が、前記ロール状の基材の表面に対して任意の角度で傾斜して形成されることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
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