JP2015220400A - Method for manufacturing electronic device package and method for sealing electronic device - Google Patents

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剛 石坂
智絵 飯野
Chie Iino
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing an electronic device package capable of obtaining a hardened body with a flat surface, and a method for sealing an electronic device.SOLUTION: The present invention relates to a method for manufacturing an electronic device package and the like. The method for manufacturing an electronic device package includes the steps of: forming a closed container with a stage and a film by pressing a peripheral part of a laminate structure provided with a device temporary fixing body, a thermosetting resin sheet arranged on the device temporary fixing body, a hard plate arranged on the thermosetting resin sheet, and a film including a central part in contact with the hard plate and a peripheral part arranged around the central part against a stage in contact with the device temporary fixing body; and covering an electronic device with the thermosetting resin sheet by increasing the outer pressure of the closed container to be higher than the inner pressure of the closed container.

Description

本発明は、電子デバイスパッケージの製造方法及び電子デバイスの封止方法に関する。   The present invention relates to an electronic device package manufacturing method and an electronic device sealing method.

電子デバイスパッケージの製造技術に関して、図３７に示すように、樹脂５３１及び樹脂５３１で覆われた電子デバイス５１１ｃを備える硬化体５０３を吸着ステージ５００に固定した状態で、硬化体５０３上に再配線層５４０を形成する技術などがある。   Regarding the electronic device package manufacturing technology, as shown in FIG. 37, a rewiring layer is formed on the cured body 503 in a state where the cured body 503 including the resin 531 and the electronic device 511 c covered with the resin 531 is fixed to the suction stage 500. There are techniques for forming 540 and the like.

一方、電子デバイスの封止技術に関して、特許文献１には、基板置台上に基板、電子デバイス、封止シート及び離型フィルムをこの順に配置し、次いで離型フィルムの外周部を基板置台に押さえつけることにより、基板置台及び離型フィルムを備える密閉の容器を形成し、次いで容器の外部の圧力を高めることにより、電子デバイスを封止シートで覆う技術が記載されている。   On the other hand, regarding the sealing technology of an electronic device, in Patent Document 1, a substrate, an electronic device, a sealing sheet, and a release film are arranged in this order on a substrate table, and then the outer peripheral portion of the release film is pressed against the substrate table. Thus, a technique is described in which a sealed container including a substrate table and a release film is formed, and then the pressure outside the container is increased to cover the electronic device with a sealing sheet.

特許第５１８９１９４号公報Japanese Patent No. 5189194

しかしながら、図３８に示すように、特許文献１に記載の技術では、基板置台５１０７及び離型フィルム５１３を備える密閉の容器５１２１の内外の圧力差により離型フィルム５１３が電子デバイス５１１ｃの形状に追従するため、平坦な表面を持つ硬化体５０３を得ることが難しい。このため、吸着ステージ５００に硬化体５０３を吸着させることができない場合がある。   However, as shown in FIG. 38, in the technique described in Patent Document 1, the release film 513 follows the shape of the electronic device 511c due to the pressure difference between the inside and outside of the sealed container 5121 including the substrate table 5107 and the release film 513. Therefore, it is difficult to obtain a cured body 503 having a flat surface. For this reason, the cured body 503 may not be adsorbed to the adsorption stage 500 in some cases.

本発明は前記課題を解決し、平坦な表面を備える硬化体を得ることが可能な電子デバイスパッケージの製造方法及び電子デバイスの封止方法を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and to provide an electronic device package manufacturing method and an electronic device sealing method capable of obtaining a cured body having a flat surface.

第１の本発明は、
キャリア、キャリア上に配置された粘着剤及び粘着剤上に配置された電子デバイスを備えるデバイス仮固定体、
デバイス仮固定体上に配置された熱硬化性樹脂シート、
熱硬化性樹脂シート上に配置された硬質板、並びに
硬質板と接する中央部及び中央部の周辺に配置された周辺部を備えるフィルムを備える積層構造体の
周辺部をキャリアと接するステージに押し付けることにより、ステージ及びフィルムを備える密閉容器を形成する工程と、
密閉容器の外部の圧力を密閉容器の内部の圧力より高めることにより、電子デバイスを熱硬化性樹脂シートで覆う工程と
を含む電子デバイスパッケージの製造方法に関する。 The first aspect of the present invention is
Device, temporary fixing body comprising carrier, adhesive disposed on carrier and electronic device disposed on adhesive,
A thermosetting resin sheet disposed on the device temporary fixing body,
Pressing a peripheral portion of a laminated structure including a hard plate disposed on a thermosetting resin sheet, a central portion in contact with the hard plate, and a film having a peripheral portion disposed in the periphery of the central portion against a stage in contact with the carrier To form a sealed container including a stage and a film;
Covering the electronic device with a thermosetting resin sheet by increasing the pressure outside the sealed container to be higher than the pressure inside the sealed container.

第１の本発明では、熱硬化性樹脂シートとフィルムの間に硬質板を配置するので、フィルムが電子デバイスの形状に追従することを防止することが可能で、平坦な表面を備える硬化体を得ることができる。したがって、吸着ステージに硬化体を容易に吸着させることができる。   In 1st this invention, since a hard board is arrange | positioned between a thermosetting resin sheet and a film, it is possible to prevent that a film follows the shape of an electronic device, and the hardening body provided with a flat surface is provided. Can be obtained. Therefore, the cured body can be easily adsorbed on the adsorption stage.

第１の本発明の電子デバイスパッケージの製造方法は、密閉容器を形成する工程と、密閉容器の外部の圧力を密閉容器の内部の圧力より高めることにより、電子デバイスを熱硬化性樹脂シートで覆う工程とを含む限り特に限定されない。第１の本発明の電子デバイスパッケージの製造方法は、例えば、電子デバイスを熱硬化性樹脂シートで覆う工程により得られた封止体を加熱することにより硬化体を形成する工程、硬化体に再配線層を形成することにより再配線体を形成する工程、及び再配線体をダイシングすることにより電子デバイスパッケージを得る工程などをさらに含むことができる。   The manufacturing method of the electronic device package of 1st this invention covers an electronic device with a thermosetting resin sheet by making the pressure outside a closed container higher than the pressure inside a closed container, and the process of forming a sealed container. The process is not particularly limited as long as the process is included. The manufacturing method of the electronic device package according to the first aspect of the present invention includes, for example, a process of forming a cured body by heating a sealing body obtained by a process of covering an electronic device with a thermosetting resin sheet, It may further include a step of forming a rewiring body by forming a wiring layer, a step of obtaining an electronic device package by dicing the rewiring body, and the like.

第１の本発明はまた、積層構造体の周辺部をキャリアと接するステージに押し付けることにより、ステージ及びフィルムを備える密閉容器を形成する工程と、密閉容器の外部の圧力を密閉容器の内部の圧力より高めることにより、電子デバイスを熱硬化性樹脂シートで覆う工程とを含む電子デバイスの封止方法に関する。   The first aspect of the present invention also includes a step of forming a sealed container including a stage and a film by pressing the peripheral portion of the laminated structure against a stage in contact with the carrier, and the pressure inside the sealed container is changed to the pressure inside the sealed container. It is related with the sealing method of an electronic device including the process of covering an electronic device with a thermosetting resin sheet by raising more.

第２の本発明は、
基板及び基板に実装された電子デバイスを備えるチップ実装基板、
チップ実装基板上に配置された熱硬化性樹脂シート、
熱硬化性樹脂シート上に配置された硬質板、並びに
硬質板と接する中央部及び中央部の周辺に配置された周辺部を備えるフィルムを備える積層体の
周辺部を基板と接するステージに押し付けることにより、ステージ及びフィルムを備える密閉容器を形成する工程と、
密閉容器の外部の圧力を密閉容器の内部の圧力より高めることにより、電子デバイスを熱硬化性樹脂シートで覆う工程と
を含む電子デバイスパッケージの製造方法に関する。 The second aspect of the present invention
A chip mounting substrate comprising a substrate and an electronic device mounted on the substrate;
A thermosetting resin sheet disposed on the chip mounting substrate;
By pressing the peripheral part of a laminate comprising a hard plate arranged on a thermosetting resin sheet, and a central part in contact with the hard plate and a film having a peripheral part arranged in the periphery of the central part against a stage in contact with the substrate Forming a sealed container comprising a stage and a film;
Covering the electronic device with a thermosetting resin sheet by increasing the pressure outside the sealed container to be higher than the pressure inside the sealed container.

第２の本発明では、熱硬化性樹脂シートとフィルムの間に硬質板を配置するので、フィルムが電子デバイスの形状に追従することを防止することが可能で、平坦な表面を備える硬化体を得ることができる。   In 2nd this invention, since a hard board is arrange | positioned between a thermosetting resin sheet and a film, it is possible to prevent that a film follows the shape of an electronic device, and the hardening body provided with a flat surface is provided. Can be obtained.

第２の本発明の電子デバイスパッケージの製造方法は、密閉容器を形成する工程と、密閉容器の外部の圧力を密閉容器の内部の圧力より高めることにより、電子デバイスを熱硬化性樹脂シートで覆う工程とを含む限り特に限定されない。第２の本発明の電子デバイスパッケージの製造方法は、例えば、電子デバイスを熱硬化性樹脂シートで覆う工程により得られた封止体を加熱することにより硬化体を形成する工程、硬化体に再配線層を形成することにより再配線体を形成する工程、及び再配線体をダイシングすることにより電子デバイスパッケージを得る工程などをさらに含むことができる。   The manufacturing method of the electronic device package of the second aspect of the invention covers the electronic device with a thermosetting resin sheet by forming the sealed container and increasing the pressure outside the sealed container to be higher than the pressure inside the sealed container. The process is not particularly limited as long as the process is included. The manufacturing method of the electronic device package of the second aspect of the present invention includes, for example, a process of forming a cured body by heating a sealing body obtained by a process of covering an electronic device with a thermosetting resin sheet, It may further include a step of forming a rewiring body by forming a wiring layer, a step of obtaining an electronic device package by dicing the rewiring body, and the like.

第１及び第２の本発明では、例えば、特開２０１３−５２４２４号公報に記載の真空加熱接合装置（以下、真空熱加圧装置ともいう）などを使用できる。   In the first and second aspects of the present invention, for example, a vacuum heat bonding apparatus (hereinafter also referred to as a vacuum heat press apparatus) described in JP2013-52424A can be used.

第１及び第２の本発明において、硬質板の厚みが０．５ｍｍ以上であることが好ましい。また、硬質板の表面平滑性Ｒａが３μｍ以下であることが好ましい。   In the first and second aspects of the present invention, the thickness of the hard plate is preferably 0.5 mm or more. The surface smoothness Ra of the hard plate is preferably 3 μm or less.

第１及び第２の本発明において、硬質板の９０℃の弾性率が１０ＧＰａ以上であることが好ましい。１０ＧＰａ以上であると、加熱加圧下で硬質板が硬さを保持しているので、フィルムが電子デバイスの形状に追従することを良好に防止できる。   In the first and second aspects of the present invention, the 90 ° C. elastic modulus of the hard plate is preferably 10 GPa or more. When the pressure is 10 GPa or more, the hard plate retains the hardness under heat and pressure, so that the film can be well prevented from following the shape of the electronic device.

硬質板としては、ガラス板、ステンレス板（ステンレス鋼板）、シリコンウェハなどが好ましい。なかでも、ガラス板が特に好ましい。   As the hard plate, a glass plate, a stainless plate (stainless steel plate), a silicon wafer or the like is preferable. Among these, a glass plate is particularly preferable.

第１及び第２の本発明によれば、平坦な表面を備える硬化体を得ることができる。   According to the first and second aspects of the present invention, a cured body having a flat surface can be obtained.

真空加熱接合装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of a vacuum heating joining apparatus. ステージ上に積層構造体を配置した様子の概略を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline of a mode that the laminated structure has been arrange | positioned on the stage. チップ仮固定体の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of a chip temporary fixing body. チェンバーを形成した様子の概略を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline of a mode that the chamber was formed. チップ仮固定体、熱硬化性樹脂シート及び硬質板を格納する密閉容器を形成した様子の概略を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline of a mode that the airtight container which stores a chip temporary fixing body, a thermosetting resin sheet, and a hard board was formed. 密閉容器の外部の圧力を大気圧にした様子の概略を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline of a mode that the external pressure of the airtight container was made into atmospheric pressure. 密閉容器の内外の圧力差を利用して封止体を形成した様子の概略を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline of a mode that the sealing body was formed using the pressure difference inside and outside of an airtight container. 封止体の横にスペーサーを配置した様子の概略を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline of a mode that the spacer was arrange | positioned beside the sealing body. 封止体を平板で押さえつけた様子の概略を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline of a mode that the sealing body was pressed down with the flat plate. 硬化体などの概略断面図である。It is a schematic sectional drawing, such as a hardening body. 硬化体の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of a hardening body. 硬化体上にバッファーコート膜を形成した様子の概略を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline of a mode that the buffer coat film | membrane was formed on the hardening body. バッファーコート膜上にマスクを配置した状態で、バッファーコート膜に開口を形成する様子の概略を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline of a mode that opening is formed in a buffer coat film in the state which has arrange | positioned the mask on the buffer coat film. マスク除去後の様子の概略を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline of the mode after mask removal. シード層上に、レジストを形成した様子の概略を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline of a mode that the resist was formed on the seed layer. シード層上にめっきパターンを形成した様子の概略を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline of a mode that the plating pattern was formed on the seed layer. 再配線を形成した様子の概略を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline of a mode that the rewiring was formed. 再配線上に保護膜を形成した様子の概略を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline of a mode that the protective film was formed on rewiring. 保護膜に開口を形成した様子の概略を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline of a mode that opening was formed in the protective film. 再配線上に電極を形成した様子の概略を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline of a mode that the electrode was formed on rewiring. 電極上にバンプを形成した様子の概略を示す断面図であるIt is sectional drawing which shows the outline of a mode that bump was formed on the electrode. 再配線体をダイシングすることにより得られた半導体パッケージの概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the semiconductor package obtained by dicing the rewiring body. ステージ上に積層体を配置した様子の概略を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline of a mode that the laminated body has been arrange | positioned on the stage. チップ実装ウェハの概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of a chip mounting wafer. チェンバーを形成した様子の概略を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline of a mode that the chamber was formed. チップ実装ウェハ、熱硬化性樹脂シート及び硬質板を格納する密閉容器を形成した様子の概略を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline of a mode that the airtight container which stores a chip mounting wafer, a thermosetting resin sheet, and a hard board was formed. 密閉容器の外部の圧力を大気圧にした様子の概略を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline of a mode that the external pressure of the airtight container was made into atmospheric pressure. 密閉容器の内外の圧力差を利用して封止体を形成した様子の概略を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline of a mode that the sealing body was formed using the pressure difference inside and outside of an airtight container. 封止体の横にスペーサーを配置した様子の概略を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline of a mode that the spacer was arrange | positioned beside the sealing body. 封止体を平板で押さえつけた様子の概略を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline of a mode that the sealing body was pressed down with the flat plate. 硬化体の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of a hardening body. 半導体ウェハを研削した後の硬化体の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the hardening body after grinding a semiconductor wafer. 再配線体の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of a rewiring body. 再配線体をダイシングすることにより得られた半導体パッケージの概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the semiconductor package obtained by dicing the rewiring body. 実施例で使用したチップ仮固定体の概略平面図である。It is a schematic plan view of the chip temporary fixing body used in the Example. 実施例で得られた硬化体の概略底面図である。It is a schematic bottom view of the hardening body obtained in the Example. 吸着ステージ上に真空吸着された硬化体に再配線層を形成した様子の概略を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline of a mode that the rewiring layer was formed in the hardening body vacuum-sucked on the adsorption | suction stage. 密閉の容器の内外の圧力差により離型フィルムが電子デバイスの形状に追従した様子の概略を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline of a mode that the release film followed the shape of the electronic device by the pressure difference inside and outside of a sealed container.

以下に実施形態を掲げ、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。   The present invention will be described in detail below with reference to embodiments, but the present invention is not limited only to these embodiments.

［実施形態１］
まず、真空加熱接合装置について説明する。 [Embodiment 1]
First, a vacuum heating bonding apparatus will be described.

（真空加熱接合装置）
図１に示すように、真空熱加圧装置においては、基台１０１上に加圧シリンダ下板１０２が配置され、加圧シリンダ下板１０２の上にはスライド移動テーブル１０３がスライドシリンダ１０４によって真空熱加圧装置内外を移動可能に配置されている。スライド移動テーブル１０３の上方には、下ヒータ板１０５が断熱配置されており、下ヒータ板１０５の上面には下板部材１０６が配置され、下板部材１０６の上面にはステージ（以下、基板置台ともいう）１０７が配置されている。 (Vacuum heating bonding equipment)
As shown in FIG. 1, in the vacuum heat pressurizing apparatus, a pressure cylinder lower plate 102 is disposed on a base 101, and a slide moving table 103 is evacuated by a slide cylinder 104 on the pressure cylinder lower plate 102. It is arranged so as to be movable inside and outside the heat and pressure apparatus. A lower heater plate 105 is thermally insulated above the slide moving table 103, a lower plate member 106 is arranged on the upper surface of the lower heater plate 105, and a stage (hereinafter referred to as a substrate mounting table) is arranged on the upper surface of the lower plate member 106. 107) is also arranged.

加圧シリンダ下板１０２の上には複数の支柱１０８が配置され、支柱１０８の上端部には加圧シリンダ上板１０９が固定されている。加圧シリンダ上板１０９の下方には支柱１０８を通して中間移動部材（中間部材）１１０が配置されており、中間移動部材１１０の下方には断熱板を介して上ヒータ板１１１が固定され、上ヒータ板１１１の下面の外周部には上枠部材１１２が気密に固定され下方に延びている。また、上ヒータ板１１１の下面で上枠部材１１２の内方には内方枠体１１３が固定されている。また、上ヒータ板１１１の下面上で内方枠体１１３の内方には平板１１７が固定されている。   A plurality of support columns 108 are arranged on the pressure cylinder lower plate 102, and a pressure cylinder upper plate 109 is fixed to the upper end portion of the support column 108. An intermediate moving member (intermediate member) 110 is disposed below the pressure cylinder upper plate 109 through a support column 108, and an upper heater plate 111 is fixed below the intermediate moving member 110 via a heat insulating plate. An upper frame member 112 is airtightly fixed to the outer peripheral portion of the lower surface of the plate 111 and extends downward. Further, an inner frame 113 is fixed to the inner surface of the upper frame member 112 on the lower surface of the upper heater plate 111. A flat plate 117 is fixed on the lower surface of the upper heater plate 111 inside the inner frame 113.

内方枠体１１３は、下端部の枠状押え部１１３ａとそれから上方に延びるロッド１１３ｂとを備え、ロッド１１３ｂの周りにはスプリングが配置され、ロッド１１３ｂは上ヒータ板１１１の下面に断熱固定されている。枠状押え部１１３ａはロッド１１３ｂに対してスプリングにより下方に付勢されている。内方枠体１１３の下端部の枠状押え部１１３ａは、ステージ１０７との間にフィルム１３を気密に保持できる。   The inner frame body 113 includes a frame-shaped pressing portion 113a at the lower end portion and a rod 113b extending upward therefrom, a spring is disposed around the rod 113b, and the rod 113b is heat-insulated and fixed to the lower surface of the upper heater plate 111. ing. The frame-shaped presser portion 113a is biased downward by a spring with respect to the rod 113b. The frame-like pressing portion 113 a at the lower end portion of the inner frame body 113 can hold the film 13 in an airtight manner with the stage 107.

加圧シリンダ上板１０９の上面には加圧シリンダ１１４が配置され、加圧シリンダ１１４のシリンダロッド１１５は加圧シリンダ上板１０９を通って中間移動部材１１０の上面に固定され、加圧シリンダ１１４によって、中間移動部材１１０と上ヒータ板１１１と上枠部材１１２とが上下に一体的に移動可能となっている。図１において、Ｓは、加圧シリンダ１１４による中間移動部材１１０と上ヒータ板１１１と上枠部材１１２の下方の移動を規制するストッパーであり、下降して加圧シリンダ１１４本体の上面のストッパープレートに当接するようになっている。加圧シリンダ１１４としては、油圧シリンダ、空圧シリンダ、サーボシリンダなどが使用される。   A pressure cylinder 114 is disposed on the upper surface of the pressure cylinder upper plate 109, and the cylinder rod 115 of the pressure cylinder 114 passes through the pressure cylinder upper plate 109 and is fixed to the upper surface of the intermediate moving member 110. Thus, the intermediate moving member 110, the upper heater plate 111, and the upper frame member 112 can be moved integrally in the vertical direction. In FIG. 1, S is a stopper that restricts the downward movement of the intermediate moving member 110, the upper heater plate 111, and the upper frame member 112 by the pressure cylinder 114. The stopper plate descends and stops on the upper surface of the main body of the pressure cylinder 114. It comes to contact with. As the pressurizing cylinder 114, a hydraulic cylinder, a pneumatic cylinder, a servo cylinder, or the like is used.

加圧シリンダ１１４で上枠部材１１２を引き上げた状態から下降させることにより、上枠部材１１２の下端部を下板部材１０６の外周部端部に設けた段差部に気密に摺動させることができる。そこで一旦加圧シリンダ１１４を停止させる。これにより、上ヒータ板１１１、上枠部材１１２及び下板部材１０６を備える格納容器が形成される。なお、上枠部材１１２には格納容器の内部（以下、チェンバーともいう）を真空引きし、加圧するための真空・加圧口１１６が設けられている。   By lowering the upper frame member 112 from the state in which the upper cylinder member 112 is pulled up by the pressure cylinder 114, the lower end portion of the upper frame member 112 can be airtightly slid to the stepped portion provided at the outer peripheral end portion of the lower plate member 106. . Therefore, the pressure cylinder 114 is once stopped. Thus, a storage container including the upper heater plate 111, the upper frame member 112, and the lower plate member 106 is formed. The upper frame member 112 is provided with a vacuum / pressure port 116 for evacuating and pressurizing the inside of the storage container (hereinafter also referred to as a chamber).

チェンバーを開いた状態で、スライドシリンダ１０４によって、スライド移動テーブル１０３、下ヒータ板１０５、下板部材１０６及びステージ１０７を一体として外部に引き出すことができる。これらを引き出した状態で、ステージ１０７の上に、積層構造体１などを配置できる。   With the chamber open, the slide cylinder 104 can pull out the slide moving table 103, the lower heater plate 105, the lower plate member 106, and the stage 107 as a unit. The laminated structure 1 and the like can be arranged on the stage 107 in a state where these are pulled out.

（半導体パッケージ５の製造方法）
次に、半導体パッケージ５の製造方法について説明する。 (Method for manufacturing semiconductor package 5)
Next, a method for manufacturing the semiconductor package 5 will be described.

図２に示すように、積層構造体１をステージ１０７上に配置する。積層構造体１は、チップ仮固定体１１、チップ仮固定体１１上に配置された熱硬化性樹脂シート１２、熱硬化性樹脂シート１２上に配置された硬質板１４及び硬質板１４上に配置されたフィルム１３を備える。   As shown in FIG. 2, the laminated structure 1 is disposed on the stage 107. The laminated structure 1 is disposed on a chip temporary fixing body 11, a thermosetting resin sheet 12 disposed on the chip temporary fixing body 11, a hard plate 14 disposed on the thermosetting resin sheet 12, and the hard plate 14. The film 13 is provided.

図３に示すように、チップ仮固定体１１は、キャリア１１ａ、キャリア１１ａ上に配置された粘着剤１１ｂ及び粘着剤１１ｂ上に固定された半導体チップ１１ｃを備える。   As shown in FIG. 3, the chip temporary fixing body 11 includes a carrier 11a, an adhesive 11b disposed on the carrier 11a, and a semiconductor chip 11c fixed on the adhesive 11b.

キャリア１１ａとしては、例えば、金属板、ブラスチップ板などが挙げられる。キャリア１１ａの材料としては、例えば、ＳＵＳなどの金属材料、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルサルフォンなどのプラスチック材料などである。   Examples of the carrier 11a include a metal plate and a brass chip plate. Examples of the material of the carrier 11a include metal materials such as SUS, and plastic materials such as polyimide, polyamideimide, polyetheretherketone, and polyethersulfone.

粘着剤１１ｂとしては特に限定されないが、容易に剥離できるという理由から、通常は、熱発泡性粘着剤などの熱剥離性粘着剤などを使用する。   Although it does not specifically limit as the adhesive 11b, Usually, heat peelable adhesives, such as a heat foamable adhesive, are used from the reason that it can peel easily.

半導体チップ１１ｃは、電極パッド１１１ｃを備える。電極パッド１１１ｃが設けられた回路形成面２１１ｃが粘着剤１１ｂと接する。   The semiconductor chip 11c includes an electrode pad 111c. The circuit formation surface 211c provided with the electrode pad 111c is in contact with the adhesive 11b.

熱硬化性樹脂シート１２の外形寸法は、半導体チップ１１ｃを封止可能な大きさである。   The external dimensions of the thermosetting resin sheet 12 are large enough to seal the semiconductor chip 11c.

硬質板１４の厚みは、好ましくは０．５ｍｍ以上である。０．５ｍｍ以上であると、加圧時のひずみを抑えることができる。硬質板１４の厚みは好ましくは２０ｍｍ以下である。   The thickness of the hard plate 14 is preferably 0.5 mm or more. The distortion at the time of pressurization can be suppressed as it is 0.5 mm or more. The thickness of the hard plate 14 is preferably 20 mm or less.

硬質板１４の表面平滑性Ｒａは、好ましくは３μｍ以下である。３μｍ以下であると、平坦な表面を備える硬化体３を得られる。硬質板１４の表面平滑性Ｒａは、例えば０．１ｎｍ以上である。
硬質板１４の表面平滑性Ｒａは、レーザー顕微鏡により測定できる。 The surface smoothness Ra of the hard plate 14 is preferably 3 μm or less. When it is 3 μm or less, a cured body 3 having a flat surface can be obtained. The surface smoothness Ra of the hard plate 14 is, for example, 0.1 nm or more.
The surface smoothness Ra of the hard plate 14 can be measured with a laser microscope.

硬質板１４としては、例えば、ガラス板、ステンレス板、シリコンウェハなどが挙げられる。なかでも、表面平滑性Ｒａが小さいという理由から、ガラス板が好ましい。   Examples of the hard plate 14 include a glass plate, a stainless steel plate, and a silicon wafer. Among these, a glass plate is preferable because the surface smoothness Ra is small.

硬質板１４の９０℃の弾性率は、好ましくは１０ＧＰａ以上である。１０ＧＰａ以上であると、加熱加圧下で硬質板１４が硬さを保持しているので、フィルム１３が半導体チップ１１ｃの形状に追従することを良好に防止できる。一方、硬質板１４の９０℃の弾性率の上限は特に限定されず、例えば５００ＧＰａである。
硬質板１４の弾性率は、超音波パルス法により測定できる。 The elastic modulus at 90 ° C. of the hard plate 14 is preferably 10 GPa or more. When it is 10 GPa or more, since the hard plate 14 retains the hardness under heat and pressure, the film 13 can be well prevented from following the shape of the semiconductor chip 11c. On the other hand, the upper limit of the 90 ° C. elastic modulus of the hard plate 14 is not particularly limited, and is, for example, 500 GPa.
The elastic modulus of the hard plate 14 can be measured by an ultrasonic pulse method.

フィルム１３は、硬質板１４と接する中央部１３ａ及び中央部１３ａの周辺に配置された周辺部１３ｂを備える。フィルム１３の外形寸法は、チップ仮固定体１１、熱硬化性樹脂シート１２及び硬質板１４を覆うことが可能な大きさである。   The film 13 includes a central portion 13a that is in contact with the hard plate 14 and a peripheral portion 13b that is disposed around the central portion 13a. The external dimensions of the film 13 are such that the chip temporary fixing body 11, the thermosetting resin sheet 12, and the hard plate 14 can be covered.

フィルム１３としては特に限定されず、例えば、フッ素系フィルム、ポリオレフィン系フィルム、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムなどが挙げられる。   It does not specifically limit as the film 13, For example, a fluorine-type film, a polyolefin-type film, a polyethylene terephthalate (PET) film etc. are mentioned.

フィルム１３の２３℃における引張破断伸びは好ましくは３０％以上、より好ましくは４０％以上である。３０％以上であると、成型時の凹凸追従性が良い。フィルム１３の２３℃における引張破断伸びは好ましくは３００％以下、より好ましくは１００％以下である。３００％以下であると、剥離作業がし易い。
引張破断伸びは、ＡＳＴＭ Ｄ８８２に従って測定できる。 The tensile elongation at break of the film 13 at 23 ° C. is preferably 30% or more, more preferably 40% or more. When it is 30% or more, the unevenness followability at the time of molding is good. The tensile elongation at break of the film 13 at 23 ° C. is preferably 300% or less, more preferably 100% or less. If it is 300% or less, peeling work is easy.
The tensile elongation at break can be measured according to ASTM D882.

フィルム１３の軟化温度は特に限定されないが、好ましくは８０℃以下、より好ましくは６０℃以下である。８０℃以下であると、成型時の凹凸追従性が良い。また、フィルム１３の軟化温度は、好ましくは０℃以上である。
なお、引っ張り弾性率が３００ＭＰａとなる温度を軟化温度とする。 Although the softening temperature of the film 13 is not specifically limited, Preferably it is 80 degrees C or less, More preferably, it is 60 degrees C or less. When the temperature is 80 ° C. or less, the unevenness followability at the time of molding is good. The softening temperature of the film 13 is preferably 0 ° C. or higher.
The temperature at which the tensile elastic modulus is 300 MPa is defined as the softening temperature.

フィルム１３の厚さは特に限定されないが、好ましくは１０μｍ〜２００μｍである。   Although the thickness of the film 13 is not specifically limited, Preferably it is 10 micrometers-200 micrometers.

ステージ１０７はあらかじめ加熱されている。ステージ１０７の温度は、好ましくは７０℃以上、より好ましくは８０℃以上、さらに好ましくは８５℃以上である。７０℃以上であると、熱硬化性樹脂シート１２を溶融させ、流動させることが可能である。ステージ１０７の温度は好ましくは１００℃以下、より好ましくは９５℃以下である。１００℃以下であると、硬化反応を抑えて成型できる。   The stage 107 is heated in advance. The temperature of the stage 107 is preferably 70 ° C. or higher, more preferably 80 ° C. or higher, and further preferably 85 ° C. or higher. When it is 70 ° C. or higher, the thermosetting resin sheet 12 can be melted and fluidized. The temperature of the stage 107 is preferably 100 ° C. or lower, more preferably 95 ° C. or lower. When it is 100 ° C. or lower, it can be molded while suppressing the curing reaction.

図４に示すように、上ヒータ板１１１及び上枠部材１１２を下降させ、上枠部材１１２の下端部を下板部材１０６の外縁部に沿って気密に摺動させ、上ヒータ板１１１、上枠部材１１２及び下板部材１０６によって気密に囲われたチェンバーを形成する。すなわち、上ヒータ板１１１、上枠部材１１２及び下板部材１０６を備える格納容器を形成する。チェンバーを形成した段階で、上ヒータ板１１１及び上枠部材１１２の下降を停止する。   As shown in FIG. 4, the upper heater plate 111 and the upper frame member 112 are lowered, and the lower end portion of the upper frame member 112 is slid in an airtight manner along the outer edge portion of the lower plate member 106. A chamber hermetically surrounded by the frame member 112 and the lower plate member 106 is formed. That is, a storage container including the upper heater plate 111, the upper frame member 112, and the lower plate member 106 is formed. At the stage where the chamber is formed, the lowering of the upper heater plate 111 and the upper frame member 112 is stopped.

次いで、真空引きを行い、チェンバー内を減圧状態とする。チェンバー内の圧力は、好ましくは５００Ｐａ以下である。   Next, evacuation is performed to bring the inside of the chamber into a reduced pressure state. The pressure in the chamber is preferably 500 Pa or less.

図５に示すように、枠状押え部１１３ａを下降させることにより、フィルム１３の外周部１３ｂをステージ１０７に押さえつけて、密閉容器１２１を形成する。密閉容器１２１は、ステージ１０７及びフィルム１３を備える。密閉容器１２１の内部には、チップ仮固定体１１、チップ仮固定体１１上に配置された熱硬化性樹脂シート１２及び熱硬化性樹脂シート１２上に配置された硬質板１４が配置されている。なお、チェンバー内を減圧状態にした後に密閉容器１２１を形成するため、密閉容器１２１の内部及び外部は減圧状態である。   As shown in FIG. 5, by lowering the frame-shaped presser portion 113 a, the outer peripheral portion 13 b of the film 13 is pressed against the stage 107 to form the sealed container 121. The sealed container 121 includes a stage 107 and a film 13. Inside the airtight container 121, the chip temporary fixing body 11, the thermosetting resin sheet 12 arranged on the chip temporary fixing body 11, and the hard plate 14 arranged on the thermosetting resin sheet 12 are arranged. . In addition, in order to form the airtight container 121 after making the inside of a chamber into the pressure reduction state, the inside and the exterior of the airtight container 121 are a pressure reduction state.

図６に示すように、真空・加圧口１１６を開放することにより、チェンバー内の圧力を大気圧にする。すなわち、密閉容器１２１の外部の圧力を大気圧にする。   As shown in FIG. 6, the pressure in the chamber is set to atmospheric pressure by opening the vacuum / pressure port 116. That is, the pressure outside the sealed container 121 is set to atmospheric pressure.

図７に示すように、真空・加圧口１１６にガスを導入することによりチェンバー内の圧力を高める。すなわち、密閉容器１２１の外部の圧力を大気圧よりも高める。これにより、半導体チップ１１ｃを熱硬化性樹脂シート１２で覆って、封止体２を得る。   As shown in FIG. 7, the pressure in the chamber is increased by introducing a gas into the vacuum / pressurizing port 116. That is, the pressure outside the sealed container 121 is increased above the atmospheric pressure. Thereby, the semiconductor chip 11c is covered with the thermosetting resin sheet 12, and the sealing body 2 is obtained.

ガスとしては特に限定されず、空気、窒素などが挙げられる。   The gas is not particularly limited, and examples thereof include air and nitrogen.

ガス導入後の密閉容器１２１の外部の圧力は、好ましくは０．１ＭＰａ以上、より好ましくは０．５ＭＰａ以上、さらに好ましくは０．９ＭＰａ以上である。密閉容器１２１の外部の圧力の上限は特に限定されないが、好ましくは５ＭＰａ以下、より好ましくは３ＭＰａ以下である。   The pressure outside the sealed container 121 after the gas introduction is preferably 0.1 MPa or more, more preferably 0.5 MPa or more, and further preferably 0.9 MPa or more. The upper limit of the pressure outside the sealed container 121 is not particularly limited, but is preferably 5 MPa or less, more preferably 3 MPa or less.

封止体２は、半導体チップ１１ｃ及び半導体チップ１１ｃを覆う樹脂部２１を備える。封止体２は粘着剤１１ｂと接している。また、封止体２は硬質板１４と接している。   The sealing body 2 includes a semiconductor chip 11c and a resin portion 21 that covers the semiconductor chip 11c. The sealing body 2 is in contact with the adhesive 11b. Further, the sealing body 2 is in contact with the hard plate 14.

図８に示すように、封止体２の横にスペーサー１３１を配置する。   As shown in FIG. 8, a spacer 131 is disposed beside the sealing body 2.

図９に示すように、平板１１７をスペーサー１３１に当たるまで下降させることにより、封止体２をプレスし、封止体２の厚みを調整する。これにより、封止体２の厚みを均一化することができる。平板１１７で封止体２を押す際の圧力としては、０．５ｋｇｆ／ｃｍ２〜２０ｋｇｆ／ｃｍ２が好ましい。 As shown in FIG. 9, the sealing body 2 is pressed by lowering the flat plate 117 until it contacts the spacer 131, and the thickness of the sealing body 2 is adjusted. Thereby, the thickness of the sealing body 2 can be made uniform. The pressure when pushing the sealing body 2 at the flat plate 117, 0.5kgf / cm 2 ~20kgf / cm 2 is preferred.

次いで、封止体２の上方に配置されたフィルム１３を取り除く。   Next, the film 13 disposed above the sealing body 2 is removed.

次いで、封止体２上に配置された硬質板１４を取り除く。   Next, the hard plate 14 disposed on the sealing body 2 is removed.

次いで、樹脂部２１のうちキャリア１１ａから側方にはみ出した部分を切り離す。   Next, the portion of the resin portion 21 that protrudes laterally from the carrier 11a is cut off.

次いで、封止体２を加熱することで樹脂部２１を硬化させて、硬化体３を形成する。   Next, the resin body 21 is cured by heating the sealing body 2 to form the cured body 3.

加熱温度は、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２０℃以上である。一方、加熱温度の上限は、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１８０℃以下である。加熱時間は、好ましくは１０分以上、より好ましくは３０分以上である。一方、加熱時間の上限は、好ましくは１８０分以下、より好ましくは１２０分以下である。   The heating temperature is preferably 100 ° C. or higher, more preferably 120 ° C. or higher. On the other hand, the upper limit of the heating temperature is preferably 200 ° C. or lower, more preferably 180 ° C. or lower. The heating time is preferably 10 minutes or more, more preferably 30 minutes or more. On the other hand, the upper limit of the heating time is preferably 180 minutes or less, more preferably 120 minutes or less.

図１０に示すように、硬化体３は、半導体チップ１１ｃ及び半導体チップ１１ｃを覆う保護部３１を備える。硬化体３は、粘着剤１１ｂと接している。硬化体３は、回路形成面２１１ｃを備える第１主面及び第１主面に対向した第２主面で両面を定義できる。   As shown in FIG. 10, the cured body 3 includes a semiconductor chip 11c and a protection unit 31 that covers the semiconductor chip 11c. The cured body 3 is in contact with the adhesive 11b. The hardened body 3 can be defined on both sides by a first main surface provided with a circuit forming surface 211c and a second main surface facing the first main surface.

粘着剤１１ｂを加熱して粘着剤１１ｂの粘着力を低下させる。   The adhesive 11b is heated to reduce the adhesive strength of the adhesive 11b.

図１１に示すように、硬化体３から粘着剤１１ｂを剥離する。   As shown in FIG. 11, the pressure-sensitive adhesive 11 b is peeled from the cured body 3.

次いで、吸着ステージに硬化体３を吸着させることにより、硬化体３を吸着ステージに固定する。   Next, the cured body 3 is fixed to the suction stage by adsorbing the cured body 3 to the suction stage.

図１２に示すように、第１主面上にバッファーコート膜４１を形成する。バッファーコート膜４１としては、感光性のポリイミド、感光性のポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）などを使用できる。   As shown in FIG. 12, a buffer coat film 41 is formed on the first main surface. As the buffer coat film 41, photosensitive polyimide, photosensitive polybenzoxazole (PBO), or the like can be used.

図１３に示すように、バッファーコート膜４１上にマスク４２を配置した状態で、露光，現像、エッチングすることで、バッファーコート膜４１に開口を形成し、電極パッド１１１ｃを露出させる。   As shown in FIG. 13, by exposing, developing, and etching in a state where the mask 42 is disposed on the buffer coat film 41, an opening is formed in the buffer coat film 41 and the electrode pad 111c is exposed.

次いで、図１４に示すように、マスク４２を除去する。   Next, as shown in FIG. 14, the mask 42 is removed.

次いで、バッファーコート膜４１及び電極パッド１１１ｃ上に、シード層を形成する。   Next, a seed layer is formed on the buffer coat film 41 and the electrode pad 111c.

図１５に示すように、シード層上にレジスト４３を形成する。   As shown in FIG. 15, a resist 43 is formed on the seed layer.

図１６に示すように、電解銅めっきなどのめっき法で、シード層上にめっきパターン４４を形成する。   As shown in FIG. 16, a plating pattern 44 is formed on the seed layer by a plating method such as electrolytic copper plating.

図１７に示すように、レジスト４３を除去する。次いで、シード層をエッチングすることにより再配線４５を形成する。   As shown in FIG. 17, the resist 43 is removed. Next, the rewiring 45 is formed by etching the seed layer.

図１８に示すように、再配線４５上に保護膜４６を形成する。保護膜４６としては、感光性のポリイミド、感光性のポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）などを使用できる。   As shown in FIG. 18, a protective film 46 is formed on the rewiring 45. As the protective film 46, photosensitive polyimide, photosensitive polybenzoxazole (PBO), or the like can be used.

図１９に示すように、保護膜４６に開口を形成することにより、再配線体４を得る。再配線体４は、硬化体３及び硬化体３上に配置された再配線層４０を備える。再配線層４０は、再配線４５を含む。   As shown in FIG. 19, the rewiring body 4 is obtained by forming an opening in the protective film 46. The rewiring body 4 includes a cured body 3 and a rewiring layer 40 disposed on the cured body 3. The rewiring layer 40 includes a rewiring 45.

図２０に示すように、再配線４５上に電極（ＵＢＭ：Ｕｎｄｅｒ Ｂｕｍｐ Ｍｅｔａｌ）４７を形成する。   As shown in FIG. 20, an electrode (UBM: Under Bump Metal) 47 is formed on the rewiring 45.

図２１に示すように、電極４７上にバンプ４８を形成する。パンプ４８は、電極４７及び再配線４５を介して電極パッド１１１ｃと電気的に接続されている。   As shown in FIG. 21, bumps 48 are formed on the electrodes 47. The pump 48 is electrically connected to the electrode pad 111 c through the electrode 47 and the rewiring 45.

図２２に示すように、再配線体４を個片化（ダイシング）して半導体パッケージ５を得る。   As shown in FIG. 22, the rewiring body 4 is singulated (diced) to obtain the semiconductor package 5.

以上により、チップ領域の外側に配線を引き出した半導体パッケージ５を得ることができる。   As described above, the semiconductor package 5 in which the wiring is drawn outside the chip region can be obtained.

（熱硬化性樹脂シート１２）
次に、熱硬化性樹脂シート１２について説明する。 (Thermosetting resin sheet 12)
Next, the thermosetting resin sheet 12 will be described.

熱硬化性樹脂シート１２は、昇温速度１０℃/分、測定周波数１Ｈｚ及び歪み５％で測定した最低複素粘度η＊を示す温度が１００〜１５０℃であり、最低複素粘度η＊が３０〜３０００Ｐａ・ｓである。最低複素粘度η＊を示す温度が１００〜１５０℃であり、最低複素粘度η＊が３０Ｐａ・ｓ以上であるので、はみ出しを防止できる。最低複素粘度η＊を示す温度が１００〜１５０℃であり、最低複素粘度η＊が３０００Ｐａ・ｓ以下であるので、凹凸を良好に埋め込むことができる。   The thermosetting resin sheet 12 has a temperature at a temperature increase rate of 10 ° C./min, a measurement frequency of 1 Hz and a minimum complex viscosity η * measured at a strain of 5% of 100 to 150 ° C., and a minimum complex viscosity η * of 30 to 30 ° C. 3000 Pa · s. Since the temperature showing the lowest complex viscosity η * is 100 to 150 ° C. and the lowest complex viscosity η * is 30 Pa · s or more, the protrusion can be prevented. Since the temperature showing the lowest complex viscosity η * is 100 to 150 ° C. and the lowest complex viscosity η * is 3000 Pa · s or less, the unevenness can be embedded well.

最低複素粘度η＊は、好ましくは１００Ｐａ・ｓ以上である。また、最低複素粘度η＊は、好ましくは２５００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは２０００Ｐａ・ｓ以下である。   The lowest complex viscosity η * is preferably 100 Pa · s or more. The lowest complex viscosity η * is preferably 2500 Pa · s or less, more preferably 2000 Pa · s or less.

最低複素粘度η＊は、無機充填剤の含有量、無機充填剤の種類、有機成分の溶融粘度によりコントロールできる。最低複素粘度η＊を示す温度は、主には硬化触媒の種類と量によりコントロールできる。   The lowest complex viscosity η * can be controlled by the content of the inorganic filler, the type of the inorganic filler, and the melt viscosity of the organic component. The temperature showing the lowest complex viscosity η * can be controlled mainly by the type and amount of the curing catalyst.

最低複素粘度η及び最低複素粘度η＊を示す温度は、下記方法で測定できる。   The temperature showing the lowest complex viscosity η and the lowest complex viscosity η * can be measured by the following method.

最低複素粘度η＊
動的粘弾性測定装置（ＴＡインスツルメント社製、ＡＲＥＳ）を用いて、昇温速度１０℃／分、測定周波数１Ｈｚ、歪み５％で、直径８ｍｍ、厚さ５００μｍの熱硬化性樹脂シート１２の最低複素粘度η＊を測定する。 Minimum complex viscosity η *
Thermodynamic resin sheet 12 having a temperature increase rate of 10 ° C./min, a measurement frequency of 1 Hz, a strain of 5%, a diameter of 8 mm, and a thickness of 500 μm, using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus (TA Instruments, ARES). The lowest complex viscosity η * is measured.

熱硬化性樹脂シート１２は、熱硬化性樹脂を含むことが好ましい。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などを好適に使用できる。   It is preferable that the thermosetting resin sheet 12 contains a thermosetting resin. As a thermosetting resin, an epoxy resin, a phenol resin, etc. can be used conveniently, for example.

エポキシ樹脂としては、特に限定されるものではない。例えば、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂などの各種のエポキシ樹脂を用いることができる。これらエポキシ樹脂は単独で用いてもよいし２種以上併用してもよい。   The epoxy resin is not particularly limited. For example, triphenylmethane type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, modified bisphenol A type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, modified bisphenol F type epoxy resin, dicyclopentadiene type Various epoxy resins such as an epoxy resin, a phenol novolac type epoxy resin, and a phenoxy resin can be used. These epoxy resins may be used alone or in combination of two or more.

エポキシ樹脂としては特に限定しないが、硬化前の可とう性及び硬化後の成型物硬度、強度を確保する観点からは、エポキシ当量１５０〜２５０、軟化点もしくは融点が５０〜１３０℃の常温で固形のものが好ましい。なかでも、ビスフェノール型エポキシ樹脂を含むことが好ましく、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を含むことがより好ましい。   Although it does not specifically limit as an epoxy resin, From a viewpoint of ensuring the flexibility before hardening, the molding hardness after hardening, and an intensity | strength, it is solid at normal temperature of epoxy equivalent 150-250, a softening point, or melting | fusing point 50-130 degreeC. Are preferred. Especially, it is preferable that a bisphenol type epoxy resin is included, and it is more preferable that a bisphenol F type epoxy resin is included.

フェノール樹脂は、エポキシ樹脂との間で硬化反応を生起するものであれば特に限定されるものではない。例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、クレゾールノボラック樹脂、レゾール樹脂などが用いられる。これらフェノール樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。   The phenol resin is not particularly limited as long as it causes a curing reaction with the epoxy resin. For example, a phenol novolac resin, a phenol aralkyl resin, a biphenyl aralkyl resin, a dicyclopentadiene type phenol resin, a cresol novolak resin, a resole resin, or the like is used. These phenolic resins may be used alone or in combination of two or more.

フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂との反応性の観点から、水酸基当量が７０〜２５０、軟化点が５０〜１１０℃のものを用いることが好ましく、なかでも硬化反応性が高いという観点から、フェノールノボラック樹脂を好適に用いることができる。
また、樹脂シートの硬化物の低反り性、低吸水性という点から、ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂を好適に用いることができる。 From the viewpoint of reactivity with the epoxy resin, it is preferable to use a phenol resin having a hydroxyl group equivalent of 70 to 250 and a softening point of 50 to 110 ° C., and in particular, a phenol novolac from the viewpoint of high curing reactivity. Resin can be used suitably.
Moreover, the phenol resin which has a biphenyl aralkyl skeleton can be used suitably from the point of the low curvature property and the low water absorption of the hardened | cured material of a resin sheet.

熱硬化性樹脂シート１２中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、５重量％以上が好ましく、１０重量％以上がより好ましい。５重量％以上であると、充分な硬化物強度が得られる。熱硬化性樹脂シート１２中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、２０重量％以下が好ましく、１５重量％以下がより好ましい。２０重量％以下であると、硬化物の線膨張係数が小さく、かつ低吸水性が得られやすい。   The total content of the epoxy resin and the phenol resin in the thermosetting resin sheet 12 is preferably 5% by weight or more, and more preferably 10% by weight or more. When it is 5% by weight or more, sufficient cured product strength can be obtained. The total content of the epoxy resin and the phenol resin in the thermosetting resin sheet 12 is preferably 20% by weight or less, and more preferably 15% by weight or less. When it is 20% by weight or less, the linear expansion coefficient of the cured product is small, and low water absorption is easily obtained.

エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、硬化反応性という観点から、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計が０．７〜１．５当量となるように配合することが好ましく、より好ましくは０．９〜１．２当量である。   From the viewpoint of curing reactivity, the blending ratio of the epoxy resin and the phenol resin is blended so that the total number of hydroxyl groups in the phenol resin is 0.7 to 1.5 equivalents with respect to 1 equivalent of the epoxy group in the epoxy resin. Preferably, it is 0.9 to 1.2 equivalents.

熱硬化性樹脂シート１２は、無機充填剤を含む。   The thermosetting resin sheet 12 includes an inorganic filler.

無機充填剤としては、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ（溶融シリカや結晶性シリカなど）、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素などが挙げられる。なかでも、線膨張係数を良好に低減できるという理由から、シリカ、アルミナが好ましく、シリカがより好ましい。シリカとしては、流動性に優れるという理由から、溶融シリカが好ましく、球状溶融シリカがより好ましい。   Examples of the inorganic filler include quartz glass, talc, silica (such as fused silica and crystalline silica), alumina, aluminum nitride, silicon nitride, and boron nitride. Among these, silica and alumina are preferable, and silica is more preferable because the linear expansion coefficient can be satisfactorily reduced. Silica is preferably fused silica and more preferably spherical fused silica because it is excellent in fluidity.

無機充填剤の平均粒径は、好ましくは０．３μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上である。０．３μｍ以上であると、熱硬化性樹脂シート１２の可撓性、柔軟性を得易い。無機充填剤の平均粒径は、好ましくは４０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下である。４０μｍ以下であると、無機充填剤を高充填率化し易い。
なお、平均粒径は、例えば、母集団から任意に抽出される試料を用い、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することにより導き出すことができる。 The average particle size of the inorganic filler is preferably 0.3 μm or more, more preferably 1 μm or more, and further preferably 5 μm or more. When it is 0.3 μm or more, it is easy to obtain flexibility and flexibility of the thermosetting resin sheet 12. The average particle size of the inorganic filler is preferably 40 μm or less, more preferably 30 μm or less. When it is 40 μm or less, it is easy to increase the filling rate of the inorganic filler.
The average particle diameter can be derived, for example, by using a sample arbitrarily extracted from the population and measuring it using a laser diffraction / scattering particle size distribution measuring apparatus.

熱硬化性樹脂シート１２中の無機充填剤の含有量は、６０体積％以上であり、好ましくは６５体積％以上である。６０体積％以上であるので、低吸水性、低反り性の硬化体が得られる。一方、無機充填剤の含有量は、９０体積％以下であり、好ましくは８５体積％以下である。９０体積％以下であるので、硬化前の熱硬化性樹脂シート１２の割れ、欠けを防止できる。   Content of the inorganic filler in the thermosetting resin sheet 12 is 60 volume% or more, Preferably it is 65 volume% or more. Since it is 60% by volume or more, a cured product having low water absorption and low warpage can be obtained. On the other hand, the content of the inorganic filler is 90% by volume or less, preferably 85% by volume or less. Since it is 90 volume% or less, the thermosetting resin sheet 12 before curing can be prevented from cracking and chipping.

無機充填剤の含有量は、「重量％」を単位としても説明できる。代表的にシリカの含有量について、「重量％」を単位として説明する。
シリカは通常、比重２．２ｇ／ｃｍ３であるので、シリカの含有量（重量％）の好適範囲は例えば以下のとおりである。
すなわち、熱硬化性樹脂シート１２中のシリカの含有量は、７３重量％以上が好ましく、７７重量％以上がより好ましい。熱硬化性樹脂シート１２中のシリカの含有量は、９４重量％以下が好ましく、９１重量％以下がより好ましい。 The content of the inorganic filler can be explained by using “wt%” as a unit. Typically, the content of silica will be described in units of “% by weight”.
Since silica usually has a specific gravity of 2.2 g / cm 3 , the preferred range of the silica content (% by weight) is, for example, as follows.
That is, the content of silica in the thermosetting resin sheet 12 is preferably 73% by weight or more, and more preferably 77% by weight or more. The content of silica in the thermosetting resin sheet 12 is preferably 94% by weight or less, and more preferably 91% by weight or less.

アルミナは通常、比重３．９ｇ／ｃｍ３であるので、アルミナの含有量（重量％）の好適範囲は例えば以下のとおりである。
すなわち、熱硬化性樹脂シート１２中のアルミナの含有量は、８３重量％以上が好ましく、８６重量％以上がより好ましい。熱硬化性樹脂シート１２中のアルミナの含有量は、９５重量％以下が好ましく、９３重量％以下がより好ましい。 Since alumina usually has a specific gravity of 3.9 g / cm 3 , the preferred range of the alumina content (% by weight) is, for example, as follows.
That is, the content of alumina in the thermosetting resin sheet 12 is preferably 83% by weight or more, and more preferably 86% by weight or more. 95 weight% or less is preferable and, as for content of the alumina in the thermosetting resin sheet 12, 93 weight% or less is more preferable.

熱硬化性樹脂シート１２は、シランカップリング剤を含むことが好ましい。   The thermosetting resin sheet 12 preferably contains a silane coupling agent.

シランカップリング剤は、分子中に加水分解性基及び有機官能基を有する化合物である。   A silane coupling agent is a compound having a hydrolyzable group and an organic functional group in the molecule.

加水分解性基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基などの炭素数１〜６のアルコキシ基、アセトキシ基、２−メトキシエトキシ基等が挙げられる。なかでも、加水分解によって生じるアルコールなどの揮発成分を除去し易いという理由から、メトキシ基が好ましい。   As a hydrolysable group, C1-C6 alkoxy groups, such as a methoxy group and an ethoxy group, an acetoxy group, 2-methoxyethoxy group etc. are mentioned, for example. Among these, a methoxy group is preferable because it easily removes volatile components such as alcohol generated by hydrolysis.

有機官能基としては、ビニル基、エポキシ基、スチリル基、メタクリル基、アクリル基、アミノ基、ウレイド基、メルカプト基、スルフィド基、イソシアネート基などが挙げられる。なかでも、無機充填剤の凝集を抑制するという理由から、メタクリル基が好ましい。   Examples of the organic functional group include a vinyl group, an epoxy group, a styryl group, a methacryl group, an acrylic group, an amino group, a ureido group, a mercapto group, a sulfide group, and an isocyanate group. Among these, a methacryl group is preferable because it suppresses aggregation of the inorganic filler.

シランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシランなどのビニル基含有シランカップリング剤；２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシランなどのエポキシ基含有シランカップリング剤；ｐ−スチリルトリメトキシシランなどのスチリル基含有シランカップリング剤；３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシランなどのメタクリル基含有シランカップリング剤；３−アクリロキシプロピルトリメトキシシランなどのアクリル基含有シランカップリング剤；Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシランなどのアミノ基含有シランカップリング剤；３−ウレイドプロピルトリエトキシシランなどのウレイド基含有シランカップリング剤；３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランなどのメルカプト基含有シランカップリング剤；ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィドなどのスルフィド基含有シランカップリング剤；３−イソシアネートプロピルトリエトキシシランなどのイソシアネート基含有シランカップリング剤などが挙げられる。   Examples of the silane coupling agent include vinyl group-containing silane coupling agents such as vinyltrimethoxysilane and vinyltriethoxysilane; 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyl Epoxy group-containing silane coupling agents such as dimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane; p-styryltrimethoxysilane, etc. A styryl group-containing silane coupling agent; 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrie Methacrylic group-containing silane coupling agents such as xyloxysilane; Acrylic group-containing silane coupling agents such as 3-acryloxypropyltrimethoxysilane; N-2- (aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-2- (Aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-triethoxysilyl-N- (1,3-dimethyl-butylidene) propylamine, N -Amino group-containing silane coupling agents such as phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane and N- (vinylbenzyl) -2-aminoethyl-3-aminopropyltrimethoxysilane; Ureides such as 3-ureidopropyltriethoxysilane Group-containing silane coupling A mercapto group-containing silane coupling agent such as 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane and 3-mercaptopropyltrimethoxysilane; a sulfide group-containing silane coupling agent such as bis (triethoxysilylpropyl) tetrasulfide; 3-isocyanate Examples include isocyanate group-containing silane coupling agents such as propyltriethoxysilane.

シランカップリング剤の含有量は特に限定されないが、無機充填剤１００重量部に対して、０．０５〜５重量部が好ましい。   Although content of a silane coupling agent is not specifically limited, 0.05-5 weight part is preferable with respect to 100 weight part of inorganic fillers.

熱硬化性樹脂シート１２は、硬化促進剤を含むことが好ましい。   The thermosetting resin sheet 12 preferably contains a curing accelerator.

硬化促進剤としては、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の硬化を進行させるものであれば特に限定されず、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートなどの有機リン系化合物；２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール系化合物；などが挙げられる。なかでも、良好な保存性が得られるという理由から、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。   The curing accelerator is not particularly limited as long as it cures the epoxy resin and the phenol resin, and examples thereof include organic phosphorus compounds such as triphenylphosphine and tetraphenylphosphonium tetraphenylborate; 2-phenyl-4, And imidazole compounds such as 5-dihydroxymethylimidazole and 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole. Among these, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole is preferable because good storage stability can be obtained.

硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計１００重量部に対して、好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは０．５重量部以上である。０．１重量部以上であると、実用的な時間内で硬化が完了する。また、硬化促進剤の含有量は、好ましくは５重量部以下、より好ましくは２重量部以下である。５重量部以下であると、良好な保存性が得られる。   The content of the curing accelerator is preferably 0.1 parts by weight or more, more preferably 0.5 parts by weight or more with respect to 100 parts by weight of the total of the epoxy resin and the phenol resin. When it is 0.1 parts by weight or more, curing is completed within a practical time. Further, the content of the curing accelerator is preferably 5 parts by weight or less, more preferably 2 parts by weight or less. When it is 5 parts by weight or less, good storage stability is obtained.

熱硬化性樹脂シート１２は、熱可塑性樹脂（エラストマー）を含むことが好ましい。   The thermosetting resin sheet 12 preferably contains a thermoplastic resin (elastomer).

熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロンなどのポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴなどの飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体、メチルメタクリレート−ブタジエン−スチレン共重合体（ＭＢＳ樹脂）などが挙げられる。特に、エポキシ樹脂への分散性という理由から、ゴム成分からなるコア層とアクリル樹脂からなるシェル層とを有するコアシェル型アクリル樹脂が好ましい。   As thermoplastic resins, natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, thermoplasticity Polyimide resin, polyamide resin such as 6-nylon and 6,6-nylon, phenoxy resin, acrylic resin, saturated polyester resin such as PET and PBT, polyamideimide resin, fluororesin, styrene-isobutylene-styrene block copolymer, methyl Examples thereof include a methacrylate-butadiene-styrene copolymer (MBS resin). In particular, a core-shell type acrylic resin having a core layer made of a rubber component and a shell layer made of an acrylic resin is preferable because of dispersibility in an epoxy resin.

コアシェル型アクリル樹脂を構成するゴム成分は特に限定されず、例えば、ブタジエンゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、アクリルゴム、シリコンゴムなどが挙げられる。   The rubber component constituting the core-shell type acrylic resin is not particularly limited, and examples thereof include butadiene rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, acrylic rubber, and silicon rubber.

コアシェル型アクリル樹脂の平均粒子径は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上である。０．１μｍ以上であると、分散性が良好である。コアシェル型アクリル樹脂の平均粒子径は、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下である。２００μｍ以下であると、熱硬化性樹脂シート１２の平坦性が良好である。
なお、平均粒子径は、例えば、母集団から任意に抽出される試料を用い、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することにより導き出すことができる。 The average particle diameter of the core-shell type acrylic resin is preferably 0.1 μm or more, more preferably 0.5 μm or more. Dispersibility is favorable in it being 0.1 micrometer or more. The average particle diameter of the core-shell type acrylic resin is preferably 200 μm or less, more preferably 100 μm or less. When the thickness is 200 μm or less, the flatness of the thermosetting resin sheet 12 is good.
The average particle size can be derived by, for example, using a sample arbitrarily extracted from the population and measuring it using a laser diffraction / scattering particle size distribution measuring apparatus.

熱可塑性樹脂の含有量は、有機成分（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、熱可塑性樹脂、硬化促進剤など）１００重量部に対して、好ましくは１重量部以上、より好ましくは５重量部以上である。１重量部以上であると、可とう性が良好である。また、熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは５０重量部以下、より好ましくは４０重量部以下である。５０重量部以下であると、流動性、変形性が良好である。   The content of the thermoplastic resin is preferably 1 part by weight or more, more preferably 5 parts by weight or more with respect to 100 parts by weight of an organic component (for example, epoxy resin, phenol resin, thermoplastic resin, curing accelerator, etc.). is there. A flexibility is favorable in it being 1 weight part or more. Further, the content of the thermoplastic resin is preferably 50 parts by weight or less, more preferably 40 parts by weight or less. When it is 50 parts by weight or less, fluidity and deformability are good.

熱硬化性樹脂シート１２には、顔料、難燃剤成分などを含有させてもよい。   The thermosetting resin sheet 12 may contain a pigment, a flame retardant component, and the like.

顔料としては特に限定されず、カーボンブラックなどが挙げられる。熱硬化性樹脂シート１２中の顔料の含有量は、０．０１〜１重量％が好ましい。   The pigment is not particularly limited, and examples thereof include carbon black. The pigment content in the thermosetting resin sheet 12 is preferably 0.01 to 1% by weight.

難燃剤組成分としては、例えば水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化鉄、水酸化カルシウム、水酸化スズ、複合化金属水酸化物などの各種金属水酸化物；ホスファゼン化合物などを用いることができる。なかでも、難燃性、硬化後の強度に優れるという理由から、ホスファゼン化合物が好ましい。   As the flame retardant composition, for example, various metal hydroxides such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, iron hydroxide, calcium hydroxide, tin hydroxide, complex metal hydroxide, phosphazene compounds, and the like can be used. . Of these, phosphazene compounds are preferred because they are excellent in flame retardancy and strength after curing.

熱硬化性樹脂シート１２の製造方法は特に限定されない。例えば、熱硬化性樹脂シート１２を塗工方式で製造することができる。例えば、前記各成分を含有する接着剤組成物溶液を作製し、接着剤組成物溶液を基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、塗布膜を乾燥させることで、熱硬化性樹脂シート１２を製造できる。   The manufacturing method of the thermosetting resin sheet 12 is not particularly limited. For example, the thermosetting resin sheet 12 can be manufactured by a coating method. For example, an adhesive composition solution containing each of the components described above is prepared, and the adhesive composition solution is applied on a base separator to a predetermined thickness to form a coating film, and then the coating film is dried. Thus, the thermosetting resin sheet 12 can be manufactured.

接着剤組成物溶液に用いる溶媒としては特に限定されないが、前記各成分を均一に溶解、混練又は分散できる有機溶媒が好ましい。例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ-メチルピロリドン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、トルエン、キシレンなどが挙げられる。   Although it does not specifically limit as a solvent used for adhesive composition solution, The organic solvent which can melt | dissolve, knead | mix or disperse | distribute each said component uniformly is preferable. Examples thereof include ketone solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, acetone, methyl ethyl ketone, and cyclohexanone, toluene, xylene, and the like.

基材セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤などの剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙などが使用可能である。接着剤組成物溶液の塗布方法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工などが挙げられる。また、塗布膜の乾燥条件は特に限定されず、例えば、乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜５分間で行うことができる。   As the base material separator, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, a plastic film or paper whose surface is coated with a release agent such as a fluorine-type release agent or a long-chain alkyl acrylate release agent can be used. Examples of the method for applying the adhesive composition solution include roll coating, screen coating, and gravure coating. Moreover, the drying conditions of a coating film are not specifically limited, For example, it can carry out in drying temperature 70-160 degreeC and drying time 1-5 minutes.

熱硬化性樹脂シート１２の製造方法について、前記各成分（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、無機充填剤及び硬化促進剤など）を混練して得られる混練物をシート状に塑性加工する方法も好ましい。これにより、無機充填剤を高充填でき、熱膨張係数を低く設計できる。   About the manufacturing method of the thermosetting resin sheet 12, the method of plastically processing the kneaded material obtained by kneading each said component (for example, an epoxy resin, a phenol resin, an inorganic filler, a hardening accelerator, etc.) in a sheet form is also preferable. . Thereby, the inorganic filler can be highly filled and the thermal expansion coefficient can be designed low.

具体的には、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、無機充填剤及び硬化促進剤などをミキシングロール、加圧式ニーダー、押出機などの公知の混練機で溶融混練することにより混練物を調製し、得られた混練物をシート状に塑性加工する。混練条件として、温度の上限は、１４０℃以下が好ましく、１３０℃以下がより好ましい。温度の下限は、上述の各成分の軟化点以上であることが好ましく、例えば３０℃以上、好ましくは５０℃以上である。混練の時間は、好ましくは１〜３０分である。また、混練は、減圧条件下（減圧雰囲気下）で行うことが好ましく、減圧条件下の圧力は、例えば、１×１０−４〜０．１ｋｇ／ｃｍ２である。 Specifically, a kneaded material was prepared by melting and kneading an epoxy resin, a phenol resin, an inorganic filler, a curing accelerator, and the like with a known kneader such as a mixing roll, a pressure kneader, and an extruder. The kneaded product is plastically processed into a sheet. As kneading conditions, the upper limit of the temperature is preferably 140 ° C. or less, and more preferably 130 ° C. or less. The lower limit of the temperature is preferably equal to or higher than the softening point of each component described above, for example, 30 ° C or higher, and preferably 50 ° C or higher. The kneading time is preferably 1 to 30 minutes. The kneading is preferably performed under reduced pressure conditions (under reduced pressure atmosphere), and the pressure under reduced pressure conditions is, for example, 1 × 10 −4 to 0.1 kg / cm 2 .

溶融混練後の混練物は、冷却することなく高温状態のままで塑性加工することが好ましい。塑性加工方法としては特に制限されず、平板プレス法、Ｔダイ押出法、スクリューダイ押出法、ロール圧延法、ロール混練法、インフレーション押出法、共押出法、カレンダー成形法などが挙げられる。塑性加工温度としては上述の各成分の軟化点以上が好ましく、エポキシ樹脂の熱硬化性および成形性を考慮すると、例えば４０〜１５０℃、好ましくは５０〜１４０℃、さらに好ましくは７０〜１２０℃である。   The kneaded material after melt-kneading is preferably subjected to plastic working in a high temperature state without cooling. The plastic working method is not particularly limited, and examples thereof include a flat plate pressing method, a T die extrusion method, a screw die extrusion method, a roll rolling method, a roll kneading method, an inflation extrusion method, a coextrusion method, and a calendering method. The plastic processing temperature is preferably higher than the softening point of each component described above, and is 40 to 150 ° C., preferably 50 to 140 ° C., more preferably 70 to 120 ° C., considering the thermosetting property and moldability of the epoxy resin. is there.

熱硬化性樹脂シート１２の厚みは特に限定されないが、好ましくは１００μｍ以上、より好ましくは１５０μｍ以上である。また、熱硬化性樹脂シート１２の厚みは、好ましくは２０００μｍ以下、より好ましくは１０００μｍ以下である。上記範囲内であると、半導体チップ１１ｃを良好に封止できる。   Although the thickness of the thermosetting resin sheet 12 is not specifically limited, Preferably it is 100 micrometers or more, More preferably, it is 150 micrometers or more. The thickness of the thermosetting resin sheet 12 is preferably 2000 μm or less, more preferably 1000 μm or less. Within the above range, the semiconductor chip 11c can be satisfactorily sealed.

熱硬化性樹脂シート１２は、単層構造であってもよいし、２以上の熱硬化性樹脂層を積層した多層構造であってもよい。しかしながら、層間剥離のおそれがなく、シート厚の均一性が高いという理由から、単層構造が好ましい。   The thermosetting resin sheet 12 may have a single layer structure or a multilayer structure in which two or more thermosetting resin layers are laminated. However, a single layer structure is preferred because there is no risk of delamination and the sheet thickness is highly uniform.

（変形例１）
実施形態１では、積層構造体１をステージ１０７上に配置するが、変形例１では、チップ仮固定体１１をステージ１０７上に配置し、次いでチップ仮固定体１１上に熱硬化性樹脂シート１２を配置し、次いで熱硬化性樹脂シート１２上に硬質板１４を配置し、次いで硬質板１４上にフィルム１３を配置する。 (Modification 1)
In the first embodiment, the laminated structure 1 is arranged on the stage 107, but in the first modification, the chip temporary fixing body 11 is arranged on the stage 107, and then the thermosetting resin sheet 12 on the chip temporary fixing body 11. Next, the hard plate 14 is disposed on the thermosetting resin sheet 12, and then the film 13 is disposed on the hard plate 14.

（変形例２）
実施形態１では、積層構造体１をステージ１０７上に配置するが、変形例２では、チップ仮固定体１１及びチップ仮固定体１１上に配置された熱硬化性樹脂シート１２を備える積層物をステージ１０７上に配置し、次いで積層物上に硬質板１４を配置し、次いで硬質板１４上にフィルム１３を配置する。 (Modification 2)
In the first embodiment, the laminated structure 1 is arranged on the stage 107, but in the second modification, a laminate including the chip temporary fixing body 11 and the thermosetting resin sheet 12 arranged on the chip temporary fixing body 11 is provided. It arrange | positions on the stage 107, then arrange | positions the hard board 14 on a laminated body, and arrange | positions the film 13 on the hard board 14 then.

（変形例３）
実施形態１では、密閉容器１２１の外部の圧力を大気圧にし、次いで大気圧よりも高めるが、変形例３では、密閉容器１２１の外部の圧力を大気圧にする工程を含まない。すなわち、密閉容器１２１を形成し、次いで密閉容器１２１の外部の圧力を大気圧よりも高める。 (Modification 3)
In the first embodiment, the pressure outside the sealed container 121 is set to atmospheric pressure and then higher than the atmospheric pressure, but the third modification does not include the step of setting the pressure outside the sealed container 121 to atmospheric pressure. That is, the sealed container 121 is formed, and then the pressure outside the sealed container 121 is increased above the atmospheric pressure.

（変形例４）
実施形態１では、平板１１７で封止体２をプレスするが、変形例４では封止体２をプレスしない。 (Modification 4)
In the first embodiment, the sealing body 2 is pressed by the flat plate 117, but in the fourth modification, the sealing body 2 is not pressed.

（変形例５）
実施形態１では、樹脂部２１のうちキャリア１１ａから側方にはみ出した部分を切り離すが、変形例５では、これを切り離さない。 (Modification 5)
In the first embodiment, the portion of the resin portion 21 that protrudes laterally from the carrier 11a is cut off, but in the fifth modification, this portion is not cut off.

（変形例６）
変形例６では、硬化体３の第２主面を研削する工程を含む。なお、硬化体３の表面が平坦であるので、特許文献１に記載の技術に比べて、研削量を減らすことができる。 (Modification 6)
In the modification 6, the process of grinding the 2nd main surface of the hardening body 3 is included. In addition, since the surface of the hardening body 3 is flat, the grinding amount can be reduced as compared with the technique described in Patent Document 1.

以上のとおり、実施形態１の半導体パッケージ５の製造方法は、積層構造体１の周辺部１３ｂをキャリア１１ａと接するステージ１０７に押し付けることにより、ステージ１０７及びフィルム１３を備える密閉容器１２１を形成する工程と、密閉容器１２１の外部の圧力を密閉容器１２１の内部の圧力より高めることにより、半導体チップ１１ｃを熱硬化性樹脂シート１２で覆う工程とを含む。   As described above, in the method for manufacturing the semiconductor package 5 according to the first embodiment, the sealed container 121 including the stage 107 and the film 13 is formed by pressing the peripheral portion 13b of the laminated structure 1 against the stage 107 in contact with the carrier 11a. And the step of covering the semiconductor chip 11c with the thermosetting resin sheet 12 by increasing the pressure outside the sealed container 121 to be higher than the pressure inside the sealed container 121.

実施形態１の半導体パッケージ５の製造方法は、封止体２を加熱することにより硬化体３を形成する工程、硬化体３に再配線層４０を形成することにより再配線体４を形成する工程、及び再配線体４をダイシングすることにより半導体パッケージ５を得る工程などをさらに含む。   The manufacturing method of the semiconductor package 5 of Embodiment 1 includes the step of forming the cured body 3 by heating the sealing body 2 and the step of forming the rewiring body 4 by forming the rewiring layer 40 on the cured body 3. And a step of obtaining the semiconductor package 5 by dicing the rewiring body 4.

［実施形態２］
図２３に示すように、積層体６をステージ１０７上に配置する。積層体６は、チップ実装ウェハ６１、チップ実装ウェハ６１上に配置された熱硬化性樹脂シート１２、熱硬化性樹脂シート１２上に配置された硬質板１４及び硬質板１４上に配置されたフィルム１３を備える。 [Embodiment 2]
As shown in FIG. 23, the stacked body 6 is disposed on the stage 107. The laminated body 6 includes a chip mounting wafer 61, a thermosetting resin sheet 12 disposed on the chip mounting wafer 61, a hard plate 14 disposed on the thermosetting resin sheet 12, and a film disposed on the hard plate 14. 13 is provided.

図２４に示すように、チップ実装ウェハ６１は、半導体ウェハ６１ａ及び半導体ウェハ６１ａにフリップチップ実装（フリップチップボンディング）された半導体チップ６１ｂを備える。   As shown in FIG. 24, the chip mounting wafer 61 includes a semiconductor wafer 61a and a semiconductor chip 61b flip-chip mounted (flip chip bonding) on the semiconductor wafer 61a.

半導体ウェハ６１ａは、電極６０１ａ、及び電極６０１ａと電気的に接続された貫通電極６０１ｂを備える。すなわち、半導体ウェハ６１ａは、半導体ウェハ６１ａの厚み方向に延びる貫通電極６０１ｂ、及び貫通電極６０１ｂと電気的に接続された電極６０１ａを備える。半導体ウェハ６１ａは、電極６０１ａが設けられた回路形成面、及び回路形成面に対向した面で両面を定義できる。   The semiconductor wafer 61a includes an electrode 601a and a through electrode 601b that is electrically connected to the electrode 601a. That is, the semiconductor wafer 61a includes a through electrode 601b extending in the thickness direction of the semiconductor wafer 61a and an electrode 601a electrically connected to the through electrode 601b. Both sides of the semiconductor wafer 61a can be defined by a circuit forming surface provided with the electrode 601a and a surface facing the circuit forming surface.

半導体チップ６１ｂは回路形成面（活性面）を備える。半導体チップ６１ｂの回路形成面上には、バンプ６２が配置されている。   The semiconductor chip 61b has a circuit formation surface (active surface). Bumps 62 are arranged on the circuit formation surface of the semiconductor chip 61b.

半導体チップ６１ｂと半導体ウェハ６１ａは、バンプ６２を介して電気的に接続されている。   The semiconductor chip 61 b and the semiconductor wafer 61 a are electrically connected via bumps 62.

ステージ１０７はあらかじめ加熱されている。ステージ１０７の好適な温度条件は、実施形態１で説明した温度条件と同様である。   The stage 107 is heated in advance. Suitable temperature conditions for the stage 107 are the same as those described in the first embodiment.

図２５に示すように、上ヒータ板１１１及び上枠部材１１２を下降させ、上枠部材１１２の下端部を下板部材１０６の外縁部に沿って気密に摺動させ、上ヒータ板１１１、上枠部材１１２及び下板部材１０６によって気密に囲われたチェンバーを形成する。すなわち、上ヒータ板１１１、上枠部材１１２及び下板部材１０６を備える格納容器を形成する。チェンバーを形成した段階で、上ヒータ板１１１及び上枠部材１１２の下降を停止する。   As shown in FIG. 25, the upper heater plate 111 and the upper frame member 112 are lowered, and the lower end portion of the upper frame member 112 is airtightly slid along the outer edge portion of the lower plate member 106, A chamber hermetically surrounded by the frame member 112 and the lower plate member 106 is formed. That is, a storage container including the upper heater plate 111, the upper frame member 112, and the lower plate member 106 is formed. At the stage where the chamber is formed, the lowering of the upper heater plate 111 and the upper frame member 112 is stopped.

次いで、真空引きを行い、チェンバー内を減圧状態とする。チェンバー内の圧力は、好ましくは５００Ｐａ以下である。   Next, evacuation is performed to bring the inside of the chamber into a reduced pressure state. The pressure in the chamber is preferably 500 Pa or less.

図２６に示すように、枠状押え部１１３ａを下降させることにより、フィルム１３の外周部１３ｂをステージ１０７に押さえつけて、密閉容器１２１を形成する。密閉容器１２１は、ステージ１０７及びフィルム１３を備える。密閉容器１２１の内部には、チップ実装ウェハ６１、チップ実装ウェハ６１上に配置された熱硬化性樹脂シート１２及び熱硬化性樹脂シート１２上に配置された硬質板１４が配置されている。なお、真空チェンバー内を減圧状態にした後に密閉容器１２１を形成するため、密閉容器１２１の内部及び外部は減圧状態である。   As shown in FIG. 26, by lowering the frame-shaped presser portion 113a, the outer peripheral portion 13b of the film 13 is pressed against the stage 107, and the sealed container 121 is formed. The sealed container 121 includes a stage 107 and a film 13. Inside the airtight container 121, the chip mounting wafer 61, the thermosetting resin sheet 12 disposed on the chip mounting wafer 61, and the hard plate 14 disposed on the thermosetting resin sheet 12 are disposed. In addition, in order to form the airtight container 121 after making the inside of a vacuum chamber into a pressure reduction state, the inside and the outside of the airtight container 121 are in a pressure reduction state.

図２７に示すように、真空・加圧口１１６を開放することにより、チェンバー内の圧力を大気圧にする。すなわち、密閉容器１２１の外部の圧力を大気圧にする。   As shown in FIG. 27, the pressure in the chamber is set to atmospheric pressure by opening the vacuum / pressure port 116. That is, the pressure outside the sealed container 121 is set to atmospheric pressure.

図２８に示すように、真空・加圧口１１６にガスを導入することによりチェンバー内の圧力を高める。すなわち、密閉容器１２１の外部の圧力を大気圧よりも高める。これにより、半導体チップ６１ｂを熱硬化性樹脂シート１２で覆う。これにより、封止体７を得る。   As shown in FIG. 28, the pressure in the chamber is increased by introducing gas into the vacuum / pressure port 116. That is, the pressure outside the sealed container 121 is increased above the atmospheric pressure. Thereby, the semiconductor chip 61b is covered with the thermosetting resin sheet 12. Thereby, the sealing body 7 is obtained.

ガスとしては特に限定されず、空気、窒素などが挙げられる。   The gas is not particularly limited, and examples thereof include air and nitrogen.

密閉容器１２１の外部の好適な圧力は、実施形態１で説明した圧力と同様である。   A suitable pressure outside the sealed container 121 is the same as the pressure described in the first embodiment.

封止体７は、チップ実装ウェハ６１及びチップ実装ウェハ６１上に配置された樹脂部７１を備える。半導体チップ６１ｂは、樹脂部７１により覆われている。封止体７は、硬質板１４と接している。   The sealing body 7 includes a chip mounting wafer 61 and a resin portion 71 disposed on the chip mounting wafer 61. The semiconductor chip 61 b is covered with a resin part 71. The sealing body 7 is in contact with the hard plate 14.

図２９に示すように、封止体７の横にスペーサー１３１を配置する。   As shown in FIG. 29, a spacer 131 is disposed beside the sealing body 7.

図３０に示すように、平板１１７をスペーサー１３１に当たるまで下降させることにより、封止体７をプレスし、封止体７の厚みを調整する。これにより、封止体７の厚みを均一化することができる。平板１１７で封止体７を押す際の圧力としては、０．５ｋｇｆ／ｃｍ２〜２０ｋｇｆ／ｃｍ２が好ましい。 As shown in FIG. 30, the sealing body 7 is pressed by lowering the flat plate 117 until it hits the spacer 131, and the thickness of the sealing body 7 is adjusted. Thereby, the thickness of the sealing body 7 can be made uniform. The pressure when pushing the sealing body 7 with a flat plate 117, 0.5kgf / cm 2 ~20kgf / cm 2 is preferred.

次いで、フィルム１３と硬質板１４を取り除く。   Next, the film 13 and the hard plate 14 are removed.

次いで、樹脂部７１のうち半導体ウェハ６１ａから側方にはみ出した部分を切り離す。   Next, the portion of the resin portion 71 that protrudes laterally from the semiconductor wafer 61a is cut off.

封止体７を加熱することで樹脂部７１を硬化させて、硬化体８を形成する。   The resin body 71 is cured by heating the sealing body 7 to form the cured body 8.

好適な加熱温度は、実施形態１で説明した加熱温度と同様である。好適な加熱時間は、実施形態１で説明した加熱時間と同様である。   A suitable heating temperature is the same as the heating temperature described in the first embodiment. A suitable heating time is the same as the heating time described in the first embodiment.

図３１に示すように、硬化体８は、チップ実装ウェハ６１及びチップ実装ウェハ６１上に配置された保護部８１を備える。半導体チップ６１ｂは、保護部８１により覆われている。   As shown in FIG. 31, the cured body 8 includes a chip mounting wafer 61 and a protection unit 81 disposed on the chip mounting wafer 61. The semiconductor chip 61 b is covered with a protection part 81.

硬化体８は、半導体ウェハ６１ａが配置されたウェハ面、及びウェハ面に対向した硬化面で両面を定義できる。硬化面には、保護部８１が配置されている。   Both sides of the cured body 8 can be defined by a wafer surface on which the semiconductor wafer 61a is disposed and a cured surface facing the wafer surface. A protection part 81 is disposed on the cured surface.

図３２に示すように、硬化体８の半導体ウェハ６１ａを研削して、貫通電極６０１ｂを露出させる。すなわち、ウェハ面を研削して得られた研削面８２では、貫通電極６０１ｂが露出している。   As shown in FIG. 32, the semiconductor wafer 61a of the cured body 8 is ground to expose the through electrode 601b. That is, the through electrode 601b is exposed on the ground surface 82 obtained by grinding the wafer surface.

図３３に示すように、セミアディティブ法などを利用して、研削面８２上に再配線層８３を形成して、再配線体８４を形成する。再配線層８３は、再配線８３ａを備える。次いで、再配線層８３上にバンプ８５を形成する。バンプ８５は再配線８３ａ、貫通電極６０１ｂ、電極６０１ａ及びバンプ６２を介して半導体チップ６１ｂと電気的に接続している。   As shown in FIG. 33, the rewiring layer 83 is formed on the grinding surface 82 by using a semi-additive method or the like, and the rewiring body 84 is formed. The rewiring layer 83 includes a rewiring 83a. Next, bumps 85 are formed on the rewiring layer 83. The bump 85 is electrically connected to the semiconductor chip 61b through the rewiring 83a, the through electrode 601b, the electrode 601a, and the bump 62.

図３４に示すように、再配線体８４を個片化（ダイシング）して、半導体パッケージ９を得る。   As shown in FIG. 34, the rewiring body 84 is separated (diced) to obtain the semiconductor package 9.

（変形例１）
実施形態２では、積層体６をステージ１０７上に配置するが、変形例１では、チップ実装ウェハ６１をステージ１０７上に配置し、次いでチップ実装ウェハ６１上に熱硬化性樹脂シート１２を配置し、次いで熱硬化性樹脂シート１２上に硬質板１４を配置し、次いで硬質板１４上にフィルム１３を配置する。 (Modification 1)
In the second embodiment, the stacked body 6 is disposed on the stage 107. In the first modification, the chip mounting wafer 61 is disposed on the stage 107, and then the thermosetting resin sheet 12 is disposed on the chip mounting wafer 61. Then, the hard plate 14 is disposed on the thermosetting resin sheet 12, and then the film 13 is disposed on the hard plate 14.

（変形例２）
実施形態２では、積層体６をステージ１０７上に配置するが、変形例２では、チップ実装ウェハ６１及びチップ実装ウェハ６１上に配置された熱硬化性樹脂シート１２を備える積層物をステージ１０７上に配置し、次いで積層物上に硬質板１４を配置し、次いで硬質板１４上にフィルム１３を配置する。 (Modification 2)
In the second embodiment, the laminate 6 is disposed on the stage 107. In the second modification, the laminate including the chip mounting wafer 61 and the thermosetting resin sheet 12 disposed on the chip mounting wafer 61 is disposed on the stage 107. Next, the hard plate 14 is placed on the laminate, and then the film 13 is placed on the hard plate 14.

（変形例３）
実施形態２では、密閉容器１２１の外部の圧力を大気圧にし、次いで大気圧よりも高めるが、変形例３では、密閉容器１２１の外部の圧力を大気圧にする工程を含まない。すなわち、密閉容器１２１を形成し、次いで密閉容器１２１の外部の圧力を大気圧よりも高める。 (Modification 3)
In the second embodiment, the pressure outside the sealed container 121 is set to atmospheric pressure and then higher than the atmospheric pressure. However, the third modification does not include the step of setting the pressure outside the sealed container 121 to atmospheric pressure. That is, the sealed container 121 is formed, and then the pressure outside the sealed container 121 is increased above the atmospheric pressure.

（変形例４）
実施形態２では、平板１１７で封止体７をプレスするが、変形例４では封止体７をプレスしない。 (Modification 4)
In the second embodiment, the sealing body 7 is pressed by the flat plate 117, but in the fourth modification, the sealing body 7 is not pressed.

（変形例５）
実施形態２では、樹脂部７１のうち半導体ウェハ６１ａから側方にはみ出した部分を切り離すが、変形例５では、これを切り離さない。 (Modification 5)
In the second embodiment, the portion of the resin portion 71 that protrudes laterally from the semiconductor wafer 61a is cut off. However, in the fifth modification, this portion is not cut off.

（変形例６）
変形例６では、硬化体８の硬化面を研削する工程を含む。なお、硬化体８の表面が平坦であるので、特許文献１に記載の技術に比べて、研削量を減らすことができる。 (Modification 6)
In the modification 6, the process of grinding the hardening surface of the hardening body 8 is included. Since the surface of the cured body 8 is flat, the amount of grinding can be reduced compared to the technique described in Patent Document 1.

以上のとおり、実施形態２の半導体パッケージ９の製造方法は、積層体６の周辺部１３ｂを半導体ウェハ６１ａと接するステージ１０７に押し付けることにより、ステージ１０７及びフィルム１３を備える密閉容器１２１を形成する工程と、密閉容器１２１の外部の圧力を密閉容器１２１の内部の圧力より高めることにより、半導体チップ６１ｂを熱硬化性樹脂シート１２で覆う工程とを含む。   As described above, in the method for manufacturing the semiconductor package 9 according to the second embodiment, the sealed container 121 including the stage 107 and the film 13 is formed by pressing the peripheral portion 13b of the stacked body 6 against the stage 107 in contact with the semiconductor wafer 61a. And the step of covering the semiconductor chip 61b with the thermosetting resin sheet 12 by increasing the pressure outside the sealed container 121 to be higher than the pressure inside the sealed container 121.

実施形態２の半導体パッケージ９の製造方法は、封止体７を加熱することにより硬化体８を形成する工程、硬化体８に再配線層８３を形成することにより再配線体８４を形成する工程、及び再配線体８４をダイシングすることにより半導体パッケージ９を得る工程などをさらに含む。   The manufacturing method of the semiconductor package 9 according to the second embodiment includes a step of forming the cured body 8 by heating the sealing body 7 and a step of forming the rewiring body 84 by forming the rewiring layer 83 on the cured body 8. And a step of obtaining the semiconductor package 9 by dicing the rewiring body 84.

［その他の実施形態］
実施形態１〜２では、半導体パッケージの製造方法及び半導体チップの封止方法について例示したが、本発明は、電子デバイスパッケージの製造方法及び電子デバイスの封止方法に適用できることは、当業者が容易に理解できるであろう。 [Other Embodiments]
In the first and second embodiments, the semiconductor package manufacturing method and the semiconductor chip sealing method are exemplified. However, it is easy for those skilled in the art that the present invention can be applied to the electronic device package manufacturing method and the electronic device sealing method. Will understand.

電子デバイスとしては、センサー、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）フィルタなどの中空部を備える中空型電子デバイス；半導体チップ、ＩＣ（集積回路）、トランジスタなどの半導体素子；コンデンサ；抵抗などが挙げられる。なお、中空部とは、電子デバイスと基板に挟まれた空間をいう。   As an electronic device, a hollow electronic device having a hollow part such as a sensor, a micro electro mechanical systems (MEMS), or a surface acoustic wave (SAW) filter; a semiconductor element such as a semiconductor chip, an IC (integrated circuit), a transistor; a capacitor; For example, resistance. Note that the hollow portion refers to a space between the electronic device and the substrate.

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている材料や配合量などは、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail by way of example. However, the materials, blending amounts, and the like described in the examples are not intended to limit the scope of the present invention only to those unless otherwise specified.

熱硬化性樹脂シートを作製するために使用した成分について説明する。
エポキシ樹脂：新日鐵化学（株）製のＹＳＬＶ−８０ＸＹ（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキン当量２００ｇ／ｅｑ．軟化点８０℃）
フェノール樹脂：明和化成社製のＭＥＨ−７８５１−ＳＳ（ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂、水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．軟化点６７℃）
硬化促進剤：四国化成工業社製の２ＰＨＺ−ＰＷ（２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール）
熱可塑性樹脂：三菱レイヨン社製のメタブレン Ｊ-５８００（コアシェル型アクリル樹脂、平均粒子径１μｍ）
シリカフィラー：電気化学工業社製のＦＢ−９４５４ＦＣ（溶融球状シリカ、平均粒子径２０μｍ）
シランカップリング剤：信越化学社製のＫＢＭ−５０３（３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン）
カーボンブラック：三菱化学社製のＭＡ−６００ The component used in order to produce a thermosetting resin sheet is demonstrated.
Epoxy resin: YSLV-80XY manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd. (bisphenol F type epoxy resin, epkin equivalent 200 g / eq. Softening point 80 ° C.)
Phenol resin: MEH-7851-SS manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd. (phenol resin having a biphenylaralkyl skeleton, hydroxyl group equivalent 203 g / eq. Softening point 67 ° C.)
Curing accelerator: 2PHZ-PW (2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole) manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.
Thermoplastic resin: Metablene J-5800 manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd. (core-shell type acrylic resin, average particle diameter 1 μm)
Silica filler: FB-9454FC manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd. (fused spherical silica, average particle size 20 μm)
Silane coupling agent: KBM-503 (3-methacryloxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
Carbon black: MA-600 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation

［熱硬化樹脂シートの作製］
表１に記載の配合比に従い、各成分を配合し、ロール混練機により６０〜１２０℃、１０分間、減圧条件下（０．０１ｋｇ／ｃｍ２）で溶融混練し、混練物を調製した。次いで、得られた混練物を、平板プレス法により、シート状に形成して、縦２００ｍｍ、横２３０ｍｍ、厚み２５０μｍの熱硬化樹脂シートを作製した。 [Preparation of thermosetting resin sheet]
Each component was blended according to the blending ratio shown in Table 1, and melt-kneaded in a roll kneader at 60 to 120 ° C. for 10 minutes under reduced pressure conditions (0.01 kg / cm 2 ) to prepare a kneaded product. Next, the obtained kneaded material was formed into a sheet shape by a flat plate pressing method to produce a thermosetting resin sheet having a length of 200 mm, a width of 230 mm, and a thickness of 250 μm.

Figure 2015220400
Figure 2015220400

［チップ仮固定体の作製］
第１ガラス板（テンパックスガラス、縦２００ｍｍ、横２３０ｍｍ、厚み１．１ｍｍ）上に熱剥離シート１００（日東電工社製のリバアルファ「３１９５Ｖ」、縦２００ｍｍ、横２３０ｍｍ、厚み１００μｍ）を積層した。次いで、図３５に示すように、熱剥離シート１００の左奥領域１００１、右奥領域１００３、左手前領域１００７及び右手前領域１００９のそれぞれに、ダミーチップ（縦７ｍｍ、横７ｍｍ、厚み２００μｍ）３００を４個配置し、中央領域１００５にダミーチップ３００を９個配置することにより、チップ仮固定体を作製した。 [Preparation of temporarily fixed chip]
A heat release sheet 100 (Riva Alpha “3195V” manufactured by Nitto Denko Corporation, length 200 mm, width 230 mm, thickness 100 μm) was laminated on the first glass plate (Tempax glass, length 200 mm, width 230 mm, thickness 1.1 mm). . Next, as shown in FIG. 35, dummy chips (length 7 mm, width 7 mm, thickness 200 μm) 300 are respectively provided in the left back area 1001, the right back area 1003, the left front area 1007, and the right front area 1009 of the thermal release sheet 100. 4 were arranged, and nine dummy chips 300 were arranged in the central region 1005 to produce a chip temporarily fixed body.

［硬化体２００の作製］
（実施例１）
９０度に設定された真空プレス装置（ミカドテクノス社製）のステージ上にチップ仮固定体を配置し、次いでチップ仮固定体上に熱硬化樹脂シートを配置した。次いで、熱硬化樹脂シート上に第２ガラス板（テンパックスガラス、縦２００ｍｍ、横２３０ｍｍ、厚み１．１ｍｍ）を配置した。次いで、第２ガラス板上に離型フィルム（三井化学社製のＴＰＸフィルム 引張破断伸び５０％、軟化温度５２℃、厚さ５０μｍ）を配置して、チップ仮固定体、熱硬化樹脂シート及び第２ガラス板を離型フィルムで覆った。これにより、チップ仮固定体、チップ仮固定体上に配置された熱硬化樹脂シート、熱硬化樹脂シート上に配置された第２ガラス板及び第２ガラス板上に配置された離型フィルムからなる積層構造体を形成した。次いで、上ヒータ板、上枠部材及び下板部材を備える格納容器を形成した。このとき、格納容器の内部（チェンバー）には、ステージ及びステージ上に配置された積層構造体が配置されていた。次いで、チェンバー内を減圧しながら、９０℃で５分間、積層構造体を予備加熱した。次いで、離型フィルムの外周部をステージに押さえつけて、ステージ及び離型フィルムからなる密閉容器を形成した。次いで、チェンバーを開放することにより、密閉容器の外部の圧力を大気圧にした。次いで、密閉容器の外部の圧力を５分間、０．９ＭＰａにした。これにより、ダミーチップ３００を熱硬化性樹脂シートで覆って、封止体を得た。封止体は、ダミーチップ３００及びダミーチップ３００を覆う樹脂部からなる。封止体は第１ガラス板上に積層された熱剥離シート１００と接していた。
大気圧下、１５０℃、１時間で封止体を保持することにより硬化体２００を得た。１７５℃のホットプレートで硬化体２００を加熱することにより、熱剥離シート１００の粘着力を低下させた。次いで、硬化体２００に熱剥離シート１００を介して付いた第１ガラス板を取り除いた。次いで、１００℃のホットプレートで硬化体２００を加熱しながら、硬化体２００に付いた熱剥離シート１００を剥がした。
図３６に示すように、硬化体２００は、ダミーチップ３００及びダミーチップ３００を覆う硬化樹脂部２０００からなる。硬化体２００の左奥領域２００１、右奥領域２００３、中央領域２００５、左手前領域２００７及び右手前領域２００９のそれぞれに、ダミーチップ３００が配置されていた。一方、奥領域２００２、左領域２００４、右領域２００６及び手前領域２００８のそれぞれには、ダミーチップ３００は配置されていなかった。 [Production of Cured Body 200]
Example 1
The chip temporarily fixed body was arrange | positioned on the stage of the vacuum press apparatus (made by Mikado Technos) set to 90 degree | times, and the thermosetting resin sheet was arrange | positioned then on the chip temporary fixed body. Next, a second glass plate (Tempax glass, length 200 mm, width 230 mm, thickness 1.1 mm) was placed on the thermosetting resin sheet. Next, a release film (TPI film made by Mitsui Chemicals, tensile elongation at break 50%, softening temperature 52 ° C., thickness 50 μm) is placed on the second glass plate, the chip temporarily fixed body, the thermosetting resin sheet and the second Two glass plates were covered with a release film. Thereby, it consists of a chip temporary fixing body, a thermosetting resin sheet disposed on the chip temporary fixing body, a second glass plate disposed on the thermosetting resin sheet, and a release film disposed on the second glass plate. A laminated structure was formed. Next, a storage container including an upper heater plate, an upper frame member, and a lower plate member was formed. At this time, the stage and the laminated structure arranged on the stage were arranged inside the storage container (chamber). Next, the laminated structure was preheated at 90 ° C. for 5 minutes while reducing the pressure in the chamber. Next, the outer peripheral portion of the release film was pressed against the stage to form a sealed container composed of the stage and the release film. Next, the pressure outside the sealed container was set to atmospheric pressure by opening the chamber. Next, the pressure outside the sealed container was set to 0.9 MPa for 5 minutes. Thereby, the dummy chip 300 was covered with the thermosetting resin sheet, and the sealing body was obtained. The sealing body includes a dummy chip 300 and a resin portion that covers the dummy chip 300. The sealing body was in contact with the heat release sheet 100 laminated on the first glass plate.
The cured body 200 was obtained by holding the sealing body at 150 ° C. for 1 hour under atmospheric pressure. By heating the cured body 200 with a hot plate at 175 ° C., the adhesive strength of the thermal release sheet 100 was reduced. Next, the first glass plate attached to the cured body 200 via the heat release sheet 100 was removed. Next, the heated release sheet 100 attached to the cured body 200 was peeled off while heating the cured body 200 with a hot plate at 100 ° C.
As shown in FIG. 36, the cured body 200 includes a dummy chip 300 and a cured resin portion 2000 that covers the dummy chip 300. The dummy chip 300 is disposed in each of the left back area 2001, the right back area 2003, the center area 2005, the left front area 2007, and the right front area 2009 of the cured body 200. On the other hand, the dummy chip 300 is not arranged in each of the back area 2002, the left area 2004, the right area 2006, and the near area 2008.

（比較例１）
第２ガラス板を使用しなかった点以外は実施例１と同様の方法で硬化体２００を得た。 (Comparative Example 1)
A cured body 200 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the second glass plate was not used.

［評価］
硬化体２００及び第２ガラス板について下記の評価を行った。 [Evaluation]
The following evaluation was performed about the hardening body 200 and the 2nd glass plate.

（表面平坦度）
硬化体２００の左奥領域２００１、奥領域２００２、右奥領域２００３、左領域２００４、中央領域２００５、右領域２００６、左手前領域２００７、手前領域２００８及び右手前領域２００９のそれぞれの厚みを測定した。結果を表２に示す。 (Surface flatness)
The thicknesses of the left back area 2001, the back area 2002, the right back area 2003, the left area 2004, the center area 2005, the right area 2006, the left front area 2007, the front area 2008, and the right front area 2009 of the cured body 200 were measured. . The results are shown in Table 2.

Figure 2015220400
Figure 2015220400

（吸着固定のし易さ）
硬化体２００をバキューム式の吸着ステージで吸引した状態で、横方向から硬化体２００に力を加えたときに硬化体２００が動かなかった場合を○と判定し、動いた場合を×と判定した。結果を表３に示す。 (Easy to fix by suction)
In a state where the cured body 200 is sucked by a vacuum type adsorption stage, when the cured body 200 is not moved when the force is applied to the cured body 200 from the lateral direction, it is determined as “good”, and when it is moved, it is determined as “poor”. . The results are shown in Table 3.

Figure 2015220400
Figure 2015220400

実施例１で得られた硬化体２００は、比較例１に比べて表面が平坦であった。また、実施例１では、吸着ステージに硬化体２００をスムーズに吸着させることができた。一方、比較例１では、実施例１に比べて吸着ステージに硬化体２００を吸着させることが難しかった。   The cured body 200 obtained in Example 1 had a flat surface compared to Comparative Example 1. Moreover, in Example 1, the hardening body 200 was able to be smoothly adsorbed on the adsorption stage. On the other hand, in Comparative Example 1, it was difficult to adsorb the cured body 200 on the adsorption stage as compared to Example 1.

１０１ 基台
１０２ 加圧シリンダ下板
１０３ スライド移動テーブル
１０４ スライドシリンダ
１０５ 下ヒータ板
１０６ 下板部材
１０７ ステージ
１０８ 支柱
１０９ 加圧シリンダ上板
１１０ 中間移動部材
１１１ 上ヒータ板
１１２ 上枠部材
１１３ 内方枠体
１１３ａ 枠状押え部
１１３ｂ ロッド
１１４ 加圧シリンダ
１１５ シリンダロッド
１１６ 真空・加圧口
１１７ 平板
Ｓ ストッパー
１２１ 密閉容器
１３１ スペーサー 101 Base 102 Pressurizing cylinder lower plate 103 Slide moving table 104 Slide cylinder 105 Lower heater plate 106 Lower plate member 107 Stage 108 Post 109 Pressure cylinder upper plate 110 Intermediate moving member 111 Upper heater plate 112 Upper frame member 113 Inner frame Body 113a Frame-shaped presser portion 113b Rod 114 Pressure cylinder 115 Cylinder rod 116 Vacuum / pressure port 117 Flat plate
S Stopper 121 Airtight container 131 Spacer

１ 積層構造体
１１ チップ仮固定体
１１ａ キャリア
１１ｂ 粘着剤
１１ｃ 半導体チップ
１１１ｃ 電極パッド
２１１ｃ 回路形成面
１２ 熱硬化性樹脂シート
１３ フィルム
１３ａ 中央部
１３ｂ 周辺部
１４ 硬質板
２ 封止体
２１ 樹脂部
３ 硬化体
３１ 保護部
４１ バッファーコート膜
４２ マスク
４３ レジスト
４４ めっきパターン
４５ 再配線
４６ 保護膜
４７ 電極
４８ バンプ
４０ 再配線層
４ 再配線体
５ 半導体パッケージ 1 Laminated structure
11 Chip temporary fixing body
11a career
11b Adhesive
11c Semiconductor chip 111c Electrode pad 211c Circuit formation surface
12 Thermosetting resin sheet
13 films
13a center
13b peripheral part
14 Hard plate
2 Sealing body
21 Resin part
3 Hardened body
31 Protective part 41 Buffer coat film 42 Mask 43 Resist 44 Plating pattern 45 Rewiring 46 Protective film 47 Electrode 48 Bump 40 Rewiring layer
4 Rewiring body
5 Semiconductor package

６ 積層体
６１ チップ実装ウェハ
６１ａ 半導体ウェハ
６０１ａ 電極
６０１ｂ 貫通電極
６１ｂ 半導体チップ
６２ バンプ
７ 封止体
７１ 樹脂部
８ 硬化体
８１ 保護部
８２ 研削面
８３ 再配線層
８３ａ 再配線
８４ 再配線体
８５ バンプ
９ 半導体パッケージ 6 Laminate
61 Chip mounted wafer
61a Semiconductor wafer 601a Electrode 601b Through electrode
61b Semiconductor chip
62 Bump
7 Sealing body
71 Resin part
8 Cured body
81 Protection part
82 Grinding surface
83 Rewiring layer
83a Rewiring
84 Rewiring body
85 Bump
9 Semiconductor package

５００ 吸着ステージ
５０３ 硬化体
５３１ 樹脂
５１１ｃ 電子デバイス
５４０ 再配線層 500 Adsorption stage 503 Hardened body 531 Resin 511c Electronic device 540 Rewiring layer

５１３ 離型フィルム
５２１ 樹脂部
５１０７ 基板置台
５１２１ 密閉の容器
513 Release film 521 Resin part 5107 Substrate table 5121 Sealed container

Claims (14)

キャリア、前記キャリア上に配置された粘着剤及び前記粘着剤上に配置された電子デバイスを備えるデバイス仮固定体、
前記デバイス仮固定体上に配置された熱硬化性樹脂シート、
前記熱硬化性樹脂シート上に配置された硬質板、並びに
前記硬質板と接する中央部及び前記中央部の周辺に配置された周辺部を備えるフィルムを備える積層構造体の
前記周辺部を前記キャリアと接するステージに押し付けることにより、前記ステージ及び前記フィルムを備える密閉容器を形成する工程と、
前記密閉容器の外部の圧力を前記密閉容器の内部の圧力より高めることにより、前記電子デバイスを前記熱硬化性樹脂シートで覆う工程と
を含む電子デバイスパッケージの製造方法。 A temporary fixing body of a device comprising a carrier, an adhesive disposed on the carrier, and an electronic device disposed on the adhesive;
A thermosetting resin sheet disposed on the device temporary fixing body,
The peripheral portion of the laminated structure including a hard plate disposed on the thermosetting resin sheet, a central portion in contact with the hard plate, and a peripheral portion disposed around the central portion, and the carrier. A step of forming a sealed container including the stage and the film by pressing against a contacting stage; and
Covering the electronic device with the thermosetting resin sheet by increasing the pressure outside the sealed container to be higher than the pressure inside the sealed container. 前記硬質板の厚みが０．５ｍｍ以上である請求項１に記載の電子デバイスパッケージの製造方法。   The method of manufacturing an electronic device package according to claim 1, wherein a thickness of the hard plate is 0.5 mm or more. 前記硬質板の表面平滑性Ｒａが３μｍ以下である請求項１又は２に記載の電子デバイスパッケージの製造方法。   The method of manufacturing an electronic device package according to claim 1, wherein the hard plate has a surface smoothness Ra of 3 μm or less. 前記硬質板の９０℃の弾性率が１０ＧＰａ以上である請求項１〜３のいずれかに記載の電子デバイスパッケージの製造方法。   The method for manufacturing an electronic device package according to claim 1, wherein the hard plate has an elastic modulus at 90 ° C. of 10 GPa or more. 前記硬質板がガラス板、ステンレス板又はシリコンウェハである請求項１〜４のいずれかに記載の電子デバイスパッケージの製造方法。   The method of manufacturing an electronic device package according to claim 1, wherein the hard plate is a glass plate, a stainless plate, or a silicon wafer. 前記硬質板がガラス板である請求項１〜５のいずれかに記載の電子デバイスパッケージの製造方法。   The said hard board is a glass plate, The manufacturing method of the electronic device package in any one of Claims 1-5. キャリア、前記キャリア上に配置された粘着剤及び前記粘着剤上に配置された電子デバイスを備えるデバイス仮固定体、
前記デバイス仮固定体上に配置された熱硬化性樹脂シート、
前記熱硬化性樹脂シート上に配置された硬質板、並びに
前記硬質板と接する中央部及び前記中央部の周辺に配置された周辺部を備えるフィルムを備える積層構造体の
前記周辺部を前記キャリアと接するステージに押し付けることにより、前記ステージ及び前記フィルムを備える密閉容器を形成する工程と、
前記密閉容器の外部の圧力を前記密閉容器の内部の圧力より高めることにより、前記電子デバイスを前記熱硬化性樹脂シートで覆う工程と
を含む電子デバイスの封止方法。 A temporary fixing body of a device comprising a carrier, an adhesive disposed on the carrier, and an electronic device disposed on the adhesive;
A thermosetting resin sheet disposed on the device temporary fixing body,
The peripheral portion of the laminated structure including a hard plate disposed on the thermosetting resin sheet, a central portion in contact with the hard plate, and a peripheral portion disposed around the central portion, and the carrier. A step of forming a sealed container including the stage and the film by pressing against a contacting stage; and
Covering the electronic device with the thermosetting resin sheet by increasing the pressure outside the airtight container to be higher than the pressure inside the airtight container. 基板及び前記基板に実装された電子デバイスを備えるチップ実装基板、
前記チップ実装基板上に配置された熱硬化性樹脂シート、
前記熱硬化性樹脂シート上に配置された硬質板、並びに
前記硬質板と接する中央部及び前記中央部の周辺に配置された周辺部を備えるフィルムを備える積層体の
前記周辺部を前記基板と接するステージに押し付けることにより、前記ステージ及び前記フィルムを備える密閉容器を形成する工程と、
前記密閉容器の外部の圧力を前記密閉容器の内部の圧力より高めることにより、前記電子デバイスを前記熱硬化性樹脂シートで覆う工程と
を含む電子デバイスパッケージの製造方法。 A chip mounting substrate comprising a substrate and an electronic device mounted on the substrate;
A thermosetting resin sheet disposed on the chip mounting substrate;
The peripheral portion of the laminate including the hard plate disposed on the thermosetting resin sheet, a central portion in contact with the hard plate, and a peripheral portion disposed in the periphery of the central portion is in contact with the substrate. Forming a sealed container comprising the stage and the film by pressing the stage; and
Covering the electronic device with the thermosetting resin sheet by increasing the pressure outside the sealed container to be higher than the pressure inside the sealed container. 前記硬質板の厚みが０．５ｍｍ以上である請求項８に記載の電子デバイスパッケージの製造方法。   The method for manufacturing an electronic device package according to claim 8, wherein the hard plate has a thickness of 0.5 mm or more. 前記硬質板の表面平滑性Ｒａが３μｍ以下である請求項８又は９に記載の電子デバイスパッケージの製造方法。   The method for manufacturing an electronic device package according to claim 8 or 9, wherein the hard plate has a surface smoothness Ra of 3 µm or less. 前記硬質板の９０℃の弾性率が１０ＧＰａ以上である請求項８〜１０のいずれかに記載の電子デバイスパッケージの製造方法。   The method for producing an electronic device package according to claim 8, wherein the hard plate has an elastic modulus at 90 ° C. of 10 GPa or more. 前記硬質板がガラス板、ステンレス板又はシリコンウェハである請求項８〜１１のいずれかに記載の電子デバイスパッケージの製造方法。   The method of manufacturing an electronic device package according to claim 8, wherein the hard plate is a glass plate, a stainless plate, or a silicon wafer. 前記硬質板がガラス板である請求項８〜１２のいずれかに記載の電子デバイスパッケージの製造方法。   The method of manufacturing an electronic device package according to claim 8, wherein the hard plate is a glass plate. 基板及び前記基板に実装された電子デバイスを備えるチップ実装基板、
前記チップ実装基板上に配置された熱硬化性樹脂シート、
前記熱硬化性樹脂シート上に配置された硬質板、並びに
前記硬質板と接する中央部及び前記中央部の周辺に配置された周辺部を備えるフィルムを備える積層体の
前記周辺部を前記基板と接するステージに押し付けることにより、前記ステージ及び前記フィルムを備える密閉容器を形成する工程と、
前記密閉容器の外部の圧力を前記密閉容器の内部の圧力より高めることにより、前記電子デバイスを前記熱硬化性樹脂シートで覆う工程と
を含む電子デバイスの封止方法。

A chip mounting substrate comprising a substrate and an electronic device mounted on the substrate;
A thermosetting resin sheet disposed on the chip mounting substrate;
The peripheral portion of the laminate including the hard plate disposed on the thermosetting resin sheet, a central portion in contact with the hard plate, and a peripheral portion disposed in the periphery of the central portion is in contact with the substrate. Forming a sealed container comprising the stage and the film by pressing the stage; and
Covering the electronic device with the thermosetting resin sheet by increasing the pressure outside the airtight container to be higher than the pressure inside the airtight container.

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DE102016121324A1 (en) 2015-11-10 2017-05-11 Minebea Co., Ltd. Lubricant composition, roller bearings and electric motor
KR20200070375A (en) * 2017-11-02 2020-06-17 시아먼 산안 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 캄파니 리미티드 Packaging method of micro device

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