JP6253439B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
[構造説明]
図1は、本実施の形態の半導体リレーの構成を模式的に示す回路図である。図1に示す半導体リレーRは、2つのMISチップMC1、MC2と、複数の光起電力ダイオード(フォトダイオード)PDよりなる受光素子アレイPAおよび制御回路CCを有する受光チップ(半導体チップ)PCと、LED(light emitting diode)等の発光素子を有する発光チップLCとを有する。MISチップMC1、MC2は、MISFET(Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor)よりなる。このMISFETは、エンハンスメント型である。
次いで、図5〜図23を参照しながら、本実施の形態の半導体装置の製造方法を説明するとともに、当該半導体装置の構成をより明確にする。図5〜図23は、本実施の形態の半導体装置の製造工程を示す断面図または平面図である。
図5に示すように、半導体基板として、例えば、n型の単結晶シリコン基板Sを準備する。この単結晶シリコン基板Sは、単結晶シリコン島(SI)となる。単結晶シリコン基板Sの表面に熱酸化などにより酸化シリコン膜OXMを形成する。この酸化シリコン膜OXMは、V字状の溝VGを形成する際のマスク膜となる膜である。次いで、この酸化シリコン膜OXMを、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を使用して、パターニングすることにより、単結晶シリコン島SI間に対応する分離領域の酸化シリコン膜OXMを除去し、開口部を形成する。この分離領域の幅は、例えば、40μm程度である。
次いで、誘電体分離基板の各単結晶シリコン島SIにダイオードなどの素子を形成する。
本実施の形態においては、切り欠き部の形状の応用例について説明する。
発光素子と、
第1MISFETと、
第2MISFETと、
半導体チップと、
を有する半導体リレーであって、
前記半導体チップは、
支持体の上方に設けられ、第1の絶縁領域で囲まれた第1の半導体島領域と、
前記支持体の上方に設けられ、第2の絶縁領域で囲まれた第2の半導体島領域と、
前記支持体の上方に設けられ、第3の絶縁領域で囲まれた第3の半導体島領域と、
前記支持体の上方に設けられ、第4の絶縁領域で囲まれた第4の半導体島領域と、
前記第1の半導体島領域に形成された第1ダイオードと、
前記第2の半導体島領域に形成された第2ダイオードと、
前記第3の半導体島領域に形成された第3ダイオードと、
前記第4の半導体島領域に形成された第4ダイオードと、
前記第3の半導体島領域および前記第4の半導体領域を覆う遮光膜と、
前記第1ダイオードと前記第3ダイオードとを電気的に接続する第1配線と、
前記第2ダイオードと前記第4ダイオードとを電気的に接続する第2配線と、を有し、
前記第1配線は、前記第3の絶縁領域の上方を横断し、
前記第2配線は、前記第4の絶縁領域の上方を横断し、
前記遮光膜は、前記第1配線および前記第2配線の下方に位置し、前記第1配線との重なり領域において第1切り欠き部を有し、前記第2配線との重なり領域において第2切り欠き部を有する、半導体リレー。
付記1記載の半導体リレーにおいて、
前記第1ダイオードおよび前記第2ダイオードは、前記発光素子の光により起電力を生じる光起電力ダイオードである、半導体リレー。
付記2記載の半導体リレーにおいて、
前記第1ダイオードと、前記第2ダイオードとの間に、直列に接続された複数の光起電力ダイオードを有し、
前記第1ダイオード、前記第2ダイオードおよび前記複数の光起電力ダイオードは、アレイ状に配置されている、半導体リレー。
付記3記載の半導体リレーにおいて、
前記第3ダイオードは、第1n型領域と第1p型領域を有し、
前記第4ダイオードは、第2n型領域と第2p型領域を有し、
前記第1p型領域と前記第1ダイオードが前記第1配線により接続され、
前記第2n型領域と前記第2ダイオードが前記第2配線により接続される、半導体リレー。
付記4記載の半導体リレーにおいて、
前記第1n型領域と、前記第1MISFETのゲート電極および前記第2MISFETのゲート電極と接続される第1パッド領域とが、第3配線により接続され、
前記第2p型領域と、前記第1MISFETのソース電極および前記第2MISFETのソース電極と接続される第2パッド領域とが、第4配線により接続される、半導体リレー。
付記5記載の半導体リレーにおいて、
前記第3ダイオードおよび前記第4ダイオードは、前記第1MISFETおよび第2MISFETのゲート電位を制御するための制御回路を構成する、半導体リレー。
2A 領域
Ca、Cb コンタクトホール
CC 制御回路
D1 制御用のダイオード
D2 制御用のダイオード
G 凹部
G(Mb) 深い凹部
GP ゲートパッド
IL1 層間絶縁膜
IL2 層間絶縁膜
IN1、IN2 入力端子
L1 ライン
L2 ライン
LC 発光チップ
LED 発光素子
M 配線
Ma 配線
Mb 配線
Mb(D1) 配線
Mb(D2) 配線
Mb(GP) 配線
Mb(SP) 配線
MC1、MC2 MISチップ(MISFET)
MF1 マスク膜
MF2 マスク膜
N 切り欠き部
N1〜N4 切り欠き部
n1〜n5 ノード
NL n+型半導体領域
NLa n+型半導体領域
NLb n+型半導体領域
OA 開口部
OUT1、OUT2 出力端子
OX 酸化シリコン膜
OXM 酸化シリコン膜
PA 受光素子アレイ
Pa、Pb 接続部
PC 受光チップ
PD 光起電力ダイオード
PD(1) 光起電力ダイオード
PD(n) 光起電力ダイオード
PL p+型半導体領域
PLa p+型半導体領域
PLb p+型半導体領域
PR 凸部
PRO 保護膜
PS1 多結晶シリコン膜(支持体)
PS2 多結晶シリコン膜(遮光膜)
R 半導体リレー
S 単結晶シリコン基板
SI 単結晶シリコン島
SP ソースパッド
SS 支持基板
ST 遮光膜の段差
TH サイリスタ
VG 溝
Claims (20)
- 支持体の上方に設けられ、第1の絶縁領域で囲まれた第1の半導体島領域と、
前記支持体の上方に設けられ、第2の絶縁領域で囲まれた第2の半導体島領域と、
前記第1の半導体島領域に形成された第1ダイオードと、
前記第2の半導体島領域に形成された第2ダイオードと、
前記第1の半導体島領域を覆っておらず、かつ前記第2の半導体島領域を覆う遮光膜と、
前記第1ダイオードと前記第2ダイオードとを電気的に接続する配線と、
を有し、
前記配線は、前記第2の絶縁領域の上方を横断し、
前記遮光膜は、前記配線の下方に位置し、平面視したときの前記配線との重なり領域において凸部または凹部を有する、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第1ダイオードは、光起電力ダイオードである、半導体装置。 - 請求項2記載の半導体装置において、
前記第2ダイオードは、前記第1ダイオードと接続される制御回路を構成する、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第2の絶縁領域の表面は、前記第2の半導体島領域の表面から深さ方向に後退している、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第1の絶縁領域と前記第2の絶縁領域との間には、前記支持体が露出している、半導体装置。 - 請求項5記載の半導体装置において、
前記遮光膜の端部は、前記第1の絶縁領域と前記第2の絶縁領域との間の前記支持体の上方に位置する、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記凸部または前記凹部の平面視形状は、矩形状である、半導体装置。 - 請求項7記載の半導体装置において、
前記凸部または前記凹部の幅は、前記配線幅の1/2である、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記凸部または前記凹部の平面視形状は、三角形状である、半導体装置。 - 支持体の上方に設けられ、第1の絶縁領域で囲まれた第1の半導体島領域と、
前記支持体の上方に設けられ、第2の絶縁領域で囲まれた第2の半導体島領域と、
前記支持体の上方に設けられ、第3の絶縁領域で囲まれた第3の半導体島領域と、
前記支持体の上方に設けられ、第4の絶縁領域で囲まれた第4の半導体島領域と、
前記第1の半導体島領域に形成された第1ダイオードと、
前記第2の半導体島領域に形成された第2ダイオードと、
前記第3の半導体島領域に形成された第3ダイオードと、
前記第4の半導体島領域に形成された第4ダイオードと、
前記第1の半導体島領域および前記第2の半導体島領域を覆っておらず、かつ前記第3の半導体島領域および前記第4の半導体島領域を覆う遮光膜と、
前記第1ダイオードと前記第3ダイオードとを電気的に接続する第1配線と、
前記第2ダイオードと前記第4ダイオードとを電気的に接続する第2配線と、
を有し、
前記第1配線は、前記第3の絶縁領域の上方を横断し、
前記第2配線は、前記第4の絶縁領域の上方を横断し、
前記遮光膜は、前記第1配線および前記第2配線の下方に位置し、平面視したときの前記第1配線との重なり領域において第1凸部または第1凹部を有し、平面視したときの前記第2配線との重なり領域において第2凸部または第2凹部を有する、半導体装置。 - 請求項10記載の半導体装置において、
前記第1ダイオードおよび前記第2ダイオードは、光起電力ダイオードである、半導体装置。 - 請求項11記載の半導体装置において、
前記第3ダイオードは、前記第1ダイオードと接続される制御回路を構成する、半導体装置。 - 請求項10記載の半導体装置において、
前記第3の絶縁領域の表面は、前記第3の半導体島領域の表面から深さ方向に後退している、半導体装置。 - 請求項10記載の半導体装置において、
前記第1凸部または前記第1凹部の平面視形状は、矩形状であり、前記第1凸部または前記第1凹部の幅は、前記第1配線幅の1/2であり、
前記第2凸部または前記第2凹部の平面視形状は、矩形状であり、前記第2凸部または前記第2凹部の幅は、前記第2配線幅の1/2である、半導体装置。 - 請求項11記載の半導体装置において、
前記第1ダイオードと、前記第2ダイオードとの間に、複数の光起電力ダイオードを有し、
前記第1ダイオード、前記第2ダイオードおよび前記複数の光起電力ダイオードは、アレイ状に配置されている、半導体装置。 - 請求項10記載の半導体装置において、
前記第3ダイオードは、第1n型領域と第1p型領域を有し、
前記第4ダイオードは、第2n型領域と第2p型領域を有し、
前記第1p型領域と前記第1ダイオードが前記第1配線により接続され、
前記第2n型領域と前記第2ダイオードが前記第2配線により接続される、半導体装置。 - 請求項16記載の半導体装置において、
前記第1n型領域と第1パッド領域が第3配線により接続され、
前記第2p型領域と第2パッド領域が第4配線により接続される、半導体装置。 - 請求項17記載の半導体装置において、
前記遮光膜は、前記第3配線との重なり領域において第3凸部または第3凹部を有し、前記第4配線との重なり領域において第4凸部または第4凹部を有する、半導体装置。 - 請求項18記載の半導体装置において、
前記第3凸部または前記第3凹部の平面視形状は、矩形状であり、前記第3凸部または前記第3凹部の幅は、前記第3配線幅の1/2であり、
前記第4凸部または前記第4凹部の平面視形状は、矩形状であり、前記第4凸部または前記第4凹部の幅は、前記第4配線幅の1/2である、半導体装置。 - 請求項17記載の半導体装置において、
前記第1パッド領域は、第1MISFETのゲート電極および第2MISFETのゲート電極と接続され、
前記第2パッド領域は、第1MISFETのソース電極および第2MISFETのソース電極と接続される、半導体装置。
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