JP6257774B2 - コンデンサのためのポリカーボネートフィルム、製造方法、およびこれから製造された物品 - Google Patents

Description

この開示はポリマフィルムに関し、特に、コンデンサの製造に有用なポリマフィルムに関する。

高い容積エネルギ密度、高い動作温度、および長寿命を有する静電フィルムコンデンサはパルスパワー、自動車、および工業電子装置のための重要な構成要素である。コンデンサは絶縁（誘電）フィルムの薄層により分離された２つの平行な導電板を有する、本質的にエネルギを蓄える装置である。電圧が板を横切って印加されると、誘電体中の電場が電荷を移動させ、よって、エネルギが蓄えられる。コンデンサにより蓄えられるエネルギの量は、絶縁材料の比誘電率および降伏電圧、およびフィルムの寸法（総面積および厚さ）に依存し、よって、コンデンサが蓄積することができるエネルギの総量を最大化するために、フィルムの比誘電率および降伏電圧が最大化され、フィルムの厚さが最小化される。コンデンサにおける誘電材料の物理的特性はコンデンサの性能に対する主な決定因子であるので、コンデンサにおける誘電材料の物理的特性の１つ以上の改善により、コンデンサ部品において対応する性能が得られ、通常、電子装置またはこれが埋め込まれた製品の性能および寿命増強が得られる。

二軸配向ポリプロピレン（ＢＯＰＰ）から製造された静電フィルムコンデンサは、電化製品、電子機器、オーブンおよび炉、冷蔵庫、自動車、および家庭用電気製品などの、低い誘電正接、高い絶縁抵抗および低い誘電吸収を必要とする用途で使用されている。しかしながら、約２．２である低比誘電率（ＤＫ）、および約１００℃の最大使用温度が、高い動作温度および／または高いエネルギ密度を必要とする用途でのこれらのコンデンサの使用を制限する。

したがって、優れた電気特性、特に高い破壊強度の新規フィルムおよびそれらのフィルムを生成させることができる製造方法が必要とされたままである。そのようなフィルムが、ＢＯＰＰフィルムより高い温度で動作することができたなら、さらなる利点となるであろう。

第１の繰り返し単位および第１の繰り返し単位とは異なる第２の繰り返し単位を含むフタルイミジンコポリカーボネートであって、第１の繰り返し単位はフタルイミジンカーボネート単位：
であり、
式中、Ｒ^ａおよびＲ^ｂはそれぞれ独立して、Ｃ_１−１２アルキル、Ｃ_１−１２アルケニル、Ｃ_３−８シクロアルキル、またはＣ_１−１２アルコキシであり、ｐおよびｑはそれぞれ独立して０から４であり、各Ｒ^３は独立してＣ_１−６アルキルであり、ｊは０から４であり、およびＲ^４は水素、Ｃ_１−６アルキル、または任意で１から５つのＣ_１−６アルキル基で置換されたフェニルであり、ならびに、第２の繰り返し単位は第１の繰り返しフタルイミジンカーボネート単位とは同じではないビスフェノールカーボネート単位を含む、フタルイミジンコポリカーボネートと、フタルイミジンコポリカーボネートではない第２のポリカーボネートとを含む、フィルムが本明細書で開示され、ここで、フィルムは、下記を有する：１７０℃超のガラス転移温度（ａ ｇｌａｓｓ ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ（ａ ｇｌａｓｓ ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ））、１ｋＨｚ、２３℃および５０％相対湿度で、少なくとも３．０の比誘電率、１ｋＨｚ、２３℃および５０％相対湿度で、１％またはそれ以下の誘電正接、ならびに少なくとも８００ボルト／マイクロメートルの破壊強度。

フィルムの生成方法は、フタルイミジンコポリカーボネートおよび第２のポリカーボネートを含むフィルム形成組成物を押し出す工程を含む。

上記フィルムを含む物品もまた、開示される。

別の実施形態では、コンデンサは物品を含む。

コンデンサを含む電子装置もまた、開示される。

以上で記載される、および他の特徴は、下記図面、詳細な説明、実施例、および特許請求の範囲により実証される。

図面の説明を提供するが、これらは例示的であり、制限するものではないことが意味される。

フィルムを巻回して試験箔コンデンサとしたパターンを示す。

この発明者らは、優れた破壊強度を有するフィルムが、予想外にフタルイミジンコポリカーボネート、例えばＮ−フェニルフェノールフタレイニルビスフェノール、２，２−ビス（４−ヒドロ）−ビスフェノールＡコポリカーボネート（「ＰＰＰＢＰ−ＢＰＡ」）および第２のポリカーボネート、例えばＢＰＡホモポリマを含むポリカーボネート組成物から得られることを発見した。さらに有利な特徴では、フィルムは、広い周波数および温度範囲にわたって、高いガラス転移温度、高い比誘電率または低い誘電正接を有することができる。

特に、フィルムは、先行技術のフィルムに比べ、誘電破壊強度の増加を提供しながら、他の有利な物理および電気特性、例えば良好な耐熱性、改善されたエネルギ密度、低減されたエネルギ損失、および望ましい比誘電率安定性を保持したままである。例えば、フィルムは、少なくとも８００ボルト／マイクロメートルの電圧破壊強度、１ｋＨｚ、２３℃および５０％相対湿度での３．０超の比誘電率、１ｋＨｚ、２３℃および５０％相対湿度での１％未満の誘電正接、および１５０℃超のガラス転移温度を有することができる。したがって、フィルムおよびフィルムから製造されたコンデンサは、現在の材料を超える利点を提供し、製造される高エネルギおよび高温コンデンサは様々な適用、例えば自動車用インバータ適用において有用である。

フィルム中で使用されるフタルイミジンコポリカーボネートは、第１および第２の繰り返しカーボネート単位を有し、ここで、第１のカーボネート単位はフタルイミジンカーボネート単位であり、第２のカーボネート単位はフタルイミジンカーボネート単位ではない。第１の繰り返し単位は、式（１）のフタルイミジンカーボネート単位：
であり、
式中、Ｒ^ａおよびＲ^ｂはそれぞれ独立して、Ｃ_１−１２アルキル、Ｃ_１−１２アルケニル、Ｃ_３−８シクロアルキル、またはＣ_１−１２アルコキシ、とりわけＣ_１−３アルキルであり、ｐおよびｑはそれぞれ独立して０から４、とりわけ０から１であり、各Ｒ^３は独立してＣ_１−６アルキルであり、ｊは０から４であり、およびＲ^４は水素、Ｃ_１−６アルキルまたは任意で１から５つのＣ_１−６アルキル基で置換されたフェニルである。一実施形態では、Ｒ^ａおよびＲ^ｂはそれぞれ独立して、Ｃ_１−３アルキルである。例えば、フタルイミジンカーボネート単位は式（１ｂ）：
を有することができ、
式中、Ｒ^５は水素、任意で５つまでのＣ_１−６アルキル基で置換されたフェニル、またはＣ_１−４アルキルである。一実施形態では、Ｒ^５は水素、フェニル、またはメチルである。Ｒ^５がフェニルであるカーボネート単位（１ｂ）は、２−フェニル−３，３’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フタルイミジン（Ｎ−フェニルフェノールフタレインビスフェノール、または「ＰＰＰＢＰ」としても知られており、３，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２−フェニルイソインドリン−１−オンとしても知られている）から誘導することができる。

第２の繰り返し単位は式（２）のビスフェノールカーボネート単位：
であり、
式中、Ｒ^ａおよびＲ^ｂはそれぞれ独立して、Ｃ_１−１２アルキル、Ｃ_１−１２アルケニル、Ｃ_３−８シクロアルキル、またはＣ_１−１２アルコキシであり、ｐおよびｑはそれぞれ独立して０から４であり、ならびにＸ^ａは、２つのアリーレン基間の架橋基であり、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（Ｏ）−、−Ｓ（Ｏ）_２−、−Ｃ（Ｏ）−、またはＣ_１−３２架橋炭化水素基であり、ただしＸ^ａはフタルイミジン基ではないことを条件とする。一実施形態では、Ｘ^ａは式−Ｃ（Ｒ^ｃ）（Ｒ^ｄ）−のＣ_１−１１アルキリデン（式中、Ｒ^ｃおよびＲ^ｄはそれぞれ独立して、水素またはＣ_１−１０アルキルである）、または式−Ｃ（＝Ｒ^ｅ）−の基（式中、Ｒ^ｅは二価Ｃ_１−１０炭化水素基である）である。例示的なＸ^ａ基としては、メチレン、エチリデン、ネオペンチリデン、およびイソプロピリデンが挙げられる。架橋基Ｘ^ａおよび各Ｃ_６アリーレン基のカーボネート酸素原子はＣ_６アリーレン基上で互いにオルト、メタ、またパラ（特定的にはパラ）に配置することができる。

特定の実施形態では、Ｒ^ａおよびＲ^ｂはそれぞれ独立して、Ｃ_１−３アルキル基であり、ｐおよびｑはそれぞれ独立して０から１であり、Ｘ^ａは単結合、−Ｏ−、−Ｓ（Ｏ）−、−Ｓ（Ｏ）_２−、−Ｃ（Ｏ）−、式−Ｃ（Ｒ^ｃ）（Ｒ^ｄ）−のＣ_１−９アルキリデン（式中、Ｒ^ｃおよびＲ^ｄはそれぞれ独立して、水素またはＣ_１−８アルキルである）、または式−Ｃ（＝Ｒ^ｅ）−の基（式中、Ｒ^ｅは二価Ｃ_１−９炭化水素基である）である。別の特定の実施形態では、Ｒ^ａおよびＲ^ｂはそれぞれ独立して、メチル基であり、ｐおよびｑはそれぞれ独立して０から１であり、ならびにＸ^ａは単結合、式−Ｃ（Ｒ^ｃ）（Ｒ^ｄ）−のＣ_１−７アルキリデン（式中、Ｒ^ｃおよびＲ^ｄはそれぞれ独立して、水素またはＣ_１−６アルキルである）である。一実施形態では、ｐおよびｑはそれぞれ１であり、ならびにＲ^ａおよびＲ^ｂはそれぞれ、各環上で酸素に対しメタに配置されたＣ_１−３アルキル基、特定的にはメチルである。ビスフェノールカーボネート単位（２）は、ビスフェノールＡから誘導することができ、ここで、ｐおよびｑはどちらも０であり、Ｘ^ａはイソプロピリデンである。

第２の単位（２）を生成させるために使用することができる他の特定のビスフェノール化合物のいくつかの例示的な例としては、４，４’−ジヒドロキシビフェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−（３−ヒドロキシフェニル）プロパン、１、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−エチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ｎ−プロピル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ｓｅｃ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メトキシ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、または前記ビスフェノール化合物の少なくとも１つを含む組み合わせが挙げられる。フタルイミジンコポリカーボネート。

第１のフタルイミジンカーボネート単位（１）および第２のビスフェノールカーボネート単位（２）の相対モル比は、コポリカーボネートの所望の特性、例えばガラス転移温度（「Ｔｇ」）、衝撃強度、延性、流れ、および同様の留意事項によって、９９：１から１：９９まで変動し得る。例えば、単位（１）：単位（２）のモル比は９０：１０から１０：９０、８０：２０から２０：８０、７０：３０から３０：７０、または６０：４０から４０：６０までとすることができる。特定の実施形態では、フタルイミドコポリカーボネートはＰＰＰＢＰ−ＢＰＡであり、単位（２）に対する単位（１）のモル比は１：９９から５０：５０、または１０：９０から４５：５５とすることができる。

他のカーボネート単位は、本明細書で記載されるフタルイミジンコポリカーボネートのいずれかにおいて、比較的少ない量、例えば、フタルイミジンコポリカーボネート中の単位の総モルに基づき２０モル％未満、１０モル％未満、または５モル％未満で存在することができる。一実施形態では、他のカーボネート単位は存在しない。さらに別の実施形態では、他の型の繰り返し単位はコポリカーボネート中に存在せず、例えばエステル単位は存在しない。

フタルイミジンコポリカーボネートは、フタルイミジンコポリカーボネートではない第２のポリカーボネートと組み合わせて使用される。第２のポリカーボネートは式（２）の単位を含む。第２のポリカーボネートはホモポリカーボネート（ここで、ポリマ中の各カーボネート単位は同じである）、異なるカーボネート単位を含むコポリマ（「コポリカーボネート」）、およびカーボネート単位および他の型のポリマ単位、例えばエステル単位またはシロキサン単位を含むコポリマを含む。一実施形態では、第２のポリカーボネートはＢＰＡホモポリマである。第２のポリカーボネートに対するフタルイミジンコポリカーボネートの重量比は、フィルムの所望の特性によって、広く、例えば４０：６０から９０：１０、特定的には５０：５０から８５：１５、より特定的には６０：４０から８０：２０、または６５：３５から８０：２０まで変動し得る。

フタルイミジンコポリカーボネートおよび第２のポリカーボネートは、界面重合および溶融重合などのプロセスにより製造することができる。界面重合のための反応条件は変動する可能性があるが、例示的なプロセスは一般に、ジヒドロキシ化合物をＮａＯＨまたはＫＯＨ水溶液に溶解または分散させる工程、得られた混合物を水−非混和性溶媒に添加する工程、および反応物をカーボネート前駆体と触媒、例えば、三級アミンまたは相間移動触媒などの存在下で、制御されたｐＨ条件、例えば、８から１０下で接触させる工程を含む。水−非混和性溶媒は、例えば、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、トルエン、などとすることができる。例示的なカーボネート前駆体としては、ハロゲン化カルボニル、例えば臭化カルボニルまたは塩化カルボニル（ホスゲン）、ジヒドロキシ化合物のビスハロホルメート（例えば、ビスフェノールＡ、ヒドロキノンエチレングリコール、ネオペンチルグリコール、などのビスクロロホルメート）、およびジアリールカーボネートが挙げられる。前記型のカーボネート前駆体の少なくとも１つを含む組み合わせもまた、使用することができる。ジアリールカーボネートエステルはジフェニルカーボネート、または各アリール上に電子求引性置換基を有する活性化ジフェニルカーボネート、例えばビス（４−ニトロフェニル）カーボネート、ビス（２−クロロフェニル）カーボネート、ビス（４−クロロフェニル）カーボネート、ビス（メチルサリチル）カーボネート、ビス（４−メチルカルボキシルフェニル）カーボネート、カルボン酸ビス（２−アセチルフェニル）、カルボン酸ビス（４−アセチルフェニル）、または前記の少なくとも１つを含む組み合わせとすることができる。界面重合における触媒として使用することができる三級アミンの１つは脂肪族三級アミン、例えばトリエチルアミンおよびトリブチルアミン、脂環式三級アミン、例えばＮ，Ｎ−ジエチル−シクロヘキシルアミン、および芳香族三級アミン、例えばＮ，Ｎ−ジメチルアニリンである。使用することができる相間移動触媒の１つは、式（Ｒ^３）_４Ｑ^＋Ｘの触媒であり、式中、各Ｒ^３は同じか、または異なり、Ｃ_１−１０アルキルであり、Ｑは窒素またはリン原子であり、ならびにＸはハロゲン原子またはＣ_１−８アルコキシまたはＣ_６−１８アリールオキシである。例示的な相間移動触媒としては、（ＣＨ_３（ＣＨ_２）_３）_４ＮＸ、（ＣＨ_３（ＣＨ_２）_３）_４ＰＸ、（ＣＨ_３（ＣＨ_２）_５）_４ＮＸ、（ＣＨ_３（ＣＨ_２）_６）_４ＮＸ、（ＣＨ_３（ＣＨ_２）_４）_４ＮＸ、ＣＨ_３（ＣＨ_３（ＣＨ_２）_３）_３ＮＸ、およびＣＨ_３（ＣＨ_３（ＣＨ_２）_２）_３ＮＸが挙げられ、ここで、ＸはＣｌ⁻、Ｂｒ⁻、Ｃ_１−８アルコキシまたはＣ_６−１８アリールオキシである。相間移動触媒の有効量は、０．１から１０ｗｔ％、または０．５から２ｗｔ％とすることができ、それぞれ、ホスゲン化混合物中のジヒドロキシ化合物の重量に基づく。

あるいは、溶融プロセスを使用して、ポリカーボネートを製造することができる。一般に、溶融重合プロセスでは、ポリカーボネートは、溶融状態で、ジヒドロキシ反応物およびジアリールカーボネートエステルをエステル交換触媒の存在下で共反応させることにより調製することができる。反応は、典型的な重合装置、例えば連続撹拌反応器（ＣＳＴＲ）、プラグ流反応器、ワイヤ接触流下（ｗｉｒｅ ｗｅｔｔｉｎｇ ｆａｌｌ）重合装置、自然流下（ｆｒｅｅ ｆａｌｌ）重合装置、拭き取りフィルム（ｗｉｐｅｄ ｆｉｌｍ）重合装置、バンベリーミキサ、一軸または二軸押出機、または前記の組み合わせにおいて実施することができる。揮発性一価フェノールは、溶融反応物から蒸留により除去され、ポリマは溶融残留物として単離される。溶融重合はバッチプロセスまたは連続プロセスとして実施することができる。どちらの場合にも、使用される溶融重合条件は、２つ以上の明確な反応段階、例えば、開始ジヒドロキシ芳香族化合物およびジアリールカーボネートが、オリゴマポリカーボネートに変換される第１の反応段階および第１の反応段階で形成されたオリゴマポリカーボネートが高分子量ポリカーボネートに変換される第２の反応段階を含み得る。そのような「段階的な」重合反応条件は、連続重合系で使用するのにとりわけ好適であり、この場合、開始モノマは第１の反応槽内でオリゴマ化され、その中で形成されたオリゴマポリカーボネートは、連続して１つ以上の下流反応器に移され、そこでオリゴマポリカーボネートが、高分子量ポリカーボネートに変換される。典型的には、オリゴマ化段階では、生成されたオリゴマポリカーボネートは、約１，０００から約７，５００ダルトンの数平均分子量を有する。１つ以上のその後の重合段階において、ポリカーボネートの数平均分子量（Ｍｎ）は約８，０００と約２５，０００ダルトンの間まで増加される（ポリカーボネート標準を用いる）。典型的には、溶媒はプロセスでは使用されず、反応物ジヒドロキシ芳香族化合物およびジアリールカーボネートは溶融状態である。反応温度は約１００℃から約３５０℃、特定的には約１８０℃から約３１０℃とすることができる。圧力は、反応の初期段階では大気圧、過圧、または大気圧から約１５ｔｏｒｒの圧力の範囲、後の段階では減圧、例えば約０．２から約１５ｔｏｒｒとすることができる。反応時間は、一般に約０．１時間から約１０時間である。

ポリカーボネートの溶融エステル交換重合生成において使用される触媒は、アルファまたはベータ触媒を含むことができる。ベータ触媒は典型的には揮発性であり、高温で分解する。ベータ触媒はそのため、初期低温重合段階で使用するのに好ましい。アルファ触媒は典型的にはベータ触媒よりも、熱的に安定であり、揮発性が低い。アルファ触媒は、アルカリまたはアルカリ土類イオン源を含むことができる。これらのイオン源としては、アルカリ金属水酸化物、例えば水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、および水酸化カリウム、ならびにアルカリ土類水酸化物、例えば水酸化マグネシウムおよび水酸化カルシウムが挙げられる。他の可能なアルカリおよびアルカリ土類金属イオン源としては、カルボン酸の対応する塩（例えば、酢酸ナトリウム）およびエチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）の誘導体（例えばＥＤＴＡ四ナトリウム塩、およびＥＤＴＡマグネシウム二ナトリウム塩）が挙げられる。他のアルファエステル交換触媒としては、アルカリまたはアルカリ土類金属炭酸塩、例えばＣｓ_２ＣＯ_３、ＮａＨＣＯ_３、およびＮａ_２ＣＯ_３、など、不揮発性無機酸のアルカリまたはアルカリ土類金属塩、例えばＮａＨ_２ＰＯ_３、ＮａＨ_２ＰＯ_４、Ｎａ_２ＨＰＯ_３、ＫＨ_２ＰＯ_４、ＣｓＨ_２ＰＯ_４、Ｃｓ_２ＨＰＯ_４、など、またはリン酸の混合塩、例えばＮａＫＨＰＯ_４、ＣｓＮａＨＰＯ_４、ＣｓＫＨＰＯ_４、などが挙げられる。前記触媒のいずれかの少なくとも１つを含む組み合わせが使用され得る。

可能なベータ触媒は四級アンモニウム化合物、四級ホスホニウム化合物、または前記の少なくとも１つを含む組み合わせを含むことができる。四級アンモニウム化合物は構造（Ｒ^４）_４Ｎ^＋Ｘ⁻の化合物とすることができ、ここで、各Ｒ^４は同じか、または異なり、Ｃ_１−２０アルキル、Ｃ_４−２０シクロアルキル、またはＣ_４−２０アリールであり、ならびにＸ⁻は有機または無機アニオン、例えば水酸化物、ハロゲン化物、カルボン酸塩、スルホン酸塩、硫酸塩、ギ酸塩、炭酸塩または重炭酸塩である。有機四級アンモニウム化合物の例としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラメチルアンモニウムアセタート、テトラメチルアンモニウムホルメート、テトラブチルアンモニウムアセタート、および前記の少なくとも１つを含む組み合わせが挙げられる。テトラメチルアンモニウムヒドロキシドがしばしば使用される。四級ホスホニウム化合物は、構造（Ｒ^５）_４Ｐ^＋Ｘ⁻の化合物とすることができ、ここで、各Ｒ^５は同じか、または異なり、Ｃ_１−２０アルキル、Ｃ_４−２０シクロアルキル、またはＣ_４−２０アリールであり、ならびにＸ⁻は有機または無機アニオン、例えば水酸化物、フェノキシド、ハロゲン化物、カルボン酸塩、例えば酢酸塩またはギ酸塩、スルホン酸塩、硫酸塩、ギ酸塩、炭酸塩、または重炭酸塩である。Ｘ⁻が多価アニオン、例えば炭酸塩または硫酸塩である場合、四級アンモニウムおよびホスホニウム構造中の正および負電荷は、適正に平衡化されることが理解される。例えば、Ｒ^２０からＲ^２３がそれぞれメチルであり、Ｘ⁻が炭酸塩である場合、Ｘ⁻は２（ＣＯ_３ ^−２）を表すことが理解される。有機四級ホスホニウム化合物の例としては、テトラメチルホスホニウムヒドロキシド、テトラメチルホスホニウムアセタート、テトラメチルホスホニウムホルメート、テトラブチルホスホニウムヒドロキシド、テトラブチルホスホニウムアセタート（ＴＢＰＡ）、テトラフェニルホスホニウムアセタート、テトラフェニルホスホニウムフェノキシド、および前記の少なくとも１つを含む組み合わせが挙げられる。ＴＢＰＡがしばしば使用される。使用されるアルファおよびベータ触媒の量は、重合反応で使用されるジヒドロキシ化合物のモルの総数に基づかせることができる。ベータ触媒、例えば、ホスホニウム塩の重合反応で使用される全てのジヒドロキシ化合物に対する比に言及する場合、ホスホニウム塩のモル／ジヒドロキシ化合物のモルに言及することが好都合であり、反応混合物中に存在する各個々のジヒドロキシ化合物のモルの合計で割ったホスホニウム塩のモル数を意味する。アルファ触媒は、１×１０^−２から１×１０^−８モル、特定的には、１×１０^−４から１×１０^−７モルの金属／使用されるジヒドロキシ化合物のモルを提供するのに十分な量で使用することができる。ベータ触媒（例えば、有機アンモニウムまたはホスホニウム塩）の量は１×１０^−２から１×１０^−５、特定的には１×１０^−３から１×１０^−４モル／反応混合物中のジヒドロキシ化合物の総モルとすることができる。重合が完了した後の、エステル交換触媒および任意の反応性触媒残留物の酸性化合物を用いた反応停止はまた、いくつかの溶融重合プロセスにおいて有用であり得る。重合が完了した後の、触媒残留物および／または反応停止剤および他の揮発性残留物の溶融重合反応からの除去もまた、いくつかの溶融重合プロセスにおいて有用であり得る。

エンドキャッピング（ｅｎｄ−ｃａｐｐｉｎｇ）剤（連鎖中止剤または連鎖停止剤とも呼ばれる）は、末端基を提供するために、重合中に含めさせることができる。エンドキャッピング剤（よって、末端基）はポリカーボネートの所望の特性に基づき選択される。例示的なエンドキャッピング剤は、単環式フェノール、例えばフェノールおよびＣ_１−Ｃ_２２アルキル−置換フェノール、例えばｐ−クミル−フェノール、レゾルシノールモノベンゾエート、ならびにｐ−および三級−ブチルフェノール、ジフェノールのモノエーテル、例えばｐ−メトキシフェノール、および８から９個の炭素原子を有する分枝鎖アルキル置換基を有するアルキル−置換フェノール、４−置換−２−ヒドロキシベンゾフェノンおよびそれらの誘導体、サリチル酸アリール、ジフェノールのモノエステル、例えばレゾルシノールモノベンゾエート、２−（２−ヒドロキシアリール）−ベンゾトリアゾールおよびそれらの誘導体、２−（２−ヒドロキシアリール）−１，３，５−トリアジンおよびそれらの誘導体、モノカルボン酸塩化物、例えば塩化ベンゾイル、Ｃ_１−Ｃ_２２アルキル−置換塩化ベンゾイル、塩化トルオイル、ブロモベンジルクロリド、塩化シンナモイル、および４−ナジミドベンゾイルクロリド、多環式、モノカルボン酸塩化物、例えば無水トリメリット酸クロリド、およびナフトイルクロリド、脂肪族モノカルボン酸の官能化塩化物、例えば塩化アクリロイルおよび塩化メタクリロイル、およびモノクロロホルメート、例えばフェニルクロロホルメート、アルキル−置換フェニルクロロホルメート、ｐ−クミルフェニルクロロホルメート、およびトルエンクロロホルメートにより例示される。異なる末端基の組み合わせが使用され得る。

フタルイミジンコポリカーボネートおよび第２のポリカーボネートはさらに任意で架橋させることができる。架橋のための方法は知られており、例えば押出フィルムを、フタルイミジンコポリカーボネートまたは第２のポリカーボネートを架橋するのに有効な波長および時間で照射するものである。例えば、架橋は、２８０ｎｍ超かつ４００ｎｍ以下の波長での紫外線照射によるものとすることができる。

一実施形態では、架橋されたフタルイミジンコポリカーボネートまたは架橋された第２のポリカーボネートは、架橋されていないフタルイミジンコポリカーボネートまたは架橋されていない第２のポリカーボネートを含む同じフィルムよりも、５から５０％大きい破壊強度の増加を示す。一実施形態では、フタルイミジンコポリカーボネートおよび第２のポリカーボネートは架橋されない。

その代わりに、または加えて、フィルムは任意で分枝フタルイミジンコポリカーボネートまたは分枝の第２のポリカーボネートを含み、ここで、フィルムは、非分枝フタルイミジンコポリカーボネートまたは非分枝の第２のポリカーボネートを含むことを除き同じであるフィルムよりも５から５０％大きい破壊強度を示す。分枝フタルイミジンコポリカーボネートまたは分枝の第２のポリカーボネートが使用される場合、フィルムは、非分枝フタルイミジンコポリカーボネートまたは非分枝ポリカーボネートを含むことを除き、同じであるフィルムよりも５から５０％大きい破壊強度を示すことができる。一実施形態では、フィルムは分枝フタルイミジンコポリカーボネートまたは分枝の第２のポリカーボネートを含まない。別の実施形態では、フィルムは分枝の第２のポリカーボネートおよび非分枝フタルイミジンコポリカーボネートを含む。

分枝ポリカーボネートブロックは、分岐剤を重合中に添加することにより調製することができる。これらの分岐剤としては、ヒドロキシル、カルボキシル、カルボン酸無水物、ハロホルミル、および前記官能基の混合物から選択される少なくとも３つの官能基を含む多官能性有機化合物が挙げられる。具体例としては、トリメリット酸、無水トリメリット酸、トリメリット酸トリクロリド、トリス−ｐ−ヒドロキシフェニルエタン、イサチン−ビス−フェノール、トリス−フェノールＴＣ（１，３，５−トリス（（ｐ−ヒドロキシフェニル）イソプロピル）ベンゼン）、トリス−フェノールＰＡ（４（４（１，１−ビス（ｐ−ヒドロキシフェニル）−エチル）α，α−ジメチルベンジル）フェノール）、４−クロロホルミルフタル酸無水物、トリメシン酸、およびベンゾフェノンテトラカルボン酸が挙げられる。分岐剤は、約０．０５から約２．０ｗｔ％のレベルで添加することができる。直鎖ポリカーボネートおよび分枝ポリカーボネートの組み合わせが使用され得る。

フタルイミジンコポリカーボネートは、クロロホルム中２５℃で決定すると、０．３から１．５デシリットル／グラム（ｄｌ／ｇｍ）、特定的には０．４５から１．０ｄｌ／ｇｍの固有粘度を有することができる。ポリカーボネートは、ゲル浸透クロマトグラフィ（ＧＰＣ）により、架橋されたスチレン−ジビニルベンゼンカラムを用いて測定し、ポリカーボネート基準に対して較正すると、１０，０００から２００，０００ダルトン、特定的には２０，０００から１００，０００ダルトンの重量平均分子量を有することができる。ＧＰＣサンプルは１ｍｇ／ｍｌの濃度で調製され、１．５ｍｌ／分の流速で溶離される。

良好な電気特性が、ポリカーボネートフィルム形成組成物およびフィルムが低レベルのある金属イオンを含む場合に得られる。よって、フィルム形成組成物およびフィルムは５０ｐｐｍ未満、特定的には４０ｐｐｍ、３０ｐｐｍ、２０ｐｐｍ、または１０ｐｐｍ未満の重量のアルミニウム、カルシウム、クロム、マグネシウム、鉄、ニッケル、カリウム、マンガン、モリブデン、ナトリウム、チタン、および亜鉛の各々を含む。一実施形態では、フィルム形成組成物およびフィルム中のアルミニウム、カルシウム、クロム、マグネシウム、鉄、ニッケル、カリウム、マンガン、モリブデン、ナトリウム、チタン、および亜鉛の総量は１０ｐｐｍ未満である。

いくつかの実施形態では、臭素および塩素を本質的に含まないポリカーボネートフィルム形成組成物およびフィルムを使用することが望ましい。臭素および塩素を「本質的に含まない」は、組成物が、フィルム形成組成物の重量により、３ｗｔ％未満の臭素および塩素を有する、他の実施形態では、１ｗｔ％未満の臭素および塩素を有することを意味する。他の実施形態では、組成物はハロゲンを含まない。「ハロゲンを含まない」は、１５００重量部の総ハロゲン／１００万重量部の総組成物（ｐｐｍ）以下のハロゲン量（フッ素、臭素、塩素、ヨウ素、およびアスタチンの総量）を有するものとして規定され、個々のハロゲン量は９００ｐｐｍ以下である。ハロゲンの量は通常の化学分析、例えば原子吸光により決定することができる。

一実施形態では、フィルムは０．１ｐｐｍ未満の浸出性のイオン性塩化物および硫酸塩を含む。フィルムはまた、１００ｃｍ^２の面積中２０マイクロメートルを超える直径を有する、２より少ない炭化封入体（ｃａｒｂｏｎｉｚｅｄ ｉｎｃｌｕｓｉｏｎ）を含むことができ、または含まないことができる。

ポリカーボネートフィルム形成組成物は、誘電体基材ポリマ組成物中に組み込まれた様々な添加物を含むことができ、ただし、添加物は組成物の所望の物理および電気特性に著しく悪影響を及ぼさないように、選択されることを条件とする。例示的な添加物としては、抗酸化剤、熱安定剤、光安定剤、紫外光（ＵＶ）吸収添加物、失活剤、可塑剤、潤滑剤、離型剤、帯電防止剤、難燃剤、抗ドリップ剤、および放射線安定剤が挙げられる。添加物の組み合わせが使用され得る。前記添加物（フィラーを除く）は一般に、個々に、フィルム形成組成物の総重量に基づき、０．００５から１０ｗｔ％、特定的には０．０１から２ｗｔ％の量で存在する。特定の実施形態では、添加物の量は最小に抑えられる。例えば、２５０ダルトン未満の分子量を有する任意の添加物は、フタルイミジンコポリカーボネートの重量に基づき、重量で、０から１，０００百万分率、例えば５０から１，０００ｐｐｍの量で存在する。

好適な抗酸化剤は、ホスファイト、ホスホナイトおよびヒンダードフェノールまたはそれらの混合物などの化合物とすることができる。トリアリールホスファイトおよびアリールホスホネートを含むリン含有安定剤は有用な添加物である。二官能性リン含有化合物もまた除かれていない。好ましい安定剤は３００以上の分子量を有することができる。いくつかの例示的な化合物はチバケミカル社（Ｃｉｂａ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．）からイルガホス（ＩＲＧＡＰＨＯＳ）１６８として入手可能なトリス−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルホスファイトおよびドーバーケミカル社（Ｄｏｖｅｒ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．）からドーバーフォス（ＤＯＶＥＲＰＨＯＳ）Ｓ−９２２８として市販されているビス（２，４−ジクミルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイトである。

ホスファイトおよびホスホナイトの例としては下記が挙げられる：トリフェニルホスファイト、ジフェニルアルキルホスファイト、フェニルジアルキルホスファイト、トリス（ノニルフェニル）ホスファイト、トリラウリルホスファイト、トリオクタデシルホスファイト、ジステアリルペンタエリスリトールジホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、ジイソデシルペンタエリスリトールジホスファイト、ビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェニル）−ペンタエリスリトールジホスファイト、ジイソデシルオキシペンタエリスリトールジホスファイト、ビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−６−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ビス（２，４，６−トリス（ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、トリステアリルソルビトールトリ−ホスファイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−フェニル）４，４’−ビフェニレンジホスホナイト、ビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−６−メチルフェニル）メチルホスファイト、ビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−６−メチルフェニル）エチルホスファイト、２，２’，２’’−ニトリロ［トリエチルトリス（３，３’，５，５’−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，１’−ビフェニル−２，２’−ジイル）ホスファイト］、２−エチルヘキシル（３，３’，５，５’−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，１’−ビフェニル−２，２’−ジイル）ホスファイトおよび５−ブチル−５−エチル−２−（２，４，６−トリ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ）−１，３，２−ジオキサホスフィラン。

１を超える有機リン化合物を含む組み合わせが企図される。組み合わせて使用される場合、有機リン化合物は同じ型か、または異なる型とすることができる。例えば、組み合わせは２つのホスファイトを含むことができ、または組み合わせはホスファイトおよびホスホナイトを含むことができる。いくつかの実施形態では、３００以上の分子量を有するリン含有安定剤が有用である。リン含有安定剤、例えばアリールホスファイトは通常、組成物中に、組成物の総重量の基づき、０．００５から３ｗｔ％、特定的には０．０１から１．０ｗｔ％の量で存在する。

ヒンダードフェノールもまた、抗酸化剤として使用することができ、例えばアルキル化モノフェノール、およびアルキル化ビスフェノールまたはポリフェノールである。例示的なアルキル化モノフェノールとしては、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチル−４，６−ジメチルフェノール、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−エチルフェノール、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ｎ−ブチルフェノール、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−イソブチルフェノール、２，６−ジシクロペンチル−４−メチルフェノール、２−（α−メチルシクロヘキシル）−４，６−ジメチルフェノール、２，６−ジオクタデシル−４−メチルフェノール、２，４，６−トリシクロヘキシルフェノール、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メトキシメチルフェノール、ノニルフェノール（側鎖が直鎖または分枝である）、例えば、２，６−ジ−ノニル−４−メチルフェノール、２，４−ジメチル−６−（１’−メチルウンデク−１’−イル）フェノール、２，４−ジメチル−６−（１’−メチルヘプタデク−１’−イル）フェノール、２，４−ジメチル−６−（１’−メチルトリデク−１’−イル）フェノールおよびそれらの混合物が挙げられる。例示的なアルキリデンビスフェノールとしては、２，２’−メチレンビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール）、２，２’−メチレンビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−エチルフェノール）、２，２’−メチレンビス［４−メチル−６−（α−メチルシクロヘキシル）−フェノール］、２，２’−メチレンビス（４−メチル−６−シクロヘキシルフェノール）、２，２’−メチレンビス（６−ノニル−４−メチルフェノール）、２，２’−メチレンビス（４，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，２’−エチリデンビス（４，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，２’−エチリデンビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−イソブチルフェノール）、２，２’−メチレンビス［６−（α−メチルベンジル）−４−ノニルフェノール］、２，２’−メチレンビス［６−（α，α−ジメチルベンジル）−４−ノニルフェノール］、４，４’−メチレンビス−（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、４，４’−メチレンビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−２−メチルフェノール）、１，１−ビス（５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）ブタン、２，６−ビス（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−２−ヒドロキシベンジル）−４−メチルフェノール、１，１，３−トリス（５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）ブタン、１，１−ビス（５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−２−メチル−フェニル）−３−ｎ−ドデシルメルカプトブタン、エチレングリコールビス［３，３−ビス（３’−ｔｅｒｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）ブチラート］、ビス（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチル−フェニル）ジシクロペンタジエン、ビス［２−（３’−ｔｅｒｔ−ブチル−２’−ヒドロキシ−５’−メチルベンジル）−６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェニル］テレフタレート、１，１−ビス−（３，５−ジメチル−２−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス−（５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）−４−ｎ−ドデシルメルカプトブタン、１，１，５，５−テトラ−（５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）ペンタンおよびそれらの混合物が挙げられる。

ヒンダードフェノール化合物は３００ｇ／モル以上の分子量を有することができる。高分子量は、高い処理温度、例えば３００℃以上におけるポリマ溶融物中でヒンダードフェノール部分を保持するのを助けることができる。ヒンダードフェノール安定剤は通常、組成物中に、組成物の総重量の基づき、０．００５から２ｗｔ％、特定的には０．０１から１．０ｗｔ％の量で存在する。

可塑剤、潤滑剤、および離型剤間でかなりの重なりがあり、これらとしては、例えば、グリセロールトリステアレート（ＧＴＳ）、フタル酸エステル（例えば、オクチル−４，５−エポキシ−ヘキサヒドロフタレート）、トリス−（オクトキシカルボニルエチル）イソシアヌレート、トリステアリン、二または多官能性芳香族ホスフェート（例えば、レゾルシノールテトラフェニルジホスフェート（ＲＤＰ）、ヒドロキノンのビス（ジフェニル）ホスフェートおよびビスフェノールＡのビス（ジフェニル）ホスフェート）、ポリ−α−オレフィン、エポキシ化大豆油、シリコーン、例えばシリコーン油（例えば、ポリ（ジメチルジフェニルシロキサン）、エステル、例えば、脂肪酸エステル（例えば、アルキルステアリルエステル、例えば、ステアリン酸メチル、ステアリン酸ステアリル、など）、ワックス（例えば、蜜ろう、モンタンろう、パラフィンワックス、など）、または前記可塑剤、潤滑剤、および離型剤の少なくとも１つを含む組み合わせが挙げられる。これらは一般に、組成物中のポリマの総重量に基づき、０．０１から５ｗｔ％の量で使用される。

いくつかの実施形態では、ポリカーボネートフィルム形成組成物は、さらに任意で、少なくとも１つの追加のアモルファスポリマを含むことができ、この場合も、ポリマが、５ｗｔ％超のフッ素またはケイ素を提供しないように、またはそうでなければ、組成物の所望の特性に著しく悪影響を及ぼさないように選択されることを条件とする。そのような追加のポリマの例としては、ポリ（フェニレンスルホン）、ポリ（スルホン）、ポリ（エーテルスルホン）、ポリ（アリーレンスルホン）、ポリ（フェニレンエーテル）、ポリ（エーテルイミド）、およびポリ（エーテルイミドスルホン）ならびにそれらのブレンドおよびコポリマが挙げられるが、それらに限定されない。他の追加のポリマの例としては、シリコーンポリエーテルイミド、ポリエステル、シリコーンポリカーボネート−ポリエステルコポリマおよび前記の少なくとも１つを含む組み合わせが挙げられるが、それらに限定されない。存在する場合、ポリマは、０超から５０ｗｔ％、１から５０ｗｔ％、０から１２ｗｔ％、０．１から１０ｗｔ％、または０．５から５ｗｔ％の量で使用され、全て、組成物の総重量に基づく。一実施形態では、フタルイミジンコポリカーボネートおよび第２のポリカーボネート以外のポリマはフィルム形成組成物中に存在しない。

ポリカーボネートフィルム形成組成物は、材料成分を、本質的なブレンドの形成のための条件下でブレンドすることにより調製することができる。そのような条件はしばしば、一軸または二軸型押出機、ミキシングボウル、またはせん断を成分に適用することができる同様の混合装置中での溶融混合を含む。二軸押出機が、一軸式押出機よりも、それらのより激しい混合能力およびセルフワイピング能力のために、しばしば好ましい。押出機中の少なくとも１つベント口を通してブレンドに真空を適用し、組成物中の揮発性不純物を除去することが、しばしば有利である。しばしば、フタルイミジンコポリカーボネート（および／または他の添加物）を溶融前に乾燥させることが有利である。溶融プロセスはしばしば、２４０℃から３６０℃で実施され、過剰なポリマ分解が回避されながら、依然として、十分な溶融が可能であり、未溶融成分を含まない本質的なポリマ混合物が得られる。ポリマブレンドはまた、４０から１００マイクロメートルキャンドルまたはスクリーンフィルタを用いて溶融濾過することができ、望ましくない黒点または他の不均一汚染物質、例えば、１マイクロメートル超の直径を有する任意の粒子が除去される。

組成物はフラットダイを用いて熱可塑性組成物のために従来使用されている押出機を使用して押し出すことができる。押出キャストフィルム方法は、押出機内でのポリマの溶融、溶融ポリマの小さなリップ間隙分離のフラットダイを通した運搬、比較的高い巻き取り速度でのフィルムの延伸、およびポリマの冷却／固化を含み、最終フィルムが形成される。押出機は一または二軸デザインを有してもよく、溶融ポンプも使用してもよく、ダイを通るポリマの一定の非パルス流が提供される。ダイリップ間隙は１００から２００ミクロンと小さくすることができ、巻き取りローラーは、２００ｍ／分までの速度で動作することができる。デザインはまた、加熱ロールの追加を含むことができ、フィルムをテンパー／アニールし、よって、凍結内部応力の発生を最小に抑えることができる。フィルムのエッジはしばしばトリミングされ、フィルムはロール上に張力制御巻回メカニズムを使用して巻回される。場合によっては、市販のおよび／または実験的に官能化させたフィラーを、複合材料を薄膜に延伸する前に、ポリマ中に均一に分散させることができる。これらの場合では、均一な分散物を得るための、フィラーのポリママトリクス中へのコンパウンディングは、別々の押出機、あるいは、より好ましくは、延伸操作前にポリマの溶融を実施するために使用される同じ押出機で実施することができる。溶融ポリマのダイを通る一定の、均一な流れを送達させる正確さ、フィルムを製造するために使用されるポリマのレオロジー特性、ポリマおよび装置の両方の清浄さ、および巻き取りメカニズムの機械特性は全て、比較的小さな厚さを有するこれらの押出フィルムの調製の成功に寄与するであろう。

一実施形態では、押出キャストフィルム方法は一段階で、より大きなサイズの装置に拡張可能で、溶媒の使用を必要としない。高分子量および／または高いガラス転移温度のポリマの場合であっても、この押出プロセスは、材料の熱または機械的分解を引き起こし得る過剰な温度に至らない、ポリマのための環境を提供するように適正に設計することができる。溶融物のための濾過装置の使用は、事実上、汚染物質、例えばゲルおよび黒点を含まないフィルムを生成させ、それらは、適正に溶融物から除去されないとこれらのフィルムの誘電性能にダメージを与えるであろう。この方法により生成されたフィルムは、薄く（厚さ１０ミクロン、およびさらに薄い）、ウェブ全体で均一な厚さを有し、平らで、しわまたは表面うねりがほとんどなく、かつ汚染が比較的ない。

溶融組成物は、押出機ダイを通して溶融ポンプを用いて運搬することができる。一実施形態では、フィルムは２５０℃から５００℃、例えば３００℃から４５０℃の温度で押し出され、押出フィルムは一軸延伸され誘電体基材フィルムが生成される。特定的には、フィルム形成組成物の成分が組み合わされ、溶融され、完全に混合され、その後、濾過され、１マイクロメートルを超える粒子が除去され、フラットダイを通して前記温度で押し出され、ならびにその後、一軸延伸される。延伸後、フィルムは以下で記載されるように直接金属化され、または、貯蔵または出荷のために、巻き取りロールに巻回される。フィルムは、少なくとも１０、または１００から１０，０００メートルの長さ、および少なくとも３００、または３００から３，０００ミリメートルの幅を有することができる。フィルムを押し出すことができる速度は変動し得る。市販の実施形態では、フィルムを押し出すことができる速度は１０ ｌｂ／ｈｒ（４．５ｋｇ／ｈｒ）から１０００ ｌｂ／ｈｒ（４５０ｋｇ／ｈｒ）まで変動する。フィルムを押出機のダイプレートから引くことができる速度（巻き取り速度）は１０メートル／分から３００メートル／分の範囲とすることができる。

フィルムはその少なくとも１つの側面で金属化させることができる。様々な金属および金属合金を、フィルムの使用目的によって、使用することができ、例えば銅、アルミニウム、銀、金、ニッケル、亜鉛、チタン、クロム、バナジウム、白金、タンタル、ニオブ、黄銅、または前記の少なくとも１つを含む組み合わせである。フィルムは少なくとも滑らかな側面、すなわち、光学プロフィロメトリにより決定すると、平均フィルム厚の＋／−３％未満の平均表面粗さＲａを有する側面で金属化される。ポリマフィルムの金属化のための方法は知られており、例えば、真空金属蒸着、金属スパッタリング、プラズマ処理、電子ビーム処理、化学酸化または還元反応、ならびに無電解湿式化学蒸着が挙げられる。フィルムは両側で、従来の無電解めっきにより金属化させることができる。別の実施形態では、パターン金属層を、例えばインクジェット印刷によりフィルムの表面上に形成させることができる。金属化層の厚さは金属化フィルムの使用目的により決定され、例えば、１オングストロームから１０００ナノメートル、５００ナノメートル、または１０ナノメートルとすることができる。一実施形態では、金属フィルムの厚さは１から３０００オングストローム、１から２０００オングストローム、または１から１０００オングストロームとすることができる。導電性金属が使用される場合、ポリマフィルム上の金属層の抵抗率は、ＡＳＴＭＤ２５７により測定すると、０．１から１０００オーム／スクエアまたは０．１から１００オーム／スクエアまで変動し得る。非金属化フィルムはまた、ＡＳＴＭＤ２５７により測定すると、０．１オーム／スクエア超から１００オーム／スクエアの表面抵抗率を有し得る。

金属化されるフィルムの表面は、例えば金属層の接着を増強させるために、例えば洗浄、火炎処理、プラズマ放電、コロナ放電、などにより前処理することができる。１つ以上の追加の層を金属層上に堆積させることができ、例えばクリアコート（例えば、耐ひっかき性を提供するためのポリ（メタクリル酸メチル）またはポリ（メタクリル酸エチル））、またはラミネートを形成するためのフタルイミジンコポリカーボネートフィルムの別の層である。

このように生成されたフィルムおよび金属化フィルムは様々な有利な物理的特性を有する。一実施形態では、非金属化フィルムの破壊強度は少なくとも７００ボルト／マイクロメートル、少なくとも７５０ボルト／マイクロメートル、または少なくとも７５０ボルト／マイクロメートルである。一実施形態では、非金属化フィルムの破壊強度は、８００または８２０ボルト／マイクロメートルまでとすることができる。一実施形態では、２３℃から１００℃のフィルムの破壊強度差は、２３℃でＡＳＴＭＤ１４９により測定した値から１０％未満である。

組成物および製造方法は、所望の性能特性、特に電気特性を達成するために変動させることができる。

フィルムは１ｋＨｚ、２３℃および５０％相対湿度で、高い比誘電率、特に２．５超から４．０まで、例えば２．８超、２．９超、３．０超、３．１超、３．２超から、７．０までを有することができる。

フィルムは、示差走査熱量測定を用いて測定すると、１５０℃超、１６０℃超、１７０℃超、または１８０℃超、２５０℃までのガラス転移温度（Ｔｇ）を有することができる。

フィルムはさらに、これらが製造されるポリマのＴｇまで安定である比誘電率を有することができる。一般に、フィルムは、フィルムポリマの個々のＴｇより低い、例えばおよそ２０℃低い温度の環境で使用される。１つの実施形態では、フィルムはさらに、１４０℃まで、１５０℃まで、１６０℃まで、または１７０℃まで１０％未満の変化を受ける比誘電率を有することができる。一実施形態では、−４０℃から１５０℃までの１ｋＨｚでのフィルムの比誘電率変化は室温（２３℃）比誘電率値の１０％未満である。

１ｋＨｚでのフィルムの静電容量差は、２３℃での値に基づき０℃から１００℃まで、＋／−５％未満とすることができる。

フィルムは、しわを含まない、すなわち、十分平坦で滑らかである少なくとも１つの領域を有することができ、そのため、その表面が金属化されると、金属化フィルムは、便宜的に一貫した表面形態を有する。

フィルムのしわを含まない領域の平坦度は、特定面積にわたるフィルムの厚さの変化を測定することにより決定することができる。ここで、平坦なフィルムは、測定面積にわたるフィルムの平均厚さに基づき、プラスまたはマイナス（＋／−）１０％またはそれ以下、あるいは＋／−９％またはそれ以下、＋／−８％またはそれ以下、＋／−６％またはそれ以下、または＋／−５％、＋／−４％、＋／−３％、＋／−２％、＋／−１％またはそれ以下のフィルムの厚さ変化を有する。一実施形態では、厚さの変化は＋／−１％と低くすることができる。

フィルムの表面のしわを含まない領域の平滑度は、光学プロフィロメトリにより表面の表面粗さ平均（「Ｒａ」）を測定することにより、定量することができる。ここで、フィルムのしわを含まない領域は、光学プロフィロメトリにより測定すると、フィルムの平均厚さの＋／−３％未満、／−２％未満、または＋／−１％もの低さのＲａを有する表面を有する。

特に有利な特徴では、しわを含まない領域は、フィルムの大きな面積にわたって生成させることができる。例えば、フィルムの少なくとも８０％、少なくとも８５％、少なくとも９０％、少なくとも９５％、または少なくとも９７％の面積がしわを含まないとすることができる。そのようなものとして、フィルムは、下限および／または上限を有するしわを含まない領域を有することができる。範囲は下限および／または上限を含む、または排除することができる。下限および／または上限は、フィルムの面積の８０、８１、８２、８３、８４、８５、８６、８７、８８、８９、９０、９１、９２、９３、９４、９５、９６、９７、９８、９９、および１００％から選択することができる。別の実施形態では、しわを含まない領域は、少なくとも１平方メートル（ｍ^２）、少なくとも２ｍ^２、少なくとも３ｍ^２、少なくとも５ｍ^２、少なくとも１０ｍ^２、少なくとも２０ｍ^２、少なくとも５０ｍ^２、または少なくとも１００ｍ^２の連続面積を有することができる。大きなサイズのしわを含まない領域は、金属化フィルムをロール形態で製造、貯蔵、および出荷することができるという点で、重大な製造利点を提供する。よって、フィルムは、少なくとも１０メートルの長さ、および少なくとも３００ミリメートルの幅を有することができ、ここで、フィルムの面積の少なくとも８０％、少なくとも８５％、少なくとも９０％、少なくとも９５％、または少なくとも９７％がしわを含まない領域である。別の実施形態では、フィルムは１００から１０，０００メートルの長さ、および３００から３，０００ミリメートルの幅を有し、フィルムの面積の少なくとも８０％、少なくとも８５％、少なくとも９０％、少なくとも９５％、または少なくとも９７％はしわを含まない領域である。そのようなものとして、フィルムが１００から１０，０００メートルの範囲の長さを有する場合、フィルムは、下限および／または上限を有するしわを含まない領域を有することができる。範囲は下限および／または上限を含む、または排除することができる。下限および／または上限は、フィルムの面積の８０、８１、８２、８３、８４、８５、８６、８７、８８、８９、９０、９１、９２、９３、９４、９５、９６、９７、９８、９９、および１００％から選択することができる。

フィルムおよび金属化フィルムは、本質的に溶媒を含まない、すなわち、１，０００ｐｐｍ未満、７５０ｐｐｍ未満、５００ｐｐｍ未満、または２５０ｐｐｍ未満の、２５０ダルトン未満の分子量を有する化合物を含む。

フィルムおよび金属化フィルムは、ポリカーボネート層中、５０ｐｐｍ未満、２５ｐｐｍ未満、または１０ｐｐｍ未満の、アルミニウム、カルシウム、クロム、マグネシウム、鉄、ニッケル、カリウム、マンガン、モリブデン、ナトリウム、チタン、および亜鉛の各々を有することができる。

フィルムおよび金属化フィルムは、１０００ｐｐｍ未満、５００ｐｐｍ未満、２５０ｐｐｍ未満、または１００ｐｐｍ未満のフッ素含有化合物またはシリコーン含有化合物の各々を有することができる。

フィルムおよび金属化フィルムは、０．３メートルの距離から拡大せずに見た場合、少なくとも０．３平方メートルの面積にわたって、または少なくとも０．９平方メートルの面積にわたって観察可能な小さな点またはゲルを有さないことができる。フィルムおよび金属化フィルムは、５０×倍に拡大して見た場合、少なくとも０．３平方メートルの面積にわたって、または少なくとも０．９平方メートルの面積にわたって、観察可能な空隙を有さないことができる。

金属化フィルムは、誘電分光法により測定すると、１ｋＨｚ、２３℃および５０％相対湿度で、０超かつ５％未満、あるいは０超かつ４％未満、あるいは０超かつ３％未満、あるいは０超かつ２％未満、あるいは０超かつ１％未満の範囲の誘電正接を有することができる。１つの実施形態では、フィルムは、１ｋＨｚ、２３℃および５０％相対湿度で、低い誘電正接、すなわち、０．１％未満、または０．０８％未満を有する。一実施形態では、誘電正接は１ｋＨｚから１００ｋＨｚ、２３℃および５０％相対湿度で１％未満である。

フタルイミジンコポリカーボネートフィルムは、任意のアモルファスフィルム適用において使用することができるが、金属化に特に好適である。金属化フィルムは任意の金属化フィルム適用において使用することができるが、電気的適用に、例えばコンデンサまたは回路材料として特に好適である。高エネルギ密度、高電圧非極性コンデンサは、円筒形状に巻回された金属化ポリマフィルムを使用して製造することができる。特定の実施形態では、フタルイミジンコポリカーボネートフィルムは押し出され、その後、銅またはアルミニウムなどの導電性金属を、移動するポリマフィルム上に、真空チャンバ内での蒸着により、１オングストロームから１０００ナノメートル、１から３０００オングストローム、または１から１０００オングストロームの厚さまで噴霧することにより金属化される。ポリマフィルム上の金属の抵抗率は、ＡＳＴＭＤ２５７により決定すると、約０．１オーム／スクエアから１００オーム／スクエアの範囲とすることができる。金属化プロセスを実施する前に、ポリマフィルムは適切にマスクすることができ、フィルムの幅のエッジに非金属化マージンが提供され、そのため、金属化フィルムの交互層（コンデンサが組み立てられた場合）は、非金属化領域を反対のエッジに有し、末端金属化が最終的に適用された時に、コンデンサの電極の短絡が防止される。

コンデンサはその後、２つの積層金属化ポリマフィルムを管形状にロールすることにより作製することができる。電線を各金属層に接続させる。特定の実施形態では、金属化フィルムの２つの別々のロールをコンデンサ巻回装置に入れ、マンドレル（これはその後除去され得る）上で一緒にしっかりと巻回させ、よって、層がフタルイミジンコポリカーボネート／金属化層／フタルイミジンコポリカーボネート／金属化層の順で配列され、コンデンサの典型的な構成、すなわち、反対側に２つの金属の層を有する誘電体が反復される。フィルムの２つのロールは、反対側に非金属化マージンを有して巻回される。

コンデンサの巻回の程度は、所望のコンデンサの物理的サイズまたは所望の静電容量に依存する。２つのロールのしっかりとした巻回は、そうでなければ時期尚早の故障を引き起こし得る封入空気を除去するのを助ける。個々のコンデンサは、ＨＥＰＡフィルタを組み込んだ、少なくともクラス１００のクリーンルーム環境で処理することができ、誘電フィルム層間の接触点の異物粒子による汚染の可能性が低減され、ならびに誘電体中への水分取込が低減される。電気巻回は各コンデンサ上でよりよく均一な張力を維持するために使用することができる。コンデンサはその後、そのエッジでテーピングすることができ、両側が開いたトレーに固定され、フィルム層の巻き解きが防止され、シリンダのエッジまたは端が導電性要素、例えば高亜鉛量はんだ、続いて９０％スズ、１０％亜鉛の通常のより柔らかいエンドスプレーはんだで噴霧される。最初のスプレーが金属化表面をひっかき、トラフを生成させ、誘電フィルム上での金属化物とのより良好な接触が達せられる。エンドスプレーの組み合わせはさらに、最終末端とのより良好な接触接着を助ける。その後、導電性、例えば、アルミニウムリードがその後、各端上にはんだ付けされ、最終末端が形成され得る。１つの末端は缶の底にスポット溶接され、一方、他の末端は、蓋にパラレル溶接することができる。コンデンサは、真空充填装置において含浸液（例えば、イソプロピルフェニルスルホン）で充填し、密閉してもよい。

他のコンデンサ構造も可能である。例えば、コンデンサは、積層構造で配置された少なくとも第１および第２の電極、ならびに第１および第２の電極の間に、その各々と少なくとも部分的に接触して配置されたフタルイミジンコポリカーボネートフィルムを含む平坦構造を有することができる。追加のフタルイミジンコポリカーボネートフィルムおよび電極層は、交互の層で存在することができる。このように、フタルイミジンコポリカーボネート層／金属層／誘電層を含む、電子装置を形成するための多層物品は、この特許請求の範囲の範囲内にあり、ここで、誘電層は本明細書で記載されるフタルイミジンコポリカーボネートフィルム、または他の誘電材料とすることができる。追加の層（例えば、追加の交互の誘電／金属層）が任意で存在し得る。

フィルム、フィルムを含む物品、コンデンサ、コンデンサを含む電子装置のいくつかの実施形態が以下で明記される。

一実施形態では、フィルムは、第１の繰り返し単位および第１の繰り返し単位とは異なる第２の繰り返し単位を含むフタルイミジンコポリカーボネートであって、ここで、第１の繰り返し単位はフタルイミジンカーボネート単位：
であり、
式中、Ｒ^ａおよびＲ^ｂはそれぞれ独立して、Ｃ_１−１２アルキル、Ｃ_１−１２アルケニル、Ｃ_３−８シクロアルキル、またはＣ_１−１２アルコキシであり、ｐおよびｑはそれぞれ独立して０から４であり、各Ｒ^３は独立してＣ_１−６アルキルであり、ｊは０から４であり、およびＲ^４は水素、Ｃ_１−６アルキル、または任意で１から５つのＣ_１−６アルキル基で置換されたフェニルであり、ならびに第２の繰り返し単位は、第１の繰り返しフタルイミジンカーボネート単位とは同じではないビスフェノールカーボネート単位を含む、フタルイミジンコポリカーボネートと、フタルイミジンコポリカーボネートではない第２のポリカーボネートとを含み、ここで、フィルムは、１７０℃超のガラス転移温度、１ｋＨｚ、２３℃および５０％相対湿度で、少なくとも３．０の比誘電率、１ｋＨｚ、２３℃および５０％相対湿度で、１％またはそれ以下の誘電正接、ならびに少なくとも８００ボルト／マイクロメートルの破壊強度を有する。

前記フィルムの特定の実施形態では、下記条件の１つ以上があてはまる：フィルムは、０超から１０マイクロメートル未満の厚さを有し、フィルムは、少なくとも１０メートルの長さおよび少なくとも３００ミリメートルの幅を有し、フィルムの面積の少なくとも８０％はしわを含まない領域であり、フィルムは、１００から１０，０００メートルの長さ、および３００から３，０００ミリメートルの幅を有し、フィルムは、ＡＳＴＭＤ２５７により測定すると、０．１オーム／スクエア超から１００オーム／スクエアの表面抵抗率を有し、−４０℃から１４０℃の１ｋＨｚでのフィルムの比誘電率変化は、２３℃での比誘電率値の１０％未満であり、１ｋＨｚでの０℃から１４０℃の誘電正接の変化は１％未満であり、誘電正接は、１ｋＨｚから１００ｋＨｚで、２３℃および５０％相対湿度にて１％未満であり、２３℃から１００℃のフィルムの破壊強度差はＡＳＴＭＤ１４９により測定した２３℃での測定値から１０％未満であり、１ｋＨｚでの静電容量差は２３℃での値に基づき０℃から１００℃で＋／−５％未満であり、フタルイミジンカーボネート単位は下記式の単位であり、
式中、Ｒ^ａおよびＲ^ｂはそれぞれ独立して、Ｃ_１−３アルキル基であり、ｐおよびｑはそれぞれ独立して０から４の整数であり、Ｒ^３はそれぞれ独立して、Ｃ_１−６アルキル基であり、ｊは０から４であり、およびＲ^４は水素、Ｃ_１−６アルキルまたは任意で１から５つのＣ_１−６アルキル基で置換されたフェニルであり、フタルイミジンカーボネート単位は、下記式のカーボネート単位であり、
式中、Ｒ^５は水素、Ｃ_１−６アルキル、または任意で１から５つのＣ_１−６アルキル基で置換されたフェニルであり、例えば、Ｒ^５はフェニルまたはメチルであり、第２の繰り返し単位は、下記式のカーボネート単位であり、
式中、Ｒ^ａおよびＲ^ｂはそれぞれ独立して、Ｃ_１−１２アルキル、Ｃ_１−１２アルケニル、Ｃ_３−８シクロアルキル、またはＣ_１−１２アルコキシであり、ｐおよびｑはそれぞれ独立して０から４の整数であり、およびＸ^ａは単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（Ｏ）−、−Ｓ（Ｏ）_２−、−Ｃ（Ｏ）−、またはＣ_１−３２架橋炭化水素基であり、ただし、Ｘ^ａはフタルイミジン基ではないことを条件とし、フタルイミジンコポリカーボネートは、Ｎ−フェニルフェノールフタレイニルビスフェノール、２，２−ビス（４−ヒドロ）−ビスフェノールＡコポリカーボネートであり、フィルムは架橋されたフタルイミジンコポリカーボネートを含み、ここで、フィルムは、架橋されていないフタルイミジンコポリカーボネートを含むフィルムに比べ５から５０％大きい破壊強度を示し、フィルムは分枝フタルイミジンコポリカーボネートを含み、ここで、フィルムは、非分枝フタルイミジンコポリカーボネートを含むフィルムに比べ５から５０％大きい破壊強度を示し、第２のポリカーボネートはＢＰＡホモポリマであり、フィルムは１，５００ｐｐｍ未満の合計ハロゲン含有化合物および９００ｐｐｍ未満の任意のハロゲン含有化合物を含み、フィルムは０．１ｐｐｍ未満の浸出性の低イオン性塩化物および硫酸塩を含み、フィルムは１０ｐｐｍ未満のＡｌ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｋ、Ｍｇ、Ｎａ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｚｎ、およびＴｉの各々を含み、フィルム中のＡｌ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｋ、Ｍｇ、Ｎａ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｚｎ、およびＴｉの総量は１０ｐｐｍ未満であり、フィルムさらには離型剤を含み、フィルムは、フィルムの総重量に基づき、１から５０重量パーセントの、シリコーンポリエーテルイミド、ポリエーテルイミドスルホン、ポリエステル、フタルイミジンコポリカーボネートおよび第２のポリカーボネート以外のポリカーボネート、シリコーンポリカーボネート−ポリエステルコポリマおよび前記の少なくとも１つを含む組み合わせから選択されるポリマをさらに含み、フィルムは、１００ｃｍ^２の面積中２０マイクロメートルを超える直径を有する、２より少ない炭化封入体を含み、フィルムは押し出され、フィルムは１，０００ｐｐｍ未満の、２５０ダルトン未満の分子量を有する化合物を含む。

別の実施形態では、物品はフィルムを含む。

物品の特定の実施形態では、下記条件の少なくとも１つが当てはまる：物品は、フィルムの少なくとも一部上に堆積された導電性金属または金属合金の層をさらに含み、導電性金属または金属合金は、アルミニウム、亜鉛、銅、銀、金、ニッケル、チタン、クロム、バナジウム、白金、タンタル、ニオブ、黄銅、または前記の少なくとも１つを含む組み合わせを含み、導電性金属層は、１から３，０００オングストロームの厚さを有し、導電性金属層は１から２，０００オングストロームの厚さを有し、導電性金属層は０．１から１００オーム／ｓｑの抵抗率を有し、導電性金属層は、化学蒸着、高温真空操作、またはそれらの組み合わせにより堆積される。

さらに別の実施形態では、コンデンサは巻回物品または巻回物品の一部を含む。さらに別の実施形態では、電子装置はコンデンサを含む。電気物品は任意で自動車用インバータである。さらに別の実施形態では、フィルムを生成させる方法はフタルイミジンコポリカーボネートおよび第２のポリカーボネートを含むフィルム形成組成物を押し出す工程を含む。方法は任意で、ポリカーボネートを架橋させるのに有効な波長および時間で、押出フィルムを照射する工程をさらに含み、ここで、架橋されたポリカーボネートを含むフィルムは、架橋されていないポリカーボネートを含む同じフィルムよりも５から５０％大きい破壊強度の増加を示す。

下記実施例は例示であり、非限定的である。

実施例で使用される材料を、表１に記載する。

［試験手順］
フィルム厚を、０．２μｍ解像度を有するメカニカル厚み計を用いて測定した。

誘電正接（ＤＦ）を、ＬＣＲメータを用いて決定した。非常に均一なフィルム厚を有するポリマフィルムを試験サンプルとして使用する。フィルム厚ｄをマイクロメータまたは光学厚み計により正確に決定する（フィルムが透明な場合）。１００−２００ｎｍの厚さｄ、公知の面積Ａを有する金またはアルミニウム電極をフィルムサンプルの両側に、スパッタリングまたは熱蒸発を使用して堆積させる。金属化サンプルをその後、温度制御チャンバにロードし、ＬＣＲメータ、例えばウェインカー（Ｗａｙｎｅ Ｋｅｒｒ）６０４４キャップオプションと電気的に接続させる。ＬＣＲメータは静電容量Ｃ、比誘電率（ＤＫ）、および誘電正接ＤＦを測定する。

比誘電率（ＤＫ）を、ＬＣＲメータを用いて決定した。非常に均一なフィルム厚を有するポリマフィルムを試験サンプルとして使用する。フィルム厚ｄをマイクロメータまたは光学厚み計により正確に決定する（フィルムが透明な場合）。１００−２００ｎｍの厚さｄ、公知の面積Ａを有する金またはアルミニウム電極をフィルムサンプルの両側に、スパッタリングまたは熱蒸発を使用して堆積させる。金属化サンプルをその後、温度制御チャンバにロードし、ＬＣＲメータ、例えばクォードテック（ＱｕａｄＴｅｃｈ）７６００プラスプレシジョン（７６００ Ｐｌｕｓ Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ）ＬＣＲメータと電気的に接続させる。サンプルのＤＫをサンプルの測定された静電容量および面積および厚さに基づき計算する。
式中、e_０＝８．８５×１０^−１２Ｆ／ｍ、真空誘電率定数である。

誘電破壊をＡＳＴＭＤ−１４９により決定した。均一な厚さを有する一片のポリマフィルムを試験サンプルとして使用し、厚さをデジタル読み取りを有するハイデンハイン・セルト（Ｈｅｉｄｅｎｈａｉｎ Ｃｅｒｔｏ）ＣＴ２５０１ゲージを使用して測定する。６０ｍｍの全測定範囲にわたるＣＴ６００１の全誤差は、１９と２１℃の間の周囲温度で±０．０５μｍ内にある。フィルムサンプルは、その表面上に電極が堆積されていない裸フィルムとして試験する。フィルムサンプルを２つの金属電極間に置き、ここで、底部電極は平坦な銅板であり、上部電極は１／４インチ直径のステンレス鋼球である。破壊測定中、連続して増加するＤＣ電圧を２つの電極間のサンプル上に適用し、０Ｖから開始して、５００Ｖ／ｓｅｃの固定した速度で増加させる。ＤＣ電圧が高電圧電源、例えばラボビュー（Ｌａｂｖｉｅｗ）により制御されるトレック（Ｔｒｅｋ）３０／２０Ａ−Ｌを用いて適用される。電圧は誘電破壊が起こるまで増加し、それにより、大きな電流が発生し、電源がその保護回路により自動的にリセットされる。最高到達電圧が降伏電圧Ｖ_ＢＤとして記録され、破壊電界Ｅ_ＢＤが、Ｖ_ＢＤをフィルム厚ｄにより割ることにより決定される。別の方法が特定されない限り、この方法を使用した。

ガラス転移温度を、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）を使用して決定した。

電子雪崩をフィルム箔サンプルにより、グラスマン（Ｇｌａｓｓｍａｎ）１０ｍＡ電源を用いて決定した。試験はゼロボルトから開始させ、破壊が起こるまで傾斜させる。その後、電圧は、破壊が止まるまでプラトーになる。破壊が５秒以内に止まらない場合、この電圧はアバランシェ電圧として決定される。破壊が５秒以内に止まる場合、次の破壊が起こるまで、電圧を増加させる。破壊が「暴走」し、５秒プラトー内に止まらなくなるまでプロセスを繰り返し、その時点でアバランシェ電圧が記録される。

静電容量（ＣＡＰ）をＬＣＲメータを使用して決定した。非常に均一なフィルム厚を有するポリマフィルムを試験サンプルとして使用する。フィルム厚ｄをマイクロメータまたは光学厚み計により正確に決定する（フィルムが透明な場合）。１００−２００ｎｍの厚さｄ、公知の面積Ａを有する金またはアルミニウム電極をフィルムサンプルの両側に、スパッタリングまたは熱蒸発を使用して堆積させる。金属化サンプルをその後、温度制御チャンバにロードし、ＬＣＲメータ、例えばクォードテック７６００プラスプレシジョンＬＣＲメータと電気的に接続させる。

等価直列抵抗（ＥＳＲ）をＬＣＲメータを使用することにより決定した。非常に均一なフィルム厚を有するポリマフィルムを試験サンプルとして使用する。フィルム厚ｄをマイクロメータまたは光学厚み計により正確に決定する（フィルムが透明な場合）。１００−２００ｎｍの厚さｄ、公知の面積Ａを有する金またはアルミニウム電極をフィルムサンプルの両側に、スパッタリングまたは熱蒸発を使用して堆積させる。金属化サンプルをその後、温度制御チャンバにロードし、ＬＣＲメータ、例えばクォードテック７６００プラスプレシジョンＬＣＲメータと電気的に接続させる。

高電位（Ｈｉｐｏｔ）を、サンプルを４００Ｖの過電圧に、グラスマン１０ｍＡ電源を使用して置くことにより決定した。試験を４００Ｖに到達した後、５秒間４００Ｖで保持し、破壊が起こらない場合、サンプルは合格（Ｐ）と言われる。

ポリマブレンドを一軸式押出機上で下記調合物を用いて押し出した。

＜実施例１＞
調合物１を押し出し、６マイクロメートルの厚さを有するフィルムを形成させた。ＤＳＣをフィルム１−３上で実施し、結果を、表２に示す。

フィルム４および５を、表３に示される温度に１時間曝露し、収縮についてチェックした。縦方向（「ＭＤ」）および横方向（「ＴＤ」）での収縮結果を、表３に示す。

１６０℃まで収縮は観察されず、フィルムの高温耐熱性が証明される。

電子雪崩試験結果を、表４にまとめて示す。結果により、１５０℃に至るまで良好な電気強度および性能（＜２５％値変化）が示される。より高い温度では、アバランシェ値はより著しく減少する。

＜実施例２＞
この実施例は、調合物１から押し出されたフィルムの破壊強度とポリ（エステル−カーボネート）およびＰＥＩから押し出されたフィルムの破壊強度を比較する。結果を、表６に示す。

表６におけるデータにより、ＰＰＰＢＰ−ＢＰＡコポリマのブレンドから製造されたフィルムは、ポリ（エステル−カーボネート）およびＰＥＩから製造されたフィルムより高い破壊強度を有することが示され、高熱コンデンサ材料として広く使用されてきた、例えば、１２５℃までの使用温度を有する、ＢＰＡホモポリマから製造されたフィルムに相当する、またはさらにこれより優れているという結果が提供される。

＜実施例３＞
実施例１のフィルムを、図１に示されるパターンを使用して巻回させて試験箔コンデンサとした。６６のコンデンサ上での試験結果を表７に示す。全ての試験したコンデンサは試験に合格した。ＤＦは、１ｋＨｚで＜１％であった。

単数形「１つの（ａ、ａｎ）」および「その（ｔｈｅ）」は、文脈で明確に別記されない限り、複数の指示対象を含む。「または」は、「および／または」を意味する。同じ成分または特性を対象とする全ての範囲の終点は含まれ、独立して組み合わせることができる。添え字「（複数可）」は、本明細書では、これが修飾するその用語の単数形および複数形の両方が含まれることを意図し、よって、その用語の少なくとも１つが含まれる（例えば、「着色剤（複数可）」は少なくとも１つ着色剤を含む）。「任意的な」または「任意で」は、その後に記載される事象または状況が起きても、起こらなくてもよいこと、その記載は、事象が起きた場合および起こらなかった場合を含むことを意味する。別に規定されない限り、本明細書で使用される技術および科学用語は、この発明が属する分野の当業者により普通に理解されるものと同じ意味を有する。

本明細書では、「組み合わせ」はブレンド、混合物、合金、反応生成物、などを含む。化合物は標準命名法を使用して記載される。例えば、任意の示された基により置換されていない任意の位置は示された結合、または水素原子により満たされたその原子価を有することが理解される。２つの文字または記号間にないダッシュ記号（「−」）は、置換基のための付着点を示すために使用される。例えば、−ＣＨＯは、カルボニル基の炭素を介して付着される。

本明細書では、「ヒドロカルビル」および「炭化水素」という用語は、広く、炭素および水素を含み、任意で１から３つのヘテロ原子、例えば、酸素、窒素、ハロゲン、ケイ素、硫黄、またはそれらの組み合わせを有する置換基を示し、「アルキル」は、直鎖または分枝鎖、飽和一価炭化水素基を示し、「アルキレン」は、直鎖または分枝鎖、飽和、二価炭化水素基を示し、「アルキリデン」は、単一の共通の炭素原子上に両方の原子価を有する、直鎖または分枝鎖、飽和二価炭化水素基を示し、「アルケニル」は、炭素−炭素二重結合により連結された少なくとも２つの炭素を有する、直鎖または分枝鎖一価炭化水素基を示し、「シクロアルキル」は、少なくとも３つの炭素原子を有する、非芳香族一価単環式または多環式炭化水素基を示し、「シクロアルケニル」は、少なくとも３つの炭素原子を有し、少なくとも１の不飽和度を有する、非芳香族環状二価炭化水素基を示し、「アリール」は、１つまたは複数の芳香環内に炭素のみを含む芳香族一価基を示し、「アリーレン」は、１つまたは複数の芳香環内に炭素のみを含む芳香族二価基を示し、「アルキルアリール」は、以上で規定されるアルキル基で置換されたアリール基を示し、４−メチルフェニルが例示的なアルキルアリール基であり、「アリールアルキル」は、以上で規定されるアリール基で置換されたアルキル基を示し、ベンジルが例示的なアリールアルキル基であり、「アシル」は、カルボニル炭素架橋（−Ｃ（＝Ｏ）−）を介して付着された指示された数の炭素原子を有する、以上で規定されるアルキル基を示し、「アルコキシ」は、酸素架橋（−Ｏ−）を介して付着された指示された数の炭素原子を有する以上で規定されるアルキル基を示し、ならびに「アリールオキシ」は、酸素架橋（−Ｏ−）を介して付着された指示された数の炭素原子を有する以上で規定されるアリール基を示す。

別記されない限り、前記基の各々は、非置換とすることができ、または置換することができ、ただし、置換が、化合物の合成、安定性、または使用に著しく悪影響を及ぼさないことを条件とする。「置換された」という用語は、本明細書では、指定された原子または基上の少なくとも１つの水素が別の基で置き換えられることを意味し、ただし、指定された原子の正常な原子価を超えないことを条件とする。置換基がオキソ（すなわち、＝Ｏ）である場合、原子上の２つの水素が置き換えられる。置換基および／または変数の組み合わせが許容され、ただし、置換が化合物の合成または使用に著しく悪影響を及ぼさないことを条件とする。「置換された」位置に存在することができる例示的な基としては下記が挙げられるが、それらに限定されない：シアノ、ヒドロキシル、ニトロ、アジド、アルカノイル（例えば、Ｃ_２−６アルカノイル基、例えばアシル）、カルボキサミド、Ｃ_１−６またはＣ_１−３アルキル、シクロアルキル、アルケニル、およびアルキニル（少なくとも１つの不飽和結合および２から８、または２から６個の炭素原子を有する基を含む）、Ｃ_１−６またはＣ_１−３アルコキシ基、Ｃ_６−１０アリールオキシ、例えばフェノキシ、Ｃ_１−６アルキルチオ、Ｃ_１−６またはＣ_１−３アルキルスルフィニル、Ｃ_１−６またはＣ_１−３アルキルスルホニル、アミノジ（Ｃ_１−６またはＣ_１−３）アルキル、少なくとも１つ芳香環を有するＣ_６−１２アリール（例えば、フェニル、ビフェニル、ナフチル、など、各環は置換または非置換芳香族のいずれかである）、１から３つの別々のまたは縮合環および６から１８個の環炭素原子を有するＣ_７−１９アルキレンアリール（ベンジルが例示的なアリールアルキル基である）、または１から３つの別々のまたは縮合環および６から１８個の炭素原子を有するアリールアルコキシ（ベンジルオキシが例示的なアリールアルコキシ基である）。

本明細書で引用される全ての参考文献は、それらの全体が参照により組み込まれる。典型的な実施形態について説明目的のために明記してきたが、前記記載は、本明細書における範囲を制限すると考えられるべきではない。したがって、様々な改変、適応、および代替は、本明細書内の精神および範囲から逸脱せずに、当業者であれば思いつくことができる。

Claims (13)

1. 第１の繰り返し単位および前記第１の繰り返し単位とは異なる第２の繰り返し単位を含むフタルイミジンコポリカーボネートであって、前記第１の繰り返し単位は、フタルイミジンカーボネート単位：
   であり、
   式中、
   Ｒ^ａおよびＲ^ｂはそれぞれ独立して、Ｃ_１−１２アルキル、Ｃ_１−１２アルケニル、Ｃ_３−８シクロアルキル、またはＣ_１−１２アルコキシであり、
   ｐおよびｑはそれぞれ独立して、０から４であり、
   各Ｒ^３は独立して、Ｃ_１−６アルキルであり、
   ｊは、０から４であり、かつ
   Ｒ^４は、水素、Ｃ_１−６アルキル、または任意で１から５つのＣ_１−６アルキル基で置換されたフェニルであり、ならびに
   前記第２の繰り返し単位は、第１の繰り返しフタルイミジンカーボネート単位とは同じではないビスフェノールカーボネート単位を含み、
   前記第２の繰り返し単位は、下記式を有し、
   式中、
   Ｒ^ａおよびＲ^ｂはそれぞれ独立して、Ｃ_１−１２アルキル、Ｃ_１−１２アルケニル、Ｃ_３−８シクロアルキル、またはＣ_１−１２アルコキシであり、
   ｐおよびｑはそれぞれ独立して、０から４の整数であり、ならびに
   Ｘ^ａは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（Ｏ）−、−Ｓ（Ｏ）_２−、−Ｃ（Ｏ）−、またはＣ_１−３２架橋炭化水素基であり、ただし、Ｘ^ａは、フタルイミジン基ではないことを条件とする、
   フタルイミジンコポリカーボネートと、
   フタルイミジンコポリカーボネートではない第２のポリカーボネートと、
   を含むフィルムであって、
   前記第２のポリカーボネートは、ポリカーボネートホモポリマ、コポリカーボネート、またはカーボネート単位およびエステル単位を含むコポリマを含み、
   １７０℃超のガラス転移温度、
   １ｋＨｚ、２３℃および５０％相対湿度で、少なくとも３．０の比誘電率、
   １ｋＨｚ、２３℃および５０％相対湿度で、１％またはそれ以下の誘電正接、ならびに
   少なくとも８００ボルト／マイクロメートルの破壊強度、
   を有する、フィルム。
2. 前記フタルイミジンカーボネート単位は、下記式の単位であり、
   式中、
   Ｒ^ａおよびＲ^ｂはそれぞれ独立して、Ｃ_１−３アルキル基であり、
   ｐおよびｑはそれぞれ独立して、０から４の整数であり、
   Ｒ^３はそれぞれ独立して、Ｃ_１−６アルキル基であり、
   ｊは、０から４であり、ならびに
   Ｒ^４は、水素、Ｃ_１−６アルキルまたは任意で１から５つのＣ_１−６アルキル基で置換されたフェニルであり、
   場合によって、前記繰り返しフタルイミジンカーボネート単位は、下記式の単位であり、
   式中、Ｒ ^５ は、水素、フェニルまたはメチルである、請求項１に記載のフィルム。
3. 前記フタルイミジンコポリカーボネートは、Ｎ−フェニルフェノールフタレイニルビスフェノール、２，２−ビス（４−ヒドロ）−ビスフェノールＡコポリカーボネートである、請求項１または２に記載のフィルム。
4. 前記フィルムは、架橋されたフタルイミジンコポリカーボネートを含み、前記フィルムは、架橋されていないフタルイミジンコポリカーボネートを含むフィルムに比べ、５から５０％大きい破壊強度を示す、または、
   前記フィルムは、分枝フタルイミジンコポリカーボネートを含み、前記フィルムは、非分枝フタルイミジンコポリカーボネートを含むフィルムに比べ、５から５０％大きい破壊強度を示す、請求項１から３のいずれか一項に記載のフィルム。
5. 前記第２のポリカーボネートは、ＢＰＡホモポリマである、請求項１から４のいずれか一項に記載のフィルム。
6. 前記フィルムは、下記条件の少なくとも１つを満たす、請求項１から５のいずれか一項に記載のフィルム。
   前記フィルムは、１，５００ｐｐｍ未満の合計ハロゲン含有化合物および９００ｐｐｍ未満の任意のハロゲン含有化合物を含み、
   前記フィルムは、０．１ｐｐｍ未満の浸出性の低イオン性塩化物および硫酸塩を含み、
   前記フィルムは、１０ｐｐｍ未満のＡｌ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｋ、Ｍｇ、Ｎａ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｚｎ、およびＴｉの各々を含み、
   前記フィルム中のＡｌ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｋ、Ｍｇ、Ｎａ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｚｎ、およびＴｉの総量は、１０ｐｐｍ未満であり、
   前記フィルム１００ｃｍ^２の面積中、２０マイクロメートルを超える直径を有する、２より少ない炭化封入体を含み、ならびに
   前記フィルムは、１，０００ｐｐｍ未満の、２５０ダルトン未満の分子量を有する化合物を含む
7. 前記フィルムは、前記フィルムの総重量に基づき、１から５０重量パーセントの、シリコーンポリエーテルイミド、ポリエーテルイミドスルホン、ポリエステル、フタルイミジンコポリカーボネート以外のポリカーボネート、シリコーンポリカーボネート−ポリエステルコポリマおよび前記の少なくとも１つを含む組み合わせから選択されるポリマをさらに含む、請求項１から６のいずれか一項に記載のフィルム。
8. 請求項１から７のいずれか一項に記載のフィルムを含む物品。
9. 前記フィルムの少なくとも一部上に堆積された導電性金属または金属合金の層をさらに含み、前記導電性金属または金属合金は、アルミニウム、亜鉛、銅、銀、金、ニッケル、チタン、クロム、バナジウム、白金、タンタル、ニオブ、黄銅、または前記の少なくとも１つを含む組み合わせを含み、
   場合により、前記導電性金属の層は、１から３，０００オングストロームまたは１から２，０００オングストロームの厚さを有する、請求項８に記載の物品。
10. 請求項８または９に記載の巻回物品または請求項８または９に記載の巻回物品の一部を含むコンデンサ。
11. 請求項１０に記載のコンデンサを含む電子装置。
12. フタルイミジンコポリカーボネートおよび第２のポリカーボネートを含むフィルム形成組成物を押し出す工程を含む、請求項１から７のいずれか一項に記載のフィルムを生成する方法。
13. 前記ポリカーボネートを架橋させるのに有効な波長および時間で、押出フィルムを照射する工程をさらに含み、架橋されたポリカーボネートを含む前記フィルムは、架橋されていないポリカーボネートを含む同じフィルムよりも５から５０％大きい破壊強度の増加を示す、請求項１２に記載の方法。