JP6250762B2 - レーザ吸収分光計のレーザ動作点の最適化 - Google Patents

レーザ吸収分光計のレーザ動作点の最適化 Download PDF

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Description

本発明は、レーザ吸収分光計のレーザデバイスの第1のレーザパラメータの動作値を最適化するための方法及び装置に関する。
レーザ吸収分光計(LAS)は、吸収分光法により、気相中の種の濃度及び量を評価するために使用することができる。気相中の様々な原子及び分子の量の定量的評価に加え、LASはまた、同じ分子の同位体分子による吸収に基づく同位体比測定にも使用することができる。LASのそのような用途は、同位体比光学分光法(IROS)と称される。例えば、CO2ガスである試料中の13C:12C及び18O:16O同位体比を評価することができる。
LASでは、レーザ源から放出された光は、分析されるガスを通過して検出器に達し、検出器により受容したレーザ光の強度が測定される。レーザ光の波長は、ガス中の原子種または分子種の吸収ピーク全体にわたって走査される。1つの種の吸収ピークは、光がその種によって吸収される波長(ピーク位置)で生じる。特徴的なピーク位置(すなわち、特徴的な波長)における測定されたシグナル強度の低減は、特定の種の存在及び/または濃度を示し得る。IROSの場合、その種のそれぞれの同位体分子は、少なくとも1つの特徴的なピーク位置を有する。特徴的なピーク位置における測定されたシグナル強度の低減は、特定の同位体分子の存在を示し得、低減の程度は、その同位体分子の濃度及び/またはその種の同位体比を判定するために使用され得る。例えば、CO2の同位体分子である121616O、131616O、及び121816Oは、それぞれ、量子力学的回転−振動状態に起因して、特定の波長で異なる吸収ピークを有する(すなわち、各同位体分子は、異なる波長で吸収する)。2つ以上の同位体分子の異なる吸収ピークの測定は、CO2中の13C:12Cまたは18O:16Oといった同位体比を判定するために使用することができる。
LASで使用されるレーザ源は、少なくとも1つのレーザダイオードを備え得る。レーザダイオードから放出される光の波長は、少なくとも1つのレーザパラメータを変更することによって、変化させるか、または調整することができる。レーザダイオードから放出される光の波長は、したがって、少なくとも1つのレーザパラメータを変更することによって、波長範囲全体にわたり走査することができる。レーザパラメータには、レーザダイオード温度及び/またはレーザダイオードへの注入電流(駆動電流とも呼ばれる)が含まれ得る。
レーザが調整される各波長については、種の吸収ピーク全体が走査されているときには、レーザは単一の光学周波数で動作することが好ましい(すなわち、あらゆる時点において、レーザは単一の光学周波数で動作する)。さらに、レーザ光の波長が吸収ピーク全体にわたって走査されるときに、波長が連続的かつ予測可能に調整される(すなわち、増減される)ことも望ましい。実際には、http://assets.newport.com/webDocuments−EN/images/AN08_Mode_Hopping_Laser_Diode_IX.PDFで入手可能な文書ILX Lightwave, Mode Hopping In Semiconductor Lasers,Application Note #8(2005)で説明されているように、モードホッピング及び/または多重モード化のため、これは可能でない場合がある。多重モード化は、レーザダイオードが、異なる共振器モードに関連する複数の光学周波数を出力するものである。モードホッピングは、レーザダイオードが、異なる共振器モードに関連する波長の突然の予測できないジャンプを示すものである。
単一周波数動作及び連続的で予測可能な波長の調整を達成するためには、多重モード動作及び異なる共振器モード間での切り替えによって生じる波長の不連続の両方を回避する必要がある。レーザ吸収分光計の初期較正の際、レーザパラメータによって定義されるレーザダイオードの動作点は、これを考慮して設定され得る。
典型的には、レーザ光の波長を測定し、レーザダイオードが単一の光学周波数で動作しているかどうかを判断するためには、光学スペクトル分析器が使用される。レーザパラメータを変更し、パラメータの各組み合わせにおけるレーザ光の波長を測定し、パラメータの各組み合わせにおいてレーザダイオードが単一の光学周波数で動作しているかどうかを判断することによって、レーザパラメータマップが生成される。次いで、レーザパラメータマップの安定な領域が特定され得、レーザダイオードの動作点(すなわち、その付近でレーザが動作する、具体的なレーザパラメータ値)が、レーザパラメータマップの安定な領域の中心付近になるように選択される。
しかしながら、安定な領域は、レーザが古くなるにつれて、変化する場合がある。結果として、時間が経つと、レーザパラメータマップの安定な領域が移動し得、結果としてレーザダイオードの動作点が安定な領域の中心ではなくなり、不連続及び/または多重モード化の領域へと近づくことになり得る。これが起こると、レーザ吸収分光計の動作中に、レーザ光の波長が種の吸収ピーク全体にわたって変動するため、時には、レーザ光が単一の光学周波数で動作しない、及び/または波長が連続的かつ予測可能に調整できない場合がある。これは、レーザ吸収分光計からの測定値に誤差及び不正確さをもたらし得る。
結果として、レーザ吸収分光計に搭載されているレーザの動作点を安定性に関して再度最適化するための効率的な手順を有することが望ましい。
本開示は、レーザ吸収分光計のレーザデバイスの第1のレーザパラメータの動作値を最適化するための方法を提供し、ここで、レーザデバイスから放出されるレーザ光の波長は、レーザデバイスの第1のレーザパラメータ及び第2のレーザパラメータのいずれかを調節することによって変化させることができ、このレーザ吸収分光計は、レーザデバイスから受容したレーザ光の強度を測定するように構成される光強度検出器を備え、本方法は、第1のレーザパラメータの複数の値のそれぞれについて、光強度検出器で受容した光強度の測定値を第2のレーザパラメータの値の範囲(連続範囲または隣接範囲であり得る)にわたって得ること;光強度の測定値における極値(例えば、極大値または極小値)を特定すること;ならびに;極値のピーク位置を特定すること;第1のレーザパラメータの変化に伴う特定されたピーク位置の変化に連続傾向がある、第1のレーザパラメータの複数の値に含まれる第1のレーザパラメータの値の範囲を特定すること;ならびに第1のレーザパラメータの動作値を第1のレーザパラメータの特定された範囲内に設定することを含む。
したがって、レーザデバイスの動作点は、レーザ吸収分光計の寿命の間、どの時点においても、安定性に関して最適化することができる。したがって、レーザデバイスが古くなったときに、それが安定な単一周波数の領域内にとどまることを確実にするようにその最適な動作点を調節し、それによってレーザ吸収分光計からの測定値の正確さを長期にわたり維持することができる。
本方法は、定期的にレーザ吸収分光計に実行することができ、その定期性は、ユーザによって選択することができる。例えば、プロセスは、1ヶ月に1回、またはそれよりも多いかもしくは少ない頻度で自動的に実行されるように手配することができる。このようにすることで、レーザデバイスの動作点は、レーザデバイスが古くなっていく際にも、最適となるかまたは最適に近くなるように自動で維持することができる。
好ましくは、特定された第1のレーザパラメータの範囲は、特定されたピーク位置を第1のレーザパラメータに対する変化によって定義する関数が、連続関数である、第1のレーザパラメータの複数の値に含まれる第1のレーザパラメータの値の範囲である。連続関数は、関数に対する入力(この事例では第1のレーザパラメータ)におけるわずかな変化が、関数に対する出力(この事例では特定されるピーク位置)におけるわずかな変化をもたらす、関数である。
連続傾向は、線形、または非線形、すなわち、実質的に線形(例えば、許容値範囲内に対して線形)の連続傾向であってもよい。
好ましくは、特定されたピーク位置は、特定された極値に対応する第2のレーザパラメータの値に少なくとも部分的に基づく。この事例では、ピーク位置は、極値が特定された第2のレーザパラメータの値である。このようにピーク位置を特定することにより、レーザデバイスが多重モード化しているかどうかに関係なく、吸収ピーク位置が決定される。
あるいは、ピーク位置は、相対波長を示してもよく、ここで、相対波長は、第2のレーザパラメータの値の範囲によってレーザ光が全体に走査される、波長の範囲内の基準波長に対する、特定された極値のレーザ光の波長である。基準波長は、波長範囲の極大値または極小値であり得る。
好ましくは、本方法は、第1のレーザパラメータの変化に伴う特定されたピーク位置の変化に連続傾向がある、特定された極値のそれぞれのピーク強度が、閾値許容範囲内までは同じである、第1のレーザパラメータの複数の値に含まれる第1のレーザパラメータの値の範囲を特定することを含む。さらに、ピーク強度を考慮することにより、エタロンを要することもレーザ吸収分光計のスペクトル枠のサイズ及び位置に関して全く知ることもなく、多重モード化を特定することができ、これは、特定されたピーク位置と、試料ガスの理論上のスペクトルでの対応するピーク強度との比較を要し得る。このようにすることで、多重モード化の領域が、より直接的に特定され得る。
ピーク強度は、ピーク高さ及び/またはピーク面積のうちの少なくとも1つに部分的に基づき得る。例えば、それは、ピーク高さ、またはピーク面積、またはピーク高さ及び/もしくはピーク面積のうちの少なくとも1つから少なくとも部分的に導出された値であり得る。
本方法は、第1のレーザパラメータの変化に伴う特定されたピーク位置の変化に連続傾向があり、第1のレーザパラメータの複数の値のそれぞれにおいて特定された極値数が、予測された極値数に対応する、第1のレーザパラメータの複数の値に含まれる第1のレーザパラメータの値の範囲を特定することをさらに含み得る。予測される極値数は、例えば、特定されたピーク位置と試料ガスの理論上のスペクトルでの対応するピーク強度との比較から、またはエタロンを用いて、受容したレーザ光の極値を生成することによって、判定することができる。
好ましくは、極値は、ピーク発見アルゴリズムを用いて特定される。ピーク発見アルゴリズムは、光強度検出器で受容した光強度の測定値の一次導関数を取ることによって、ピークを見出すことができる。
第1のレーザパラメータの2つ以上の範囲が、第1のレーザパラメータのさらなる複数の値内に特定されてもよく、本方法は、第1のレーザパラメータの動作値を、第1のレーザパラメータの値の2つ以上の特定された範囲のうちの大きい方の範囲内に設定することをさらに含み得る。第1のレーザパラメータは、第1のレーザパラメータの特定された値の範囲のいずれかの極限値よりも、第1のレーザパラメータの特定された値の範囲の中点に近い値に設定され得る。追加または代替として、第1のレーザパラメータの動作値は、第1のレーザパラメータの特定された値の範囲の中点の許容閾値範囲内に設定され得る。このようにして動作値を設定することにより、動作値は、レーザデバイスの安定な動作領域内にとどまり得、それによって、レーザ吸収分光計から取得されるより長期間の測定値の信頼性が可能となる。
レーザデバイスは、レーザダイオードを備え、ここで、第1のレーザパラメータがレーザダイオードの温度であり、第2のレーザパラメータがレーザダイオードの注入電流であるか、または第1のレーザパラメータがレーザダイオードの注入電流であり、第2のレーザパラメータがレーザダイオードの温度である。
レーザデバイスは、レーザデバイスから放出されるレーザ光を一緒に発生させる(例えば、差周波数発生または和周波数発生を用いて)ように構成される、第1のレーザダイオードと第2のレーザダイオードとを備え、第1のレーザパラメータは、第1のレーザダイオードのパラメータであり、第2のレーザパラメータは第2のレーザダイオードのパラメータである。第1のレーザパラメータが第1のレーザダイオードへの注入電流であってもよく、第2のレーザパラメータが第2のレーザダイオードへの注入電流であってもよい。あるいは、第1のレーザパラメータが第1のレーザダイオードの温度であり、第2のレーザパラメータが第2のレーザダイオードへの注入電流であってもよい。あるいは、第1のレーザパラメータが第1のレーザダイオードへの注入電流であり、第2のレーザパラメータが第2のレーザダイオードの温度であってもよい。あるいは、第1のレーザパラメータが第1のレーザダイオードの温度あり、第2のレーザパラメータが第2のレーザダイオードの温度であってもよい。第1のレーザダイオードが波長安定化レーザダイオードであってもよく、第2のレーザダイオードが分布帰還型レーザダイオードであってもよい。
光強度検出器で受容される光強度の測定値は、光強度検出器で受容される光の強度を示す測定値である。それは、光強度検出器によって受容される光の光パワーと、レーザデバイスから放出される光の光パワーとの比を示すものであってもよい。例えば、それは、光強度検出器によって受容される光の光パワーとレーザデバイスから放出される光の光パワーとの比であってもよく、または光強度検出器によって受容される光の強度とレーザデバイスから放出される光の強度との比であってもよく、または光の透過百分率、または光の吸収百分率等であってもよい。
あるいは、受容された光強度の測定値は、検出器で受容したシグナルの強度、例えば、検出器から出力されたシグナルの電圧等を示してもよい。
レーザ吸収分光計は、試料ガスを格納するのに好適な吸収セルをさらに備えてもよく、レーザ吸収分光計は、使用時に、レーザデバイスから放出されたレーザ光が吸収セルを通過して光強度検出器に達するように構成されている。使用時に、レーザデバイスから放出されたレーザ光は、試料ガスを格納する吸収セルを通過して光強度検出器に至り得、特定された極値は、試料ガスの吸収ピークに対応し得る。
あるいは、レーザ吸収分光計は、エタロン及び試料ガスを格納するのに好適な吸収セルをさらに備えてもよく、レーザ吸収分光計は、使用時に、レーザデバイスから放出されたレーザ光がエタロンを通過して、または吸収セルを通過して、光強度検出器に達するように構成されている。結果として、上述の方法は、光を、エタロンまたは試料ガスのいずれかを通過させることによって行われ得る。
本方法は、第1のレーザパラメータの複数の値のそれぞれについて、光強度の測定値で複数の極値を特定すること、及び複数の極値のそれぞれに関してそれぞれのピーク位置を特定することをさらに含み、第1のレーザパラメータの特定された値の範囲は、第1のレーザパラメータの変化に伴う特定された複数のピーク位置の各ピーク位置の変化に連続傾向がある、第1のレーザパラメータの複数の値に含まれる第1のレーザパラメータの値の範囲である。
本開示はまた、上記に開示される方法を行うように構成される電子デバイスも提供する。
本開示はまた、プロセッサと、ソフトウェアプログラムを記憶するメモリとを備える電子デバイスを提供し、ここで、ソフトウェアプログラムは、プロセッサによって実行されると、プロセッサに、上記に開示される方法を行わせる。
電子デバイスは、光強度の測定値を受容すること、または測定値を(例えば、データストアから)取り出すこと、または測定を行うことのいずれかによって、第2のレーザパラメータの値の範囲全体にわたり、光強度検出器で受容された光強度の測定値を取得することができる。電子デバイスは、第1のレーザパラメータの値をレーザデバイスに適用すること、または操作者がそれをレーザデバイスに適用することができるように、(例えば、視覚的に、スクリーンを用いて、もしくは聴覚で、スピーカーを用いて等)操作者にそれを伝えること、コントローラがそれをレーザデバイスに適用することができるように、(例えば、無線もしくは有線データ転送により)レーザ吸収分光計のコントローラにそれを伝えることのいずれかによって、第1のレーザパラメータの値の特定された範囲内となるように、第1のレーザパラメータの動作値を設定することができる。
本開示はまた、レーザ光を放出するためのレーザデバイスであって、レーザ光の波長が、第1のレーザパラメータ及び第2のレーザパラメータのいずれかを調節することにより変更可能である、レーザデバイスと、レーザデバイスから受容したレーザ光の強度を測定するように構成される、光強度検出器と、上記に開示される電子デバイスのいずれかと、を備える、レーザ吸収分光計も提供する。
レーザ吸収分光計は、試料ガスを格納するのに好適な吸収セルをさらに備えてもよく、ここで、レーザ吸収分光計は、使用時に、レーザデバイスから放出されたレーザ光が吸収セルを通過して光強度検出器に達するように構成される。
レーザ吸収分光計は、エタロンと試料ガスを格納するのに好適な吸収セルとをさらに備えてもよく、ここで、レーザ吸収分光計は、使用時に、レーザデバイスから放出されたレーザ光が、エタロンを通過して、または吸収セルを通過して、光強度検出器に達するように設定されるように構成される。
本開示はまた、電子デバイスのプロセッサで実行されると、上記に開示される方法を行うように構成される、ソフトウェアプログラムも提供する。
上述のいずれの特徴も、本開示の任意の特定の態様とともに使用され得ることに留意されたい。
本開示の態様は、単なる例として、添付の図面を参照して記載されるものである。
レーザ吸収分光計100の高度に概略的な図を示す。 図1のレーザ吸収分光計100のレーザデバイス110の高度に概略的な図を示す。 図2のレーザデバイス110から放出された光の波長の例示的なプロットを示す。 図1のレーザ吸収分光計100によって取得された例示的なガスのスペクトルを示す。 図2のレーザデバイスのレーザパラメータの動作値を最適化するための方法のステップを表すフローチャートを示す。 図5の方法中に図1のレーザ吸収分光計の光強度検出器で受容された光強度の測定値の表示を示す。 図5の方法中に第1のレーザパラメータの変化に伴う特定されたピーク位置の変化の図的表示を示す。 図5の方法中に第1のレーザパラメータの変化に伴う特定されたピーク位置の変化及び第1のレーザパラメータの変化に伴う特定されたピーク強度の変化の図的表示を示す。 図5の方法中に第1のレーザパラメータの変化に伴う特定されたピーク位置の変化の例示の実験的プロット及び第1のレーザパラメータの変化に伴う特定されたピーク強度の変化の実験的プロットを示す。 図5の方法中に第1のレーザパラメータの変化に伴う特定されたピーク位置の変化のさらなる例示の実験的プロット及び第1のレーザパラメータの変化に伴う特定されたピーク強度の変化の実験的プロットを示す。 図5方法中にレーザデバイス110から放出された光の波長の例示的なプロットを示す。
図面が、簡潔さの目的で示されており、必ずしも縮尺通りに描かれていないことに留意されたい。同様の特徴は、同じ参照番号で提供される。
光の波長は、光の光学周波数に反比例することが理解される。したがって、以下において、「波長」及び「光学周波数」は、互換可能である。同様に、「波長の増加」(またはその趣旨の言葉)は、「光学周波数の減少」と交換可能であり、「波長の減少」(またはその趣旨の言葉)は、「光学周波数の増加」と交換可能である。
図1は、本開示のある態様によるレーザ吸収分光計100の高度に概略的な図を示す。レーザ吸収分光計100は、第1のレーザパラメータ112及び第2のレーザパラメータ114の一方または両方を調節することによって変更可能である波長のレーザ光116を放出するように構成される、レーザデバイス110を備える。レーザ吸収分光計100はまた、光強度検出器120(光強度検出器120で受容した光強度の測定値122を出力するように構成される)、試料ガスを格納するのに好適な吸収セル130、マルチパスミラー140、ミラー150、試料ガス入力ポート162、及び試料ガス出力ポート164も備える。レーザ吸収分光計100はまた、レーザデバイス110と光強度検出器120とに連結され、光強度の測定値122を取得し、第1のレーザパラメータ112及び第2のレーザパラメータ114の値を制御するように構成される、コントローラ170も備える。
レーザ吸収分光計100は、試料ガスが試料ガス入力ポート162を介して吸収セル130へと供給され得るように構成される。試料ガスは、ガス入力ポート162を介して、例えば、一定の流量(80sccm等)で制限毛細管を通じて、吸収セル130へと供給され得る。場合によっては、基準ガスもまた、ガス入力ポート162を介して、またはさらなるガス入力ポート(示されない)を介してのいずれかで、吸収セル130へと供給され得る。吸収セル130を通過した後、試料ガスは、例えば、小型ダイヤフラムポンプによってガス出力ポート164から排出され、排気され得る。
レーザ光116は、吸収セル130中のガスを通過し、レーザ光116が試料ガスを通って光強度検出器120に達する経路の長さを増加させるために、マルチパスミラー140間を複数回往復する。光強度検出器120は、光強度検出器120で受容した光強度の測定値122を出力し、これを用いて、試料ガス内の同位体比及び/または濃度を特定することができる(後述)。
図2は、本開示のある態様によるレーザデバイス110の高度に概略的な図を示す。レーザデバイス110は、2つの遠隔通信レーザダイオード間の差周波数発生(DFG)を利用し、D.Richter et al.,High−precision CO2 isotopologue spectrometer with a different−frequency−generation laser source,Opt.Lett.34,172−174(2009)に記載される種類のものであり得る。レーザデバイス110は、第1のレーザダイオード210及び第2のレーザダイオード220を備え、第1のレーザダイオード210の波長は、第2のレーザダイオード220の波長よりも小さい(すなわち、第1のレーザダイオード210の光学周波数は、第2のレーザダイオード220の光学周波数よりも大きい)。この例では、第1のレーザダイオード210は、波長安定化(WS)レーザダイオードであり、第2のレーザダイオード220は、分布帰還型(DFB)レーザダイオードである。第1のレーザダイオード210は、第1のレーザダイオード210のパッケージに組み込まれた体積ホログラフィック回折格子(VHG)によって安定化された波長であり得る(例えば、S. L. Rudder et al.,Hybrid ECL/DBR wavelength&spectrum stabilized lasers demonstrate high power&narrow spectral linewidth,Proc.SPIE 6101,6101oI(2006)に記載されている)。第1のレーザダイオード210及び第2のレーザダイオード220からのレーザ光の出力が、波長分割多重化装置(WDM)230によって単一の光ファイバに合わせられる。合わさったレーザ光は、ファイバフォーカス装置240を通過して、周期分極反転ニオブ酸リチウム(PPLN)結晶250(例えば、http://www.rp−photonics.com/periodic_poling.htmlに記載される種類のもの)に達し、ここで、第1のレーザダイオード210のレーザ光の光学周波数と第2のレーザダイオード220のものとの間の差である差周波数の光が発生する。
一例では、第1のレーザダイオード210は1168nmの波長でレーザ光を発生させ、第2のレーザダイオード220は1599nmの波長でレーザ光を発生させる。PPLN結晶250は、4.3μmの波長に対応する差周波数のレーザ光を出力するように構成され得る。出力されたレーザ光は、次いで、ゲルマニウムフィルタ260を通過して1599nm及び1168nmの光を排除した後、フッ化カルシウム(CaF2)レンズ270を通過する。
レーザデバイス110が、代替として、任意の好適な手段により任意の所望される波長のレーザ光116を発生させるように構成されてもよいことが理解されるであろう。例えば、第1のレーザダイオード210及び第2のレーザダイオード220は、任意の所望される波長のレーザ光116を発生させるために、任意の好適な波長のレーザ光を発生させるように構成されてもよい。追加または代替として、非線形結晶250は、例えば、差周波数発生(DFG)または和周波数発生(SFG)によって、任意の所望される波長のレーザ光116を発生させるように構成されてもよく、結果として、レーザデバイス110は、DFGレーザ源またはSFGレーザ源となり得る。この目的のため、非線形結晶は、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、またはチタンリン酸カリウム(KTiOPO4)等の任意の好適な材料のものであり得る(例えば、https://www.rp−photonics.com/nonlinear_crystal_materials.htmlに記載されている)。加えて、非線形結晶は、擬似位相整合を達成するために、周期分極反転(PP)であってもよく、またはそうでなくてもよい。さらに、非線形結晶は、変換効率を高めるために、一体型導波構造を有してもよく、または有さなくてもよい(例えば、http://www.laserfocusworld.com/articles/print/volume−51/issue−05/features/nonlinear−optics−ppln−waveguides−perform−quantum−frequency−conversion.htmlに記載されている)。さらに、レーザデバイス110は、場合によっては、必要に応じて、WDM230、ファイバフォーカス装置240、Geフィルタ260、及び/またはCaF2、レンズ270のうちのいずれか1つ以上を含まなくてもよい。この特定の例では、レーザ光116の波長として、中赤外波長である4.3μmが選択されており、これは、CO2の吸収ピークが、この波長付近である中赤外範囲で特に強いため、CO2を分析する際に特に有用である。この範囲では吸収ピークがより強いため、吸収セル130におけるレーザ経路の長さは、より短くてもよい(典型的には約5m)。
レーザ光116の波長は、第1のレーザパラメータ112及び第2のレーザパラメータ114の一方または両方を変更することによって、変化させることができる。図2に示される配設では、第1のレーザパラメータ112は、第1のレーザダイオード210への注入電流または第1のレーザダイオード210の温度であり得、第2のレーザパラメータ114は、第2のレーザダイオード220への注入電流または第2のレーザダイオード220の温度であり得る。注入電流及び/または温度のうちの少なくとも1つを変更することによって、レーザダイオードから出力される光の波長が変化することになる。
したがって、第1のレーザパラメータ112の値が変更されると、第1のレーザダイオード210から出力されるレーザ光の波長が変化し、レーザ光116の波長が、それに応じて変化することになる。同様に、第2のレーザパラメータ114の値が変更されると、第2のレーザダイオード220から出力されるレーザ光の波長が変化し、レーザ光116の波長が、それに応じて変化することになる。
レーザ吸収分光法(LAS)を行う際、レーザ光116の波長は、試料ガス中の種(または同位体分子)の吸収ピーク全体にわたって走査される。典型的に、示される実施形態では、第2のレーザダイオード220から放出されるレーザ光の波長を変化させ、一方で第1のレーザダイオード210から放出されるレーザ光の波長を一定に保つことによって、これが達成される。他の配設では、一定の波長に保たれるレーザダイオードと、変化させるレーザダイオードとを入れ替えてもよい。なおもさらなる配設において、両方のレーザダイオードから放出される光の波長を、変化させてもよい。
図3は、第1のレーザダイオード210から放出される光の波長、第2のレーザダイオード220から放出される光の波長、及びレーザ光116の波長の例示的なプロットを示す。プロット310は、第2のレーザダイオード220から放出される光の波長を表す。勾配のある注入電流(この例では、上向きの電流勾配でギザギザの波形)が、第2のレーザパラメータ114として第2のレーザダイオード220に適用され、一方で第2のレーザダイオード220の温度は、一定に保たれている。勾配のある注入電流は、下限値Lから上限値Uまでの範囲にわたって連続的に走査される。これにより、第2のレーザダイオード220から放出される、対応する勾配がついた波長のレーザ光が発生し、結果として、第2のレーザダイオード220から放出されるレーザ光の波長は、光学波長範囲にわたって連続的に走査されるようになる。代替法では、第2のレーザダイオード220から放出される、勾配のついた波長のレーザ光を発生させるために、第2のレーザダイオード220への注入電流が一定に保たれた状態で、勾配のあるレーザダイオード温度が第2のレーザパラメータ114として適用されてもよい。
この例では、第2のレーザダイオード220から放出されるレーザ光の波長は、1599nmに中点を有し、光学波長範囲は、30GHzの光学周波数範囲に対応するが、レーザ光が、任意の好適な光学周波数範囲で任意の好適な波長に中点を有してもよいことが理解されるであろう。この例での走査反復速度は500Hz(2ミリ秒の期間)であるが、走査反復速度は、任意の好適な速度であり得ることが理解されるであろう。
図3のプロット320は、第1のレーザダイオード210から放出される光の波長を表す。第1のレーザダイオード210は、一定の温度かつ一定の注入電流に保たれており、そのため、一定の波長のレーザ光を放出する。この例では、第1のレーザダイオード210から放出されるレーザ光の波長は、1168nmであるが、レーザ光が、任意の好適な波長であってもよいことが理解されるであろう。
図3のプロット330は、レーザ光116の波長を表す。第2のレーザダイオード220から勾配のついた波長のレーザ光が放出される結果として、レーザ光116の波長もまた、勾配がついている。しかしながら、このレーザデバイス110はDFGレーザであり、第2のレーザダイオード220から放出されるレーザ光の周波数が、第1のレーザダイオード210から放出されるレーザ光の周波数から差し引かれるため、第2のレーザダイオード220から放出されるレーザ光の波長が上昇すると、レーザ光116の波長は、逆方向に勾配がつくことになる。これは、以下の式から容易に理解することができ、式中、νは、レーザ光116の光学周波数であり、ν1は、第1のレーザダイオード210から放出されるレーザ光の光学周波数であり、ν2は、第2のレーザダイオード220から放出されるレーザ光の光学周波数であり、λは、レーザ光116の波長であり、λ1は、第1のレーザダイオード210から放出されるレーザ光の波長であり、λ2は、第2のレーザダイオード220から放出されるレーザ光の波長である。
ν=ν1−ν2
λ=1/((1/λ1)−(1/λ2))
したがって、レーザ光116の波長は、波長上限λUから波長下限λLの波長範囲にわたって連続的に走査される。レーザ光116の波長は、4.3μmに中点を有し、波長範囲は30GHzの光学周波数範囲に対応している。走査反復速度は、500Hzである。レーザ光116の波長範囲及び/または反復速度の変更は、第2のレーザダイオード220からのレーザ光の波長の波形を変化させることによって、実行することができる。
図4は、吸収セル130におけるCO2試料からの3つのCO2同位体分子の吸収ピークの例示的なプロットを示す。吸収セル130におけるガスの圧力及び温度は、それぞれ、100mbar及び37.5℃に制御し、一定に保つことができる。レーザ光116の波長は、第2のレーザパラメータ値を下限値Lから上限値Uまで勾配をつけることによって、波長上限λUから波長下限λLまでの波長範囲にわたって走査される。光強度の測定値122(この事例では、検出器120から出力される検出器電圧)が、λUからλLまでの波長範囲にわたって取得される。図4に示されている波長に対する測定した光強度122(検出器電圧)のプロットは、特定の波長における測定された光強度122の低減を示す。これらの低減は、吸収ピークと称されることが多く、特定のCO2同位体分子が、量子力学的回転−振動状態に起因して、これらの特定の波長でレーザ光116を吸収することによって生じる。
測定された光強度122におけるこれらの低減のそれぞれは、ピーク発見アルゴリズム(測定された光強度122の一次微分を取得して、測定された光強度プロットにおける極値(極小値または極大値)を特定する)を用いてスペクトルにおける極値として特定することができる。他のピーク発見アルゴリズムを使用してもよい。この例では、スペクトルの極値は、光透過の極小値であるが、これらは、代替として、光吸収の極大値で表すこともできる。ピーク発見アルゴリズムは、ピーク位置(及び場合によってはピーク面積も)の最初の推定を提供することができ、これは、次いで、測定された光強度プロットに数学関数(いくつかのフォークト(Voigt)プロファイルに基づき得る)を当て嵌めるピーク当て嵌めアルゴリズムの開始点として機能し得る。レーザ光の波長を走査し、ピーク発見アルゴリズム及びピーク当て嵌めアルゴリズムを実行するプロセスは、コントローラ170によって行われ得る。
図4に示されるプロット例では、第1の吸収ピーク410は、波長λ1で生じたとして特定することができ、これは、第1の吸収ピーク410が、同位体分子121816Oによって生じていることを示す。第2の吸収ピーク420は、波長λ2で生じたとして特定することができ、これは、第2の吸収ピーク420が、同位体分子131616Oによって生じていることを示す。第3の吸収ピーク430は、波長λ3で生じたとして特定することができ、これは、第3の吸収ピーク430が、(主要な)同位体分子121616Oによって生じていることを示す。第4の吸収ピーク440は、波長λ4で生じたとして特定することができ、これは、第4の吸収ピーク440が、(主要な)同位体分子121616Oによって生じていることを示す。
吸収ピークのそれぞれについてのピーク強度もまた、特定することができる。ピーク強度は、ピーク面積であり得、これは、図4に表されるプロットに示されている吸収ピーク410、420、430、及び440のそれぞれの斜線領域の面積である。ピーク強度の判定の一部として、ピーク当て嵌めアルゴリズムはまた、ベースラインを判定することも可能であり、このベースラインは、試料ガスからの吸収が存在しない場合の検出器電圧である。ベースラインの値は、図4では、吸収ピーク間で検出器電圧ラインの傾向が連続し、ピーク面積を閉じる、破線によって表される。特定された同位体分子のそれぞれについての比及び/または濃度を、各同位体分子と関連するピーク強度から決定することができる。この目的で、ピーク当て嵌めアルゴリズムを使用して、数学関数(いくつかのフォークトプロファイルに基づき得る)を測定された光強度122に当て嵌めることができる。これにより、ピーク強度は、同位体比測定に必要とされる十分な正確さで判定され得る。あるいは、各吸収ピークのピーク強度は、ピーク高さであってもよく、これは、各吸収ピーク410、420、430、及び440の特定されたピーク位置での吸収率(後述)である。あるいは、各吸収ピークのピーク強度は、ピーク面積及び/またはピーク高さのうちの少なくとも1つから導出された値であってもよい。結果として、3つの主要なCO2同位体分子の濃度、ならびに結果として得られる13C:12C及び18O:16Oの同位体比を、ピーク強度から計算することができ、これらは、ピーク当て嵌めアルゴリズムを用いることによって得ることができる。ベースラインは、ピーク発見またはピーク当て嵌めアルゴリズムの出力の一部分であり得る。
「背景技術」の節に記載されるように、上述のプロセスを使用して同位体分子のそれぞれを正確に特定するためには、レーザ光116が、波長範囲全体に走査されているときに、いずれの特定の時点においても単一の周波数のものであることが好ましい。さらに、レーザ光116の波長が、吸収ピーク全体にわたって変化するときに、波長が連続的かつ予測可能に調整される(すなわち、増減される)ことも望ましい。
DFB型のレーザダイオードについては、これらの要件は、通常、問題ではない。したがって、これらの要件を満たすことは、通常、第2のレーザダイオード220には問題とならないはずである。しかしながら、WS型レーザダイオードに関しては、これらの要件は、レーザの温度及び/または電流が正しく設定されていない場合、多重モード化及び/またはモードホッピングを起こしやすいため、困難な場合がある。多重モードは、測定された光強度122のスペクトルを歪曲及び***させ、それによって、同位体比及び濃度測定の結果が損なわれ得る。モードホッピングは、レーザ光116の波長の突然のジャンプを引き起こし、吸収ピークが突如としてシフトすることを引き起こし、それによって同位体比及び濃度測定の結果が損なわれ得る。
レーザ吸収分光計100の一次構成の際、「背景技術」の節に説明されるように、光学スペクトル分析装置を使用して、第1のレーザダイオード210に安定な動作点が設定され得る。例示的な動作点は、第1のレーザダイオード210の動作温度が25℃で、第1のレーザパラメータの動作値が400mAであることがわかる。第1のレーザパラメータ112の動作値400mAにより、少なくとも40mA幅である安定な動作領域の中心に第1のレーザダイオード210がおかれ得る(すなわち、第1のレーザパラメータ112が最大20mAで増減された場合、レーザ光116は、依然として、モードホッピングすることなく単一周波数のものとなるはずだが、それを上回って増減された場合、第1のレーザ210から放出される光、ひいてはレーザ光116は、多重モード化及び/またはモードホッピングが生じ得る)。この例で使用されるWSレーザダイオードについては、40mAの幅が、ほとんどのレーザダイオードにとって適しており、レーザダイオードの安定な動作が確保されることが証明されている。安定な動作領域の最小限の大きさは、任意の好適な値、例えば、少なくとも20mA、少なくとも30mA、少なくとも55mA等に設定され得ることが理解されるであろう。しかしながら、「背景技術」の節にも説明されているように、安定な領域の中点及び幅は、第1のレーザダイオード210が古くなるにつれ変化し得、これにより、第1のレーザダイオード210の以前の安定な動作点が、不安定な領域内へと動くことをもたらし得る。
本開示は、上述のピーク発見アルゴリズムを利用する、第1のレーザパラメータ112(第1のレーザダイオード210の注入電流または温度のいずれかであり得る)の動作値を再最適化するための技法を提供する。
図5は、本開示のある態様によるレーザデバイス110の第1のレーザパラメータ112の動作値を最適化するための方法の工程を表すフローチャートを示す。プロセス工程は、コントローラ170によって実行することができる。コントローラ170は、プロセッサとソフトウェアプログラムを記憶するメモリとを含む、コンピュータまたは電子デバイスを備え得、このソフトウェアプログラムは、プロセッサによって実行されると、記載の方法をプロセッサ及びコントローラ170に行わせる。
工程S510において、第1のレーザパラメータ112が初期値に設定される。この例では、第1のレーザパラメータは、第1のレーザダイオード210への注入電流である。例示的な初期値は、340mAであり、これは、一次構成の際に第1のレーザパラメータ112の動作値が400mAに設定されていることを考慮して設定され得る。初期値は、任意の好適な電流値、例えば、10mA、または50mA、または100mA、または200mA、または380mA、または500mA、または800mA、または1.2A等々であってもよいことが理解されるであろう。
工程S520において、光強度の測定値116が、第2のレーザパラメータ114の値の範囲にわたって取得される。光強度は、図3及び図4に関して上述のプロセスを行うことによって測定される。具体的には、勾配のある注入電流が第2のレーザパラメータ114として第2のレーザダイオード220に適用され、結果として、レーザ光116の波長が、波長上限λUから波長下限λLまでの連続した波長範囲にわたって減少するようになる。波長下限λLから波長上限λUの波長範囲は、レーザ吸収分光計100のスペクトル枠(窓)と見なすことができる。
図6は、再最適化プロセス中の光強度の測定値122の表示を示す。プロット610は、第1のレーザパラメータ112が初期値に設定されているときの光強度の測定値122を表す。この例では、光強度の測定値122は透過百分率であり、これは、光強度検出器120で受容された光の光パワー(光強度)とレーザデバイス110から伝送された光の光パワー(光強度)との比を示す。具体的には、これは、検出器120におけるシグナルと、上述のようにピーク発見アルゴリズムによって判定されたベースラインとを使用して、計算することができる。具体的には、透過百分率は、次のように計算することができる。
透過率=検出器シグナル/ベースライン
透過百分率=(検出器シグナル/ベースライン)×100
したがって、試料ガスによる吸収がない場合、透過百分率は、100%に(または100%に非常に近く)なるはずであり、同じもので完全な吸収がある場合、透過百分率は0%に(または0%に非常に近く)なるはずである。
代替法では、光強度の測定値122は、吸収百分率であり得、これは、次のように計算することができる。
吸収百分率=(1−透過率)×100
スペクトル枠は、プロット610において、第2のレーザパラメータ114の波長下限λL及び波長上限λU、ならびに対応する上限値U及び下限値Lによって表されている。プロット610にはスペクトル枠外のスペクトルの部分が含まれているが、これは、単に、試料ガスの全スペクトルが視覚化され得るようにするためである。第2のレーザパラメータ114の値の範囲全体(すなわち、第2のレーザダイオード220への注入電流の勾配全体)の光強度の測定値122は、スペクトル枠内のスペクトルの部分となる。
工程S530において、光強度の測定値122(透過百分率)に、少なくとも1つの極値が見出される。例示的なプロット610では、1つのみの極値690(極小値)が特定されており、これは、前述のピーク発見アルゴリズムを使用して見出すことができる。極値が1つだけ特定される場合があるが、これは、例えば、スペクトル枠の光強度の測定値122に極値が1つしか存在しないためであるか、または工程が極値を1つだけ(例えば、スペクトル枠内の第1の極値またはスペクトル内の最大の極値等)見出すように設定されているためであることが理解されるであろう。あるいは、スペクトル枠内に2つ以上の極値が特定されてもよい。例示的なプロット610では、明確さのため、1つの特定された極値690だけが示されている。
工程S540において、特定された極値690のピーク位置が特定される。この例では、特定された極値690のピーク位置は、特定された極値690における第2のレーザパラメータ114の値Pである。具体的には、これは、下限値Lから上限値Uまで走査されている第2のレーザパラメータ114の値であり、特定された極値690は、この値において特定されたものである。特定された極値690のピーク位置は、追加または代替として、レーザ光116が第2のレーザパラメータ114の値の範囲(すなわち、λLからλUまでのレーザ光116のスペクトル枠)により走査される波長の範囲における基準波長(例えば、波長上限λU)に対する、特定された極値690におけるレーザ光116の相対波長であってもよい。
工程S550において、第1のレーザパラメータ112の値が、所定の量で増加する。この例では、0.3mA増加しているが、任意の好適な量、例えば、0.1mA、0.25mA、0.4mA、1mA、1.8mA、3mA等々で増加してもよいことが理解されるであろう。以下の説明から理解されるように、増分がより小さく、測定値の精度がより高くなるほど、再最適化プロセスは長くなる。
図11は、第1のレーザダイオード210から放出される光の波長、第2のレーザダイオード220から放出される光の波長、及びレーザ光116の波長の例示的なプロットを示す。このプロットは、第1のパラメータ112の値を増加させることによってもたらされる、レーザ光116の波長への影響を示す。プロット1110は、第2のレーザダイオード220から放出される光の波長を表し、これは、図3のプロット310と非常に類似している。勾配のある注入電流が、下限値Lから上限値Uまでの範囲にわたって連続的に走査される。
図11のプロット1120は、第1のレーザダイオード210から放出される光の波長を表す。これは、図3のプロット320に類似しているが、時間t1において、第1のレーザパラメータ112の値が(前述のように、工程S550で)増加する。時間t2において、第1のレーザパラメータ112の値は(前述及び後述のように、工程が再度工程S550に戻ると)さらに増加する。
図11のプロット1130は、レーザ光116の波長を表す。これは、図3のプロット330に類似しているが、時間t1において、波長上限λU及び波長下限λLはいずれも、第1のレーザダイオード210から放出される光の波長の増加の結果として、増加していることを示す(レーザデバイス110がDFG型レーザであるため(第2のレーザダイオード220から放出されるレーザ光の周波数が、第1のレーザダイオード210から放出されるレーザ光の周波数から差し引かれる))。時間t2において、波長上限λU及び波長下限λLは、ここでも、第1のレーザダイオード210から放出される光の波長の増加の結果として、いずれもがさらに増加している。
図11は第2のレーザパラメータ値が下限値Lから上限値Uの範囲にわたって、第1のレーザパラメータ112の各値について、2回の勾配がついていることを示すが、第2のレーザパラメータ値が、下限値Lから上限値Uまでの範囲にわたって、第1のレーザパラメータ112の各値について、任意の回数の勾配がついていてもよいことが理解されるであろう。例えば、下限値Lから上限値Uまでの範囲にわたって、第1のレーザパラメータ112の各値について1回だけ、または複数回、例えば、20回、または100回、または500回、または1000回等の勾配がついていてもよい。例えば、第1のレーザパラメータ112の各値について、第2のレーザパラメータ値は、下限値Lから上限値Uまでの範囲にわたって、10〜1000回、または100〜1000回、または300〜800回の勾配がついていてもよい。好ましい構成において、第2のレーザパラメータ値は、下限値Lから上限値Uまでの範囲にわたって、第1のレーザパラメータ112の各値について、およそ500回(例えば、490〜510回)の勾配がついている。各勾配についてスペクトルが得られ、これらのスペクトルの平均をとって、第1のレーザパラメータの各値の良好なシグナル対ノイズ比を有する単一のスペクトルが作られる。第1のレーザパラメータの各値の平均スペクトルは、図6のプロット610、620、及び630のそれぞれに示される。
工程S560において、第1のレーザパラメータ112の上限に達したかどうかが判定される。この例では、第1のレーザパラメータ112の上限は、460mAに設定されているが、これは、再最適化プロセスが、第1のレーザパラメータ112の値の好適な範囲にわたって行われるように、任意の好適な値に設定され得る。第1のレーザパラメータ112の値が、上限以下であると判定された場合、プロセスは、工程S520に戻る。第1のレーザパラメータ112の値が上限を超えた場合、プロセスは、S570(以下により詳細に記載される)へと進む。
工程S520に戻った後、工程S520、S530、及びS540のそれぞれが、再度繰り返される。図6のプロット620は、光強度の測定値122及び第1のレーザパラメータ112の増分値の特定された極値のピーク位置Pを表すものを示す。見られるように、試料ガスの吸収スペクトルは、プロット610と同じであり、プロット610と同じレーザ光116の波長で同じ極値が生じている。これは、試料ガスが変化していないためであり、そのため、一貫して同じレーザ光の波長でレーザ光116を吸収する。下限値Lから上限値Uまでの第2のレーザパラメータ114の値の範囲は、前にプロット610に関して使用した値の範囲と同じであるが、第1のレーザパラメータ112の値が増加したため、スペクトル枠がシフトしている(すなわち、レーザ光116の波長は、第1のレーザパラメータ112の値の増加に起因して、第2のレーザパラメータ114の各値に関しても増加している)。これは、プロット620のλLがプロット610のλLよりも高い波長であること、及びプロット620のλUがプロット610のλUよりも高い波長であることから理解できる。特定された極値690の光の絶対波長が同じままであるため、プロット620の特定された極値690のピーク位置Pは、プロット610よりも高い(すなわち、極値690が特定された第2のレーザパラメータ114の値は、プロット620ではプロット610よりも大きい)。
工程S540において極値690のピーク位置Pが特定されているため、プロセスは、再度、工程S550へと進み、ここで第1のレーザパラメータ112の値がさらに増加する。工程S560で第1のレーザパラメータ112の値が依然として上限以下であると判定された場合、プロセスは、再度工程S520へと戻ることになる。
図6のプロット630は、光強度の測定値122及び第1のレーザパラメータ112のさらなる増分値の特定された極値690のピーク位置Pを表すものを示す。ここでも、スペクトル枠がシフトしており、特定された極値690のピーク位置Pがさらに増加していることが理解できる。
このプロセスは、ステップS560で第1のレーザパラメータ112の値が上限を超えたと判定されるまで繰り返され、この時点で、プロセスは、S570へと進む。これまでに、第1のレーザパラメータ112の複数の値のそれぞれについて、特定された極値のピーク位置が特定されていることになる。したがって、第1のレーザパラメータ112の複数の値と、第1のレーザパラメータ112の値のそれぞれについて特定された極値690の対応するピーク位置Pとを含むデータセットが存在することになる。
工程S570において、第1のレーザパラメータ112の変化に伴う特定されたピーク位置Pの変化に連続した傾向がある、第1のレーザパラメータ112の複数の値に含まれる第1のレーザパラメータ112の値の範囲が、特定される。
図7は、第1のレーザパラメータ112の変化に伴う、特定されたピーク位置の変化の図的表示を示す。図7のプロット710は、第1のレーザパラメータ値112に対して特定されたピーク位置のプロットを示し、ここでは第2のレーザパラメータ114の対応する値によって表されている。第1のレーザパラメータ112が設定されている各値について、各特定された極値の対応するピーク位置がプロットされている。第1のレーザパラメータ112の値が増加するにつれ、各特定される極値のピーク位置が、通常、増加することを理解することができる。プロットの4つの領域、領域a、b、c、及びdがマークされている。
プロット720は、波長下限λL及び波長上限λUによって定義されるスペクトル枠内の光強度122の測定されたものの例示的なスペクトルを示す。第1のレーザパラメータ112は特定の値であり(すなわち、第1のレーザダイオード210への注入電流はIaであり)、ピーク発見アルゴリズムによって6つの極値が特定されており、これらの極値は、それぞれ、このプロットの第2のレーザパラメータ値の軸上に点で表されている。対応する6つの点のセットは、プロット710の領域「a」内に特定されている。
プロット730は、波長下限λL及び波長上限λUによって定義されるスペクトル枠内にある、光強度122の測定されたもの別の例示的なスペクトルを示す。第1のレーザパラメータ112は、プロット720のものとは異なる値であり(すなわち、第1のレーザダイオード210への注入電流はIbであり、IbはIaよりも大きい)、ピーク発見アルゴリズムにより3つの極値が特定されており、これらの極値は、それぞれ、このプロットの第2のレーザパラメータ値の軸上に点で表されている。対応する3つの点のセットは、プロット710の領域「b」内に特定されている。
プロット740は、波長下限λL及び波長上限λUによって定義されるスペクトル枠内にある、光強度122の測定されたものの別の例示的なスペクトルを示す。第1のレーザパラメータ112は、プロット720及び730のものとは異なる値であり(すなわち、第1のレーザダイオード210への注入電流はIdであり、IdはIbよりも大きい)、ピーク発見アルゴリズムにより1つの極値が特定されており、この極値は、このプロットの第2のレーザパラメータ値の軸上に点で表されている。対応する点は、プロット710の領域「d」内に特定されている。
プロット710の領域「b」内及び領域「c」内には、第1のレーザパラメータ112の変化に伴う特定されたピーク位置の変化に、連続した傾向がある。連続した傾向は、連続関数(例えば、入力(第1のレーザパラメータ112)における小さな変化が、出力(ピーク位置)における小さな変化をもたらす、関数)によって定義することができるものであり得る。この例では、これは、連続線形傾向または近似線形傾向であるが、傾向は、必ずしも線形でなければならないわけではない。
連続した傾向は、第1のレーザダイオード210からの光の波長(及びしたがってレーザ光116の波長)が、連続的かつ予測可能に変化していることを示す。領域「b」と「c」との間の境界には、ピーク位置の突然の低下(垂直方向のオフセット)により理解できるように、ピーク位置に不連続が存在する。これは、レーザダイオード210のモードホッピングを示し、これにより、光の波長がもはや連続的かつ予測可能に変化しないようになる。換言すると、領域「b」の中心から領域「c」の中心まで取得された第1のレーザパラメータの値の範囲については、ピーク位置の不連続に起因して、特定されたピーク位置の変化には連続傾向が存在しない。
したがって、工程S570において、第1のレーザパラメータ112の変化に伴う特定されたピーク位置の変化に連続傾向がある第1のレーザパラメータ112の値の範囲を特定することによって、第1のレーザダイオード210の安定な動作領域が特定される(例えば、領域「b」または領域「c」)ことが理解できる。
工程S580において、第1のレーザパラメータ112の動作値は、第1のレーザパラメータ112の値の特定された範囲内に設定される。好ましくは、動作値は、この範囲の中点、またはこの範囲の中点の閾値許容範囲内(例えば、±1%以内、±2%以内、±5%以内、±10%以内、±0.01mA以内、±0.03mA以内、±0.1mA以内、±0.5mA以内等々)に設定される。動作値は、代替として、特定された範囲のいずれかの側に寄った特定された範囲の中央に近い任意の値に設定されてもよい。
第1のレーザパラメータ112の動作値を、特定された範囲の中点またはその付近に設定することにより、第1のレーザダイオード210は、安定して動作することになり、その結果、第1のレーザダイオード210から出力されるレーザ光にはモードホッピングが存在しなくなる。結果として、今後、試料ガスを分析するためにレーザ吸収分光計100が使用されているときに、レーザ光116の波長は、試料ガスの吸収ピーク全体を連続的かつ予測可能に走査するはずであり、これは、第1のレーザダイオード210がモードホッピングを全く伴わずに安定なレーザ光を出力するはずであるためである。
本実施例では、領域「b」及び「c」はいずれも、第1のレーザパラメータ112の変化に伴う特定されたピーク位置の変化に連続傾向が存在する領域として特定され得る。この事例では、工程S580において、動作値は、特定された範囲のうち最も大きいものに含まれる値に設定され得る(最も大きい範囲は、範囲内の最大値と範囲内の最小値との間の差が最も大きい範囲である)。第1のレーザパラメータ112の動作値をこのように設定することにより、レーザダイオード210は、最も安定な領域で動作し、それによって、今後不安定に動作し始めることになる可能性が最小化され得る。
第1のレーザダイオード210のモードホッピングを考慮に入れ、第1のレーザパラメータ112の動作値を上述のように設定することによって回避されたが、第1のレーザダイオード210の多重モード化は対処されていない。第1のレーザパラメータ112の動作値を、モードホッピング及び多重モード化の両方が回避される領域に設定することを確実にするために、上述のプロセスの工程の少なくともいくつかの一部として、さらなる分析を行うことができる。
第1の態様では、工程S570において、特定された極値の数が、吸収セル130内の試料ガスの予測される極値数に対応するかどうかを判定することもできる。例えば、試料ガスはCO2であってもよく、これは、例えば、特定のスペクトル枠内に、3つの極値のみを特定する必要があると予測することができる。この事例では、領域「a」において、レーザダイオード210は多重モード化しており、これが、スペクトルにおけるピークの***を引き起こしている(3つの(実際の)ピークではなく、6つの(人為的)ピークが特定されている)。したがって、領域「a」内のスペクトルに存在する極値が多すぎる。同様に、領域「d」でも、レーザダイオード210が多重モード化しており、これが、スペクトル形状の重度の歪曲をもたらし、結果として、ピーク発見アルゴリズムによって極値が1つだけ特定されている。
したがって、第1のレーザパラメータ112の変化に伴う特定されるピーク位置の変化に連続傾向が存在し、第1のレーザパラメータ112の複数の値のそれぞれにおいて特定された極値の数が予測される極値数に対応している、第1のパラメータ112の値の範囲を判定することによって、モードホッピング及び多重モード化の両方を回避することができる。本実施例では、領域「b」及び「c」のみが、第1のパラメータ112の値の安定な領域として特定され、第1のパラメータ112の動作値は、領域「b」及び「c」のうちの大きい方に含まれる値に設定され得る。代替的な実施例では、単一の好適な範囲のみが特定されてもよく、その場合、第1のレーザパラメータ112の動作値は、その単一の範囲内の値に設定されてもよく、または3つ以上の好適な範囲が特定されてもよく、その場合、第1のレーザパラメータ112の動作値は、特定された範囲のうちの最も大きいものに含まれる値に設定されてもよい。
上述の技法は、多重モード化する領域を回避することを助けるが、これは、試料ガスについていくつの極値を特定する必要があるかという知識を要する。これは、予測される極値数を決定するための波長軸上のスペクトル枠の大きさ及び位置に関する正確な知識を要し得る。しかしながら、一部の状況では、これは不都合であり得ることが理解されるであろう。代替法では、試料ガスの特定された極値の数が正確であるかどうかを判定するために、上述のプロセス中に取得された吸収スペクトルの少なくとも一部分と、試料ガスの理論上のスペクトルとの間で、比較が行われてもよい(好ましくは、第1のレーザパラメータ112の各値について、多重モード化の正確な判定が第1のレーザパラメータ112の各値になされることを確実にするために)。
さらなる代替法において、多重モード化の領域を特定するために、特定された極値のそれぞれについて、レーザ光の吸収強度の測定を考慮してもよい。レーザ光の吸収強度の一例は、各特定された極値のピーク強度である。前述のように、ピーク強度は、スペクトルプロットにおける極値の吸収の面積によって得ることができる(図4に示されるように)。光強度の測定値122が、第2のレーザパラメータ値(この事例では注入電流)に対してプロットした透過率である場合、ピーク面積の単位は、mAとなる(割合に単位がないため)。しかしながら、ピーク面積の単位は、任意の他の好適な単位、例えば、光強度の測定値122が光強度検出器120から出力される電圧である場合にはV.mAであってもよいことが理解されるであろう。
工程S530において、光強度の測定値122で少なくとも1つの極値を特定することに加えて、特定された極値のそれぞれのピーク強度もまた、特定することができる。あるいは、特定された極値のそれぞれのピーク強度は、各特定された極値のピーク位置(第2のレーザパラメータ114の対応する値によって得られる)を特定することに加えて、工程S540において特定することができる。
工程S570において、特定されたピーク位置が第1のレーザパラメータ112の値の変化に伴ってどのように変化するかを考慮することに加えて、特定されたピーク強度が第1のレーザパラメータ112の値の変化に伴ってどのように変化するかもまた、考慮される。
図8は、第1のレーザパラメータ112の変化に伴う特定されたピーク位置の変化の図的表示及び第1のレーザパラメータ112の変化に伴う特定されたピーク強度の変化の図的表示を示す。図8は、図7と同じであるが、さらなるプロット810を含む。プロット810は、第1のレーザパラメータ112の値に対する各特定された極値のピーク強度のプロットである。図からわかるように、領域「a」及び「d」には、第1のレーザパラメータ112の値の変化に伴い、特定された極値のそれぞれのピーク強度に強力な変動がある。これは、第1のレーザダイオード210が、第1のレーザパラメータ112の値が増加していくときに、複数の共振器モード間での光パワーの分布が不安定かつ変化していることの結果として、多重モード化していることを示す。しかしながら、領域「b」及び「c」では、特定された極値のそれぞれのピーク強度は、第1のレーザパラメータ112の全ての値にわたって同じままである。これは、ピーク強度が、CO2の量子力学的回転−振動状態遷移ならびにCO2の同位体分子濃度に特有であるが、特定される極値のピーク位置には依存しないためである。これは、第1のレーザダイオード210が単一の周波数で動作していることを示す。
結果として、領域「b」及び「c」は、第1のレーザダイオード210が多重モード化またはモードホッピングしていない第1のレーザパラメータ112の値の範囲として特定される。その結果、第1のレーザパラメータ112の動作値を、これらの領域のいずれかに含まれる値に設定することができる(前述の通り)。
典型的には、検出されたレーザ光のスペクトルに2つ、または3つ、または4つ、またはそれ以上の極値が特定され、それらのピーク位置及び場合によってはピーク強度が、上述のプロセスを行う目的で判定される。
したがって、多重モード化の領域は、測定されたスペクトルにおいて特定された極値数と比較するための予測される極値数を判定するために試料ガスの測定スペクトルと理論スペクトルとの間で比較を行う必要なしに、ピーク強度を考慮することによって特定できることがわかる。これは、上述のように比較を行うことに時間がかかりすぎる場合がある一部の状況において、有利であり得る。
図9は、上記に開示されたプロセスを行うことにより取得した、第1のレーザパラメータ値の変化に対するピーク位置の変化及び第1のレーザパラメータ値の変化に対するピーク強度の変化の実験的プロットを示す。これらの実験的プロットは、CO2試料ガスに関して取得したものである。プロット内のピーク位置及びピーク強度の単位は、任意単位(a.u.)である。
ピーク位置のプロット及び多重モード化の領域の傾向線における不連続が確認でき、プロットを異なる領域に分割している。第1のレーザパラメータが変化したときのピーク強度の変化により、ピーク強度のプロットに多重モード化領域を容易に確認することができる。
第1のレーザパラメータ値の第1の範囲が340mA〜369mAに、第1のレーザパラメータ値の第2の範囲が391mA〜440mAにあり、これら範囲のそれぞれには、第1のレーザパラメータ値の変化に伴うピーク位置の変化に連続傾向があり、ピーク強度が、閾値許容範囲以内(例えば、±1%以内、または±2%以内、または±5%以内、または±10%以内、または±20%以内等々)で同じままである。閾値許容範囲は、パーセンテージとなるように設定するか、または特定のピーク強度値に設定することができ(例えば、それは、0.1mA、または0.4mA、または1mA、または1.5mAに設定することができる)、閾値の大きさは、例えば、実験精度を考慮して設定され得る。これらの範囲の2つ目のものが最大であるため、第1のレーザパラメータ112の動作値は、その範囲内の値に設定することができる。
新しい傾向線が357mA及び414mAの電流で現れることが、ピーク位置のプロットでわかる。これは、第1のレーザパラメータ値が増加するにつれて、スペクトル枠が移動することの結果として、新たなピーク吸収がスペクトル枠に入ることにより生じる(図6に関して上述の通り)。同様に、傾向線は431mAの電流で消失し、これは、第1のレーザパラメータ値が増加するにつれてスペクトル枠が移動することの結果として、ピーク吸収がスペクトル枠を出ることにより生じる。ピーク位置のプロットには不連続がないため、これらが、第1のレーザパラメータ112の値の変化に伴う特定されたピーク位置の不連続を表すものではないことが理解される。同様に、対応するピーク強度の出現または消失は、図9においてピーク強度のプロットで見ることができ、このピーク強度の出現または消失は、ピーク強度の変化として扱われるものではないため、閾値許容範囲を上回る量で変化したピーク強度値を表すものではない。
図10は、上記に開示されたプロセスを行うことにより取得した、第1のレーザパラメータ値の変化に対するピーク位置の変化及び第1のレーザパラメータ値の変化に対するピーク強度の変化のさらなる実験的プロットを示す。これらの実験的プロットは、ここでも、CO2試料ガスに関して取得したものであるが、図10のプロットを得るために使用したレーザデバイスは、図9のプロットを得るために使用したレーザデバイス110とは異なる(レーザデバイスは、同じ種類のものであってもよいが、その場合ですら、それぞれの異なるレーザデバイスは、異なる特徴を呈し得、それにより、異なるピーク位置及びピーク強度のプロットをもたらされる)。プロット内のピーク位置及びピーク強度の単位は、任意単位(a.u.)である。
ピーク位置のプロットの傾向線における不連続が容易に確認でき、プロットを異なる領域に分割している。
第1のレーザパラメータ値の第1の範囲が340mA〜398mAに、第1のレーザパラメータ値の第2の範囲が398mA〜450mAにあり、これら範囲のそれぞれには、第1のレーザパラメータ値の変化に伴うピーク位置の変化に連続傾向があり、ピーク強度が、閾値許容範囲以内(例えば、±1%以内、または±2%以内、または±5%以内、または±10%以内、または±20%以内等々)で同じままである。閾値許容範囲は、パーセンテージとなるように設定するか、または特定のピーク強度値に設定することができ(例えば、それは、0.1mA、または0.4mA、または1mA、または1.5mAに設定することができる)、閾値の大きさは、例えば、実験精度を考慮して設定され得る。これらの範囲の最初のものが最大であるため、第1のレーザパラメータ112の動作値は、その範囲内の値に設定され得る。第1のレーザパラメータ値が398mA及び450mAのときに、第1のレーザダイオード210の波長がモードホッピングしている。
ここでも、ピーク位置のプロットに、新たな傾向線が時折出現し、これは、第1のレーザパラメータ値が増加するにつれてスペクトル枠が移動することの結果として、新たなピーク吸収がスペクトル枠に入ることにより生じること(図6に関して上述の通り)を見てとることができる。同様に、時折、傾向線が消失し、これは、第1のレーザパラメータ値が増加するにつれてスペクトル枠が移動することの結果として、ピーク吸収がスペクトル枠を出ることにより生じる。ここでも、ピーク位置のプロットには不連続がないため、これらが、第1のレーザパラメータ112の値の変化に伴う特定されたピーク位置の不連続を表すものではないことが理解される。同様に、対応するピーク強度の出現または消失は、図10においてピーク強度のプロットで見ることができ、このピーク強度の出現または消失は、ピーク強度の変化として扱われるものではないため、閾値許容範囲を上回る量で変化したピーク強度値を表すものではない。
図9で使用されたレーザデバイス110については、不安定さは、主に、レーザ光116における多重モード化によって生じている。図10で使用されたレーザデバイス110については、不安定さは、主に、レーザ光116におけるモードホッピングによって生じている。しかしながら、一部のレーザデバイスについては、モードホッピング及び多重モード化の両方により不安定さが生じる場合があることが理解されるであろう。
図9及び図10の両方のピーク強度プロットにおいて、高いピーク強度(ピーク強度17付近)でいくらかの分散が見られる。この分散は、ピーク発見アルゴリズムの不完全さによって生じる場合があり、これらは、より大きなピーク強度を有する吸収ピークで見られる。安定な領域では、この分散は、第1のレーザパラメータ値が増加する際も比較的一定のままであり、多重モード化の領域では、第1のレーザパラメータ値が増加すると非常に急速に変化することが理解されるであろう。したがって、上述のプロセスは、そのような分散が生じる場合ですら、依然として正しく機能する。一部のレーザデバイス110、及び/または一部のスペクトル枠、及び/または一部のピーク発見アルゴリズムについては、そのような分散作用は生じない場合がある。
場合によっては、上述のプロセスを行った後に、それを繰り返してもよいが、工程S550及びS560で第1のレーザパラメータの値を(例えば、340から460mAに)増加させるのではなく、(例えば、460から340mAに)減少する。初見では、ピーク位置及びピーク強度のプロットは、第1のレーザパラメータ112を増加させたときと同じに見えることが予測され得る。
しかしながら、ほとんどの場合、波長が安定化されたレーザダイオード(この実施例では第1のレーザダイオード210がそうである)は、ヒステリシス電流調整特性を有する傾向にある。結果として、第1のレーザパラメータ112の変化に伴う特定されたピーク位置の変化に連続傾向がある(ならびに、場合によっては、特定された極値のそれぞれのピーク強度が閾値許容範囲内と同じものである、及び/または特定された極値数が予測される極値数に対応する)、第1のレーザパラメータ112の特定された値の範囲は、第1のレーザパラメータ112の値を増加させた場合とは異なる場合がある。
この事例では、第1のレーザパラメータ112を増加させた場合、工程S570により、第1のレーザパラメータの変化に伴う特定されたピーク位置の変化に連続傾向がある(ならびに、場合によっては、特定された極値のそれぞれのピーク強度が閾値許容範囲内と同じものである、及び/または特定された極値数が予測される極値数に対応する)、第1のレーザパラメータ112の第1の値の範囲を特定することができる。第1のレーザパラメータ112を減少させた場合には、工程S570により、第1のレーザパラメータ112の変化に伴う特定されたピーク位置の変化に連続傾向がある(ならびに、場合によっては、特定された極値のそれぞれのピーク強度が閾値許容範囲以内である、及び/または特定された極値数が予測される極値数に対応する)、第1のレーザパラメータ112の第2の値の範囲を特定することができる。第1の範囲及び第2の範囲は、ヒステリシスに起因して異なる上限及び下限を有し得るが、ほとんどの部分が重複する傾向にある。したがって、第1のレーザパラメータ112の最終的な値の範囲が特定され、この最終的な値の範囲には、第1の値の範囲及び第2の値の範囲の両方に現れる第1のレーザパラメータ112の値の全てが含まれる。あるいは、第1のレーザパラメータ112の最終的な値の範囲が特定され、この最終的な値の範囲は、第1の値の範囲または第2の値の範囲のいずれかに現れる第1のレーザパラメータ112の値の全てが含まれる。工程S580において、第1のレーザパラメータ112の動作値が、特定された第1のレーザパラメータ112の最終的な値の範囲内に設定され得る。
代替法では、プロセス工程S510〜S560は、第1のレーザパラメータ112の値を増加させることにより行うことができ、次いで、これらは、第1のレーザパラメータ112の値を減少させることにより繰り返されてもよい。いずれの結果も、次いで、単一のピーク位置プロットを作成し(第1のレーザパラメータ112の各値が、一方が第1のレーザパラメータ値を増加させた場合の特定された極値からのものであり、他方が第1のレーザパラメータ値を減少させた場合の特定された極値からのものである、少なくとも2つの対応する特定されたピーク位置を有する)、単一のピーク強度プロットを作成する(第1のレーザパラメータ112の各値が、一方が第1のレーザパラメータ値を増加させた場合の特定された極値からのものであり、他方が第1のレーザパラメータ値を減少させた場合の特定された極値からのものである、少なくとも2つの対応する特定されたピーク強度を有する)ことができるように、工程S570で合わされ得る。したがって、モードホッピング及び/または多重モード化が存在する第1のレーザパラメータ112のいずれの値も、モードホッピング及び/または多重モード化が第1のレーザパラメータ112の値の増加の際または第1のレーザパラメータ112の値の減少の際に検出されたかに関係なく、特定された範囲から除外される。
第1のレーザパラメータ112の値を増加させ、その後に第1のレーザパラメータ112の値を減少させるのではなく、このプロセスは、代替として、第1のレーザパラメータ112の値を減少させ、その後に第1のレーザパラメータ112の値を増加させることによって行われてもよいことが理解される。さらなる代替法では、第1のレーザパラメータ112の値は、第1のレーザパラメータ112の値を増加させる後続プロセスなしに、減少させることもできる(例えば、ヒステリシスが問題でない場合)。
上述の本発明の態様に対する種々の代替手段を、当業者であれば理解することができる。
例えば、第1のレーザパラメータ112が第1のレーザダイオード210への注入電流であり、第2のレーザパラメータ114が第2のレーザダイオード220への注入電流である以外にも、多数の代替法が可能である。例えば、以下の代替法を実行することができる。
この例では、第1のレーザダイオード210の動作温度は、上述のプロセスによって最適化されるであろう。第1のレーザダイオード210の注入電流は、任意の好適な値、例えば、400mAに設定することができる。
さらなる代替法では、上述のプロセスは、第1のレーザパラメータ112が第1のレーザダイオード210の注入電流であり、第2のレーザパラメータ114が第2のレーザダイオード220の注入電流または温度であり、第1のレーザ温度が第1の値に設定されて、実行されてもよい。第1のレーザ温度は、次いで、増減させてもよく、上述のプロセスが繰り返される。第1のレーザダイオード210の注入電流及び温度の両方の動作値を最適化するために、特定されたピーク位置(及び場合によっては対応するピーク強度の測定値)の二次元マップを構築できるように、すなわち、特定されたピーク位置(及び場合によっては対応するピーク強度の測定値)が第1のレーザダイオード210の注入電流及び温度の両方に対してマッピングされるように、これを数回繰り返してもよい。あるいは、特定されたピーク位置(及び場合によっては対応するピーク強度の測定値)の二次元マップは、第1のレーザダイオード210の温度を第1のレーザパラメータ112として選択し、上述のプロセスの各繰り返しの後に第1のレーザ注入電流を増減させることによって、構築することができる。
さらなる代替法では、以下が実行されてもよい。
さらなる代替法では、以下が実行されてもよい。
上述の例では第1のレーザダイオード210は、WSレーザダイオードであり、第2のレーザダイオード220はDFBレーザダイオードである。しかしながら、第1のレーザダイオード210がレーザダイオードの任意の形態であってもよく、第2のレーザダイオード220がレーザダイオードの任意の形態であってもよいことが理解される。第1のレーザダイオード210及び第2のレーザダイオード220は、両方が同じ種類のものであってもよく、あるいは異なる種類のものであってもよい。
さらに、上述の例では、最適化されているレーザダイオード(第1のレーザダイオード210)から放出される光の波長は、スペクトルを取得するように連続的に走査されているレーザダイオード(第2のレーザダイオード220)から放出される光の波長よりも低い。しかしながら、代替法では、いずれかのレーザダイオードを最適化され得るが、他方のレーザダイオードはスペクトルを取得するように連続的に走査されること、ならびに最適化されているレーザダイオードから放出される光の波長が、スペクトルを取得するように連続的に走査されているレーザダイオードから放出される光の波長よりも高いかまたは低くなり得ることが、理解されるであろう。
さらなる代替法では、第1のレーザパラメータ112及び第2のレーザパラメータ114の両方が、第1のレーザダイオード210に適用されてもよい。例えば、以下のようになる。
あるいは
これらの事例では、第2のレーザダイオード220は、一定の注入電流及び温度に保たれ得る。
さらなる代替法では、第1のレーザパラメータ112及び第2のレーザパラメータ114の両方が、第2のレーザダイオード220に適用されてもよい。例えば、以下のようになる。
あるいは
これらの事例では、第1のレーザダイオード210は、一定の注入電流及び温度に保たれ得る。
上述の例では、レーザデバイス110は、第1のレーザダイオード210と第2のレーザダイオード220とを備える。しかしながら、代替法では、1つのレーザダイオードのみを備えてもよく、上述のプロセスを用いて、レーザダイオードの動作点を最適化することができる。例えば、単一のレーザダイオードを、キャビティリングダウン分光計または軸外統合キャビティ出力分光計に使用してもよい。この事例では、試料ガスを分析している場合のレーザ吸収分光計100の通常の動作下において、試料ガスの吸収ピークにわたってレーザ光116を走査するために、第1のレーザパラメータ112は固定されたままであり、第2のレーザパラメータ114は変動する(例えば、上向きまたは下向きの勾配)。第1のレーザパラメータ112は、レーザダイオードのダイオード温度であり得、第2のレーザパラメータ114は、レーザダイオードの注入電流であり得る。勾配のついた電流(増加勾配または減少勾配のいずれか)が、次いで、第2のレーザパラメータ114に適用され得、第1のレーザパラメータ112の温度値は、上述のように段階的に増加(または減少)され得る。第1のレーザパラメータ112(レーザダイオードの温度)の最適な動作値が、そのようにして特定され得る。さらなる代替法では、第1のレーザパラメータ112は、レーザダイオードへの注入電流であり得、第2のレーザパラメータ114は、レーザダイオードの温度であり得る。さらに、上述のように、レーザダイオードの注入電流及び温度の両方の動作値を最適化するために、特定されたピーク位置(及び場合によっては対応するピーク強度の測定値)の二次元マップを構築することができる。
場合によっては、レーザ吸収分光計100は、上述のプロセスの一部として使用することができるエタロンをさらに備えてもよい。この事例では、レーザ吸収分光計100は、レーザ光116の経路がマルチパスミラー140から、エタロンを通って光強度検出器120に入るように、分割(または分岐)される。試料ガスは、吸収セル130内に格納されるように要求されないであろう。エタロンは、分光計のスペクトル枠内に複数の透過(または反射)極大値(または極小値)を有するように構成される。したがって、光強度検出器120で受容されたレーザ光は、予測可能なスペクトルを有するはずであり、強度は、規定の波長間隔(これは、典型的にはエタロンのフリースペクトル範囲(FSR)と称される)で分離した波長で、極大値(または極小値)を有する。そのため、レーザ光116がモードホッピング及び/または多重モード化を受けると、これが、上述のものに類似の方式でエタロンから透過される(または反射される)レーザ光における極値のピーク位置及び極値の数に影響を及ぼすことになる。したがって、第1のレーザパラメータ112の変化に伴うピーク位置の変化の不連続性を特定することにより、エタロンを使用してモードホッピングを特定することができる。特定する必要のある極値の数はエタロンに関して良好に定義されることになるため、多重モード化もまた特定することができ、そのため、特定された極値数が予測数と異なる場合、多重モード化が特定され得る。したがって、各特定された極値のピーク強度の測定値を取得する必要なしに、また試料ガスまたは波長軸上のスペクトル枠の正確な位置に関する情報を全く必要とすることなしに、安定な領域を特定することができる。
上記では、光強度の測定値122は、一般に、レーザ光の透過率として記載されている。しかしながら、それは、光強度検出器120によって受容された光の光パワーと、レーザデバイス110から放出された光の光パワーとの比を示す任意の測定値であってもよい。例えば、これは、光強度検出器120によって受容される光の光パワーと、レーザデバイス110から放出される光の光パワーとの比、または光強度検出器120によって受容される光の強度と、レーザデバイス110から放出される光の強度との比、またはレーザデバイス110から放出され、次いで光強度検出器120で受容される光の光パワーまたは強度の割合等々であってもよい。
さらに、上記では、ピーク強度は、通常、極値のピーク面積であるとして記載されている。しかしながら、任意の好適なピーク強度の測定値が使用されてもよいことが理解されるであろう。例えば、それは、ピーク面積から導出された値であってもよい。あるいは、それは、吸収ピークのピーク高さであってもよく、これは、吸収ピークの最大吸収率、または吸収ピークの最小透過率、または吸収ピークの極小もしくは極大受容シグナル強度、または受容光強度、または検出器電圧、または受容光パワー等であってもよい。あるいは、ピーク強度は、吸収ピークのピーク高さから導出された値であってもよい。あるいは、ピーク強度は、ピーク高さ及びピーク面積から導出された値であってもよい。
上記では、ピーク位置は、特定された吸収ピークに対応する第2のレーザパラメータ値である。代替法では、それは、スペクトル枠内のある点、例えば、波長下限λLまたは波長上限λUに対する、特定された極値の波長であり得る。それが波長下限λLに対する波長である場合、第1のレーザパラメータ112の値が増加するため、ピーク位置は減少することになり、結果として、第1のレーザパラメータ値に対するピーク位置のプロット(図7及び図8のプロット710を参照されたい)に負の勾配を有する傾向線が生じる。
相対波長によるピーク位置の特定は、第1のレーザダイオード210がモードホッピングのみを受け、多重モード化は起こらない場合に有用であり得る。これは、多重モード化している場合、第1のレーザダイオード210は、複数の光学周波数で光を放出し得、これにより相対波長の判定値が不正確となるためである。
第2のレーザパラメータ値によるピーク位置の特定は、第1のレーザダイオード210がモードホッピング及び多重モード化の両方を受ける場合に有用であり得る。これは、同じ第2のレーザパラメータ114の値の範囲が、第1のレーザパラメータ112の各値に適用され、第2のレーザパラメータ114の値を使用してピーク位置を特定することが、絶対であることを意味するためである。したがって、第2のレーザパラメータ値によるピーク位置の特定が、第1のレーザダイオード210が受け得る不安定性の種類に関係なく、ピーク位置の正確な表示を提供することになるため、好ましい場合がある。さらに、これは、レーザ光116の正確な波長または波長上限λUもしくは波長下限λLに対するレーザ光116との差に関して、いかなる知識または推定も必要としない。
レーザ吸収分光計100は、任意の種類のレーザ吸収分光計であってもよく、これは、任意の種類の試料ガス、例えば、H2O、CH4、及びN2Oを分析するように構成され得る。これらの主要な温室効果ガスの同位体比及び濃度の測定値は、それらの供給源及びシンクに関する貴重な情報を提供し得る。H2O同位体比の分析はまた、全地球水循環の理解を助け得、CH4同位体比の分析は、水圧破砕現場での掘削を監視するために使用することができる。光吸収分光計100はまた、例えば、一酸化炭素(CO)または塩化水素(HCl)等の有害なガスの濃度を測定するために、工業プロセスの監視に使用することもできる。光吸収分光計100はまた、ホルムアルデヒド等の有害なガスの検出に使用することもできる。
上記では、レーザデバイス110は、中赤外スペクトル内の波長でレーザ光116を放出する。しかしながら、上述のプロセスは、任意の波長でレーザ光116を放出する任意の種類のレーザデバイス110に適用されてもよい。例えば、レーザデバイス110は、1〜2.5μmの近赤外領域内の波長でレーザ光116を放出してもよく、あるいは紫外(UV)波長(例えば、ホルムアルデヒドの検出については)等でレーザ光116を放出してもよい。
上記では、特定される極値は、常に、光強度の測定値122の極限値である。しかしながら、これは、代替として、光強度の測定値122の極大値であってもよい(例えば、光強度の測定値122が吸収率である場合)。さらに、第1のレーザパラメータ112の各値に複数の極値が特定される場合、特定される極値のそれぞれは、極大値または極小値であり得る。
上記では、注入電流の連続的な勾配が、第2のレーザパラメータ114に適用される。したがって、第2のレーザパラメータ114の値の範囲は、連続した範囲となる。しかしながら、第2のレーザパラメータ114の値の範囲が別個の値のセット(例えば、連続する範囲)となるように、注入電流の別個の変化が第2のレーザパラメータ114に適用され得ることが理解されるであろう。
図7、図8、図9、及び図10において、第1のレーザパラメータ値のわずかな増加に伴いピーク位置に急激な減少がある場合に、不連続が生じる。しかしながら、不連続は、第1のレーザパラメータ値のわずかな増加に伴いピーク位置に急激な上昇がある場合にも生じ得る。そのような不連続も、第1のレーザダイオード210におけるモードホッピングを示す。
上記では、第2のレーザパラメータ114の値が増加している(上向きの勾配)。しかしながら、代替として、減少してもよい(例えば、下方向の勾配、または第2のレーザパラメータ114の値の繰り返される別個の低減)ことが理解されるであろう。この事例では、第2のレーザパラメータ114の値の減少は、結果として、レーザ光116の波長の増加をもたらすことになる。いずれにせよ、レーザ光116のスペクトル枠は同じままであり、第2のレーザダイオード220から放出される光の波長の下方向の勾配に起因して、レーザ光の波長が波長下限λLから波長上限λUへと増加することだけが異なる。
上記の説明において、レーザデバイス110はDFG型レーザであり、レーザ光116の光学周波数は、第1のレーザダイオード210の光学周波数と第2のレーザダイオード220の光学周波数との差である(第2のレーザダイオード220から放出されるレーザ光の周波数を、第1のレーザダイオード210から放出されるレーザ光の周波数から差し引く)。上述の一例では、第1のレーザパラメータ112は、第1のレーザダイオード210の温度であり、第2のレーザパラメータ114は、(第2のレーザダイオード220の注入電流ではなく)同じレーザダイオード210の注入電流である。この場合において、第1のレーザダイオードの波長が増加すると(第2のレーザパラメータ114の値の上方向の勾配により)、レーザ光116の波長も同様に増加することになる。したがって、図3のプロット330における勾配は、正の勾配を有し、第2のレーザパラメータが下限値Lから上限値Uへと増加すると、レーザ光116の波長が波長下限λLから波長上限λUへと増加する。同様に、第1のレーザパラメータ112の値(第1のレーザダイオードの温度)が増加すると、レーザ光116の波長もまた増加する。したがって、図6に示されるプロットにあるように、第1のレーザパラメータ112が増加すると、スペクトル枠は右にシフトすることになる。しかしながら、図6に示されるプロットとは異なり、第2のレーザパラメータ値のLからUへの増加の方向は、第2のレーザパラメータの値の増加がレーザ光116の波長の増加をもたらす結果として、左から右に進むことになる。特定される極値690は、したがって、第1のレーザパラメータ値が増加すると、第2のレーザパラメータ114の下限値に生じることになる。結果として、第1のレーザパラメータ値に対するピーク位置のプロットは、傾向線がプロット710に示される正の勾配ではなく負の勾配を有することになる以外は、図7及び8のプロット710のものに非常によく類似したものとなる。いずれにせよ、多重モード化及び/またはモードホッピングは、依然として、上述のように特定可能であり、結果として、DFG型レーザデバイスにおける、第1及び第2のレーザパラメータそれぞれ112及び114の具体的な選択に関係なく、レーザデバイス110の動作値を最適化する上述のプロセスが効果的に機能する。
したがって、第1のレーザパラメータ値に対するピーク位置のプロットにおける傾向線が、レーザデバイスの種類、レーザデバイスのどのレーザダイオードが第1のレーザダイオードであり、どれが第2のレーザダイオードであるか(レーザデバイスが2つのレーザダイオードを備える場合)、ならびに/または第1及び第2のレーザパラメータが何であるかに応じて、正の勾配または負の勾配を有し得ることが理解されるであろう。いずれにせよ、多重モード化及び/またはモードホッピングは、依然として、上述のように特定可能であり、結果として、レーザデバイス110の動作値を最適化する上述のプロセスが効果的に機能する。
さらに、レーザデバイス110は、代替として、レーザ光116の光学周波数が、第1のレーザダイオード210と第2のレーザダイオード220の光学周波数の合計である、和周波数発生(SFG)型レーザであってもよい。この場合において、第2のレーザダイオードの波長が増加すると(第2のレーザパラメータ114の値の上方向の勾配により)、レーザ光116の波長も同様に増加することになる。したがって、図3のプロット330における勾配は、正の勾配を有し、レーザ光116の波長は、時間とともに、波長下限λLから波長上限λUへと増加する。同様に、第1のレーザパラメータ112の値が増加すると、レーザ光116の波長もまた増加することになる。したがって、図6に示されるプロットでは、第1のレーザパラメータ112が増加すると、スペクトル枠は右にシフトすることになる(図6に示されるように)。しかしながら、第2のレーザパラメータ値のLからUへの増加の方向は、第2のレーザパラメータの値の増加がレーザ光116の波長の増加をもたらす結果として、(図6に示される右から左ではなく)左から右に進むことになる。結果として、第1のレーザパラメータ値に対するピーク位置のプロットは、傾向線がプロット710に示される正の勾配ではなく負の勾配を有することになる以外は、図7及び図8のプロット710のものに非常によく類似したものとなる。いずれにせよ、多重モード化及び/またはモードホッピングは、依然として、上述のように特定可能であり、結果として、レーザデバイス110がSFGまたはDFG型のものであるかに関わらず、レーザデバイス110の動作値を最適化する上述のプロセスが効果的に機能する。
さらに、レーザデバイス110は、単一のレーザダイオードを備え、第1のレーザパラメータ値及び第2のレーザパラメータ値のいずれかにおける増加が、レーザ光116の波長の増加をもたらす。この状況は、SFG型レーザに関しても同じであり、SFG型レーザに関する上述の説明は、単一のレーザダイオードを備えるレーザデバイス110に同等に適用される。
上記に開示される態様では、レーザデバイス110は、第1のレーザダイオード210と第2のレーザダイオード220とを備える。しかしながら、レーザデバイス110は、任意の種類の1つ以上のレーザ、例えば、ガスレーザ、ソリッドステートレーザ、半導体レーザ、ファイバレーザ等の任意の種類であってもよく、上記に開示されたプロセスは、これらのレーザのいずれか1つ以上の動作値を最適化するために使用される。
上記では、コントローラ170が、光強度の測定値122を受容し、第1のレーザパラメータ112及び第2のレーザパラメータ114の値を調節し、第1のレーザパラメータ112の最適な値を特定し、それをレーザデバイス110に適用させる。しかしながら、このプロセスは、レーザ吸収分光計100の一部であってもそうでなくてもよい。任意の電子デバイスによって行われてもよい。例えば、第1のレーザパラメータ112の複数の値のそれぞれに関して、第2のレーザパラメータ114の値の範囲にわたって、光強度検出器120で受容された光強度の測定値122を取得するように構成される、デスクトップコンピュータ、またはラップトップコンピュータ、またはタブレットコンピュータ、またはスマートフォン等の携帯デバイスで行われ得る。これは、コントローラ170との有線または無線接続を介して取得され得る。電子デバイスは、プロセスの一部として第1及び/または第2のレーザパラメータの値を調節するように構成され得るか、あるいは第1及び/または第2のレーザパラメータの値の調節は、コントローラ170によって行われてもよい(例えば、コントローラ170は、上述のように第1及び/または第2のレーザパラメータの調節を行い、次いで、単純に、第1のレーザパラメータ112の最適な値を決定するために、電子デバイスが上述の分析を行うことができるように、電子デバイスに光強度の測定値122のデータを提供するように構成され得る)第1のレーザパラメータ112の動作値を設定する際、電子デバイスは、動作値をレーザデバイス110に適用し、かつ/または設定した動作値がレーザ吸収分光計の操作者によりレーザデバイス110に適用され得るように、それを表示し、かつ/または設定した動作値がコントローラ170によりレーザデバイス110に適用され得るように、それをコントローラ170に受け渡すように構成され得る。
電子デバイスは、プロセッサとソフトウェアプログラムを記憶するメモリとを含み得、このソフトウェアプログラムは、プロセッサによって実行されると、プロセッサ、及びしたがって電子デバイスに、上記に開示される方法を行わせる。あるいは、電子デバイスは、上記に開示される方法を他の手段によって行うように構成されてもよく、例えば、それは、上記に開示される方法を行うように構成されるプログラム可能な論理を含んでもよい。
本開示はまた、電子デバイスのプロセッサで実行されると、本開示の上記に開示される方法を行うように構成される、ソフトウェアプログラム(またはコンピュータプログラム)を提供する。コンピュータプログラムを保持する記憶媒体及び伝送媒体は、本発明の態様を形成することが理解される。コンピュータプログラムは、コンピュータによって実行されると上記に開示される本発明の態様を行う、1つ以上のプログラム命令、またはプログラムコードを有し得る。本明細書に使用される「プログラム」または「ソフトウェア」という用語は、コンピュータシステムで実行するように設計される命令シーケンスであり得、これには、サブルーチン、関数、プロシージャ、モジュール、オブジェクトメソッド、オブジェクト実装、実行可能なアプリケーション、アプレット、サーブレット、ソースコード、オブジェクトコード、共有ライブラリ、ダイナミックリンクライブラリ、及び/またはコンピュータシステムで実行するように設計される他の命令シーケンスが含まれ得る。記憶媒体は、磁気ディスク(ハードドライブもしくはフロッピーディスク等)、光学ディスク(CD−ROM、DVD−ROM、もしくはBluRayディスク等)、またはメモリ(ROM、RAM、EEPROM、EPROM、Flashメモリ、もしくはポータブル/リムーバブルメモリデバイス等)等であり得る。伝送媒体は、通信シグナル、データ放送、2つ以上のコンピュータ間の通信リンク等であり得る。
したがって、本開示は、レーザデバイス110の動作点を、レーザ吸収分光計100の寿命の間、どの時点においても、安定性に関して最適化するための技法を提供することがわかる。したがって、レーザデバイス110が古くなったときに、それが安定な単一周波数の領域内にとどまることを確実にするようにその最適な動作点を特定し、それによってレーザ吸収分光計100からの測定値の正確さを長期にわたり維持することができる。
本開示に提供される技法は、追加のハードウェアを必要せず、かつ特定の分子吸収ピークを有する特定の較正用ガスの使用に依存しない(すなわち、分光計のスペクトル枠内に少なくとも1つの吸収ピークを有する任意のガスを使用することができ、そのガスの分子吸収ピークに関して、それ以外に事前にわかっている必要はない)。このプロセスは、ピーク発見アルゴリズム、及び場合によってはピーク当て嵌めアルゴリズムを利用し得、これは、コントローラ170及び/または電子デバイスが、試料ガスの分析の目的で既に有している可能性が高く、そのため既存のソフトウェアモジュールを再利用することができる。
有利なことに、第1のレーザパラメータ112の動作値を最適化する上述のプロセスは、短期間、例えば、10分未満で行うことができる。このプロセスは、定期的にレーザ吸収分光計100で実行されるように手配することができ、その定期性は、ユーザによって選択することができる。例えば、プロセスは、1ヶ月に1回、またはそれよりも多いかもしくは少ない頻度で自動的に実行されるように手配することができる。このようにすることで、レーザデバイス110の動作点は、レーザデバイス110が古くなっていく際にも、最適となるかまたは最適に近くなるように自動で維持することができる。

Claims (28)

  1. レーザ吸収分光計のレーザデバイスの第1のレーザパラメータの動作値を最適化するための方法であって、前記レーザデバイスから放出されるレーザ光の波長は、前記レーザデバイスの前記第1のレーザパラメータ及び第2のレーザパラメータのいずれかを調節することによって変更可能であり、前記レーザ吸収分光計は、前記レーザデバイスから受けたレーザ光の強度を測定するように構成されている光強度検出器を備え、前記方法は、
    前記第1のレーザパラメータの複数の値のそれぞれに関して、
    前記第2のレーザパラメータの値の範囲にわたって前記光強度検出器で受けた光強度の測定値を得る段階と、
    前記光強度の測定値の極値を特定する段階と、
    前記極値のピーク位置を特定する段階と、を含み、
    前記第1のレーザパラメータの変化に伴い特定された前記ピーク位置の変化に連続傾向がある、前記第1のレーザパラメータの前記複数の値の中の前記第1のレーザパラメータの値の範囲を特定する段階と、
    前記第1のレーザパラメータの前記動作値を、前記第1のレーザパラメータの特定された前記値の範囲内となるように設定する段階と、を含む方法。
  2. 前記第1のレーザパラメータの特定された前記値の範囲が、前記第1のレーザパラメータの変化に伴い特定された前記ピーク位置を定義する関数が連続関数である、前記第1のレーザパラメータの前記複数の値の中の前記第1のレーザパラメータの値の範囲である、請求項1に記載の方法。
  3. 前記連続傾向が、線形連続傾向である、請求項1又は2に記載の方法。
  4. 特定された前記ピーク位置が、特定された前記極値に対応する前記第2のレーザパラメータの値に少なくとも部分的に基づく、請求項1〜3のいずれかに記載の方法。
  5. 特定された前記ピーク位置が、特定された前記極値に対応する前記第2のレーザパラメータの前記値である、請求項4に記載の方法。
  6. 前記第1のレーザパラメータの変化に伴い特定された前記ピーク位置の変化に連続傾向があり、特定された前記極値のそれぞれのピーク強度が、閾値許容範囲内と同じである、前記第1のレーザパラメータの前記複数の値の中の前記第1のレーザパラメータの値の範囲を特定する段階をさらに含む、請求項1〜5のいずれかに記載の方法。
  7. 前記ピーク強度が、ピーク高さ及び/又はピーク面積のうちの少なくとも1つに部分的に基づく、請求項6に記載の方法。
  8. 前記第1のレーザパラメータの変化に伴い特定された前記ピーク位置の変化に連続傾向があり、前記第1のレーザパラメータの前記複数の値のそれぞれで特定された極値数が、予測される極値数と一致する、前記第1のレーザパラメータの前記複数の値の中の前記第1のレーザパラメータの値の範囲を特定する段階をさらに含む、請求項1〜7のいずれかに記載の方法。
  9. 前記極値が、ピーク検出アルゴリズムを用いて特定される、請求項1〜8のいずれかに記載の方法。
  10. 前記第1のレーザパラメータの値の2つ以上の範囲が、前記第1のレーザパラメータのさらなる複数の値の範囲内で特定され、
    前記第1のレーザパラメータの前記動作値を、前記第1のレーザパラメータの特定された前記2つ以上の範囲の最も大きいものに含まれるように設定する段階をさらに含む、請求項1〜9のいずれかに記載の方法。
  11. 前記第1のレーザパラメータの前記動作値が、前記第1のレーザパラメータの特定された前記値の範囲のいずれかの極限値よりも、前記第1のレーザパラメータの特定された前記値の範囲の中心に近い値に設定される、請求項1〜10のいずれかに記載の方法。
  12. 前記第1のレーザパラメータの前記動作値が、前記第1のレーザパラメータの特定された前記値の範囲の中心の許容閾値内に設定される、請求項1〜10のいずれかに記載の方法。
  13. 前記レーザデバイスは、レーザダイオードを備え、
    前記第1のレーザパラメータが前記レーザダイオードの温度であり、前記第2のレーザパラメータが前記レーザダイオードの注入電流であるか、又は、
    前記第1のレーザパラメータが前記レーザダイオードの注入電流であり、前記第2のレーザパラメータが前記レーザダイオードの温度である、請求項1〜12のいずれかに記載の方法。
  14. 前記レーザデバイスが、前記レーザデバイスから放出される前記レーザ光を生成するために一緒に構成される、第1のレーザダイオードと第2のレーザダイオードとを備え、
    前記第1のレーザパラメータが前記第1のレーザダイオードのパラメータであり、前記第2のレーザパラメータが前記第2のレーザダイオードのパラメータである、請求項1〜12のいずれかに記載の方法。
  15. 前記第1のレーザパラメータが前記第1のレーザダイオードの注入電流であり、前記第2のレーザパラメータが前記第2のレーザダイオードへの注入電流である、請求項14に記載の方法。
  16. 前記第1のレーザパラメータが前記第1のレーザダイオードの温度であり、前記第2のレーザパラメータが前記第2のレーザダイオードへの注入電流である、請求項14に記載の方法。
  17. 前記第1のレーザダイオードが波長安定化レーザダイオードであり、前記第2のレーザダイオードが分布帰還型レーザダイオードである、請求項14〜16のいずれかに記載の方法。
  18. 前記光強度検出器で受ける光強度の前記測定値が、前記光強度検出器によって受ける光パワーと前記レーザデバイスから放出される光パワーとの比を示す、請求項1〜17のいずれかに記載の方法。
  19. 前記レーザ吸収分光計が、試料ガスを格納するための吸収セルをさらに備え、前記レーザ吸収分光計は、使用時に、前記レーザデバイスから放出されるレーザ光が吸収セルを通過して前記光強度検出器に達するように構成されている、請求項1〜18のいずれかに記載の方法。
  20. 使用時に、前記レーザデバイスから放出されるレーザ光が、試料ガスを格納する前記吸収セルを通過して前記光強度検出器に達し、特定された前記極値が、前記試料ガスの吸収ピークに対応する、請求項19に記載の方法。
  21. 前記レーザ吸収分光計が、エタロンと試料ガスを格納するための吸収セルとをさらに備え、前記吸収分光計は、使用時に、前記レーザデバイスから放出されたレーザ光が前記エタロンを通過するか、又は前記吸収セルを通過して、前記光強度検出器に達するように構成されている、請求項1〜18のいずれかに記載の方法。
  22. 前記第1のレーザパラメータの前記複数の値のそれぞれについて、
    光強度の前記測定値で複数の極値を特定する段階と、
    前記複数の極値のそれぞれについて、それぞれのピーク位置を特定する段階と、をさらに含み、
    前記第1のレーザパラメータの特定された前記値の範囲が、前記第1のレーザパラメータの変化に伴い特定された前記複数のピーク位置の各ピーク位置の変化に連続傾向がある、前記第1のレーザパラメータの前記複数の値の中の前記第1のレーザパラメータの値の範囲である、請求項1〜21のいずれかに記載の方法。
  23. 請求項1〜22のいずれかに記載の方法を行うように構成される、電子デバイス。
  24. プロセッサと、ソフトウェアプログラムを記憶するメモリと、を備えた電子デバイスであって、
    前記ソフトウェアプログラムは、前記プロセッサによって実行されると、前記プロセッサに、請求項1〜22のいずれかに記載の方法を行わせる、電子デバイス。
  25. レーザ吸収分光計であって、
    レーザ光を放出するためのレーザデバイスであって、前記レーザ光の波長が、第1のレーザパラメータ及び第2のレーザパラメータのいずれかを調節することによって変更可能である、レーザデバイスと、
    前記レーザデバイスから受けるレーザ光の強度を測定するように構成された光強度検出器と、
    請求項23又は24に記載の前記電子デバイスと、を備える、レーザ吸収分光計。
  26. 試料ガスを格納するための吸収セルをさらに備え、
    前記レーザ吸収分光計が、使用時に、前記レーザデバイスから放出されたレーザ光が前記吸収セルを通過して前記光強度検出器に達するように構成されている、請求項25に記載のレーザ吸収分光計。
  27. エタロンと、
    試料ガスを格納するための吸収セルと、をさらに備え、
    前記レーザ吸収分光計は、使用時に、前記レーザデバイスから放出されたレーザ光が、前記エタロン、又は前記吸収セルを通過して、前記光強度検出器に達するように設定されるように構成されている、請求項25に記載のレーザ吸収分光計。
  28. 電子デバイスのプロセッサで実行されると、請求項1〜22のいずれかに記載の方法を行うように構成される、ソフトウェアプログラム。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110462380B (zh) * 2017-03-31 2022-05-24 国立大学法人横浜国立大学 氢检测用元件、氢检测用元件的制造方法以及氢检测装置
US10330592B2 (en) * 2017-07-21 2019-06-25 Serguei Koulikov Laser absorption spectroscopy isotopic gas analyzer
US10823616B2 (en) * 2018-05-31 2020-11-03 The Boeing Company Dual sensor and method for detection of an analyte gas
GB2589779B (en) * 2018-07-14 2023-02-01 Daylight Solutions Inc Methods and systems for spectral beam-combining
WO2020023860A1 (en) * 2018-07-27 2020-01-30 Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona Methods and systems for improving single-frequency operations of diode lasers
US11041803B2 (en) * 2019-03-26 2021-06-22 International Business Machines Corporation Feed-forward spectral calibration methodology for line-scanned tunable laser absorption spectroscopy
GB2600904A (en) * 2019-11-27 2022-05-18 Perkinelmer Singapore Pte Ltd Laser temperature stabilisation
CN117433645B (zh) * 2023-10-30 2024-06-18 重庆航伟光电科技有限公司 一种半导体激光器波长测量方法、装置、芯片及终端

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4730112A (en) * 1986-03-07 1988-03-08 Hibshman Corporation Oxygen measurement using visible radiation
JPH0740181Y2 (ja) * 1989-03-30 1995-09-13 横河電機株式会社 レーザ周波数特性測定装置並びに核装置を利用した可変周波数光源
JP2977919B2 (ja) * 1991-03-14 1999-11-15 富士通株式会社 半導体レーザの光周波数偏移量の測定,制御装置
DE4122572A1 (de) * 1991-07-08 1993-01-14 Draegerwerk Ag Verfahren zum betrieb einer laserdiode
US5691989A (en) * 1991-07-26 1997-11-25 Accuwave Corporation Wavelength stabilized laser sources using feedback from volume holograms
US6750972B2 (en) * 2000-11-17 2004-06-15 Cymer, Inc. Gas discharge ultraviolet wavemeter with enhanced illumination
JP2003163411A (ja) * 2001-11-29 2003-06-06 Furukawa Electric Co Ltd:The 波長可変レーザ・モジュール
US6862302B2 (en) * 2002-02-12 2005-03-01 Finisar Corporation Maintaining desirable performance of optical emitters over temperature variations
US20040027575A1 (en) * 2002-02-14 2004-02-12 Von Drasek William A. Wavelength tuning control for multi-section diode lasers
EP1650597A4 (en) * 2003-08-01 2007-09-05 Nippon Telegraph & Telephone LASER LIGHT SOURCE
US7668216B2 (en) * 2004-07-06 2010-02-23 Jds Uniphase Corporation Coherence reduction of diode lasers
US7634197B2 (en) * 2005-01-12 2009-12-15 Finisar Corporation Compensation for temperature and voltage effects when monitoring parameters in a transceiver module
US7609736B2 (en) * 2005-09-30 2009-10-27 Symbol Technologies, Inc. Laser power control arrangements in electro-optical readers
JP2008026397A (ja) * 2006-07-18 2008-02-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光源およびガス計測装置
DE102007002819B4 (de) * 2007-01-19 2008-10-16 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Unipolarer Quantenkaskaden-Laser hoher Effizienz
WO2012050696A1 (en) * 2010-10-14 2012-04-19 Thermo Fisher Scientific Inc. Optical chamber module assembly
US9651488B2 (en) * 2010-10-14 2017-05-16 Thermo Fisher Scientific (Bremen) Gmbh High-accuracy mid-IR laser-based gas sensor
DE102011077634A1 (de) * 2011-06-16 2012-12-20 Siemens Ag Automatische Identifikation der Wellenlänge eines Lasers
JP6057430B2 (ja) * 2013-08-21 2017-01-11 国立大学法人徳島大学 レーザ光を用いたガス分析装置及びガス分析方法
WO2016153514A1 (en) * 2015-03-26 2016-09-29 Halliburton Energy Services, Inc. Gamma-ray spectrometer calibration systems and methods

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