JP6274784B2 - Resin sheet for sealing electronic device and method for manufacturing electronic device package - Google Patents

Resin sheet for sealing electronic device and method for manufacturing electronic device package Download PDF

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Description

本発明は、電子デバイス封止用樹脂シート及び電子デバイスパッケージの製造方法に関する。   The present invention relates to an electronic device sealing resin sheet and an electronic device package manufacturing method.

従来、電子デバイスパッケージの製造方法として、基板などに固定された１又は複数の電子デバイスを封止樹脂で封止するという方法が知られている。このような封止樹脂として、例えば、熱硬化性樹脂シートが知られている（例えば、特許文献１参照）。   Conventionally, as a method for manufacturing an electronic device package, a method of sealing one or a plurality of electronic devices fixed to a substrate or the like with a sealing resin is known. As such a sealing resin, for example, a thermosetting resin sheet is known (for example, see Patent Document 1).

特開２００６−１９７１４号公報JP 2006-19714 A

電子デバイスパッケージに各種情報（例えば、製品番号等の文字情報や、２次元コード等の図形情報）を付与するために、電子デバイスパッケージにレーザーマーキングすることがある。しかしながら、一般に、熱硬化性樹脂シートはフィラーを多く含有しているため、レーザー照射により気化する着色剤（カーボンブラック、染料など）の量が少ない。また、フィラー高充填のため、レーザー照射により熱硬化性樹脂シートを深く彫ることが難しい。このような理由から、熱硬化性樹脂シートにおいて高コントラストを得ることは難しく、視認性に優れたマークを熱硬化性樹脂シートに形成することは難しい。   In order to give various kinds of information (for example, character information such as a product number or graphic information such as a two-dimensional code) to the electronic device package, laser marking may be performed on the electronic device package. However, generally, since the thermosetting resin sheet contains a large amount of filler, the amount of colorant (carbon black, dye, etc.) that is vaporized by laser irradiation is small. Moreover, since the filler is highly filled, it is difficult to carve the thermosetting resin sheet deeply by laser irradiation. For these reasons, it is difficult to obtain a high contrast in the thermosetting resin sheet, and it is difficult to form a mark having excellent visibility on the thermosetting resin sheet.

本発明は前記課題を解決し、レーザーマーキングによって視認性に優れたマークを形成できる電子デバイス封止用樹脂シート及び電子デバイスパッケージの製造方法を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and to provide a resin sheet for encapsulating an electronic device and a method for producing an electronic device package that can form a mark having excellent visibility by laser marking.

本発明は、第１の樹脂層及び第２の樹脂層を備え、前記第１の樹脂層をレーザーマーキングした後のマーキング部と前記マーキング部以外とのコントラストが２０％以上である電子デバイス封止用樹脂シートに関する。   The present invention provides an electronic device sealing comprising a first resin layer and a second resin layer, wherein the contrast between the marking portion after laser marking the first resin layer and the portion other than the marking portion is 20% or more. It relates to a resin sheet.

本発明の電子デバイス封止用樹脂シートは、マーキング部と非マーキング部とのコントラストが２０％以上である第１の樹脂層を備える。このため、第１の樹脂層へのレーザーマーキングによって、視認性に優れたマークを形成できる。   The resin sheet for encapsulating an electronic device of the present invention includes a first resin layer in which the contrast between the marking portion and the non-marking portion is 20% or more. For this reason, the mark excellent in visibility can be formed by the laser marking to the 1st resin layer.

本発明の電子デバイス封止用樹脂シートは、第２の樹脂層のコントラストを高める必要がないので、第２の樹脂層にフィラーを高充填できる。よって、電子デバイスパッケージの反りを低減することが可能である。   Since the resin sheet for encapsulating an electronic device of the present invention does not need to increase the contrast of the second resin layer, the second resin layer can be highly filled with a filler. Therefore, the warp of the electronic device package can be reduced.

前記第１の樹脂層中のフィラーの含有量が７６体積％以下であることが好ましい。７６体積％以下であると、高いコントラストが得られる。   The filler content in the first resin layer is preferably 76% by volume or less. When it is 76% by volume or less, high contrast can be obtained.

前記第１の樹脂層はカーボンブラックを含み、前記第１の樹脂層中の前記カーボンブラックの含有量が０．１〜２重量％であることが好ましい。前記範囲内であると、良好なコントラストが得られる。   The first resin layer preferably contains carbon black, and the content of the carbon black in the first resin layer is preferably 0.1 to 2% by weight. Within the above range, good contrast can be obtained.


前記第１の樹脂層は染料を含み、前記第１の樹脂層中の前記染料の含有量が０．１〜２重量％であることが好ましい。前記範囲内であると、良好なコントラストが得られる。
The first resin layer preferably contains a dye, and the content of the dye in the first resin layer is preferably 0.1 to 2% by weight. Within the above range, good contrast can be obtained.

前記第２の樹脂層は混練により得られることが好ましい。これにより、溶剤を使用せずに第２の樹脂層を作製できるので、溶剤の揮発による樹脂シート表面の変形を防止できる。   The second resin layer is preferably obtained by kneading. Thereby, since a 2nd resin layer can be produced without using a solvent, the deformation | transformation of the resin sheet surface by volatilization of a solvent can be prevented.

本発明はまた、前記電子デバイス封止用樹脂シートで電子デバイスを封止する工程を含む電子デバイスパッケージの製造方法に関する。   The present invention also relates to a method for manufacturing an electronic device package including a step of sealing an electronic device with the resin sheet for sealing an electronic device.

前記電子デバイスパッケージの製造方法は、前記電子デバイスを封止した後、前記第１の樹脂層にレーザーマーキングを行う工程を含むことが好ましい。   The method for manufacturing the electronic device package preferably includes a step of performing laser marking on the first resin layer after sealing the electronic device.

実施形態１の樹脂シートの断面模式図である。3 is a schematic cross-sectional view of a resin sheet according to Embodiment 1. FIG. 電子デバイスが搭載された基板の断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram of the board | substrate with which the electronic device was mounted. 実施形態１の樹脂シートで電子デバイスを封止した様子を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically a mode that the electronic device was sealed with the resin sheet of Embodiment 1. FIG. 電子デバイスパッケージをダイシングした様子を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically a mode that the electronic device package was diced. チップ状の電子デバイスパッケージを基板に実装した様子を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically a mode that the chip-shaped electronic device package was mounted in the board | substrate. 粘着シートに電子デバイスを固定した様子を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically a mode that the electronic device was fixed to the adhesive sheet. 樹脂シートで電子デバイスを封止した様子を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically a mode that the electronic device was sealed with the resin sheet. 封止体から粘着シートを剥離した様子を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically a mode that the adhesive sheet was peeled from the sealing body. 研削した後の封止体の断面を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the cross section of the sealing body after grinding. 封止体に再配線とバンプを形成した様子を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically a mode that the rewiring and bump were formed in the sealing body. 封止体をダイシングした様子を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically a mode that the sealing body was diced.

以下に実施形態を掲げ、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。   The present invention will be described in detail below with reference to embodiments, but the present invention is not limited only to these embodiments.

［実施形態１］
図１は、実施形態１の樹脂シート１１の断面模式図である。樹脂シート１１は、第１の樹脂層１と第２の樹脂層２とを積層した構造である。なお、樹脂シート１１の両面には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムなどの支持体が設けられていてもよい。樹脂シート１１からの剥離を容易に行うために、支持体には離型処理が施されていてもよい。 [Embodiment 1]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a resin sheet 11 according to the first embodiment. The resin sheet 11 has a structure in which a first resin layer 1 and a second resin layer 2 are laminated. Note that supports such as a polyethylene terephthalate (PET) film may be provided on both surfaces of the resin sheet 11. In order to perform peeling from the resin sheet 11 easily, a release treatment may be applied to the support.

第１の樹脂層１は、レーザーマーキングした後のマーキング部とマーキング部以外とのコントラストが２０％以上である。コントラストの下限値は、２５％であることが好ましく、３０％以上であることが好ましい。また、コントラストは、大きければ大きいほど好ましいが、上限値としては、例えば、６０％、１００％、１５０％、２００％、２５０％等を挙げることができる。第１の樹脂層１は、レーザーマーキングした後のマーキング部とマーキング部以外とのコントラストが２０％以上であり、優れたコントラストを有するため、レーザーマーキングにより付与された各種情報（例えば、文字情報や図形情報）の視認性が良好である。   The first resin layer 1 has a contrast of 20% or more between the marking portion after laser marking and the portion other than the marking portion. The lower limit value of contrast is preferably 25%, and more preferably 30% or more. The larger the contrast, the better. However, examples of the upper limit include 60%, 100%, 150%, 200%, 250%, and the like. The first resin layer 1 has a contrast between the marking portion after laser marking and the portion other than the marking portion of 20% or more, and has an excellent contrast. Therefore, various information (for example, character information or The visibility of (graphic information) is good.

コントラストは、キーエンス(株)製ＣＶ-５０００によって第１の樹脂層１のマーキング部とマーキング部以外の箇所（非マーキング部）との明度を測定した後、以下の計算式によって求められる。
［（マーキング部の明度−非マーキング部の明度）／マーキング部の明度］×１００（％） The contrast is obtained by the following calculation formula after measuring the brightness of the marking portion of the first resin layer 1 and the portion other than the marking portion (non-marking portion) by CV-5000 manufactured by Keyence Corporation.
[(Lightness of marking part-Lightness of non-marking part) / Lightness of marking part] x 100 (%)

レーザーマーキングを行う際には、公知のレーザーマーキング装置を利用することができる。また、レーザーとしては、気体レーザー、個体レーザー、液体レーザーなどの各種レーザーを利用することができる。具体的には、気体レーザーとしては、特に制限されず、公知の気体レーザーを利用することができるが、炭酸ガスレーザー（ＣＯ２レーザー）、エキシマレーザー（ＡｒＦレーザー、ＫｒＦレーザー、ＸｅＣｌレーザー、ＸｅＦレーザーなど）が好適である。また、固体レーザーとしては、特に制限されず、公知の固体レーザーを利用することができるが、ＹＡＧレーザー（Ｎｄ：ＹＡＧレーザーなど）、ＹＶＯ４レーザーが好適である。 When performing laser marking, a known laser marking apparatus can be used. As the laser, various lasers such as a gas laser, a solid laser, and a liquid laser can be used. Specifically, the gas laser is not particularly limited, and a known gas laser can be used, but a carbon dioxide laser (CO 2 laser), an excimer laser (ArF laser, KrF laser, XeCl laser, XeF laser). Etc.) are preferred. The solid laser is not particularly limited, and a known solid laser can be used, but a YAG laser (Nd: YAG laser or the like) and a YVO 4 laser are preferable.

レーザーマーキングを行う際のレーザーの照射条件としては、マーキング部とマーキング部以外とのコントラストや加工深さ等を考慮として適宜設定することができ、例えば、レーザーマーキング装置：商品名「ＭＤ−Ｓ９９００」、キーエンス社製を用いた場合は、以下の範囲内とすることができる。
（レーザー照射条件）
波長：５３２ｎｍ
強度：１．０Ｗ
スキャンスピード：７００ｍｍ／ｓｅｃ
Ｑスイッチ周波数：６４ｋＨｚ Laser irradiation conditions for performing laser marking can be appropriately set in consideration of the contrast between the marking portion and the portion other than the marking portion, processing depth, and the like. For example, laser marking device: trade name “MD-S9900” In the case of using Keyence Corporation, it can be within the following range.
(Laser irradiation conditions)
Wavelength: 532nm
Strength: 1.0W
Scanning speed: 700mm / sec
Q switch frequency: 64 kHz

第１の樹脂層１のエッチング率（マーキング部の彫り深さ）は、好ましくは８０％以上、より好ましくは１００％以上である。８０％以上であると、マーキング部と非マーキング部の明度に明確な差があり、良好なコントラストが得られる。第１の樹脂層１のエッチング率は、好ましくは１０００％以下、より好ましくは８００％以下である。１０００％以下であると、マーキング部が精細となり，良好なコントラストが得られる。
エッチング率は実施例に記載の方法で測定できる。 The etching rate of the first resin layer 1 (the carved depth of the marking portion) is preferably 80% or more, more preferably 100% or more. When it is 80% or more, there is a clear difference in brightness between the marking portion and the non-marking portion, and a good contrast can be obtained. The etching rate of the first resin layer 1 is preferably 1000% or less, more preferably 800% or less. When it is 1000% or less, the marking portion becomes fine and good contrast is obtained.
The etching rate can be measured by the method described in the examples.

第１の樹脂層１は、フィラーを含んでいてもよく、含んでいなくともよい。   The 1st resin layer 1 may contain the filler and does not need to contain it.

フィラーとしては特に限定されないが、無機充填材が好ましい。無機充填材としては、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ（溶融シリカや結晶性シリカなど）、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素などが挙げられる。なかでも、線膨張係数を良好に低減できるという理由から、シリカ、アルミナが好ましく、シリカがより好ましい。シリカとしては、溶融シリカが好ましく、球状溶融シリカがより好ましい。   Although it does not specifically limit as a filler, An inorganic filler is preferable. Examples of the inorganic filler include quartz glass, talc, silica (such as fused silica and crystalline silica), alumina, aluminum nitride, silicon nitride, and boron nitride. Among these, silica and alumina are preferable, and silica is more preferable because the linear expansion coefficient can be satisfactorily reduced. As silica, fused silica is preferable, and spherical fused silica is more preferable.

フィラーの平均粒径は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．４μｍ以上である。０．１μｍ以上であると、樹脂シートの可撓性、柔軟性を得易い。フィラーの平均粒径は、好ましくは４０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下である。
なお、平均粒径は、例えば、母集団から任意に抽出される試料を用い、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することにより導き出すことができる。 The average particle diameter of the filler is preferably 0.1 μm or more, more preferably 0.4 μm or more. When it is 0.1 μm or more, it is easy to obtain flexibility and flexibility of the resin sheet. The average particle size of the filler is preferably 40 μm or less, more preferably 30 μm or less.
The average particle diameter can be derived, for example, by using a sample arbitrarily extracted from the population and measuring it using a laser diffraction / scattering particle size distribution measuring apparatus.

コントラストを高められるという点から、第１の樹脂層１中のフィラーの含有量は少ないほど好ましい。第１の樹脂層１中のフィラーの含有量は好ましくは７６体積％以下であり、より好ましくは７０体積％以下である。７６体積％以下であると、高いコントラストが得られる。第１の樹脂層１中のフィラーの含有量はさらに好ましくは０体積％である。０体積％であると、レーザーにより第１の樹脂層１に貫通孔を容易に形成できる。   In view of enhancing the contrast, the smaller the filler content in the first resin layer 1, the better. Content of the filler in the 1st resin layer 1 becomes like this. Preferably it is 76 volume% or less, More preferably, it is 70 volume% or less. When it is 76% by volume or less, high contrast can be obtained. The filler content in the first resin layer 1 is more preferably 0% by volume. A through-hole can be easily formed in the 1st resin layer 1 with a laser as it is 0 volume%.

フィラーの含有量は、「重量％」を単位としても説明できる。代表的にシリカの含有量について、「重量％」を単位として説明する。
シリカは通常、比重２．２ｇ／ｃｍ３であるので、シリカの含有量（重量％）の好適範囲は例えば以下のとおりである。
すなわち、第１の樹脂層１中のシリカの含有量は、８６重量％以下が好ましく、８３重量％以下がより好ましい。 The filler content can also be explained by using “% by weight” as a unit. Typically, the content of silica will be described in units of “% by weight”.
Since silica usually has a specific gravity of 2.2 g / cm 3 , the preferred range of the silica content (% by weight) is, for example, as follows.
That is, the content of silica in the first resin layer 1 is preferably 86% by weight or less, and more preferably 83% by weight or less.

第１の樹脂層１は、カーボンブラックを含むことが好ましい。これにより、コントラストを高められる。   The first resin layer 1 preferably contains carbon black. Thereby, contrast can be increased.

第１の樹脂層１中のカーボンブラックの含有量は、０．１重量％以上が好ましい。０．１重量％以上であると、良好なコントラストが得られる。第１の樹脂層１中のカーボンブラックの含有量は、２重量％以下が好ましい。２重量％以下であると、流動性が良好で成型し易い。   The content of carbon black in the first resin layer 1 is preferably 0.1% by weight or more. When the content is 0.1% by weight or more, good contrast can be obtained. The content of carbon black in the first resin layer 1 is preferably 2% by weight or less. When it is 2% by weight or less, fluidity is good and molding is easy.

第１の樹脂層１は、染料を含むことが好ましい。これにより、コントラストを高められる。   The first resin layer 1 preferably contains a dye. Thereby, contrast can be increased.

染料としては、ブラック系染料、シアン系染料、マゼンダ系染料、イエロー系染料などが挙げられる。   Examples of the dye include black dyes, cyan dyes, magenta dyes, and yellow dyes.

ブラック系染料としては、Ｃ．Ｉ．ソルベントブラック３、同７、同２２、同２７、同２９、同３４、同４３、同７０、Ｃ．Ｉ．ダイレクトブラック１７、同１９、同２２、同３２、同３８、同５１、同７１、Ｃ．Ｉ．アシッドブラック１、同２、同２４、同２６、同３１、同４８、同５２、同１０７、同１０９、同１１０、同１１９、同１５４Ｃ．Ｉ．ディスパーズブラック１、同３、同１０、同２４などが挙げられる。シアン系染料としては、Ｃ．Ｉ．ソルベントブルー２５、同３６、同６０、同７０、同９３、同９５、Ｃ．Ｉ．アシッドブルー６、同４５などが挙げられる。マゼンダ系染料としては、Ｃ．Ｉ．ソルベントレッド１、同３、同８、同２３、同２４、同２５、同２７、同３０、同４９、同５２、同５８、同６３、同８１、同８２、同８３、同８４、同１００、同１０９、同１１１、同１２１、同１２２；Ｃ．Ｉ．ディスパースレッド９；Ｃ．Ｉ．ソルベントバイオレット８、同１３、同１４、同２１、同２７；Ｃ．Ｉ．ディスパースバイオレット１；Ｃ．Ｉ．ベーシックレッド１、同２、同９、同１２、同１３、同１４、同１５、同１７、同１８、同２２、同２３、同２４、同２７、同２９、同３２、同３４、同３５、同３６、同３７、同３８、同３９、同４０；Ｃ．Ｉ．ベーシックバイオレット１、同３、同７、同１０、同１４、同１５、同２１、同２５、同２６、同２７、同２８などが挙げられる。イエロー系染料としては、Ｃ．Ｉ．ソルベントイエロー１９、同４４、同７７、同７９、同８１、同８２、同９３、同９８、同１０３、同１０４、同１１２、同１６２などが挙げられる。   Examples of black dyes include C.I. I. Solvent Black 3, 7, 22, 27, 29, 34, 43, 70, C.I. I. Direct Black 17, 19, 19, 22, 32, 38, 51, 71, C.I. I. Acid Black 1, 2, 24, 26, 31, 48, 52, 107, 109, 110, 119, 154C. I. Disperse Black 1, 3, 10, 10, and the like. Examples of cyan dyes include C.I. I. Solvent Blue 25, 36, 60, 70, 93, 95, C.I. I. Acid Blue 6 and 45. Examples of magenta dyes include C.I. I. Solvent Red 1, 3, 8, 23, 24, 25, 27, 30, 30, 49, 52, 58, 63, 81, 82, 83, 84, the same 100, 109, 111, 121, 122; I. Disper thread 9; I. Solvent Violet 8, 13, 13, 21, and 27; C.I. I. Disperse violet 1; C.I. I. Basic Red 1, 2, 9, 9, 13, 14, 15, 17, 17, 18, 22, 23, 24, 27, 29, 32, 34, the same 35, 36, 37, 38, 39, 40; I. Basic Violet 1, 3, 7, 10, 14, 15, 21, 21, 25, 26, 27, 28 and the like. Examples of yellow dyes include C.I. I. Solvent Yellow 19, 44, 77, 79, 81, 82, 93, 98, 103, 104, 112, 162 and the like.

第１の樹脂層１中の染料の含有量は、０．１重量％以上が好ましい。０．１重量％以上であると、良好なコントラストが得られる。第１の樹脂層１中の染料の含有量は、２重量％以下が好ましい。２重量％以下であると、流動性が良好で成型し易い。   The content of the dye in the first resin layer 1 is preferably 0.1% by weight or more. When the content is 0.1% by weight or more, good contrast can be obtained. The content of the dye in the first resin layer 1 is preferably 2% by weight or less. When it is 2% by weight or less, fluidity is good and molding is easy.

第１の樹脂層１は、エポキシ樹脂を含むことが好ましい。   The first resin layer 1 preferably contains an epoxy resin.

エポキシ樹脂としては、特に限定されるものではない。例えば、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂などの各種のエポキシ樹脂を用いることができる。これらエポキシ樹脂は単独で用いてもよいし２種以上併用してもよい。   The epoxy resin is not particularly limited. For example, triphenylmethane type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, modified bisphenol A type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, modified bisphenol F type epoxy resin, dicyclopentadiene type Various epoxy resins such as an epoxy resin, a phenol novolac type epoxy resin, and a phenoxy resin can be used. These epoxy resins may be used alone or in combination of two or more.

エポキシ樹脂の反応性を確保する観点からは、エポキシ当量１５０〜２５０、軟化点もしくは融点が５０〜１３０℃の常温で固形のものが好ましい。なかでも、信頼性の観点から、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂がより好ましい。   From the viewpoint of ensuring the reactivity of the epoxy resin, it is preferable that the epoxy equivalent is 150 to 250, and the softening point or the melting point is 50 to 130 ° C., which is solid at room temperature. Of these, triphenylmethane type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, and biphenyl type epoxy resin are more preferable from the viewpoint of reliability.

第１の樹脂層１は、フェノール樹脂を含むことが好ましい。   It is preferable that the 1st resin layer 1 contains a phenol resin.

フェノール樹脂は、エポキシ樹脂との間で硬化反応を生起するものであれば特に限定されるものではない。例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、クレゾールノボラック樹脂、レゾール樹脂などが用いられる。これらフェノール樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。   The phenol resin is not particularly limited as long as it causes a curing reaction with the epoxy resin. For example, a phenol novolac resin, a phenol aralkyl resin, a biphenyl aralkyl resin, a dicyclopentadiene type phenol resin, a cresol novolak resin, a resole resin, or the like is used. These phenolic resins may be used alone or in combination of two or more.

フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂との反応性の観点から、水酸基当量が７０〜２５０、軟化点が５０〜１１０℃のものを用いることが好ましく、なかでも硬化反応性が高いという観点から、フェノールノボラック樹脂を好適に用いることができる。また、信頼性の観点から、フェノールアラルキル樹脂やビフェニルアラルキル樹脂のような低吸湿性のものも好適に用いることができる。   From the viewpoint of reactivity with the epoxy resin, it is preferable to use a phenol resin having a hydroxyl group equivalent of 70 to 250 and a softening point of 50 to 110 ° C., and in particular, a phenol novolac from the viewpoint of high curing reactivity. Resin can be used suitably. From the viewpoint of reliability, low hygroscopic materials such as phenol aralkyl resins and biphenyl aralkyl resins can also be suitably used.

第１の樹脂層１中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、９重量％以上が好ましい。９重量％以上であると、良好な硬化物強度が得られる。第１の樹脂層１中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、９０重量％以下が好ましい。９０重量％以下であると、吸湿性を低く抑えることができる。   The total content of the epoxy resin and the phenol resin in the first resin layer 1 is preferably 9% by weight or more. When it is 9% by weight or more, good cured product strength can be obtained. The total content of the epoxy resin and the phenol resin in the first resin layer 1 is preferably 90% by weight or less. If it is 90% by weight or less, the hygroscopicity can be kept low.

エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、硬化反応性という観点から、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計が０．７〜１．５当量となるように配合することが好ましく、より好ましくは０．９〜１．２当量である。   From the viewpoint of curing reactivity, the blending ratio of the epoxy resin and the phenol resin is blended so that the total number of hydroxyl groups in the phenol resin is 0.7 to 1.5 equivalents with respect to 1 equivalent of the epoxy group in the epoxy resin. Preferably, it is 0.9 to 1.2 equivalents.

第１の樹脂層１は、熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。   It is preferable that the 1st resin layer 1 contains a thermoplastic resin.

熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロンなどのポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴなどの飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体、メチルメタクリレート−ブタジエン−スチレン共重合体（ＭＢＳ樹脂）などが挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。   As thermoplastic resins, natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, thermoplasticity Polyimide resin, polyamide resin such as 6-nylon and 6,6-nylon, phenoxy resin, acrylic resin, saturated polyester resin such as PET and PBT, polyamideimide resin, fluororesin, styrene-isobutylene-styrene block copolymer, methyl Examples thereof include a methacrylate-butadiene-styrene copolymer (MBS resin). These thermoplastic resins can be used alone or in combination of two or more.

第１の樹脂層１中の熱可塑性樹脂の含有量は、１重量％以上が好ましい。１重量％以上であると、柔軟性、可撓性を付与できる。第１の樹脂層１中の熱可塑性樹脂の含有量は、１６重量％以下が好ましい。１６重量％以下であると、硬化後の接着性が良好となり、信頼性が向上する。   The content of the thermoplastic resin in the first resin layer 1 is preferably 1% by weight or more. A softness | flexibility and flexibility can be provided as it is 1 weight% or more. The content of the thermoplastic resin in the first resin layer 1 is preferably 16% by weight or less. When it is 16% by weight or less, the adhesiveness after curing becomes good and the reliability is improved.

第１の樹脂層１は、硬化促進剤を含むことが好ましい。   It is preferable that the 1st resin layer 1 contains a hardening accelerator.

硬化促進剤としては、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の硬化を進行させるものであれば特に限定されず、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートなどの有機リン系化合物；２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール系化合物；などが挙げられる。   The curing accelerator is not particularly limited as long as it cures the epoxy resin and the phenol resin, and examples thereof include organic phosphorus compounds such as triphenylphosphine and tetraphenylphosphonium tetraphenylborate; 2-phenyl-4, And imidazole compounds such as 5-dihydroxymethylimidazole and 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole.

硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計１００重量部に対して０．１〜５重量部が好ましい。   As for content of a hardening accelerator, 0.1-5 weight part is preferable with respect to a total of 100 weight part of an epoxy resin and a phenol resin.

第１の樹脂層１は、前記成分以外にも、封止樹脂の製造に一般に使用される配合剤を適宜含有してよい。   The 1st resin layer 1 may contain suitably the compounding agent generally used for manufacture of sealing resin other than the said component.

第１の樹脂層１は一般的な製法で作製できる。例えば、前記各成分を溶媒（例えば、メチルエチルケトン、酢酸エチルなど）に溶解ないし分散させて塗布液を調製し、塗布液を基材セパレータ上に塗布した後、塗布膜を乾燥させる。これにより、第１の樹脂層１を作製できる。   The first resin layer 1 can be produced by a general manufacturing method. For example, each of the above components is dissolved or dispersed in a solvent (for example, methyl ethyl ketone, ethyl acetate, etc.) to prepare a coating solution. After the coating solution is applied onto a substrate separator, the coating film is dried. Thereby, the 1st resin layer 1 is producible.

第２の樹脂層２の厚みを大きくできるという点から、第１の樹脂層１の厚みは小さいほど好ましい。第１の樹脂層１の厚みは好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下である。３０μｍ以下であると、低い出力で貫通孔を形成し易く，良好なコントラストが得られる。また、第１の樹脂層１の厚みの下限は特に限定されないが、例えば５μｍ以上である。   From the viewpoint that the thickness of the second resin layer 2 can be increased, the thickness of the first resin layer 1 is preferably as small as possible. The thickness of the 1st resin layer 1 becomes like this. Preferably it is 100 micrometers or less, More preferably, it is 30 micrometers or less. When it is 30 μm or less, it is easy to form a through hole with a low output, and a good contrast is obtained. Moreover, although the minimum of the thickness of the 1st resin layer 1 is not specifically limited, For example, it is 5 micrometers or more.

第２の樹脂層２のエッチング率は、好ましくは２％以上である。２％以上であると、第１の樹脂層１と第２の樹脂層２の界面に凹凸がある場合でも，第２の樹脂層２まで貫通孔を形成することができ、良好なコントラストが得られる。
第２の樹脂層２のエッチング率は、好ましくは２０％以下、より好ましくは１０％以下である。２０％以下であると、マーキングが精細になり良好なコントラストが得られる。 The etching rate of the second resin layer 2 is preferably 2% or more. If it is 2% or more, even if the interface between the first resin layer 1 and the second resin layer 2 is uneven, a through-hole can be formed up to the second resin layer 2 and a good contrast can be obtained. It is done.
The etching rate of the second resin layer 2 is preferably 20% or less, more preferably 10% or less. If it is 20% or less, the marking becomes fine and good contrast is obtained.

第２の樹脂層２は、エポキシ樹脂を含むことが好ましい。エポキシ樹脂としては、第１の樹脂層１で説明したものを好適に使用できる。   It is preferable that the 2nd resin layer 2 contains an epoxy resin. As an epoxy resin, what was demonstrated in the 1st resin layer 1 can be used conveniently.

第２の樹脂層２は、フェノール樹脂を含むことが好ましい。フェノール樹脂としては、第１の樹脂層１で説明したものを好適に使用できる。   It is preferable that the 2nd resin layer 2 contains a phenol resin. As a phenol resin, what was demonstrated in the 1st resin layer 1 can be used conveniently.

第２の樹脂層２中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、２重量％以上が好ましい。２重量％以上であると、充分な硬化物強度が得られる。第２の樹脂層２中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、２０重量％以下が好ましい。２０重量％以下であると、硬化物の線膨張係数を小さくでき、また低吸湿化できる。   The total content of the epoxy resin and the phenol resin in the second resin layer 2 is preferably 2% by weight or more. When it is 2% by weight or more, sufficient cured product strength can be obtained. The total content of the epoxy resin and the phenol resin in the second resin layer 2 is preferably 20% by weight or less. When it is 20% by weight or less, the linear expansion coefficient of the cured product can be reduced and moisture absorption can be reduced.

エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、硬化反応性という観点から、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計が０．７〜１．５当量となるように配合することが好ましく、より好ましくは０．９〜１．２当量である。   From the viewpoint of curing reactivity, the blending ratio of the epoxy resin and the phenol resin is blended so that the total number of hydroxyl groups in the phenol resin is 0.7 to 1.5 equivalents with respect to 1 equivalent of the epoxy group in the epoxy resin. Preferably, it is 0.9 to 1.2 equivalents.

第２の樹脂層２は、熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。熱可塑性樹脂としては、第１の樹脂層１で説明したものを好適に使用できる。   It is preferable that the 2nd resin layer 2 contains a thermoplastic resin. As a thermoplastic resin, what was demonstrated by the 1st resin layer 1 can be used conveniently.

第２の樹脂層２中の熱可塑性樹脂の含有量は、０．５重量％以上が好ましい。０．５重量％以上であると、良好な可とう性が得られる。第２の樹脂層２中の熱可塑性樹脂の含有量は、２０重量％以下が好ましい。２０重量％以下であると、良好な流動性が得られる。   The content of the thermoplastic resin in the second resin layer 2 is preferably 0.5% by weight or more. When it is 0.5% by weight or more, good flexibility is obtained. The content of the thermoplastic resin in the second resin layer 2 is preferably 20% by weight or less. Good fluidity | liquidity is acquired as it is 20 weight% or less.

第２の樹脂層２は、フィラーを含むことが好ましい。フィラーとしては、第１の樹脂層１で説明したものを好適に使用できる。なかでも、第２の樹脂層２に白色を付与できるという理由から、シリカが好ましい。第２の樹脂層２が白色を呈していると、レーザーにより第１の樹脂層１に貫通孔を形成した際に、マークを視認し易い。   It is preferable that the 2nd resin layer 2 contains a filler. As a filler, what was demonstrated by the 1st resin layer 1 can be used conveniently. Among these, silica is preferable because white color can be imparted to the second resin layer 2. When the 2nd resin layer 2 is exhibiting white, when a through-hole is formed in the 1st resin layer 1 with a laser, a mark is easy to visually recognize.

フィラーは、シランカップリング剤により処理（前処理）されたものが好ましい。これにより、樹脂との濡れ性を向上でき、フィラーの分散性を高めることができる。   The filler is preferably treated with a silane coupling agent (pretreatment). Thereby, wettability with resin can be improved and the dispersibility of a filler can be improved.

シランカップリング剤は、分子中に加水分解性基及び有機官能基を有する化合物である。   A silane coupling agent is a compound having a hydrolyzable group and an organic functional group in the molecule.

加水分解性基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基などの炭素数１〜６のアルコキシ基、アセトキシ基、２−メトキシエトキシ基等が挙げられる。なかでも、加水分解によって生じるアルコールなどの揮発成分を除去し易いという理由から、メトキシ基が好ましい。   As a hydrolysable group, C1-C6 alkoxy groups, such as a methoxy group and an ethoxy group, an acetoxy group, 2-methoxyethoxy group etc. are mentioned, for example. Among these, a methoxy group is preferable because it easily removes volatile components such as alcohol generated by hydrolysis.

有機官能基としては、ビニル基、エポキシ基、スチリル基、メタクリル基、アクリル基、アミノ基、ウレイド基、メルカプト基、スルフィド基、イソシアネート基などが挙げられる。なかでも、エポキシ樹脂、フェノール樹脂と反応し易いという理由から、エポキシ基が好ましい。   Examples of the organic functional group include a vinyl group, an epoxy group, a styryl group, a methacryl group, an acrylic group, an amino group, a ureido group, a mercapto group, a sulfide group, and an isocyanate group. Among these, an epoxy group is preferable because it easily reacts with an epoxy resin or a phenol resin.

シランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシランなどのビニル基含有シランカップリング剤；２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシランなどのエポキシ基含有シランカップリング剤；ｐ−スチリルトリメトキシシランなどのスチリル基含有シランカップリング剤；３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシランなどのメタクリル基含有シランカップリング剤；３−アクリロキシプロピルトリメトキシシランなどのアクリル基含有シランカップリング剤；Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシランなどのアミノ基含有シランカップリング剤；３−ウレイドプロピルトリエトキシシランなどのウレイド基含有シランカップリング剤；３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランなどのメルカプト基含有シランカップリング剤；ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィドなどのスルフィド基含有シランカップリング剤；３−イソシアネートプロピルトリエトキシシランなどのイソシアネート基含有シランカップリング剤などが挙げられる。   Examples of the silane coupling agent include vinyl group-containing silane coupling agents such as vinyltrimethoxysilane and vinyltriethoxysilane; 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyl Epoxy group-containing silane coupling agents such as dimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane; p-styryltrimethoxysilane, etc. A styryl group-containing silane coupling agent; 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrie Methacrylic group-containing silane coupling agents such as xyloxysilane; Acrylic group-containing silane coupling agents such as 3-acryloxypropyltrimethoxysilane; N-2- (aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-2- (Aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-triethoxysilyl-N- (1,3-dimethyl-butylidene) propylamine, N -Amino group-containing silane coupling agents such as phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane and N- (vinylbenzyl) -2-aminoethyl-3-aminopropyltrimethoxysilane; Ureides such as 3-ureidopropyltriethoxysilane Group-containing silane coupling A mercapto group-containing silane coupling agent such as 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane and 3-mercaptopropyltrimethoxysilane; a sulfide group-containing silane coupling agent such as bis (triethoxysilylpropyl) tetrasulfide; 3-isocyanate Examples include isocyanate group-containing silane coupling agents such as propyltriethoxysilane.

シランカップリング剤によりフィラーを処理する方法としては特に限定されず、溶媒中でフィラーとシランカップリング剤を混合する湿式法、気相中でフィラーとシランカップリング剤を処理させる乾式法などが挙げられる。   The method for treating the filler with the silane coupling agent is not particularly limited, and examples include a wet method in which the filler and the silane coupling agent are mixed in a solvent, and a dry method in which the filler and the silane coupling agent are treated in a gas phase. It is done.

シランカップリング剤の処理量は特に限定されないが、未処理のフィラー１００重量部に対して、シランカップリング剤を０．１〜１重量部処理することが好ましい。   Although the processing amount of a silane coupling agent is not specifically limited, It is preferable to process 0.1-1 weight part of silane coupling agents with respect to 100 weight part of untreated fillers.

第２の樹脂層２中のフィラーの含有量は、好ましくは５５体積％以上であり、より好ましくは６０体積％以上である。５５体積％以上であると、線膨張係数を低く設計できる。一方、フィラーの含有量は、好ましくは９０体積％以下であり、より好ましくは８５体積％以下である。９０体積％以下であると、柔軟性、流動性、接着性が良好に得られる。   Content of the filler in the 2nd resin layer 2 becomes like this. Preferably it is 55 volume% or more, More preferably, it is 60 volume% or more. A linear expansion coefficient can be designed low as it is 55 volume% or more. On the other hand, the filler content is preferably 90% by volume or less, more preferably 85% by volume or less. A softness | flexibility, fluidity | liquidity, and adhesiveness are favorably obtained as it is 90 volume% or less.

フィラーの含有量は、「重量％」を単位としても説明できる。代表的にシリカの含有量について、「重量％」を単位として説明する。
シリカは通常、比重２．２ｇ／ｃｍ３であるので、シリカの含有量（重量％）の好適範囲は例えば以下のとおりである。
すなわち、第２の樹脂層２中のシリカの含有量は、７３重量％以上が好ましく、７６重量％以上がより好ましい。第２の樹脂層２中のシリカの含有量は、９５重量％以下が好ましく、９３重量％以下がより好ましい。 The filler content can also be explained by using “% by weight” as a unit. Typically, the content of silica will be described in units of “% by weight”.
Since silica usually has a specific gravity of 2.2 g / cm 3 , the preferred range of the silica content (% by weight) is, for example, as follows.
That is, the content of silica in the second resin layer 2 is preferably 73% by weight or more, and more preferably 76% by weight or more. The silica content in the second resin layer 2 is preferably 95% by weight or less, and more preferably 93% by weight or less.

アルミナは通常、比重３．９ｇ／ｃｍ３であるので、アルミナの含有量（重量％）の好適範囲は例えば以下のとおりである。
すなわち、第２の樹脂層２中のアルミナの含有量は、８２重量％以上が好ましく、８５重量％以上がより好ましい。第２の樹脂層２中のアルミナの含有量は、９７重量％以下が好ましく、９５重量％以下がより好ましい。 Since alumina usually has a specific gravity of 3.9 g / cm 3 , the preferred range of the alumina content (% by weight) is, for example, as follows.
That is, the content of alumina in the second resin layer 2 is preferably 82% by weight or more, and more preferably 85% by weight or more. The content of alumina in the second resin layer 2 is preferably 97% by weight or less, and more preferably 95% by weight or less.

第２の樹脂層２は、硬化促進剤を含むことが好ましい。硬化促進剤としては、第１の樹脂層１で説明したものを好適に使用できる。   It is preferable that the 2nd resin layer 2 contains a hardening accelerator. As a hardening accelerator, what was demonstrated in the 1st resin layer 1 can be used conveniently.

硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計１００重量部に対して０．１〜５重量部が好ましい。   As for content of a hardening accelerator, 0.1-5 weight part is preferable with respect to a total of 100 weight part of an epoxy resin and a phenol resin.

第２の樹脂層２は、前記成分以外にも、封止樹脂の製造に一般に使用される配合剤、例えば、難燃剤成分、シランカップリング剤、カーボンブラック、染料などを適宜含有してよい。   The 2nd resin layer 2 may contain suitably the compounding agent generally used for manufacture of sealing resin other than the said component, for example, a flame retardant component, a silane coupling agent, carbon black, dye, etc., for example.

難燃剤成分としては、例えば水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化鉄、水酸化カルシウム、水酸化スズ、複合化金属水酸化物などの各種金属水酸化物；ホスファゼン化合物などを用いることができる。なかでも、難燃性、硬化後の強度に優れるという理由から、ホスファゼン化合物が好ましい。   Examples of the flame retardant component that can be used include aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, iron hydroxide, calcium hydroxide, tin hydroxide, various metal hydroxides such as complex metal hydroxides; phosphazene compounds and the like. Of these, phosphazene compounds are preferred because they are excellent in flame retardancy and strength after curing.

第２の樹脂層２中のカーボンブラック及び染料の合計含有量は、少ないほど好ましく、具体的には０重量％が好ましい。   The smaller the total content of carbon black and dye in the second resin layer 2 is, the more preferable, specifically 0 wt%.

第２の樹脂層２の製造方法は特に限定されない。しかしながら、第２の樹脂層２を溶剤塗工により作製すると、第２の樹脂層２に残存する溶剤が、樹脂シート１１を熱硬化させる際に揮発し、第２の樹脂層２と第１の樹脂層１との間にガスが入り込み、樹脂シート１１の厚みの均一性が低下したり、樹脂シート１１の表面がわずかに変形しマークを視認しづらくなることがある。   The manufacturing method of the 2nd resin layer 2 is not specifically limited. However, when the second resin layer 2 is produced by solvent coating, the solvent remaining in the second resin layer 2 volatilizes when the resin sheet 11 is thermoset, and the second resin layer 2 and the first resin layer 2 Gas may enter between the resin layer 1 and the uniformity of the thickness of the resin sheet 11 may be reduced, or the surface of the resin sheet 11 may be slightly deformed to make it difficult to visually recognize the mark.

よって、第２の樹脂層２の製造方法はとしては、前記各成分（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、熱可塑性樹脂、フィラー及び硬化促進剤）を混練して得られる混練物をシート状に塑性加工する方法が好ましい。これにより、溶剤を使用せずに第２の樹脂層２を作製できるので、前記の問題を払拭できる。なお、第１の樹脂層１からのガスの発生もあり得るが、通常、第１の樹脂層１の厚みは第２の樹脂層２に比べて薄いため、第１の樹脂層１からのガスは問題とならない。   Therefore, the method for producing the second resin layer 2 includes, as a sheet, a kneaded material obtained by kneading the above components (for example, an epoxy resin, a phenol resin, a thermoplastic resin, a filler and a curing accelerator). A processing method is preferred. Thereby, since the 2nd resin layer 2 can be produced without using a solvent, the said problem can be wiped off. Although gas may be generated from the first resin layer 1, since the thickness of the first resin layer 1 is usually thinner than that of the second resin layer 2, the gas from the first resin layer 1 is Is not a problem.

具体的には、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、熱可塑性樹脂、フィラー及び硬化促進剤をミキシングロール、加圧式ニーダー、押出機などの公知の混練機で溶融混練することにより混練物を調製し、得られた混練物をシート状に塑性加工する。混練条件として、温度の上限は、１４０℃以下が好ましく、１３０℃以下がより好ましい。温度の下限は、上述の各成分の軟化点以上であることが好ましく、例えば３０℃以上、好ましくは５０℃以上である。混練の時間は、好ましくは１〜３０分である。また、混練は、減圧条件下（減圧雰囲気下）で行うことが好ましく、減圧条件下の圧力は、例えば、１×１０−４〜０．１ｋｇ／ｃｍ２である。 Specifically, a kneaded material is prepared by melting and kneading an epoxy resin, a phenol resin, a thermoplastic resin, a filler, and a curing accelerator with a known kneader such as a mixing roll, a pressure kneader, or an extruder. The kneaded material is plastically processed into a sheet shape. As kneading conditions, the upper limit of the temperature is preferably 140 ° C. or less, and more preferably 130 ° C. or less. The lower limit of the temperature is preferably equal to or higher than the softening point of each component described above, for example, 30 ° C or higher, and preferably 50 ° C or higher. The kneading time is preferably 1 to 30 minutes. The kneading is preferably performed under reduced pressure conditions (under reduced pressure atmosphere), and the pressure under reduced pressure conditions is, for example, 1 × 10 −4 to 0.1 kg / cm 2 .

溶融混練後の混練物は、冷却することなく高温状態のままで塑性加工することが好ましい。塑性加工方法としては特に制限されず、平板プレス法、Ｔダイ押出法、スクリューダイ押出法、ロール圧延法、ロール混練法、インフレーション押出法、共押出法、カレンダー成形法などが挙げられる。塑性加工温度としては上述の各成分の軟化点以上が好ましく、エポキシ樹脂の熱硬化性および成形性を考慮すると、例えば４０〜１５０℃、好ましくは５０〜１４０℃、さらに好ましくは７０〜１２０℃である。   The kneaded material after melt-kneading is preferably subjected to plastic working in a high temperature state without cooling. The plastic working method is not particularly limited, and examples thereof include a flat plate pressing method, a T die extrusion method, a screw die extrusion method, a roll rolling method, a roll kneading method, an inflation extrusion method, a coextrusion method, and a calendering method. The plastic processing temperature is preferably higher than the softening point of each component described above, and is 40 to 150 ° C., preferably 50 to 140 ° C., more preferably 70 to 120 ° C., considering the thermosetting property and moldability of the epoxy resin. is there.

第２の樹脂層２の厚みは特に限定されないが、好ましくは１００μｍ以上、より好ましくは１５０μｍ以上、さらに好ましくは２００μｍ以上である。２００μｍ以上であると、レーザーが電子デバイスに及ぼす悪影響を低減できる。また、第２の樹脂層２の厚みは特に限定されないが、好ましくは１０００μｍ以下、より好ましくは８００μｍ以下である。１０００μｍ以下であると、一般的な電子デバイスを良好に封止できる。   Although the thickness of the 2nd resin layer 2 is not specifically limited, Preferably it is 100 micrometers or more, More preferably, it is 150 micrometers or more, More preferably, it is 200 micrometers or more. When it is 200 μm or more, the adverse effect of the laser on the electronic device can be reduced. The thickness of the second resin layer 2 is not particularly limited, but is preferably 1000 μm or less, more preferably 800 μm or less. A general electronic device can be favorably sealed as it is 1000 micrometers or less.

第１の樹脂層１の厚み／第２の樹脂層２の厚み（第１の樹脂層１の厚みの第２の樹脂層２の厚みに対する比）が、好ましくは１／４以下であり、より好ましくは１／６以下である。１／４以下であると、レーザーが電子デバイスに及ぼす悪影響を低減できる。第１の樹脂層１の厚み／第２の樹脂層２の厚みの下限は特に限定されず、例えば１／４０以上である。   The thickness of the first resin layer 1 / the thickness of the second resin layer 2 (ratio of the thickness of the first resin layer 1 to the thickness of the second resin layer 2) is preferably 1/4 or less, and more Preferably it is 1/6 or less. If it is 1/4 or less, the adverse effect of the laser on the electronic device can be reduced. The minimum of the thickness of the 1st resin layer 1 / the thickness of the 2nd resin layer 2 is not specifically limited, For example, it is 1/40 or more.

なお、図１では、第１の樹脂層１が単層である場合を示しているが、第１の樹脂層１はこれに限定されず、複層であってもよい。また、図１では、第２の樹脂層２が単層である場合を示しているが、第２の樹脂層２はこれに限定されず、複層であってもよい。   In addition, although the case where the 1st resin layer 1 is a single layer is shown in FIG. 1, the 1st resin layer 1 is not limited to this, A multilayer may be sufficient. Moreover, although the case where the 2nd resin layer 2 is a single layer is shown in FIG. 1, the 2nd resin layer 2 is not limited to this, A multilayer may be sufficient.

樹脂シート１１は電子デバイスの封止に使用される。電子デバイスとしては、センサー、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）フィルタなどの中空構造を有する電子デバイス（中空型電子デバイス）；半導体チップ、ＩＣ（集積回路）、トランジスタなどの半導体素子；コンデンサ；抵抗などが挙げられる。なお、中空構造とは、電子デバイスと電子デバイスを搭載した基板との間が中空なっている構造をいう。   The resin sheet 11 is used for sealing an electronic device. Electronic devices include sensors, MEMS (Micro Electro Mechanical Systems), SAW (Surface Acoustic Wave) filters and other electronic devices having a hollow structure (hollow electronic devices); semiconductors such as semiconductor chips, ICs (integrated circuits), and transistors Examples include an element, a capacitor, and a resistor. The hollow structure refers to a structure in which an electronic device and a substrate on which the electronic device is mounted are hollow.

封止方法としては特に限定されず、例えば、基板に搭載された電子デバイスを樹脂シート１１で覆う方法、粘着シートに搭載された電子デバイスを樹脂シート１１で覆う方法などが挙げられる。基板としては特に限定されず、例えば、プリント配線基板、セラミック基板、シリコン基板、金属基板、半導体ウェハなどが挙げられる。   The sealing method is not particularly limited, and examples thereof include a method of covering an electronic device mounted on a substrate with a resin sheet 11 and a method of covering an electronic device mounted on an adhesive sheet with a resin sheet 11. It does not specifically limit as a board | substrate, For example, a printed wiring board, a ceramic substrate, a silicon substrate, a metal substrate, a semiconductor wafer etc. are mentioned.

［電子デバイスパッケージの製造方法］
例えば、以下の工程を行うことで電子デバイスパッケージを得ることができる。 [Method of manufacturing electronic device package]
For example, an electronic device package can be obtained by performing the following steps.

（電子デバイス搭載基板準備工程）
電子デバイス搭載基板準備工程では、複数の電子デバイス１３が搭載された基板１２を準備する（図２参照）。電子デバイス１３の基板１２への搭載には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。通常、電子デバイス１３と基板１２とは電気的に接続されている。図２では、電子デバイス１３と基板１２とはバンプなどの突起電極１３ａを介して電気的に接続されている例を示している。 (Electronic device mounting board preparation process)
In the electronic device mounting substrate preparing step, a substrate 12 on which a plurality of electronic devices 13 are mounted is prepared (see FIG. 2). For mounting the electronic device 13 on the substrate 12, a known apparatus such as a flip chip bonder or a die bonder can be used. Usually, the electronic device 13 and the substrate 12 are electrically connected. FIG. 2 shows an example in which the electronic device 13 and the substrate 12 are electrically connected via protruding electrodes 13a such as bumps.

なお、電子デバイス１３がＳＡＷフィルタなどの中空型電子デバイスである場合、電子デバイス１３と基板１２との間に、中空部（中空構造）１４が維持されている。このとき、電子デバイス１３と基板１２との間の距離は、一般的には１５〜５０μｍ程度である。   When the electronic device 13 is a hollow electronic device such as a SAW filter, a hollow portion (hollow structure) 14 is maintained between the electronic device 13 and the substrate 12. At this time, the distance between the electronic device 13 and the substrate 12 is generally about 15 to 50 μm.

（封止工程）
封止工程では、第２の樹脂層２が基板１２及び電子デバイス１３と接触するように、基板１２上に樹脂シート１１を積層し、電子デバイス１３を樹脂シート１１で封止する（図３参照）。これにより、電子デバイス１３が樹脂封止された電子デバイスパッケージ１５を得る。 (Sealing process)
In the sealing step, the resin sheet 11 is laminated on the substrate 12 so that the second resin layer 2 is in contact with the substrate 12 and the electronic device 13, and the electronic device 13 is sealed with the resin sheet 11 (see FIG. 3). ). Thereby, the electronic device package 15 in which the electronic device 13 is sealed with resin is obtained.

樹脂シート１１を基板１２上に積層する方法は特に限定されず、熱プレスやラミネータなど公知の方法により行うことができる。熱プレス条件としては、温度が、例えば、４０〜１００℃、好ましくは５０〜９０℃であり、圧力が、例えば、０．１〜１０ＭＰａ、好ましくは０．５〜８ＭＰａであり、時間が、例えば０．３〜１０分間、好ましくは０．５〜５分間である。また、樹脂シート１１の電子デバイス１３及び基板１２への密着性および追従性の向上を考慮すると、減圧条件下（例えば０．１〜５ｋＰａ）においてプレスすることが好ましい。   The method for laminating the resin sheet 11 on the substrate 12 is not particularly limited, and can be performed by a known method such as hot pressing or laminator. As hot press conditions, the temperature is, for example, 40 to 100 ° C., preferably 50 to 90 ° C., the pressure is, for example, 0.1 to 10 MPa, preferably 0.5 to 8 MPa, and the time is, for example, 0.3 to 10 minutes, preferably 0.5 to 5 minutes. Moreover, when the improvement of the adhesiveness of the resin sheet 11 to the electronic device 13 and the board | substrate 12 and followable | trackability is considered, it is preferable to press on pressure reduction conditions (for example, 0.1-5 kPa).

（熱硬化工程）
必要に応じて、電子デバイスパッケージ１５の樹脂シート１１を熱硬化する。 (Thermosetting process)
If necessary, the resin sheet 11 of the electronic device package 15 is thermoset.

熱硬化処理の条件として、加熱温度が好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２０℃以上である。一方、加熱温度の上限が、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１８０℃以下である。加熱時間が、好ましくは１０分以上、より好ましくは３０分以上である。一方、加熱時間の上限が、好ましくは１８０分以下、より好ましくは１２０分以下である。また、必要に応じて加圧してもよく、好ましくは０．１ＭＰａ以上、より好ましくは０．５ＭＰａ以上である。一方、上限は好ましくは１０ＭＰａ以下、より好ましくは５ＭＰａ以下である。   As the conditions for the thermosetting treatment, the heating temperature is preferably 100 ° C. or higher, more preferably 120 ° C. or higher. On the other hand, the upper limit of the heating temperature is preferably 200 ° C. or lower, more preferably 180 ° C. or lower. The heating time is preferably 10 minutes or more, more preferably 30 minutes or more. On the other hand, the upper limit of the heating time is preferably 180 minutes or less, more preferably 120 minutes or less. Moreover, you may pressurize as needed, Preferably it is 0.1 Mpa or more, More preferably, it is 0.5 Mpa or more. On the other hand, the upper limit is preferably 10 MPa or less, more preferably 5 MPa or less.

（研削工程）
必要に応じて、電子デバイスパッケージ１５の樹脂シート１１を研削する。研削方法としては、例えば、高速回転する砥石を用いるグラインディング法などが挙げられる。 (Grinding process)
If necessary, the resin sheet 11 of the electronic device package 15 is ground. Examples of the grinding method include a grinding method using a grindstone that rotates at high speed.

（配線層形成工程）
必要に応じて、電子デバイスパッケージ１５の基板１２を研削する。研削方法としては、例えば、高速回転する砥石を用いるグラインディング法などが挙げられる。次いで、必要に応じて、電子デバイスパッケージ１５にビア（Ｖｉａ）を形成する。次いで、必要に応じて、電子デバイスパッケージ１５に再配線を形成する。次いで、必要に応じて、再配線上にバンプを形成する。 (Wiring layer forming process)
If necessary, the substrate 12 of the electronic device package 15 is ground. Examples of the grinding method include a grinding method using a grindstone that rotates at high speed. Next, vias (Via) are formed in the electronic device package 15 as necessary. Next, rewiring is formed in the electronic device package 15 as necessary. Next, bumps are formed on the rewiring as necessary.

（ダイシング工程）
必要に応じて、電子デバイスパッケージ１５のダイシングを行う（図４参照）。これにより、チップ状の電子デバイスパッケージ１６を得ることができる。 (Dicing process)
If necessary, the electronic device package 15 is diced (see FIG. 4). Thereby, the chip-shaped electronic device package 16 can be obtained.

（基板実装工程）
必要に応じて、電子デバイスパッケージ１５又は電子デバイスパッケージ１６に再配線及びバンプ１７を形成し、これを基板１８に実装する（図５参照）。 (Board mounting process)
If necessary, rewiring and bumps 17 are formed on the electronic device package 15 or the electronic device package 16 and mounted on the substrate 18 (see FIG. 5).

（レーザーマーキング工程）
レーザーマーキングは、電子デバイスパッケージ１５又は電子デバイスパッケージ１６に任意のタイミングで行うことができる。例えば、熱硬化前の電子デバイスパッケージ１５にレーザーマーキングを行ってもよく、熱硬化後の電子デバイスパッケージ１５にレーザーマーキングを行ってもよく、電子デバイスパッケージ１６にレーザーマーキングを行ってもよい。 (Laser marking process)
Laser marking can be performed on the electronic device package 15 or the electronic device package 16 at an arbitrary timing. For example, laser marking may be performed on the electronic device package 15 before thermosetting, laser marking may be performed on the electronic device package 15 after thermosetting, or laser marking may be performed on the electronic device package 16.

レーザーマーキングは、電子デバイスパッケージ１５又は電子デバイスパッケージ１６の第１の樹脂層１部分に行う。   Laser marking is performed on the first resin layer 1 portion of the electronic device package 15 or the electronic device package 16.

電子デバイスパッケージ１５及び電子デバイスパッケージ１６は、高コントラストの第１の樹脂層１を有するため、レーザーマーキングによって視認性に優れたマークを形成できる。   Since the electronic device package 15 and the electronic device package 16 have the high-contrast first resin layer 1, a mark having excellent visibility can be formed by laser marking.

なお、図２〜５では、電子デバイスパッケージ１６が第１の樹脂層１を有する例を示しているが、電子デバイスパッケージの製造方法はこれに限定されず、例えば、第１の樹脂層１は研削工程で除去されてもよい。   2 to 5 show an example in which the electronic device package 16 includes the first resin layer 1, the method for manufacturing the electronic device package is not limited to this. For example, the first resin layer 1 may be It may be removed by a grinding process.

［電子デバイスパッケージの製造方法］
例えば、以下の工程を行うことでも電子デバイスパッケージを得ることができる。以下の工程は、Ｆａｎ−ｏｕｔ（ファンアウト）型ウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）の製造に好適である。 [Method of manufacturing electronic device package]
For example, an electronic device package can be obtained by performing the following steps. The following steps are suitable for manufacturing a fan-out type wafer level package (WLP).

（電子デバイスを粘着シートに固定する工程）
まず、粘着シート４１に複数の電子デバイス１３を固定する（図６参照）。このとき、必要に応じて、電子デバイス１３の回路形成面が粘着シート４１と対向するように配置固定する。電子デバイス１３の固定には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。 (Step of fixing the electronic device to the adhesive sheet)
First, the some electronic device 13 is fixed to the adhesive sheet 41 (refer FIG. 6). At this time, if necessary, the electronic device 13 is arranged and fixed so that the circuit forming surface of the electronic device 13 faces the adhesive sheet 41. For fixing the electronic device 13, a known apparatus such as a flip chip bonder or a die bonder can be used.

粘着シート４１は、通常、支持体４２と、支持体４２上に積層された粘着剤層４３とを有する。   The pressure-sensitive adhesive sheet 41 usually has a support 42 and a pressure-sensitive adhesive layer 43 laminated on the support 42.

粘着剤層４３としては特に限定されないが、容易に剥離できるという理由から、通常は、熱剥離性粘着剤層、放射線硬化型粘着剤層等を使用する。支持体４２の材料としては特に限定されない。例えば、ＳＵＳ等の金属材料、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルサルフォン等のプラスチック材料等である。   Although it does not specifically limit as the adhesive layer 43, Usually, a heat-peelable adhesive layer, a radiation-curing-type adhesive layer, etc. are used from the reason that it can peel easily. The material for the support 42 is not particularly limited. For example, metal materials such as SUS, plastic materials such as polyimide, polyamideimide, polyetheretherketone, and polyethersulfone.

（封止工程）
封止工程では、第２の樹脂層２が粘着シート４１及び電子デバイス１３と接触するように、粘着シート４１上に樹脂シート１１を積層し、電子デバイス１３を樹脂シート１１で封止する（図７参照）。これにより、電子デバイス１３が樹脂封止された封止体５１を得る。 (Sealing process)
In the sealing step, the resin sheet 11 is laminated on the adhesive sheet 41 so that the second resin layer 2 is in contact with the adhesive sheet 41 and the electronic device 13, and the electronic device 13 is sealed with the resin sheet 11 (FIG. 7). Thereby, the sealing body 51 by which the electronic device 13 was resin-sealed is obtained.

樹脂シート１１を粘着シート４１上に積層する方法は特に限定されず、熱プレスやラミネータなど公知の方法により行うことができる。   The method for laminating the resin sheet 11 on the pressure-sensitive adhesive sheet 41 is not particularly limited, and can be performed by a known method such as hot press or laminator.

（熱硬化工程）
必要に応じて、封止体５１を熱硬化する（封止体５１の樹脂シート１１を熱硬化する）。 (Thermosetting process)
If necessary, the sealing body 51 is thermoset (the resin sheet 11 of the sealing body 51 is thermoset).

（剥離工程）
次いで、封止体５１から粘着シート４１を剥離する（図８参照）。剥離方法は特に限定されないが、粘着剤層４３の粘着力を低下させた後に剥離することが好ましい。例えば、粘着剤層４３が熱剥離性粘着剤層である場合、粘着剤層４３を加熱し、粘着剤層４３の粘着力を低下させた後に剥離する。 (Peeling process)
Next, the adhesive sheet 41 is peeled from the sealing body 51 (see FIG. 8). Although the peeling method is not particularly limited, it is preferable to peel the adhesive layer 43 after reducing the adhesive strength. For example, when the pressure-sensitive adhesive layer 43 is a heat-peelable pressure-sensitive adhesive layer, the pressure-sensitive adhesive layer 43 is heated and peeled after the pressure-sensitive adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer 43 is reduced.

（研削工程）
次いで、必要に応じて、封止体５１の樹脂シート１１を研削する（図９参照）。研削方法としては、例えば、高速回転する砥石を用いるグラインディング法などが挙げられる。 (Grinding process)
Subsequently, the resin sheet 11 of the sealing body 51 is ground as needed (refer FIG. 9). Examples of the grinding method include a grinding method using a grindstone that rotates at high speed.

（配線層形成工程）
次いで、セミアディティブ法などを利用して、封止体５１に再配線５２を形成する（図１０参照）。 (Wiring layer forming process)
Next, the rewiring 52 is formed in the sealing body 51 using a semi-additive method or the like (see FIG. 10).

その後、封止体５１の再配線５２を形成した面に、ポリイミドやポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）などの絶縁層を形成する。絶縁層は、例えば、ドライフィルムレジストなどのフィルムをラミネートすることで形成できる。   Thereafter, an insulating layer such as polyimide or polybenzoxazole (PBO) is formed on the surface of the sealing body 51 where the rewiring 52 is formed. The insulating layer can be formed, for example, by laminating a film such as a dry film resist.

次いで、再配線５２上にバンプ５３を形成するバンピング加工を行う。バンピング加工は、半田ボールや半田メッキ等公知の方法で行うことができる。   Next, a bumping process for forming bumps 53 on the rewiring 52 is performed. The bumping process can be performed by a known method such as solder ball or solder plating.

（ダイシング工程）
電子デバイス１３、第２の樹脂層２及び再配線５２などの要素からなる封止体５１のダイシングを行ってもよい（図１１参照）。以上により、チップ領域の外側に配線を引き出した電子デバイスパッケージ６１得ることができる。なお、ダイシングせずに封止体５１をそのまま電子デバイスパッケージとして使用してもよい。 (Dicing process)
You may dice the sealing body 51 which consists of elements, such as the electronic device 13, the 2nd resin layer 2, and the rewiring 52 (refer FIG. 11). As described above, it is possible to obtain the electronic device package 61 in which the wiring is drawn outside the chip region. In addition, you may use the sealing body 51 as an electronic device package as it is, without dicing.

（基板実装工程）
必要に応じて、電子デバイスパッケージ６１を基板に実装する。 (Board mounting process)
The electronic device package 61 is mounted on the substrate as necessary.

（レーザーマーキング工程）
レーザーマーキングは、封止体５１又は電子デバイスパッケージ６１に任意のタイミングで行うことができる。例えば、熱硬化前の封止体５１にレーザーマーキングを行ってもよく、熱硬化後の封止体５１にレーザーマーキングを行ってもよく、電子デバイスパッケージ６１にレーザーマーキングを行ってもよい。 (Laser marking process)
Laser marking can be performed on the sealing body 51 or the electronic device package 61 at an arbitrary timing. For example, laser marking may be performed on the sealing body 51 before thermosetting, laser marking may be performed on the sealing body 51 after thermosetting, or laser marking may be performed on the electronic device package 61.

レーザーマーキングは、封止体５１又は電子デバイスパッケージ６１の第１の樹脂層１部分に行うことが好ましい。   Laser marking is preferably performed on the first resin layer 1 portion of the sealing body 51 or the electronic device package 61.

封止体５１又は電子デバイスパッケージ６１は、高コントラストの第１の樹脂層１を有するため、レーザーマーキングによって視認性に優れたマークを形成できる。   Since the sealing body 51 or the electronic device package 61 includes the high-contrast first resin layer 1, a mark having excellent visibility can be formed by laser marking.

なお、図６〜１１では、封止体５１の研削により第１の樹脂層１が除去される場合を示しているが、電子デバイスパッケージの製造方法はこれに限定されず、第１の樹脂層１が残っていてもよい。   6 to 11 show the case where the first resin layer 1 is removed by grinding the sealing body 51, but the manufacturing method of the electronic device package is not limited to this, and the first resin layer 1 1 may remain.

前述の電子デバイスパッケージの製造方法において、レーザーマーキングの深さは、第１の樹脂層１の厚さに対して、好ましくは８０％以上である。８０％以上であると、高いコントラストが得られる。レーザーマーキングの深さはより好ましくは１００％である。レーザーマーキングの深さを１００％に設定する、すなわちレーザーにより第１の樹脂層１に貫通孔を形成すると、第２の樹脂層２が露出するため、マークの視認性を高められる。   In the electronic device package manufacturing method described above, the laser marking depth is preferably 80% or more with respect to the thickness of the first resin layer 1. When it is 80% or more, high contrast can be obtained. The depth of the laser marking is more preferably 100%. When the depth of the laser marking is set to 100%, that is, when a through hole is formed in the first resin layer 1 by a laser, the second resin layer 2 is exposed, so that the visibility of the mark can be improved.

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている材料や配合量などは、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail by way of example. However, the materials, blending amounts, and the like described in the examples are not intended to limit the scope of the present invention only to those unless otherwise specified.

まず、実施例で使用した成分について説明する。   First, the components used in the examples will be described.

第１の樹脂層を作製するために使用した成分について説明する。
エポキシ樹脂：新日鐵化学（株）製のＹＳＬＶ−８０ＸＹ（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキン当量２００ｇ／ｅｑ．軟化点８０℃）
フェノール樹脂：明和化成社製のＭＥＨ−７８５１−ＳＳ（ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂、水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．軟化点６７℃）
熱可塑性樹脂：三菱レイヨン社製メタブレンＣ−１３２Ｅ（ＭＢＳ樹脂、平均粒径１２０μｍ）
フィラー：電気化学工業社製のＦＢ−９４５４ＦＣ（溶融球状シリカ、平均粒子径２０μｍ）
カーボンブラック：三菱化学社製の＃２０
染料：オリエント化学工業株式会社製のＯＩＬ ＢＬＡＣＫ ＢＳ
硬化促進剤：四国化成工業社製の２ＰＨＺ−ＰＷ（２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール） The components used for producing the first resin layer will be described.
Epoxy resin: YSLV-80XY manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd. (bisphenol F type epoxy resin, epkin equivalent 200 g / eq. Softening point 80 ° C.)
Phenol resin: MEH-7851-SS manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd. (phenol resin having a biphenylaralkyl skeleton, hydroxyl group equivalent 203 g / eq. Softening point 67 ° C.)
Thermoplastic resin: Metablene C-132E (MBS resin, average particle size 120 μm) manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd.
Filler: FB-9454FC manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd. (fused spherical silica, average particle size 20 μm)
Carbon black: # 20 manufactured by Mitsubishi Chemical
Dye: OIL BLACK BS manufactured by Orient Chemical Industry Co., Ltd.
Curing accelerator: 2PHZ-PW (2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole) manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.

第２の樹脂層を作製するために使用した成分について説明する。
エポキシ樹脂：新日鐵化学（株）製のＹＳＬＶ−８０ＸＹ（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキン当量２００ｇ／ｅｑ．軟化点８０℃）
フェノール樹脂：明和化成社製のＭＥＨ−７８５１−ＳＳ（ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂、水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．軟化点６７℃）
熱可塑性樹脂：三菱レイヨン社製メタブレンＣ−１３２Ｅ（ＭＢＳ樹脂、平均粒径１２０μｍ）
シランカップリング剤処理フィラー：電気化学工業社製のＦＢ−９４５４ＦＣ（溶融球状シリカ、平均一次粒子径２０μｍ）を信越化学社製のＫＢＭ−４０３（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）で処理したもの（ＦＢ−９４５４ＦＣ ８７．９重量部に対して、ＫＢＭ−４０３ ０．５重量部の割合で処理）
硬化促進剤：四国化成工業社製の２ＰＨＺ−ＰＷ（２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール） The component used in order to produce the 2nd resin layer is demonstrated.
Epoxy resin: YSLV-80XY manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd. (bisphenol F type epoxy resin, epkin equivalent 200 g / eq. Softening point 80 ° C.)
Phenol resin: MEH-7851-SS manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd. (phenol resin having a biphenylaralkyl skeleton, hydroxyl group equivalent 203 g / eq. Softening point 67 ° C.)
Thermoplastic resin: Metablene C-132E (MBS resin, average particle size 120 μm) manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd.
Silane coupling agent treated filler: FB-9454FC (fused spherical silica, average primary particle size 20 μm) manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd. was treated with KBM-403 (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Things (processed at a ratio of 0.5 parts by weight of KBM-403 to 87.9 parts by weight of FB-9454FC)
Curing accelerator: 2PHZ-PW (2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole) manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.

［実施例及び比較例］
（第１の樹脂層の作製）
表１に記載の配合比に従い、各成分を配合し、これに各成分の総量と同量のメチルエチルケトンを添加して、ワニスを調製した。得られたワニスを、コンマコ―タ−により、厚み５０μｍのポリエステルフィルムＡ（三菱化学ポリエステル社製、ＭＲＦ−５０）の剥離処理面上に塗工し、乾燥させた。次いで、厚み３８μｍのポリエステルフィルムＢ（三菱化学ポリエステル社製、ＭＲＦ−３８）の剥離処理面を、乾燥後のワニス上に張り合わせて、第１の樹脂層を作製した。 [Examples and Comparative Examples]
(Preparation of the first resin layer)
Each component was blended according to the blending ratio shown in Table 1, and the same amount of methyl ethyl ketone as the total amount of each component was added thereto to prepare a varnish. The obtained varnish was applied onto a release-treated surface of a 50 μm thick polyester film A (MRF-50, manufactured by Mitsubishi Chemical Polyester) using a comma coater and dried. Next, the release-treated surface of a 38 μm thick polyester film B (MRF-38, manufactured by Mitsubishi Chemical Polyester) was laminated on the varnish after drying to produce a first resin layer.

Figure 0006274784
Figure 0006274784

（第２の樹脂層の作製）
表２に記載の配合比に従い、各成分を配合し、ロール混練機により６０〜１２０℃、１０分間、減圧条件下（０．０１ｋｇ／ｃｍ２）で溶融混練し、混練物を調製した。次いで、得られた混練物を、平板プレス法により、シート状に形成して、第２の樹脂層を作製した。 (Production of second resin layer)
Each component was blended according to the blending ratio shown in Table 2, and melt-kneaded with a roll kneader at 60 to 120 ° C. for 10 minutes under reduced pressure conditions (0.01 kg / cm 2 ) to prepare a kneaded product. Next, the obtained kneaded material was formed into a sheet shape by a flat plate pressing method to produce a second resin layer.

Figure 0006274784
Figure 0006274784

（樹脂シートの作製）
第１の樹脂層のポリエステルフィルムＡを剥離した後、ロールラミネ―タ―を用いて第２の樹脂層上に第１の樹脂層を積層した。これにより、第２の樹脂層上に第１の樹脂層が積層された樹脂シートを作製した。 (Production of resin sheet)
After peeling off the polyester film A of the first resin layer, the first resin layer was laminated on the second resin layer using a roll laminator. Thereby, a resin sheet in which the first resin layer was laminated on the second resin layer was produced.

（レーザーマーキング）
樹脂シートの第１の樹脂層に、レーザーマーキングにより文字及び二次元コードを付与した。
レーザーマーキング条件は以下のとおりであった。
レーザーマーキング装置：商品名「ＭＤ−Ｓ９９００」、キーエンス社製
波長：５３２ｎｍ
強度：１．０Ｗ
スキャンスピード：７００ｍｍ／ｓｅｃ
Ｑスイッチ周波数：６４ｋＨｚ
全体のサイズとして約４ｍｍ×約４ｍｍで、各セルのサイズが０．０８ｍｍ×０．２４ｍｍの二次元コードを加工した。なお、文字としては、特に制限されない。 (Laser marking)
Characters and a two-dimensional code were given to the first resin layer of the resin sheet by laser marking.
The laser marking conditions were as follows.
Laser marking device: Trade name “MD-S9900”, manufactured by Keyence Corporation Wavelength: 532 nm
Strength: 1.0W
Scanning speed: 700mm / sec
Q switch frequency: 64 kHz
A two-dimensional code having a total size of about 4 mm × about 4 mm and each cell size of 0.08 mm × 0.24 mm was processed. The character is not particularly limited.

［評価］
レーザーマーキングした樹脂シートについて以下の評価を行った。結果を表３に示す。 [Evaluation]
The following evaluation was performed on the laser-marked resin sheet. The results are shown in Table 3.

（コントラスト）
画像処理装置（商品名「ＣＶ−５０００」、キーエンス社製）を用い、光量３０％の条件で、マーキング部の明度及び非マーキング部の明度を測定した。そして、下記式によってコントラス値を算出した。
［（マーキング部の明度−非マーキング部の明度）／マーキング部の明度］×１００（％） (contrast)
Using an image processing apparatus (trade name “CV-5000”, manufactured by Keyence Corporation), the lightness of the marking part and the lightness of the non-marking part were measured under the condition of a light quantity of 30%. And the contrast value was computed by the following formula.
[(Lightness of marking part-Lightness of non-marking part) / Lightness of marking part] x 100 (%)

（視認性）
レーザーマーキングにより形成された文字が目視（目視距離：約４０ｃｍ）にて視認でき、且つ、二次元コードリーダ（キーエンス社製、製品名「ＳＲ−６００」、読み取り時の二次元コードと二次元コードリーダとの距離：１０ｃｍ以下）にて読み取り可能なものを○とし、レーザーマーキングにより形成された文字が目視にて視認できない、又は、二次元コードリーダにて読み取り不可能なものを×とした。１０個の樹脂シートについてこの評価を行い、○の樹脂シートを数えた。 (Visibility)
Characters formed by laser marking can be visually confirmed (visual distance: about 40 cm), and a two-dimensional code reader (manufactured by Keyence, product name “SR-600”, two-dimensional code and two-dimensional code at the time of reading) A mark that can be read at a distance of 10 cm or less from the reader) was marked with ◯, and a letter that was formed by laser marking could not be visually recognized, or a mark that could not be read with a two-dimensional code reader was marked with x. This evaluation was performed on ten resin sheets, and the resin sheets with ◯ were counted.

（エッチング率）
第１の樹脂層に前述のレーザーマーキング条件でレーザーマーキングした後、測長顕微鏡（オリンパス社製のＳＴＭ６）を用いてレーザーマーキング部の彫り深さを測定した。レーザーマーキングによって貫通孔を形成した場合のエッチング率を１００％として、エッチング率を求めた。したがって、例えば、２０μｍの厚みの第１の樹脂層において彫り深さが１０μｍである場合、エッチング率は５０％である。
第２の樹脂層についても、同様の方法でエッチング率を測定した。 (Etching rate)
After laser marking on the first resin layer under the laser marking conditions described above, the engraving depth of the laser marking portion was measured using a length measuring microscope (STM6 manufactured by Olympus Corporation). The etching rate was determined with the etching rate when the through hole was formed by laser marking as 100%. Therefore, for example, when the engraving depth is 10 μm in the first resin layer having a thickness of 20 μm, the etching rate is 50%.
For the second resin layer, the etching rate was measured by the same method.

Figure 0006274784
Figure 0006274784

１ 第１の樹脂層
２ 第２の樹脂層
１１ 樹脂シート
１２ 基板
１３ 電子デバイス
１３ａ 突起電極
１４ 中空部
１５、１６ 電子デバイスパッケージ
１７ バンプ
１８ 基板
４１ 粘着シート
４２ 支持体
４３ 粘着剤層
５１ 封止体
５２ 再配線
５３ バンプ
６１ 電子デバイスパッケージ
1 First resin layer
2 Second resin layer 11 Resin sheet 12 Substrate 13 Electronic device 13a Projection electrode 14 Hollow part 15, 16 Electronic device package 17 Bump 18 Substrate 41 Adhesive sheet 42 Support body 43 Adhesive layer 51 Sealing body 52 Rewiring 53 Bump 61 Electronic device package

Claims (5)

第１の樹脂層及び第２の樹脂層を備え、
前記第１の樹脂層をレーザーマーキングした後のマーキング部と前記マーキング部以外とのコントラストが２０％以上である電子デバイス封止用樹脂シート（ただし、前記第１の樹脂層が、架橋性官能基を有し、ガラス転移温度が−２０℃以上２０℃以下である高分子量成分を含有する場合と、前記第１の樹脂層が、７０〜９０質量％の無機フィラーを含有する場合と、前記第１の樹脂層が、板状の窒化ホウ素粒子を含有する場合とを除く。）。 A first resin layer and a second resin layer;
Electronic device sealing resin sheet in which the contrast between the marking portion after laser marking of the first resin layer and the portion other than the marking portion is 20% or more (however, the first resin layer is a crosslinkable functional group) A glass transition temperature of −20 ° C. to 20 ° C., a case where the first resin layer contains 70 to 90% by mass of an inorganic filler, 1 except that the resin layer 1 contains plate-like boron nitride particles ). 前記第２の樹脂層は混練により得られる請求項１に記載の電子デバイス封止用樹脂シート。 The resin sheet for sealing an electronic device according to claim 1, wherein the second resin layer is obtained by kneading. 前記第２の樹脂層は白色である請求項１または２に記載の電子デバイス封止用樹脂シート。 The resin sheet for sealing an electronic device according to claim 1, wherein the second resin layer is white. 請求項１〜３のいずれかに記載の電子デバイス封止用樹脂シートで電子デバイスを封止する工程を含む電子デバイスパッケージの製造方法。 The manufacturing method of an electronic device package including the process of sealing an electronic device with the resin sheet for electronic device sealing in any one of Claims 1-3. 前記電子デバイスを封止した後、前記第１の樹脂層にレーザーマーキングを行う工程を含む請求項４に記載の電子デバイスパッケージの製造方法。
The method for manufacturing an electronic device package according to claim 4, further comprising a step of performing laser marking on the first resin layer after sealing the electronic device.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160001169A (en) * 2014-06-26 2016-01-06 삼성전자주식회사 semiconductor package including marking layer
KR101685428B1 (en) * 2015-07-20 2016-12-12 주식회사 이오테크닉스 Laser marking method
US10535812B2 (en) * 2017-09-04 2020-01-14 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device
JP7343989B2 (en) * 2019-03-19 2023-09-13 日東電工株式会社 Sealing sheet
KR20220158705A (en) 2020-03-26 2022-12-01 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 Release film for semiconductor encapsulation, marking film for semiconductor encapsulation, semiconductor package and manufacturing method of semiconductor package
JPWO2021192177A1 (en) 2020-03-26 2021-09-30
CN113992174A (en) * 2021-11-03 2022-01-28 北京超材信息科技有限公司 Acoustic device packaging structure
CN114024520B (en) * 2021-11-03 2023-02-10 北京超材信息科技有限公司 Double-layer film coating process for acoustic device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5560845A (en) * 1994-02-28 1996-10-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company Laser marking of fluoropolymer composition
JPH0873621A (en) * 1994-09-07 1996-03-19 Toshiba Corp Resin sheet
JP4682796B2 (en) * 2005-04-19 2011-05-11 日立化成工業株式会社 Sealing sheet
JP2009141020A (en) * 2007-12-04 2009-06-25 Furukawa Electric Co Ltd:The Electronic component sealing sheet
JP5456642B2 (en) * 2009-12-24 2014-04-02 日東電工株式会社 Flip chip type film for semiconductor backside
JP5587220B2 (en) * 2010-01-29 2014-09-10 日東電工株式会社 Thermally conductive adhesive sheet

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