JP6260168B2 - 脆性材料基板の加工方法および加工装置 - Google Patents
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Description
請求項5の発明は、請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の脆性材料基板の加工方法であって、前記溶融アブレーション工程においては、オーバーラップがない場合にはアブレーションが生じることのないレーザ強度の単パルス光をオーバーラップさせた前記パルスレーザ光の照射によって前記溶融アブレーションを生じさせる、ことを特徴とする。
請求項6の発明は、請求項5に記載の脆性材料基板の加工方法であって、前記パルスレーザ光は波長が355nmのUVレーザであり、前記溶融アブレーション工程においては、レーザ出力:4W〜20W;レーザ強度:1.56×10 10 W/cm 2 〜7.81×10 10 W/cm 2 ;パルス繰り返し周波数:0.2MHz〜1.0MHz;パルス幅:0.5ns〜100ns;走査速度:100mm/s〜400mm/s;オーバーラップ率:93.5%〜98.25%;集光位置における集光径:6μm〜10μm、という条件で前記パルスレーザ光が照射される、ことを特徴とする。
図1は、本発明の実施の形態に係るレーザ加工装置10の概略構成を模式的に示す図である。レーザ加工装置10は、レーザ光源1と、ミラー機構2と、レンズ機構3と、XYステージ4と、冷却機構5と、を主に備える。本実施の形態に係るレーザ加工装置10は、ガラス基板等の脆性材料基板(以下、単に基板)Wを対象とする、後述する態様での溶融アブレーション加工を、好適に実行可能なものとして構成されてなる。
次に、本実施の形態において行う、パルスレーザ光LBによる溶融アブレーション加工について説明する。本実施の形態においては、基板Wをその表面にあらかじめ設定されてなる直線状の加工予定線(分断予定線)に沿って分断する際に起点となる部位を形成する目的で、溶融アブレーション加工を行うものとする。すなわち、本実施の形態に係る溶融アブレーション加工は、直線状の加工予定線に沿って溶融アブレーションを生じさせるものである。
レーザ強度:1.56×1010W/cm2〜7.81×1010W/cm2;
パルス繰り返し周波数:0.2MHz〜1.0MHz;
パルス幅:0.5ns〜100ns;
走査速度:100mm/s〜400mm/s;
オーバーラップ率:93.5%〜98.25%;
集光位置における集光径:6μm〜10μm
以上のような態様にて溶融アブレーション加工がなされた基板Wは、当該加工後の状態のままでも、亀裂CRの最下端部を起点とした分断を行い得るものではあるが、本実施の形態においては、上述した態様にて形成された亀裂CRをより伸展させるべく、図3(c)に示すように、溶融アブレーション加工がなされた直後の基板Wの上面Waに対し、矢印AR2に示すような態様にて冷媒を接触させることで、基板Wを上面Waの側から冷却する。
レーザ波長:355nm;
レーザ出力:12.0W;
レーザ強度:4.69×1010W/cm2;
パルス繰り返し周波数:1MHz;
パルス幅:1ns;
走査速度:350mm/s;
オーバーラップ率:93.9%;
集光位置:基板表面;
集光位置における集光径:6μm。
レーザ波長:355nm;
レーザ出力:4.0W;
レーザ強度:1.56×1010W/cm2;
パルス繰り返し周波数:1MHz;
パルス幅:1ns;
走査速度:100mm/s;
オーバーラップ率:98.3%;
集光位置:基板表面;
集光位置における集光径:6μm。
2 ミラー機構
3 レンズ機構
4 XYステージ
5 冷却機構
10 レーザ加工装置
CM 冷却媒体
CR 亀裂
E (溝部Gαの)エッジ
F 集光位置
G、Gα、Gβ 溝
G1 (溝部Gの)上端部
G2 (溝部Gの)中間部
G3 (溝部Gの)底部
LB パルスレーザ光
S1、S3 引張応力
S2、S4 圧縮応力
W 基板
Wa (基板Wの)上面
Wb (基板Wの)下面
Claims (7)
- 脆性材料基板を分断予定位置に沿って加工する方法であって、
パルスレーザ光を集光して、前記脆性材料基板の表面に、前記分断予定位置に沿って走査しつつ照射することにより、前記分断予定位置に沿った溝部を形成するとともに前記溝部から前記基板の厚み方向へと伸展する亀裂を形成する、溶融アブレーション工程と、
前記溶融アブレーション工程を経た前記脆性材料基板の表面を冷却する冷却工程と、
を備え、
前記溶融アブレーション工程においては、前記パルスレーザ光の被照射領域のうち前記パルスレーザ光の前記集光位置の直下に位置する第1の領域における前記脆性材料基板の構成物質の蒸発および飛散と、前記第1の領域に隣接する第2の領域における前記構成物質の溶融および再固化とを生じさせる、溶融アブレーションが生じる照射条件にて、前記パルス光を照射することにより、前記溝部の対向する1対のエッジをなす部分である前記溝部の上端部が、前記脆性材料基板の上面から連続する曲面として形成される、
ことを特徴とする脆性材料基板の加工方法。 - 請求項1に記載の脆性材料基板の加工方法であって、
前記パルスレーザ光はUVレーザである、
ことを特徴とする脆性材料基板の加工方法。 - 請求項1または請求項2に記載の脆性材料基板の加工方法であって、
前記冷却工程においては液体、気体または液体と気体の混合物により前記脆性材料基板の表面を冷却する、
ことを特徴とする脆性材料基板の加工方法。 - 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の脆性材料基板の加工方法であって、
前記溶融アブレーション工程においては、前記溝部が、前記上端部と、中間部と、底部との3つの部位からなるように形成され、
前記中間部は、それぞれが前記上端部から連続する、前記脆性材料基板の厚み方向に沿った一対の面が、対向するようにあるいは前記上端部の近傍よりも前記底部の近傍の方が間隔が広くなるような平坦面あるいは曲面として形成され、
前記底部は、前記中間部をなす前記一対の面のそれぞれと連続してなる曲面として形成される、
ことを特徴とする脆性材料基板の加工方法。 - 請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の脆性材料基板の加工方法であって、
前記溶融アブレーション工程においては、オーバーラップがない場合にはアブレーションが生じることのないレーザ強度の単パルス光をオーバーラップさせた前記パルスレーザ光の照射によって前記溶融アブレーションを生じさせる、
ことを特徴とする脆性材料基板の加工方法。 - 請求項5に記載の脆性材料基板の加工方法であって、
前記パルスレーザ光は波長が355nmのUVレーザであり、
前記溶融アブレーション工程においては、
レーザ出力:4W〜20W;
レーザ強度:1.56×10 10 W/cm 2 〜7.81×10 10 W/cm 2 ;
パルス繰り返し周波数:0.2MHz〜1.0MHz;
パルス幅:0.5ns〜100ns;
走査速度:100mm/s〜400mm/s;
オーバーラップ率:93.5%〜98.25%;
集光位置における集光径:6μm〜10μm、
という条件で前記パルスレーザ光が照射される、
ことを特徴とする脆性材料基板の加工方法。 - 脆性材料基板表面の分断予定位置に沿ってレーザ光を照射するレーザ加工装置であって、
パルスレーザを出射するレーザ光源と、
前記パルスレーザを集光して前記脆性材料基板の表面に照射する照射レンズ機構と、
前記脆性材料基板の表面に冷媒を供給する冷却機構と、
前記レンズ機構及び冷却機構が脆性材料基板表面の分断予定位置に沿って相対的に移動するように前記脆性材料基板を移動させる移動機構と、
を備え、
前記集光されるパルスレーザ光は、前記パルスレーザ光の被照射領域のうち前記パルスレーザ光の前記集光位置の直下に位置する第1の領域における前記脆性材料基板の構成物質の蒸発および飛散と、前記第1の領域に隣接する第2の領域における前記構成物質の溶融および再固化とを生じさせる、溶融アブレーションが生じる条件で前記脆性材料基板の表面に照射され、
前記冷却機構は、前記パルスレーザが照射された脆性材料基板の表面に冷媒を供給する、
ことを特徴とする脆性材料基板の加工装置。
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