JP6267080B2 - シリコン窒化物膜の成膜方法および成膜装置 - Google Patents

シリコン窒化物膜の成膜方法および成膜装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6267080B2
JP6267080B2 JP2014170202A JP2014170202A JP6267080B2 JP 6267080 B2 JP6267080 B2 JP 6267080B2 JP 2014170202 A JP2014170202 A JP 2014170202A JP 2014170202 A JP2014170202 A JP 2014170202A JP 6267080 B2 JP6267080 B2 JP 6267080B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon
gas
nitride film
film
silicon nitride
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014170202A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015097255A (ja
Inventor
柿本　明修
明修 柿本
長谷部　一秀
一秀 長谷部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2014170202A priority Critical patent/JP6267080B2/ja
Priority to TW103134765A priority patent/TWI604082B/zh
Priority to US14/506,881 priority patent/US9263250B2/en
Priority to KR1020140135241A priority patent/KR101921359B1/ko
Publication of JP2015097255A publication Critical patent/JP2015097255A/ja
Priority to US14/984,139 priority patent/US9920422B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6267080B2 publication Critical patent/JP6267080B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • C23C16/345—Silicon nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45534—Use of auxiliary reactants other than used for contributing to the composition of the main film, e.g. catalysts, activators or scavengers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
    • C23C16/45542—Plasma being used non-continuously during the ALD reactions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C23C16/45551—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction for relative movement of the substrate and the gas injectors or half-reaction reactor compartments
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02211—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Description

この発明は、シリコン窒化物膜の成膜方法および成膜装置に関する。
シリコン窒化物膜は、半導体集積回路装置において、ゲート絶縁膜などの絶縁材料としてばかりでなく、エッチングストッパ、サイドウォールスペーサ、ストレスライナーなどの材料としても幅広く使用されている。シリコン窒化物膜の成膜方法は、例えば、特許文献１、２に記載されている。
特許文献１には、三元系薄膜としてボロン含有シリコン窒化膜（ＳｉＢＮ膜）の成膜方法が記載されている。特許文献１においては、シリコン原料ガスとしてジクロロシラン（ＤＣＳ：ＳｉＨ２Ｃｌ２）、およびボロン原料ガスとして三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）が用いられる。特許文献１は、
(１) ＤＣＳガスおよびＢＣｌ３ガスを、処理室内に同時に供給してボロン含有シリコン膜を形成する
(２) 処理室内をパージする
(３) 窒化ガスとしてアンモニア（ＮＨ３）を処理室内に供給し、ボロン含有シリコン膜をプラズマ窒化することでＳｉＢＮ膜を形成する
(４) 処理室内をパージする
以上の(１)〜(４)の工程を繰り返すことで、被処理体の被処理面上に、ＳｉＢＮ膜を形成する。
このようにして形成されたＳｉＢＮ膜は、
・プラズマエンハンストＣＶＤ法（ＰＥＣＶＤ）を用いて形成したＳｉＢＮ膜に比較して、ステップカバレージが良好となること
・典型的なシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ膜）や典型的な窒化ホウ素膜（ＢＮ膜）に比較して、反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ）によるエッチングがしやすいこと
・典型的なＢＮ膜に比較して、ウェットエッチング耐性に優れること
・典型的なＳｉＮｘ膜に比較して、比誘電率が低くなること
などの利点が得られる、とされている。
また、特許文献２にも、ボロン含有シリコン窒化膜（ＳｉＢＮ）の成膜方法が記載されている。特許文献２においても、特許文献１と同様にシリコン原料ガスとしてＤＣＳ、およびボロン原料ガスとしてＢＣｌ３が用いられる。特許文献２は、
(１) ＤＣＳガスを処理室内に供給してシリコン膜を形成する
(２) 処理室内をパージする
(３) 窒化ガスとしてＮＨ３を処理室内に供給し、シリコン膜を窒化、好ましくはプラズマ窒化することでシリコン窒化膜を形成する
(４) 処理室内をパージする
(５) ボロン原料ガスとしてＢＣｌ３を処理室内に供給し、ボロンをシリコン窒化膜に添加してＳｉＢＮ膜を形成する
(６) 処理室内をパージする
(７) 窒化ガスとしてＮＨ３を処理室内に供給し、ボロン含有シリコン窒化膜を、プラズマによって活性化されたＮＨ３によって、さらにプラズマ窒化するとともに、ＳｉＢＮ膜からＢＣｌ３由来の残留Ｃｌ成分を除去する
(８) 処理室内をパージする
以上の(１)〜(８)の工程を繰り返すことで、被処理体の被処理面上に、ＳｉＢＮ膜を形成する。
このようにして形成されたＳｉＢＮ膜は、
・プラズマによって活性化されたＮＨ３によって、さらにプラズマ窒化しない場合に比較して、エッチング耐性に優れること
・典型的なＳｉＮｘ膜に比較して、比誘電率が低くなること
などの利点が得られる、とされている。
なお、特許文献２においては、ボロン原料ガスとしてＢＣｌ３の他、ハロゲン元素を含まないジボラン（Ｂ２Ｈ６）、トリメチルボロン（Ｂ（ＣＨ３）３）を用いることができることが記載されている。
また、特許文献３には、シリコン窒化物膜の成膜方法ではないが、ボロン含有シリコン膜の成膜方法が記載されている。特許文献３においては、シリコン原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ４）、およびボロン原料ガスとしてＢＣｌ３が用いられる。
(１) ＳｉＨ４ガスを処理室内に供給してシリコン膜を形成する
(２) 処理室内をパージする
(３) ＢＣｌ３ガスを処理室内に供給し、ボロンをシリコン膜の表面に吸着させ、ボロン含有シリコン膜を形成する
(４) 処理室内をパージする
以上の(１)〜(４)の工程を繰り返すことで、被処理体の被処理面上に、ボロン含有シリコン膜を形成する。
このようにして形成されたボロン含有シリコン膜は、
・ボロン原子による触媒作用が働き、ＳｉＨ４ガス単体でのシリコン膜の成膜に比較して、より低温、例えば、３５０℃程度の温度でシリコン膜を成膜できること
・低温で成膜しても、ステップカバレージが良好となること
などの利点が得られる、とされている。
なお、特許文献３においても、ボロン原料ガスとしてＢＣｌ３の他、ハロゲン元素を含まないＢ２Ｈ６を用いることができることが記載されている。
米国特許第６，８１５，３５０号明細書 特開２０１０−２５１６５４号公報 特開２０１１−２５４０６３号公報
近時、成膜装置へのユーザーからの要求が、大きく変わりつつある。その要求とは“成膜装置の生産性の向上”である。しかも、その生産性の向上は、良好なステップカバレージの維持並びに向上、薄膜に要求される電気的又は物理的特性の達成、加工性の良さと優れた耐エッチング性との兼備、といった特許文献１、２に課せられていたような要求をクリアした上での話である。
今まで、生産性の向上は、搬送ロボットの高速化、加熱装置や冷却装置の昇温降温速度の高速化など、いわゆるハードの改良を中心してもたらされてきた。しかし、ハードの改良だけでは、ユーザーの要求する生産性を満足させることが厳しくなりつつあるのが、近時の実情である。
この発明は、ハードの改良だけに依存することなく、かつ、膜の均一性、電気的又は物理的特性、および加工性等のユーザーからの要求を満足しつつ、成膜装置の生産性を向上させることが可能なシリコン窒化物膜の成膜方法、およびその成膜方法を実行する成膜装置を提供する。
この発明の第１の態様に係るシリコン窒化物膜の成膜方法は、被処理体の被処理面上にシリコン窒化物膜を成膜するシリコン窒化物膜の成膜方法であって、(１)前記被処理面に向け、シリコンを含むシリコン原料ガスの分解を促進させる物質を含む分解促進ガスを供給した後、前記被処理面に向け、前記シリコンを含むシリコン原料ガスを供給する工程と、(２)前記被処理面に向け、窒素を含む窒化ガスを供給する工程と、を備え、前記(１)工程から前記(２)工程までのシーケンスを１サイクルとし、前記１サイクルをｍサイクル行い（ただし、ｍは１回以上の有限値）、シリコン窒化物膜を、前記被処理面上に成膜する。
この発明の第２の態様に係る成膜装置は、被処理体の被処理面上にシリコン窒化物膜を成膜する成膜装置であって、被処理体に、成膜処理を施す処理室と、前記処理室に、シリコン原料ガスを供給するシリコン原料ガス供給機構と、前記処理室に、分解促進ガスを供給する分解促進ガス供給機構と、前記処理室に、窒化ガスを供給する窒化ガス供給機構と、前記処理室を加熱する加熱機構と、前記成膜処理に際し、上記第１の態様に係るシリコン窒化物膜の成膜方法が実行されるように、前記シリコン原料ガス供給機構、前記分解促進ガス供給機構、前記窒化ガス供給機構、および前記加熱機構を制御する制御部とを具備する。
この発明によれば、ハードの改良だけに依存することなく、かつ、膜の均一性、電気的特性、および加工性等のユーザーからの要求を満足しつつ、成膜装置の生産性を向上させることが可能なシリコン窒化物膜の成膜方法、およびその成膜方法を実行する成膜装置を提供できる。
この発明の第１の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法の一例を示す流れ図 この発明の第１の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法の一例の主要な工程を示す断面図 この発明の第１の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法の一例の主要な工程を示す断面図 この発明の第１の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法の一例の主要な工程を示す断面図 この発明の第１の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法の一例の主要な工程を示す断面図 この発明の第１の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法の一例の主要な工程を示す断面図 この発明の第１の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法の一例の主要な工程を示す断面図 この発明の第１の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法の一例の主要な工程を示す断面図 この発明の第１の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法の一例の主要な工程を示す断面図 この発明の第１の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法の一例の主要な工程を示す断面図 この発明の第１の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法の一例の主要な工程を示す断面図 この発明の第１の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法の一例の主要な工程を示す断面図 この発明の第１の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法の一例の主要な工程を示す断面図 この発明の第１の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法の一例の主要な工程を示す断面図 この発明の第１の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法の一例の主要な工程を示す断面図 成膜シーケンスを示すタイムチャート 温度とシリコンの成長レートとの一関係例を示す図 比較例によるステップカバレージを示す断面図 第１の実施形態によるステップカバレージを示す断面図 比較例による窒素原子の突き抜け例を示す断面図 第１の実施形態による窒素原子の突き抜け例を示す断面図 この発明の第２の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法の一例を示す流れ図 この発明の第１、第２の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法を実施することが可能な第１例に係る成膜装置を概略的に示す縦断面図 図８に示す成膜装置の水平断面図 この発明の第１、第２の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法を実施することが可能な第２例に係る成膜装置を概略的に示す水平断面図 第２例に係る成膜装置においてシリコン窒化物膜の成膜方法を実施した場合のシーケンスを示す流れ図 サイクル数とシリコン窒化物膜の膜厚との関係を処理温度ごとに示す図 処理温度とシリコン窒化物膜の屈折率との関係を示す図 成膜装置２００における処理ステージの第１例を示す図 成膜装置２００における処理ステージの第２例を示す図 成膜装置２００における処理ステージの第３例を示す図
本願発明者らは、成膜装置の生産性を向上させるために、シリコン窒化物膜の成膜シーケンスの改善、即ちソフトの改善に着目した。そして、例えば、ＡＬＤ法のような交互供給法を用いて、シリコン窒化物膜を成膜する際、１サイクルを“１回のシリコン原料ガスの供給と１回の窒化ガスの供給”とし、この１サイクルを複数回繰り返す、という固定概念をブレークスルーするに至った。この結果、ハードの改良だけに依存することなく、かつ、膜の均一性、電気的特性、および加工性等のユーザーからの要求を満足しつつ、成膜装置の生産性を向上させることが可能なシリコン窒化物膜の成膜方法が実現された。
以下、この発明の実施形態のいくつかを、図面を参照して説明する。なお、全図にわたり、共通の部分には共通の参照符号を付す。
（第１の実施形態）
＜成膜方法＞
図１はこの発明の第１の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法の一例を示す流れ図、図２Ａ〜図２Ｎはその成膜方法の主要な工程を示す断面図である。
第１の実施形態においては、シリコン基板（シリコンウエハ＝シリコン単結晶）１を、シリコン窒化物膜を成膜する下地の一例として用いる（図２Ａ参照）。下地は、シリコン基板１に限られるものではなく、シリコン酸化物膜などの絶縁膜、金属膜などの導電体膜であってもよい。第１の実施形態においては、シリコン窒化物膜を、シリコン基板１の被処理面上に成膜する。
次に、シリコン基板１を成膜装置の処理室内に搬入し、第１ステップとして“シリコン膜の形成処理”を行う。このために、処理室内において、シリコン基板１の被処理面に向け、シリコンを含むシリコン原料ガスを供給する（図１のステップ１）。第１の実施形態においては、シリコン原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ４）ガスを用いた。
ステップ１における処理条件の一例は、
モノシラン流量： １０００ｓｃｃｍ
処 理 時 間： ３０ｓｅｃ
処 理 温 度： ２００℃
処 理 圧 力： １３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）
（本明細書では、１Ｔｏｒｒを１３３Ｐａと定義する。）
である。
これにより、ＳｉＨ４ガスが熱分解され、シリコン基板１の被処理面上にＳｉＨ４が吸着され、薄い第１層シリコン層２−１が形成される（図２Ｂ）。第１層シリコン層２−１の膜厚は、例えば、数十原子層の厚さである。
シリコン原料ガスは、ＳｉＨ４ガスに限られるものではなく、シリコンを含むシリコン化合物ガスであればよい。例えば、シラン系ガスとしては、ＳｉＨ４ガスの他、
Ｓｉ２Ｈ６ガス
Ｓｉ３Ｈ８ガス
などのシリコン数が２以上の、いわゆる高次シランガスを用いるようにしてもよい。本明細書においては、シラン系ガスを、シリコン数が１のモノシランガス、およびシリコン数が２以上の高次シランガスの双方を含むもの、と定義する。
また、シリコン原料ガスは、シラン系ガスの水素原子を、水素以外の原子に置換したシリコン化合物ガスなども用いることができる。例えば、シラン系ガスの水素原子を塩素原子に置換した、
ＳｉＨ３Ｃｌガス
ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス
ＳｉＨＣｌ３ガス
Ｓｉ２Ｈ５Ｃｌガス
Ｓｉ２Ｈ４Ｃｌ２ガス
Ｓｉ２Ｈ３Ｃｌ３ガス
Ｓｉ２Ｈ２Ｃｌ４ガス
Ｓｉ２ＨＣｌ５ガス
などのガスも用いることができる。
次に、処理室内を排気しつつ処理室内に不活性ガスを供給し、処理室内をパージする（図１のステップ２）。不活性ガスとしては窒素（Ｎ２）ガスや、アルゴン（Ａｒ）ガスなどの希ガスを用いることができる。
次に、処理室内において、シリコン基板１の被処理面に向け、シリコン原料ガスの分解を促進させる物質を含む分解促進ガスを供給する（図１のステップ３）。シリコン原料ガスの分解を促進させる物質の一例は、ボロン（Ｂ）である。第１の実施形態においては、分解促進ガスとしてジボラン（Ｂ２Ｈ６）ガスを用いた。
ステップ３における処理条件の一例は、
ジボラン流 量： ２００ｓｃｃｍ
処 理 時 間： ３０ｓｅｃ
処 理 温 度： ２００℃
処 理 圧 力： １３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）
である。
これにより、第１層シリコン層２−１上には、ボロン原子３が吸着される（図２Ｃ）。第１層シリコン層２−１上に吸着されたボロン原子３には、シリコン化合物ガス、第１の実施形態においてはＳｉＨ４ガスの分解を促進させる触媒作用がある。このため、例えば、１００℃以上４００℃未満の低い温度帯であっても、ボロン原子３を吸着させない場合に比較して、例えば、ＳｉＨ４ガスの分解をより急速に進めることが可能となる。
分解促進ガスは、Ｂ２Ｈ６ガスに限られるものではなく、ボロンを含むボロン化合物ガスであればよい。例えば、ボラン系ガスとしては、Ｂ２Ｈ６ガスの他、
ＢＨ３（モノボラン）ガス
などを用いることも可能である。また、ボロン数が２以上の、いわゆる高次ボランガスについても、Ｂ２Ｈ６ガスに限られるものではない。本明細書においては、ボラン系ガスを、ボロン数が１のモノボランガス、およびボロン数が２以上の高次ボランガスの双方を含むもの、と定義する。
また、ボラン系ガスの水素原子を、水素以外の原子に置換したボロン化合物ガスなども用いることができる。例えば、ボラン系ガスのボロン原子を塩素原子に置換した
ＢＣｌ３ガス
（Ｂ（Ｃ２Ｈ５））３ガス
なども用いることができる。
次に、処理室内を排気しつつ処理室内に不活性ガスを供給し、処理室内をパージする（図１のステップ４）。用いる不活性ガスはステップ２と同様のものでよい。
次に、図１のステップ５に示すように、ステップ１〜ステップ４の繰り返し回数が、設定値ｎ回（ただし、ｎは２以上）に達したか否かを判断する。達していない（ＮＯ）、と判断された場合には、ステップ１〜ステップ４を再度繰り返す。反対に達した（ＹＥＳ）、と判断された場合にはステップ６に進む。
このようにステップ１〜ステップ４を２回以上繰り返すことで、第１層シリコン膜４−１が、シリコン基板１の被処理面上に形成される。図２Ｄには、設定値ｎを“３”とし、ステップ１〜ステップ４を３回繰り返すことで、第１層シリコン層２−１、第２層シリコン層２−２および第３層シリコン層２−３を含んで構成された第１層シリコン膜４−１の例が示されている。なお、図２Ｄにおいては、ステップ４において第３層シリコン層２−３上に吸着されるであろうボロン原子３の図示は省略している。
次に、第２ステップとして“シリコン膜の窒化処理”を、“シリコン膜の形成処理”を行った処理室内において行う。このために、処理室内において、第１層シリコン膜４−１が形成されたシリコン基板１の被処理面に向け、窒素を含む窒化ガスを供給する（図１のステップ６）。第１の実施形態においては、窒化ガスとしてアンモニア（ＮＨ３）ガスを用いた。また、第１の実施形態においては、ＮＨ３ガスにはエネルギーを印加して、例えば、窒素ラジカルＮ＊やアンモニアラジカルＮＨ＊など含む活性な窒素を生成し、この活性な窒素をシリコン基板１の被処理面に向け、供給するようにした。ＮＨ３ガスに印加するエネルギーの一例は、高周波電界である。高周波電界の発生手法（生成機構）としては、例えば、２枚の電極板を対向させ、２枚の電極板間に高周波電界を発生させる平行平板型ＲＦプラズマ生成機構を用いた。
ステップ６における処理条件の一例は、
アンモニア流量： １０００ｓｃｃｍ
処 理 時 間： １０ｓｅｃ
処 理 温 度： ２００℃
処 理 圧 力： １３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）
高周波電界 ： オン
である。
これにより、第１層シリコン膜４−１は、例えば、ラジカル窒化され、第１層シリコン窒化物膜５−１が形成される（図２Ｅ）。
窒化ガスは、ＮＨ３ガスに限られるものではなく、窒素を含む窒素化合物ガスであればよい。例えば、
ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）
ヒドラジン誘導体
などを用いることも可能である。もちろん窒素ガス単体でもよい。
また、高周波電界の発生手法（生成機構）も、平行平板型に限られるものではない。例えば、
無声放電
ラジアルロッドスロットアンテナ
などを用いてもよい。
次に、高周波電界をオフし、処理室内を排気しつつ処理室内に不活性ガスを供給し、処理室内をパージする（図１のステップ７）。用いる不活性ガスはステップ２と同様のものでよい。
次に、図１のステップ８に示すように、ステップ６およびステップ７の回数が、設定値ｐ回（ただし、ｐは１以上）に達したか否かを判断する。達していない（ＮＯ）、と判断された場合には、ステップ６およびステップ７を再度行う。反対に達した（ＹＥＳ）、と判断された場合にはステップ９に進む。
このようにステップ６およびステップ７を１回以上行うことで、第１層シリコン膜４−１が窒化され、第１層シリコン窒化物膜５−１がシリコン基板１の被処理面上に形成される。図２Ｅには、設定値ｐを“１”とし、ステップ６およびステップ７を１回行うことで、第１層シリコン膜４−１を窒化した例が示されている。
なお、第１の実施形態においては、窒化の回数を１回以上の有限値に設定可能な例を示している。しかし、窒化の回数を１回に特定する場合には、シリコン窒化物膜の成膜レシピからステップ８を省略し、ステップ７の次に、ステップ９を実行するように成膜レシピを構成してもよい。
第１の実施形態においては、ここまでのステップ１〜ステップ８（あるいはステップ７）まで、即ち、複数回のシリコン層の形成を含むシリコン膜の形成処理（ステップ１〜ステップ５）から、シリコン膜の窒化処理（ステップ６〜ステップ８（あるいはステップ７））までのシーケンスを１サイクルとする。
次に、図１のステップ９に示すように、上記１サイクルの回数が、設定値ｍ（ただし、ｍは１以上）に達したか否かを判断する。達していない（ＮＯ）、と判断された場合には、ステップ１〜ステップ８（あるいはステップ７）を再度行う。反対に達した（ＹＥＳ）と判断された場合には、第１の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法にしたがった成膜処理を終了する。
第１の実施形態においては設定値ｍを“３”とし、複数回のシリコン層の形成を含むシリコン膜の形成処理（ステップ１〜ステップ５）、およびシリコン膜の窒化処理（ステップ６〜ステップ８（あるいはステップ７））を３サイクル実行する例を示す。
このため、まず、図２Ｆ〜図２Ｈに示すように、ステップ１〜ステップ４を３回（設定値ｎ＝３）繰り返すことで、第１層シリコン窒化物膜５−１上には、第４層シリコン層２−４、第５層シリコン層２−５および第６層シリコン層２−６を含んで構成された第２層シリコン膜４−２が形成される。
次に、図２Ｉに示すように、ステップ６およびステップ７を１回（設定値ｐ＝１）行うことで、第２層シリコン膜４−２をラジカル窒化し、第２層シリコン窒化物膜５−２が形成される。
さらに、図２Ｊ〜図２Ｌに示すように、再びステップ１〜ステップ４を３回繰り返し、第２層シリコン窒化物膜５−２上に、第７層シリコン層２−７、第８層シリコン層２−８および第９層シリコン層２−９を含んで構成された第３層シリコン膜４−３を形成する。
さらに、図２Ｍに示すように、再びステップ６およびステップ７を１回行い、第３層シリコン膜４−３をラジカル窒化し、第３層シリコン窒化物膜５−３を形成する。
このようにして、図２Ｎに示すように、シリコン基板１の被処理面上には、シリコン窒化物膜５が成膜される。
このような第１の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法によれば、以下のような利点を得ることができる。
（スループットの向上）
図３は成膜シーケンスを示すタイムチャートである。図３は、第１の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法と、比較例に係るシリコン窒化物膜の成膜方法とを時間軸上で対比させたものである。比較例は、１サイクルを“１回のシリコン原料ガスおよび分解促進ガスの供給”と“１回の窒化ガスの供給”とし、これを複数回繰り返す成膜方法である。なお、シリコン原料ガスの供給時間、分解促進ガスの供給時間、窒化ガスの供給時間、パージ時間については、第１の実施形態および比較例の双方とも同じと仮定する。
図３に示すように、第１の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法は、１サイクルを“複数回のシリコン原料ガスおよび分解促進ガスの供給”と“１回の窒化ガスの供給”とする。このため、１サイクルを“１回のシリコン原料ガスおよび分解促進ガスの供給”と“１回の窒化ガスの供給”とした比較例に比較して、窒化ガスの供給回数を減らすことができる。例えば、３回のシリコン原料ガスおよび分解促進ガスの供給に対し、窒化ガスの供給を１回とすれば、窒化ガスの供給およびパージを、２回分省略できる。この分、プロセス時間を短縮することができる。また、この短縮分は、１サイクルを繰り返す毎に累積される。このため、シリコン原料ガスおよび分解促進ガスを６０回供給してシリコン窒化物膜を成膜することを考えると、
比較例 ： 窒化ガスを６０回供給
第１の実施形態： 窒化ガスを２０回供給
となる。したがって、第１の実施形態によれば、比較例に比較して窒化ガスの供給およびパージをそれぞれ４０回分省略でき、その分、プロセス時間を短縮できる。
さらに、シリコン原料ガスを１２０回供給してシリコン窒化物膜を成膜することを考えると、
比較例 ： 窒化ガスを１２０回供給
第１の実施形態： 窒化ガスを４０回供給
となる。この場合には、窒化ガスの供給およびパージをそれぞれ８０回分省略できることとなる。
このように、第１の実施形態によるプロセス時間の短縮効果は、シリコン原料ガスの供給回数が増えれば増えるほど高まる。
（良好なステップカバレージ）
比較例において、プロセス時間を短縮するには、シリコン原料ガスの供給１回当たりのシリコン膜の成膜量を高め、シリコン膜の膜厚が設計値に達するまでに必要なサイクル数を減じればよい。そのためには、成膜温度をシリコンが化学的気相成長しだす温度まで高めて成長レートを上げればよい。成長レートと温度との間には、温度が上昇するにつれて成長レートが高まる、という傾向がある。図４に温度とシリコンの成長レートとの一関係例を示す。
温度が上昇するにつれて成長レートが高まる、という傾向を微視的に分析すると、図４に示すように、４００℃未満の温度帯においては成長レートに僅かな“揺らぎ”がみられる。例えば、図４に示すように、シリコンの成長レートは１００℃付近から上昇をはじめ、その後、３００℃付近まで緩やかな上昇を続ける。３００℃を超えてくると成長レートの上昇率があがりだし、４００℃を超えると成長レートは急激に上昇する。
このような“揺らぎ”は、シリコンが下地に吸着しているのか、堆積しているのかに関係するもの、と推察される。例えば、１００℃以上３００℃未満の温度帯では、シリコンが下地に吸着されるのみ、あるいは吸着が支配的である、と考えられる。また、３００℃以上となると、吸着されたシリコンの上にさらにシリコンが堆積する、即ち、シリコンの化学的気相成長（ＣＶＤ）が僅かながらも始まりだす、と考えられる。そして、４００℃以上になると、シリコンの堆積が支配的となり、ほぼ完全なシリコンのＣＶＤ成長の始まりとなる。
したがって、シリコン原料ガス１回当たりのシリコンの成膜レートを上げるには、成膜温度を４００℃以上にすればよい。しかしながら、シリコンをＣＶＤ成長させると、図５Ａに示すように、例えば、第１層シリコン膜４−１の、被処理面に形成された凸部１０や凹部１１の被覆性（ステップカバレージ）が悪化しやすい、という事情がある。
このような事情に対し、第１の実施形態によれば、プロセス時間の短縮のために、シリコンの成膜温度を、ＣＶＤ成長する温度にまで上げる必要は必ずしもない。
したがって、図５Ｂに示すように、良好なステップカバレージを維持したまま、例えば、第１層シリコン膜４−１を形成することが可能となる。この利点は、第２層シリコン膜４−２や、第２層シリコン膜４−２よりも上層のシリコン膜についても継続して得ることができる。結果として、ステップカバレージに優れたシリコン膜４−１、４−２、…、のそれぞれを、順次窒化しながら成膜される厚いシリコン窒化物膜５には、良好なステップカバレージが得られることになる。
（窒素の突き抜け抑制）
比較例において、シリコンの成膜温度をＣＶＤ成長する温度にまで引き上げない場合、形成される第１層シリコン膜４−１の膜厚は大変薄いものとなる。このため、第１層シリコン膜４−１を窒化すると、図６Ａに示すように、窒素原子Ｎが第１層シリコン膜４−１を突き抜け、下地に達してしまう可能性がある。窒素原子Ｎの突き抜けが発生すると、下地がシリコン基板１であったならば、シリコン基板１の被処理面近傍の領域は、シリコン窒化物１２に変わってしまう。また、下地がシリコン酸化物であったならば、その被処理面近傍の領域は、シリコン酸窒化物に変わってしまう。つまり、比較例においては、下地を他の物質に変化させる可能性が高い、という事情がある。
このような事情に対し、第１の実施形態によれば、第１層シリコン膜４−１を、複数のシリコン層２−１〜２−３を積層することで得る。このため、第１層シリコン膜４−１の膜厚を、窒素原子Ｎの突き抜けを抑制するのに充分な膜厚まで、厚くすることが可能である。そして、第１層シリコン膜４−１の膜厚を、窒素の突き抜けを抑制するのに充分な膜厚に設定すれば、図６Ｂに示すように、窒化処理に際し、窒素原子Ｎが下地、例えば、シリコン基板１に達することを抑制でき、下地が他の物質に変化する可能性を低減できる、という利点を得ることができる。
（シリコン窒化物膜中の窒素濃度の制御性向上）
シリコン窒化物膜の化学量論組成比は“Ｓｉ：Ｎ＝３：４（Ｓｉ３Ｎ４）”である。しかし、シリコン窒化物膜は、その形成の仕方によって様々な組成比をとり得る。そして、シリコン窒化物膜の窒素濃度、即ち、シリコン窒化物膜の組成は、例えば、膜ストレスを左右する。例えば、Ｓｉ３Ｎ４の組成に対してシリコンリッチな組成の場合、膜ストレスは小さく、反対にＳｉ３Ｎ４の組成に対して窒素リッチな組成の場合、膜ストレスは大きくなる、といった具合である。
第１の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法によれば、窒素濃度は、シリコン膜の窒化処理（ステップ６およびステップ７）における、窒化ガスの供給時間、流量、およびステップ６およびステップ７を行う回数を変更することで制御することができる。また、シリコン膜の形成処理（ステップ１〜ステップ４）の繰り返し回数を変更することでも制御することができる。
例えば、比較例のように、１サイクルを“１回のシリコン原料ガスの供給”と“１回の窒化ガスの供給”とした場合、シリコン窒化物膜の膜厚が設計値に達するまでの間に、窒化ガスの供給回数が多くなりがちである。このため、窒素濃度を低く抑えることが難しい。
この点、第１の実施形態によれば、シリコン膜の形成処理（ステップ１〜ステップ４）の繰り返し回数を増やすことで、シリコン膜４（４−１、４−２、…）の膜厚を大きくすると、成膜されるシリコン窒化物膜５中に含有されるシリコンの比率を高めることができる。このため、相対的に窒素の比率を低く抑えることが可能である。結果として、比較例に比較して、選択可能な窒素濃度レンジを拡大させることも可能となる。
このように、第１の実施形態によれば、シリコン窒化物膜中の窒素濃度の制御性も向上する、という利点についても得ることができる。
＜成膜温度帯について＞
次に、成膜温度帯について説明する。
図４を参照して説明したように、シリコン膜の成膜に際し、４００℃未満の温度帯においては成長レートに僅かな“揺らぎ”がある。これは、４００℃未満の温度帯においては、吸着のみ（あるいは吸着が支配的）な温度帯と、吸着＋堆積が起こる温度帯（吸着からＣＶＤ成長へ遷移する遷移温度帯）があるもの、と推察される。４００℃以上となると、堆積、即ち、ほぼ完全なシリコンのＣＶＤ成長が始まる（ＳｉＨ４ガス単独でも、Ｓｉの堆積が可能）。
上述した通り、シリコン膜をＣＶＤ成長させると成膜レートは格段に上がるが、ステップカバレージが悪化しやすい。この観点から、第１の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法においては、ほぼ完全なＣＶＤ成長が始まる温度未満の温度で、シリコン膜４（４−１、４−２、…）を形成するようにするとよい。
即ち、ステップ１におけるシリコン膜４（４−１、４−２、…）の成膜温度は、被処理面上へのシリコンの吸着が始まる吸着開始温度以上、シリコンのＣＶＤ成長が始まるＣＶＤ成長開始温度未満の温度帯に設定されることが好ましい。その温度帯の一例は、１００℃以上４００℃未満である（吸着したＳｉＨ４ガスと反応するＢ２Ｈ６によるＳｉ吸着または堆積）。
さらに好ましい温度帯としては、被処理面上へのシリコンの吸着が始まる吸着開始温度以上、ＣＶＤ成長遷移開始温度未満である。ＣＶＤ成長遷移開始温度以上、ＣＶＤ成長開始温度未満の温度帯においては、シリコンの吸着と、僅かなシリコンのＣＶＤ成長とが混在していると考えられる。僅かなシリコンのＣＶＤ成長は、シリコン膜４（４−１、４−２、…）の表面に微小な凹凸を発生させる可能性がある。この可能性を低減するには、ステップ１におけるシリコン膜４（４−１、４−２、…）の成膜温度を、被処理面上へのシリコンの吸着が始まる吸着開始温度以上、シリコンのＣＶＤ成長への遷移が始まるＣＶＤ成長遷移開始温度未満の温度帯に設定されることが好ましい。これにより、シリコン膜４（４−１、４−２、…）の形成処理は、ほぼシリコンの吸着で行うことができる。また、その温度帯の一例は、１００℃以上３００℃未満である。
＜分解促進ガスについて＞
次に、分解促進ガスについて説明する。
上述の通り、ステップ１におけるシリコン膜４（４−１、４−２、…）の成膜温度を、ＣＶＤ成長開始温度未満の温度に引き下げるには、ステップ３に示したように、シリコン原料ガスの分解を促進させる物質を含む分解促進ガスを供給することが好ましい。分解促進ガスを供給し、吸着したＳｉＨ４と、分解を促進させる物質を含む分解促進ガス、例えば、Ｂ２Ｈ６とを反応させてＳｉを吸着又は堆積させる。これにより、分解促進ガスを供給しない場合に比較して、シリコン原料ガスの分解、例えば、熱分解をより低温で発生でき、低温でＳｉを吸着又は堆積させることができる。
熱分解の低温化の効果は、熱分解を促進させる物質によって異なる。特に、好ましい物質が上述したボロンである。よって、分解促進ガスには、ボロンを含有したボロン化合物ガスを用いることが好ましい。
また、熱分解の低温化の効果は、ボロン化合物によっても異なってくる。第１の実施形態では、ボロン化合物ガスとして、ボロン−水素系化合物ガス（ボラン系ガス）と、ボロン−ハロゲン系化合物ガス（ＢＣｌ３ガス）を例示した。
ボラン系ガスと、ボロン−ハロゲン系ガスとを比較した場合、熱分解の低温化の効果は、ボラン系ガスの方が高い。例えば、ボラン系ガスの一つであるＢ２Ｈ６ガスを用いた場合には、ステップ１におけるシリコン膜４（４−１、４−２、…）の成膜温度を、２００℃以下までに低温化することが可能であった。更なる低温化の観点からは、分解促進ガスには、ボラン系ガスを選択することが好ましい。
なお、特許文献１には、シリコン原料ガスとボロン原料ガスを、処理室内に同時に供給することが記載されているが、第１の実施形態のようなボロンによる触媒作用はないか、たとえあったとしても、第１の実施形態よりも触媒作用は弱い、と考えられる。これは、特許文献１では、シリコン原料ガスとボロン原料ガスを、処理室内に同時に供給するため、被処理面上には、ボロンが高密度に吸着し難い、と考えられるためである。
また、特許文献２には、ボロン原料ガスを処理室内に供給することが記載されているが、これもまた、第１の実施形態のようなボロンによる触媒作用はないか、第１の実施形態よりも弱い、と考えられる。これは、特許文献２では、ボロン含有シリコン窒化物膜を、さらにプラズマ窒化するために、被処理面上のボロン密度が減少する、と考えられるためである。
これらを踏まえると、分解促進ガスは、シリコン原料ガスを供給する前、シリコン膜を窒化する前に供給することがよい、と言える。この観点から、例えば、図１に示したステップ１とステップ３とは入れ換えることも可能である。つまり、分解促進ガスを供給した後（ステップ３）、パージし、その後、シリコン原料ガスを供給する（ステップ１）。そして、パージするように、ステップを入れ換えるようにしてもよい。
＜シリコン膜の窒化処理について＞
次に、シリコン膜の窒化処理について説明する。
第１の実施形態においては、シリコン膜４（４−１、４−２、…）の窒化処理の際、窒化ガスに、熱以外のエネルギーを印加するようにしている。これにより、低温での窒化、例えば、シリコン膜４（４−１、４−２、…）の形成処理と同じ温度（例えば２００℃）での窒化も可能とされる。具体的には、第１の実施形態においては、窒化ガスに電気的なエネルギー、例えば高周波パワーをさらに印加し、処理室内において、活性な窒素、例えば、少なくとも窒素ラジカルを生成する。そして、処理室内において、少なくとも生成された窒素ラジカルをシリコン膜４（４−１、４−２、…）と反応させ、シリコン膜４（４−１、４−２、…）を窒化する。
ここで、シリコン原料ガスや、分解促進ガスに、ハロゲン元素が含まれたものを用いた場合、シリコン膜４（４−１、４−２、…）中には、微量ながらもハロゲン元素が残留する可能性がある。第１の実施形態においては、残留する可能性があるのは塩素原子である。シリコン膜４（４−１、４−２、…）中に塩素原子が残留していても、微量であれば差し支えはない。しかしながら、今後の微細化の進展を考慮すると、残留した微量の塩素原子が、シリコン窒化物膜５の成膜シーケンスに影響を与える可能性も十分にあり得る。
特に、第１の実施形態においては、シリコン膜４（４−１、４−２、…）の窒化処理の際に、電気的なエネルギーをさらに印加する。電気的なエネルギーが、シリコン膜４（４−１、４−２、…）中に残留している微量の塩素原子に印加されると、塩素原子がシリコン原子やボロン原子から離れ、処理室内において、塩素ラジカル、塩素プラズマ、および塩素イオンなどが発生する可能性がある。
塩素ラジカル、塩素プラズマ、塩素イオンは、シリコンのプラズマエッチングに用いられるエッチャントである。つまり、シリコン膜４（４−１、４−２、…）の窒化処理の際に、シリコン膜４（４−１、４−２、…）からエッチャントとなる物質が発生する可能性があるのである。反応室内に、シリコンをエッチングするエッチャントが発生すると、シリコン膜４（４−１、４−２、…）からシリコン原子を奪い取る、即ち、エッチング反応が同時に発生する可能性がある。例えば、エッチャントが塩素の場合の反応式の一例は以下の通りである。
Ｓｉ ＋ ４Ｃｌ → ＳｉＣｌ４↑
このようなエッチング作用が、シリコン膜４（４−１、４−２、…）の窒化処理と同時に発生してしまうことは、シリコン膜４（４−１、４−２、…）の膜厚の減少や表面ラフネスの悪化の一因となり得る。これは、特に、シリコン膜４（４−１、４−２、…）の窒化処理に、熱以外のエネルギーをさらに印加する場合に発生しやすい事情である。
そこで、シリコン膜４（４−１、４−２、…）の窒化処理に、熱以外のエネルギーをさらに印加する場合、シリコン膜４（４−１、４−２、…）のエッチング反応が起こる可能性を抑制したい場合には、以下のような工夫を行うとよい。
(ａ) シリコン原料ガスには、ハロゲン元素を含まないシリコンの化合物ガスを用いる
(ｂ) 分解促進ガスには、ハロゲン元素を含まない化合物ガスを用いる
これら(ａ)、(ｂ)の少なくともいずれかを採用する。好ましくは(ａ)、(ｂ)双方を採用するとよい。
このような工夫により、シリコン膜４（４−１、４−２、…）の窒化処理の際、エッチング反応が起こる可能性を低減でき、膜厚の制御性がよくなり、しかも、表面ラフネスの悪化も抑制できる、という利点を、さらに得ることができる。
さらに好ましくは、
(ｃ) シリコン原料ガスには、シラン系ガスを用いる
(ｄ) 分解促進ガスには、ボラン系ガスを用いる
これら(ｃ)、(ｄ)を同時に採用すると、上記(ａ)、(ｂ)の双方が実施されるばかりでなく、シリコン膜を、事実上、シリコン、水素およびボロンの３つの元素のみで構成できる、という利点をも得ることができる。
水素は、アモルファスなシリコン膜の形成に重要な役割を果たす元素である。また、ボロンは、成膜されるシリコン窒化物膜中に含有される割合を１％未満とすれば、成膜されるシリコン窒化物膜は、事実上、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）として取り扱うことができる。反対に、成膜されるシリコン窒化物膜中に含有される割合を１％以上とすれば、成膜されるシリコン窒化物膜は、ボロン含有シリコン窒化物膜（ＳｉＢＮ）にできる。ボロンは、シリコン窒化膜中に存在していても差し支えがない元素であるし、ＳｉＢＮ膜を成膜する際には必須の元素となる。
このように、(ｃ)、(ｄ)を同時に採用することで、成膜されるシリコン窒化物膜から、余計な元素の残留もしくは混入を排除でき、より品質が良いシリコン窒化物膜を成膜できる、という利点を、さらに得ることができる。
＜ＳｉＮ膜、ＳｉＢＮ膜の作り分け方＞
次に、ＳｉＮ膜、ＳｉＢＮ膜の作り分け方について説明する。
分解促進ガスにボロン化合物ガスを用いると、成膜されるシリコン窒化物膜５中にボロンを含有させることができる。ボロンの含有量を制御すると、シリコン窒化物膜５は、ＳｉＮ膜、ＳｉＢＮ膜のいずれにも作り分けることが可能である。
具体的な一例は、成膜されるシリコン窒化物膜５中に含有されるボロンの割合を１％未満とすれば、成膜されるシリコン窒化物膜５は、事実上、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）として取り扱うことができる膜となる。
また、成膜されるシリコン窒化物膜５中に含有されるボロンの割合を１％以上とすれば、成膜されるシリコン窒化物膜５は、ボロン含有シリコン窒化膜（ＳｉＢＮ）にできる。
このように、分解促進ガスにボロン化合物ガスを用い、成膜されるシリコン窒化物膜５中のボロンの含有量を制御することで、ＳｉＮ膜およびＳｉＢＮ膜の作り分けが可能となり、成膜プロセスの汎用性を向上できる、という利点を得ることができる。
＜シリコン膜の成膜温度と窒化温度＞
次に、シリコン膜４（４−１、４−２、…）の成膜温度と窒化温度とについて説明する。
シリコン膜４（４−１、４−２、…）の形成処理に際し、分解促進ガスを用いること、およびシリコン膜４（４−１、４−２、…）の窒化処理に際し、窒化ガスに、熱以外のエネルギーを印加することの双方を兼ね備えると、成膜温度および窒化温度の双方を、例えば、４００℃未満といった低い温度に引き下げることができる。
このことを考慮すると、シリコン膜４（４−１、４−２、…）の成膜温度と、シリコン膜４（４−１、４−２、…）の窒化温度とを、同じ温度とすることも可能となる。これら成膜温度と窒化温度とを同じ温度とすると、シリコン膜の形成処理（ステップ１〜ステップ４）から、シリコン膜の窒化処理（ステップ６およびステップ７）への移行に際し、処理室内の温度を変更せずに済む、という利点を得ることができる。
処理室内の温度を変更すると、昇温時間および降温時間といった、成膜処理中の被処理体にとっては処理が止まった状態、いわば待機時間が発生する。
このような待機時間は、シリコン膜４（４−１、４−２、…）の成膜温度と、シリコン膜４（４−１、４−２、…）の窒化温度とを、同じ温度とすることで解消できる。このように昇温時間および降温時間といった、いわば待機時間を削減することによって、第１の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法の生産性は、より向上する、という利点を、さらに得ることもできる。
（第２の実施形態）
段落００８３において、第１の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法においては、ステップ１とステップ３とを入れ換えることが可能であることを説明した。ステップ１とステップ３とを入れ換えた場合の具体的な一例が、第２の実施形態である。
図７はこの発明の第２の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法の一例を示す流れ図である。
図７に示すように、第２の実施形態においては、シリコン基板１を成膜装置の処理室内に搬入した後、処理室内において、シリコン基板１の被処理面に向け、シリコン原料ガスの分解を促進させる物質を含む分解促進ガスを供給する（ステップ３）。ステップ３における処理条件は、第１の実施形態において説明したステップ３の処理条件と同様でよい。
次に、例えば、処理室内を排気しつつ処理室内に不活性ガスを供給し、処理室内をパージする（ステップ２）。ステップ２において用いる不活性ガスは、第１の実施形態において説明したガスと同様でよい。
次に、シリコン基板１の被処理面に向け、シリコンを含むシリコン原料ガスを供給する（ステップ１）。ステップ４における処理条件は、第１の実施形態において説明したステップ１の処理条件と同様でよい。
次に、例えば、処理室内を排気しつつ処理室内に不活性ガスを供給し、処理室内をパージする（ステップ４）。ステップ４において用いる不活性ガスは、第１の実施形態において説明したガスと同様でよい。
次に、図７のステップ５に示すように、シリコン膜の形成処理であるステップ３〜ステップ２〜ステップ１〜ステップ４の繰り返し回数が、設定値ｎ回（ただし、ｎは１以上）に達したか否かを判断する。達していない（ＮＯ）、と判断された場合には、ステップ３〜ステップ２〜ステップ１〜ステップ４を再度繰り返す。反対に達した（ＹＥＳ）、と判断された場合には、第１の実施形態と同様にステップ６に進み、シリコン膜の窒化処理であるステップ６〜ステップ７を設定値であるｐ回（ただし、ｐは１以上）行う。この後、ステップ９に示すように、シリコン膜の形成処理〜シリコン膜の窒化処理を１サイクルとするシーケンスの回数が、設定値ｍ回（ただし、ｍは１以上）に達したか否かを判断する。達していない（ＮＯ）、と判断された場合には、上記シーケンスを再度行う。反対に達した（ＹＥＳ）と判断された場合には、第２の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法にしたがった成膜処理を終了する。
このように、シリコン原料ガスの供給（ステップ１）と、分解促進ガスの供給（ステップ３）とを入れ換え、先に分解促進ガスの供給（ステップ３）を行ってから、シリコン原料ガスの供給（ステップ１）を行うようにしてもよい。
第２の実施形態による利点は、シリコン原料ガスよりも先に分解促進ガスを、シリコン基板１の被処理面に供給することで、第１の実施形態では、ステップ５における設定値ｎを“２”以上としなければならなかった点を“１”以上にできることである。ステップ５における設定値ｎを“１”以上にできることで、スループットの向上、シリコン原料ガスおよび分解促進ガスの節約に寄与できるとともに、実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法において、プロセスの自由度が増す、という利点をさらに得ることができる。
＜成膜装置：第１例＞
次に、この発明の第１、第２の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法を実施することが可能な成膜装置について説明する。
図８はこの発明の第１、第２の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法を実施することが可能な第１例に係る成膜装置を概略的に示す縦断面図、図９は図８に示す成膜装置の水平断面図である。
図８および図９に示すように、成膜装置１００は、下端が開口された有天井の円筒体状の処理室１０１を有している。処理室１０１の全体は、例えば、石英により形成されている。処理室１０１内の天井には、石英製の天井板１０２が設けられている。処理室１０１の下端開口部には、例えば、ステンレススチールにより円筒体状に成形されたマニホールド１０３がＯリング等のシール部材１０４を介して連結されている。
マニホールド１０３は処理室１０１の下端を支持している。マニホールド１０３の下方からは、縦型ウエハボート１０５が処理室１０１内に挿入される。縦型ウエハボート１０５は、複数本の図示せぬ支持溝が形成されたロッド１０６を複数本有しており、上記支持溝に被処理体として複数枚、例えば、５０〜１００枚の半導体基板、本例では、シリコン基板１の周縁部の一部を支持させる。これにより、縦型ウエハボート１０５には、シリコン基板１が多段に載置され、処理室１０１内にはシリコン基板１が高さ方向に沿って複数枚収容される。
縦型ウエハボート１０５は、石英製の保温筒１０７を介してテーブル１０８上に載置される。テーブル１０８は、マニホールド１０３の下端開口部を開閉する、例えば、ステンレススチール製の蓋部１０９を貫通する回転軸１１０上に支持される。回転軸１１０の貫通部には、例えば、磁性流体シール１１１が設けられ、回転軸１１０を気密にシールしつつ回転可能に支持している。蓋部１０９の周辺部とマニホールド１０３の下端部との間には、例えば、Ｏリングよりなるシール部材１１２が介設されている。これにより処理室１０１内のシール性が保持されている。回転軸１１０は、例えば、ボートエレベータ等の昇降機構（図示せず）に支持されたアーム１１３の先端に取り付けられている。これにより、縦型ウエハボート１０５および蓋部１０９等は、一体的に昇降されて処理室１０１内に対して挿脱される。
成膜装置１００は、処理室１０１内に、処理に使用するガスを供給する処理ガス供給機構１１４、および処理室１０１内に、不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構１１５を有している。
本例の処理ガス供給機構１１４は、シリコン原料ガス供給源１１７ａ、分解促進ガス供給源１１７ｂ、および窒化ガス供給源１１７ｃを含んでいる。また、不活性ガス供給機構１１５は、不活性ガス供給源１２０を含んでいる。
シリコン原料ガス供給源１１７ａから供給されるシリコン原料ガスは、図１に示したステップ１において利用され、その一例はＳｉＨ４ガスである。分解促進ガス供給源１１７ｂから供給される分解促進ガスは、ステップ３において利用され、その一例はＢ２Ｈ６ガスである。窒化ガス供給源１１７ｃから供給される窒化ガスは、図１に示したステップ６において利用され、その一例はＮＨ３ガスである。不活性ガス供給源１２０から供給される不活性ガスは処理室１０１内に供給されるガスの希釈や、図１に示したステップ２、ステップ４およびステップ７におけるパージ処理等に利用され、その一例はＡｒガスである。
シリコン原料ガス供給源１１７ａは、流量制御器１２１ａおよび開閉弁１２２ａを介して、分散ノズル１２３ａに接続されている。また、分解促進ガス供給源１１７ｂは、流量制御器１２１ｂおよび開閉弁１２２ｂを介して分散ノズル１２３ｂ（図８には図示せず。図９参照）に接続されている。また、窒化ガス供給源１１７ｃは、流量制御器１２１ｃおよび開閉弁１２２ｃを介して分散ノズル１２３ｃに接続されている。
分散ノズル１２３ａ〜１２３ｃは石英管よりなり、マニホールド１０３の側壁を内側へ貫通して上方向へ屈曲されて垂直に延びる。分散ノズル１２３ａ〜１２３ｃの垂直部分には、複数のガス吐出孔１２４が所定の間隔を隔てて形成されている。これにより、各ガスは、ガス吐出孔１２４から水平方向に処理室１０１内に向けて略均一に吐出される。
上記処理室１０１の側壁の一部には、プラズマ生成機構１４０が形成されている。プラズマ生成機構１４０は、窒化ガスに対して、少なくとも活性な窒素が生成されるようにエネルギーを印加するエネルギー印加機構である。プラズマ生成機構１４０は、処理室１０１の外壁に気密に溶接されたプラズマ区画壁１４１を備えている。プラズマ区画壁１４１は、例えば、石英により形成される。プラズマ区画壁１４１は断面凹部状をなし、処理室１０１の側壁に形成された開口１４２を覆う。開口１４２は、縦型ウエハボート１０５に支持されている全てのシリコン基板１を上下方向においてカバーできるように、上下方向に細長く、例えば、処理室１０１の側壁を削りとることによって形成される。本例においては、プラズマ区画壁１４１により規定される内側空間、すなわち、プラズマ生成空間の内部に、窒化ガスを吐出する分散ノズル１２３ｃを配置する。
プラズマ生成機構１４０には、プラズマ区画壁１４１の両側壁の外面に、上下方向に沿って互いに対向するようにして配置された細長い一対のプラズマ電極１４３と、例えば、一対のプラズマ電極１４３それぞれに給電ライン１４４を介して接続され、一対のプラズマ電極１４３に高周波電力を供給する高周波電源１４５とが備えられている。高周波電源１４５は、一対のプラズマ電極１４３に対し、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加する。これにより、プラズマ区画壁１４１により規定されたプラズマ生成空間内に、高周波電界が印加される。分散ノズル１２３ｃから吐出された窒化ガスは、高周波電界が印加されたプラズマ生成空間内においてプラズマ化され、例えば、窒素ラジカルＮ＊やアンモニアラジカルＮＨ＊等の活性な窒素を含んだプラズマガスとして、開口１４２を介して処理室１０１の内部へと供給される。なお、成膜装置１００においては、一対のプラズマ電極１４３への高周波電力の供給を止めれば、分散ノズル１２３ｃから吐出された窒化ガスをプラズマ化させないまま、処理室１０１の内部へと供給することも可能である。
プラズマ区画壁１４１の外側には、これを覆うようにして、例えば、石英よりなる絶縁保護カバー１４６が取り付けられている。絶縁保護カバー１４６の内側部分には、図示せぬ冷媒通路が設けられており、例えば、冷却された窒素ガスを流すことによりプラズマ電極１４３を冷却し得るようになっている。
不活性ガス供給源１２０は、流量制御器１２１ｄおよび開閉弁１２２ｄを介して、ノズル１２８に接続されている。ノズル１２８は、マニホールド１０３の側壁を貫通し、その先端から不活性ガスを、水平方向に吐出させる。
分散ノズル１２３ａ〜１２３ｃに対して反対側に位置する処理室１０１の側壁部分には、処理室１０１内を排気するための排気口１２９が設けられている。排気口１２９は処理室１０１の側壁を上下方向へ削りとることによって細長く形成されている。処理室１０１の排気口１２９に対応する部分には、排気口１２９を覆うように断面がコの字状に成形された排気口カバー部材１３０が溶接により取り付けられている。排気口カバー部材１３０は、処理室１０１の側壁に沿って上方に延びており、処理室１０１の上方にガス出口１３１を規定している。ガス出口１３１には、真空ポンプ等を含む排気機構１３２が接続される。排気機構１３２は、処理室１０１内を排気することで処理に使用した処理ガスの排気、および処理室１０１内の圧力を処理に応じた処理圧力とする。
処理室１０１の外周には筒体状の加熱装置１３３が設けられている。加熱装置１３３は、処理室１０１内に供給されたガスを活性化するとともに、処理室１０１内に収容された被処理体、本例ではシリコン基板１を加熱する。
成膜装置１００の各部の制御は、例えばマイクロプロセッサ（コンピュータ）からなるコントローラ１５０により行われる。コントローラ１５０には、オペレータが成膜装置１００を管理するためにコマンドの入力操作等を行うタッチパネルや、成膜装置１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース１５１が接続されている。
コントローラ１５０には記憶部１５２が接続されている。記憶部１５２は、成膜装置１００で実行される各種処理をコントローラ１５０の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて成膜装置１００の各構成部に処理を実行させるためのプログラム、すなわちレシピが格納される。レシピは、例えば、記憶部１５２の中の記憶媒体に記憶される。記憶媒体は、ハードディスクや半導体メモリであってもよいし、ＣＤ-ＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。レシピは、必要に応じて、ユーザーインターフェース１５１からの指示等にて記憶部１５２から読み出され、読み出されたレシピに従った処理をコントローラ１５０が実行することで、成膜装置１００は、コントローラ１５０の制御のもと、所望の処理を実施する。
この発明の第１、第２の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法は、図８および図９に示したような成膜装置１００を用い、コントローラ１５０によって、実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法が実行されるように、シリコン原料ガス供給源１１７ａ、分解促進ガス供給源１１７ｂ、窒化ガス供給源１１７ｃ、加熱装置１３３、およびプラズマ生成機構１４０を制御することによって、実施することができる。
＜成膜装置：第２例＞
図１０はこの発明の第１、第２の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法を実施することが可能な第２例に係る成膜装置を概略的に示す水平断面図である。
成膜装置としては図８および図９に示したような縦型バッチ式に限られるものではない。例えば、図１０に示すような水平型バッチ式であってもよい。図１０には水平型バッチ式の成膜装置２００の処理室の水平断面が概略的に示されている。なお、図１０においては、処理ガス供給機構、不活性ガス供給機構、排気装置、加熱装置、およびコントローラ等の図示は省略している。また、第２例に係る成膜装置は、特に、第２の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法に有効に用いることができる。したがって、第２例に係る成膜装置は、第２の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法に適用した場合を想定して説明する。
図１０に示すように、成膜装置２００は、ターンテーブル２０１上に、例えば、５枚のシリコン基板１を載置し、５枚のシリコン基板１に対して成膜処理を行う。ターンテーブル２０１は、成膜装置２００の処理室２０２内に設けられ、複数枚、本例では５枚のシリコン基板１を周方向に沿って載置した状態で、例えば、反時計回りに回転される。
処理室２０２の内部は、６つの処理ステージに分割されており、ターンテーブル２０１が回転することによって、シリコン基板１は、６つの処理ステージを順番に廻る。本例では、ターンテーブルが１回転すると、シリコン膜の形成処理〜シリコン膜の窒化処理の１サイクルが行われたことになる。具体的な処理の一例は、ターンテーブル２０１上に５枚のシリコン基板１を載置し、分解促進ガス、例えばジボランを先に出し、全てのシリコン基板１に分解促進の触媒となるジボランを吸着させる。この後、シリコン原料ガスを出し、全てのシリコン基板１上にシリコン膜を形成する。この後、プラズマを着火し、シリコン膜を窒化する。そのまま、ガスを流し続けた状態で、所定のサイクルに達するまで、ターンテーブル２０１を回転させ処理を続ける。
最初の処理ステージＰＳ１は、図７に示したステップ３を行うステージである。処理ステージＰＳ１においては、シリコン基板１の被処理面に向けて分解促進ガスの供給が行われる。処理ステージＰＳ１の上方には、分解促進ガスを供給するガス供給管２０３ａが配置されている。ガス供給管２０３ａは、ターンテーブル２０１に載置されて廻ってきたシリコン基板１の被処理面に向けて、分解促進ガスを供給する。処理ステージＰＳ１に対応する処理室２０２の部分には、分解促進ガスを排気する排気口２０４ａが設けられている。なお、本例において、ガスの排気方向は、ターンテーブル２０１の回転方向とは逆となる。分解促進ガスの一例は、０．１％Ｂ２Ｈ６を含むガスである。処理条件の一例は、０．１％Ｂ２Ｈ６を含むガスの流量が２５０ｓｃｃｍ、圧力が１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）である。
処理ステージＰＳ１に対して反時計回りの方向に隣り合う処理ステージは、図７に示したステップ２を行う処理ステージＰＳ２である。処理ステージＰＳ２は狭隘な空間となっており、シリコン基板１は、狭隘な空間の中をターンテーブル２０１に載置された状態でくぐり抜ける。狭隘な空間の内部には、ガス供給管２０３ｂから不活性ガスが供給され、パージ処理が行われるとともに、異なった処理ガスどうしを隔離するガス隔離エリアとしても機能する。不活性ガスの一例は、窒素ガスである。窒素ガスは、例えば、流量１０００ｓｃｃｍで供給される。
処理ステージＰＳ２に対して反時計回りの方向に隣り合う処理ステージは、図７に示したステップ１を行う処理ステージＰＳ３である。処理ステージＰＳ３においては、シリコン基板１の被処理面に向けてシリコン原料ガスの供給が行われる。処理ステージＰＳ３の上方には、シリコン原料ガスを供給するガス供給管２０３ｃが配置されている。ガス供給管２０３ｃは、ターンテーブル２０１に載置されて廻ってきたシリコン基板１の被処理面に向けて、シリコン原料ガスを供給する。処理ステージＰＳ３に対応する処理室２０２の、例えば、前段の処理ステージＰＳ２に近い部分には、シリコン原料ガスを排気する排気口２０４ｂが設けられている。シリコン原料ガス一例は、Ｓｉ２Ｈ６ガスである。処理条件の一例は、Ｓｉ２Ｈ６ガスの流量が２００ｓｃｃｍ、圧力が１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）である。
処理ステージＰＳ３に対して反時計回りの方向に隣り合う処理ステージは、図７に示したステップ４を行う処理ステージＰＳ４である。処理ステージＰＳ４は、処理ステージＰＳ２と同様に狭隘な空間となっており、ガス隔離エリアとしても機能する。狭隘な空間の内部には、ガス供給管２０３ｄから不活性ガスが供給され、シリコン基板１には、狭隘な空間をくぐりぬけながら、パージ処理が行われる。不活性ガスの一例は、窒素ガスである。窒素ガスは、例えば、流量１０００ｓｃｃｍで供給される。
処理ステージＰＳ４に対して反時計回りの方向に隣り合う処理ステージは、図７に示したステップ６を行う処理ステージＰＳ５である。処理ステージＰＳ５においては、シリコン基板１の被処理面に向けての窒化ガスの供給と、窒化ガスのプラズマ化が行われる。このため、処理ステージＰＳ５の上方には、窒化ガスを供給するガス供給管２０３ｅと、プラズマ生成機構２０５とが配置されている。ガス供給管２０３ｅは、ターンテーブル２０１に載置されて廻ってきたシリコン基板１の被処理面に向けて、窒化ガスを供給する。プラズマ生成機構２０５は、窒化ガスに対して、少なくとも活性な窒素が生成されるようにエネルギーを印加する。処理ステージＰＳ５に対応する処理室２０２の、例えば、前段の処理ステージＰＳ４に近い部分には、窒化ガスを排気する排気口２０４ｃが設けられている。窒化ガスの一例は、窒素ガスである。プラズマ着火時には、窒素ガスを流量２００ｓｃｃｍ、アルゴンガスを４５００ｓｃｃｍで供給し、プラズマ着火後、窒素ガスの流量を５０００ｓｃｃｍに切り換える。
また、処理ステージＰＳ５は、シリコン基板１を処理室２０２内に搬入、搬出する搬入搬出ステージとしても機能する。シリコン基板１は、処理室２０２内にウエハ搬入搬出口２０６を介して搬入搬出される。搬入搬出口２０６はゲートバルブ２０７によって開閉される。
処理ステージＰＳ５に対して反時計回りの方向に隣り合う処理ステージは、図７に示したステップ７を行う処理ステージＰＳ６である。処理ステージＰＳ６は、処理ステージＰＳ２、ＰＳ４と同様に狭隘な空間となっており、ガス隔離エリアとしても機能する。狭隘な空間の内部には、ガス供給管２０３ｆから不活性ガスが供給され、シリコン基板１には、狭隘な空間をくぐりぬけながら、パージ処理が行われる。
処理ステージＰＳ６に対して反時計回りの方向に隣り合う処理ステージは、上述した処理ステージＰＳ１である。これにより、ターンテーブル２０１が１回転すると、シリコン基板１には、図７に示したステップ３〜ステップ２〜ステップ１〜ステップ４〜ステップ６〜ステップ７〜ステップ３…の処理が行われることとなる。なお、処理ステージＰＳ１の排気口２０４ａは、処理室２０２の処理ステージＰＳ１の部分において、処理ステージＰＳ６に近い箇所に設けられている。
このように成膜装置２００においては、シリコン基板１が一周廻ると、図７に示したシリコン膜の形成処理〜シリコン膜の窒化処理の１サイクルが完了する。成膜装置２００では、シリコン基板１をターンテーブル２０１に載置した状態で、設定されたサイクル値ｍ回まで回転させることで、シリコン基板１の被処理面上にシリコン窒化物膜を成膜することができる。
なお、図１０に示す成膜装置２００では、シリコン膜の形成処理（ステップ３〜ステップ２〜ステップ１〜ステップ４）の設定値ｎが“１”、同じくシリコン膜の窒化処理（ステップ６〜ステップ７）の設定値ｐが“１”である。このため、成膜装置２００の厳密なシーケンスは、図１１に示すように、図７に示したシーケンスよりステップ５およびステップ８の判断処理を削除したものとなる。つまり、第２の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法は、“ｎ＝１”、“ｐ＝１”とした場合には、そのシーケンスから設定値ｎに達したか（ステップ５）、および設定値ｐに達したか（ステップ８）を削除することも可能である。
この発明の第１、第２の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法は、図１０に示すような水平型バッチ式成膜装置２００を用いることによっても、実施することができる。
＜水平型バッチ式成膜装置２００における膜厚の温度依存性＞
次に、水平型バッチ式成膜装置２００を用いて成膜されたシリコン窒化物膜の膜厚の温度依存性について説明する。
図１２は、サイクル数とシリコン窒化物膜の膜厚との関係を処理温度ごとに示す図である。なお、処理ステージＰＳ１（ステップ３）で用いる分解促進ガスはジボラン、処理ステージＰＳ３（ステップ１）で用いるシリコン原料ガスはモノシラン、処理ステージＰＳ５（ステップ６）で用いる窒化ガスはアンモニアとした。また、ターンテーブル２０１の回転数は２ｒｐｍとした。
図１２に示すように、成膜装置２００を用い、処理温度を４５０℃、４００℃、３５０℃、３００℃と変化させた。この結果、処理温度３００℃でもシリコン窒化物膜が成膜されることが確認された。成膜レートは処理温度が上がるにつれて高まり、少ないサイクル回数でより膜厚の厚いシリコン窒化物膜が成膜される。
例えば、約４０ｎｍの膜厚のシリコン窒化物膜を成膜するには、処理温度４５０℃で約１５０サイクルのところ、処理温度４００℃で約３５０サイクルである。同じく約２０ｎｍの膜厚のシリコン窒化物膜を成膜するには、処理温度４５０℃で約１００サイクル、処理温度４００℃で約１６０サイクル、処理温度３５０℃で約４００サイクルである。また、約１０ｎｍの膜厚のシリコン窒化物膜を成膜するには、処理温度４５０℃で約５０サイクル、処理温度４００℃で約９０サイクル、処理温度３５０℃で約２００サイクル、処理温度３００℃で約３３０サイクルである。
これらの結果から、膜厚が厚いシリコン窒化物膜をスループット良く成膜するには、処理温度は高い方、例えば、４００℃以上４５０℃以下を選択することが好ましく、膜厚が薄いシリコン窒化物膜を成膜する場合には処理温度３００℃以上４００℃以下を選択することが好ましい。
さらに、図１２には、成膜されたシリコン窒化物膜の膜厚の面内均一性が数字により示されている。処理温度が４５０℃で、膜厚が約４０ｎｍの面内均一性は４２．５８（±％）である。処理温度が４００℃で、膜厚が約４０ｎｍの面内均一性は３９．２１（±％）である。しかし、処理温度が４００℃で、膜厚が約２８ｎｍでは面内均一性が３１．８４（±％）と向上しており、比較的良好な結果が得られた。
また、処理温度３５０℃では、膜厚が約２５ｎｍで２９．８１（±％）、膜厚が約９ｎｍで２９．７５（±％）と、３０（±％）以下の良好な結果が得られた。なお、処理温度３００では、膜厚が約５ｎｍで４１．３５（±％）であった。
これらの結果から、シリコン窒化物膜の膜厚の面内均一性に、例えば、３０（±％）付近、もしくは３０（±％）以下を得ようとする場合には、処理温度は３００℃以上４００℃以下の範囲に設定されることが好ましい。
＜成膜装置２００におけるシリコン窒化物膜の膜質＞
次に、水平型バッチ式成膜装置２００を用いて成膜されたシリコン窒化物膜の膜質について説明する。
図１３は、処理温度とシリコン窒化物膜の屈折率との関係を示す図である。なお、屈折率は光の波長が約６３２ｎｍの場合のものを示している。
図１３に示すように、処理温度３００℃〜処理温度４５０℃の範囲において、成膜されたシリコン窒化物膜の屈折率は、１．９０以上１．９７以下の範囲となっている。この結果から、水平型バッチ式成膜装置２００を用いて成膜された膜は、良好なシリコン窒化物膜であることが確認された。
このように、この発明の実施形態に係るシリコン窒化物の成膜方法は、図１０に示したような水平型バッチ式の成膜装置２００を用いても、充分に実施することができる。
＜水平型バッチ式成膜装置の変形例＞
次に、水平型バッチ式成膜装置の変形例について説明する。
図１４Ａは水平型バッチ式成膜装置における処理ステージの第１例を示す図、図１４Ｂは水平型バッチ式成膜装置における処理ステージの第２例を示す図、図１４Ｃは水平型バッチ式成膜装置における処理ステージの第３例を示す図である。
図１４Ａには、図１０に示した水平型バッチ式成膜装置２００における処理ステージが示されている。図１４に示すように、図１０に示した水平型バッチ式成膜装置２００では、処理室２０２の内部が、６つの処理ステージＰＳ１〜ＰＳ６に分かれており、ターンテーブル２０１が１回転すると、シリコン膜の形成処理（ステップ３〜ステップ２〜ステップ１〜ステップ４）とシリコン膜の窒化処理（ステップ６〜ステップ７）とからなる１サイクルが行われる。つまり、水平型バッチ式成膜装置２００においては、ターンテーブル２０１が１回転＝１サイクルとなる。
これに対し、図１４Ｂに示す水平型バッチ式成膜装置２００ａでは、処理室２０２の内部が、１２の処理ステージＰＳ１〜ＰＳ１２に分かれ、図１４Ａに示した水平型バッチ式成膜装置２００に比較して、処理ステージＰＳ１〜ＰＳ６が２回繰り返されるようになっている。つまり、水平型バッチ式成膜装置２００ａにおいては、ターンテーブル２０１が１回転＝２サイクルとなる。
このように、処理室２０２の処理ステージは、ターンテーブル２０１が１回転すると、複数回のサイクルが実施されるように分割することも可能である。
さらに、図１４Ｃに示す水平型バッチ式成膜装置２００ｂでは、図１４Ｂに示した水平型バッチ式成膜装置２００ｃに比較して、処理ステージＰＳ５およびＰＳ６が省略され、処理室２０２の内部が、１０の処理ステージＰＳ１〜ＰＳ４、ＰＳ７〜ＰＳ１２に分かれている。このように処理ステージを分割した場合には、図７に示した成膜シーケンスのうち、シリコン膜の形成処理の設定値ｎが“２”に設定されたことになる。
このように、処理室２０２の処理ステージは、ターンテーブル２０１が１回転すると、複数回のシリコン膜の形成処理と１回のシリコン膜の窒化処理とが実施されるように分割することも可能である。
このように、この発明の第１、第２の実施形態によれば、ハードの改良だけに依存することなく、かつ、膜の均一性、電気的又は物理的特性、および加工性等のユーザーからの要求を満足しつつ、成膜装置の生産性を向上させることが可能なシリコン窒化物膜の成膜方法、およびその成膜方法を実行する成膜装置を提供できる。
以上、この発明を第１、第２の実施形態に従って説明したが、この発明は、上記第１、第２の実施形態に限定されることは無く、その趣旨を逸脱しない範囲で種々変形可能である。
例えば、上記第１、第２の実施形態においては、処理条件を具体的に例示したが、処理条件は、上記具体的な例示に限られるものではなく、例えば、処理室１０１内の容積等に応じて、適宜変更が可能である。
また、上記第１、第２の実施形態は、成膜処理をバッチ式成膜装置において行う例を示したが、枚葉式成膜装置において行うことも可能である。また、バッチ式成膜装置は、縦型に限られるものではなく、横型のバッチ式成膜装置において行うことも可能である。
その他、この発明はその要旨を逸脱しない範囲で様々に変形することができる。
１…シリコン基板、２−１〜２−９…第１層〜第９層シリコン層、３…ボロン原子、４−１〜４−３…第１層〜第３層シリコン膜、５…シリコン窒化物膜、５−１〜５−３…第１層〜第３層シリコン窒化物膜。

Claims (18)

  1. 被処理体の被処理面上にシリコン窒化物膜を成膜するシリコン窒化物膜の成膜方法であって、
    (１) 前記被処理面に向け、シリコンを含むシリコン原料ガスの分解を促進させる物質を含む分解促進ガスを供給した後、前記被処理面に向け、前記シリコンを含むシリコン原料ガスを供給する工程と、
    (２) 前記被処理面に向け、窒素を含む窒化ガスを供給する工程と、を備え、
    前記(１)工程から前記(２)工程までのシーケンスを１サイクルとし、
    前記１サイクルをｍサイクル行い（ただし、ｍは１回以上の有限値）、シリコン窒化物膜を、前記被処理面上に成膜することを特徴とするシリコン窒化物膜の成膜方法。
  2. 前記(１)工程は、被処理面上へのシリコンの吸着が始まる吸着開始温度以上、シリコンのＣＶＤ成長が始まるＣＶＤ成長開始温度未満の温度帯で行うことを特徴とする請求項１に記載のシリコン窒化物膜の成膜方法。
  3. 前記(１)工程は、１００℃以上４００℃未満の温度帯で行うことを特徴とする請求項２に記載のシリコン窒化物膜の成膜方法。
  4. 前記(１)工程は、被処理面上へのシリコンの吸着が始まる吸着開始温度以上、シリコンのＣＶＤ成長への遷移が始まるＣＶＤ成長遷移開始温度未満の温度帯で行うことを特徴とする請求項１に記載のシリコン窒化物膜の成膜方法。
  5. 前記（１）工程は、シリコンの吸着で行うことを特徴とする請求項４に記載のシリコン窒化物膜の成膜方法。
  6. 前記(１)工程は、１００℃以上３００℃未満の温度帯で行うことを特徴とする請求項４又は請求項５に記載のシリコン窒化物膜の成膜方法。
  7. 前記分解促進ガスは、ハロゲン元素を含まないことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のシリコン窒化物膜の成膜方法。
  8. 前記シリコン原料ガスの分解を促進させる物質は、ボロンであることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のシリコン窒化物膜の成膜方法。
  9. 前記分解促進ガスは、ボラン系ガスであることを特徴とする請求項８に記載のシリコン窒化物膜の成膜方法。
  10. 前記シリコン原料ガスは、ハロゲン元素を含まないことを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか一項に記載のシリコン窒化物膜の成膜方法。
  11. 前記シリコン原料ガスは、シラン系ガスであることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載のシリコン窒化物膜の成膜方法。
  12. 前記(１)工程から前記(２)工程を同一温度で行うことを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載のシリコン窒化物膜の成膜方法。
  13. 前記窒化ガスにはエネルギーを印加して活性な窒素を生成し、前記活性な窒素を前記被処理面に向け、供給することを特徴とする請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載のシリコン窒化物膜の成膜方法。
  14. 被処理体の被処理面上にシリコン窒化物膜を成膜する成膜装置であって、
    被処理体に、成膜処理を施す処理室と、
    前記処理室に、シリコン原料ガスを供給するシリコン原料ガス供給機構と、
    前記処理室に、分解促進ガスを供給する分解促進ガス供給機構と、
    前記処理室に、窒化ガスを供給する窒化ガス供給機構と、
    前記処理室を加熱する加熱機構と、
    前記成膜処理に際し、請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載のシリコン窒化物膜の成膜方法が実行されるように、前記シリコン原料ガス供給機構、前記分解促進ガス供給機構、前記窒化ガス供給機構、および前記加熱機構を制御する制御部と
    を具備することを特徴とする成膜装置。
  15. 前記窒化ガスに少なくとも窒素ラジカルが生成されるようにエネルギーを印加するエネルギー印加機構を、さらに備え、
    前記制御部は、請求項１３に記載のシリコン窒化物膜の成膜方法が実行されるように、前記エネルギー印加機構を制御することを特徴とする請求項１４に記載の成膜装置。
  16. 前記処理室内には、前記被処理体が高さ方向に沿って複数枚収容されることを特徴とする請求項１４又は請求項１５に記載の成膜装置。
  17. 前記処理室内には、前記被処理体が回転するターンテーブル上に周方向に沿って複数枚収容され、
    前記処理室の内部は、請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載のシリコン窒化物膜の成膜方法が実行されるように、複数の処理ステージに分割されていることを特徴とする請求項１４に記載の成膜装置。
  18. 前記処理室内には、前記被処理体が回転するターンテーブル上に周方向に沿って複数枚収容され、
    前記処理室の内部は、請求項１３に記載のシリコン窒化物膜の成膜方法が実行されるように、複数の処理ステージに分割されていることを特徴とする請求項１５に記載の成膜装置。
JP2014170202A 2013-10-07 2014-08-25 シリコン窒化物膜の成膜方法および成膜装置 Active JP6267080B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014170202A JP6267080B2 (ja) 2013-10-07 2014-08-25 シリコン窒化物膜の成膜方法および成膜装置
TW103134765A TWI604082B (zh) 2013-10-07 2014-10-06 矽氮化物膜之成膜方法
US14/506,881 US9263250B2 (en) 2013-10-07 2014-10-06 Method and apparatus of forming silicon nitride film
KR1020140135241A KR101921359B1 (ko) 2013-10-07 2014-10-07 실리콘 질화물 막의 성막 방법 및 성막 장치
US14/984,139 US9920422B2 (en) 2013-10-07 2015-12-30 Method and apparatus of forming silicon nitride film

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013210456 2013-10-07
JP2013210456 2013-10-07
JP2014170202A JP6267080B2 (ja) 2013-10-07 2014-08-25 シリコン窒化物膜の成膜方法および成膜装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015097255A JP2015097255A (ja) 2015-05-21
JP6267080B2 true JP6267080B2 (ja) 2018-01-24

Family

ID=52777285

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014170202A Active JP6267080B2 (ja) 2013-10-07 2014-08-25 シリコン窒化物膜の成膜方法および成膜装置

Country Status (4)

Country Link
US (2) US9263250B2 (ja)
JP (1) JP6267080B2 (ja)
KR (1) KR101921359B1 (ja)
TW (1) TWI604082B (ja)

Families Citing this family (284)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
JP2014192485A (ja) * 2013-03-28 2014-10-06 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置
JP6267080B2 (ja) * 2013-10-07 2018-01-24 東京エレクトロン株式会社 シリコン窒化物膜の成膜方法および成膜装置
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102264257B1 (ko) * 2014-12-30 2021-06-14 삼성전자주식회사 막 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
CN107614749A (zh) * 2015-05-22 2018-01-19 美国道康宁公司 五氯二硅烷
TWI663281B (zh) 2015-06-16 2019-06-21 美商慧盛材料美國責任有限公司 鹵代矽烷化合物的製備方法、組合物及含有其的容器
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10410857B2 (en) * 2015-08-24 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Formation of SiN thin films
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US9633838B2 (en) * 2015-12-28 2017-04-25 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Vapor deposition of silicon-containing films using penta-substituted disilanes
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
JP6635839B2 (ja) * 2016-03-23 2020-01-29 東京エレクトロン株式会社 窒化膜の形成方法
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
JP6573575B2 (ja) * 2016-05-02 2019-09-11 東京エレクトロン株式会社 凹部の埋め込み方法
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
WO2018057677A1 (en) * 2016-09-26 2018-03-29 Dow Corning Corporation Trichlorodisilane
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP6733516B2 (ja) * 2016-11-21 2020-08-05 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11011371B2 (en) * 2016-12-22 2021-05-18 Applied Materials, Inc. SiBN film for conformal hermetic dielectric encapsulation without direct RF exposure to underlying structure material
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
JP6728087B2 (ja) * 2017-02-22 2020-07-22 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
TWI754041B (zh) * 2017-04-18 2022-02-01 日商東京威力科創股份有限公司 被處理體之處理方法
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
JP6873007B2 (ja) 2017-08-09 2021-05-19 東京エレクトロン株式会社 シリコン窒化膜の成膜方法及び成膜装置
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
JP6832808B2 (ja) * 2017-08-09 2021-02-24 東京エレクトロン株式会社 シリコン窒化膜の成膜方法及び成膜装置
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
KR102633318B1 (ko) 2017-11-27 2024-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 청정 소형 구역을 포함한 장치
JP6929209B2 (ja) 2017-12-04 2021-09-01 東京エレクトロン株式会社 シリコン窒化膜の成膜方法及び成膜装置
JP6987948B2 (ja) * 2017-12-20 2022-01-05 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置、およびプログラム
JP6910311B2 (ja) * 2018-01-04 2021-07-28 東京エレクトロン株式会社 成膜時間の設定方法
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
WO2019158960A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TW202405221A (zh) 2018-06-27 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
TWI751420B (zh) 2018-06-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ知識產權私人控股有限公司 薄膜沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
JP7085929B2 (ja) 2018-07-13 2022-06-17 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
JP7003011B2 (ja) * 2018-07-27 2022-01-20 東京エレクトロン株式会社 シリコン窒化膜の成膜方法及び成膜装置
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP7090568B2 (ja) 2019-01-30 2022-06-24 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
JP7169931B2 (ja) * 2019-04-11 2022-11-11 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、半導体装置の製造方法、成膜装置、および半導体装置を製造するシステム
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP7200880B2 (ja) * 2019-08-19 2023-01-10 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
CN110714709B (zh) * 2019-11-15 2020-12-18 浙江兆事达智能家居股份有限公司 一种具有自触发功能的防火卷帘
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202143328A (zh) * 2020-04-21 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於調整膜應力之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
KR20220081905A (ko) 2020-12-09 2022-06-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 증착용 실리콘 전구체
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
CN113025991B (zh) * 2021-02-26 2022-07-22 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的制作方法
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06349741A (ja) * 1993-06-03 1994-12-22 Toshiba Corp 薄膜の形成方法
US6962876B2 (en) * 2002-03-05 2005-11-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for forming a low-k dielectric layer for a semiconductor device
KR100449028B1 (ko) * 2002-03-05 2004-09-16 삼성전자주식회사 원자층 증착법을 이용한 박막 형성방법
JP4179311B2 (ja) 2004-07-28 2008-11-12 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP4506677B2 (ja) * 2005-03-11 2010-07-21 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
US20070087581A1 (en) 2005-09-09 2007-04-19 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Technique for atomic layer deposition
JP5384291B2 (ja) * 2008-11-26 2014-01-08 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置
JP2009065209A (ja) * 2008-12-16 2009-03-26 Seiko Epson Corp 光センサ、光センサの読取方法、マトリクス型光センサ回路および電子機器
JP2010251654A (ja) 2009-04-20 2010-11-04 Elpida Memory Inc 成膜方法および半導体装置の製造方法
JP2011023576A (ja) * 2009-07-16 2011-02-03 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP5696530B2 (ja) 2010-05-01 2015-04-08 東京エレクトロン株式会社 薄膜の形成方法及び成膜装置
JP5625624B2 (ja) * 2010-08-27 2014-11-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
US8563443B2 (en) * 2011-02-18 2013-10-22 Asm Japan K.K. Method of depositing dielectric film by ALD using precursor containing silicon, hydrocarbon, and halogen
CN103620745B (zh) * 2011-08-25 2016-09-21 株式会社日立国际电气 半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质
JP5741382B2 (ja) * 2011-09-30 2015-07-01 東京エレクトロン株式会社 薄膜の形成方法及び成膜装置
JP2013191770A (ja) * 2012-03-14 2013-09-26 Tokyo Electron Ltd 成膜装置の安定化方法及び成膜装置
JP6267080B2 (ja) * 2013-10-07 2018-01-24 東京エレクトロン株式会社 シリコン窒化物膜の成膜方法および成膜装置

Also Published As

Publication number Publication date
US9263250B2 (en) 2016-02-16
TW201520358A (zh) 2015-06-01
TWI604082B (zh) 2017-11-01
US9920422B2 (en) 2018-03-20
US20160108519A1 (en) 2016-04-21
KR101921359B1 (ko) 2018-11-22
US20150099374A1 (en) 2015-04-09
JP2015097255A (ja) 2015-05-21
KR20150040769A (ko) 2015-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6267080B2 (ja) シリコン窒化物膜の成膜方法および成膜装置
TWI529835B (zh) 膜形成方法及膜形成設備
JP5689398B2 (ja) 窒化シリコン膜の成膜方法及び成膜装置
JP6246558B2 (ja) シリコン酸炭窒化物膜、シリコン酸炭化物膜、シリコン酸窒化物膜の成膜方法および成膜装置
JP4434149B2 (ja) 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
KR101122964B1 (ko) 반도체 처리용 종형 플라즈마 처리 장치 및 처리 방법과 반도체 처리용 종형 플라즈마 성막 장치
JP5514129B2 (ja) 成膜方法、成膜装置、および成膜装置の使用方法
JP5202372B2 (ja) 成膜装置のメタル汚染低減方法、半導体装置の製造方法、記憶媒体及び成膜装置
JP2018022716A (ja) 窒化膜の形成方法および形成装置
JP2008306093A (ja) 成膜方法及び成膜装置
KR20080020963A (ko) 반도체 처리용의 성막 방법 및 장치
JP2010010497A (ja) 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP2008109093A (ja) 成膜方法および成膜装置
KR101726946B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
JP6255335B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
JPWO2018154823A1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP6087609B2 (ja) 金属化合物膜の成膜方法、成膜装置、および電子製品の製造方法
JP2017168788A (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
KR20150142590A (ko) ＳｉＣＮ막의 성막 방법
KR20150094513A (ko) 금속 산화물막의 성막 방법 및 성막 장치
JP6501560B2 (ja) シリコン窒化物膜の成膜方法および成膜装置
JP6452787B2 (ja) シリコン酸炭窒化物膜の成膜方法および成膜装置
JP6211941B2 (ja) 成膜方法および成膜装置
JP6345136B2 (ja) 炭素含有シリコン窒化物膜の成膜方法および成膜装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170126

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20171020

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171031

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171206

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20171219

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6267080

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250