JP6243713B2 - Polishing liquid composition - Google Patents

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本開示は、研磨液組成物、並びにこれを用いた基板の製造方法及び研磨方法に関する。   The present disclosure relates to a polishing liquid composition, a method for manufacturing a substrate using the same, and a polishing method.

近年、磁気ディスクドライブは小型化・大容量化が進み、高記録密度化が求められている。高記録密度化するために、単位記録面積を縮小し、弱くなった磁気信号の検出感度を向上するため、磁気ヘッドの浮上高さをより低くするための技術開発が進められている。磁気ディスク基板には、磁気ヘッドの低浮上化と記録面積の確保に対応するため、表面粗さ、うねり、端面ダレの低減に代表される平滑性・平坦性の向上とスクラッチ、突起、ピット等の低減に代表される欠陥低減に対する要求が厳しくなっている。このような要求に対して、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）鎖やスルホン酸基などの官能基を有する共重合体を含有する研磨液組成物が提案されている（例えば、特許文献１〜３）。   In recent years, magnetic disk drives have been reduced in size and capacity, and high recording density has been demanded. In order to increase the recording density, the unit recording area is reduced, and in order to improve the detection sensitivity of the weakened magnetic signal, technological development for lowering the flying height of the magnetic head has been advanced. For magnetic disk substrates, in order to cope with low flying height of magnetic head and securing recording area, improvement of smoothness and flatness represented by reduction of surface roughness, waviness, end face sagging and scratches, protrusions, pits, etc. Demands for defect reduction represented by reduction of the level are becoming strict. In response to such a demand, a polishing liquid composition containing a copolymer having a functional group such as a polyethylene glycol (PEG) chain or a sulfonic acid group has been proposed (for example, Patent Documents 1 to 3).

特許文献１は、ＰＥＧ鎖を有する構成単位と疎水性モノマーに由来する構成単位とを含む共重合体を含有するガラス基板用研磨液組成物を開示する。また、同文献は、該ガラス基板用研磨液組成物を用いる研磨工程では研磨速度が向上可能であることを開示する。   Patent Document 1 discloses a polishing liquid composition for a glass substrate containing a copolymer containing a structural unit having a PEG chain and a structural unit derived from a hydrophobic monomer. The document also discloses that the polishing rate can be improved in the polishing step using the polishing composition for glass substrate.

特許文献２は、炭化水素鎖を有する構成単位とスルホン酸基を有する構成単位とを有する共重合体を含有する磁気ディスク基板用研磨液組成物を開示する。また、同文献は、該磁気ディスク基板用研磨液組成物を用いる研磨工程では、研磨後の基板表面のスクラッチに加えて、研磨後の基板表面のうねりやナノ突起欠陥を低減できることを開示する。   Patent Document 2 discloses a polishing composition for a magnetic disk substrate containing a copolymer having a structural unit having a hydrocarbon chain and a structural unit having a sulfonic acid group. Further, this document discloses that, in the polishing step using the polishing composition for a magnetic disk substrate, in addition to scratches on the substrate surface after polishing, waviness and nanoprojection defects on the substrate surface after polishing can be reduced.

特許文献３は、スルホン酸基又はカルボン酸基を持つモノマーに由来する構成単位と窒素原子を持つモノマーに由来する構成単位とを有する共重合体を含有する、半導体部品等の研磨液組成物を開示する。   Patent Document 3 discloses a polishing composition for a semiconductor component or the like containing a copolymer having a structural unit derived from a monomer having a sulfonic acid group or a carboxylic acid group and a structural unit derived from a monomer having a nitrogen atom. Disclose.

特開２０１１−３１３２４号公報JP 2011-31324 A 特開２０１０−１７０６４８号公報JP 2010-170648 A 特開２００１−６４６８８号公報JP 2001-64688 A

磁気ディスクドライブの大容量化に伴い、基板の表面品質に対する要求特性はさらに厳しくなっており、基板表面のスクラッチをいっそう低減できる研磨液組成物の開発が求められている。   As the capacity of magnetic disk drives increases, the required characteristics for the surface quality of the substrate become more severe, and the development of a polishing composition that can further reduce the scratch on the surface of the substrate is required.

そこで、本開示は、研磨速度を著しく損なうことなく研磨後の基板表面のスクラッチを低減できる研磨液組成物、並びにこれを用いた磁気ディスク基板の製造方法及び研磨方法を提供する。   Therefore, the present disclosure provides a polishing composition that can reduce scratches on the surface of a substrate after polishing without significantly impairing the polishing rate, and a method for manufacturing a magnetic disk substrate and a polishing method using the same.

本開示は一態様において、シリカ粒子と、共重合体と、水とを含有する研磨液組成物であって、前記共重合体が、下記一般式（I）で表される構成単位と下記一般式（II）で表される構成単位と下記一般式（III）で表される構成単位とを有する共重合体又はその塩であり、前記共重合体を構成する全構成単位中に占める式（II）で表される構成単位のモル比率と式（III）で表される構成単位のモル比率の和が、５５モル％以上である、磁気ディスク基板用研磨液組成物に関する。

Figure 0006243713
[式（Ｉ）、（II）及び（III）中、Ｒ1、Ｒ3及びＲ5はそれぞれ独立して水素原子又はメチル基であり、Ｘ1及びＸ2はそれぞれ独立して酸素原子又はＮＨ基であり、Ｒ2は炭素数８〜１８の炭化水素鎖であり、ｐは０又は１であり、ＡＯは炭素数１以上３以下のオキシアルキレン基であり、ｎはＡＯの平均付加モル数であって１以上３０以下の数であり、Ｒ4は水素原子又は炭素数１以上４以下のアルキル基であり、Ｒ6はスルホン酸基を含む炭化水素基又は−Ｘ3−Ｒ7であり、Ｘ3は−ＣＯＯ−又は−ＣＯＮＨ−であり、Ｒ7はスルホン酸基を含む炭化水素基である。] In one aspect, the present disclosure is a polishing liquid composition containing silica particles, a copolymer, and water, wherein the copolymer includes a structural unit represented by the following general formula (I) and the following general formula: A copolymer having a structural unit represented by the formula (II) and a structural unit represented by the following general formula (III) or a salt thereof, and a formula ( The present invention relates to a polishing liquid composition for a magnetic disk substrate, wherein the sum of the molar ratio of the structural unit represented by II) and the molar ratio of the structural unit represented by formula (III) is 55 mol% or more.
Figure 0006243713
 [In the formulas (I), (II) and (III), R 1 , R 3 and R 5 are each independently a hydrogen atom or a methyl group, and X 1 and X 2 are each independently an oxygen atom or NH R 2 is a hydrocarbon chain having 8 to 18 carbon atoms, p is 0 or 1, AO is an oxyalkylene group having 1 to 3 carbon atoms, and n is the average added mole number of AO. Wherein R 4 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and R 6 is a hydrocarbon group containing a sulfonic acid group or —X 3 —R 7 . , X 3 is —COO— or —CONH—, and R 7 is a hydrocarbon group containing a sulfonic acid group. ]

本開示はその他の態様において、本開示に係る研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び前記被研磨基板の少なくとも一方を動かして研磨する工程を含む、磁気ディスク基板の製造方法に関する。   In another aspect of the present disclosure, the polishing composition according to the present disclosure is supplied to a surface to be polished of a substrate to be polished, the polishing pad is brought into contact with the surface to be polished, and at least one of the polishing pad and the substrate to be polished The present invention relates to a method for manufacturing a magnetic disk substrate, which includes a step of polishing by moving the head.

本開示はその他の態様において、本開示に係る研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び前記被研磨基板の少なくとも一方を動かして研磨することを含む、基板の研磨方法に関する。   In another aspect of the present disclosure, the polishing composition according to the present disclosure is supplied to a surface to be polished of a substrate to be polished, the polishing pad is brought into contact with the surface to be polished, and at least one of the polishing pad and the substrate to be polished The present invention relates to a method for polishing a substrate, which includes moving and polishing.

本開示に係る研磨液組成物によれば、生産性を損なうことなく、研磨後の基板表面のスクラッチが低減された基板、好ましくは磁気ディスク基板、さらに好ましくは垂直磁気記録方式の磁気ディスク基板を製造できるという効果が奏されうる。   According to the polishing composition according to the present disclosure, a substrate, preferably a magnetic disk substrate, more preferably a perpendicular magnetic recording type magnetic disk substrate, with reduced scratches on the surface of the substrate after polishing without impairing productivity. The effect that it can manufacture can be show | played.

本開示は、研磨パッドに吸着するユニットとシリカ粒子に吸着するユニットの双方を備え、さらに水溶性に寄与するユニットを備えるポリマーを含む研磨液組成物を用いると、生産性を損なうことなく研磨後の基板表面のスクラッチを低減できるという知見に基づく。なお、本開示において、「生産性を損なうことなく」とは、一又は複数の実施形態において、本開示の組成物を用いない場合に比して、研磨速度が著しく低減しない範囲で維持されること、又は、研磨速度の著しい低減が抑制されることをいう。   The present disclosure includes both a unit that adsorbs to a polishing pad and a unit that adsorbs to silica particles, and further uses a polishing liquid composition that includes a polymer that includes a unit that contributes to water solubility. This is based on the knowledge that scratches on the substrate surface can be reduced. In the present disclosure, “without impairing productivity” is maintained in a range in which the polishing rate is not significantly reduced in one or more embodiments as compared to the case where the composition of the present disclosure is not used. Or a significant reduction in the polishing rate is suppressed.

すなわち、本開示は、一態様において、シリカ粒子と、共重合体と、水とを含有する研磨液組成物であって、前記共重合体が、前記一般式（I）で表される構成単位と前記一般式（II）で表される構成単位と前記一般式（III）で表される構成単位とを有する共重合体又はその塩（以下、「本開示に係る共重合体」ともいう）である磁気ディスク基板用研磨液組成物（以下、「本開示に係る研磨液組成物」ともいう）に関する。   That is, in one aspect, the present disclosure is a polishing liquid composition containing silica particles, a copolymer, and water, wherein the copolymer is a structural unit represented by the general formula (I). And a copolymer having the structural unit represented by the general formula (II) and the structural unit represented by the general formula (III) or a salt thereof (hereinafter also referred to as “copolymer according to the present disclosure”) Is a polishing liquid composition for a magnetic disk substrate (hereinafter also referred to as “polishing liquid composition according to the present disclosure”).

本開示に係る研磨液組成物により生産性を損なうことなく研磨後の基板表面のスクラッチを低減できるメカニズムの詳細は明らかではないが以下のように推定される。すなわち、本開示に係る共重合体の研磨パッドに吸着するユニットが研磨パッド全面に吸着し、研磨パッドと被研磨基板との摩擦が低減され、スクラッチ数を著しく低減すると考えられる。更にシリカ吸着ユニットにより研磨パッド表面にシリカ砥粒が濃縮・保持されることで、通常より切削移動距離が大きくなり、摩擦を低減しつつも生産性を損なうことなく基板表面のスクラッチが低減されると考えられる。また、水溶性に寄与するユニットを加えることで、フィルターの目詰まりの原因となる共重合体の凝集を抑制しつつ、水溶性を保持でき、生産性の維持とスクラッチの低減がいっそう促進されると推測される。但し、本開示及び本発明はこれらのメカニズムに限定されない。   Although details of the mechanism that can reduce scratches on the surface of the substrate after polishing without impairing productivity by the polishing composition according to the present disclosure are not clear, it is estimated as follows. That is, it is considered that the unit adsorbing to the polishing pad of the copolymer according to the present disclosure adsorbs to the entire surface of the polishing pad, reducing friction between the polishing pad and the substrate to be polished, and significantly reducing the number of scratches. Furthermore, the silica adsorption unit concentrates and holds the silica abrasive grains on the surface of the polishing pad, so that the cutting movement distance becomes longer than usual, and the scratch on the substrate surface is reduced without reducing the productivity while reducing the friction. it is conceivable that. In addition, by adding a unit that contributes to water solubility, it is possible to maintain water solubility while suppressing coagulation of the copolymer that causes clogging of the filter, further promoting maintenance of productivity and reduction of scratches. It is guessed. However, the present disclosure and the present invention are not limited to these mechanisms.

［共重合体の構成単位］
本開示に係る共重合体は、下記一般式（I）で表される構成単位と下記一般式（II）で表される構成単位と下記一般式（III）で表される構成単位とを有する共重合体又はその塩である。また、本開示の共重合体は、一又は複数の実施形態において、ポリスチレン等の重合架橋粒子を含まないことが好ましく、水溶性共重合体であることがより好ましい。ここで言う「水溶性」とは、一又は複数の実施形態において、２０℃、ｐＨ１．５の水１００ｇに対する溶解度が０．１ｇ以上であることをいう。

Figure 0006243713
[式（Ｉ）、（II）及び（III）中、Ｒ1、Ｒ3及びＲ5はそれぞれ独立して水素原子又はメチル基であり、Ｘ1及びＸ2はそれぞれ独立して酸素原子又はＮＨ基であり、Ｒ2は炭素数８以上１８以下の炭化水素鎖であり、ｐは０又は１であり、ＡＯは炭素数１以上３以下のオキシアルキレン基であり、ｎはＡＯの平均付加モル数であって１以上３０以下の数であり、Ｒ4は水素原子又は炭素数１以上４以下のアルキル基であり、Ｒ6はスルホン酸基を含む炭化水素基又は−Ｘ3−Ｒ7であり、Ｘ3は−ＣＯＯ−又は−ＣＯＮＨ−であり、Ｒ7はスルホン酸基を含む炭化水素基である。] [Constitutional unit of copolymer]
The copolymer according to the present disclosure has a structural unit represented by the following general formula (I), a structural unit represented by the following general formula (II), and a structural unit represented by the following general formula (III). It is a copolymer or a salt thereof. In one or a plurality of embodiments, the copolymer of the present disclosure preferably does not contain polymerized crosslinked particles such as polystyrene, and is more preferably a water-soluble copolymer. The term “water-soluble” as used herein means that, in one or a plurality of embodiments, the solubility in 100 g of water at 20 ° C. and pH 1.5 is 0.1 g or more.
Figure 0006243713
 [In the formulas (I), (II) and (III), R 1 , R 3 and R 5 are each independently a hydrogen atom or a methyl group, and X 1 and X 2 are each independently an oxygen atom or NH R 2 is a hydrocarbon chain having 8 to 18 carbon atoms, p is 0 or 1, AO is an oxyalkylene group having 1 to 3 carbon atoms, and n is an average added mole of AO. R 4 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and R 6 is a hydrocarbon group containing a sulfonic acid group or —X 3 —R 7 . X 3 is —COO— or —CONH—, and R 7 is a hydrocarbon group containing a sulfonic acid group. ]

［式（I）の構成単位］
上記一般式（I）の構成単位は、一又は複数の実施形態において、研磨パッドに吸着するユニットである。式（Ｉ）中、Ｘ1は、一又は複数の実施形態において、生産性を損なうことなく研磨後の基板表面のスクラッチを低減する観点から、酸素原子であることが好ましい。Ｒ2の炭化水素鎖の炭素数は、一又は複数の実施形態において、生産性を損なうことなく研磨後の基板表面のスクラッチを低減する観点から、８以上であって、１０以上が好ましく、１２以上がより好ましい。Ｒ2の炭化水素鎖の炭素数は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、１８以下であって、１６以下が好ましく、１４以下がより好ましい。 [Structural unit of formula (I)]
The structural unit of the general formula (I) is a unit that adsorbs to the polishing pad in one or more embodiments. In Formula (I), X 1 is preferably an oxygen atom from the viewpoint of reducing scratches on the substrate surface after polishing without impairing productivity in one or a plurality of embodiments. In one or a plurality of embodiments, the number of carbon atoms in the hydrocarbon chain of R 2 is 8 or more, preferably 10 or more, from the viewpoint of reducing scratches on the substrate surface after polishing without impairing productivity. The above is more preferable. In one or a plurality of embodiments, the number of carbon atoms in the hydrocarbon chain of R 2 is 18 or less, preferably 16 or less, and more preferably 14 or less, from the same viewpoint.

上記一般式（I）の構成単位を与えるモノマーとしては、一又は複数の実施形態において、オクチルアクリレート、オクチルメタクリレート、ノニルアクリレート、ノニルメタクリレート、デシルアクリレート、デシルメタクリレート、ウンデシルアクリレート、ウンデシルメタクリレート、ラウリルアクリレート（ＬＡ）、ラウリルメタクリレート（ＬＭ）、トリデシルアクリレート、トリデシルメタクリレート、ミリスチルアクリレート、ミリスチルメタクリレート、ペンタドデシルアクリレート、ペンタドデシルメタクリレート、セトリアクリレート、セチルメタクリレート、パルミチルアクリレート、パリミチルメタクリレート、ステアリルアクリレート、ステアリルメタクリレート、オレイルアクリレート、オレイルメタクリレート等が挙げられる。   In one or a plurality of embodiments, the monomer that gives the structural unit of the general formula (I) is octyl acrylate, octyl methacrylate, nonyl acrylate, nonyl methacrylate, decyl acrylate, decyl methacrylate, undecyl acrylate, undecyl methacrylate, lauryl. Acrylate (LA), lauryl methacrylate (LM), tridecyl acrylate, tridecyl methacrylate, myristyl acrylate, myristyl methacrylate, pentadodecyl acrylate, pentadodecyl methacrylate, cetri acrylate, cetyl methacrylate, palmityl acrylate, parimityl methacrylate, stearyl acrylate, Stearyl methacrylate, oleyl acrylate, oleyl methacrylate Etc.

本開示に係る共重合体を構成する全構成単位中に占める式（I）で表される構成単位のモル比率は、一又は複数の実施形態において、生産性を損なうことなく研磨後の基板表面のスクラッチを低減する観点から、２０モル％以上が好ましく、より好ましくは２３モル％以上、さらに好ましくは２７モル％以上、さらにより好ましくは３０モル％以上である。本開示に係る共重合体を構成する全構成単位中に占める式（I）で表される構成単位のモル比率は、一又は複数の実施形態において、同様の観点及び共重合体の水溶性を維持する観点から、４５モル％以下が好ましく、より好ましくは４３モル％以下、さらに好ましくは４０モル％以下、さらにより好ましくは３６モル％以下である。   The molar ratio of the structural unit represented by the formula (I) in all the structural units constituting the copolymer according to the present disclosure is the substrate surface after polishing without impairing the productivity in one or a plurality of embodiments. From the viewpoint of reducing the scratch, the amount is preferably 20 mol% or more, more preferably 23 mol% or more, still more preferably 27 mol% or more, and even more preferably 30 mol% or more. The molar ratio of the structural unit represented by the formula (I) in all the structural units constituting the copolymer according to the present disclosure is the same as that in one or a plurality of embodiments, and the water solubility of the copolymer is determined. From the viewpoint of maintenance, it is preferably 45 mol% or less, more preferably 43 mol% or less, still more preferably 40 mol% or less, and even more preferably 36 mol% or less.

［式（II）の構成単位］
上記一般式（II）の構成単位は、一又は複数の実施形態において、シリカ粒子に吸着するユニットである。式（II）中、ＡＯは炭素数１以上３以下のオキシアルキレン基であり、一又は複数の実施形態において、生産性を損なうことなく研磨後の基板表面のスクラッチを低減する観点から、炭素数２のオキシエチレン（ＥＯ）基が好ましい。ｎはＡＯの平均付加モル数であって１以上３０以下の数であり、一又は複数の実施形態において、生産性を損なうことなく研磨後の基板表面のスクラッチを低減する観点から、２５以下が好ましく、２０以下がより好ましく、１５以下がさらに好ましく、１０以下がさらにより好ましく、５以下がさらにより好ましい。ｎは、一又は複数の実施形態において、生産性を損なうことなく研磨後の基板表面のスクラッチを低減する観点から、１以上であって、２以上が好ましい。 [Structural unit of formula (II)]
The structural unit of the general formula (II) is a unit that adsorbs to silica particles in one or a plurality of embodiments. In the formula (II), AO is an oxyalkylene group having 1 to 3 carbon atoms, and in one or a plurality of embodiments, from the viewpoint of reducing scratches on the surface of the substrate after polishing without impairing productivity, Two oxyethylene (EO) groups are preferred. n is an average added mole number of AO and is a number of 1 or more and 30 or less, and in one or a plurality of embodiments, from the viewpoint of reducing scratches on the surface of the substrate after polishing without impairing productivity, 25 or less is Preferably, it is 20 or less, more preferably 15 or less, still more preferably 10 or less, and even more preferably 5 or less. In one or a plurality of embodiments, n is 1 or more and preferably 2 or more from the viewpoint of reducing scratches on the substrate surface after polishing without impairing productivity.

式（II）中、Ｘ2は、一又は複数の実施形態において、生産性を損なうことなく研磨後の基板表面のスクラッチを低減する観点から、酸素原子であることが好ましい。Ｒ3及びＲ4は、一又は複数の実施形態において、生産性を損なうことなく研磨後の基板表面のスクラッチを低減する観点から、水素原子が好ましい。 In formula (II), X 2 is preferably an oxygen atom from the viewpoint of reducing scratches on the substrate surface after polishing without impairing productivity in one or more embodiments. In one or a plurality of embodiments, R 3 and R 4 are preferably hydrogen atoms from the viewpoint of reducing scratches on the substrate surface after polishing without impairing productivity.

上記一般式（II）の構成単位を与えるモノマーとしては、一又は複数の実施形態において、ｐ＝１の場合モノマーとして、ポリエチレングリコールメタクリレート（ＰＥＧＭＡ）、ポリエチレングリコールアクリレート（ＰＥＧＡＡ）、ジエチレングリコールアクリレート（ＤＥＧＡＡ）等が挙げられ、ｐ＝０の場合モノマーとして、ポリエチレングリコールアリルエーテルが挙げられる。   As the monomer that gives the structural unit of the general formula (II), in one or a plurality of embodiments, when p = 1, as the monomer, polyethylene glycol methacrylate (PEGMA), polyethylene glycol acrylate (PEGAA), diethylene glycol acrylate (DEGAA) When p = 0, the monomer includes polyethylene glycol allyl ether.

本開示に係る共重合体を構成する全構成単位中に占める式（II）で表される構成単位のモル比率は、一又は複数の実施形態において、生産性を損なうことなく研磨後の基板表面のスクラッチを低減する観点から、１０モル％以上が好ましく、より好ましくは１５モル％以上、さらに好ましくは２７モル％以上、さらにより好ましくは３０モル％以上である。本開示に係る共重合体を構成する全構成単位中に占める式（II）で表される構成単位のモル比率は、一又は複数の実施形態において、同様の観点及び共重合体の凝集を抑制する観点から、６０モル％以下が好ましく、より好ましくは５２モル％以下、さらに好ましくは４０モル％以下、さらにより好ましくは３６モル％以下である。   The molar ratio of the structural unit represented by the formula (II) in all the structural units constituting the copolymer according to the present disclosure is the substrate surface after polishing without impairing productivity in one or a plurality of embodiments. From the viewpoint of reducing the scratch, the amount is preferably 10 mol% or more, more preferably 15 mol% or more, still more preferably 27 mol% or more, and even more preferably 30 mol% or more. The molar ratio of the structural unit represented by the formula (II) in all the structural units constituting the copolymer according to the present disclosure is the same in one or a plurality of embodiments, and suppresses aggregation of the copolymer. Therefore, it is preferably 60 mol% or less, more preferably 52 mol% or less, still more preferably 40 mol% or less, and even more preferably 36 mol% or less.

［式（III）の構成単位］
上記一般式（III）の構成単位は、一又は複数の実施形態において、水溶性を付与するユニットである。式（III）中、Ｒ6は、一又は複数の実施形態において、生産性を損なうことなく研磨後の基板表面のスクラッチを低減する観点から、スルホン酸基を含む炭化水素基、又は−Ｘ3−Ｒ7であり、Ｘ3は−ＣＯＯ−又は−ＣＯＮＨ−であり、Ｒ7はスルホン酸基を含む炭化水素基であることが好ましい。一又は複数の実施形態において、Ｒ6の炭化水素基の炭素数は、一又は複数の実施形態において、生産性を損なうことなく研磨後の基板表面のスクラッチを低減する観点から、１以上であって、２以上が好ましく、３以上がより好ましい。Ｒ6の炭化水素基の炭素数は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、８以下であって、６以下が好ましく、４以下がより好ましい。Ｒ6は、一又は複数の実施形態において、生産性を損なうことなく研磨後の基板表面のスクラッチを低減する観点から、-CONH-C(CH3)2-CH2-SO3H が好ましい。 [Structural unit of formula (III)]
The structural unit of the general formula (III) is a unit that imparts water solubility in one or more embodiments. In formula (III), in one or a plurality of embodiments, R 6 is a hydrocarbon group containing a sulfonic acid group, or —X 3 from the viewpoint of reducing scratches on the substrate surface after polishing without impairing productivity. is -R 7, X 3 is -COO- or -CONH-, it is preferred that R 7 is a hydrocarbon group containing a sulfonic acid group. In one or a plurality of embodiments, the number of carbon atoms of the hydrocarbon group of R 6 is one or more in one or a plurality of embodiments from the viewpoint of reducing scratches on the substrate surface after polishing without impairing productivity. 2 or more is preferable, and 3 or more is more preferable. In one or a plurality of embodiments, the number of carbon atoms of the hydrocarbon group of R 6 is 8 or less, preferably 6 or less, and more preferably 4 or less from the same viewpoint. In one or a plurality of embodiments, R 6 is preferably —CONH—C (CH 3 ) 2 —CH 2 —SO 3 H from the viewpoint of reducing scratches on the substrate surface after polishing without impairing productivity.

上記一般式（III）の構成単位を与えるモノマーとしては、一又は複数の実施形態において、イソプレンスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸（ＡＭＰＳ）、スチレンスルホン酸、メタリルスルホン酸、ビニルスルホン酸、アリルスルホン酸、イソアミレンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸等が挙げられ、研磨速度維持及びスクラッチ低減及び重合性の観点から、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸及びスチレンスルホン酸が好ましく、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸がより好ましい。   In one or a plurality of embodiments, the monomer giving the structural unit of the general formula (III) may be isoprenesulfonic acid, 2- (meth) acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid (AMPS), styrenesulfonic acid, methallyl. Examples include sulfonic acid, vinyl sulfonic acid, allyl sulfonic acid, isoamylene sulfonic acid, naphthalene sulfonic acid, etc., and 2- (meth) acrylamido-2-methylpropanesulfone from the viewpoint of maintaining polishing speed, reducing scratches and polymerizing properties. Acid and styrene sulfonic acid are preferred, and 2- (meth) acrylamide-2-methylpropane sulfonic acid is more preferred.

本開示に係る共重合体を構成する全構成単位中に占める式（III）で表される構成単位のモル比率は、一又は複数の実施形態において、生産性を損なうことなく研磨後の基板表面のスクラッチを低減する観点から、２０モル％以上が好ましく、より好ましくは２３モル％以上、さらに好ましくは２７モル％以上、さらにより好ましくは３０モル％以上である。本開示に係る共重合体を構成する全構成単位中に占める式（III）で表される構成単位のモル比率は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、４５モル％以下が好ましく、より好ましくは４３モル％以下、さらに好ましくは４０モル％以下、さらにより好ましくは３６モル％以下である。   The molar ratio of the structural unit represented by the formula (III) in all the structural units constituting the copolymer according to the present disclosure is the substrate surface after polishing without impairing the productivity in one or a plurality of embodiments. From the viewpoint of reducing the scratch, the amount is preferably 20 mol% or more, more preferably 23 mol% or more, still more preferably 27 mol% or more, and even more preferably 30 mol% or more. In one or more embodiments, the molar ratio of the structural unit represented by the formula (III) in all the structural units constituting the copolymer according to the present disclosure is preferably 45 mol% or less from the same viewpoint. More preferably, it is 43 mol% or less, More preferably, it is 40 mol% or less, More preferably, it is 36 mol% or less.

なお、本開示において、前記共重合体を構成する全構成単位中に占めるある構成単位の含有量（モル％）として、合成条件によっては、前記共重合体の合成の全工程で反応槽に仕込まれた全構成単位を導入するための化合物中に占める前記反応槽に仕込まれた該構成単位を導入するための化合物量（モル％）を使用してもよい。また、本明細書において、前記共重合体を構成するある２つの構成単位の構成比（モル比）として、合成条件によっては、前記共重合体の合成の全工程で反応槽に仕込まれた該２つの構成単位を導入するための化合物量比（モル比）を使用してもよい。なお、各構成単位の割合は１Ｈ−ＮＭＲやＨＰＬＣにより分析することもできる。   In the present disclosure, the content (mol%) of a certain structural unit occupying in all the structural units constituting the copolymer is charged into the reaction vessel in all steps of the copolymer synthesis depending on the synthesis conditions. The amount of the compound (mol%) for introducing the structural unit charged in the reaction vessel occupied in the compound for introducing all the structural units may be used. Further, in the present specification, as a constituent ratio (molar ratio) of two structural units constituting the copolymer, depending on synthesis conditions, the copolymer charged in the reaction vessel in all steps of the copolymer synthesis. A compound amount ratio (molar ratio) for introducing two structural units may be used. In addition, the ratio of each structural unit can also be analyzed by 1H-NMR or HPLC.

本開示に係る共重合体を構成する全構成単位中に占める式（II）で表される構成単位のモル比率と式（III）で表される構成単位のモル比率の和は、一又は複数の実施形態において、生産性を損なうことなく研磨後の基板表面のスクラッチを低減する観点及び共重合体の水溶性維持の観点から、５５モル％以上であって、好ましくは６０モル％以上、より好ましくは６５モル％以上である。   The sum of the molar ratio of the structural unit represented by the formula (II) and the molar ratio of the structural unit represented by the formula (III) in all the structural units constituting the copolymer according to the present disclosure is one or more. In the embodiment, from the viewpoint of reducing scratches on the substrate surface after polishing without impairing productivity and maintaining water solubility of the copolymer, it is 55 mol% or more, preferably 60 mol% or more, and more. Preferably it is 65 mol% or more.

本開示に係る共重合体は、一又は複数の実施形態において、生産性を損なうことなく研磨後の基板表面のスクラッチを低減する観点から、式（I）で表される構成単位のモル比率と式（II）で表される構成単位のモル比率と式（III）で表される構成単位とのモル比率の割合は、１：１：１又はそれに近い割合であることが好ましい。   In one or a plurality of embodiments, the copolymer according to the present disclosure includes a molar ratio of the structural unit represented by the formula (I) from the viewpoint of reducing scratches on the substrate surface after polishing without impairing productivity. The molar ratio of the structural unit represented by the formula (II) and the structural unit represented by the formula (III) is preferably 1: 1: 1 or a ratio close thereto.

本開示に係る共重合体は、塩の形態であってもよい。塩を形成させるための対イオンは、特に限定されないが、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属イオン、アンモニウムイオン、アルキルアンモニウムイオン等から選ばれる１種以上を用いることができる。   The copolymer according to the present disclosure may be in the form of a salt. Although the counter ion for forming a salt is not specifically limited, 1 or more types chosen from alkali metal ions, such as sodium and potassium, ammonium ion, alkylammonium ion, etc. can be used.

［その他の構成単位］
前記共重合体は、式（III）に含まれないその他の構成単位を有していてもよい。前記共重合体を構成する全構成単位中に占めるその他の構成単位の含有率は、生産性を損なうことなく研磨後の基板表面のスクラッチを低減する観点から、０モル％以上３０モル％以下が好ましく、より好ましくは０モル％以上２０モル％以下、さらに好ましくは０モル％以上１０モル％以下、さらにより好ましくは０モル％以上５モル％以下、さらにより好ましくは実質的に０モル％である。 [Other structural units]
The copolymer may have other structural units not included in the formula (III). From the viewpoint of reducing scratches on the surface of the substrate after polishing without impairing productivity, the content of other structural units in all the structural units constituting the copolymer is 0 mol% or more and 30 mol% or less. Preferably, it is 0 mol% or more and 20 mol% or less, more preferably 0 mol% or more and 10 mol% or less, still more preferably 0 mol% or more and 5 mol% or less, and even more preferably substantially 0 mol%. is there.

［共重合体の重量平均分子量］
前記共重合体の重量平均分子量は、生産性を損なうことなく研磨後の基板表面のスクラッチ及びうねりを低減する観点から、１０００以上１００００００以下が好ましく、より好ましくは１０００以上５００００以下、さらに好ましくは１５００以上４００００以下、さらにより好ましくは３０００以上３００００以下、さらにより好ましくは５０００以上２００００以下、さらにより好ましくは７０００以上２００００以下である。該重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて実施例に記載の条件で測定した値とする。 [Weight average molecular weight of copolymer]
The weight average molecular weight of the copolymer is preferably from 1,000 to 1,000,000, more preferably from 1,000 to 50,000, and even more preferably from the viewpoint of reducing scratches and waviness on the polished substrate surface without impairing productivity. It is 40000 or less, still more preferably 3000 or more and 30000 or less, still more preferably 5000 or more and 20000 or less, and even more preferably 7000 or more and 20000 or less. The weight average molecular weight is a value measured under the conditions described in Examples using gel permeation chromatography (GPC).

［共重合体の含有量］
本開示に係る研磨液組成物における共重合体の含有量は、研磨後の基板表面のスクラッチを低減する観点から、好ましくは３０ｐｐｍ以上５０００ｐｐｍ以下、より好ましくは５０ｐｐｍ以上１５００ｐｐｍ以下、さらに好ましくは１００ｐｐｍ以上７００ｐｐｍ以下、さらにより好ましくは２００ｐｐｍ以上４００ｐｐｍ以下、である。生産性の観点から、好ましくは５０００ｐｐｍ以下、より好ましくは１５００ｐｐｍ以下、さらに好ましくは７００ｐｐｍ以下、さらにより好ましくは４００ｐｐｍ以下、さらにより好ましくは２００ｐｐｍ以下である。なお、本開示において「研磨液組成物中における含有成分の含有量」とは、研磨液組成物を研磨に使用する時点での前記成分の含有量をいう。したがって、本開示に係る研磨液組成物が濃縮物として作製された場合には、前記成分の含有量はその濃縮分だけ高くなりうる。 [Content of copolymer]
The content of the copolymer in the polishing liquid composition according to the present disclosure is preferably 30 ppm to 5000 ppm, more preferably 50 ppm to 1500 ppm, and still more preferably 100 ppm or more from the viewpoint of reducing scratches on the substrate surface after polishing. 700 ppm or less, still more preferably 200 ppm or more and 400 ppm or less. From the viewpoint of productivity, it is preferably 5000 ppm or less, more preferably 1500 ppm or less, still more preferably 700 ppm or less, even more preferably 400 ppm or less, and even more preferably 200 ppm or less. In addition, in this indication, "content of the content component in polishing liquid composition" means content of the said component at the time of using polishing liquid composition for grinding | polishing. Therefore, when the polishing liquid composition according to the present disclosure is prepared as a concentrate, the content of the component can be increased by the concentration.

［シリカ粒子］
本開示に係る研磨液組成物に使用されるシリカ粒子としては、一又は複数の実施形態において、生産性を損なうことなく研磨後の基板表面のスクラッチを低減する観点から、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカが好ましく、コロイダルシリカがより好ましい。 [Silica particles]
In one or a plurality of embodiments, the silica particles used in the polishing composition according to the present disclosure include colloidal silica and fumed silica from the viewpoint of reducing scratches on the substrate surface after polishing without impairing productivity. Is preferred, and colloidal silica is more preferred.

〔シリカ粒子の平均粒径〕
本開示における「研磨材の平均粒径」とは、特に言及しない限り、動的光散乱法において検出角９０°で測定される散乱強度分布に基づく平均粒径をいう（以下、「散乱強度分布に基づく平均粒径」ともいう）。研磨材の平均粒径は、研磨後の基板表面のスクラッチを低減する観点から、１ｎｍ以上４０ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは５ｎｍ以上３７ｎｍ以下、さらに好ましくは１０ｎｍ以上３５ｎｍ以下である。なお、研磨材の平均粒径は、具体的には実施例に記載の方法により求めることができる。 [Average particle diameter of silica particles]
The “average particle diameter of the abrasive” in the present disclosure refers to an average particle diameter based on a scattering intensity distribution measured at a detection angle of 90 ° in the dynamic light scattering method (hereinafter referred to as “scattering intensity distribution” unless otherwise specified). Also referred to as “average particle size based on”). The average particle size of the abrasive is preferably from 1 nm to 40 nm, more preferably from 5 nm to 37 nm, and even more preferably from 10 nm to 35 nm, from the viewpoint of reducing scratches on the substrate surface after polishing. The average particle size of the abrasive can be specifically obtained by the method described in the examples.

本開示に係る研磨液組成物中における研磨材の含有量は、研磨速度を向上させる観点から、０．５質量％以上が好ましく、より好ましくは１質量％以上、さらに好ましくは３質量％以上、さらにより好ましくは４質量％以上である。また、研磨後の基板表面のスクラッチ低減の観点からは、２０質量％以下が好ましく、より好ましくは１５質量％以下、さらに好ましくは１３質量％以下、さらにより好ましくは１０質量％以下である。すなわち、研磨材の含有量は、０．５質量％以上２０質量％以下が好ましく、より好ましくは１質量％以上１５質量％以下、さらに好ましくは３質量％以上１３質量％以下、さらにより好ましくは４質量％以上１０質量％以下である。   The content of the abrasive in the polishing composition according to the present disclosure is preferably 0.5% by mass or more, more preferably 1% by mass or more, further preferably 3% by mass or more, from the viewpoint of improving the polishing rate. Even more preferably, it is 4% by mass or more. Further, from the viewpoint of reducing scratches on the substrate surface after polishing, it is preferably 20% by mass or less, more preferably 15% by mass or less, still more preferably 13% by mass or less, and even more preferably 10% by mass or less. That is, the content of the abrasive is preferably 0.5% by mass or more and 20% by mass or less, more preferably 1% by mass or more and 15% by mass or less, still more preferably 3% by mass or more and 13% by mass or less, and still more preferably. It is 4 mass% or more and 10 mass% or less.

［水］
本開示に係る研磨液組成物中の水は、媒体として使用されるものであり、蒸留水、イオン交換水、超純水等が挙げられる。被研磨基板の表面清浄性の観点からイオン交換水及び超純水が好ましく、超純水がより好ましい。研磨液組成物中の水の含有量は、６０質量％以上９９．４質量％以下が好ましく、より好ましくは７０質量％以上９８．９質量％以下である。また、本開示の効果を阻害しない範囲内でアルコール等の有機溶剤を適宜配合してもよい。 [water]
Water in the polishing composition according to the present disclosure is used as a medium, and examples thereof include distilled water, ion exchange water, and ultrapure water. From the viewpoint of the surface cleanliness of the substrate to be polished, ion exchange water and ultrapure water are preferable, and ultrapure water is more preferable. 60 mass% or more and 99.4 mass% or less are preferable, and, as for content of the water in polishing liquid composition, 70 mass% or more and 98.9 mass% or less are more preferable. Moreover, you may mix | blend organic solvents, such as alcohol, suitably in the range which does not inhibit the effect of this indication.

［酸］
本開示に係る研磨液組成物は、研磨速度向上の観点から、酸を含有することが好ましい。本開示において、酸の使用は、酸及び又はその塩の使用を含む。本開示に係る研磨液組成物に使用される酸としては、硝酸、硫酸、亜硫酸、過硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸、アミド硫酸等の無機酸、２−アミノエチルホスホン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン−１，１，−ジホスホン酸、エタン−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１−ジホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１，２−ジカルボキシ−１，２−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２−ホスホノブタン−１，２−ジカルボン酸、１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸、α−メチルホスホノコハク酸等の有機ホスホン酸、グルタミン酸、ピコリン酸、アスパラギン酸等のアミノカルボン酸、クエン酸、酒石酸、シュウ酸、ニトロ酢酸、マレイン酸、オキサロ酢酸等のカルボン酸等が挙げられる。中でも、基板表面のスクラッチ及びうねり低減の観点、酸化剤の安定性向上及び廃液処理性向上の観点から、無機酸、有機ホスホン酸が好ましい。無機酸の中では、硝酸、硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸が好ましく、リン酸、硫酸がより好ましい。有機ホスホン酸の中では、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）及びそれらの塩が好ましく、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）がより好ましい。 [acid]
The polishing composition according to the present disclosure preferably contains an acid from the viewpoint of improving the polishing rate. In the present disclosure, the use of an acid includes the use of an acid and / or a salt thereof. Examples of the acid used in the polishing liquid composition according to the present disclosure include nitric acid, sulfuric acid, sulfurous acid, persulfuric acid, hydrochloric acid, perchloric acid, phosphoric acid, phosphonic acid, phosphinic acid, pyrophosphoric acid, tripolyphosphoric acid, and amidosulfuric acid. Inorganic acid, 2-aminoethylphosphonic acid, 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid, aminotri (methylenephosphonic acid), ethylenediaminetetra (methylenephosphonic acid), diethylenetriaminepenta (methylenephosphonic acid), ethane-1,1 , -Diphosphonic acid, ethane-1,1,2-triphosphonic acid, ethane-1-hydroxy-1,1-diphosphonic acid, ethane-1-hydroxy-1,1,2-triphosphonic acid, ethane-1,2- Dicarboxy-1,2-diphosphonic acid, methanehydroxyphosphonic acid, 2-phosphonobutane-1,2-dicarboxylic acid , 1-phosphonobutane-2,3,4-tricarboxylic acid, organic phosphonic acid such as α-methylphosphonosuccinic acid, aminocarboxylic acid such as glutamic acid, picolinic acid, aspartic acid, citric acid, tartaric acid, oxalic acid, nitroacetic acid And carboxylic acids such as maleic acid and oxaloacetic acid. Among these, inorganic acids and organic phosphonic acids are preferable from the viewpoint of reducing scratches and undulations on the substrate surface, improving the stability of the oxidizing agent, and improving the waste liquid treatment property. Among inorganic acids, nitric acid, sulfuric acid, hydrochloric acid, perchloric acid, and phosphoric acid are preferable, and phosphoric acid and sulfuric acid are more preferable. Among organic phosphonic acids, 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid, aminotri (methylenephosphonic acid), ethylenediaminetetra (methylenephosphonic acid), diethylenetriaminepenta (methylenephosphonic acid), and salts thereof are preferred. Hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid and aminotri (methylenephosphonic acid) are more preferred.

前記酸は単独で又は２種以上を混合して用いてもよいが、研磨速度の向上及び基板の洗浄性向上の観点から、２種以上を混合して用いることが好ましく、スクラッチ低減、酸化剤の安定性向上及び廃液処理性向上の観点から、リン酸、硫酸、及び１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸からなる群から選択される２種以上の酸を混合して用いることがさらに好ましい。   The acids may be used alone or in admixture of two or more. However, from the viewpoint of improving the polishing rate and improving the cleaning property of the substrate, it is preferable to use a mixture of two or more, reducing scratches, oxidizing agents. From the viewpoint of improving the stability of the liquid and improving the waste liquid treatment, it is further possible to use a mixture of two or more acids selected from the group consisting of phosphoric acid, sulfuric acid, and 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid preferable.

前記酸の塩を用いる場合の塩としては、特に限定はなく、具体的には、金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム等が挙げられる。上記金属の具体例としては、周期律表（長周期型）１Ａ、１Ｂ、２Ａ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、４Ａ、６Ａ、７Ａ又は８族に属する金属が挙げられる。これらの中でも、研磨後の基板表面のスクラッチ低減の観点から１Ａ族に属する金属又はアンモニウムとの塩が好ましい。   The salt in the case of using the acid salt is not particularly limited, and specific examples thereof include metals, ammonium, alkylammonium and the like. Specific examples of the metal include metals belonging to the periodic table (long-period type) 1A, 1B, 2A, 2B, 3A, 3B, 4A, 6A, 7A, or Group 8. Among these, a salt with a metal belonging to Group 1A or ammonium is preferable from the viewpoint of reducing scratches on the substrate surface after polishing.

研磨液組成物中における前記酸及びその塩の含有量は、研磨速度向上、並びに研磨後の基板表面のスクラッチ低減の観点から、０．００１質量％以上５．０質量％以下が好ましく、より好ましくは０．０１質量％以上４．０質量％以下、さらに好ましくは０．０５質量％以上３．０質量％以下、さらにより好ましくは０．１質量％以上２．０質量％以下、さらにより好ましくは０．４質量％以上１．０質量％以下である。   The content of the acid and its salt in the polishing composition is preferably 0.001% by mass or more and 5.0% by mass or less, more preferably from the viewpoint of improving the polishing rate and reducing scratches on the substrate surface after polishing. Is 0.01% by mass or more and 4.0% by mass or less, more preferably 0.05% by mass or more and 3.0% by mass or less, still more preferably 0.1% by mass or more and 2.0% by mass or less, and still more preferably. Is 0.4 mass% or more and 1.0 mass% or less.

［酸化剤］
本開示に係る研磨液組成物は、研磨速度の向上、基板表面のスクラッチ及びうねり低減の観点から、酸化剤を含有することが好ましい。本開示に係る研磨液組成物に使用できる酸化剤としては、過酸化物、過マンガン酸又はその塩、クロム酸又はその塩、ペルオキソ酸又はその塩、酸素酸又はその塩、金属塩類、硝酸類、硫酸類等が挙げられる。 [Oxidant]
The polishing composition according to the present disclosure preferably contains an oxidizer from the viewpoints of improving the polishing rate, scratching the substrate surface, and reducing waviness. Examples of the oxidizing agent that can be used in the polishing composition according to the present disclosure include peroxide, permanganic acid or a salt thereof, chromic acid or a salt thereof, peroxo acid or a salt thereof, oxygen acid or a salt thereof, metal salt, nitric acid And sulfuric acids.

前記過酸化物としては、過酸化水素、過酸化ナトリウム、過酸化バリウム等が挙げられ、過マンガン酸又はその塩としては、過マンガン酸カリウム等が挙げられ、クロム酸又はその塩としては、クロム酸金属塩、重クロム酸金属塩等が挙げられ、ペルオキソ酸又はその塩としては、ペルオキソ二硫酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸金属塩、ペルオキソリン酸、ペルオキソ硫酸、ペルオキソホウ酸ナトリウム、過ギ酸、過酢酸、過安息香酸、過フタル酸等が挙げられ、酸素酸又はその塩としては、次亜塩素酸、次亜臭素酸、次亜ヨウ素酸、塩素酸、臭素酸、ヨウ素酸、次亜塩素酸ナトリウム、次亜塩素酸カルシウム等が挙げられ、金属塩類としては、塩化鉄（ＩＩＩ）、硝酸鉄（ＩＩＩ）、硫酸鉄（ＩＩＩ）、クエン酸鉄（ＩＩＩ）、硫酸アンモニウム鉄（ＩＩＩ）等が挙げられる。   Examples of the peroxide include hydrogen peroxide, sodium peroxide, barium peroxide, etc., examples of the permanganic acid or salt thereof include potassium permanganate, and examples of the chromic acid or salt thereof include chromium. Acid metal salts, metal dichromates, and the like. Peroxoacids or salts thereof include peroxodisulfuric acid, ammonium peroxodisulfate, metal peroxodisulfate, peroxophosphoric acid, peroxosulfuric acid, sodium peroxoborate, and performic acid. Peroxyacetic acid, perbenzoic acid, perphthalic acid, etc., and oxygen acids or salts thereof include hypochlorous acid, hypobromite, hypoiodous acid, chloric acid, bromic acid, iodic acid, hypochlorous acid. Examples include sodium chlorate, calcium hypochlorite, and metal salts include iron (III) chloride, iron (III) nitrate, iron (III) sulfate, and iron citrate. III), ammonium iron (III), and the like.

研磨後の基板表面のスクラッチ及び基板表面うねりの低減の観点から好ましい酸化剤としては、過酸化水素、硝酸鉄（ＩＩＩ）、過酢酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、硫酸鉄（ＩＩＩ）及び硫酸アンモニウム鉄（ＩＩＩ）等が挙げられる。より好ましい酸化剤としては、表面に金属イオンが付着せず汎用に使用され安価であるという観点から過酸化水素が挙げられる。これらの酸化剤は、単独で又は２種以上を混合して使用してもよい。   Preferred oxidizing agents from the viewpoint of reducing scratches on the substrate surface after polishing and substrate surface waviness include hydrogen peroxide, iron (III) nitrate, peracetic acid, ammonium peroxodisulfate, iron (III) sulfate, and iron iron (III) ammonium sulfate. Etc. As a more preferable oxidizing agent, hydrogen peroxide is mentioned from the viewpoint that metal ions do not adhere to the surface and are generally used and inexpensive. These oxidizing agents may be used alone or in admixture of two or more.

研磨液組成物中における前記酸化剤の含有量は、研磨速度向上の観点から、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．０５質量％以上、さらに好ましくは０．１質量％以上であり、研磨後の基板表面のスクラッチ及び基板表面うねりの低減の観点から、好ましくは４質量％以下、より好ましくは２質量％以下、さらに好ましくは１質量％以下である。従って、表面品質を保ちつつ研磨速度を向上させるためには、上記含有量は、好ましくは０．０１質量％以上４質量％以下、より好ましくは０．０５質量％以上２質量％以下、さらに好ましくは０．１質量％以上１質量％以下である。   The content of the oxidizing agent in the polishing liquid composition is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.05% by mass or more, and further preferably 0.1% by mass or more from the viewpoint of improving the polishing rate. Yes, from the viewpoint of reducing scratches on the substrate surface after polishing and substrate surface waviness, it is preferably 4% by mass or less, more preferably 2% by mass or less, and further preferably 1% by mass or less. Therefore, in order to improve the polishing rate while maintaining the surface quality, the content is preferably 0.01% by mass to 4% by mass, more preferably 0.05% by mass to 2% by mass, and still more preferably. Is 0.1 mass% or more and 1 mass% or less.

［その他の成分］
本開示に係る研磨液組成物には、必要に応じて他の成分を配合することができる。他の成分としては、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、界面活性剤等が挙げられる。研磨液組成物中のこれら他の任意成分の含有量は、０質量％以上１０質量％以下が好ましく、より好ましくは０質量％以上５質量％以下である。但し、本開示に係る研磨液組成物は、他の成分、とりわけ界面活性剤を含むことなく、基板表面のスクラッチ及びうねりの低減効果を発揮し得る。さらに、本開示に係る研磨液組成物は、アルミナ砥粒を含ませることができ、最終研磨工程より前の粗研磨工程に使用することもできる。 [Other ingredients]
In the polishing composition according to the present disclosure, other components can be blended as necessary. Examples of other components include a thickener, a dispersant, a rust inhibitor, a basic substance, and a surfactant. The content of these other optional components in the polishing liquid composition is preferably 0% by mass or more and 10% by mass or less, and more preferably 0% by mass or more and 5% by mass or less. However, the polishing liquid composition according to the present disclosure can exhibit the effect of reducing scratches and waviness on the substrate surface without containing other components, particularly surfactants. Furthermore, the polishing composition according to the present disclosure can contain alumina abrasive grains, and can also be used in a rough polishing step prior to the final polishing step.

［研磨液組成物のｐＨ］
本開示に係る研磨液組成物のｐＨは、研磨速度向上の観点から、４．０以下が好ましく、より好ましくは３．５以下、さらに好ましくは３．０以下、さらにより好ましくは２．５以下である。また、表面粗さ低減の観点から、０．５以上が好ましく、より好ましくは０．８以上、さらに好ましくは１．０以上、さらにより好ましくは１．２以上である。したがって、研磨液組成物のｐＨは、好ましくは０．５以上４．０以下、より好ましくは０．８以上３．５以下、さらに好ましくは１．０以上３．０以下、さらにより好ましくは１．２以上２．５以下である。 [PH of polishing composition]
The pH of the polishing composition according to the present disclosure is preferably 4.0 or less, more preferably 3.5 or less, still more preferably 3.0 or less, and even more preferably 2.5 or less, from the viewpoint of improving the polishing rate. It is. Moreover, 0.5 or more is preferable from a viewpoint of surface roughness reduction, More preferably, it is 0.8 or more, More preferably, it is 1.0 or more, More preferably, it is 1.2 or more. Therefore, the pH of the polishing composition is preferably 0.5 or more and 4.0 or less, more preferably 0.8 or more and 3.5 or less, still more preferably 1.0 or more and 3.0 or less, and even more preferably 1. .2 or more and 2.5 or less.

［研磨液組成物の調製方法］
本開示に係る研磨液組成物は、例えば、水と、シリカ粒子と、共重合体と、さらに所望により、酸及び／又はその塩と、酸化剤と、他の成分とを公知の方法で混合することにより調製できる。この際、シリカ粒子は、濃縮されたスラリーの状態で混合されてもよいし、水等で希釈してから混合されてもよい。本開示に係る研磨液組成物中における各成分の含有量や濃度は、上述した範囲であるが、その他の態様として、本開示に係る研磨液組成物を濃縮物として調製してもよい。 [Method for preparing polishing liquid composition]
The polishing composition according to the present disclosure includes, for example, water, silica particles, a copolymer, and, if desired, an acid and / or a salt thereof, an oxidizing agent, and other components mixed by a known method. Can be prepared. At this time, the silica particles may be mixed in a concentrated slurry state, or may be mixed after being diluted with water or the like. The content and concentration of each component in the polishing liquid composition according to the present disclosure are in the above-described ranges, but as another aspect, the polishing liquid composition according to the present disclosure may be prepared as a concentrate.

［基板の製造方法］
本開示は、その他の態様として、基板の製造方法（以下、「本開示の製造方法」ともいう。）に関する。本開示の製造方法は、上述した研磨液組成物を研磨パッドに接触させながら被研磨基板を研磨する工程（以下、「本開示に係る研磨液組成物を用いた研磨工程」ともいう。）を含む基板の製造方法である。これにより、研磨後の基板表面のスクラッチに加えて、研磨後の基板表面うねりが低減された基板を提供できる。本開示の製造方法は、磁気ディスク基板の製造方法に適しており、とりわけ、垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造方法に適している。よって、本開示の製造方法は、その他の態様として、本開示に係る研磨液組成物を用いた研磨工程を含む基板の製造方法であり、好ましくは磁気ディスク基板の製造方法であり、より好ましくは垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造方法である。 [Substrate manufacturing method]
As another aspect, the present disclosure relates to a substrate manufacturing method (hereinafter, also referred to as “the manufacturing method of the present disclosure”). The manufacturing method according to the present disclosure includes a step of polishing the substrate to be polished while bringing the above-described polishing liquid composition into contact with the polishing pad (hereinafter, also referred to as “polishing step using the polishing liquid composition according to the present disclosure”). The manufacturing method of the board | substrate containing. Thereby, in addition to scratches on the substrate surface after polishing, it is possible to provide a substrate in which waviness on the substrate surface after polishing is reduced. The manufacturing method of the present disclosure is suitable for a method of manufacturing a magnetic disk substrate, and particularly suitable for a method of manufacturing a magnetic disk substrate for a perpendicular magnetic recording system. Therefore, as another aspect, the manufacturing method of the present disclosure is a method of manufacturing a substrate including a polishing step using the polishing composition according to the present disclosure, preferably a method of manufacturing a magnetic disk substrate, more preferably This is a method of manufacturing a magnetic disk substrate for perpendicular magnetic recording.

本開示に係る研磨液組成物を用いた研磨工程は、一又は複数の実施形態において、本開示に係る研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び前記被研磨基板の少なくとも一方を動かして研磨する工程であり、或いは、不織布状の有機高分子系研磨布等の研磨パッドを貼り付けた定盤で被研磨基板を挟み込み、本開示に係る研磨液組成物を研磨機に供給しながら、定盤や被研磨基板を動かして被研磨基板を研磨する工程である。   In one or a plurality of embodiments, the polishing step using the polishing liquid composition according to the present disclosure is performed by supplying the polishing liquid composition according to the present disclosure to the surface to be polished of the substrate to be polished, and polishing pad on the surface to be polished And polishing the substrate by moving at least one of the polishing pad and the substrate to be polished, or the substrate to be polished with a surface plate to which a polishing pad such as a non-woven organic polymer polishing cloth is attached. The step of polishing the substrate to be polished by moving the surface plate or the substrate to be polished while sandwiching and supplying the polishing composition according to the present disclosure to the polishing machine.

被研磨基板の研磨工程が多段階で行われる場合は、本開示に係る研磨液組成物を用いた研磨工程は２段階目以降に行われるのが好ましく、最終研磨工程又は仕上げ研磨工程で行われるのがより好ましい。その際、前工程の研磨材や研磨液組成物の混入を避けるために、それぞれ別の研磨機を使用してもよく、またそれぞれ別の研磨機を使用した場合では、研磨工程毎に被研磨基板を洗浄することが好ましい。また使用した研磨液を再利用する循環研磨においても、本開示に係る研磨液組成物は使用できる。なお、研磨機としては、特に限定されず、基板研磨用の公知の研磨機が使用できる。   When the polishing process of the substrate to be polished is performed in multiple stages, the polishing process using the polishing composition according to the present disclosure is preferably performed in the second stage or later, and is performed in the final polishing process or the final polishing process. Is more preferable. At that time, in order to avoid mixing of the polishing material and polishing liquid composition in the previous process, different polishing machines may be used, and in the case of using different polishing machines, polishing is performed for each polishing process. It is preferable to clean the substrate. In addition, the polishing composition according to the present disclosure can also be used in cyclic polishing in which the used polishing liquid is reused. The polishing machine is not particularly limited, and a known polishing machine for substrate polishing can be used.

［研磨パッド］
本開示で使用される研磨パッドとしては、特に制限はなく、スエードタイプ、不織布タイプ、ポリウレタン独立発泡タイプ、又はこれらを積層した二層タイプ等の研磨パッドを使用することができるが、研磨速度の観点から、スエードタイプの研磨パッドが好ましい。 [Polishing pad]
The polishing pad used in the present disclosure is not particularly limited, and a suede type, a nonwoven fabric type, a polyurethane closed-cell foam type, or a two-layer type laminated with these can be used. From the viewpoint, a suede type polishing pad is preferable.

研磨パッドの表面部材の平均開孔径は、スクラッチ低減及びパッド寿命の観点から、５０μｍ以下が好ましく、より好ましくは４５μｍ以下、さらに好ましくは４０μｍ以下、さらにより好ましくは３５μｍ以下である。パッドの研磨液保持性の観点から、開孔で研磨液を保持し液切れを起こさないようにするために、平均開孔径は０．０１μｍ以上が好ましく、より好ましくは０．１μｍ以上、さらに好ましくは１μｍ以上、さらにより好ましくは５μｍ以上、さらにより好ましくは１０μｍ以上である。また、研磨パッドの開孔径の最大値は、研磨速度維持の観点から、１００μｍ以下が好ましく、より好ましくは７０μｍ以下、さらに好ましくは６０μｍ以下、特に好ましくは５０μｍ以下である。   The average hole diameter of the surface member of the polishing pad is preferably 50 μm or less, more preferably 45 μm or less, still more preferably 40 μm or less, and even more preferably 35 μm or less, from the viewpoint of scratch reduction and pad life. From the viewpoint of holding the polishing liquid of the pad, the average opening diameter is preferably 0.01 μm or more, more preferably 0.1 μm or more, and still more preferably in order to keep the polishing liquid in the opening and prevent the liquid from running out. Is 1 μm or more, more preferably 5 μm or more, and even more preferably 10 μm or more. Further, the maximum value of the opening diameter of the polishing pad is preferably 100 μm or less, more preferably 70 μm or less, further preferably 60 μm or less, and particularly preferably 50 μm or less from the viewpoint of maintaining the polishing rate.

［研磨荷重］
本開示に係る研磨液組成物を用いた研磨工程における研磨荷重は、好ましくは５．９ｋＰａ以上、より好ましくは６．９ｋＰａ以上、さらに好ましくは７．５ｋＰａ以上である。これにより、研磨速度の低下を抑制できるため、生産性の向上が可能となる。なお、本開示の製造方法において研磨荷重とは、研磨時に被研磨基板の研磨面に加えられる定盤の圧力をいう。また、本開示に係る研磨液組成物を用いた研磨工程は、研磨荷重は２０ｋＰａ以下が好ましく、より好ましくは１８ｋＰａ以下、さらに好ましくは１６ｋＰａ以下であり、さらにより好ましくは１２ｋＰａ以下である。これにより、スクラッチの発生を抑制することができる。したがって、本開示に係る研磨液組成物を用いた研磨工程において研磨圧力は５．９ｋＰａ以上２０ｋＰａ以下が好ましく、６．９ｋＰａ以上１８ｋＰａ以下がより好ましく、７．５ｋＰａ以上１６ｋＰａ以下がさらに好ましい。研磨荷重の調整は、定盤及び被研磨基板のうち少なくとも一方に空気圧や重りを負荷することにより行うことができる。 [Polishing load]
The polishing load in the polishing step using the polishing composition according to the present disclosure is preferably 5.9 kPa or more, more preferably 6.9 kPa or more, and further preferably 7.5 kPa or more. Thereby, since the fall of a grinding | polishing speed | rate can be suppressed, productivity can be improved. In the manufacturing method of the present disclosure, the polishing load refers to the pressure of the surface plate applied to the polishing surface of the substrate to be polished during polishing. In the polishing step using the polishing composition according to the present disclosure, the polishing load is preferably 20 kPa or less, more preferably 18 kPa or less, still more preferably 16 kPa or less, and even more preferably 12 kPa or less. Thereby, generation | occurrence | production of a scratch can be suppressed. Therefore, in the polishing process using the polishing liquid composition according to the present disclosure, the polishing pressure is preferably 5.9 kPa to 20 kPa, more preferably 6.9 kPa to 18 kPa, and even more preferably 7.5 kPa to 16 kPa. The polishing load can be adjusted by applying air pressure or weight to at least one of the surface plate and the substrate to be polished.

［研磨液組成物の供給］
本開示に係る研磨液組成物を用いた研磨工程における本開示に係る研磨液組成物の供給速度は、スクラッチ低減の観点から、被研磨基板１ｃｍ2当たり、好ましくは０．０５ｍＬ／分以上１５ｍＬ／分以下であり、より好ましくは０．０６ｍＬ／分以上１０ｍＬ／分以下、さらに好ましくは０．０７ｍＬ／分以上１ｍＬ／分以下、さらにより好ましくは０．０７ｍＬ／分以上０．５ｍＬ／分以下である。 [Supply of polishing liquid composition]
The supply rate of the polishing composition according to the present disclosure in the polishing step using the polishing composition according to the present disclosure is preferably 0.05 mL / min or more and 15 mL / min per 1 cm 2 of the substrate to be polished from the viewpoint of reducing scratches. Min. Or less, more preferably 0.06 mL / min to 10 mL / min, even more preferably 0.07 mL / min to 1 mL / min, even more preferably 0.07 mL / min to 0.5 mL / min. is there.

本開示に係る研磨液組成物を研磨機へ供給する方法としては、例えばポンプ等を用いて連続的に供給を行う方法が挙げられる。研磨液組成物を研磨機へ供給する際は、全ての成分を含んだ１液で供給する方法の他、研磨液組成物の安定性等を考慮して、複数の配合用成分液に分け、２液以上で供給することもできる。後者の場合、例えば供給配管中又は被研磨基板上で、上記複数の配合用成分液が混合され、本開示に係る研磨液組成物となる。   As a method of supplying the polishing composition according to the present disclosure to a polishing machine, for example, a method of continuously supplying using a pump or the like can be mentioned. When supplying the polishing composition to the polishing machine, in addition to the method of supplying one component containing all the components, considering the stability of the polishing composition, etc., it is divided into a plurality of compounding component liquids, Two or more liquids can be supplied. In the latter case, for example, the plurality of compounding component liquids are mixed in the supply pipe or on the substrate to be polished to obtain the polishing liquid composition according to the present disclosure.

［被研磨基板］
本開示において好適に使用される被研磨基板の材質としては、例えばシリコン、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅、タンタル、チタン等の金属若しくは半金属、又はこれらの合金や、ガラス、ガラス状カーボン、アモルファスカーボン等のガラス状物質や、アルミナ、二酸化珪素、窒化珪素、窒化タンタル、炭化チタン等のセラミック材料や、ポリイミド樹脂等の樹脂等が挙げられる。中でも、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅等の金属や、これらの金属を主成分とする合金を含有する被研磨基板、ガラス基板が好適である。中でも、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板や、アルミノシリケートガラス基板が適しており、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板がさらに適している。アルミノシリケートガラス基板には、結晶構造を有しているもの、化学強化処理を施したものが含まれる。化学強化処理は研磨後に行ってもよい。 [Polished substrate]
Examples of the material of the substrate to be polished preferably used in the present disclosure include metals, metalloids such as silicon, aluminum, nickel, tungsten, copper, tantalum, and titanium, or alloys thereof, glass, glassy carbon, and amorphous. Examples thereof include glassy substances such as carbon, ceramic materials such as alumina, silicon dioxide, silicon nitride, tantalum nitride, and titanium carbide, and resins such as polyimide resin. Among them, a polished substrate or a glass substrate containing a metal such as aluminum, nickel, tungsten, or copper, or an alloy containing these metals as a main component is preferable. Among them, a Ni—P plated aluminum alloy substrate or an aluminosilicate glass substrate is suitable, and a Ni—P plated aluminum alloy substrate is more suitable. Aluminosilicate glass substrates include those having a crystal structure and those subjected to chemical strengthening treatment. You may perform a chemical strengthening process after grinding | polishing.

上記被研磨基板の形状には特に制限はなく、例えば、ディスク状、プレート状、スラブ状、プリズム状等の平面部を有する形状や、レンズ等の曲面部を有する形状であればよい。中でも、ディスク状の被研磨基板が適している。ディスク状の被研磨基板の場合、その外径は例えば２ｍｍ以上９５ｍｍ以下程度であり、その厚みは例えば０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下程度である。   There is no restriction | limiting in particular in the shape of the said to-be-polished substrate, For example, what is necessary is just the shape which has planar parts, such as a disk shape, plate shape, slab shape, prism shape, and the shape which has curved surface parts, such as a lens. Of these, a disk-shaped substrate to be polished is suitable. In the case of a disk-shaped substrate to be polished, the outer diameter is, for example, about 2 mm to 95 mm, and the thickness is, for example, about 0.5 mm to 2 mm.

また、本開示によれば、研磨後の基板表面のスクラッチに加えて、研磨後の基板表面のうねりが低減された基板を提供できるため、高度の表面平滑性が要求される磁気ディスク基板、とりわけ垂直磁気記録方式の磁気ディスク基板の研磨に好適に用いることができる。   Further, according to the present disclosure, in addition to scratching of the substrate surface after polishing, a substrate with reduced waviness of the substrate surface after polishing can be provided, so that a magnetic disk substrate that requires high surface smoothness, especially It can be suitably used for polishing a perpendicular magnetic recording type magnetic disk substrate.

［研磨方法］
本開示は、その他の態様として、本開示に係る研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨することを含む被研磨基板の研磨方法に関する。本開示の研磨方法を使用することにより、研磨後の基板表面のスクラッチに加えて、研磨後の基板表面のうねりが低減された基板が提供される。本開示の研磨方法における前記被研磨基板としては、上述のとおり、磁気ディスク基板の製造に使用されるものが挙げられ、なかでも、垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造に用いる基板が好ましい。なお、具体的な研磨の方法及び条件は、上述のとおりとすることができる。 [Polishing method]
As another aspect, the present disclosure relates to a method for polishing a substrate to be polished, which includes polishing the substrate to be polished using the polishing composition according to the present disclosure. By using the polishing method of the present disclosure, in addition to scratching of the substrate surface after polishing, a substrate with reduced waviness of the substrate surface after polishing is provided. Examples of the substrate to be polished in the polishing method of the present disclosure include those used for manufacturing a magnetic disk substrate as described above, and among them, a substrate used for manufacturing a magnetic disk substrate for a perpendicular magnetic recording system is preferable. The specific polishing method and conditions can be as described above.

本開示に係る研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨することは、一又は複数の実施形態において、本開示に係る研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び前記被研磨基板の少なくとも一方を動かして研磨することであり、或いは、不織布状の有機高分子系研磨布等の研磨パッドを貼り付けた定盤で被研磨基板を挟み込み、本開示に係る研磨液組成物を研磨機に供給しながら、定盤や被研磨基板を動かして被研磨基板を研磨することである。   Polishing a substrate to be polished using the polishing liquid composition according to the present disclosure includes supplying the polishing liquid composition according to the present disclosure to a surface to be polished of the substrate to be polished in one or a plurality of embodiments, and polishing the polishing substrate. A surface plate in which a polishing pad is brought into contact with a target surface and polishing is performed by moving at least one of the polishing pad and the substrate to be polished, or a polishing pad such as a non-woven organic polymer polishing cloth is attached. In this case, the substrate to be polished is sandwiched and the surface plate or the substrate to be polished is moved to polish the substrate to be polished while supplying the polishing composition according to the present disclosure to the polishing machine.

上述した実施形態に関し、本開示はさらに以下の一又は複数の実施形態にかかる組成物、製造方法、或いは用途を開示する。   Regarding the above-described embodiment, the present disclosure further discloses a composition, a production method, or an application according to one or more of the following embodiments.

＜１＞ シリカ粒子と、共重合体と、水とを含有する研磨液組成物であって、
前記共重合体が、下記一般式（I）で表される構成単位と下記一般式（II）で表される構成単位と下記一般式（III）で表される構成単位を有する共重合体又はその塩であり、前記共重合体を構成する全構成単位中に占める式（II）で表される構成単位のモル比率と式（III）で表される構成単位のモル比率の和が、５５モル％以上、好ましくは６０モル％以上、より好ましくは６５モル％以上である、磁気ディスク基板用研磨液組成物。

Figure 0006243713
[式（Ｉ）、（II）及び（III）中、Ｒ1、Ｒ3及びＲ5はそれぞれ独立して水素原子又はメチル基であり、Ｘ1及びＸ2はそれぞれ独立して酸素原子又はＮＨ基であり、Ｒ2は炭素数８以上１８以下の炭化水素鎖であり、ｐは０又は１であり、ＡＯは炭素数１以上３以下のオキシアルキレン基であり、ｎはＡＯの平均付加モル数であって１以上３０以下の数であり、Ｒ4は水素原子又は炭素数１以上４以下のアルキル基であり、Ｒ6はスルホン酸基を含む炭化水素基又は−Ｘ3−Ｒ7であり、Ｘ3は−ＣＯＯ−又は−ＣＯＮＨ−であり、Ｒ7はスルホン酸基を含む炭化水素基である。] <1> A polishing composition comprising silica particles, a copolymer, and water,
The copolymer has a structural unit represented by the following general formula (I), a structural unit represented by the following general formula (II), and a structural unit represented by the following general formula (III) or The sum of the molar ratio of the structural unit represented by the formula (II) and the molar ratio of the structural unit represented by the formula (III) occupying all the structural units constituting the copolymer is 55. A polishing composition for a magnetic disk substrate, comprising at least mol%, preferably at least 60 mol%, more preferably at least 65 mol%.
Figure 0006243713
 [In the formulas (I), (II) and (III), R 1 , R 3 and R 5 are each independently a hydrogen atom or a methyl group, and X 1 and X 2 are each independently an oxygen atom or NH R 2 is a hydrocarbon chain having 8 to 18 carbon atoms, p is 0 or 1, AO is an oxyalkylene group having 1 to 3 carbon atoms, and n is an average added mole of AO. R 4 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and R 6 is a hydrocarbon group containing a sulfonic acid group or —X 3 —R 7 . X 3 is —COO— or —CONH—, and R 7 is a hydrocarbon group containing a sulfonic acid group. ]

＜２＞ 前記共重合体の重量平均分子量が、好ましくは１０００以上１００００００以下、より好ましくは１０００以上５００００以下、さらに好ましくは１５００以上４００００以下、さらにより好ましくは３０００以上３００００以下、さらにより好ましくは５０００以上２００００以下、さらにより好ましくは７０００以上２００００以下である、＜１＞記載の磁気ディスク基板用研磨液組成物。
＜３＞ 前記共重合体を構成する全構成単位中に占める式（II）で表される構成単位のモル比率が好ましくは６０モル％以下、より好ましくは５２モル％以下、さらに好ましくは４０モル％以下、さらにより好ましくは３６モル％以下であり、また、好ましくは１０モル％以上、より好ましくは１５モル％以上、さらに好ましくは２７モル％以上、さらにより好ましくは３０モル％以上であり、ｐが１であり、Ｘ2が酸素原子であり、ＡＯがオキシエチレン基であり、平均付加モル数ｎが好ましくは１以上、より好ましくは２以上であり、好ましくは２５以下、より好ましくは２０以下、さらに好ましくは１５以下、さらにより好ましくは１０以下、さらにより好ましくは５以下である、＜１＞又は＜２＞に記載の磁気ディスク基板用研磨液組成物。
＜４＞ 前記共重合体を構成する全構成単位中に占める式（I）及び式（III）で表される構成単位のモル比率が、それぞれ独立して、好ましくは２０モル％以上、より好ましくは２３モル％以上、さらに好ましくは２７モル％以上、さらにより好ましくは３０モル％以上であり、好ましくは４５モル％以下、より好ましくは４３モル％以下、さらに好ましくは４０モル％以下、さらにより好ましくは３６モル％以下である、＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板用研磨液組成物。
＜５＞ さらに、酸、及び酸化剤を含有する、＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板用研磨液組成物。
＜６＞ ｐＨが、好ましくは０．５以上４．０以下、より好ましくは０．８以上３．５以下、さらに好ましくは１．０以上３．０以下、さらにより好ましくは１．２以上２．５以下である、＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板用研磨液組成物。
＜７＞ 磁気ディスク基板がＮｉ―Ｐ含有層を有するアルミナ基板である、＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板用研磨液組成物。
＜８＞ ＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び前記被研磨基板の少なくとも一方を動かして研磨する工程を含む、磁気ディスク基板の製造方法。
＜９＞ ＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び前記被研磨基板の少なくとも一方を動かして研磨することを含む、基板の研磨方法。 <2> The weight average molecular weight of the copolymer is preferably 1000 or more and 1000000 or less, more preferably 1000 or more and 50000 or less, further preferably 1500 or more and 40000 or less, still more preferably 3000 or more and 30000 or less, and even more preferably 5000. The polishing composition for a magnetic disk substrate according to <1>, which is 20,000 or more and 20,000 or less, more preferably 7,000 or more and 20,000 or less.
<3> The molar ratio of the structural unit represented by the formula (II) in all the structural units constituting the copolymer is preferably 60 mol% or less, more preferably 52 mol% or less, and still more preferably 40 mol. % Or less, still more preferably 36 mol% or less, and preferably 10 mol% or more, more preferably 15 mol% or more, still more preferably 27 mol% or more, even more preferably 30 mol% or more, p is 1, X 2 is an oxygen atom, AO is an oxyethylene group, and the average added mole number n is preferably 1 or more, more preferably 2 or more, preferably 25 or less, more preferably 20 Or less, more preferably 15 or less, even more preferably 10 or less, and even more preferably 5 or less, the magnetic disk substrate polishing liquid set according to <1> or <2> Thing.
<4> The molar ratios of the structural units represented by the formula (I) and the formula (III) in all the structural units constituting the copolymer are each independently, preferably 20 mol% or more, more preferably Is at least 23 mol%, more preferably at least 27 mol%, even more preferably at least 30 mol%, preferably at most 45 mol%, more preferably at most 43 mol%, even more preferably at most 40 mol%, even more. The polishing composition for a magnetic disk substrate according to any one of <1> to <3>, preferably 36 mol% or less.
<5> The polishing composition for a magnetic disk substrate according to any one of <1> to <4>, further comprising an acid and an oxidizing agent.
<6> The pH is preferably 0.5 or more and 4.0 or less, more preferably 0.8 or more and 3.5 or less, further preferably 1.0 or more and 3.0 or less, and still more preferably 1.2 or more and 2 or less. The polishing composition for a magnetic disk substrate according to any one of <1> to <5>, which is .5 or less.
<7> The polishing composition for a magnetic disk substrate according to any one of <1> to <6>, wherein the magnetic disk substrate is an alumina substrate having a Ni—P-containing layer.
<8> The polishing composition according to any one of <1> to <7> is supplied to a surface to be polished of a substrate to be polished, a polishing pad is brought into contact with the surface to be polished, and the polishing pad and the object to be polished A method for manufacturing a magnetic disk substrate, comprising a step of polishing by moving at least one of the substrates.
<9> The polishing composition according to any one of <1> to <7> is supplied to a surface to be polished of a substrate to be polished, a polishing pad is brought into contact with the surface to be polished, and the polishing pad and the object to be polished A method for polishing a substrate, comprising polishing by moving at least one of the substrates.

［実施例１〜１２、参考例１及び比較例１〜１１］
実施例１〜１２、参考例１及び比較例１〜１１の研磨液組成物を調製して被研磨基板の研磨を行い、純水で洗浄して評価用基板とした。各研磨液組成物の分散性、研磨速度、及び、該評価用基板の表面のスクラッチ数を評価した。使用した共重合体、研磨液組成物の調製方法、各パラメーターの測定方法、研磨条件（研磨方法）及び評価方法は以下のとおりである。 [Examples 1 to 12, Reference Example 1 and Comparative Examples 1 to 11]
The polishing liquid compositions of Examples 1 to 12, Reference Example 1 and Comparative Examples 1 to 11 were prepared to polish the substrate to be polished, and washed with pure water to obtain a substrate for evaluation. The dispersibility of each polishing liquid composition, the polishing rate, and the number of scratches on the surface of the evaluation substrate were evaluated. The copolymer used, the method for preparing the polishing composition, the method for measuring each parameter, the polishing conditions (polishing method) and the evaluation method are as follows.

１．共重合体ＡからＴの準備
共重合体ＡからＴ（表１）を以下のように調製又は購入した。準備された各共重合体について、水溶性の評価及び重量平均分子量の測定を行った。その結果を表１に示す。
［共重合体Ａの調製］
まず、５００ｍＬの四つ口フラスコ内に、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）２３５ｇ（和光純薬工業社製）、ラウリルアクリレート２３ｇ（和光純薬工業社製）、ジエチレングリコールアクリレート１５ｇ（商品名「ＡＥ−９０」、日油社製）、及び２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸２０ｇ（和光純薬工業社製）を投入し、混合液を得た。そして、フラスコ内の混合液の温度を６５±２℃まで昇温し、反応開始剤である２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）１．８ｇ（商品名「Ｖ−６５」、和光純薬工業社製）及び連鎖移動剤であるチオグリセロール０．７７ｇを２時間かけて滴下した後、３時間熟成を行った。その後、フラスコ内の混合液を水酸化ナトリウム水溶液で中和した後、減圧下で溶剤を除去することにより、白色の重合体であるＬＡ／ＤＥＧＡＡ／ＡＭＰＳ共重合体ナトリウム塩（以下、共重合体Ａという）を得た。
［共重合体Ｂ〜Ｅ、Ｉ、Ｋ〜Ｏの調製］
構成単位（Ｉ）〜(III)の含有量が表１の様になるように調製したほかは、共重合体Ａと同様に調製した。
［共重合体Ｆ〜Ｈの調製］
共重合体Ｆは、式（Ｉ）の構成単位をラウリルメタクリレート由来のものに替えたほかは共重合体Ａと同様に調製した。
共重合体Ｇは、式（II）の構成単位のＥＯの平均付加モル数が４〜５のものに替えたほかは共重合体Ａと同様に調製した。
共重合体Ｈは、式（II）の構成単位のＥＯの平均付加モル数が１０のものに替えたほかは共重合体Ａと同様に調製した。 1. Preparation of Copolymers A to T Copolymers A to T (Table 1) were prepared or purchased as follows. About each prepared copolymer, water-soluble evaluation and the measurement of the weight average molecular weight were performed. The results are shown in Table 1.
[Preparation of Copolymer A]
First, in a 500 mL four-necked flask, N, N-dimethylformamide (DMF) 235 g (manufactured by Wako Pure Chemical Industries), lauryl acrylate 23 g (manufactured by Wako Pure Chemical Industries), diethylene glycol acrylate 15 g (trade name “AE”) -90 ", manufactured by NOF Corporation), and 20 g of 2-acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) were added to obtain a mixed solution. Then, the temperature of the mixed solution in the flask was raised to 65 ± 2 ° C., and 1.8 g of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as a reaction initiator (trade name “V-65”). (Manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) and 0.77 g of thioglycerol as a chain transfer agent were added dropwise over 2 hours, and then aging was performed for 3 hours. Thereafter, the mixture in the flask was neutralized with an aqueous sodium hydroxide solution, and then the solvent was removed under reduced pressure to obtain a white polymer LA / DEGAA / AMPS copolymer sodium salt (hereinafter referred to as copolymer). A).
[Preparation of Copolymers B to E, I, K to O]
It was prepared in the same manner as the copolymer A except that the contents of the structural units (I) to (III) were prepared as shown in Table 1.
[Preparation of copolymers F to H]
Copolymer F was prepared in the same manner as Copolymer A, except that the structural unit of formula (I) was changed to that derived from lauryl methacrylate.
Copolymer G was prepared in the same manner as Copolymer A, except that the average added mole number of EO of the structural unit of formula (II) was changed to 4-5.
Copolymer H was prepared in the same manner as Copolymer A, except that the average added mole number of EO of the structural unit of formula (II) was changed to 10.

［共重合体Ｊ、Ｐ〜Ｔ］
共重合体Ｊ、Ｐ〜Ｔとして、以下の共重合体を使用した。
共重合体Ｊ：アクリル酸（ＡＡ）／アクリルアミドメチルプロパンスルホン酸（ＡＭＰＳ）共重合体、重合モル比６０／４０、重量平均分子量２５０００
共重合体Ｐ：スチレン（Ｓｔ）／スチレンスルホン酸ナトリウム（ＮａＳＳ）共重合体、重合モル比６６／３４、重量平均分子量６０００
共重合体Ｑ：メタクリル酸（ＭＡＡ）／スチレンスルホン酸ナトリウム（ＮａＳＳ）共重合体、重合モル比７０／３０、重量平均分子量１５０００
共重合体Ｒ：アクリル酸（ＡＡ）／ポリエチレングリコール（EO＝2モル）アクリレート（ＰＥＧＡＡ（ＥＯ＝２モル）／アクリルアミドメチルプロパンスルホン酸（ＡＭＰＳ）共重合体、重合モル比６６／１７／１７、重量平均分子量１５０００
共重合体Ｓ：スチレン（Ｓｔ）／ポリエチレングリコール（EO＝９モル）メタクリレート（ＰＥＧＭＡ（ＥＯ＝９モル）共重合体、重合モル比３０／７０、重量平均分子量５７０００
共重合体Ｔ：スチレン（Ｓｔ）／ポリエチレングリコール（EO＝23モル）メタクリレート（ＰＥＧＭＡ（ＥＯ＝２３モル）共重合体、重合モル比３０／７０、重量平均分子量５５０００ [Copolymer J, PT]
The following copolymers were used as the copolymers J and P to T.
Copolymer J: acrylic acid (AA) / acrylamidomethylpropanesulfonic acid (AMPS) copolymer, polymerization molar ratio 60/40, weight average molecular weight 25000
Copolymer P: styrene (St) / sodium styrenesulfonate (NaSS) copolymer, polymerization molar ratio 66/34, weight average molecular weight 6000
Copolymer Q: Methacrylic acid (MAA) / Sodium styrenesulfonate (NaSS) copolymer, polymerization molar ratio 70/30, weight average molecular weight 15000
Copolymer R: acrylic acid (AA) / polyethylene glycol (EO = 2 mol) acrylate (PEGAA (EO = 2 mol) / acrylamidomethylpropanesulfonic acid (AMPS) copolymer, polymerization molar ratio 66/17/17) Weight average molecular weight 15000
Copolymer S: Styrene (St) / polyethylene glycol (EO = 9 mol) methacrylate (PEGMA (EO = 9 mol) copolymer, polymerization molar ratio 30/70, weight average molecular weight 57000
Copolymer T: Styrene (St) / polyethylene glycol (EO = 23 mol) methacrylate (PEGMA (EO = 23 mol) copolymer, polymerization molar ratio 30/70, weight average molecular weight 55000

［共重合体の水溶性の評価］
ここでは、共重合体の水溶性を下記のようにして評価した。すなわち、上記の共重合体Ａ〜Ｔを、硫酸でｐＨ＝１．５に調製したイオン交換水に３００ｐｐｍの濃度で溶解させて、水溶液が透明であるかどうかを目視で確認し、各共重合体の水溶性を評価した。後述の表２では、水溶液が無色透明の場合は「＋」、水溶液が半透明の場合は「±」、水溶液が白濁状態の場合は「−」と表記した。 [Evaluation of water solubility of copolymer]
Here, the water solubility of the copolymer was evaluated as follows. That is, the above copolymers A to T are dissolved in ion-exchanged water adjusted to pH = 1.5 with sulfuric acid at a concentration of 300 ppm, and it is visually confirmed whether or not the aqueous solution is transparent. The water solubility of the coalesced was evaluated. In Table 2 described later, “+” is indicated when the aqueous solution is colorless and transparent, “±” when the aqueous solution is translucent, and “−” when the aqueous solution is cloudy.

［共重合体の分子量の測定］
共重合体Ａ〜Ｔの重量平均分子量を、下記条件で測定した。
カラム：ＴＳＫｇｅｌ α−Ｍ＋ＴＳＫｇｅｌ α−Ｍ（東ソー社製）
溶離液：６０ミリモル／Ｌ；リン酸、５０ミリモル／Ｌ；ＬｉＢｒ／ＤＭＦ
温度：４０℃
流速：１．０ｍＬ／分
試料サイズ：５ｍｇ／ｍＬ
検出器：ＲＩ（東ソー社製）
標準物質：ポリスチレン（分子量３６００，３００００：西尾工業社製、９．６４万，８４２万：東ソー社製、９２．９万：chemco社製） [Measurement of molecular weight of copolymer]
The weight average molecular weights of the copolymers A to T were measured under the following conditions.
Column: TSKgel α-M + TSKgel α-M (manufactured by Tosoh Corporation)
Eluent: 60 mmol / L; phosphoric acid, 50 mmol / L; LiBr / DMF
Temperature: 40 ° C
Flow rate: 1.0 mL / min Sample size: 5 mg / mL
Detector: RI (manufactured by Tosoh Corporation)
Standard material: polystyrene (Molecular weight 3600, 30000: manufactured by Nishio Kogyo Co., Ltd., 96,44,000, 820,000: manufactured by Tosoh Corp., 92.9000: manufactured by chemco Corp.)

Figure 0006243713
Figure 0006243713

２．研磨液組成物の調製
研磨材(コロイダルシリカ)と、共重合体と、酸と、過酸化水素水（濃度：３５質量％）とをイオン交換水に添加し、撹拌することにより、実施例１〜１２、参考例１及び比較例１〜１１の研磨液組成物を調製した（ｐＨ１．５）。
コロイダルシリカは、平均粒径２２ｎｍの球形シリカを５質量％となる添加量で使用した。
酸は、硫酸０．５質量％、ＨＥＤＰ（１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、ソルーシア・ジャパン製）１．０質量％又はリン酸１．０質量％のいずれかを用いた。
過酸化水素は、０．４質量％となる添加量で使用した。
共重合体は、表１に示す共重合体Ａ〜Ｔを表２に添加量（５０〜３００ｐｐｍ）で使用した。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により下記条件で測定した。 2. Preparation of Polishing Liquid Composition Abrasive material (colloidal silica), a copolymer, an acid, and hydrogen peroxide solution (concentration: 35% by mass) were added to ion-exchanged water and stirred to obtain Example 1. -12, the polishing composition of Reference Example 1 and Comparative Examples 1-11 was prepared (pH 1.5).
As the colloidal silica, spherical silica having an average particle diameter of 22 nm was used in an addition amount of 5% by mass.
As the acid, either 0.5% by mass of sulfuric acid, 1.0% by mass of HEDP (1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid, manufactured by Sorcia Japan) or 1.0% by mass of phosphoric acid was used.
Hydrogen peroxide was used in an addition amount of 0.4% by mass.
As the copolymer, copolymers A to T shown in Table 1 were used in Table 2 in an addition amount (50 to 300 ppm). The weight average molecular weight was measured by the gel permeation chromatography (GPC) method under the following conditions.

〔コロイダルシリカの平均粒径〕
研磨液組成物の調製に用いたコロイダルシリカと、硫酸と、ＨＥＤＰと、過酸化水素水とをイオン交換水に添加し、撹拌することにより、標準試料を作製した（ｐＨ１．５）。標準試料中におけるコロイダルシリカ、硫酸、ＨＥＤＰ、過酸化水素の含有量は、それぞれ５質量％、０．５質量％、０．１質量％、０．４質量％とした。この標準試料を動的光散乱装置（大塚電子社製、「ＤＬＳ−６５００」）により、同メーカーが添付した説明書に従って、２００回積算した際の検出角９０°におけるCumulant法によって得られる散乱強度分布の面積が全体の５０％となる粒径を求め、コロイダルシリカの平均粒径とした。 [Average particle size of colloidal silica]
Colloidal silica, sulfuric acid, HEDP, and hydrogen peroxide used for the preparation of the polishing composition were added to ion-exchanged water and stirred to prepare a standard sample (pH 1.5). The contents of colloidal silica, sulfuric acid, HEDP, and hydrogen peroxide in the standard sample were 5% by mass, 0.5% by mass, 0.1% by mass, and 0.4% by mass, respectively. Scattering intensity obtained by the cumulant method at a detection angle of 90 ° when this standard sample is accumulated 200 times with a dynamic light scattering device (“DLS-6500” manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.) according to the instructions attached by the same manufacturer. The particle size at which the area of distribution was 50% of the total was determined and used as the average particle size of colloidal silica.

２．研磨方法
前記のように調製した実施例１〜１２、参考例１及び比較例１〜１１の研磨液組成物を用いて、以下に示す研磨条件にて下記被研磨基板を研磨した。次いで、研磨速度、スクラッチ数、及び分散性を測定した。その結果を表２に示す。また、表２には、表１の内容、すなわち、共重合体Ａ〜Ｔの構成単位、水溶性の評価及び重量平均分子量についても併せて示した。 2. Polishing method The following to-be-polished substrate was grind | polished on the grinding | polishing conditions shown below using the polishing liquid composition of Examples 1-12, Reference Example 1 and Comparative Examples 1-11 prepared as mentioned above. Next, the polishing rate, the number of scratches, and dispersibility were measured. The results are shown in Table 2. Table 2 also shows the contents of Table 1, that is, the constituent units of copolymers A to T, water-soluble evaluation, and weight average molecular weight.

［被研磨基板］
被研磨基板として、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板を予めアルミナ研磨材を含有する研磨液組成物で粗研磨した基板を用いた。この被研磨基板は、厚さが１．２７ｍｍ、外径が９５ｍｍ、内径が２５ｍｍであり、ＡＦＭ（Digital Instrument NanoScope IIIa Multi Mode AFM）により測定した中心線平均粗さＲａが１ｎｍ、長波長うねり（波長０．４〜２ｍｍ）の振幅は２ｎｍ、短波長うねり（波長５０〜４００μｍ）の振幅は２ｎｍであった。 [Polished substrate]
As the substrate to be polished, a substrate obtained by rough polishing an aluminum alloy substrate plated with Ni-P in advance with a polishing composition containing an alumina abrasive was used. The substrate to be polished has a thickness of 1.27 mm, an outer diameter of 95 mm, and an inner diameter of 25 mm. The center line average roughness Ra measured by AFM (Digital Instrument NanoScope IIIa Multi Mode AFM) is 1 nm, and a long wavelength waviness ( The amplitude of the wavelength 0.4-2 mm was 2 nm, and the amplitude of the short wavelength waviness (wavelength 50-400 μm) was 2 nm.

［研磨条件］
研磨試験機：スピードファム社製「両面９Ｂ研磨機」
研磨パッド：フジボウ社製スエードタイプ（厚さ０．９ｍｍ、平均開孔径１０μｍ）
研磨液組成物供給量：１００ｍＬ／分（被研磨基板１ｃｍ2あたりの供給速度：０．０７６ｍＬ／分）
下定盤回転数：３２．５ｒｐｍ
研磨荷重：７．９ｋＰａ
研磨時間：６分間 [Polishing conditions]
Polishing tester: "Fast double-sided 9B polishing machine" manufactured by Speedfam
Polishing pad: Fujibow Suede type (thickness 0.9mm, average hole diameter 10μm)
Polishing liquid composition supply amount: 100 mL / min (supply rate per 1 cm 2 of substrate to be polished: 0.076 mL / min)
Lower platen rotation speed: 32.5 rpm
Polishing load: 7.9 kPa
Polishing time: 6 minutes

［研磨速度の算出方法］
研磨前後の基板の重量差（ｇ）を、Ｎｉ−Ｐメッキの密度（７．９９ｇ／ｃｍ3）、基板の片面面積（６５．９７ｃｍ2）、及び研磨時間（ｍｉｎ）で除した単位時間当たりの研磨量を計算し、研磨速度（μｍ／ｍｉｎ）を算出した。下記表２に、比較例１を１００とした相対値として示す。 [Calculation method of polishing rate]
Per unit time obtained by dividing the weight difference (g) of the substrate before and after polishing by the density of Ni—P plating (7.99 g / cm 3 ), the single-sided area of the substrate (65.97 cm 2 ), and the polishing time (min). The polishing amount was calculated, and the polishing rate (μm / min) was calculated. Table 2 below shows the relative values with Comparative Example 1 as 100.

［スクラッチ数の測定方法］
測定機器：Candela Instruments社製、「ＯＳＡ７１００」
評価：研磨試験機に投入した基板のうち、無作為に４枚を選択し、各々の基板を１００００ｒｐｍにてレーザーを照射してスクラッチを測定した。その４枚の基板の各々両面にあるスクラッチ数（本）の合計を８で除して、基板面当たりのスクラッチ数を算出した。その結果を、下記表２に、比較例１を１００とした相対値として示す。 [Measurement method of the number of scratches]
Measuring instrument: “OSA7100” manufactured by Candela Instruments
Evaluation: Four substrates were randomly selected from the substrates put into the polishing tester, and each substrate was irradiated with a laser at 10,000 rpm to measure scratches. The total number of scratches (both) on each of the four substrates was divided by 8 to calculate the number of scratches per substrate surface. The results are shown in Table 2 below as relative values with Comparative Example 1 taken as 100.

［分散性の評価方法］
一般的に研磨機に投入する直前に、フィルターによって研磨液組成物中のゴミや粗大粒子を除去するが、フィルターの目詰まりを抑制し、フィルターの長寿命化及び生産性の観点から、研磨液組成物の分散性は良好であることが好ましい。ここでは、分散性を次のようにして評価した。すなわち、比較例１の研磨液組成物の白濁度合を基準として、実施例１〜１２、参考例１、及び比較例２〜１１の研磨液組成物の分散性を目視評価により行った。比較例１の研磨液組成物の白濁度合と同等のものを＋、比較例１よりも薄く白濁したものを±、比較例１よりも顕著に白濁したものを−とした。 [Dispersibility evaluation method]
In general, the dust and coarse particles in the polishing liquid composition are removed by a filter immediately before being put into the polishing machine. However, the clogging of the filter is suppressed, and the polishing liquid is used from the viewpoint of extending the filter life and productivity. The dispersibility of the composition is preferably good. Here, the dispersibility was evaluated as follows. That is, based on the degree of cloudiness of the polishing composition of Comparative Example 1, the dispersibility of the polishing composition of Examples 1 to 12, Reference Example 1, and Comparative Examples 2 to 11 was visually evaluated. A sample having the same degree of white turbidity as that of the polishing liquid composition of Comparative Example 1 was designated as +, a sample that became thinner and cloudy than Comparative Example 1, and a sample that became significantly cloudy than Comparative Example 1 as-.

Figure 0006243713
Figure 0006243713

上記表２に示すとおり、実施例１〜１２の研磨液組成物は、参考例１及び比較例１〜１１の研磨液組成物に比べて、基板表面のスクラッチを効果的に低減することが示された。中でも、実施例３〜７は、実施例１，２、８〜１２に比べても研磨速度の低下を抑制しつつ、スクラッチ数がより低減されていた。   As shown in Table 2 above, it is shown that the polishing liquid compositions of Examples 1 to 12 effectively reduce scratches on the substrate surface as compared with the polishing liquid compositions of Reference Example 1 and Comparative Examples 1 to 11. It was done. Among them, in Examples 3 to 7, the number of scratches was further reduced while suppressing a decrease in the polishing rate as compared with Examples 1, 2, and 8 to 12.

本開示によれば、例えば、高記録密度化に適した磁気ディスク基板を提供できる。   According to the present disclosure, for example, a magnetic disk substrate suitable for increasing the recording density can be provided.

Claims (11)

シリカ粒子と、共重合体と、水とを含有する研磨液組成物であって、
前記共重合体が、下記一般式（Ｉ）で表される構成単位と下記一般式（ＩＩ）で表される構成単位と下記一般式（ＩＩＩ）で表される構成単位を有する共重合体又はその塩であり、
前記共重合体を構成する全構成単位中に占める式（ＩＩ）で表される構成単位のモル比率と式（ＩＩＩ）で表される構成単位のモル比率の和が、５５モル％以上である、磁気ディスク基板用研磨液組成物。
Figure 0006243713
 ［式（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）中、Ｒ1、Ｒ3及びＲ5はそれぞれ独立して水素原子又はメチル基であり、Ｘ1及びＸ2はそれぞれ独立して酸素原子又はＮＨ基であり、Ｒ2は炭素数８以上１８以下の炭化水素鎖であり、ｐは０又は１であり、ＡＯは炭素数１以上３以下のオキシアルキレン基であり、ｎはＡＯの平均付加モル数であって１以上３０以下の数であり、Ｒ4は水素原子又は炭素数１以上４以下のアルキル基であり、Ｒ6はスルホン酸基を含む炭化水素基又は−Ｘ3−Ｒ7であり、Ｘ3は−ＣＯＯ−又は−ＣＯＮＨ−であり、Ｒ7はスルホン酸基を含む炭化水素基である。］ A polishing composition comprising silica particles, a copolymer, and water,
A copolymer having a structural unit represented by the following general formula (I), a structural unit represented by the following general formula (II), and a structural unit represented by the following general formula (III): Its salt,
The sum of the molar ratio of the structural unit represented by the formula (II) and the molar ratio of the structural unit represented by the formula (III) in all the structural units constituting the copolymer is 55 mol% or more. A polishing composition for a magnetic disk substrate.
Figure 0006243713
 [In the formulas (I), (II) and (III), R 1 , R 3 and R 5 are each independently a hydrogen atom or a methyl group, and X 1 and X 2 are each independently an oxygen atom or NH R 2 is a hydrocarbon chain having 8 to 18 carbon atoms, p is 0 or 1, AO is an oxyalkylene group having 1 to 3 carbon atoms, and n is an average added mole of AO. R 4 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and R 6 is a hydrocarbon group containing a sulfonic acid group or —X 3 —R 7 . X 3 is —COO— or —CONH—, and R 7 is a hydrocarbon group containing a sulfonic acid group. ] アルミナ砥粒を含まず、仕上げ研磨に用いられる、請求項１に記載の磁気ディスク基板用研磨液組成物。The polishing composition for a magnetic disk substrate according to claim 1, which does not contain alumina abrasive grains and is used for finish polishing. 前記共重合体の重量平均分子量が、１０００以上１００００００以下である、請求項１又は２記載の磁気ディスク基板用研磨液組成物。 The polishing composition for a magnetic disk substrate according to claim 1 or 2 , wherein the copolymer has a weight average molecular weight of 1,000 to 1,000,000. 前記共重合体を構成する全構成単位中に占める式（ＩＩ）で表される構成単位のモル比率が６０モル％以下であり、ｐが１であり、Ｘ2が酸素原子であり、ＡＯがオキシエチレン基であり、平均付加モル数ｎが２以上１０以下である、請求項１から３のいずれかに記載の磁気ディスク基板用研磨液組成物。 The molar ratio of the structural unit represented by the formula (II) in all the structural units constituting the copolymer is 60 mol% or less, p is 1, X 2 is an oxygen atom, AO is The polishing composition for a magnetic disk substrate according to any one of claims 1 to 3, which is an oxyethylene group and has an average addition mole number n of 2 or more and 10 or less. 前記共重合体を構成する全構成単位中に占める式（Ｉ）及び式（ＩＩＩ）で表される構成単位のモル比率が、それぞれ独立して、２３モル％以上４５モル％以下である、請求項１から４のいずれかに記載の磁気ディスク基板用研磨液組成物。 The molar ratio of the structural units represented by the formula (I) and the formula (III) in all the structural units constituting the copolymer is each independently 23 mol% or more and 45 mol% or less. Item 5. A polishing composition for a magnetic disk substrate according to any one of Items 1 to 4 . 前記式（ＩＩＩ）中、ＲIn the formula (III), R 66 が−ＣＯＮＨ−Ｃ（ＣＨ-CONH-C (CH 3Three ）) 22 −ＣＨ-CH 22 −ＳＯ-SO 3Three Ｈである、請求項１から５のいずれかに記載の磁気ディスク基板用研磨液組成物。The polishing composition for a magnetic disk substrate according to claim 1, wherein the polishing composition is H. さらに、酸、及び酸化剤を含有する、請求項１から６のいずれかに記載の磁気ディスク基板用研磨液組成物。 The polishing composition for a magnetic disk substrate according to any one of claims 1 to 6 , further comprising an acid and an oxidizing agent. ｐＨが、１．０以上３．０以下である、請求項１から７のいずれかに記載の磁気ディスク基板用研磨液組成物。 The polishing composition for a magnetic disk substrate according to any one of claims 1 to 7 , wherein the pH is 1.0 or more and 3.0 or less. 磁気ディスク基板がＮｉ―Ｐ含有層を有するアルミナ基板である、請求項１から８のいずれかに記載の磁気ディスク基板用研磨液組成物。 The polishing composition for a magnetic disk substrate according to any one of claims 1 to 8 , wherein the magnetic disk substrate is an alumina substrate having a Ni-P-containing layer. 請求項１から９のいずれかに記載の研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び前記被研磨基板の少なくとも一方を動かして研磨する工程を含む、磁気ディスク基板の製造方法。 The polishing composition according to any one of claims 1 to 9 is supplied to the polished surface of the substrate to be polished is brought into contact with the polishing pad to the polishing target surface, at least one of said polishing pad and the substrate to be polished A method of manufacturing a magnetic disk substrate, comprising a step of moving and polishing. 請求項１から９のいずれかに記載の研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び前記被研磨基板の少なくとも一方を動かして研磨することを含む、基板の研磨方法。 The polishing composition according to any one of claims 1 to 9 is supplied to the polished surface of the substrate to be polished is brought into contact with the polishing pad to the polishing target surface, at least one of said polishing pad and the substrate to be polished A method for polishing a substrate, comprising moving and polishing.
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