JP6244699B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 216
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 171
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 60
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 description 46
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 34
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 29
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 29
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 28
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 28
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 28
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 26
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 20
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 20
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 15
- -1 Phosphorus ions Chemical class 0.000 description 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 11
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 10
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 9
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 9
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 6
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001439 antimony ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 229910004129 HfSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- HAYXDMNJJFVXCI-UHFFFAOYSA-N arsenic(5+) Chemical compound [As+5] HAYXDMNJJFVXCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
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- H01L29/772—Field effect transistors
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Description
断面図であって、図22の一点鎖線X−X’間の断面を示している。図22及び図23では、SRAM101の一部の構成要素についての図示を省略している。
・シリコン基板102に、長いパターンの活性領域103及び短いパターンの活性領域104が並行して形成されている場合、活性領域103と活性領域104との間の素子分離絶縁膜106にボイドが発生する。
・活性領域103が、第1の幅の第1領域103A及び第1の幅よりも太い第2の幅の第2領域103Bを有する場合、活性領域103の第2領域103Bと活性領域104との間の素子分離絶縁膜106にボイドが発生する。
・駆動トランジスタのゲート電極107Bと駆動トランジスタのゲート電極107Cとの間における素子分離絶縁膜106にボイドが発生する。
・負荷トランジスタのゲート電極107Eと負荷トランジスタのゲート電極107Fとの間における素子分離絶縁膜106にボイドが発生する。
図1〜図3を参照して、実施例1に係る半導体装置1について説明する。実施例1では、半導体装置1の一例であるSRAMを例として説明する。図1は、実施例1に係る半導体装置1の平面図である。図2は、実施例1に係る半導体装置1の断面図であって、図1の一点鎖線A−A’間の断面を示している。図3は、実施例1に係る半導体装置1の断面図であって、図1の一点鎖線B−B’間の断面を示している。図1〜図3では、半導体装置1の一部の構成要素についての図示を省略している。
ンジスタ23A、23Bは、Pチャネル型MOSトランジスタである。
Bを有する。第1の幅及び第2の幅は、半導体基板2の平面方向における長さである。ゲート電極11A、11Bは、活性領域3の第1領域3Aを跨ぐようにして、半導体基板2上に形成されている。ゲート電極12A、12Bは、活性領域3の第2領域3Bを跨ぐようにして、半導体基板2上に形成されている。ゲート電極13A、13Bは、活性領域4を跨ぐようにして、半導体基板2上に形成されている。ゲート電極12Aとゲート電極13Aとが接続されている。すなわち、ゲート電極12Aとゲート電極13Aとが、一体に形成されている。ゲート電極12Bとゲート電極13Bとが接続されている。すなわち、ゲート電極12Bとゲート電極13Bとが、一体に形成されている。
図4を参照して、実施例2に係る半導体装置1について説明する。実施例2では、半導体装置1の一例であるSRAMを例として説明する。実施例2において、実施例1と同一の構成要素については、実施例1と同一の符号を付し、その説明を省略する。
域3Bを跨ぐようにして、半導体基板2上に形成されている。ゲート電極13A、13Bは、活性領域4を跨ぐようにして、半導体基板2上に形成されている。ゲート電極12Aとゲート電極13Aとが接続されている。すなわち、ゲート電極12Aとゲート電極13Aとが、一体に形成されている。ゲート電極12Bとゲート電極13Bとが接続されている。すなわち、ゲート電極12Bとゲート電極13Bとが、一体に形成されている。
実施形態に係る半導体装置1の製造方法について説明する。図5〜図17Cは、実施形態に係る半導体装置1の製造方法を示す断面図である。実施形態に係る半導体装置1の製造方法では、まず、図5に示す工程において、例えば、熱酸化法により、半導体基板2の全面に、シリコン酸化膜(SiO2膜)61を形成する。シリコン酸化膜61は、半導体
基板2の表面の保護膜である。図5は、図1の一点鎖線C−C’の断面部分及び図4の一点鎖線D−D’の断面部分に対応している。
・イオン種:リンイオン(P+),加速エネルギー:700keV,ドーズ量:1.5×10 13 cm −2
・イオン種:ボロンイオン(B+),加速エネルギー:150keV,ドーズ量:7.5×1012cm-2
例えば、以下の条件でそれぞれイオン注入を行うことにより、半導体基板2にP型高濃
度不純物層31を形成してもよい。
・イオン種:ゲルマニウムイオン(Ge+),加速エネルギー:20〜30keV,ドーズ量:3.0〜5.0×1014cm-2
・イオン種:炭素イオン(C+),加速エネルギー:3〜6keV,ドーズ量:3.0〜5.0×1014cm-2
・イオン種:ボロンイオン,加速エネルギー:20keV,ドーズ量:1.6〜2.0×1013cm-2
・イオン種:フッ化ボロン,加速エネルギー:25keV,ドーズ量:4.0〜8.0×1012cm-2
・イオン種:フッ化ボロン,加速エネルギー:10keV,ドーズ量:1.0〜3.0×1012cm-2
ゲルマニウムイオンは、半導体基板2を非晶質化して、ボロンイオンのチャネリングを抑止するとともに、炭素が格子点に配される確率を高めるように作用する。格子点に配された炭素は、ボロンの拡散を抑制するように作用する。かかる観点から、ゲルマニウムは、炭素及びボロンよりも先にイオン注入を行うことが好ましい。また、Pウェル34は、P型高濃度不純物層31よりも先に形成されることが好ましい。次いで、例えば、薬液を用いたウェット処理又はアッシングにより、フォトレジスト膜63を除去する。
・イオン種:リンイオン,加速エネルギー:360keV,ドーズ量:7.5×1012cm-2
例えば、以下の(1)及び(2)の条件で、基板法線方向に対して傾斜した4方向から、それぞれイオン注入を行い、以下の(3)の条件でイオン注入を行うことにより、半導体基板2にN型高濃度不純物層41を形成してもよい。
・イオン種:アンチモンイオン(Sb+),加速エネルギー:80keV,ドーズ量:3.0×1012cm-2
・イオン種:アンチモンイオン,加速エネルギー:130keV,ドーズ量:1.5×1012cm-2
・イオン種:アンチモンイオン,加速エネルギー:20keV,ドーズ量:4.0〜8.0×1012cm-2
板2上に形成する。ISSG酸化法の処理条件として、例えば、750〜810℃程度の温度、20秒間程度の時間を設定してもよい。シリコン酸化膜を半導体基板2上に形成するのは、半導体基板2が受けたダメージを回復させるためである。次に、例えば、弗酸水溶液を用いたウェットエッチングにより、シリコン酸化膜を除去する。
体基板2の表面に、例えば、25nm程度の膜厚のシリコン層をエピタキシャル成長する。これにより、半導体基板2上にエピタキシャルシリコン層20が形成される。次いで、ISSG酸化法により、減圧下でシリコン層20の表面をウェット酸化し、例えば、3nm程度の膜厚のシリコン酸化膜66をエピタキシャルシリコン層20上に形成する。ISSG酸化法の処理条件として、例えば、750〜810℃程度の温度、20秒間程度の時間を設定してもよい。次いで、例えば、LP(Low Pleasure)CVD法により、例えば、50〜90nm程度の膜厚のシリコン窒化膜(SiN)67をシリコン酸化膜66上に形成する。LPCVD法の処理条件として、例えば、700℃程度の温度、150分間程度の時間を設定してもよい。
わゆるSTI(Shallow Trench Isolation)法により、素子分離溝69にシリコン酸化膜が埋め込まれ、半導体基板2に素子分離絶縁膜7が形成される。
である。ゲート絶縁膜71を形成する処理条件として、例えば、810℃程度の温度、8秒間程度の時間を設定してもよい。次いで、NO雰囲気中で、例えば、870℃程度、13秒間程度の熱処理を行い、ゲート絶縁膜71に窒素を導入してもよい。窒素の導入方法としては、例えば、プラズマ窒化を用いてもよい。次に、1050℃程度、3秒間程度の熱処理を行う。ゲート絶縁膜71は、例えば、HfO2、HfSiO、HfAlON、Y2O3、ZrO、TiO、TaO等の高誘電率絶縁膜(High-k膜)であってもよい。
成する。例えば、以下の条件でイオン注入を行うことにより、半導体基板2にN型エクステンション領域35を形成してもよい。
・イオン種:砒素イオン,加速エネルギー:1.5keV,ドーズ量:1.0×1015cm−2
・イオン種:ボロンイオン,加速エネルギー:0.5keV,ドーズ量:3.2×1014cm−2
・イオン種:リンイオン,加速エネルギー:8keV,ドーズ量:1.2×1016cm-2
・イオン種:ボロンイオン,加速エネルギー:4keV,ドーズ量:6.0×1015cm-2
図18は、エピタキシャルシリコン層20を有する半導体装置1と、エピタキシャルシリコン層20を有しない半導体装置201とが搭載されたプリント基板81の平面図である。図19は、半導体装置201の平面図である。図20は、半導体装置201の断面図であって、図19の一点鎖線E−E’間の断面を示している。図21は、半導体装置201の断面図であって、図19の一点鎖線F−F’間の断面を示している。図19〜図21では、半導体装置201の一部の構成要素についての図示を省略している。
トランジスタ223A、223Bは、Pチャネル型MOSトランジスタである。
スタ形成領域)253Bにおける半導体基板202上に形成されている。転送トランジスタ221A、221B、駆動トランジスタ222A、222B及び負荷トランジスタ223A、223Bは、SRAMにおける一つのメモリセルとして機能する。図19に示すように、ゲート電極213Cは、活性領域205を跨ぐようにして、半導体基板202上に形成されている。ゲート電極213Dは、活性領域206を跨ぐようにして、半導体基板202上に形成されている。ゲート電極213C、213Dは、負荷トランジスタが形成される領域における半導体基板2上に形成されている。
2 半導体基板
3、4、5、6 活性領域
3A 第1領域
3B 第2領域
7 素子分離絶縁膜
8、9 凹形状
11A、11B、12A、12B、13A、13B、13C、13D ゲート電極
14 VSSコンタクト
15 VDDコンタクト
16A、16B、16C、16D、16E、16F ストレージコンタクト
20 エピタキシャルシリコン層
21A、21B 転送トランジスタ
22A、22B 駆動トランジスタ
23A、23B 負荷トランジスタ
31 P型高濃度不純物層
32 N型ソース・ドレイン領域
33 埋め込みNウェル
34 Pウェル
35 N型エクステンション領域
41 N型高濃度不純物層
42 P型ソース・ドレイン領域
43 Nウェル
44 P型エクステンション領域
51A、51B 転送トランジスタ形成領域
52A、52B 駆動トランジスタ形成領域
53A、53B 負荷トランジスタ形成領域
Claims (11)
- 基板と、
前記基板内に形成され、第1の幅の2つの第1領域、2つの前記第1領域の間に位置して前記第1の幅よりも太い第2の幅の第2領域、前記第1の幅と前記第2の幅との差によって形成された段差を持つ前記第1領域及び前記第2領域の境界を有し、第1方向に伸びる第1の活性領域と、
前記基板内に形成され、前記第1の活性領域の前記第2領域と並行して伸びる第2の活性領域と、
前記基板の溝に酸化膜を埋め込むことによって前記基板に形成され、前記第1の活性領域及び前記第2の活性領域のそれぞれを画定する素子分離絶縁膜と、を備え、
前記第1の活性領域の前記第2領域は、前記第2の活性領域との隣接側であって前記境界を除いた領域において平面視で前記第1方向と交わる第2方向に向かって凹む凹形状を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の活性領域の前記第2領域における前記凹形状の前記第2方向の幅は、前記第2の幅よりも狭いことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 基板と、
前記基板内に形成され、第1の幅の2つの第1領域、2つの前記第1領域の間に位置して前記第1の幅よりも太い第2の幅の第2領域、前記第1の幅と前記第2の幅との差によって形成された段差を持つ前記第1領域及び前記第2領域の境界を有し、第1方向に伸びる第1の活性領域と、
前記基板内に形成され、前記第1の活性領域の前記第2領域と並行して伸びる第2の活性領域と、
前記基板の溝に酸化膜を埋め込むことによって前記基板に形成され、前記第1の活性領域及び前記第2の活性領域のそれぞれを画定する素子分離絶縁膜と、を備え、
前記第2の活性領域は、前記第1の活性領域の前記第2領域との隣接側において平面視で前記第1方向と交わる第2方向に向かって凹む凹形状及び前記凹形状の反対側に凸形状を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記基板上に形成され、前記第1の活性領域の前記第2領域及び前記第2の活性領域を跨ぐ複数のゲート電極を備え、
前記複数のゲート電極の間における前記第1の活性領域の前記第2領域又は前記第2の活性領域は、前記凹形状を有することを特徴とする請求項1から3の何れか一項に記載の半導体装置。 - 前記複数のゲート電極は、複数の駆動トランジスタのゲート電極及び複数の負荷トランジスタのゲート電極を含み、
前記複数の駆動トランジスタの前記ゲート電極の間における前記第1の活性領域の前記第2領域又は前記複数の負荷トランジスタの前記ゲート電極の間における前記第2の活性領域は、前記凹形状を有することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。 - 前記第1の活性領域の前記第2領域上には接地電圧を印加する接地コンタクトが形成され、
前記第2の活性領域上には電源電圧を印加する電源コンタクトが形成されていることを特徴とする請求項1から5の何れか一項に記載の半導体装置。 - 前記第1の活性領域及び前記第2の活性領域に形成されたエピタキシャル層を有することを特徴とする請求項1から6の何れか一項に記載の半導体装置。
- 第1の基板と、前記第1の基板内に形成され、第1の幅の2つの第1領域、2つの前記第1領域の間に位置して前記第1の幅よりも太い第2の幅の第2領域、前記第1の幅と前記第2の幅との差によって形成された段差を持つ前記第1領域及び前記第2領域の境界を有し、第1方向に伸びる第1の活性領域と、前記第1の基板内に形成され、前記第1の活性領域の前記第2領域と並行して伸びる第2の活性領域と、前記第1の基板の溝に酸化膜を埋め込むことによって前記第1の基板に形成され、前記第1の活性領域及び前記第2の活性領域のそれぞれを画定する第1の素子分離絶縁膜と、前記第1の活性領域及び前記第2の活性領域に形成されたエピタキシャル層と、を有する第1の半導体装置と、
第2の基板と、前記第2の基板内に形成され、第3の幅の第3領域及び前記第3の幅よりも太い第4の幅の第4領域を有し、第3方向に伸びる第3の活性領域と、前記第2の基板内に形成され、前記第3の活性領域の前記第3領域と並行して伸びる第4の活性領域と、前記第2の基板の溝に酸化膜を埋め込むことによって前記第2の基板に形成され、前記第3の活性領域及び前記第4の活性領域のそれぞれを画定する第2の素子分離絶縁膜と、を有する第2の半導体装置と、
を備え、
前記第1の活性領域の前記第2領域は、前記第2の活性領域との隣接側であって前記境界を除いた領域において平面視で前記第1方向と交わる第2方向に向かって凹む凹形状を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の活性領域の前記第2領域における前記凹形状の前記第2方向の幅は、前記第2の幅よりも狭いことを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。
- 第1の基板と、前記第1の基板内に形成され、第1の幅の2つの第1領域、2つの前記第1領域の間に位置して前記第1の幅よりも太い第2の幅の第2領域、前記第1の幅と前記第2の幅との差によって形成された段差を持つ前記第1領域及び前記第2領域の境界を有し、第1方向に伸びる第1の活性領域と、前記第1の基板内に形成され、前記第1の活性領域の前記第2領域と並行して伸びる第2の活性領域と、前記第1の基板の溝に酸化膜を埋め込むことによって前記第1の基板に形成され、前記第1の活性領域及び前記第2の活性領域のそれぞれを画定する第1の素子分離絶縁膜と、前記第1の活性領域及び前記第
2の活性領域に形成されたエピタキシャル層と、を有する第1の半導体装置と、
第2の基板と、前記第2の基板内に形成され、第3の幅の第3領域及び前記第3の幅よりも太い第4の幅の第4領域を有し、第3方向に伸びる第3の活性領域と、前記第2の基板内に形成され、前記第3の活性領域の前記第3領域と並行して伸びる第4の活性領域と、前記第2の基板の溝に酸化膜を埋め込むことによって前記第2の基板に形成され、前記第3の活性領域及び前記第4の活性領域のそれぞれを画定する第2の素子分離絶縁膜と、を有する第2の半導体装置と、
を備え、
前記第2の活性領域は、前記第1の活性領域の前記第2領域との隣接側において平面視で前記第1方向と交わる第2方向に向かって凹む凹形状及び前記凹形状の反対側に凸形状を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の基板上に形成され、前記第1の活性領域の前記第2領域及び前記第2の活性領域を跨ぐ複数のゲート電極を備え、
前記複数のゲート電極の間における前記第1の活性領域の前記第2領域又は前記第2の活性領域は、前記凹形状を有することを特徴とする請求項8から10の何れか一項に記載の半導体装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013142535A JP6244699B2 (ja) | 2013-07-08 | 2013-07-08 | 半導体装置 |
US14/313,529 US9748231B2 (en) | 2013-07-08 | 2014-06-24 | Semiconductor device |
KR20140078816A KR20150006348A (ko) | 2013-07-08 | 2014-06-26 | 반도체 장치 |
CN201410307590.2A CN104282681B (zh) | 2013-07-08 | 2014-06-30 | 半导体器件 |
KR1020160175626A KR101762080B1 (ko) | 2013-07-08 | 2016-12-21 | 반도체 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013142535A JP6244699B2 (ja) | 2013-07-08 | 2013-07-08 | 半導体装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015015423A JP2015015423A (ja) | 2015-01-22 |
JP2015015423A5 JP2015015423A5 (ja) | 2016-05-19 |
JP6244699B2 true JP6244699B2 (ja) | 2017-12-13 |
Family
ID=52132213
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013142535A Expired - Fee Related JP6244699B2 (ja) | 2013-07-08 | 2013-07-08 | 半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9748231B2 (ja) |
JP (1) | JP6244699B2 (ja) |
KR (2) | KR20150006348A (ja) |
CN (1) | CN104282681B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101776926B1 (ko) | 2010-09-07 | 2017-09-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
KR102494918B1 (ko) | 2017-09-12 | 2023-02-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 |
KR20210091465A (ko) * | 2020-01-14 | 2021-07-22 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 페이지 버퍼를 구비하는 반도체 메모리 장치 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0390327U (ja) * | 1989-12-26 | 1991-09-13 | ||
JP4029257B2 (ja) * | 2001-02-08 | 2008-01-09 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置、メモリシステムおよび電子機器 |
JP2005197345A (ja) * | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
US7141116B2 (en) * | 2004-09-08 | 2006-11-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing a silicon structure |
JP2007266377A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JP2007294629A (ja) | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2009130167A (ja) | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
KR20090056255A (ko) | 2007-11-30 | 2009-06-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 소자 및 그의 제조 방법 |
US20090189198A1 (en) * | 2008-01-25 | 2009-07-30 | Toshiba America Electronic Components, Inc. | Structures of sram bit cells |
JP2009252825A (ja) | 2008-04-02 | 2009-10-29 | Panasonic Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US8193062B2 (en) * | 2009-09-25 | 2012-06-05 | International Business Machines Corporation | Asymmetric silicon-on-insulator SRAM cell |
JP5576095B2 (ja) * | 2009-11-12 | 2014-08-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | Sram |
JP2011243684A (ja) * | 2010-05-17 | 2011-12-01 | Renesas Electronics Corp | Sram |
JP5605134B2 (ja) | 2010-09-30 | 2014-10-15 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
KR20120101911A (ko) * | 2011-03-07 | 2012-09-17 | 삼성전자주식회사 | 에스램 셀 |
JP5705053B2 (ja) * | 2011-07-26 | 2015-04-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US9076552B2 (en) * | 2013-07-08 | 2015-07-07 | Globalfoundries Inc. | Device including a dual port static random access memory cell and method for the formation thereof |
-
2013
- 2013-07-08 JP JP2013142535A patent/JP6244699B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-06-24 US US14/313,529 patent/US9748231B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-06-26 KR KR20140078816A patent/KR20150006348A/ko active Application Filing
- 2014-06-30 CN CN201410307590.2A patent/CN104282681B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-12-21 KR KR1020160175626A patent/KR101762080B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015015423A (ja) | 2015-01-22 |
KR20150006348A (ko) | 2015-01-16 |
US20150008526A1 (en) | 2015-01-08 |
US9748231B2 (en) | 2017-08-29 |
CN104282681A (zh) | 2015-01-14 |
KR101762080B1 (ko) | 2017-07-26 |
KR20170001945A (ko) | 2017-01-05 |
CN104282681B (zh) | 2019-01-01 |
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