JP2010250085A - 電気光学装置、および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】定電流で有機ＥＬ素子を発光させた場合は、発光特性が異なる有機ＥＬ素子間において、生ずる発光輝度差が少なく、各有機ＥＬ素子の発光特性が解り難いという課題がある。
【解決手段】切替回路３０では、切替制御信号ＧｔｅｓｔがＨレベル、切替制御信号ＧｄｉｓｐがＬレベルで出力される。このため、トランジスター３０１はオン状態であり、トランジスター３０２がオフ状態である。一方、表示パネル１００では、走査線１０２および点灯制御線１０４に対して、Ｈレベルを有する走査信号Ｇｗｒｔ−ｉおよび点灯信号Ｇｓｅｔ−ｉが出力され、トランジスター２１６，２１８がオン状態になる。この結果、電源線１１３→トランジスター３０１→データ線１１２→トランジスター２１６→トランジスター２１８→有機ＥＬ素子２３０という経路で電流が流れる回路が形成され、定電圧Ｖｔｅｓｔに応じた電流を有機ＥＬ素子２３０に流すことができる。
【選択図】図４

Description

本発明は、電気光学装置、および電子機器に関するもので、特に、電気光学装置に備えられた電気光学素子の発光特性を測定する技術に関する。

近年、薄型の自発光素子である有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を、画像を表示する画素として基板上に複数形成した表示パネルが多く使われるようになってきた。有機ＥＬ素子は、発光層を含む有機層を、基板と対向する側に形成される陽極と、その反対側に形成される陰極との２つの電極で挟み、この電極間に所定の電流を流すことによって、所望する明るさの発光光を発光層から射出する素子である。従って、有機ＥＬ素子は、発光光の輝度が電極間を流れる電流に依存する。

このため、画素として形成された有機ＥＬ素子について、表示する画像に応じた電流が陽極と陰極間に適切に流れるようにする技術が種々開示されている。例えば、特許文献１には、画像が低階調（低輝度）を表示する場合に、有機ＥＬ素子の輝度ムラを防止する技術が開示されている。特許文献１は、画素の陽極に接続されたデータ線の寄生容量が大きい場合であって、データ線に流す電流が小さいとき（低階調のとき）、画像データを補正して有機ＥＬ素子の輝度ムラの発生を防止する技術である。

特開２００５−１１５１４４号公報

ところで、製造上の理由から、発光層を始め各有機層（例えば正孔輸送層など）の厚さが画素毎に異なることが多い。このために、画素間で有機ＥＬ素子の発光特性（例えば、電流と発光輝度との関係）にバラツキが存在することになる。この結果、例えば上記の特許文献１のように、画像データを補正して陽極と陰極間に補正した電流を流しても、画素によって発光特性が異なるために、輝度ムラを所望通りに補正することができなくなってしまう虞がある。

そこで、画素ごとに、形成された有機ＥＬ素子の発光特性を予め測定することが重要である。各有機ＥＬ素子の発光特性が解かれば、それに応じて各画素に対して流す電流を補正することができる。あるいは、測定された発光特性に応じて、各有機層の形成条件（層の厚さなど）を変更して、基板上に形成された複数の有機ＥＬ素子が互いに等しい発光特性を有するように製造することもできるからである。

このとき、発光特性の測定方法として、総ての有機ＥＬ素子に一定の電流を流して発光駆動し、発光した有機ＥＬ素子の発光輝度を輝度計などによって測定する方法が採用されている。これは、上述するように有機ＥＬ素子は電流に依存して発光することから、画像表示のために画像データに応じた一定の電流を有機ＥＬ素子に流すべく定電流駆動回路が形成され、この形成された定電流駆動回路を用いて発光特性を測定するためである。

しかしながら、一定の電流で総ての有機ＥＬ素子を発光させた場合は、有機ＥＬ素子間において各有機層の形成バラツキが存在していても、有機ＥＬ素子に流れる電流は総て同じ値であるので、発光特性が異なる有機ＥＬ素子間において生ずる発光輝度差が少なくなる。このため、それぞれの有機ＥＬ素子の発光特性が解かり難いという課題がある。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。

［適用例１］電流によって発光する電気光学素子と、前記電気光学素子に対して画像データに応じた前記電流を流すように構成された第１の駆動回路と、前記電気光学素子に対して定電圧を印加して前記電流を流すように構成された第２の駆動回路と、前記電気発光素子を前記第１の駆動回路または前記第２の駆動回路のいずれかによって発光するように切り替える切替回路とを備えたことを特徴とする電気光学装置。

この構成によれば、電気光学装置において、電気光学素子を電流での発光以外に定電圧で発光させることができる。従って、例えば、電気光学素子の電流と輝度との関係など、電気光学装置に備えられた電気光学素子の発光特性を精度良く測定することができる。この結果、第１の駆動回路によって流す電流を、電気光学素子の発光特性に応じて的確に補正できることになるので、画像データに応じた適切な輝度で発光する電気光学素子を備えた電気光学装置を提供することが可能となる。

［適用例２］上記電気光学装置であって、赤、青、緑のいずれかの色を発光する前記電気光学素子を複数備え、前記第２の駆動回路は、前記赤、青、緑のいずれかの発光色別に、前記電気光学素子に対して同一の電圧値を有する前記定電圧を印加して前記電流を流すように構成されていることを特徴とする。

この構成によれば、カラー画像の表示を行う電気光学装置において、各発光色の発光特性に応じた電圧値を有する定電圧を電気光学素子に印加するので、発光色毎に的確に発光特性を測定することができる。この結果、第１の駆動回路によって流す電流を、電気光学素子の発光特性に応じて的確に補正できることになるので、画像データに応じた適切な輝度で発光する電気光学素子を備え、カラー画像の表示を行う電気光学装置を提供することが可能となる。

［適用例３］上記電気光学装置であって、前記第１の駆動回路は、前記画像データに応じて前記電気光学素子に流す前記電流を規定する定電流回路との接続線を有し、前記第２の駆動回路は、前記定電流回路との接続線に前記定電圧を供給して、前記電気光学素子に対して前記電流を流すように構成されていることを特徴とする。

定電流回路は、通常データ線の延設方向に並んだ複数の電気光学素子に対して設けられる。従って、この構成によれば、複数の電気光学素子に対して、つまり複数の第１の駆動回路に対して１つの第２の駆動回路を備えればよいので、電気光学装置における駆動回路の形成負荷が軽減される。

［適用例４］上記電気光学装置であって、前記電気光学素子が複数形成された表示領域を備え、前記第２の駆動回路と前記切替回路は、前記表示領域のうち一部の領域に形成された前記電気光学素子に対して備えられていることを特徴とする。

表示領域の一部に形成された電気光学素子の発光特性から、表示領域の全体に形成された電気光学素子についての光学特性を把握できる場合、このように構成することによって、表示領域の全体に形成された電気光学素子の光学特性を測定することができる。

［適用例５］上記電気光学装置であって、前記電気光学素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする。

有機エレクトロルミネッセンス素子は、定電圧を印加して発光させた場合、素子の発光特性の差に応じた輝度差が比較的顕著に現れる。従って発光輝度によって発光特性を測定することができる。

［適用例６］上記記載の電気光学装置を表示装置として備えた電子機器。

こうすれば、画像データに応じた表示を行うことができる電子機器を提供することができる。

本発明の一実施例となる電気光学装置の概略構成を示すブロック図。 表示パネルと切替回路の回路構成を示す説明図。 画素回路について、その画像表示状態を示した説明図。 画素回路について、その発光特性の測定状態を示した説明図。 定電流駆動と定電圧駆動における発光輝度の実際の測定結果を示す図。 第１変形例の表示パネルと切替回路の回路構成を示す説明図。 第２変形例の電気光学装置の回路構成を示す図。 第３変形例で、電気光学装置を組み込んだ電子機器についての説明図。

本発明の実施例について図を参照して説明する。図１は、本発明の一実施例となる電気光学装置１について、その概略構成を示すブロック図である。本実施例の電気光学装置１は、表示パネル１００が、ゲートドライバー１２とデータドライバー２０とによって駆動される構成を有している。表示パネル１００には、文字や図形などを含む画像を表示する表示領域に、電気光学素子としての有機ＥＬ素子を含む画素回路（後述する）が行列状に配列されている。従って、有機ＥＬ素子は発光画素として機能する。本実施例では、有機ＥＬ素子が列方向（図１においては縦方向）に２４０個、行方向（図１においては横方向）に３２０個、それぞれ形成されているものとする。なお、配列数は特にこれに限るものでないことは勿論である。

ゲートドライバー１２からは、走査線１０２と点灯制御線１０４とが、表示パネル１００の各行に形成された有機ＥＬ素子に対応して、２４０本それぞれ延設形成されている。ゲートドライバー１２は制御回路１０によって制御され、走査線１０２に走査信号Ｇｗｒｔ−１〜Ｇｗｒｔ−２４０を、点灯制御線１０４に点灯信号Ｇｓｅｔ−１〜Ｇｓｅｔ−２４０をそれぞれ所定のタイミングで順番に出力する。

データドライバー２０からは、データ線１１２が、表示パネル１００の各列に形成された有機ＥＬ素子に対応して、３２０本それぞれ延設形成されている。データドライバー２０は、データ線１１２つまり各列に形成された総ての有機ＥＬ素子に対応して１つの定電流回路２２を有している。データドライバー２０は制御回路１０から出力される画像データによって制御され、画像データで指定された各有機ＥＬ素子に流すべき電流を定電流回路２２が生成し、データ電流Ｘ−１〜Ｘ−３２０として、後述する切替回路３０を介して各データ線１１２に出力するよう構成されている。

そして、ゲートドライバー１２から走査信号Ｇｗｒｔ−１〜Ｇｗｒｔ−２４０、および点灯信号Ｇｓｅｔ−１〜Ｇｓｅｔ−２４０が出力されるタイミング毎つまり１水平走査期間毎に、データドライバー２０は１行分の有機ＥＬ素子に流す電流を規定するデータ電流Ｘ−１〜Ｘ−３２０を出力する。その後、電源線１１４から表示パネル１００に対して供給される電圧Ｖｄｄによって、有機ＥＬ素子には、データ電流Ｘ−１〜Ｘ−３２０によって規定された電流が流れるように構成されている。この結果、表示領域には、画像データに応じた画像が発光表示されるのである。

本実施例の電気光学装置１では、データドライバー２０と表示パネル１００との間に、切替回路３０を介在させている。切替回路３０は、制御回路１０から延設形成された切替制御線１０８，１０９に対して出力される切替制御信号Ｇｔｅｓｔ，Ｇｄｉｓｐによって制御され、データ線１１２に対して、データ電流Ｘ−１〜Ｘ−３２０の出力と、電源線１１３から供給される定電圧Ｖｔｅｓｔの出力と、のいずれかの出力に切り替える。

制御回路１０は、上述した制御の他に、表示パネル１００に延設形成された制御線１１８に対して制御信号Ｐｒｅを出力する。制御信号Ｐｒｅについては後述する。

次に、表示パネル１００と切替回路３０について、図２を参照して具体的に説明する。図２は、表示パネル１００と切替回路３０の回路構成を示す説明図である。なお、本実施例では、表示パネル１００はガラス板やセラミック板などを基材とした基板上に画素回路２００が配列形成された構成を有している。そして、切替回路３０は、同じ基板上であって、画素回路２００が形成された領域と異なる領域に形成されている。もとより、切替回路３０は、必ずしも表示パネル１００と同じ基板上に形成されなくてもよく、別基板に形成されることとしてもよい。

表示パネル１００には、前述するように画素回路２００が行列状に配列された画像の表示領域が形成されている。そして、画素回路２００に含まれる有機ＥＬ素子がＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のいずれかの発光色を有し、表示領域において同じ発光色が列方向（図面縦方向）に並ぶように配置されている。なお、画素回路２００は、同じ発光色の有機ＥＬ素子が行方向（図面横方向）に並ぶように配置されていることとしてもよい。

１行分の画素回路２００のそれぞれは、走査線１０２および点灯制御線１０４が、それぞれ１本ずつを１組として電気的に接続されている。そして、ｉ行目（ｉ＝１〜２４０）の走査線１０２には走査信号Ｇｗｒｔ−ｉ（ｉ＝１〜２４０）が出力され、ｉ行目（ｉ＝１〜２４０）の点灯制御線１０４には点灯信号Ｇｓｅｔ−ｉ（ｉ＝１〜２４０）が出力される。

一方、１列分の画素回路２００のそれぞれは、データ線１１２が１本ずつ電気的に接続されている。そして、ｊ列目（ｊ＝１〜３２０）のデータ線１１２には、切替回路３０の切替制御によって、データ電流Ｘ−ｊ（ｊ＝１〜３２０）が出力される。

切替回路３０には、図示するように、２つのトランジスター３０１とトランジスター３０２が形成され、制御回路１０から切替制御線１０８，１０９にそれぞれ出力される２つの切替制御信号Ｇｔｅｓｔ，Ｇｄｉｓｐによって、２つのトランジスター３０１とトランジスター３０２のオン・オフが制御される。本実施例では、後述する有機ＥＬ素子の発光特性を測定する場合は、切替制御信号ＧｔｅｓｔがＨ（ハイ）レベル、切替制御信号ＧｄｉｓｐがＬ（ロー）レベルで出力され、トランジスター３０１をオンし、トランジスター３０２をオフする。この結果、電源線１１３を介して供給される発光特性の測定用の定電圧Ｖｔｅｓｔが、データ線１１２に出力される。

一方、画像の表示領域において有機ＥＬ素子を画像データに応じて発光させる場合は、切替制御信号ＧｔｅｓｔがＬレベル、切替制御信号ＧｄｉｓｐがＨレベルで出力され、トランジスター３０１をオフし、トランジスター３０２をオンする。この結果、前述したように、ｊ列目（ｊ＝１〜３２０）のデータ線１１２にデータ電流Ｘ−ｊ（ｊ＝１〜３２０）が出力される。なお、有機ＥＬ素子の発光特性を測定する時以外は、通常切替制御信号ＧｔｅｓｔがＬレベル、切替制御信号ＧｄｉｓｐがＨレベルで出力される。

また、各データ線１１２にはそれぞれに対応するようにＮチャンネル型のトランジスター１１６が設けられている。各トランジスター１１６のドレインは電圧Ｖｄｄが供給される電源線１１４に共通接続されて、ソースはデータ線１１２にそれぞれ接続されている。そして各トランジスター１１６のゲートは、制御信号Ｐｒｅが供給される制御線１１８に共通接続されている。このため、制御信号ＰｒｅがＨレベルになると、トランジスター１１６がオンし、各データ線１１２が電圧Ｖｄｄにプリチャージされる構成となっている。なお、電源線１１４は、列方向に並ぶ画素回路２００に沿って列方向に延設して形成されているが、行方向に並ぶ画素回路２００に沿って行方向に沿って延設して形成されることとしてもよい。

次に、画素回路２００の具体的な回路構成、および本実施例の電気光学装置１が行う有機ＥＬ素子の発光特性の測定状態と画像表示状態とにおける回路動作について、それぞれ図３および図４を参照して説明する。なお、図３は、ｉ行ｊ列目に位置する画素回路２００について、その画像表示状態を示した説明図で、図４は、同じくｉ行ｊ列目に位置する画素回路２００について、その発光特性の測定状態を示した説明図である。

（画素回路の構成）
まず、画素回路２００の電気的な回路構成について図３を参照して説明する。画素回路２００は、有機ＥＬ素子２３０と、容量２２０、およびトランジスター２１２，２１４，２１６，２１８とを有する。本実施例では、トランジスター２１２はＰチャネル型の薄膜トランジスターであり、他のトランジスター２１４，２１６，２１８はＮチャネル型の薄膜トランジスターである。

トランジスター２１２のソースＳは電源線１１４に接続され、トランジスター２１２のゲートＧはトランジスター２１４のドレインＤに接続されている。また、トランジスター２１２のドレインＤは、トランジスター２１４のソースＳとトランジスター２１６，２１８の各ドレインＤとに接続されている。容量２２０は、一端が電源線１１４に、他端がトランジスター２１２のゲートＧに、それぞれ接続されている。有機ＥＬ素子２３０は、陽極がトランジスター２１８のソースＳに、陰極が電圧Ｖｄｄの低位側電位Ｇｎｄに、それぞれ接続されている。

トランジスター２１６のソースＳはｊ列目のデータ線１１２に接続されている。トランジスター２１６のゲートＧは、トランジスター２１４のゲートＧとともに、ｉ行目の走査線１０２に接続されている。トランジスター２１８のゲートＧは、ｉ行目の点灯制御線１０４に接続されている。

なお、本実施例において、薄膜トランジスターは、ポリシリコンおよびアモルファスシリコンのいずれのプロセスで形成されていてもよい。また、有機ＥＬ素子は、トップエミッション方式およびボトムエミッション方式のいずれの方式であってもよい。

（画像表示状態）
このような画素回路２００が構成された表示パネル１００において制御回路１０によって行われる画像表示状態の回路動作について、同じく図３を参照しつつ、ｉ行ｊ列目の画素回路２００を例に説明する。

走査線１０２および点灯制御線１０４には、１行目から２４０行目まで順番に所定のタイミング（ここでは１水平走査期間毎のタイミング）で走査信号Ｇｗｒｔ−ｉおよび点灯信号Ｇｓｅｔ−ｉとしてＨレベルがそれぞれ出力される。このとき、ｉ行目の走査信号Ｇｗｒｔ−ｉおよびｉ行目の点灯信号Ｇｓｅｔ−ｉがＨレベルになる前に、制御信号ＰｒｅがＨレベルになるように制御される。従って、前述するようにｊ列目のデータ線１１２は電圧Ｖｄｄにプリチャージされる。

次に、走査信号Ｇｗｒｔ−ｉがＨレベルになる。すると、トランジスター２１４がオン状態になるので、トランジスター２１２はダイオードとして機能する。また走査信号Ｇｗｒｔ−ｉがＨレベルになると、トランジスター２１６もオン状態になる。このとき、点灯信号Ｇｓｅｔ−ｉはＬレベルでありＨレベルになっていない。従って、トランジスター２１８はオフ状態である。

また、切替回路３０では、前述するように切替制御信号ＧｔｅｓｔがＬレベル、切替制御信号ＧｄｉｓｐがＨレベルで出力され、トランジスター３０１はオフ状態であり、トランジスター３０２がオン状態である。

従って、ｉ行ｊ列目の画素回路２００においては、電源線１１４→トランジスター２１２→トランジスター２１６→データ線１１２という経路で電流が流れる回路が形成される。このとき、ｊ列目のデータ線１１２に対応する定電流回路２２は、ｉ行ｊ列目の画素に対応する画像データで指定されたデータ電流Ｘ−ｊをデータ線１１２に流す。従って、トランジスター２１２のゲート電圧は、プリチャージされた電圧Ｖｄｄから徐々にデータ電流Ｘ−ｊに応じた電圧に至るとともに、容量２２０の一端に書き込まれることになる。

続いて、走査信号Ｇｗｒｔ−ｉはＬレベルになる。すると、トランジスター２１４，２１６がオフ状態になり、容量２２０に書き込まれた電圧は保持状態となる。その後、点灯信号Ｇｓｅｔ−ｉがＨレベルになり、トランジスター２１８がオン状態になる。すると、今度は、電源線１１４→トランジスター２１２→トランジスター２１８→有機ＥＬ素子２３０という経路で電流が流れる回路が構成される。

このとき、有機ＥＬ素子２３０を流れる電流は、トランジスター２１２のゲート電圧、つまり容量２２０に書き込まれ保持された電圧で定まる。従って、点灯信号Ｇｓｅｔ−ｉがＨレベルになったとき、有機ＥＬ素子２３０に流れる電流は、直前にデータ線１１２に流れていたデータ電流Ｘ−ｊにほぼ一致する。こうして、ｉ行ｊ列目の画素回路２００に含まれる有機ＥＬ素子２３０には、データ電流Ｘ−ｊに応じた定電流が流れ、有機ＥＬ素子２３０は、データ電流Ｘ−ｊつまり画像データに応じた輝度で発光するのである。

（発光特性測定状態）
次に、画素回路２００が構成された表示パネル１００において、制御回路１０によって行われる有機ＥＬ素子２３０の発光特性測定状態の回路動作について、図４を参照しつつ、ｉ行ｊ列目の画素回路２００を例に説明する。

有機ＥＬ素子２３０の発光特性を測定する場合、切替回路３０では、前述するように切替制御信号ＧｔｅｓｔがＨレベル、切替制御信号ＧｄｉｓｐがＬレベルで出力される。このため、トランジスター３０１はオン状態であり、トランジスター３０２がオフ状態である。一方、表示パネル１００では、発光特性の測定対象となる有機ＥＬ素子２３０を含む画素回路２００に対応する走査線１０２および点灯制御線１０４に対して、Ｈレベルを有する走査信号Ｇｗｒｔ−ｉおよび点灯信号Ｇｓｅｔ−ｉが出力され、トランジスター２１６，２１８がオン状態になる。このとき、電源線１１４からトランジスター２１２を介して有機ＥＬ素子２３０に電流が流れないようにするため、電圧Ｖｄｄの供給は停止（開放）される。また、制御信号ＰｒｅがＬレベルになるように制御されトランジスター１１６をオフ状態にする。

この結果、ｉ行ｊ列目の画素回路２００に対して、電源線１１３→トランジスター３０１→データ線１１２→トランジスター２１６→トランジスター２１８→有機ＥＬ素子２３０という経路で電流が流れる回路が形成される。そこで、電源線１１３に定電圧Ｖｔｅｓｔを供給すれば、有機ＥＬ素子２３０に対して定電圧Ｖｔｅｓｔが印加されるので、定電圧Ｖｔｅｓｔに応じた電流を有機ＥＬ素子２３０に流すことができる。

なお、本実施例では、有機ＥＬ素子２３０は、走査線１０２および点灯制御線１０４毎つまり行単位で発光させることができる。従って、例えば、総ての走査線１０２および総ての点灯制御線１０４に対して、Ｈレベルを有する走査信号Ｇｗｒｔ−ｉおよびＨレベルを有する点灯信号Ｇｓｅｔ−ｉを同時に出力すれば、表示パネル１００に形成された総ての有機ＥＬ素子２３０を同時に発光させることもできる。

このとき、有機ＥＬ素子２３０を流れる電流は、電圧が一定であるため、定電流駆動時に対して、例えば発光層の抵抗値など有機ＥＬ素子２３０の発光特性に関連する特性値に応じて比較的大きく変化する。従って、電流が変化することによって発光輝度に差異が生じ易くなるのである。一例として、画像表示状態における定電流駆動と、発光特性測定状態における定電圧駆動とのそれぞれについて、実際に得られた発光輝度の測定結果を図５に示す。

図５（ａ）は定電流駆動時の各有機ＥＬ素子２３０の発光パワー（ｎＷ）と電流（ｍＡ）との測定結果を示すグラフである。また、図５（ｂ）は定電圧駆動時の各有機ＥＬ素子２３０の発光パワー（ｎＷ）と電圧（Ｖ）との測定結果を示すグラフである。なお、図５において、発光パワーは発光輝度を表し、ドット♯は画素すなわち有機ＥＬ素子２３０の個々の番号を表している。

図示するように、発光パワーの値は、定電流駆動においては差異が少ない一方、定電圧駆動においては比較的顕著に差異が生じることが解る。ちなみに、発光パワーのバラツキ（差異）が３％以下であると光学特性の測定は困難であった。従って、発光パワーのバラツキ（差異）が３％以上となるように定電圧駆動を行うことが好ましい。このように、有機ＥＬ素子２３０に定電圧を印加して発光駆動することによって、発光特性を容易に精度良く測定することが可能となる。

上述したように、本実施例では、発光特性の測定時において、データ線１１２から定電圧を供給することとして回路構成した。こうすれば、定電流駆動に要する回路以外の回路（定電圧回路）を表示パネル１００の領域に付加しなくて済むので、表示パネル１００がサイズ的に大きくなったり、コストアップになったりすることが抑制される効果がある。また、データ線１１２に定電圧を出力することによって、列方向に並んだ複数の画素回路２００に対して同時に定電圧を印加できる。つまり、列方向に並んだ複数の有機ＥＬ素子２３０に対して、１つの定電圧回路を備えればよいので、電気光学装置１における駆動回路の形成負荷が軽減される。

なお、本実施例において、表示パネル１００に形成された回路が請求項記載の第１の駆動回路に相当し、電源線１１３、データ線１１２、および画素回路２００のうちのトランジスター２１６，２１８とが請求項記載の第２の駆動回路に相当する。また、データ線１１２が請求項記載の定電流回路との接続線に相当し、トタンジスター３０１，３０２が請求項記載の切替回路に相当する。

本発明について、上述したように一実施例を用いて説明したが、本発明はこうした実施例に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において様々な形態で実施し得ることは勿論である。以下変形例を挙げて説明する。

（第１変形例）
上記実施例では、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色を発光する有機ＥＬ素子２３０に対して、１つの定電圧Ｖｔｅｓｔが印加されるように配線構成されていることとしたが、特にこれに限るものでないことは勿論である。例えば、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色毎の有機ＥＬ素子２３０に対して、それぞれの色に応じた定電圧Ｖｔｅｓｔが印加されるように配線構成されていることとしてもよい。こうすれば、各発光色の発光特性に応じた電圧値を有する定電圧を有機ＥＬ素子に印加するので、発光色毎に的確に発光特性を測定することができる。この結果、画像表示に際して、流すべき画像データに応じた電流を、有機ＥＬ素子２３０の発光特性に応じて的確に補正できることになる。

本変形例の表示パネル１００と切替回路３０とを図６に示した。図６は、本変形例の電気光学装置１における表示パネル１００と切替回路３０の回路構成を示す説明図であり、図２に示した上記実施例の電気光学装置１における表示パネル１００と切替回路３０の回路構成を示す説明図において、電源線１１３を変更したものである。従って、ここでは表示パネル１００についての説明は省略し、変更された電源線１１３が形成された切替回路３０について説明する。

図示するように、切替回路３０は、３本の電源線１１３Ｒ、電源線１１３Ｇ、電源線１１３Ｂが配線形成されている。電源線１１３Ｒには定電圧ＶｔｅｓｔＲが、電源線１１３Ｇには定電圧ＶｔｅｓｔＧが、電源線１１３Ｂには定電圧ＶｔｅｓｔＢがそれぞれ供給される。

切替回路３０では、制御回路１０から出力される切替制御信号Ｇｔｅｓｔ，Ｇｄｉｓｐによって、データ線１１２に対して、データ電流Ｘ−１〜Ｘ−３２０を出力するか、定電圧ＶｔｅｓｔＲ，ＶｔｅｓｔＧ，ＶｔｅｓｔＢのいずれかを出力するかを切り替え制御する。そして、有機ＥＬ素子２３０の発光特性を測定する場合、切替制御信号ＧｔｅｓｔがＨレベル、切替制御信号ＧｄｉｓｐがＬレベルで出力され、トランジスター３０１をオンし、トランジスター３０２をオフする。

この結果、電源線１１３Ｒから供給される発光特性の測定用の定電圧ＶｔｅｓｔＲが、データ線１１２に出力される。そして、データ線１１２に接続され、Ｒ光を発光する有機ＥＬ素子２３０を有する画素回路２００に定電圧ＶｔｅｓｔＲが供給され、有機ＥＬ素子２３０に定電圧ＶｔｅｓｔＲが印加されて発光する。

同様に、電源線１１３Ｇから供給される発光特性の測定用の定電圧ＶｔｅｓｔＧが、データ線１１２に出力される。そして、このデータ線１１２に接続され、Ｇ光を発光する有機ＥＬ素子２３０を有する画素回路２００に定電圧ＶｔｅｓｔＧが供給され、有機ＥＬ素子２３０に定電圧ＶｔｅｓｔＧが印加されて発光する。また、電源線１１３Ｂから供給される発光特性の測定用の定電圧ＶｔｅｓｔＢが、データ線１１２に出力される。そして、データ線１１２に接続され、Ｂ光を発光する有機ＥＬ素子２３０を有する画素回路２００に定電圧ＶｔｅｓｔＢが供給され、有機ＥＬ素子２３０に定電圧ＶｔｅｓｔＢが印加されて発光する。

従って、有機ＥＬ素子２３０に印加される定電圧の値は、Ｒ，Ｇ，Ｂ各色毎に異なる値とすることができる。この結果、印加する定電圧の値を、各発光色の発光特性に応じた値にして有機ＥＬ素子２３０に印加することができるので、発光色毎に的確に発光特性を測定することが可能となるのである。

（第２変形例）
上記実施例では、発光特性の測定時において、データ線１１２から定電圧を供給することとして回路構成したが、これに限るものでないことは勿論である。例えば、発光特性の測定時に有機ＥＬ素子２３０に対して定電圧を供給する定電圧回路を、画素回路２００内に構成することとしてもよい。本変形例の一例を図７を用いて説明する。図７は、本変形例の電気光学装置１の回路構成を示す図であり、代表してｉ行ｊ列目に位置する画素回路２００について示した説明図である。なお、上記実施例と同様な回路構成については図示を省略している。また、同じ回路要素については同じ符号を付している。

図示するように、本変形例の表示パネル１００は、画素回路２００において、Ｎチャネル型の薄膜トランジスターであるトランジスター３０３が追加形成されている。そしてトランジスター３０３のソースＳは、トランジスター２１８のソースＳと接続されている。また、トランジスター３０３のドレインＤは電源線１１４に接続され、トランジスター３０３のゲートＧは、列方向に延設された配線１０６と接続されている。この配線１０６には、制御回路１０から出力される切替制御信号Ｇｔｅｓｔ−ｊが供給されるように構成されている。

本変形例では、制御回路１０は、切替制御信号Ｇｔｅｓｔ−ｊについて、画像表示状態ではＬレベルを、発光特性測定状態ではＨレベルを、それぞれ出力するように制御する。加えて、発光特性測定状態では、点灯制御線１０４に出力する点灯信号Ｇｓｅｔ−ｉをＬレベルに制御して、トランジスター２１８をオフ状態とする。この結果、有機ＥＬ素子２３０には、電源線１１４に供給される電圧Ｖｄｄがトランジスター３０３を経由して印加される。このとき、電圧Ｖｄｄの電圧値を発光特性測定用の定電圧Ｖｔｅｓｔとする。これによって、有機ＥＬ素子２３０の発光特性を測定することができる。

なお、本変形例では、配線１０６および電源線１１４が請求項記載の第２の駆動回路に相当し、トランジスター３０３とトランジスター２１８とが請求項記載の切替回路に相当する。従って、上記実施例と異なり、切替回路３０を表示パネル１００内に形成することができるので、切替回路３０の形成負荷が軽減される。

また、本変形例では、電圧Ｖｄｄを供給する電源線１１４から、発光特性測定用の定電圧を供給する構成としたが、電源線１１４とは別に定電圧Ｖｔｅｓｔを供給する電源線を列方向に延設形成することとしてもよい。その際、上述した第１変形例と同様、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色毎の有機ＥＬ素子に対して、それぞれの色に応じた定電圧ＶｔｅｓｔＲ，ＶｔｅｓｔＧ，ＶｔｅｓｔＢがそれぞれ印加されるように配線構成されていることとしてもよい。

（第３変形例：電子機器）
上記実施例では、本発明を適用した形態として電気光学装置１を例示して説明したが、本発明を上記実施例の電気光学装置１を組み込んだ電子機器の形態としてもよい。電子機器の一例を図８に例示する。

例えば、図８（ａ）に示したように、本実施形態の電子機器は携帯電話としてもよい。組み込まれた電気光学装置１が備える表示パネル１００が表示部として備えられた携帯電話は、画像データに応じた適切な輝度で表示部に画像を表示することができる。

あるいは、本実施形態の電子機器は、電子写真技術を用いたプリンターであってもよい。電子写真技術を用いたプリンターの一部の概略構造を図８（ｂ）に示した。図示するように、本変形例のプリンターは、有機ＥＬ素子２３０をライン状に並べた表示パネル１００を備え、各有機ＥＬ素子２３０から射出する発光光（図中矢印）を用いて画像を感光体ドラムに書き込むように構成されている。従って、表示パネル１００をラインヘッドとして用いたものである。このように、本発明が適用された表示パネル１００をラインヘッドとして備えたプリンターは、画像データに応じた適切な輝度で発光するラインヘッドとなって感光体ドラムに潜像を形成するので、画像を適切に出力するプリンターとなる。ちなみに、制御回路１０や切替回路３０など他の構成要素は制御基板に形成され、これらをフレキシブル基板を介して表示パネル１００と接続する構成とすることによって、上記実施例の電気光学装置１が組み込まれている。

もとより、電子機器としては携帯電話やプリンターに限らず、ビデオカメラやデジタルカメラ、あるいはテレビジョンなど、表示部を有する電子機器に対して本発明を適用することができる。本発明を適用すれば、画像データに応じた表示を行うことができる電子機器を提供することができる。

（その他の変形例）
上記実施例では、発光特性測定を、制御回路１０から出力される各信号によって制御する構成としたが、必ずしもこれに限るものでないことは勿論である。例えば、発光特性測定時において必要とする信号を、表示パネル１００と切替回路３０に対して、制御回路１０を介さず直接入力するようにしてもよい。例えば、表示パネル１００と切替回路３０とが１つの基板に形成され、制御回路１０など他の構成要素が異なる基板に別体で形成された場合、このようにすることによって、表示パネル１００と切替回路３０が形成された１つの基板の状態で、有機ＥＬ素子２３０の発光特性を測定することができる。

具体的には、図４に示したように、走査信号Ｇｗｒｔ−ｉと点灯信号Ｇｓｅｔ−ｉと切替制御信号ＧｔｅｓｔとがＨレベルになるように、走査線１０２と点灯制御線１０４と切替制御線１０８とに対してＨレベルに相当する電圧信号をそれぞれ印加する。そして、制御信号Ｐｒｅと切替制御信号ＧｄｉｓｐとがＬレベルになるように、制御線１１８と切替制御線１０９とに対してＬレベルに相当する電圧信号をそれぞれ印加する。また、電源線１１４に対して電圧Ｖｄｄの供給を中止し、切替回路３０の電源線１１３に対して定電圧Ｖｔｓｅｔ（ＶｔｅｓｔＲ，ＶｔｅｓｔＧ，ＶｔｅｓｔＢ）を印加する。こうすることによって、有機ＥＬ素子２３０の発光特性を測定することができる。

上記実施例では、表示パネル１００において形成された総ての有機ＥＬ素子について、切替回路３０によって画像表示状態と発光特性測定状態とを切替できる構成としたが、必ずしもこれに限るものでないことは勿論である。例えば、前記表示領域のうち一部の領域に形成された有機ＥＬ素子に対して切替回路を備え、定電圧による発光駆動を行うこととしてもよい。

例えば、有機ＥＬ素子２３０が、インクジェット装置などの吐出手段を用いた機能液の吐出によって形成された場合は、機能液が同じノズルから吐出されて形成された有機ＥＬ素子の発光特性は同じになると考えてよい。従って、表示領域の一部に形成された有機ＥＬ素子の発光特性から、その有機ＥＬ素子を形成するための機能液を吐出したノズルと同一ノズルから機能液が吐出されて形成された有機ＥＬ素子の光学特性を把握できる。そこで、このように一部の領域に形成された有機ＥＬ素子に対して切替回路３０を備え、定電圧駆動を行うようにすれば、表示領域の全体に形成された有機ＥＬ素子の光学特性を測定することができるとともに、切替回路および有機ＥＬ素子２３０の定電圧駆動に関する回路の形成負荷を軽減することができる。

また、上記実施例では、発光特性測定時に供給する測定用の定電圧の値について、特に言及しなかったが、発光特性測定時には、少なくとも２つの電圧値を供給するようにしてもよい。例えば、上述した特許文献１において言及したように、有機ＥＬ素子の発光特性が高階調の画像データと低階調の画像データとで異なる場合がある。そこで、発光特性測定時に供給する測定用の定電圧の値を、高階調と低階調に合わせて少なくとも２つの電圧値を供給するようにすれば、有機ＥＬ素子の発光特性をさらに詳細に測定することができる。

また、上記実施例では、電気光学素子が有機ＥＬ素子であることとしたが、必ずしもこれに限るものでないことは勿論である。例えば、無機ＥＬ素子であってもよい。あるいは、エレクトロルミネッセンス素子に限らず、発光ダイオード（ＬＥＤ）であっても差し支えない。要は、電流量によって発光量が制御される素子であればよい。

また、本発明の主旨は、画像データに応じて画像を表示する場合において電気発光素子を定電流で駆動し、電気発光素子の発光特性を測定する場合において電気発光素子を定電流で駆動するものであることから、上記実施例において、画素回路は、上記実施例とは異なる回路構成を有するものであっても差し支えない。

１０…制御回路、１２…ゲートドライバー、２０…データドライバー、２２…定電流回路、３０…切替回路、１００…表示パネル、１０２…走査線、１０４…点灯制御線、１０６…配線、１０８，１０９…切替制御線、１１２…データ線、１１３…電源線、１１３Ｂ…電源線、１１３Ｇ…電源線、１１３Ｒ…電源線、１１４…電源線、１１６…トランジスター、１１８…制御線、２００…画素回路、２１２…トランジスター、２１４，２１６，２１８…トランジスター、２２０…容量、２３０…有機ＥＬ素子、３０１，３０２，３０３…トランジスター。

Claims (6)

1. 電流によって発光する電気光学素子と、
   前記電気光学素子に対して画像データに応じた前記電流を流すように構成された第１の駆動回路と、
   前記電気光学素子に対して定電圧を印加して前記電流を流すように構成された第２の駆動回路と、
   前記電気発光素子を前記第１の駆動回路または前記第２の駆動回路のいずれかによって発光するように切り替える切替回路と
   を備えたことを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１に記載の電気光学装置であって、
   赤、青、緑のいずれかの色を発光する前記電気光学素子を複数備え、
   前記第２の駆動回路は、前記赤、青、緑のいずれかの発光色別に、前記電気光学素子に対して同一の電圧値を有する前記定電圧を印加して前記電流を流すように構成されていることを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項１または２に記載の電気光学装置であって、
   前記第１の駆動回路は、前記画像データに応じて前記電気光学素子に流す前記電流を規定する定電流回路との接続線を有し、
   前記第２の駆動回路は、前記定電流回路との接続線に前記定電圧を供給して、前記電気光学素子に対して前記電流を流すように構成されていることを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項１ないし３のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
   前記電気光学素子が複数形成された表示領域を備え、
   前記第２の駆動回路と前記切替回路は、前記表示領域のうち一部の領域に形成された前記電気光学素子に対して備えられていることを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項１ないし４のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
   前記電気光学素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする電気光学装置。
6. 請求項１ないし５のいずれか一項に記載の電気光学装置を表示装置として備えた電子機器。

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