JP4388334B2 - 光反応装置及び光反応制御方法 - Google Patents
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Description
あるいは、本発明による光反応装置は、(1)反応対象物に照射される所定波長のパルス光を出射するレーザ光源と、(2)パルス光によって反応対象物に生じる光反応を評価する反応評価手段と、(3)反応評価手段による光反応の評価結果に基づいて、レーザ光源に対する制御条件を演算して求める制御演算手段と、(4)求められた制御条件に基づいて、レーザ光源における共振器内での位相速度と群速度との関係を制御する光源制御手段とを備え、反応評価手段は、反応対象物で生じた光反応を計測する反応計測手段を有し、反応計測手段による計測結果を参照して、反応対象物に発生している光反応の反応効率を評価するとともに、反応計測手段は、反応対象物で発生された高次高調波を検出する光検出器を有して構成されていることを特徴とする。
あるいは、本発明による光反応装置は、(1)反応対象物に照射される所定波長のパルス光を出射するレーザ光源と、(2)パルス光によって反応対象物に生じる光反応を評価する反応評価手段と、(3)反応評価手段による光反応の評価結果に基づいて、レーザ光源に対する制御条件を演算して求める制御演算手段と、(4)求められた制御条件に基づいて、レーザ光源における共振器内での位相速度と群速度との関係を制御する光源制御手段とを備え、反応評価手段は、反応対象物で生じた光反応を計測する反応計測手段を有し、反応計測手段による計測結果を参照して、反応対象物に発生している光反応の反応効率を評価するとともに、反応計測手段は、反応対象物で生成された物質を特定し、その生成量を計測する質量分析器を有して構成されていることを特徴とする。
あるいは、本発明による光反応制御方法は、(1)レーザ光源から出射された所定波長のパルス光を反応対象物に照射する光照射ステップと、(2)パルス光によって反応対象物に生じる光反応を評価する反応評価ステップと、(3)反応評価ステップにおける光反応の評価結果に基づいて、レーザ光源に対する制御条件を演算して求める制御演算ステップと、(4)求められた制御条件に基づいて、レーザ光源における共振器内での位相速度と群速度との関係を制御する光源制御ステップとを備え、反応評価ステップは、反応対象物で生じた光反応を計測する反応計測ステップを有し、反応計測ステップによる計測結果を参照して、反応対象物に発生している光反応の反応効率を評価するとともに、反応計測ステップにおいて、反応対象物で発生された高次高調波を検出することを特徴とする。
あるいは、本発明による光反応制御方法は、(1)レーザ光源から出射された所定波長のパルス光を反応対象物に照射する光照射ステップと、(2)パルス光によって反応対象物に生じる光反応を評価する反応評価ステップと、(3)反応評価ステップにおける光反応の評価結果に基づいて、レーザ光源に対する制御条件を演算して求める制御演算ステップと、(4)求められた制御条件に基づいて、レーザ光源における共振器内での位相速度と群速度との関係を制御する光源制御ステップとを備え、反応評価ステップは、反応対象物で生じた光反応を計測する反応計測ステップを有し、反応計測ステップによる計測結果を参照して、反応対象物に発生している光反応の反応効率を評価するとともに、反応計測ステップにおいて、反応対象物で生成された物質を質量分析器によって特定し、その生成量を計測することを特徴とする。
Claims (26)
- 反応対象物に照射される所定波長のパルス光を出射するレーザ光源と、
前記パルス光によって前記反応対象物に生じる光反応を評価する反応評価手段と、
前記反応評価手段による前記光反応の評価結果に基づいて、前記レーザ光源に対する制御条件を演算して求める制御演算手段と、
求められた前記制御条件に基づいて、前記レーザ光源における共振器内での位相速度と群速度との関係を制御する光源制御手段と
を備え、
前記反応評価手段は、前記パルス光を入射して第2の光反応を生じさせる反応生成手段と、前記反応生成手段で生じた前記第2の光反応を計測する反応計測手段とを有し、前記反応計測手段による計測結果、及び前記反応対象物で生じる前記光反応と前記反応生成手段で生じる前記第2の光反応との相関を参照して、前記反応対象物に発生している前記光反応の反応効率を評価するとともに、
前記反応生成手段は、前記パルス光が入射したときに波長変換を生じさせる波長変換媒質を有し、前記反応計測手段は、前記波長変換媒質によって波長変換された光を検出する光検出器を有して構成されていることを特徴とする光反応装置。 - 前記レーザ光源から前記反応対象物へと照射される前記パルス光の一部を分岐して前記反応生成手段へと導く光分岐手段を備えることを特徴とする請求項1記載の光反応装置。
- 前記波長変換媒質は、前記パルス光が入射することによって高次高調波を発生させる媒質であることを特徴とする請求項1または2記載の光反応装置。
- 前記波長変換媒質は、前記パルス光が入射することによってテラヘルツ電磁波を発生させる媒質であることを特徴とする請求項1または2記載の光反応装置。
- 反応対象物に照射される所定波長のパルス光を出射するレーザ光源と、
前記パルス光によって前記反応対象物に生じる光反応を評価する反応評価手段と、
前記反応評価手段による前記光反応の評価結果に基づいて、前記レーザ光源に対する制御条件を演算して求める制御演算手段と、
求められた前記制御条件に基づいて、前記レーザ光源における共振器内での位相速度と群速度との関係を制御する光源制御手段と
を備え、
前記反応評価手段は、前記反応対象物で生じた前記光反応を計測する反応計測手段を有し、前記反応計測手段による計測結果を参照して、前記反応対象物に発生している前記光反応の反応効率を評価するとともに、
前記反応計測手段は、前記反応対象物で発生された高次高調波を検出する光検出器を有して構成されていることを特徴とする光反応装置。 - 反応対象物に照射される所定波長のパルス光を出射するレーザ光源と、
前記パルス光によって前記反応対象物に生じる光反応を評価する反応評価手段と、
前記反応評価手段による前記光反応の評価結果に基づいて、前記レーザ光源に対する制御条件を演算して求める制御演算手段と、
求められた前記制御条件に基づいて、前記レーザ光源における共振器内での位相速度と群速度との関係を制御する光源制御手段と
を備え、
前記反応評価手段は、前記反応対象物で生じた前記光反応を計測する反応計測手段を有し、前記反応計測手段による計測結果を参照して、前記反応対象物に発生している前記光反応の反応効率を評価するとともに、
前記反応計測手段は、前記反応対象物で生成された物質を特定し、その生成量を計測する質量分析器を有して構成されていることを特徴とする光反応装置。 - 前記光源制御手段は、前記レーザ光源のレーザ媒質に励起エネルギーを供給する励起手段を制御することによって、前記位相速度と群速度との関係を制御することを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項記載の光反応装置。
- 前記光源制御手段は、前記レーザ光源における前記共振器内に設置された波長分散媒質を制御することによって、前記位相速度と群速度との関係を制御することを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項記載の光反応装置。
- 前記光源制御手段は、前記レーザ光源における前記共振器を構成する主共振器から取り出された光の位相または強度を変調して前記主共振器内に戻すことによって、前記位相速度と群速度との関係を制御することを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項記載の光反応装置。
- 前記レーザ光源から前記反応対象物へと照射される前記パルス光を波形整形する光波形整形器を備えることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項記載の光反応装置。
- 前記制御演算手段は、前記反応評価手段による前記光反応の評価結果に基づいて、前記光波形整形器に対する制御条件を演算して求めるとともに、
求められた前記制御条件に基づいて、前記光波形整形器における前記パルス光の波形を制御する光波形整形器制御手段を備えることを特徴とする請求項10記載の光反応装置。 - 前記レーザ光源から前記反応対象物へと照射される前記パルス光を増幅する光増幅器を備えることを特徴とする請求項1〜11のいずれか一項記載の光反応装置。
- 前記制御演算手段は、前記反応評価手段による前記光反応の評価結果に基づいて、前記光増幅器に対する制御条件を演算して求めるとともに、
求められた前記制御条件に基づいて、前記光増幅器における前記パルス光の増幅を制御する光増幅器制御手段を備えることを特徴とする請求項12記載の光反応装置。 - レーザ光源から出射された所定波長のパルス光を反応対象物に照射する光照射ステップと、
前記パルス光によって前記反応対象物に生じる光反応を評価する反応評価ステップと、
前記反応評価ステップにおける前記光反応の評価結果に基づいて、前記レーザ光源に対する制御条件を演算して求める制御演算ステップと、
求められた前記制御条件に基づいて、前記レーザ光源における共振器内での位相速度と群速度との関係を制御する光源制御ステップと
を備え、
前記反応評価ステップは、前記パルス光を入射して第2の光反応を生じさせる反応生成ステップと、前記反応生成ステップで生じた前記第2の光反応を計測する反応計測ステップとを有し、前記反応計測ステップによる計測結果、及び前記反応対象物で生じる前記光反応と前記反応生成ステップで生じる前記第2の光反応との相関を参照して、前記反応対象物に発生している前記光反応の反応効率を評価するとともに、
前記反応生成ステップにおいて、前記パルス光が入射したときに波長変換を生じさせる波長変換媒質を用い、前記反応計測ステップにおいて、前記波長変換媒質によって波長変換された光を検出することを特徴とする光反応制御方法。 - 前記レーザ光源から前記反応対象物へと照射される前記パルス光の一部を分岐して前記反応生成ステップで用いられる反応生成手段へと導く光分岐ステップを備えることを特徴とする請求項14記載の光反応制御方法。
- 前記波長変換媒質は、前記パルス光が入射することによって高次高調波を発生させる媒質であることを特徴とする請求項14または15記載の光反応制御方法。
- 前記波長変換媒質は、前記パルス光が入射することによってテラヘルツ電磁波を発生させる媒質であることを特徴とする請求項14または15記載の光反応制御方法。
- レーザ光源から出射された所定波長のパルス光を反応対象物に照射する光照射ステップと、
前記パルス光によって前記反応対象物に生じる光反応を評価する反応評価ステップと、
前記反応評価ステップにおける前記光反応の評価結果に基づいて、前記レーザ光源に対する制御条件を演算して求める制御演算ステップと、
求められた前記制御条件に基づいて、前記レーザ光源における共振器内での位相速度と群速度との関係を制御する光源制御ステップと
を備え、
前記反応評価ステップは、前記反応対象物で生じた前記光反応を計測する反応計測ステップを有し、前記反応計測ステップによる計測結果を参照して、前記反応対象物に発生している前記光反応の反応効率を評価するとともに、
前記反応計測ステップにおいて、前記反応対象物で発生された高次高調波を検出することを特徴とする光反応制御方法。 - レーザ光源から出射された所定波長のパルス光を反応対象物に照射する光照射ステップと、
前記パルス光によって前記反応対象物に生じる光反応を評価する反応評価ステップと、
前記反応評価ステップにおける前記光反応の評価結果に基づいて、前記レーザ光源に対する制御条件を演算して求める制御演算ステップと、
求められた前記制御条件に基づいて、前記レーザ光源における共振器内での位相速度と群速度との関係を制御する光源制御ステップと
を備え、
前記反応評価ステップは、前記反応対象物で生じた前記光反応を計測する反応計測ステップを有し、前記反応計測ステップによる計測結果を参照して、前記反応対象物に発生している前記光反応の反応効率を評価するとともに、
前記反応計測ステップにおいて、前記反応対象物で生成された物質を質量分析器によって特定し、その生成量を計測することを特徴とする光反応制御方法。 - 前記光源制御ステップにおいて、前記レーザ光源のレーザ媒質に励起エネルギーを供給する励起手段を制御することによって、前記位相速度と群速度との関係を制御することを特徴とする請求項14〜19のいずれか一項記載の光反応制御方法。
- 前記光源制御ステップにおいて、前記レーザ光源における前記共振器内に設置された波長分散媒質を制御することによって、前記位相速度と群速度との関係を制御することを特徴とする請求項14〜20のいずれか一項記載の光反応制御方法。
- 前記光源制御ステップにおいて、前記レーザ光源における前記共振器を構成する主共振器から取り出された光の位相または強度を変調して前記主共振器内に戻すことによって、前記位相速度と群速度との関係を制御することを特徴とする請求項14〜21のいずれか一項記載の光反応制御方法。
- 前記レーザ光源から前記反応対象物へと照射される前記パルス光を波形整形する光波形整形ステップを備えることを特徴とする請求項14〜22のいずれか一項記載の光反応制御方法。
- 前記制御演算ステップにおいて、前記反応評価ステップにおける前記光反応の評価結果に基づいて、前記光波形整形ステップで用いられる光波形整形器に対する制御条件を演算して求めるとともに、
求められた前記制御条件に基づいて、前記光波形整形器における前記パルス光の波形を制御する光波形整形器制御ステップを備えることを特徴とする請求項23記載の光反応制御方法。 - 前記レーザ光源から前記反応対象物へと照射される前記パルス光を増幅する光増幅ステップを備えることを特徴とする請求項14〜24のいずれか一項記載の光反応制御方法。
- 前記制御演算ステップにおいて、前記反応評価ステップにおける前記光反応の評価結果に基づいて、前記光増幅ステップで用いられる光増幅器に対する制御条件を演算して求めるとともに、
求められた前記制御条件に基づいて、前記光増幅器における前記パルス光の増幅を制御する光増幅器制御ステップを備えることを特徴とする請求項25記載の光反応制御方法。
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