JP6252737B2 - 電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子機器及び移動体 - Google Patents
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Description
本発明は、電子デバイス、この電子デバイスの製造方法、この電子デバイスを備えている電子機器及び移動体に関する。
従来、電子機器などに用いられる電子デバイスの一例として、角速度センサーの平面振動体と、加速度センサーの可動体とを、基板上に互いに間隔を介して浮いた状態に設け、平面振動体と可動体とを蓋部材で覆い、両者を区分壁部で別々の空間部に区分して、それぞれの空間部が真空状態、大気圧状態で気密封止されている複合センサー素子が知られている（例えば、特許文献１参照）。
上記複合センサー素子は、蓋部材に封止用として外面（外部）側が広く空間部側が狭いスルーホール（貫通孔）が設けられ、例えば、樹脂や半田などの封止用部材によってスルーホールが封止されている構成となっている。
上記複合センサー素子は、蓋部材に封止用として外面（外部）側が広く空間部側が狭いスルーホール（貫通孔）が設けられ、例えば、樹脂や半田などの封止用部材によってスルーホールが封止されている構成となっている。
上記複合センサー素子は、蓋部材に封止用として外面側が広く空間部側が狭いスルーホールが設けられていることから、スルーホールの内壁面が傾斜していることになり、スルーホールの空間部側の先端が鋭利な形状となる。これにより、上記複合センサー素子は、スルーホールの空間部側の先端が、外部からの衝撃などにより破損する虞がある。
また、上記複合センサー素子は、例えば、スルーホールが略角錘形状である場合には、球状の封止用部材を投入し、溶融して封止する際に、溶融状態によってはスルーホールの内壁面の隅と封止用部材との間に隙間が生じ、封止不良となる虞がある。
また、上記複合センサー素子は、例えば、スルーホールが略角錘形状である場合には、球状の封止用部材を投入し、溶融して封止する際に、溶融状態によってはスルーホールの内壁面の隅と封止用部材との間に隙間が生じ、封止不良となる虞がある。
また、上記複合センサー素子は、スルーホールの金属膜が空間部側の先端まで設けられていることから、封止用部材を溶融して封止する際に、封止用部材が空間部側の先端まで濡れ広がり易くなる。
これにより、上記複合センサー素子は、溶融した封止用部材が空間部内に飛散し、例えば、可動体や内部配線などの構成要素に付着し、特性を劣化させる虞がある。
これらの結果、上記複合センサー素子は、封止の信頼性が低下する虞がある。
これにより、上記複合センサー素子は、溶融した封止用部材が空間部内に飛散し、例えば、可動体や内部配線などの構成要素に付着し、特性を劣化させる虞がある。
これらの結果、上記複合センサー素子は、封止の信頼性が低下する虞がある。
加えて、上記複合センサー素子は、蓋部材の空間部を構成する内壁面が、上方に向かうに従い空間部が狭くなるように傾斜していることから、基板側では平面振動体や可動体から内壁面までの間隔を必要以上に多く取る必要がある。
これにより、上記複合センサー素子は、蓋部材が必要以上に大きくなることから、更なる小型化が阻害される虞がある。
これにより、上記複合センサー素子は、蓋部材が必要以上に大きくなることから、更なる小型化が阻害される虞がある。
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
［適用例１］本適用例にかかる電子デバイスは、基板と、前記基板と向き合う側に凹部が設けられ前記基板に接合されている蓋体と、前記基板と前記蓋体との間に設けられている機能素子と、を備え、前記蓋体は、前記凹部と外面との間を貫通する貫通孔を有し、前記貫通孔は、前記外面側に設けられている第１孔部と、該第１孔部と連通し前記凹部側に設けられている第２孔部とを含み、前記第２孔部は平面形状が円形で、前記第２孔部の平面積は、前記第１孔部の平面積より小さく、前記第２孔部の内壁面は、少なくとも一部が前記第１孔部の底面に対して略直角であり、前記貫通孔は、封止部材により封止されていることを特徴とする。
これによれば、電子デバイスは、貫通孔が、外面側に設けられている第１孔部と、凹部側に設けられている第２孔部とを含み、第２孔部の平面形状が円形で、第２孔部の内壁面の少なくとも一部が第１孔部の底面に対して略直角である。
このことから、電子デバイスは、例えば、従来の空間部側の先端が鋭利な形状となっているスルーホールに対して、貫通孔の第２孔部の強度（機械的強度）が向上し、破損し難くなっている。
加えて、電子デバイスは、貫通孔の第２孔部の平面形状が円形で、第２孔部の平面積が第１孔部の平面積より小さいことから、例えば、第２孔部より大きく第１孔部より小さい球状の封止部材を、第２孔部を覆うように載置し、溶融することにより第２孔部（貫通孔）を確実に封止することができる。
これらの結果、電子デバイスは、貫通孔の封止の信頼性を向上させることができる。
このことから、電子デバイスは、例えば、従来の空間部側の先端が鋭利な形状となっているスルーホールに対して、貫通孔の第２孔部の強度（機械的強度）が向上し、破損し難くなっている。
加えて、電子デバイスは、貫通孔の第２孔部の平面形状が円形で、第２孔部の平面積が第１孔部の平面積より小さいことから、例えば、第２孔部より大きく第１孔部より小さい球状の封止部材を、第２孔部を覆うように載置し、溶融することにより第２孔部（貫通孔）を確実に封止することができる。
これらの結果、電子デバイスは、貫通孔の封止の信頼性を向上させることができる。
［適用例２］上記適用例にかかる電子デバイスにおいて、前記基板は、ガラスを主材料とし、前記蓋体は、シリコンを主材料とすることが好ましい。
これによれば、電子デバイスは、基板がガラスを主材料とし、蓋体がシリコンを主材料とすることから、基板と蓋体とを陽極接合することができる。これにより、電子デバイスは、別途接合部材を用いることなく、基板と蓋体とを確実に接合することができる。
また、電子デバイスは、蓋体がシリコンを主材料とすることから、シリコンの性状を利用して、後述する適用例３や適用例４のような形状を容易に形成することができる。
また、電子デバイスは、蓋体がシリコンを主材料とすることから、シリコンの性状を利用して、後述する適用例３や適用例４のような形状を容易に形成することができる。
［適用例３］上記適用例にかかる電子デバイスにおいて、前記第１孔部は、前記外面側の平面積が前記底面側の平面積より大きくなるように内壁面が傾斜し、前記内壁面及び前記底面が金属膜で被覆されていることが好ましい。
これによれば、電子デバイスは、第１孔部の外面側の平面積が底面側の平面積より大きくなるように内壁面が傾斜していることから、例えば、スパッタリング法、蒸着法などにより、金属膜を内壁面に成膜する際に、内壁面が垂直な場合と比較して、確実に成膜することができる。
これにより、電子デバイスは、封止部材が第１孔部内に確実に濡れ広がり、貫通孔（第２孔部）を確実に封止することができる。
加えて、電子デバイスは、第１孔部の内壁面及び底面が金属膜で被覆されている、換言すれば、第２孔部の内壁面が金属膜で被覆されていないことから、封止部材が第２孔部の凹部側の先端までは濡れ広がり難くなる。
これにより、電子デバイスは、封止部材が第２孔部を経由して凹部内に飛散することを抑制できる。
これらの結果、電子デバイスは、封止部材が機能素子などの構成要素に付着し、特性を劣化させる虞を回避でき、貫通孔の封止の信頼性を更に向上させることができる。
これにより、電子デバイスは、封止部材が第１孔部内に確実に濡れ広がり、貫通孔（第２孔部）を確実に封止することができる。
加えて、電子デバイスは、第１孔部の内壁面及び底面が金属膜で被覆されている、換言すれば、第２孔部の内壁面が金属膜で被覆されていないことから、封止部材が第２孔部の凹部側の先端までは濡れ広がり難くなる。
これにより、電子デバイスは、封止部材が第２孔部を経由して凹部内に飛散することを抑制できる。
これらの結果、電子デバイスは、封止部材が機能素子などの構成要素に付着し、特性を劣化させる虞を回避でき、貫通孔の封止の信頼性を更に向上させることができる。
［適用例４］上記適用例にかかる電子デバイスにおいて、前記第２孔部の孔径は、前記第１孔部の前記底面側より前記凹部側の方が大きいことが好ましい。
これによれば、電子デバイスは、第２孔部の孔径が、第１孔部の底面側より凹部側の方が大きいことから、例えば、減圧や吸引による凹部内のガス排出などの際に、第２孔部の孔径が一定の場合より、ガスをスムーズに排出することができる。
［適用例５］上記適用例にかかる電子デバイスにおいて、前記蓋体の前記凹部の内壁面は、前記基板との接合面に対して略直角に形成されていることが好ましい。
これによれば、電子デバイスは、蓋体の凹部の内壁面が基板との接合面に対して略直角に形成されていることから、内壁面が傾斜している場合と比較して、機能素子などの構成要素から内壁面までの間隔を必要以上に多く取る必要がない。
これにより、電子デバイスは、内壁面が傾斜している場合と比較して、蓋体を小さくできることから、更なる小型化を図ることが可能となる。
これにより、電子デバイスは、内壁面が傾斜している場合と比較して、蓋体を小さくできることから、更なる小型化を図ることが可能となる。
［適用例６］本適用例にかかる電子デバイスの製造方法は、基板と、前記基板と向き合う側に凹部が設けられ前記基板に接合されている蓋体と、前記基板と前記蓋体との間に設けられている機能素子と、を備え、前記蓋体は、前記凹部と外面との間を貫通する貫通孔を有し、前記貫通孔は、前記外面側に設けられている第１孔部と、該第１孔部と連通し前記凹部側に設けられている第２孔部とを含み、前記第２孔部は平面形状が円形で、前記第２孔部の平面積は、前記第１孔部の平面積より小さく、前記第２孔部の内壁面は、少なくとも一部が前記第１孔部の底面に対して略直角であり、前記貫通孔は、封止部材により封止されている電子デバイスの製造方法であって、前記蓋体の前記貫通孔の前記第１孔部を、ウエットエッチングで形成する工程と、前記蓋体の前記貫通孔の前記第２孔部を、ドライエッチングで形成する工程と、を含むことを特徴とする。
これによれば、電子デバイスの製造方法は、蓋体の貫通孔の第１孔部を、ウエットエッチングで形成する工程を含むことから、第１孔部を、外面側の平面積が底面側の平面積より大きくなるように内壁面が傾斜している形状に形成することができる。
加えて、電子デバイスの製造方法は、蓋体の貫通孔の第２孔部を、ドライエッチングで形成する工程を含むことから、第２孔部を、平面形状が円形で、内壁面の少なくとも一部が第１孔部の底面に対して略直角となる形状に形成することができる。
これらにより、電子デバイスの製造方法は、上記適用例１〜適用例３に記載の効果を奏する電子デバイスを製造し提供することができる。
加えて、電子デバイスの製造方法は、蓋体の貫通孔の第２孔部を、ドライエッチングで形成する工程を含むことから、第２孔部を、平面形状が円形で、内壁面の少なくとも一部が第１孔部の底面に対して略直角となる形状に形成することができる。
これらにより、電子デバイスの製造方法は、上記適用例１〜適用例３に記載の効果を奏する電子デバイスを製造し提供することができる。
［適用例７］上記適用例にかかる電子デバイスの製造方法において、前記蓋体の前記凹部を、ドライエッチングで形成する工程を、更に含むことが好ましい。
これによれば、電子デバイスの製造方法は、蓋体の凹部をドライエッチングで形成する工程を、更に含むことから、蓋体の凹部の内壁面を、基板との接合面に対して略直角に形成することができる。
これにより、電子デバイスの製造方法は、上記適用例５に記載の効果を奏する電子デバイスを製造し提供することができる。
これにより、電子デバイスの製造方法は、上記適用例５に記載の効果を奏する電子デバイスを製造し提供することができる。
［適用例８］本適用例にかかる電子機器は、上記適用例のいずれか一例に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする。
これによれば、本構成の電子機器は、上記適用例のいずれか一例に記載の電子デバイスを備えていることから、上記適用例に記載の効果が反映され、信頼性に優れた電子機器を提供することができる。
［適用例９］本適用例にかかる移動体は、上記適用例のいずれか一例に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする。
これによれば、本構成の移動体は、上記適用例のいずれか一例に記載の電子デバイスを備えていることから、上記適用例に記載の効果が反映され、信頼性に優れた移動体を提供することができる。
以下、本発明を具体化した実施形態について図面を参照して説明する。
（加速度センサー）
最初に、電子デバイスの一例としての加速度センサーについて説明する。
図１は、加速度センサーの概略構成を示す模式斜視図である。図２は、図１の加速度センサーの概略構成を示す模式平面図である。図３は、図２のＡ−Ａ線での模式断面図である。図４は、図３のＤ部の模式拡大図である。
図５は、図２のＢ部の模式拡大図であり、図５（ａ）は模式平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＥ−Ｅ線での模式断面図、図５（ｃ）は、図５（ａ）のＦ−Ｆ線での模式断面図である。
図６は、図２のＣ部の模式拡大図であり、図６（ａ）は模式平面図、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＧ−Ｇ線での模式断面図である。なお、上記各図では、説明の便宜上、一部の構成要素を省略してある。また、各図において、分かり易くするために、各構成要素の寸法比率は実際と異なる。また、図中のＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は、互いに直交する座標軸であり、矢印の方向が＋（プラス）方向である。
最初に、電子デバイスの一例としての加速度センサーについて説明する。
図１は、加速度センサーの概略構成を示す模式斜視図である。図２は、図１の加速度センサーの概略構成を示す模式平面図である。図３は、図２のＡ−Ａ線での模式断面図である。図４は、図３のＤ部の模式拡大図である。
図５は、図２のＢ部の模式拡大図であり、図５（ａ）は模式平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＥ−Ｅ線での模式断面図、図５（ｃ）は、図５（ａ）のＦ−Ｆ線での模式断面図である。
図６は、図２のＣ部の模式拡大図であり、図６（ａ）は模式平面図、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＧ−Ｇ線での模式断面図である。なお、上記各図では、説明の便宜上、一部の構成要素を省略してある。また、各図において、分かり易くするために、各構成要素の寸法比率は実際と異なる。また、図中のＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は、互いに直交する座標軸であり、矢印の方向が＋（プラス）方向である。
図１〜図３に示すように、加速度センサー１は、略矩形平板状の基板１２と、基板１２と向き合う側に凹部６４ａが設けられ基板１２に接合されている蓋体としてのリッド６４と、基板１２とリッド６４との間に設けられている機能素子１００と、を備えている。
機能素子１００は、基板１２上に配置された図示しない半導体基板から、フォトリソグラフィー及びエッチングにより形成されている。
機能素子１００は、可動部６８と、第１固定電極指７８と、第２固定電極指８０とを含んで構成され、加速度を検出するセンサー素子として機能する。
機能素子１００は、基板１２上に配置された図示しない半導体基板から、フォトリソグラフィー及びエッチングにより形成されている。
機能素子１００は、可動部６８と、第１固定電極指７８と、第２固定電極指８０とを含んで構成され、加速度を検出するセンサー素子として機能する。
基板１２は、Ｚ軸と直交する平面であって、複数の第１固定電極指７８及び第２固定電極指８０などと接合される主面１６を有している。主面１６は、−（マイナス）Ｘ方向の端部に端子部２０が設けられ、端子部２０以外の領域は、主面１６側に凹部６４ａを有するリッド６４により覆われている。
主面１６の略中央部には、可動部６８と基板１２との干渉を回避するために平面形状が略矩形状の凹部２２が設けられている。これにより、可動部６８の可動領域（変位領域）は、平面視で凹部２２内に収まることになる。
主面１６の略中央部には、可動部６８と基板１２との干渉を回避するために平面形状が略矩形状の凹部２２が設けられている。これにより、可動部６８の可動領域（変位領域）は、平面視で凹部２２内に収まることになる。
主面１６には、凹部２２の外周に沿って第１溝部２４が設けられ、第１溝部２４の外周に沿って第２溝部２６が設けられている。また、主面１６の端子部２０側には、第１溝部２４を挟んで第２溝部２６の反対側に第３溝部２８が設けられている。
図２に示すように、第１溝部２４、第２溝部２６は、凹部２２の−Ｙ側から反時計回りに凹部２２を取り囲むように延在し、凹部２２の−Ｘ側の端子部２０まで設けられている。第３溝部２８は、凹部２２の−Ｘ側から第１溝部２４、第２溝部２６に沿って端子部２０まで設けられている。
図２に示すように、第１溝部２４、第２溝部２６は、凹部２２の−Ｙ側から反時計回りに凹部２２を取り囲むように延在し、凹部２２の−Ｘ側の端子部２０まで設けられている。第３溝部２８は、凹部２２の−Ｘ側から第１溝部２４、第２溝部２６に沿って端子部２０まで設けられている。
基板１２の構成材料としては、ガラス、高抵抗シリコンなどの絶縁材料を用いるのが好ましい。特に、可動部６８、第１固定電極指７８、第２固定電極指８０となる半導体基板が、シリコンなどの半導体材料を主材料として構成されている場合には、基板１２の構成材料として、アルカリ金属イオン（可動イオン）を含むガラス（例えば、パイレックス（登録商標）のような硼珪酸ガラス）を用いるのが好ましい。
これにより、加速度センサー１は、基板１２と半導体基板とを陽極接合することができる。また、加速度センサー１は、基板１２にアルカリ金属イオンを含むガラスを用いることにより、基板１２と半導体基板とを容易に絶縁分離することができる。
これにより、加速度センサー１は、基板１２と半導体基板とを陽極接合することができる。また、加速度センサー１は、基板１２にアルカリ金属イオンを含むガラスを用いることにより、基板１２と半導体基板とを容易に絶縁分離することができる。
なお、基板１２は、必ずしも絶縁性を有さなくてもよく、例えば低抵抗シリコンからなる導電性基板であってもよい。この場合は、基板１２と半導体基板との間に絶縁膜を挟んで双方を絶縁分離することになる。
また、基板１２の構成材料は、半導体基板の構成材料との熱膨張係数差ができるだけ小さいことが好ましく、具体的には、基板１２の構成材料と半導体基板の構成材料との熱膨張係数差が３ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。これにより、加速度センサー１は、基板１２と半導体基板との間の残留応力を低減することができる。
ここでは、基板１２の主材料としてガラスを用いることを想定している。
また、基板１２の構成材料は、半導体基板の構成材料との熱膨張係数差ができるだけ小さいことが好ましく、具体的には、基板１２の構成材料と半導体基板の構成材料との熱膨張係数差が３ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。これにより、加速度センサー１は、基板１２と半導体基板との間の残留応力を低減することができる。
ここでは、基板１２の主材料としてガラスを用いることを想定している。
第１溝部２４の底面には、第１溝部２４に沿って第１配線３０が設けられ、第２溝部２６の底面には、第２溝部２６に沿って第２配線３６が設けられ、第３溝部２８の底面には、第３溝部２８に沿って第３配線４２が設けられている。
第１配線３０は、第１固定電極指７８と電気的に接続される配線であり、第２配線３６は、第２固定電極指８０と電気的に接続される配線であり、第３配線４２は、後述する固定部７６と電気的に接続される配線である。
なお、第１配線３０、第２配線３６、第３配線４２の各端部（端子部２０に配置される端部）は、それぞれ第１端子電極３４、第２端子電極４０、第３端子電極４６となる。
第１配線３０は、第１固定電極指７８と電気的に接続される配線であり、第２配線３６は、第２固定電極指８０と電気的に接続される配線であり、第３配線４２は、後述する固定部７６と電気的に接続される配線である。
なお、第１配線３０、第２配線３６、第３配線４２の各端部（端子部２０に配置される端部）は、それぞれ第１端子電極３４、第２端子電極４０、第３端子電極４６となる。
第１配線３０、第２配線３６、第３配線４２の構成材料としては、それぞれ導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができるが、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ3Ｏ3、ＳｎＯ2、Ｓｂ含有ＳｎＯ2、Ａｌ含有ＺｎＯなどの酸化物（透明電極材料）、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、またはこれらを含む合金などが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、加速度センサー１は、各配線の構成材料が透明電極材料（特にＩＴＯ）であれば、基板１２が透明であった場合、第１固定電極指７８、第２固定電極指８０の面上に存在する異物などを基板１２の主面１６側とは反対側の面から容易に視認することができ、検査を効率的に行うことができる。
なお、加速度センサー１は、各配線の構成材料が透明電極材料（特にＩＴＯ）であれば、基板１２が透明であった場合、第１固定電極指７８、第２固定電極指８０の面上に存在する異物などを基板１２の主面１６側とは反対側の面から容易に視認することができ、検査を効率的に行うことができる。
可動部６８は、アーム７０、可動電極指７２、可撓部７４、固定部７６により構成されている。このうち、アーム７０、可動電極指７２、可撓部７４は、基板１２の凹部２２に対向する位置、換言すればＺ軸方向から見て凹部２２内に収まる位置に配置されている。
図２に示すように、アーム７０は、Ｘ軸方向に沿って梁状（柱状）に延在し、変位方向であるＸ軸方向の両端部に可撓部７４が配置されている。複数の可動電極指７２は、アーム７０の延在方向に沿って一定の間隔で、アーム７０の延在方向と直交する方向（Ｙ軸方向）に櫛歯状に延設されている。
図２に示すように、アーム７０は、Ｘ軸方向に沿って梁状（柱状）に延在し、変位方向であるＸ軸方向の両端部に可撓部７４が配置されている。複数の可動電極指７２は、アーム７０の延在方向に沿って一定の間隔で、アーム７０の延在方向と直交する方向（Ｙ軸方向）に櫛歯状に延設されている。
可撓部７４は、アーム７０の＋Ｙ側と−Ｙ側とに対になって設けられ、それぞれＹ軸方向へ折り返しながらＸ軸方向へ延在し固定部７６に接続されている。可撓部７４は、Ｘ軸方向から印加される外力によりＸ軸方向に撓む（変形する）ように形成されている。なお、可撓部７４は、Ｘ軸方向以外の方向、例えば、Ｙ軸方向及びＺ軸方向から印加される外力に対しては変形しにくい構造となっている。
固定部７６は、可撓部７４の端部に接続されるとともに基板１２に接合されている。また固定部７６の一方（凹部２２の−Ｘ側に位置する方）は、基板１２の第３溝部２８を跨ぐ位置に配置されている。
上記の構成によりアーム７０は、Ｘ軸方向から加わる加速度に対しては変位し易く、Ｙ軸方向及びＺ軸方向から加わる加速度に対しては変位し難い構成となっている。
固定部７６は、可撓部７４の端部に接続されるとともに基板１２に接合されている。また固定部７６の一方（凹部２２の−Ｘ側に位置する方）は、基板１２の第３溝部２８を跨ぐ位置に配置されている。
上記の構成によりアーム７０は、Ｘ軸方向から加わる加速度に対しては変位し易く、Ｙ軸方向及びＺ軸方向から加わる加速度に対しては変位し難い構成となっている。
第１固定電極指７８は、基板１２の第１溝部２４及び第２溝部２６を跨ぐ位置に配置されている。また、第１固定電極指７８は、Ｚ軸方向から見て（平面視で）凹部２２と一部が重なるように配置されている。
第２固定電極指８０は、第１固定電極指７８と平行に配置され、基板１２の第１溝部２４及び第２溝部２６を跨ぐ位置に配置されている。また、第２固定電極指８０は、第１固定電極指７８と同様に、Ｚ軸方向から見て凹部２２と一部が重なるように配置されている。第１固定電極指７８及び第２固定電極指８０は、櫛歯状に配置された各可動電極指７２間に挟まれるように配置されている。
第２固定電極指８０は、第１固定電極指７８と平行に配置され、基板１２の第１溝部２４及び第２溝部２６を跨ぐ位置に配置されている。また、第２固定電極指８０は、第１固定電極指７８と同様に、Ｚ軸方向から見て凹部２２と一部が重なるように配置されている。第１固定電極指７８及び第２固定電極指８０は、櫛歯状に配置された各可動電極指７２間に挟まれるように配置されている。
図５に示すように、第１配線３０の、平面視で第１固定電極指７８と重なる位置には、導電性を有する突起部５４が形成されている。
加速度センサー１は、突起部５４を介して第１配線３０と第１固定電極指７８とが電気的に接続されている。これにより、第１端子電極３４は、第１配線３０を介して第１固定電極指７８と電気的に接続されていることになる。
加速度センサー１は、突起部５４を介して第１配線３０と第１固定電極指７８とが電気的に接続されている。これにより、第１端子電極３４は、第１配線３０を介して第１固定電極指７８と電気的に接続されていることになる。
同様に、第２配線３６の、平面視で第２固定電極指８０と重なる位置には、導電性を有する突起部５６が形成されている。
加速度センサー１は、突起部５６を介して第２配線３６と第２固定電極指８０とが電気的に接続されている。これにより、第２端子電極４０は、第２配線３６を介して第２固定電極指８０と電気的に接続されていることになる。
加速度センサー１は、突起部５６を介して第２配線３６と第２固定電極指８０とが電気的に接続されている。これにより、第２端子電極４０は、第２配線３６を介して第２固定電極指８０と電気的に接続されていることになる。
図６に示すように、第３配線４２の、平面視で凹部２２の−Ｘ側の固定部７６と重なる位置には、導電性を有する突起部５８が形成されている。
加速度センサー１は、突起部５８を介して第３配線４２と固定部７６とが電気的に接続されている。これにより、第３端子電極４６は、第３配線４２を介して固定部７６と電気的に接続され、固定部７６から可撓部７４、アーム７０を介して可動電極指７２と電気的に接続されていることになる。
加速度センサー１は、突起部５８を介して第３配線４２と固定部７６とが電気的に接続されている。これにより、第３端子電極４６は、第３配線４２を介して固定部７６と電気的に接続され、固定部７６から可撓部７４、アーム７０を介して可動電極指７２と電気的に接続されていることになる。
突起部５４，５６，５８の構成材料は、導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができるが、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌなどの金属単体またはこれらを含む合金などの金属が好適に用いられる。
なお、突起部５４，５６，５８は、例えば、基板１２の各溝部の底面から突出した突起が各配線に覆われている構成としてもよい。
また、第１配線３０、第２配線３６、第３配線４２の、第１端子電極３４、第２端子電極４０、第３端子電極４６及び突起部５４，５６，５８を除く領域は、他の構成要素との短絡を回避するために、例えば、ＳｉＯ2を含む絶縁膜６２で覆われていることが好ましい。
なお、突起部５４，５６，５８は、例えば、基板１２の各溝部の底面から突出した突起が各配線に覆われている構成としてもよい。
また、第１配線３０、第２配線３６、第３配線４２の、第１端子電極３４、第２端子電極４０、第３端子電極４６及び突起部５４，５６，５８を除く領域は、他の構成要素との短絡を回避するために、例えば、ＳｉＯ2を含む絶縁膜６２で覆われていることが好ましい。
図１〜図４に示すように、リッド６４は、凹部６４ａと外面６４ｂとの間を貫通する貫通孔９０を有している。
貫通孔９０は、外面６４ｂ側に設けられている第１孔部９１と、第１孔部９１と連通し凹部６４ａ側に設けられている第２孔部９２とを含んで構成されている。
第１孔部９１は、外面６４ｂ側の平面積が底面９１ａ側の平面積より大きくなるように４つの内壁面９１ｂが傾斜し、略四角錐状に形成されている。
そして、図４に示すように、第１孔部９１は、内壁面９１ｂ及び底面９１ａが金属膜９３で被覆されている。なお、金属膜９３は、外面６４ｂまで延在していてもよい。なお、金属膜９３は、一部の図以外では省略してある。
貫通孔９０は、外面６４ｂ側に設けられている第１孔部９１と、第１孔部９１と連通し凹部６４ａ側に設けられている第２孔部９２とを含んで構成されている。
第１孔部９１は、外面６４ｂ側の平面積が底面９１ａ側の平面積より大きくなるように４つの内壁面９１ｂが傾斜し、略四角錐状に形成されている。
そして、図４に示すように、第１孔部９１は、内壁面９１ｂ及び底面９１ａが金属膜９３で被覆されている。なお、金属膜９３は、外面６４ｂまで延在していてもよい。なお、金属膜９３は、一部の図以外では省略してある。
第２孔部９２は、平面形状が円形に形成されている。また、第２孔部９２は、平面積が第１孔部９１の平面積（底面９１ａの平面積）より小さくなるように形成されている。
また、第２孔部９２は、内壁面９２ａの少なくとも一部（ここでは全部）が、第１孔部９１の底面９１ａに対して略直角（±７度程度の傾斜は許容範囲内）となるように形成されている。つまり、第２孔部９２は、内壁面９２ａが円筒状に形成されていることになる。なお、第２孔部９２は、第１孔部９１の底面９１ａの略中央部に設けられていることが、後述する封止の信頼性の観点から好ましい。
また、第２孔部９２は、内壁面９２ａの少なくとも一部（ここでは全部）が、第１孔部９１の底面９１ａに対して略直角（±７度程度の傾斜は許容範囲内）となるように形成されている。つまり、第２孔部９２は、内壁面９２ａが円筒状に形成されていることになる。なお、第２孔部９２は、第１孔部９１の底面９１ａの略中央部に設けられていることが、後述する封止の信頼性の観点から好ましい。
貫通孔９０は、封止部材９４により封止されている。
詳述すると、リッド６４が基板１２の主面１６に、例えば、接着剤を用いた接合法、陽極接合法、直接接合法などを用いて気密に接合（固定）された後、貫通孔９０の第１孔部９１の底面９１ａの金属膜９３上に、第２孔部９２より大きく第１孔部９１より小さい球状の封止部材９４が、第２孔部９２を覆うように載置される。ついで、レーザービームや電子ビームなどが封止部材９４に照射され、溶融した封止部材９４が第１孔部９１内に濡れ広がり、第２孔部９２が封止（閉塞）される。
なお、リッド６４が基板１２に接合され、基板１２の凹部２２とリッド６４の凹部６４ａとを含んで構成される空間を内部空間Ｓとする。
貫通孔９０の封止により気密に封止された加速度センサー１の内部空間Ｓは、窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスが充填されて大気圧に近い状態、または減圧状態（真空度の高い状態）となっている。
詳述すると、リッド６４が基板１２の主面１６に、例えば、接着剤を用いた接合法、陽極接合法、直接接合法などを用いて気密に接合（固定）された後、貫通孔９０の第１孔部９１の底面９１ａの金属膜９３上に、第２孔部９２より大きく第１孔部９１より小さい球状の封止部材９４が、第２孔部９２を覆うように載置される。ついで、レーザービームや電子ビームなどが封止部材９４に照射され、溶融した封止部材９４が第１孔部９１内に濡れ広がり、第２孔部９２が封止（閉塞）される。
なお、リッド６４が基板１２に接合され、基板１２の凹部２２とリッド６４の凹部６４ａとを含んで構成される空間を内部空間Ｓとする。
貫通孔９０の封止により気密に封止された加速度センサー１の内部空間Ｓは、窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスが充填されて大気圧に近い状態、または減圧状態（真空度の高い状態）となっている。
図３に示すように、リッド６４の凹部６４ａの内壁面６４ｃは、基板１２との接合面６４ｄに対して略直角（±７度程度の傾斜は許容範囲内）に形成されている。
リッド６４の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、シリコン、ガラスなどを好適に用いることができる。ここでは、リッド６４の主材料としてシリコンを用いることを想定している。また、リッド６４は、シリコンの（１，１，０）面の結晶面が外面６４ｂに沿っていることが、本実施形態の形状を確実に形成する上で好ましい。
なお、封止部材９４の構成材料としては、特に限定されないが、Ａｕ−Ｇｅ合金、Ａｕ−Ｓｎ合金、Ｓｎ−Ｐｂ合金、Ｐｂ−Ａｇ合金などを好適に用いることができる。
また、金属膜９３の構成としては、特に限定されないが、Ｔｉ−Ｗ合金の下地層にＡｕが積層された構成、Ｃｒの下地層にＡｕが積層された構成などを好適に用いることができる。
リッド６４の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、シリコン、ガラスなどを好適に用いることができる。ここでは、リッド６４の主材料としてシリコンを用いることを想定している。また、リッド６４は、シリコンの（１，１，０）面の結晶面が外面６４ｂに沿っていることが、本実施形態の形状を確実に形成する上で好ましい。
なお、封止部材９４の構成材料としては、特に限定されないが、Ａｕ−Ｇｅ合金、Ａｕ−Ｓｎ合金、Ｓｎ−Ｐｂ合金、Ｐｂ−Ａｇ合金などを好適に用いることができる。
また、金属膜９３の構成としては、特に限定されないが、Ｔｉ−Ｗ合金の下地層にＡｕが積層された構成、Ｃｒの下地層にＡｕが積層された構成などを好適に用いることができる。
ここで、加速度センサー１の動作について説明する。
加速度センサー１は、第１固定電極指７８と、第１固定電極指７８に−Ｘ側から対向する可動電極指７２との間で第１コンデンサーが形成され、第２固定電極指８０と、第２固定電極指８０に＋Ｘ側から対向する可動電極指７２との間で第２コンデンサーが形成される。
この状態で、加速度センサー１に、例えば、−Ｘ方向に加速度が印加されると、アーム７０及び可動電極指７２が慣性により＋Ｘ方向に変位する。このとき、第１固定電極指７８と可動電極指７２との間隔は狭くなるので、第１コンデンサーの静電容量は増加する。また、第２固定電極指８０と可動電極指７２との間隔は広くなるので、第２コンデンサーの静電容量は減少する。
逆に、＋Ｘ方向に加速度が印加され、アーム７０及び可動電極指７２が−Ｘ方向に変位すると、第１コンデンサーの静電容量は減少し、第２コンデンサーの静電容量は増加する。
加速度センサー１は、第１固定電極指７８と、第１固定電極指７８に−Ｘ側から対向する可動電極指７２との間で第１コンデンサーが形成され、第２固定電極指８０と、第２固定電極指８０に＋Ｘ側から対向する可動電極指７２との間で第２コンデンサーが形成される。
この状態で、加速度センサー１に、例えば、−Ｘ方向に加速度が印加されると、アーム７０及び可動電極指７２が慣性により＋Ｘ方向に変位する。このとき、第１固定電極指７８と可動電極指７２との間隔は狭くなるので、第１コンデンサーの静電容量は増加する。また、第２固定電極指８０と可動電極指７２との間隔は広くなるので、第２コンデンサーの静電容量は減少する。
逆に、＋Ｘ方向に加速度が印加され、アーム７０及び可動電極指７２が−Ｘ方向に変位すると、第１コンデンサーの静電容量は減少し、第２コンデンサーの静電容量は増加する。
したがって、加速度センサー１は、第１端子電極３４と第３端子電極４６との間で検出される第１コンデンサーの静電容量の変化と、第２端子電極４０と第３端子電極４６との間で検出される第２コンデンサーの静電容量の変化との差分を検出することにより、加速度センサー１に印加される加速度の大きさとその方向を検出することができる。そして、加速度センサー１は、２つのコンデンサーの静電容量の変化の差分を検出するので、高い感度で加速度を検出することができる。
上述したように、加速度センサー１は、貫通孔９０が、外面６４ｂ側に設けられている第１孔部９１と、凹部６４ａ側に設けられている第２孔部９２とを含み、第２孔部９２の平面形状が円形で、内壁面９２ａの少なくとも一部（ここでは全部）が、第１孔部９１の底面９１ａに対して略直角である。
このことから、加速度センサー１は、例えば、従来の空間部（内部空間Ｓに相当）側の先端が鋭利な形状となっているスルーホール（貫通孔９０に相当）と比較して、貫通孔９０の第２孔部９２の強度（機械的強度）が向上し、第１孔部９１の底面９１ａとの接続部及び凹部６４ａとの接続部とも、破損し難くなっている。
加えて、加速度センサー１は、貫通孔９０の第２孔部９２の平面形状が円形で、平面積が第１孔部９１の平面積より小さいことから、例えば、第２孔部９２より大きく第１孔部９１より小さい球状の封止部材９４を、第２孔部９２を覆うように載置し、溶融することにより第２孔部９２を確実に封止することができる。
この際、加速度センサー１は、第２孔部９２の平面形状が円形であることから、球状の封止部材９４を第２孔部９２上に安定して載置することができる。
これらの結果、加速度センサー１は、貫通孔９０の封止の信頼性を向上させることができる。
このことから、加速度センサー１は、例えば、従来の空間部（内部空間Ｓに相当）側の先端が鋭利な形状となっているスルーホール（貫通孔９０に相当）と比較して、貫通孔９０の第２孔部９２の強度（機械的強度）が向上し、第１孔部９１の底面９１ａとの接続部及び凹部６４ａとの接続部とも、破損し難くなっている。
加えて、加速度センサー１は、貫通孔９０の第２孔部９２の平面形状が円形で、平面積が第１孔部９１の平面積より小さいことから、例えば、第２孔部９２より大きく第１孔部９１より小さい球状の封止部材９４を、第２孔部９２を覆うように載置し、溶融することにより第２孔部９２を確実に封止することができる。
この際、加速度センサー１は、第２孔部９２の平面形状が円形であることから、球状の封止部材９４を第２孔部９２上に安定して載置することができる。
これらの結果、加速度センサー１は、貫通孔９０の封止の信頼性を向上させることができる。
また、加速度センサー１は、基板１２がガラスを主材料とし、リッド６４がシリコンを主材料とすることから、基板１２とリッド６４とを陽極接合することができる。これにより、加速度センサー１は、別途接合部材を用いることなく、基板１２とリッド６４とを確実に接合することができる。
また、加速度センサー１は、リッド６４がシリコンを主材料とすることから、シリコンの性状を利用して、貫通孔９０の第１孔部９１の外面６４ｂ側の平面積が、底面９１ａ側の平面積より大きくなるように内壁面９１ｂが傾斜している形状や、後述する変形例の、貫通孔９０の第２孔部９２の孔径が、第１孔部９１の底面９１ａ側より凹部６４ａ側の方が大きい形状を、容易に形成することができる。
また、加速度センサー１は、リッド６４がシリコンを主材料とすることから、シリコンの性状を利用して、貫通孔９０の第１孔部９１の外面６４ｂ側の平面積が、底面９１ａ側の平面積より大きくなるように内壁面９１ｂが傾斜している形状や、後述する変形例の、貫通孔９０の第２孔部９２の孔径が、第１孔部９１の底面９１ａ側より凹部６４ａ側の方が大きい形状を、容易に形成することができる。
また、加速度センサー１は、貫通孔９０の第１孔部９１の外面６４ｂ側の平面積が底面９１ａ側の平面積より大きくなるように内壁面９１ｂが傾斜していることから、例えば、スパッタリング法、蒸着法などにより、金属膜９３を底面９１ａ及び内壁面９１ｂに成膜する際に、内壁面９１ｂが垂直（底面９１ａに対して直角）な場合と比較して、金属膜９３を内壁面９１ｂに、より確実に成膜することができる。
これにより、加速度センサー１は、封止部材９４が第１孔部９１内に確実に濡れ広がり、貫通孔９０（第２孔部９２）を確実に封止することができる。
加えて、加速度センサー１は、貫通孔９０の第１孔部９１の底面９１ａ及び内壁面９１ｂが金属膜９３で被覆されている、換言すれば、第２孔部９２の内壁面９２ａが金属膜９３で被覆されていないことから、封止部材９４が第２孔部９２の凹部６４ａ側の先端までは濡れ広がり難くなる。
これにより、加速度センサー１は、溶融した封止部材９４が凹部６４ａ（内部空間Ｓ）内に飛散することを抑制できる。
これらの結果、加速度センサー１は、封止部材９４が機能素子１００などの構成要素に付着し、特性を劣化させる虞を回避でき、貫通孔９０の封止の信頼性を更に向上させることができる。
これにより、加速度センサー１は、封止部材９４が第１孔部９１内に確実に濡れ広がり、貫通孔９０（第２孔部９２）を確実に封止することができる。
加えて、加速度センサー１は、貫通孔９０の第１孔部９１の底面９１ａ及び内壁面９１ｂが金属膜９３で被覆されている、換言すれば、第２孔部９２の内壁面９２ａが金属膜９３で被覆されていないことから、封止部材９４が第２孔部９２の凹部６４ａ側の先端までは濡れ広がり難くなる。
これにより、加速度センサー１は、溶融した封止部材９４が凹部６４ａ（内部空間Ｓ）内に飛散することを抑制できる。
これらの結果、加速度センサー１は、封止部材９４が機能素子１００などの構成要素に付着し、特性を劣化させる虞を回避でき、貫通孔９０の封止の信頼性を更に向上させることができる。
また、加速度センサー１は、リッド６４の凹部６４ａの内壁面６４ｃが、基板１２との接合面６４ｄに対して略直角に形成されていることから、図３の右側に２点鎖線で示すような内壁面６４ｃが傾斜している場合と比較して、機能素子１００などの構成要素から内壁面６４ｃまでの間隔を必要以上に多く取る必要がない。
これにより、加速度センサー１は、図３に示すように、内壁面６４ｃが傾斜している場合と比較して、リッド６４を小さくできることから、更なる小型化を図ることが可能となる。
これにより、加速度センサー１は、図３に示すように、内壁面６４ｃが傾斜している場合と比較して、リッド６４を小さくできることから、更なる小型化を図ることが可能となる。
ここで、加速度センサー１の製造方法について説明する。
図７は、加速度センサーの主要な製造工程を示すフローチャートである。図８（ａ）〜図８（ｅ）、図９（ｆ）〜図９（ｊ）、図１０（ｋ）〜図１０（ｎ）は、加速度センサーの主要な製造工程を説明する模式断面図である。なお、各図の断面位置は、図３と同様である。
図７は、加速度センサーの主要な製造工程を示すフローチャートである。図８（ａ）〜図８（ｅ）、図９（ｆ）〜図９（ｊ）、図１０（ｋ）〜図１０（ｎ）は、加速度センサーの主要な製造工程を説明する模式断面図である。なお、各図の断面位置は、図３と同様である。
図７に示すように、加速度センサーの製造方法は、リッド準備工程と、リッドドライエッチング工程と、リッドウエットエッチング工程と、リッド接合工程と、貫通孔封止工程と、分割工程と、を含んでいる。
[リッド準備工程]
まず、図８（ａ）に示すように、複数個取りされ、平板のウエハー状に形成されている加工前のリッド６４（シリコン基板）を用意する。シリコン基板は（１，１，０）面の結晶方位性を持つことが好ましい。
まず、図８（ａ）に示すように、複数個取りされ、平板のウエハー状に形成されている加工前のリッド６４（シリコン基板）を用意する。シリコン基板は（１，１，０）面の結晶方位性を持つことが好ましい。
[リッドドライエッチング工程]
ついで、図８（ｂ）に示すように、リッド６４の外面６４ｂ側及び接合面６４ｄ側の全面にエッチング保護膜２１０，２１１を成膜する。なお、このエッチング保護膜２１０，２１１は、シリコンの表面を熱酸化させて形成するＳｉＯ2などの酸化膜でもよい。
ついで、エッチング保護膜２１０，２１１を貫通孔９０の第２孔部９２の形状にパターニングする。
ついで、図８（ｂ）に示すように、リッド６４の外面６４ｂ側及び接合面６４ｄ側の全面にエッチング保護膜２１０，２１１を成膜する。なお、このエッチング保護膜２１０，２１１は、シリコンの表面を熱酸化させて形成するＳｉＯ2などの酸化膜でもよい。
ついで、エッチング保護膜２１０，２１１を貫通孔９０の第２孔部９２の形状にパターニングする。
ついで、図８（ｃ）に示すように、ＳＦ６（六フッ化硫黄）ガスなどのエッチングガスを用いたドライエッチングにより、リッド６４の貫通孔９０の第２孔部９２の形状を形成する。
ついで、図８（ｄ）に示すように、エッチング保護膜２１０，２１１を貫通孔９０の第２孔部９２の形状、凹部６４ａの形状などにパターニングする。
ついで、図８（ｅ）に示すように、ＳＦ６（六フッ化硫黄）ガスなどのエッチングガスを用いたドライエッチングにより、リッド６４の貫通孔９０の第２孔部９２の形状、凹部６４ａの形状などを形成する。
この際、第２孔部９２の内壁面９２ａ及び凹部６４ａの内壁面６４ｃは、ドライエッチング加工であることにより、シリコンの結晶面の向きなどに影響されず、接合面６４ｄ及び凹部６４ａの天井面６４ｅに対して略直角に形成される。加えて、第２孔部９２の平面形状も、同様に、ドライエッチング加工であることにより、シリコンの結晶面の向きなどに影響されず、円形に形成される。
この際、第２孔部９２の内壁面９２ａ及び凹部６４ａの内壁面６４ｃは、ドライエッチング加工であることにより、シリコンの結晶面の向きなどに影響されず、接合面６４ｄ及び凹部６４ａの天井面６４ｅに対して略直角に形成される。加えて、第２孔部９２の平面形状も、同様に、ドライエッチング加工であることにより、シリコンの結晶面の向きなどに影響されず、円形に形成される。
ここで、仮に、第２孔部９２及び凹部６４ａをウエットエッチング加工した場合には、後述するリッドウエットエッチング工程のように、シリコンの結晶面の向きなどに影響されて、第２孔部９２の内壁面９２ａは、凹部６４ａ側が広がるように傾斜し、凹部６４ａの内壁面６４ｃは、接合面６４ｄ側が広がるように傾斜してしまう。加えて、第２孔部９２の平面形状は、四角形となってしまう。
なお、図の左側の凹部は、基板１２の端子部２０を一時的に覆う保護部となる。
なお、図の左側の凹部は、基板１２の端子部２０を一時的に覆う保護部となる。
[リッドウエットエッチング工程]
ついで、一旦、エッチング保護膜２１０，２１１を剥離した後、図９（ｆ）に示すように、外面６４ｂ側及び凹部６４ａ側（接合面６４ｄ側）の全面に再度エッチング保護膜２１０，２１１を成膜し、外面６４ｂ側のエッチング保護膜２１０をリッド６４の端子部２０側の形状にパターニングする。
ついで、一旦、エッチング保護膜２１０，２１１を剥離した後、図９（ｆ）に示すように、外面６４ｂ側及び凹部６４ａ側（接合面６４ｄ側）の全面に再度エッチング保護膜２１０，２１１を成膜し、外面６４ｂ側のエッチング保護膜２１０をリッド６４の端子部２０側の形状にパターニングする。
ついで、図９（ｇ）に示すように、ＫＯＨ（水酸化カリウム）水溶液などのエッチング液を用いたウエットエッチングにより、リッド６４の端子部２０側の形状を途中まで形成する。
ついで、図９（ｈ）に示すように、エッチング保護膜２１０をリッド６４の貫通孔９０の第１孔部９１の形状にパターニングする。
ついで、図９（ｉ）に示すように、ＫＯＨ（水酸化カリウム）水溶液などのエッチング液を用いたウエットエッチングにより、リッド６４の端子部２０側の形状の続き、貫通孔９０の第１孔部９１の形状を形成する。
この際、リッド６４は、シリコンの（１，１，０）面の結晶面が外面６４ｂに沿っていること、及びウエットエッチング加工であることにより、貫通孔９０の第１孔部９１の外面６４ｂ側の平面積が底面９１ａ側の平面積より大きくなるように（換言すれば、第１孔部９１の外面６４ｂ側が広がるように）内壁面９１ｂが傾斜して形成される。
この際、リッド６４は、シリコンの（１，１，０）面の結晶面が外面６４ｂに沿っていること、及びウエットエッチング加工であることにより、貫通孔９０の第１孔部９１の外面６４ｂ側の平面積が底面９１ａ側の平面積より大きくなるように（換言すれば、第１孔部９１の外面６４ｂ側が広がるように）内壁面９１ｂが傾斜して形成される。
ついで、図９（ｊ）に示すように、エッチング保護膜２１０，２１１を剥離する。これにより、貫通孔９０の第１孔部９１と第２孔部９２とが連通することになる。なお、第２孔部９２の内壁面９２ａは、第１孔部９１の底面９１ａに対して略直角に形成されている。
ここで、仮に、第２孔部９２を凹部６４ａ側からウエットエッチングにより形成した場合には、上述したように、第２孔部９２の内壁面９２ａが、凹部６４ａ側が広がるように傾斜し、第１孔部９１の底面９１ａとの接続部が鋭利となることから、貫通孔９０が破損し易くなる虞がある。
ここで、仮に、第２孔部９２を凹部６４ａ側からウエットエッチングにより形成した場合には、上述したように、第２孔部９２の内壁面９２ａが、凹部６４ａ側が広がるように傾斜し、第１孔部９１の底面９１ａとの接続部が鋭利となることから、貫通孔９０が破損し易くなる虞がある。
[リッド接合工程]
ついで、図１０（ｋ）に示すように、凹部２２や第１配線３０、第２配線３６、図示しない第３配線４２などが設けられ、機能素子１００が配置された複数個取りのウエハー状の基板１２に、予め貫通孔９０の第１孔部９１の底面９１ａ及び内壁面９１ｂ、外面６４ｂの一部を金属膜９３で被覆しておいたリッド６４を、凹部６４ａで機能素子１００を覆うようにして接合（固定）する。
なお、金属膜９３は、リッド６４を基板１２に接合した後に形成してもよい。この場合は、例えば、開口マスクを用いて選択的に金属膜９３をスパッタリングさせる方法を用いることができる。
リッド６４の接合方法としては、例えば、接着剤を用いた接合法、陽極接合法、直接接合法などを好適に用いることができる。ここでは、陽極接合法を想定している。
ついで、図１０（ｋ）に示すように、凹部２２や第１配線３０、第２配線３６、図示しない第３配線４２などが設けられ、機能素子１００が配置された複数個取りのウエハー状の基板１２に、予め貫通孔９０の第１孔部９１の底面９１ａ及び内壁面９１ｂ、外面６４ｂの一部を金属膜９３で被覆しておいたリッド６４を、凹部６４ａで機能素子１００を覆うようにして接合（固定）する。
なお、金属膜９３は、リッド６４を基板１２に接合した後に形成してもよい。この場合は、例えば、開口マスクを用いて選択的に金属膜９３をスパッタリングさせる方法を用いることができる。
リッド６４の接合方法としては、例えば、接着剤を用いた接合法、陽極接合法、直接接合法などを好適に用いることができる。ここでは、陽極接合法を想定している。
ついで、図１０（ｋ）の左側のＶ字状の溝部６４ｆにおいて、リッド６４の端子部２０側の接合面６４ｄと、基板１２の端子部２０に延びる図示しない各配線が設けられている各溝部とが交差する隙間部分（図１、図２参照）に、例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＮなどの充填部材をスパッタリング法、ＣＶＤ法などを用いて成膜し、気密に封止する。
なお、この成膜の際に、充填部材の端子部２０への付着を防止するために、リッド６４が端子部２０を覆うように延設されている。
なお、この成膜の際に、充填部材の端子部２０への付着を防止するために、リッド６４が端子部２０を覆うように延設されている。
[貫通孔封止工程]
ついで、図１０（ｌ）に示すように、内部空間Ｓが窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスが充填されて大気圧に近い状態、または減圧状態（真空度の高い状態）において、球状の封止部材９４を、リッド６４の貫通孔９０の第１孔部９１に、第２孔部９２を覆うように載置する。
この際、第２孔部９２の平面形状が円形であることから、球状の封止部材９４を第２孔部９２上に安定して載置することができる。
ついで、図１０（ｍ）に示すように、レーザービームや電子ビームなどを球状の封止部材９４に照射して封止部材９４を溶融し、封止部材９４を第１孔部９１内に濡れ広がらせ、貫通孔９０（第２孔部９２）を封止（閉塞）する。これにより、内部空間Ｓは、気密に封止されたことになる。
ついで、図１０（ｌ）に示すように、内部空間Ｓが窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスが充填されて大気圧に近い状態、または減圧状態（真空度の高い状態）において、球状の封止部材９４を、リッド６４の貫通孔９０の第１孔部９１に、第２孔部９２を覆うように載置する。
この際、第２孔部９２の平面形状が円形であることから、球状の封止部材９４を第２孔部９２上に安定して載置することができる。
ついで、図１０（ｍ）に示すように、レーザービームや電子ビームなどを球状の封止部材９４に照射して封止部材９４を溶融し、封止部材９４を第１孔部９１内に濡れ広がらせ、貫通孔９０（第２孔部９２）を封止（閉塞）する。これにより、内部空間Ｓは、気密に封止されたことになる。
この際、第２孔部９２の内壁面９２ａには、金属膜９３が成膜されていないことから、溶融した封止部材９４が第２孔部９２内に濡れ広がり難くなる。これにより、溶融した封止部材９４が第２孔部９２を経由して内部空間Ｓに飛散し、機能素子１００などに付着する不具合が抑制される。
[分割工程]
ついで、図１０（ｎ）に示すように、リッド６４における端子部２０上の不要部分を除去した後、図示しないダイシングソーなどの切断装置により、個別に分割する。
上記の各工程などを経ることにより、図１〜図３に示すような加速度センサー１を得ることができる。
ついで、図１０（ｎ）に示すように、リッド６４における端子部２０上の不要部分を除去した後、図示しないダイシングソーなどの切断装置により、個別に分割する。
上記の各工程などを経ることにより、図１〜図３に示すような加速度センサー１を得ることができる。
上述したように、加速度センサー１の製造方法は、リッド６４の貫通孔９０の第１孔部９１を、ウエットエッチングで形成する工程（リッドウエットエッチング工程）を含むことから、第１孔部９１を、外面６４ｂ側の平面積が底面９１ａ側の平面積より大きくなるように内壁面９１ｂが傾斜している形状に形成することができる。
加えて、加速度センサー１の製造方法は、リッド６４の貫通孔９０の第２孔部９２を、ドライエッチングで形成する工程（リッドドライエッチング工程）を含むことから、第２孔部９２を、平面形状が円形で、内壁面９２ａの少なくとも一部（ここでは全部）が第１孔部９１の底面９１ａに対して略直角となる形状に形成することができる。
これらにより、加速度センサー１の製造方法は、貫通孔９０の封止の信頼性を向上させた加速度センサー１を製造し提供することができる。
加えて、加速度センサー１の製造方法は、リッド６４の貫通孔９０の第２孔部９２を、ドライエッチングで形成する工程（リッドドライエッチング工程）を含むことから、第２孔部９２を、平面形状が円形で、内壁面９２ａの少なくとも一部（ここでは全部）が第１孔部９１の底面９１ａに対して略直角となる形状に形成することができる。
これらにより、加速度センサー１の製造方法は、貫通孔９０の封止の信頼性を向上させた加速度センサー１を製造し提供することができる。
また、加速度センサー１の製造方法は、リッド６４の凹部６４ａをドライエッチングで形成する工程（リッドドライエッチング工程）を含むことから、リッド６４の凹部６４ａの内壁面６４ｃを、基板１２との接合面６４ｄに対して略直角に形成することができる。
これにより、加速度センサー１の製造方法は、更なる小型化を図ることが可能な加速度センサー１を製造し提供することができる。
なお、加速度センサー１の製造方法は、上述したような複数個取りの方法ではなく、最初から個別に製造してもよい。この場合には、分割工程は不要となる。
これにより、加速度センサー１の製造方法は、更なる小型化を図ることが可能な加速度センサー１を製造し提供することができる。
なお、加速度センサー１の製造方法は、上述したような複数個取りの方法ではなく、最初から個別に製造してもよい。この場合には、分割工程は不要となる。
なお、加速度センサー１のリッド６４の凹部６４ａの内壁面６４ｃの角度は、基板１２との接合面６４ｄに対して略直角に限定されるものではなく、接合面６４ｄに近付くに従い凹部６４ａが広がるように傾斜していてもよい。
また、加速度センサー１の貫通孔９０の第１孔部９１には、貫通孔９０（第２孔部９２）の封止に支障がなければ、金属膜９３が成膜されていなくてもよい。
また、加速度センサー１の貫通孔９０の第１孔部９１の内壁面９１ｂは、底面９１ａ（外面６４ｂ）に対して略直角であってもよい。
また、加速度センサー１の貫通孔９０の第１孔部９１には、貫通孔９０（第２孔部９２）の封止に支障がなければ、金属膜９３が成膜されていなくてもよい。
また、加速度センサー１の貫通孔９０の第１孔部９１の内壁面９１ｂは、底面９１ａ（外面６４ｂ）に対して略直角であってもよい。
（変形例）
次に、加速度センサー１の変形例について説明する。
図１１は、変形例の加速度センサーの要部の概略構成を示す模式要部拡大図である。
なお、上記実施形態との共通部分には、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、上記実施形態と異なる部分を中心に説明する。
次に、加速度センサー１の変形例について説明する。
図１１は、変形例の加速度センサーの要部の概略構成を示す模式要部拡大図である。
なお、上記実施形態との共通部分には、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、上記実施形態と異なる部分を中心に説明する。
図１１に示すように、変形例の加速度センサー２は、リッド６４の貫通孔９０の第２孔部１９２の孔径が、第１孔部９１の底面９１ａ側より凹部６４ａ側の方が大きくなるように、内壁面１９２ａが途中から傾斜している。
なお、内壁面１９２ａの断面形状は、図のように直線状に形成されていてもよいし、２点鎖線で示すように、内側または外側に湾曲した曲線状に形成されていてもよい。
なお、内壁面１９２ａの断面形状は、図のように直線状に形成されていてもよいし、２点鎖線で示すように、内側または外側に湾曲した曲線状に形成されていてもよい。
これによれば、加速度センサー２は、貫通孔９０の第２孔部１９２の孔径が、途中から第１孔部９１の底面９１ａ側より凹部６４ａ側の方が大きくなっていることから、例えば、減圧や吸引による凹部６４ａ（内部空間Ｓ）内のガス排出などの際に、第２孔部１９２の孔径が一定の場合より、ガスをスムーズに排出することができる。
この結果、加速度センサー２は、生産性を向上させることができる。
なお、貫通孔９０の第２孔部１９２の上記形状は、前述したリッドドライエッチング工程において、第２孔部１９２及び凹部６４ａのドライエッチング加工の加工条件を、適宜設定することにより形成することができる。
この結果、加速度センサー２は、生産性を向上させることができる。
なお、貫通孔９０の第２孔部１９２の上記形状は、前述したリッドドライエッチング工程において、第２孔部１９２及び凹部６４ａのドライエッチング加工の加工条件を、適宜設定することにより形成することができる。
（電子機器）
次に、上述した電子デバイスを備えている電子機器について説明する。
図１２は、電子デバイスを備えている電子機器としてのモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す模式斜視図である。
図１２に示すように、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０１を有する表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このようなパーソナルコンピューター１１００には、電子デバイスとしての加速度センサー１（または２）が内蔵されている。
次に、上述した電子デバイスを備えている電子機器について説明する。
図１２は、電子デバイスを備えている電子機器としてのモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す模式斜視図である。
図１２に示すように、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０１を有する表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このようなパーソナルコンピューター１１００には、電子デバイスとしての加速度センサー１（または２）が内蔵されている。
図１３は、電子デバイスを備えている電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す模式斜視図である。
図１３に示すように、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０１が配置されている。
このような携帯電話機１２００には、電子デバイスとしての加速度センサー１（または２）が内蔵されている。
図１３に示すように、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０１が配置されている。
このような携帯電話機１２００には、電子デバイスとしての加速度センサー１（または２）が内蔵されている。
図１４は、電子デバイスを備えている電子機器としてのデジタルスチルカメラの構成を示す模式斜視図である。なお、この図１４には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
デジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面（図中手前側）には、表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１３１０は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。
また、ケース１３０２の正面側（図中奥側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
デジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面（図中手前側）には、表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１３１０は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。
また、ケース１３０２の正面側（図中奥側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部１３１０に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。
また、このデジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、ビデオ信号出力端子１３１２には、テレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４には、パーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。更に、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。
このようなデジタルスチルカメラ１３００には、電子デバイスとしての加速度センサー１（または２）が内蔵されている。
また、このデジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、ビデオ信号出力端子１３１２には、テレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４には、パーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。更に、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。
このようなデジタルスチルカメラ１３００には、電子デバイスとしての加速度センサー１（または２）が内蔵されている。
このような電子機器は、上述した電子デバイスを備えていることから、上記実施形態で説明した効果が反映され、小型化が図られ信頼性に優れている。
なお、上述した電子デバイスを備えている電子機器としては、これら以外に、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、各種ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類、フライトシミュレーターなどが挙げられる。いずれの場合にも、これらの電子機器は、上述した電子デバイスを備えていることから、上記実施形態で説明した効果が反映され、小型化が図られ信頼性に優れている。
なお、上述した電子デバイスを備えている電子機器としては、これら以外に、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、各種ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類、フライトシミュレーターなどが挙げられる。いずれの場合にも、これらの電子機器は、上述した電子デバイスを備えていることから、上記実施形態で説明した効果が反映され、小型化が図られ信頼性に優れている。
（移動体）
次に、上述した電子デバイスを備えている移動体について説明する。
図１５は、電子デバイスを備えている移動体の一例としての自動車を示す模式斜視図である。
自動車１５００は、電子デバイスとしての加速度センサー１（または２）を、例えば、搭載されているナビゲーション装置、姿勢制御装置などの姿勢検出センサーとして用いている。
これによれば、自動車１５００は、上述した電子デバイスを備えていることから、上記実施形態で説明した効果が反映され、信頼性に優れている。
次に、上述した電子デバイスを備えている移動体について説明する。
図１５は、電子デバイスを備えている移動体の一例としての自動車を示す模式斜視図である。
自動車１５００は、電子デバイスとしての加速度センサー１（または２）を、例えば、搭載されているナビゲーション装置、姿勢制御装置などの姿勢検出センサーとして用いている。
これによれば、自動車１５００は、上述した電子デバイスを備えていることから、上記実施形態で説明した効果が反映され、信頼性に優れている。
上述した電子デバイスは、上記自動車１５００に限らず、自走式ロボット、自走式搬送機器、列車、船舶、飛行機、人工衛星などを含む移動体の姿勢検出センサーなどとして好適に用いることができ、いずれの場合にも、上記実施形態で説明した効果が反映され、信頼性に優れた移動体を提供することができる。
なお、上述した電子デバイスは、加速度センサーに限定されるものではなく、機能素子が角速度検出機能を備えている角速度センサー、機能素子が圧力検出機能を備えている圧力センサー、機能素子が重量検出機能を備えている重量センサーや、これらのセンサー（加速度センサーを含む）が複合した複合センサーなどであってもよい。
また、電子デバイスは、機能素子が振動片である振動子、発振器、周波数フィルターなどであってもよい。
また、電子デバイスは、機能素子が振動片である振動子、発振器、周波数フィルターなどであってもよい。
１，２…電子デバイスとしての加速度センサー、１２…基板、１６…主面、２０…端子部、２２…凹部、２４…第１溝部、２６…第２溝部、２８…第３溝部、３０…第１配線、３４…第１端子電極、３６…第２配線、４０…第２端子電極、４２…第３配線、４６…第３端子電極、５４，５６，５８…突起部、６２…絶縁膜、６４…リッド、６４ａ…凹部、６４ｂ…外面、６４ｃ…内壁面、６４ｄ…接合面、６４ｅ…天井面、６４ｆ…溝部、６８…可動部、７０…アーム、７２…可動電極指、７４…可撓部、７６…固定部、７８…第１固定電極指、８０…第２固定電極指、９０…貫通孔、９１…第１孔部、９１ａ…底面、９１ｂ…内壁面、９２…第２孔部、９２ａ…内壁面、９３…金属膜、９４…封止部材、１００…機能素子、１９２…第２孔部、１９２ａ…内壁面、２１０，２１１…エッチング保護膜、１１００…電子機器としてのパーソナルコンピューター、１１０１…表示部、１１０２…キーボード、１１０４…本体部、１１０６…表示ユニット、１２００…電子機器としての携帯電話機、１２０１…表示部、１２０２…操作ボタン、１２０４…受話口、１２０６…送話口、１３００…電子機器としてのデジタルスチルカメラ、１３０２…ケース、１３０４…受光ユニット、１３０６…シャッターボタン、１３０８…メモリー、１３１０…表示部、１３１２…ビデオ信号出力端子、１３１４…入出力端子、１４３０…テレビモニター、１４４０…パーソナルコンピューター、１５００…移動体としての自動車、Ｓ…内部空間。
Claims (10)
- 基板と、
前記基板と向き合う側に凹部が設けられ前記基板に接合されている蓋体と、
前記基板と前記蓋体との間に設けられている機能素子と、
を備え、
前記蓋体は、前記凹部と外面との間を貫通する貫通孔を有し、
前記貫通孔は、前記外面側に設けられている第１孔部と、該第１孔部と連通し前記凹部側に設けられている第２孔部とを含み、
前記第２孔部は平面形状が円形で、前記第２孔部の平面積は、前記第１孔部の平面積より小さく、
前記第２孔部の内壁面は、前記第１孔部の底面に対して略直角の第１部分と、前記第１孔部の底面側より前記凹部側の方が大きくなるように傾斜している第２部分と、を含み、
前記第１部分は、前記第２部分よりも前記第１孔部の底面側に位置し、
前記貫通孔は、封止部材により封止されていることを特徴とする電子デバイス。 - 請求項１に記載の電子デバイスにおいて、
前記基板は、ガラスを主材料とし、前記蓋体は、シリコンを主材料とすることを特徴とする電子デバイス。 - 請求項１または請求項２に記載の電子デバイスにおいて、
前記第１孔部は、前記外面側の平面積が前記底面側の平面積より大きくなるように内壁面が傾斜し、
前記内壁面及び前記底面が金属膜で被覆されていることを特徴とする電子デバイス。 - 請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の電子デバイスにおいて、
前記第２孔部の孔径は、前記第１孔部の前記底面側より前記凹部側の方が大きいことを特徴とする電子デバイス。 - 請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の電子デバイスにおいて、
前記蓋体の前記凹部の内壁面は、前記基板との接合面に対して略直角に形成されていることを特徴とする電子デバイス。 - 基板と、前記基板上に配置されている機能素子と、前記基板と向き合う側に凹部が設けられ前記基板に接合されている蓋体と、前記基板と前記蓋体との間に設けられている機能素子と、を備え、前記蓋体は、前記凹部と外面との間を貫通する貫通孔を有し、前記貫通孔は、前記外面側に設けられている第１孔部と、該第１孔部と連通し前記凹部側に設けられている第２孔部とを含み、前記第２孔部は平面形状が円形で、前記第２孔部の平面積は、前記第１孔部の平面積より小さく、前記第２孔部の内壁面は、前記第１孔部の底面に対して略直角の第１部分と、前記第１孔部の底面側より前記凹部側の方が大きくなるように傾斜している第２部分と、を含み、前記第１部分は、前記第２部分よりも前記第１孔部の底面側に位置し、前記貫通孔は、封止部材により封止されている電子デバイスの製造方法であって、
前記蓋体の前記貫通孔の前記第１孔部を、ウエットエッチングで形成する工程と、
前記蓋体の前記貫通孔の前記第２孔部を、ドライエッチングで形成する工程と、を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 請求項６に記載の電子デバイスの製造方法において、
前記蓋体の前記凹部を、ドライエッチングで形成する工程を、更に含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする電子機器。
- 請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする移動体。
- 基板と、前記基板上に配置されている機能素子と、前記基板と向き合う側に凹部が設けられ前記基板に接合されている蓋体と、前記基板と前記蓋体との間に設けられている機能素子と、を備え、前記蓋体は、前記凹部と外面との間を貫通する貫通孔を有し、前記貫通孔は、前記外面側に設けられている第１孔部と、該第１孔部と連通し前記凹部側に設けられている第２孔部とを含み、前記第２孔部は平面形状が円形で、前記第２孔部の平面積は、前記第１孔部の平面積より小さく、前記第２孔部の内壁面は、少なくとも一部が前記第１孔部の底面に対して略直角であり、前記貫通孔は、封止部材により封止されている電子デバイスの製造方法であって、
前記蓋体の前記貫通孔の前記第１孔部を、ウエットエッチングで形成する工程と、
前記蓋体の前記貫通孔の前記第２孔部を、ドライエッチングで形成する工程と、
を含み、
前記第２孔部を形成する工程では、
前記蓋体に前記第２孔部の形状を、ドライエッチングで形成し、
前記蓋体の前記第２孔部の形状が形成された部分を含む領域をドライエッチングして、天井面および内壁面を有する前記凹部および前記天井面に形成された前記第２孔部を形成することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
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