JP6273805B2

JP6273805B2 - 銀含有組成物及び銀膜形成基材

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Publication number: JP6273805B2
Application number: JP2013249589A
Authority: JP
Inventors: 拓矢青島; 准也道西; 真也疋田; 義哲姜
Original assignee: NOF Corp
Current assignee: NOF Corp
Priority date: 2013-12-02
Filing date: 2013-12-02
Publication date: 2018-02-07
Anticipated expiration: 2033-12-02
Also published as: JP2015106543A

Description

本発明は、金属銀膜の作製に用いられる銀含有組成物及び当該銀含有組成物を利用して作製される銀膜形成基材に関する。

金属薄膜を作製する方法として、金属をリキッドインク状またはペーストインク状とし、これらを基材に塗布または印刷後、加温する方法が知られている。この方法は、金属の微粒子化による融点降下によって、低温の加熱温度で金属薄膜を得られるという利点がある。使用される金属は、金、銀、銅、アルミニウム等であり、配線材料の材料としては銀が汎用されている。銀を用いたインクを利用して配線を形成する場合、一般に金属銀原子または銀微粒子が分散溶媒中に分散したインク（以下、銀インク）を用いる。当該銀インクを配線基板上に配置し、銀インク中の金属銀を焼結させ、配線を形成する。

銀インクの一般的な製造方法としては、例えば、硝酸銀などの無機酸あるいは有機酸と銀から成る銀塩を分散剤の存在下で熱や還元剤で還元することで、銀微粒子を溶媒中に分散させる方法が挙げられる（例えば、特許文献１参照）。また、銀塩を溶媒に溶解させ、溶液化させる方法もある。（例えば、特許文献２）。この方法は銀のサイズが前述の微粒子よりも微小であるため均一であり分散性に優れるが、インク中の銀含有量は銀塩−分散剤錯体の溶媒に対する溶解度に依存する。

特開２００５−６０８２４号公報特開２００９−１０５０３４号公報

銀インクに求められる特性のひとつに、高濃度であることが挙げられる。銀インクが高濃度であると、基材に印刷して焼成し、デバイスの配線とする際により厚い膜が得られる。デバイスの配線には大電流を印加できることが望まれており、そのためには配線の膜厚を厚くする必要がある。よって厚膜を作製するためには銀インクの銀濃度を高くする必要がある。

上記特許文献２に記載の銀微粒子を得る方法では、銀インクの高濃度化が期待できるものの、銀微粒子を用いているため、保存安定性に乏しく、分散性の観点からインクジェット印刷に対応困難であるという欠点が挙げられる。一方、上記特許文献１に記載の銀塩−分散剤錯体を利用する方法では、均一系であるため分散安定性に優れ、インクジェット印刷にも対応可能である。しかし、これらの銀塩を用いた銀インクの銀濃度は、銀塩の溶剤への溶解性に依存し、報告されている銀塩では低濃度の銀インクしか得ることができない。

このように、銀インクから作製される銀膜は、導電性、平坦性及び密着性といった物性に優れていることが求められている。しかしながら、物性に優れる銀膜を作製するためには、銀濃度の高い銀インクが必要であり、銀濃度の高い銀インクは分散性、保存安定性や粘性といった溶液としての特性（以下、溶液特性）に劣るという問題がある。即ち、物性に優れた金属銀膜の作製に適し、かつ溶液特性に優れる銀インクはこれまで知られていない。

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、物性に優れた金属銀膜の作製に適し、かつ溶液としての特性に優れる銀含有組成物及び当該銀含有組成物を利用して作製される銀膜形成基材を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る銀含有組成物は、（Ａ）銀化合物と、（Ｂ）アミン化合物とを含む。
上記（Ａ）銀化合物は、下記式（１）で表される。
上記（Ｂ）アミン化合物は、上記銀化合物との合計に対して３０質量％以上９０質量％以下である。

（式（１）において、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ水素原子又はメチル基を表す。）

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る銀膜形成基材は、上記銀含有組成物溶液を基材上に塗布し、前記基材を加熱して得られる。

本発明によれば、物性に優れた金属銀膜の作製に適し、かつ溶液としての特性に優れる銀含有組成物及び当該銀含有組成物を利用して作製される銀膜形成基材を提供することができる。

本発明の実施形態に係る銀含有組成物は、（Ａ）銀化合物と、（Ｂ）アミン化合物とを含む。
上記（Ａ）銀化合物は、下記式（１）で表される。
上記（Ｂ）アミン化合物は、上記銀化合物との合計に対して３０質量％以上９０質量％以下である。

上記組成を有する銀含有組成物は、粘性、分散性や保存安定性といった溶液特性に優れながら、（Ａ）銀化合物の含有率を高くすることが可能であり、即ち銀含有組成物に含まれる銀の濃度を高くすることが可能である。このため、この銀含有組成物から生成される銀膜の物性を優れたものとすることが可能である。

上記（Ｂ）アミン化合物は、下記式（２）で表されるものであってもよい。

（式（２）においてＲ^４は水素原子、−（ＣＹ^１Ｙ^２）ａ−ＣＨ_３、又は−（（ＣＨ_２)ｂ−Ｏ−（ＣＨＺ）ｃ）ｄ−ＣＨ_３を表し、Ｒ^５は、−（ＣＹ^１Ｙ^２）ｅ−ＣＨ_３又は−（（ＣＨ_２)ｆ−Ｏ−（ＣＨＺ）ｇ）ｈ−ＣＨ_３を表す。ここで、Ｙ^１及びＹ^２はそれぞれ水素原子又は−（ＣＨ_２）ｉ−ＣＨ_３を表し、Ｚは水素原子又は−（ＣＨ_２)ｊ−ＣＨ_３を表す。ａは０〜９の整数、ｂは１〜４の整数、ｃは０〜２の整数、ｄは１〜３の整数、ｅは１〜９の整数、ｆは１〜４の整数、ｇは０〜２の整数、ｈは１〜３の整数、ｉは０〜３の整数、ｊは０〜２の整数である。）

上記式（２）で表されるアミン化合物を（Ｂ）アミン化合物として含む銀含有組成物は、溶液特性に優れたものとすることが可能である。また、（Ｂ）アミン化合物の化学構造（Ｒ^４、Ｒ^５の種類）によって銀含有組成物から得られる銀膜の物性を制御することが可能となる。

本発明の別の実施形態に係る銀含有組成物は、上記銀含有組成物と、上記銀含有組成物との合計に対して１０質量％以上８０質量％以下の溶媒を含んでもよい。

（Ａ）銀化合物と（Ｂ）アミン化合物を含む銀含有組成物は、溶剤に対して高い溶解性を有する。したがって、銀含有組成物における銀の濃度を高濃度とすることができ、物性に優れた銀膜を得ることが可能となる。

本発明の一実施形態に係る銀膜形成基材は、上記銀含有組成物溶液を基材上に塗布し、前記基材を加熱して得られる。

上述のように上記銀含有組成物は高い銀濃度とすることが可能であり、銀膜の膜厚を大きいものとすることが可能である。また、上記銀含有組成物から生成される銀膜は、導電性や基材に対する密着性に優れたものとすることが可能である。

本発明に係る銀含有組成物及び当該銀含有組成物を利用して作製される銀膜形成基材について説明する。

＜銀含有組成物について＞
本発明の実施形態に係る銀含有組成物について説明する。本実施形態に係る銀含有組成物は、（Ａ）銀化合物と（Ｂ）アミン化合物とを含有する。

（（Ａ）銀化合物について）
（Ａ）銀化合物は、下記式（１）で表される化学構造を有する。

具体的には、（Ａ）銀化合物は、３−ヒドロキシ酪酸銀、２−メチルー３ヒドロキシ酪酸銀、３−メトキシ酪酸銀等を挙げることができる。この他にも（Ａ）銀化合物として、式（１）で表される銀化合物を利用することができる。また、（Ａ）銀化合物として、式（１）で表される銀化合物の複数を利用することも可能である。

銀含有組成物における（Ａ）銀化合物の含有率は、１０質量％以上７０質量％以下が好適である。（Ａ）銀化合物の含有率が１０質量％未満であると、銀含有組成物から生成される銀膜の物性が劣り、７０質量％を超えると、銀含有組成物から生成される銀膜の物性と銀含有組成物の溶液としての特性(以下、溶液特性）の両者が劣るものとなるからである（実施例参照）。

（（Ｂ）アミン化合物について）
（Ｂ）アミン化合物は、各種アミン化合物を利用することができる。具体的には、（Ｂ）アミン化合物は、下記式（２）で表される化学構造を有するものが好適である。

このような化学構造を有するアミンとして、エチルアミン、１−プロピルアミン、１−ブチルアミン、１−ペンチルアミン、１−ヘキシルアミン、１−ヘプチルアミン、１−オクチルアミン、２−エチルヘキシルアミン、イソプロピルアミン、イソブチルアミン、イソペンチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−アミルアミン、３−メトキシプロピルアミン、３−エトキシプロピルアミン、３−イソプロポキシプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジブチルアミンを挙げることができる。（Ｂ）アミン化合物として、これらの１種又は２種以上を利用することが可能である。

（Ｂ）アミン化合物の化学構造によって、銀含有組成物から得られる銀膜の物性を制御することが可能である。具体的には、銀膜を光反射機能を必要とする反射電極等に適用する場合には、より高い平坦性（平滑性）が求められるが、この場合、式（２）におけるＲ^４が水素元素、−（ＣＹ^１Ｙ^２）ａ−ＣＨ_３、又は−（（ＣＨ_２)ｂ−Ｏ−（ＣＨＺ）ｃ）ｄ−ＣＨ_３であるものが好ましく、Ｙ^１、Ｙ^２及びＺは水素原子またはメチル基、ａは２〜６の整数、ｂは１〜３の整数、ｃ及びｄは１又は２であるものが特に好ましい。同様に式（２）におけるＲ^５が、−（ＣＹ^１Ｙ^２）ｅ−ＣＨ_３又は−（（ＣＨ_２)ｆ−Ｏ−（ＣＨＺ）ｇ）ｈ−ＣＨ_３であり、Ｙ^１、Ｙ^２及びＺは水素原子、ｅは１〜６の整数、ｆは１〜３の整数、ｇ及びｈは１〜２の整数であることが望ましい。

銀含有組成物における（Ｂ）アミン化合物の含有率は、３０質量％以上９０質量％以下が好適である。（Ｂ）アミン化合物の含有率が３０質量％未満であると、銀含有組成物から生成される銀膜の物性と銀含有組成物の溶液特性の両者が劣り、９０質量％を超えると銀含有組成物から生成される銀膜の物性が劣るものとなるからである（実施例参照）。

（溶剤について）
本実施形態に係る銀含有組成物は、（Ａ）銀化合物及び（Ｂ）アミン化合物に加え、溶剤を含有してもよい。溶剤は、銀含有組成物から銀膜を作成する際に除去される。したがって溶剤は、除去しやすいものが好適である。

具体的には溶剤は、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、２−メチル−１−プロパノール、２−メチル−２−プロパノール、１−ペンタノール、２−ペンタノール、３−ペンタノール、３−メチル−１−ブタノール、２−メチル−１−ブタノール、２，２−ジメチル−１−プロパノール、３−メチル−２−ブタノール、２−メチル−２−ブタノール、１−ヘキサノール、２−ヘキサノール、３−ヘキサノール、２−メチル−１−ペンタノール、３−メチル−１−ペンタノール、４−メチル−１−ペンタノール、２−メチル−２−ペンタノール、３−メチル−２−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール、２−メチル−３−ペンタノール、３−メチル−３−ペンタノール、２，２−ジメチル−１−ブタノール、２，３−ジメチル−１−ブタノール、３，３−ジメチル−１−ブタノール、２，３−ジメチル−２−ブタノール、３，３−ジメチル−２−ブタノール、２−エチル−１−ブタノール、エチレングリコール、ブトキシエタノール、メトキシエタノール、エトキシエタノール、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル等のアルコール類、アセトキシメトキシプロパン、フェニルグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル等のエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル等のニトリル類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、水、１−メチル−２−ピロリドンの１種又は２種以上を利用することができる。

上述したもののうち、２−プロパノールは特に好適である。銀含有組成物から銀膜を作成した際、銀膜の基材への密着性を高くすることが可能であるからである（実施例参照）。

溶剤の含有量は、（Ａ）銀化合物と（Ｂ）アミン化合物の合計２０質量％以上９０質量％以下に対して１０質量％以上８０質量％以下が好適である。さらには溶剤の含有量は、（Ａ）銀化合物と（Ｂ）アミン化合物の合計４０質量％以上６０質量％以下に対して４０質量％以上６０質量％以下がより好適である。溶剤が９０質量％を超えると、銀含有組成物における銀含有量の低下により、均一な銀膜が得られないおそれがあるからである。

銀含有組成物の混合順序は特に限定されない。即ち、銀化合物組成物は、（Ａ）銀化合物と（Ｂ）アミン化合物の混合物に溶剤を添加したものに限られず、（Ｂ）アミン化合物と溶剤の混合物に（Ａ）銀化合物を添加してもよく、（Ａ）銀化合物と溶剤の混合物に（Ｂ）アミン化合物を添加してもよい。

（その他添加剤について）
本実施形態に係る銀含有組成物は、（Ａ）銀化合物、（Ｂ）アミン化合物及び溶剤に加え、その他の添加剤を含有してもよい。具体的には、銀含有組成物は、基材に対するレベリング性（平滑性）を調整するための炭化水素、アセチレンアルコール、シリコーンオイル等を含有してもよい。また、銀含有組成物は、粘度特性を調整するための合成樹脂や可塑剤等を含有してもよい。さらに、銀含有組成物は、他の導電体粉末や、ガラス粉末、界面活性剤、金属塩およびその他この種の組成液に一般に使用される添加剤を配合しても良い。

また、本実施形態に係る銀含有組成物は、銀クラスターあるいは銀ナノ粒子を含有する銀コロイド分散液であってもよい。銀コロイド分散液は、銀含有組成物に還元剤を作用させることにより形成することが可能であり、加熱時間を短縮させることが可能となる。還元剤はとしては、ホウ素化水素化合物、三級アミン、チオール化合物、リン化合物、アスコルビン酸、キノン類、フェノール類等を挙げることができる。

本実施形態に係る銀含有組成物は、以上のような構成を有する。（Ａ）銀化合物は、単体では通常粉体であり、溶剤に希釈した際に粘度が高くなり、印刷等によるパターニングが困難である。しかしながら、（Ａ）銀化合物を（Ｂ）アミン化合物と混合すると、（Ａ）銀化合物の濃度を大きくしても銀含有組成物の粘度を小さいものとすることが可能である。

また、（Ａ）銀化合物は、単体では溶剤に溶解しにくい。しかしながら、（Ａ）銀化合物はβ位に極性基を有しており、（Ａ）銀化合物と（Ｂ）アミン化合物を混合すると、（Ａ）銀化合物にアミンが配位し、錯体を形成する。このため、銀含有組成物は溶剤に対して高い溶解性を有する。

さらに銀含有組成物は均一な溶液であるため、保存安定性に優れている。また、銀含有組成物は触媒非存在下、２００℃未満の低温で速やかに金属銀膜を得ることができる。低温での銀膜形成が可能なことにより、例えば、耐熱性の低い樹脂製基材上への銀膜形成が短時間で可能となる。更に、２００℃以上の高温ではさらに短時間で銀膜の形成が可能となることから生産性の向上が可能である。

以上のように本実施形態に係る銀含有組成物は、粘性、分散性や保存安定性といった溶液特性に優れながら、（Ａ）銀化合物の含有率を高くすることが可能であり、即ち銀含有組成物に含まれる銀の濃度を高くすることが可能である。このため、この銀含有組成物から生成される銀膜の物性を優れたものとすることが可能である。

＜銀膜形成基材について＞
本実施形態に係る銀膜形成基材は、上述した銀含有組成物を基材上に塗布し、基材を加熱することによって得られる。

基材は特に限定されず、例えばガラス、シリコン、ポリイミド、ポリエステル及びポリカーボネートを挙げることができる。濡れにくい基板の場合には、基板表面に疎水処理を施してもよい。生産性の点からは、各種印刷法に適するとされるフレキシブルな基材であるポリエステルなどの樹脂基材が好ましい。

銀含有組成物の基材への塗布は、例えば印刷によって行うことができる。銀含有組成物をパターニングすることにより、銀膜を任意の形状とすることが可能であり、例えば線状にパターニングすることにより、銀配線を形成することも可能である。銀含有組成物は、一定の温度に加温してから基材に塗布してもよい。

銀含有組成物を塗布した基材を加熱すると、銀が焼結すると共に銀以外の成分が揮発し、基材上に金属銀膜が形成される。加熱温度は室温以上であれば特に限定されないが、生産性の点から８０℃以上が好適である。特に、ＰＥＴやポリカーボネート等の耐熱性の低い合成樹脂を基材とする場合、８０℃以上１５０℃未満の温度で加熱することが好ましい。また、耐熱性の優れる基材を用いた場合、生産性の点から加熱温度は１２０℃以上１７０℃未満が好ましい。

本実施形態に係る銀膜形成基材は以上のような構成を有する。銀膜の膜厚や導電性、基材への密着性といった物性は、銀含有組成物の影響を受けるが、上述のように本実施形態に係る銀含有組成物は、高い銀濃度を有するものとすることが可能であるため、銀膜形成基材は物性に優れた銀膜を備えるものとすることが可能である（実施例参照）。

本発明の実施例及び比較例について説明する。

＜銀含有組成物の作製＞
本発明の実施例及び比較例に係る銀含有組成物を作製した。

（実施例１−１）
遮光瓶中で、３−ヒドロキシ酪酸銀１００ｍｇを、ジブチルアミン（ＤＢＡ）９００ｍｇに溶解させ、銀含有組成物を得た。

（実施例１−２）
遮光瓶中で、３−ヒドロキシ酪酸銀７００ｍｇを、ジブチルアミン（ＤＢＡ）３００ｍｇに溶解させ、銀含有組成物を得た。

（実施例１−３）
遮光瓶中で、３−ヒドロキシ酪酸銀５７７ｍｇを、ジブチルアミン（ＤＢＡ）４２３ｍｇに溶解させ、銀含有組成物を得た。

（実施例１−４）
遮光瓶中で、３−ヒドロキシ酪酸銀５７７ｍｇを、２−エチルヘキシルアミン（２−ＥＨＡ）４２３ｍｇに溶解させ、銀含有組成物を得た。

（実施例１−５）
遮光瓶中で、３−ヒドロキシ酪酸銀５７７ｍｇを、イソアミルアミン（ＩａＡ）４２３ｍｇに溶解させ、銀含有組成物を得た。

（実施例１−６）
遮光瓶中で、３−ヒドロキシ酪酸銀５７７ｍｇを、ブチルアミン（ＢＡ）４２３ｍｇに溶解させ、銀含有組成物を得た。

（実施例１−７）
遮光瓶中で、３−ヒドロキシ酪酸銀５７７ｍｇを、ペンチルアミン（ＰＡ）４２３ｍｇに溶解させ、銀含有組成物を得た。

（実施例１−８）
遮光瓶中で、３−ヒドロキシ酪酸銀５７７ｍｇを、デシルアミン（ＤＡ）４２３ｍｇに溶解させ、銀含有組成物を得た。

（実施例１−９）
遮光瓶中で、３−ヒドロキシ酪酸銀５７７ｍｇを、３−メトキシプロピルアミン（３−ＭＯＰＡ）４２３ｍｇに溶解させ、銀含有組成物を得た。

（実施例１−１０）
遮光瓶中で、３−ヒドロキシ酪酸銀５７７ｍｇを、ジブチルアミン（ＤＢＡ）１８１ｍｇおよびイソアミルアミン（ＩａＡ）２４２ｍｇに溶解させ、銀含有組成物を得た。

（実施例１−１１）
遮光瓶中で、２−メチル−３−ヒドロキシ酪酸銀６０９ｍｇを、ジブチルアミン（ＤＢＡ）１６８ｍｇおよびイソアミルアミン（ＩａＡ）２２３ｍｇに溶解させ、銀含有組成物を得た。

（実施例１−１２）
遮光瓶中で、３−メトキシ酪酸銀６０９ｍｇを、ジブチルアミン（ＤＢＡ）１６８ｍｇおよびイソアミルアミン（ＩａＡ）２２３ｍｇに溶解させ、銀含有組成物を得た。

（比較例１−１）
遮光瓶中で、酪酸銀５４１ｍｇを、ジブチルアミン（ＤＢＡ）１９７ｍｇおよびイソアミルアミン（ＩａＡ）２６２ｍｇに溶解させ、銀含有組成物を得た。

（比較例１−２）
遮光瓶中で、３−ヒドロキシ酪酸銀５０ｍｇを、ジブチルアミン（ＤＢＡ）９５０ｍｇに溶解させ、銀含有組成物を得た。

（比較例１−３）
遮光瓶中で、３−ヒドロキシ酪酸銀８００ｍｇを、ジブチルアミン（ＤＢＡ）２００ｍｇに溶解させ、銀含有組成物を得た。

（比較例１−４）
銀微粒子が分散したインクを液相還元法により作製し、銀８０質量％、２−エチルヘキシルアミン質量２０％の銀含有組成物を得た。

（比較例１−５）
遮光瓶中で、３−ヒドロキシ酪酸銀５７７ｍｇを、２−エチルヘキサノール（２−ＥＨＯＨ）４２３ｍｇに溶解させ、銀含有組成物を得た。

表１は、実施例１−１〜１−１２及び比較例１−１〜１−５に係る銀含有組成物の組成を示す表である。

実施例１−１〜１−１２に係る銀含有組成物は、（Ａ）銀化合物と（Ｂ）アミン化合物を含有し、その含有率は、（Ａ）銀化合物が１０質量％以上７０％以下、（Ｂ）アミン化合物が３０質量％以上９０質量％以下である。

比較例１−１及び１−４に係る銀含有組成物は、（Ａ）銀化合物を含まず、比較例１−５に係る銀含有組成物は、（Ｂ）アミン化合物を含まない。比較例１−２及び１−３に係る銀含有組成物は、（Ａ）銀化合物と（Ｂ）アミン化合物を含有するが、両者の含有率が（Ａ）銀化合物が１０質量％以上７０％以下、（Ｂ）アミン化合物が３０質量％以上９０質量％以下の範囲ではない。

＜銀含有組成物希釈溶液の作製＞
上記各実施例及び各比較例で得られた銀含有組成物を溶剤に希釈し、銀含有組成物希釈溶液を作製した。

（実施例２−１）
遮光瓶中で、実施例１−１で得られた銀含有組成物２００ｍｇを２−プロパノール８００ｍｇに添加して銀含有組成物希釈溶液を得た。

（実施例２−２）
遮光瓶中で、実施例１−２で得られた銀含有組成物９００ｍｇを２−プロパノール１００ｍｇに添加して銀含有組成物希釈溶液を得た。

（実施例２−３）
遮光瓶中で、実施例１−３で得られた銀含有組成物８４７ｍｇを２−プロパノール１５３ｍｇに添加して銀含有組成物希釈溶液を得た。

（実施例２−４）
遮光瓶中で、実施例１−４で得られた銀含有組成物８４７ｍｇを２−プロパノール１５３ｍｇに添加して銀含有組成物希釈溶液を得た。

（実施例２−５）
遮光瓶中で、実施例１−５で得られた銀含有組成物８４７ｍｇを２−プロパノール１５３ｍｇに添加して銀含有組成物希釈溶液を得た。

（実施例２−６）
遮光瓶中で、実施例１−６で得られた銀含有組成物８４７ｍｇを２−プロパノール１５３ｍｇに添加して銀含有組成物希釈溶液を得た。

（実施例２−７）
遮光瓶中で、実施例１−７で得られた銀含有組成物８４７ｍｇを２−プロパノール１５３ｍｇに添加して銀含有組成物希釈溶液を得た。

（実施例２−８）
遮光瓶中で、実施例１−８で得られた銀含有組成物８４７ｍｇを２−プロパノール１５３ｍｇに添加して銀含有組成物希釈溶液を得た。

（実施例２−９）
遮光瓶中で、実施例１−９で得られた銀含有組成物８４７ｍｇを２−プロパノール１５３ｍｇに添加して銀含有組成物希釈溶液を得た。

（実施例２−１０）
遮光瓶中で、実施例１−１０で得られた銀含有組成物８４７ｍｇを２−プロパノール１５３ｍｇに添加して銀含有組成物希釈溶液を得た。

（実施例２−１１）
遮光瓶中で、実施例１−１１で得られた銀含有組成物８５６ｍｇを２−プロパノール１４４ｍｇに添加して銀含有組成物希釈溶液を得た。

（実施例２−１２）
遮光瓶中で、実施例１−１２で得られた銀含有アミン溶液８５６ｍｇを２−プロパノール１４４ｍｇに添加して銀含有組成物希釈溶液を得た。

（実施例２−１３）
遮光瓶中で、実施例１−３で得られた銀含有組成物８４７ｍｇをメタノール１５３ｍｇに添加して銀含有組成物希釈溶液を得た。

（実施例２−１４）
遮光瓶中で、実施例１−３で得られた銀含有組成物８４７ｍｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル１５３ｍｇに添加して銀含有組成物希釈溶液を得た。

（実施例２−１５）
遮光瓶中で、実施例１−３で得られた銀含有組成物８４７ｍｇを１−ヘキサノール１５３ｍｇに添加して銀含有組成物希釈溶液を得た。

（実施例２−１６）
遮光瓶中で、実施例１−３で得られた銀含有組成物８４７ｍｇをメチルエチルケトン１５３ｍｇに添加して銀含有組成物希釈溶液を得た。

（実施例２−１７）
遮光瓶中で、実施例１−３で得られた銀含有組成物８４７ｍｇを水１５３ｍｇに添加して銀含有組成物希釈溶液を得た。

（実施例２−１８）
遮光瓶中で、実施例１−３で得られた銀含有組成物８４７ｍｇをアセトキシメトキシプロパン１５３ｍｇに添加して銀含有組成物希釈溶液を得た。

（実施例２−１９）
遮光瓶中で、実施例１−３で得られた銀含有組成物８４７ｍｇをアセトン１５３ｍｇに添加して銀含有組成物希釈溶液を得た。

（実施例２−２０）
遮光瓶中で、実施例１−３で得られた銀含有組成物８４７ｍｇをアセトニトリル１５３ｍｇに添加して銀含有組成物希釈溶液を得た。

（実施例２−２１）
遮光瓶中で、実施例１−３で得られた銀含有組成物８４７ｍｇをジメチルスルホキシド１５３ｍｇに添加して銀含有組成物希釈溶液を得た。

（比較例２−１）
遮光瓶中で、比較例１−１で得られた銀含有組成物８３６ｍｇを２−プロパノール１６４ｍｇに添加して銀含有組成物希釈溶液を得た。

（比較例２−２）
遮光瓶中で、比較例１−２で得られた銀含有組成物１００ｍｇを２−プロパノール９００ｍｇに添加して銀含有組成物希釈溶液を得た。

（比較例２−３）
遮光瓶中で、比較例１−２で得られた銀含有組成物９００ｍｇを２−プロパノール１００ｍｇに添加して銀含有組成物希釈溶液を得た。

（比較例２−４）
遮光瓶中で、比較例１−３で得られた銀含有組成物１００ｍｇを２−プロパノール９００ｍｇに添加して銀含有組成物希釈溶液を得た。

（比較例２−５）
遮光瓶中で、比較例１−３で得られた銀含有組成物９００ｍｇを２−プロパノール１００ｍｇに添加して銀含有組成物希釈溶液を得た。

（比較例２−６）
遮光瓶中で、比較例１−４で得られた銀ナノ粒子８１３ｍｇに２−エチルヘキシルアミン８８ｍｇ、２−エチルヘキシルアルコール１００ｍｇを添加して、３０分乳鉢混錬することで銀含有組成物希釈溶液を得た。

（比較例２−７）
遮光瓶中で、比較例１−５で得られた銀含有組成物８４７ｍｇを２−プロパノール１５３ｍｇに添加して銀含有組成物希釈溶液を得た。

表２は、実施例２−１〜２−２１及び比較例２−１〜２−７に係る銀含有組成物希釈溶液の組成を示す表である。

実施例２−１〜２−２１に係る銀含有組成物希釈溶液は、上記実施例１−１〜１−１２のいずれかに係る銀含有組成物と溶剤を含有する。一方、比較例２−１〜２−７に係る銀含有組成物希釈溶液は、上記比較例１−１〜１−５のいずれかに係る銀含有組成物と溶剤を含有する。

＜銀含有組成物及び銀含有組成物から生成された銀膜の評価＞
実施例１−１〜１−１２及び比較例１−１〜１−１５に係る銀含有組成物をそれぞれ、スピンコーター（ミカサ株式会社製）にて各種基材に塗布し、加熱して銀膜を得た。表３に、基材の種類及び加熱条件を示す。銀含有組成物の溶液特性及び生成した銀膜の物性について下記のように評価を行った。評価結果を表３に示す。

（導電性評価）
四端針方式の低抵抗率計（ロレスターＧＰ、三菱化学株式会社製）を用いて銀膜の体積抵抗率を測定した。なお、体積抵抗率は基板にガラスを用いた場合の値である。表中のＯ．Ｌ．はオーバーロード(体積抵抗率が過大）を意味する。

（密着性評価）
得られた銀膜にセロハンテープを密着、剥離することで基板に対する銀膜の密着性を評価した。評価は、ＪＩＳＫ５６００−５−６に規定される塗膜の機械的性質−付着性（クロスカット法）試験法で行った。剥離がなかったものをＡ、セロハンテープ密着、剥離で剥離しなかったものをＢ、セロハンテープ密着、剥離で一部銀膜の剥離が確認されたものをＣ、セロハンテープ密着、剥離で全て剥離したものをＤとした。Ａ、Ｂ、あるいはＣ評価を本発明の効果を満たすものとした。なお、表中、銅基材をＣｕ、ポリエステル基材をＰＥＴ、ポリカーボネート基材をＰＣ、シリコン基材をＳｉ、窒化シリコン基材をＳｉＮ、酸化インジウムスズを成膜したガラス基板をＩＴＯと略記する。またガラスには疎水処理が施されている。

（保存安定性評価）
各銀含有組成物を室温で２週間静置し、沈澱の有無を確認した。評価は、沈澱の状態によって、沈澱がないものをＡ、微量の沈澱が見られるものをＢ、多量の沈澱が見られるものをＣとし、ＡあるいはＢ評価を本発明の効果を満たすものとした。

（インクジェット吐出性評価）
また、実施例２−１〜２−２０及び比較例２−１〜２−５に係る各銀含有組成物希釈溶液のインクジェット吐出性を、インクジェット印刷機(FUJIFILM Dimatix株式会社製)で評価した。インクを吐出して吐出口に目詰まりが生じなかったものをＡ、目詰まりが生じたものをＢとした。

表３に示すように、実施例３−１〜３−１６に係る銀含有組成物はいずれも、保存安定性及び吐出性に優れていた。また、実施例３−１〜３−１６に係る銀含有組成物から得られた銀膜はいずれも、体積抵抗率が小さく、基材への密着性も優れていた。即ち、本発明に係る銀含有組成物は溶液特性に優れ、かつ物性に優れた銀膜を生成することが可能といえる。

＜銀含有組成物希釈溶液及び銀含有組成物希釈溶液から生成された銀膜の評価＞
実施例２−１〜２−２１及び比較例２−１〜２−７に係る銀含有組成物をそれぞれ、スピンコーター（ミカサ株式会社製）にて各種基材に塗布し、加熱して銀膜を得た。表４に、基材の種類及び加熱条件を示す。銀含有組成物の溶液特性及び生成した銀膜の物性について上述の評価方法により評価を行った。評価結果を表４に示す。

表４に示すように、実施例４−１〜４−２５に係る銀含有組成物希釈溶液はいずれも、保存安定性及び吐出性に優れていた。また、実施例４−１〜４−２５に係る銀含有組成物から得られた銀膜はいずれも、体積抵抗率が小さく、基材への密着性も優れていた。即ち、本発明に係る銀含有組成物希釈溶液は溶液特性に優れ、かつ物性に優れた銀膜を生成することが可能といえる。

Claims

（Ａ）下記式（１）で表される銀化合物と、
前記銀化合物との合計に対して３０質量％以上９０質量％以下の（Ｂ）アミン化合物と
を含む銀含有組成物。

（式（１）において、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ水素原子又はメチル基を表す。）
請求項１に記載の銀含有組成物であって、
前記（Ｂ）アミン化合物は、下記式（２）で表される
銀含有組成物。

（式（２）においてＲ^４は水素原子、−（ＣＹ^１Ｙ^２）ａ−ＣＨ_３、又は−（（ＣＨ_２)ｂ−Ｏ−（ＣＨＺ）ｃ）ｄ−ＣＨ_３を表し、Ｒ^５は、−（ＣＹ^１Ｙ^２）ｅ−ＣＨ_３又は−（（ＣＨ_２)ｆ−Ｏ−（ＣＨＺ）ｇ）ｈ−ＣＨ_３を表す。ここで、Ｙ^１及びＹ^２はそれぞれ水素原子又は−（ＣＨ_２）ｉ−ＣＨ_３を表し、Ｚは水素原子又は−（ＣＨ_２)ｊ−ＣＨ_３を表す。ａは０〜９の整数、ｂは１〜４の整数、ｃは０〜２の整数、ｄは１〜３の整数、ｅは１〜９の整数、ｆは１〜４の整数、ｇは０〜２の整数、ｈは１〜３の整数、ｉは０〜３の整数、ｊは０〜２の整数である。）
請求項１又は２に記載の銀含有組成物と、
前記銀含有組成物との合計に対して１０質量％以上８０質量％以下の溶剤と
を含む銀含有組成物。
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の銀含有組成物を基材上に塗布し、前記基材を加熱して得られる銀膜形成基材。