JP6277380B2 - El表示装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明者は、「背景技術」の欄において記載したEL表示装置に関し、以下の問題が生じることを見出した。
以下、図面を参照しながら、実施の形態を説明する。
[1−1.発光画素構成]
図12は、発光画素の構造の一例を概略的に示す断面図である。
図2は、実施の形態に係るEL表示装置の電気的な構成を示したブロック図である。図2に示したように、本実施の形態に係るEL表示装置は、画素16がマトリックス状に配置されて構成された表示画面20と、表示画面20の画素行ごとに配置されたゲート信号線17a、17b、17cおよび17dと、表示画面20の画素列ごとに配置されたソース信号線18と、表示画面20の周辺回路である、ゲート信号線17a、17b、17cおよび17dを駆動するゲートドライバ回路(ゲートドライバIC)12aおよび12bと、映像信号をソース信号線18に出力するソースドライバ回路(ソースドライバIC)14と、ゲートドライバ回路12aおよび12bおよびソースドライバ回路14などを制御する制御回路(図示せず)を具備する。表示画面20は、外部から画像表示装置へ入力された映像信号に基づいて画像を表示する。
図3は、実施の形態に係るEL表示装置における画素回路の例を示した図である。なお、図3などにおいて、画素16は1画素のみを図示している。実際には画素16は表示画面20にマトリックス状に配置されている。図3に示した画素回路は、EL素子15と、EL素子15に駆動電流を供給するためのトランジスタ11aと、トランジスタ11dと、トランジスタ11bと、トランジスタ11cと、トランジスタ11eと、コンデンサ19aとを備える。表示画面20には、EL素子15を有する画素がマトリックス状に配置されている。
次に、図4〜図8などを用いて、図3の画素回路の動作を説明する。
図3の画素回路において、トランジスタ11dがオン状態のとき、EL素子15にアノード電圧Vddから電流が供給され、EL素子15が発光状態にある(発光期間)。アノード電圧Vddからトランジスタ11aを通してEL素子15に駆動電流(ドレイン・ソース間電流)Idが供給されるため、EL素子15が駆動電流Idに応じた輝度で発光する。
図5は、実施の形態に係る画素回路のオフセットキャンセル補正準備期間を表す回路図である。オフセットキャンセル補正の準備期間では、トランジスタ11eがオンし、リファレンス電圧Vrefがトランジスタ11aのゲート端子に印加され、トランジスタ11cがオンし、イニシャル電圧ViniがEL素子15のアノード端子に印加される。これにより、トランジスタ11aのゲート電位Vgがリファレンス電圧Vrefになる。また、トランジスタ11aのソース電位Vsは、リファレンス電圧Vrefよりも十分に低いイニシャル電圧Viniにある。
図6は、実施の形態に係る画素回路のオフセットキャンセル補正期間を表す回路図である。図6に示すように、ゲート信号線17bに選択電圧(オン電圧)が印加され、トランジスタ11dがオンすると、トランジスタ11aのドレイン端子にアノード電圧Vddが印加される。また、トランジスタ11cをオフ状態にする。すると、トランジスタ11aのソース電位Vsが上昇を開始する。やがて、トランジスタ11aのゲート−ソース間電圧Vgsが当該トランジスタ11aのオフセットキャンセル電圧Vthになり、当該オフセットキャンセル電圧Vthに相当する電圧がコンデンサ19aに書き込まれる。
図7に示すように、ソース信号線18にソースドライバ回路14から映像信号電圧Vsigが印加される。ゲート信号線17aに選択電圧が印加されることにより、トランジスタ11bが導通状態になって映像信号電圧Vsigが、画素16のトランジスタ11aのゲート端子に印加される。本実施の形態において、EL素子15はEL素子であり、また、このとき、EL素子15はカットオフ状態(ハイインピーダンス状態)にあるために、コンデンサ(Celと呼ぶ)とみなすことができる。
図8は、実施の形態に係る画素回路の発光期間を表す回路図である。図8示すように、トランジスタ11dがオンすることにより、トランジスタ11aのドレイン端子にアノード電圧Vddが印加される。アノード電圧Vddの印加により、電流Idが流れ始める。電流Idに比例して、EL素子15が発光する。
図9は、実施の形態に係るEL表示装置の製造方法を説明する図である。
画素の欠陥は、TFTに関するものと、有機EL発光素子に関するものがある。
[1−7−1.他の画素回路]
図11では、2つの画素16aおよび16bを図示している。実際には、画素16aおよび16bは表示画面20にマトリックス状に配置されている。
図11に示された、実施の形態に係る他の画素回路の検査(製造)方法について説明する。
12a、12b ゲートドライバ回路
14 ソースドライバ回路
15 EL素子
16、16a、16b 画素
17a、17b、17c、17d ゲート信号線
18、18a、18b、18c ソース信号線
19a コンデンサ
20 表示画面
21 EL表示パネル
202 基板
215 発光画素
301 駆動回路層
302 発光層
310 透明封止膜
361 陽極
362 正孔注入層
363 正孔輸送層
364 有機発光層
365 バンク層
366 電子注入層
367 透明陰極
Claims (2)
- ソース信号線を介して画素ごとに供給される、映像信号を反映した信号電圧に対応した電圧を保持するコンデンサと、当該コンデンサに保持された電圧に対応した駆動電流を供給する駆動用トランジスタと、前記駆動電流が流れることにより当該駆動電流に基づいて発光するEL素子と、前記駆動用トランジスタのオフセットキャンセル電圧を生成するためのスイッチ用トランジスタと、を備えた画素がマトリックス状に配置された表示画面を有するEL表示装置の製造方法であって、
前記EL素子は、第1電圧が印加されている第1端子と、第2端子とを有し、
前記スイッチ用トランジスタは、ゲート信号線と接続されているゲート端子と、前記第2端子と接続された第3端子と、第4端子とを有し、
前記コンデンサの第1電極は前記駆動用トランジスタのゲート端子に接続され、前記コンデンサの第2電極は前記第2端子に接続され、
前記EL表示装置の駆動時に設定される、前記駆動用トランジスタの前記オフセットキャンセル電圧の補正準備期間では、前記ゲート信号線にオン電圧が印加されることで、前記スイッチ用トランジスタを介して、前記第1電圧よりも低い電位を有する初期化電圧が前記第2端子に印加され、
前記EL表示装置の製造方法は、
前記表示画面に配置された全ての画素のそれぞれに対して、前記駆動電流を流して一斉点灯させることにより、発光輝度に基づいて欠陥画素を検出する欠陥画素検出工程と、
前記欠陥画素検出工程の後、前記ゲート信号線に前記オン電圧を印加することにより、前記スイッチ用トランジスタの前記第4端子および前記第3端子を介し、かつ、前記駆動用トランジスタを介さないで、前記第1電圧よりも高い電位を有する電圧を前記第2端子に印加する電圧印加工程と、
前記ゲート信号線に前記オン電圧を印加した状態で、前記EL素子の発光を、光学的検出手段で検出する発光検出工程と、
前記発光検出工程で検出した前記EL素子の発光の有無に基づいて、(1)前記EL素子、ならびに(2)前記スイッチ用トランジスタおよび前記駆動用トランジスタを含む前記EL素子以外の画素回路素子、のいずれに欠陥があるかを判定する判定工程と、を含み、
前記判定工程では、前記欠陥画素のうち、前記発光検出工程で前記EL素子の発光を検出した欠陥画素については前記EL素子以外の画素回路素子に欠陥原因があると判定し、前記発光検出工程で前記EL素子の発光を検出しなかった欠陥画素については前記EL素子に欠陥原因があると判定する、
EL表示装置の製造方法。 - 前記EL表示装置は、
前記複数の画素の画素列ごとに配置され、前記駆動用トランジスタのゲート端子に映像信号を反映した信号電圧を伝達するための前記ソース信号線を備え、
前記第4端子は、隣接する画素列に配置された前記ソース信号線に接続され、
前記電圧印加工程では、前記ゲート信号線にオン電圧を印加することにより、前記スイッチ用トランジスタを介して、隣接する画素列に配置された前記ソース信号線に印加された検査電圧を前記第2端子に印加する
請求項1に記載のEL表示装置の製造方法。
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