JP6233538B2 - マスクブランク用基板およびマスクブランク - Google Patents
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Description
本発明は、マスクブランク用基板およびマスクブランクに関する。
半導体製造分野において、シリコンウェハのような被加工基板にパターンを形成する際には、露光光およびマスクを用いたパターン転写技術が利用されている。
このパターン転写技術では、マスクを介して被加工基板に露光光を照射することにより、被加工基板の表面（通常、レジストの表面）に、マスクのパターンを転写することができる（以下、このプロセスを「転写プロセス」とも称する）。その後、レジストを現像処理することにより、所望のパターンのレジストが設置された被加工基板を得ることができる。
特に、最近では、微細パターン転写を可能とするため、ＡｒＦエキシマレーザ光を用いたＡｒＦ露光技術や、ＥＵＶ露光光を用いたＥＵＶ露光技術が注目されている。
例えば、ＥＵＶ露光技術では、露光光として、ＡｒＦエキシマレーザ光よりも短波長のＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ−Ｖｉｏｌｅｔ）光が用いられる。ここで、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線および真空紫外光を含み、具体的には波長が０．２ｎｍ〜１００ｎｍ程度の光のことである。現時点では、露光光として１３．５ｎｍ程度の波長のＥＵＶ光が主に検討されている。
一般に、前述の転写プロセスでは、マスクは、ステッパのような露光装置のステージに装着（チャック）された状態で使用される。
しかしながら、マスクをステージにチャックした際に、マスクに変形が生じることがしばしば認められている。
そのようなマスクの変形は、転写プロセスの精度を低下させるおそれがある。特に、近年のＡｒＦ露光技術およびＥＵＶ露光技術では、露光光の波長が短いため、マスクの僅かの変形が、転写プロセスの精度に大きな影響を及ぼし得る。その結果、被加工基板に所望のパターンを転写することが難しくなるという問題が生じ得る。
本発明は、このような背景に鑑みなされたものであり、本発明では、露光装置にマスクをチャックした際の変形を有意に抑制することが可能なマスクブランク用基板およびマスクブランクを提供することを目的とする。
本発明では、相互に対向する第１および第２の主表面を有するマスクブランク用基板であって、
前記第１の主表面の略中央部には、一辺の長さがＬ２の正方形の形状の標準領域が存在し、
前記標準領域は、該標準領域の外周部分に相当する枠状領域と、該枠状領域に取り囲まれた内部領域とで構成され、
前記内部領域は、一辺の長さＬ３が１３２ｍｍの正方形状であり、
前記枠状領域は、前記標準領域の正方形の各辺に一致する４辺からなる外枠と、前記内部領域の正方形の各辺に一致する４辺からなる内枠とを有し、前記外枠は、前記内枠を、該内枠の各辺のそれぞれが、外方に向かって８ｍｍだけ平行移動するように広げられた形状と一致し、
前記枠状領域の前記外枠の各頂点を、それぞれ、反時計回りに、頂点Ａ２、Ｂ２、Ｃ２およびＤ２としたとき、前記枠状領域は、各コーナー部に、第１〜第４のコーナー領域を有し、第１のコーナー領域は頂点Ａ２を含み、第２のコーナー領域は頂点Ｂ２を含み、第３のコーナー領域は頂点Ｃ２を含み、第４のコーナー領域は頂点Ｄ２を含み、各コーナー領域は、一辺の長さが８ｍｍの正方形状であり、
前記枠状領域において、前記第１のコーナー領域と前記第４のコーナー領域の中間位置には、一辺の長さが８ｍｍの正方形の第１の中央領域が区画され、前記第１のコーナー領域と前記第２のコーナー領域の中間位置には、一辺の長さが８ｍｍの正方形の第２の中央領域が区画され、前記第２のコーナー領域と前記第３のコーナー領域の中間位置には、一辺の長さが８ｍｍの正方形の第３の中央領域が区画され、前記第３のコーナー領域と前記第４のコーナー領域の中間位置には、一辺の長さが８ｍｍの正方形の第４の中央領域が区画され、
（ｉ）前記標準領域の最小二乗平面ＰＰ１に基づいて定められる前記内部領域の平坦度Ｆｉｎ１は、１００ｎｍ以下であり、
（ｉｉ）前記枠状領域の一つのコーナー領域を第ｎのコーナー領域とし、該第ｎのコーナー領域に最近接の２つの中央領域を、それぞれ、第１近接中央領域および第２近接中央領域とし、
前記最小二乗平面ＰＰ１に基づいて定められる、第ｎのコーナー領域の最大高さをＨｍａｘ（Ｃｎ）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｃｎ）とし、前記第１近接中央領域の最大高さをＨｍａｘ（Ｍ１）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｍ１）とし、前記第２近接中央領域の最大高さをＨｍａｘ（Ｍ２）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｍ２）としたとき、
ｎ＝１〜４のいずれにおいても、以下の（１）式
ΔＤ＝Ｍａｘ｛Ｈｍａｘ（Ｃｎ）−Ｈｍｉｎ（Ｍ１），Ｈｍａｘ（Ｃｎ）−Ｈｍｉｎ（Ｍ２），Ｈｍａｘ（Ｍ１）−Ｈｍｉｎ（Ｃｎ），Ｈｍａｘ（Ｍ２）−Ｈｍｉｎ（Ｃｎ）｝ （１）式
で表される最大高低差ΔＤが１００ｎｍ以下であり、
ここで、Ｍａｘ｛ｘ１，ｘ２，ｘ３，ｘ４｝は、ｘ１〜ｘ４の中の最大値を意味する、マスクブランク用基板が提供される。
前記第１の主表面の略中央部には、一辺の長さがＬ２の正方形の形状の標準領域が存在し、
前記標準領域は、該標準領域の外周部分に相当する枠状領域と、該枠状領域に取り囲まれた内部領域とで構成され、
前記内部領域は、一辺の長さＬ３が１３２ｍｍの正方形状であり、
前記枠状領域は、前記標準領域の正方形の各辺に一致する４辺からなる外枠と、前記内部領域の正方形の各辺に一致する４辺からなる内枠とを有し、前記外枠は、前記内枠を、該内枠の各辺のそれぞれが、外方に向かって８ｍｍだけ平行移動するように広げられた形状と一致し、
前記枠状領域の前記外枠の各頂点を、それぞれ、反時計回りに、頂点Ａ２、Ｂ２、Ｃ２およびＤ２としたとき、前記枠状領域は、各コーナー部に、第１〜第４のコーナー領域を有し、第１のコーナー領域は頂点Ａ２を含み、第２のコーナー領域は頂点Ｂ２を含み、第３のコーナー領域は頂点Ｃ２を含み、第４のコーナー領域は頂点Ｄ２を含み、各コーナー領域は、一辺の長さが８ｍｍの正方形状であり、
前記枠状領域において、前記第１のコーナー領域と前記第４のコーナー領域の中間位置には、一辺の長さが８ｍｍの正方形の第１の中央領域が区画され、前記第１のコーナー領域と前記第２のコーナー領域の中間位置には、一辺の長さが８ｍｍの正方形の第２の中央領域が区画され、前記第２のコーナー領域と前記第３のコーナー領域の中間位置には、一辺の長さが８ｍｍの正方形の第３の中央領域が区画され、前記第３のコーナー領域と前記第４のコーナー領域の中間位置には、一辺の長さが８ｍｍの正方形の第４の中央領域が区画され、
（ｉ）前記標準領域の最小二乗平面ＰＰ１に基づいて定められる前記内部領域の平坦度Ｆｉｎ１は、１００ｎｍ以下であり、
（ｉｉ）前記枠状領域の一つのコーナー領域を第ｎのコーナー領域とし、該第ｎのコーナー領域に最近接の２つの中央領域を、それぞれ、第１近接中央領域および第２近接中央領域とし、
前記最小二乗平面ＰＰ１に基づいて定められる、第ｎのコーナー領域の最大高さをＨｍａｘ（Ｃｎ）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｃｎ）とし、前記第１近接中央領域の最大高さをＨｍａｘ（Ｍ１）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｍ１）とし、前記第２近接中央領域の最大高さをＨｍａｘ（Ｍ２）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｍ２）としたとき、
ｎ＝１〜４のいずれにおいても、以下の（１）式
ΔＤ＝Ｍａｘ｛Ｈｍａｘ（Ｃｎ）−Ｈｍｉｎ（Ｍ１），Ｈｍａｘ（Ｃｎ）−Ｈｍｉｎ（Ｍ２），Ｈｍａｘ（Ｍ１）−Ｈｍｉｎ（Ｃｎ），Ｈｍａｘ（Ｍ２）−Ｈｍｉｎ（Ｃｎ）｝ （１）式
で表される最大高低差ΔＤが１００ｎｍ以下であり、
ここで、Ｍａｘ｛ｘ１，ｘ２，ｘ３，ｘ４｝は、ｘ１〜ｘ４の中の最大値を意味する、マスクブランク用基板が提供される。
また、本発明では、基板を有するマスクブランクであって、
当該マスクブランクは、第１の主表面および第２の主表面を有し、
前記第２の主表面は、回路パターン用の層が配置された側の主表面であり、
前記第１の主表面の略中央部には、一辺の長さがＬ２の正方形の形状の標準領域が存在し、
前記標準領域は、該標準領域の外周部分に相当する枠状領域と、該枠状領域に取り囲まれた内部領域とで構成され、
前記内部領域は、一辺の長さＬ３が１３２ｍｍの正方形状であり、
前記枠状領域は、前記標準領域の正方形の各辺に一致する４辺からなる外枠と、前記内部領域の正方形の各辺に一致する４辺からなる内枠とを有し、前記外枠は、前記内枠を、該内枠の各辺のそれぞれが、外方に向かって８ｍｍだけ平行移動するように広げられた形状と一致し、
前記枠状領域の前記外枠の各頂点を、それぞれ、反時計回りに、頂点Ａ２、Ｂ２、Ｃ２およびＤ２としたとき、前記枠状領域は、各コーナー部に、第１〜第４のコーナー領域を有し、第１のコーナー領域は頂点Ａ２を含み、第２のコーナー領域は頂点Ｂ２を含み、第３のコーナー領域は頂点Ｃ２を含み、第４のコーナー領域は頂点Ｄ２を含み、各コーナー領域は、一辺の長さが８ｍｍの正方形状であり、
前記枠状領域において、前記第１のコーナー領域と前記第４のコーナー領域の中間位置には、一辺の長さが８ｍｍの正方形の第１の中央領域が区画され、前記第１のコーナー領域と前記第２のコーナー領域の中間位置には、一辺の長さが８ｍｍの正方形の第２の中央領域が区画され、前記第２のコーナー領域と前記第３のコーナー領域の中間位置には、一辺の長さが８ｍｍの正方形の第３の中央領域が区画され、前記第３のコーナー領域と前記第４のコーナー領域の中間位置には、一辺の長さが８ｍｍの正方形の第４の中央領域が区画され、
（ｉｉｉ）前記標準領域の最小二乗平面ＰＰ１に基づいて定められる前記内部領域の平坦度Ｆｉｎ１は、２００ｎｍ以下であり、
（ｉｖ）前記枠状領域の一つのコーナー領域を第ｎのコーナー領域とし、該第ｎのコーナー領域に最近接の２つの中央領域を、それぞれ、第１近接中央領域および第２近接中央領域とし、
前記最小二乗平面ＰＰ１に基づいて定められる、第ｎのコーナー領域の最大高さをＨｍａｘ（Ｃｎ）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｃｎ）とし、前記第１近接中央領域の最大高さをＨｍａｘ（Ｍ１）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｍ１）とし、前記第２近接中央領域の最大高さをＨｍａｘ（Ｍ２）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｍ２）としたとき、
ｎ＝１〜４のいずれにおいても、以下の（１）式
ΔＤ＝Ｍａｘ｛Ｈｍａｘ（Ｃｎ）−Ｈｍｉｎ（Ｍ１），Ｈｍａｘ（Ｃｎ）−Ｈｍｉｎ（Ｍ２），Ｈｍａｘ（Ｍ１）−Ｈｍｉｎ（Ｃｎ），Ｈｍａｘ（Ｍ２）−Ｈｍｉｎ（Ｃｎ）｝ （１）式
で表される最大高低差ΔＤが１５０ｎｍ以下であり、
ここで、Ｍａｘ｛ｘ１，ｘ２，ｘ３，ｘ４｝は、ｘ１〜ｘ４の中の最大値を意味する、マスクブランクが提供される。
当該マスクブランクは、第１の主表面および第２の主表面を有し、
前記第２の主表面は、回路パターン用の層が配置された側の主表面であり、
前記第１の主表面の略中央部には、一辺の長さがＬ２の正方形の形状の標準領域が存在し、
前記標準領域は、該標準領域の外周部分に相当する枠状領域と、該枠状領域に取り囲まれた内部領域とで構成され、
前記内部領域は、一辺の長さＬ３が１３２ｍｍの正方形状であり、
前記枠状領域は、前記標準領域の正方形の各辺に一致する４辺からなる外枠と、前記内部領域の正方形の各辺に一致する４辺からなる内枠とを有し、前記外枠は、前記内枠を、該内枠の各辺のそれぞれが、外方に向かって８ｍｍだけ平行移動するように広げられた形状と一致し、
前記枠状領域の前記外枠の各頂点を、それぞれ、反時計回りに、頂点Ａ２、Ｂ２、Ｃ２およびＤ２としたとき、前記枠状領域は、各コーナー部に、第１〜第４のコーナー領域を有し、第１のコーナー領域は頂点Ａ２を含み、第２のコーナー領域は頂点Ｂ２を含み、第３のコーナー領域は頂点Ｃ２を含み、第４のコーナー領域は頂点Ｄ２を含み、各コーナー領域は、一辺の長さが８ｍｍの正方形状であり、
前記枠状領域において、前記第１のコーナー領域と前記第４のコーナー領域の中間位置には、一辺の長さが８ｍｍの正方形の第１の中央領域が区画され、前記第１のコーナー領域と前記第２のコーナー領域の中間位置には、一辺の長さが８ｍｍの正方形の第２の中央領域が区画され、前記第２のコーナー領域と前記第３のコーナー領域の中間位置には、一辺の長さが８ｍｍの正方形の第３の中央領域が区画され、前記第３のコーナー領域と前記第４のコーナー領域の中間位置には、一辺の長さが８ｍｍの正方形の第４の中央領域が区画され、
（ｉｉｉ）前記標準領域の最小二乗平面ＰＰ１に基づいて定められる前記内部領域の平坦度Ｆｉｎ１は、２００ｎｍ以下であり、
（ｉｖ）前記枠状領域の一つのコーナー領域を第ｎのコーナー領域とし、該第ｎのコーナー領域に最近接の２つの中央領域を、それぞれ、第１近接中央領域および第２近接中央領域とし、
前記最小二乗平面ＰＰ１に基づいて定められる、第ｎのコーナー領域の最大高さをＨｍａｘ（Ｃｎ）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｃｎ）とし、前記第１近接中央領域の最大高さをＨｍａｘ（Ｍ１）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｍ１）とし、前記第２近接中央領域の最大高さをＨｍａｘ（Ｍ２）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｍ２）としたとき、
ｎ＝１〜４のいずれにおいても、以下の（１）式
ΔＤ＝Ｍａｘ｛Ｈｍａｘ（Ｃｎ）−Ｈｍｉｎ（Ｍ１），Ｈｍａｘ（Ｃｎ）−Ｈｍｉｎ（Ｍ２），Ｈｍａｘ（Ｍ１）−Ｈｍｉｎ（Ｃｎ），Ｈｍａｘ（Ｍ２）−Ｈｍｉｎ（Ｃｎ）｝ （１）式
で表される最大高低差ΔＤが１５０ｎｍ以下であり、
ここで、Ｍａｘ｛ｘ１，ｘ２，ｘ３，ｘ４｝は、ｘ１〜ｘ４の中の最大値を意味する、マスクブランクが提供される。
本発明では、露光装置にマスクをチャックした際の変形を有意に抑制することが可能なマスクブランク用基板およびマスクブランクを提供することができる。
以下、図面を参照して、本発明の一実施形態について説明する。
本願において、「マスクブランク」とは、一つの主表面にパターン化された層を有するマスクとは異なり、一つの主表面に所望のパターンにパターン化される前の層を有する基板を意味する。従って、通常の場合、「マスクブランク」の段階では、層は、基板の主表面全体に配置される。さらに、「マスクブランク用基板」とは、主表面に前述のような層が設置される前の基板を意味する。
（本発明の一実施形態によるマスクブランク用基板）
図１を参照して、本発明の一実施形態について説明する。図１には、本発明の一実施形態によるマスクブランク用基板の一例を模式的に示す。
図１を参照して、本発明の一実施形態について説明する。図１には、本発明の一実施形態によるマスクブランク用基板の一例を模式的に示す。
図１に示すように、本発明の一実施形態によるマスクブランク用基板（以下、「第１の基板」という）１００は、相互に対向する第１の主表面１０２および第２の主表面１０４を有する。第１の基板１００（の第１の主表面１０２）は、略正方形状の形状を有し、一辺の長さＬ１は、例えば、１５２ｍｍである。
第１の基板１００は、第１の主表面１０２の略中央に標準領域１２０（図１において太枠で示されている枠内の領域）を有する。標準領域１２０は、一辺の長さがＬ２の正方形状である。長さＬ２は、１４８ｍｍである。図１に示した例では、第１の主表面１０２の輪郭線（正方形）１１０は、標準領域１２０の各辺を、例えば、それぞれ２ｍｍずつ外方に広げた形状と一致する。
標準領域１２０は、該標準領域１２０の外周部分に相当する枠状領域１３０と、該枠状領域１３０に取り囲まれた内部領域１４０とで構成される。換言すれば、枠状領域１３０は、標準領域１２０から内部領域１４０を除去した領域に相当する。
内部領域１４０は、標準領域１２０の略中央部に存在し、一辺の長さＬ３が１３２ｍｍの正方形状である。内部領域１４０の各辺を、上辺から反時計回りに、それぞれ、第１の辺（上辺）１４２、第２の辺１４４、第３の辺（下辺）１４６、および第４の辺１４８と称する。
枠状領域１３０は、外枠および内枠で区画される。枠状領域１３０の外枠は、標準領域１２０のそれぞれの辺に一致する、第１の外側辺１４３〜第４の外側辺１４９で構成される。また、枠状領域１３０の内枠は、内部領域１４０のそれぞれの辺に一致する、第１の内側辺１４２〜第４の内側辺１４８で構成される。
なお、枠状領域１３０の外枠と内枠において、相互に平行な、対応する外側辺と内側辺（例えば、第１の内側辺１４２および第１の外側辺１４３など）の間の間隔、すなわち枠状領域１３０の幅（図１の長さＷ参照）は、いずれも８ｍｍである。
以下、説明の明確化のため、第１の基板１００において、第１の主表面１０２の輪郭線１１０のコーナーに相当する４点を、それぞれ、点Ａ１〜点Ｄ１と称する。ここで、各点は、図１に示すように、左上のコーナーを点Ａ１とし、以下、反時計回りに点Ｂ１〜点Ｄ１と名付けられる。
同様に、第１の基板１００において、標準領域１２０のコーナーに相当する４点を、それぞれ、点Ａ２〜点Ｄ２と称する。また、内部領域１４０のコーナーに相当する４点を、それぞれ、点Ａ３〜点Ｄ３と称する。これらの命名の方法は、第１の主表面１０２のコーナーの場合と同様である。
さらに、図１に示すように、第１の主表面１０２において、枠状領域１３０の第１の内側辺１４２（内部領域１４０の第１の辺でもある）の延長線が、枠状領域１３０の第２および第４の外側辺１４５、１４９と交わる点を、それぞれ、点Ｄ２および点Ｅ２とする。また、枠状領域１３０の第２の内側辺１４４（内部領域１４０の第２の辺でもある）の延長線が、枠状領域１３０の第３および第１の外側辺１４７、１４３と交わる点を、それぞれ、点Ｆ２および点Ｇ２とする。また、枠状領域１３０の第３の内側辺１４６（内部領域１４０の第３の辺でもある）の延長線が、枠状領域１３０の第４および第２の外側辺１４９、１４５と交わる点を、それぞれ、点Ｈ２および点Ｉ２とする。さらに、枠状領域１３０の第４の内側辺１４８（内部領域１４０の第４の辺でもある）の延長線が、枠状領域１３０の第１および第３の外側辺１４３、１４７と交わる点を、それぞれ、点Ｊ２および点Ｋ２とする。
その結果、枠状領域１３０の左上隅に、正方形Ａ２Ｄ２Ａ３Ｇ２で囲まれた第１のコーナー領域１６１が区画される。また、枠状領域１３０の左下隅に、正方形Ｂ２Ｆ２Ｂ３Ｉ２で囲まれた第２のコーナー領域１６２が区画され、枠状領域１３０の右下隅に、正方形Ｃ２Ｈ２Ｃ３Ｋ２で囲まれた第３のコーナー領域１６３が区画され、枠状領域１３０の右上隅に、正方形Ｄ２Ｊ２Ｄ３Ｅ２で囲まれた第４のコーナー領域１６４が区画される。これらのコーナー領域１６１〜１６４は、いずれも一辺の長さが８ｍｍである。
また、図１に示すように、枠状領域１３０において、第１のコーナー領域１６１と第４のコーナー領域１６４の丁度中間にある正方形部分を、第１の中央領域１７１と称し、第１のコーナー領域１６１と第２のコーナー領域１６２の丁度中間にある正方形部分を、第２の中央領域１７２と称し、第２のコーナー領域１６２と第３のコーナー領域１６３の丁度中間にある正方形部分を、第３の中央領域１７３と称し、第３のコーナー領域１６３と第４のコーナー領域１６４の丁度中間にある正方形部分を、第４の中央領域１７４と称する。
これらの中央領域１７１〜１７４は、一辺の長さが８ｍｍの正方形形状である。例えば、第１の中央領域１７１は、Ｔ２Ｔ３Ｍ３Ｍ２の正方形で表され、第２の中央領域１７２は、Ｎ２Ｎ３Ｏ３Ｏ２の正方形で表され、第３の中央領域１７３は、Ｑ２Ｑ３Ｐ３Ｐ２の正方形で表され、第４の中央領域１７４は、Ｓ２Ｓ３Ｒ３Ｒ２の正方形で表される。なお、点Ｔ２、Ｍ２、Ｎ２、Ｏ２、Ｐ２、Ｑ２、Ｒ２、Ｓ２は、それぞれ、枠状領域１３０の外側辺１４３、１４５、１４７、１４９上の点である。また、点Ｔ３、Ｍ３、Ｎ３、Ｏ３、Ｐ３、Ｑ３、Ｒ３、Ｓ３は、それぞれ、枠状領域１３０の内側辺１４２、１４４、１４６、１４８上の点である。
ここで、第１の基板１００は、
（ｉ）標準領域１２０の最小二乗平面ＰＰ１に基づいて定められる、内部領域１４０の平坦度Ｆｉｎ１が１００ｎｍ以下であるという特徴を有する。
（ｉ）標準領域１２０の最小二乗平面ＰＰ１に基づいて定められる、内部領域１４０の平坦度Ｆｉｎ１が１００ｎｍ以下であるという特徴を有する。
なお、内部領域１４０の「平坦度Ｆｉｎ１」は、標準領域１２０の最小二乗平面ＰＰ１を基準としたときの、内部領域１４０の表面凹凸の最大高さと最小高さの差から求めることができる。
また、第１の基板１００は、
（ｉｉ）枠状領域１３０の一つのコーナー領域を第ｎのコーナー領域とし、該第ｎのコーナー領域に最近接の２つの中央領域を、それぞれ、第１近接中央領域および第２近接中央領域とし、
前記最小二乗平面ＰＰ１に基づいて定められる、第ｎのコーナー領域の最大高さをＨｍａｘ（Ｃｎ）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｃｎ）とし、前記第１近接中央領域の最大高さをＨｍａｘ（Ｍ１）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｍ１）とし、前記第２近接中央領域の最大高さをＨｍａｘ（Ｍ２）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｍ２）としたとき、
ｎ＝１〜４のいずれにおいても、以下の（１）式
ΔＤ＝Ｍａｘ｛Ｈｍａｘ（Ｃｎ）−Ｈｍｉｎ（Ｍ１），Ｈｍａｘ（Ｃｎ）−Ｈｍｉｎ（Ｍ２），Ｈｍａｘ（Ｍ１）−Ｈｍｉｎ（Ｃｎ），Ｈｍａｘ（Ｍ２）−Ｈｍｉｎ（Ｃｎ）｝ （１）式
で表される最大高低差ΔＤが１００ｎｍ以下であるという特徴を有する。
（ｉｉ）枠状領域１３０の一つのコーナー領域を第ｎのコーナー領域とし、該第ｎのコーナー領域に最近接の２つの中央領域を、それぞれ、第１近接中央領域および第２近接中央領域とし、
前記最小二乗平面ＰＰ１に基づいて定められる、第ｎのコーナー領域の最大高さをＨｍａｘ（Ｃｎ）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｃｎ）とし、前記第１近接中央領域の最大高さをＨｍａｘ（Ｍ１）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｍ１）とし、前記第２近接中央領域の最大高さをＨｍａｘ（Ｍ２）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｍ２）としたとき、
ｎ＝１〜４のいずれにおいても、以下の（１）式
ΔＤ＝Ｍａｘ｛Ｈｍａｘ（Ｃｎ）−Ｈｍｉｎ（Ｍ１），Ｈｍａｘ（Ｃｎ）−Ｈｍｉｎ（Ｍ２），Ｈｍａｘ（Ｍ１）−Ｈｍｉｎ（Ｃｎ），Ｈｍａｘ（Ｍ２）−Ｈｍｉｎ（Ｃｎ）｝ （１）式
で表される最大高低差ΔＤが１００ｎｍ以下であるという特徴を有する。
ここで、Ｍａｘ｛ｘ１，ｘ２，ｘ３，ｘ４｝は、ｘ１〜ｘ４の中の最大値を意味する。
例えば、ｎ＝１の場合、枠状領域１３０の第１のコーナー領域１６１に関し、第１のコーナー領域１６１に最近接の２つの中央領域は、第１の中央領域１７１および第２の中央領域１７２となる。
従って、標準領域１２０の最小二乗平面ＰＰ１に基づいて定められる、第１のコーナー領域１６１の最大高さをＨｍａｘ（Ｃ１）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｃ１）とし、第１の中央領域１７１の最大高さをＨｍａｘ（Ｍ１）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｍ１）とし、第２の中央領域１７２の最大高さをＨｍａｘ（Ｍ２）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｍ２）としたとき、
第１の基板１００は、前述の（１）式で表される最大高低差ΔＤが１００ｎｍ以下となるように構成される。
第１の基板１００は、前述の（１）式で表される最大高低差ΔＤが１００ｎｍ以下となるように構成される。
また、ｎ＝２の場合、枠状領域１３０の第２のコーナー領域１６２に関し、第２のコーナー領域１６２に最近接の２つの中央領域は、第２の中央領域１７２および第３の中央領域１７３となる。
従って、標準領域１２０の最小二乗平面ＰＰ１に基づいて定められる、第２のコーナー領域１６２の最大高さをＨｍａｘ（Ｃ２）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｃ２）とし、第２の中央領域１７２の最大高さをＨｍａｘ（Ｍ１）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｍ１）とし、第３の中央領域１７３の最大高さをＨｍａｘ（Ｍ２）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｍ２）としたとき、
第１の基板１００は、前述の（１）式で表される最大高低差ΔＤが１００ｎｍ以下となるように構成される。
第１の基板１００は、前述の（１）式で表される最大高低差ΔＤが１００ｎｍ以下となるように構成される。
同様に、ｎ＝３の場合、枠状領域１３０の第３のコーナー領域１６３に関し、第３のコーナー領域１６３に最近接の２つの中央領域は、第３の中央領域１７３および第４の中央領域１７４となる。
従って、標準領域１２０の最小二乗平面ＰＰ１に基づいて定められる、第３のコーナー領域１６３の最大高さをＨｍａｘ（Ｃ３）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｃ３）とし、第３の中央領域１７３の最大高さをＨｍａｘ（Ｍ１）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｍ１）とし、第４の中央領域１７４の最大高さをＨｍａｘ（Ｍ２）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｍ２）としたとき、
第１の基板１００は、前述の（１）式で表される最大高低差ΔＤが１００ｎｍ以下となるように構成される。
第１の基板１００は、前述の（１）式で表される最大高低差ΔＤが１００ｎｍ以下となるように構成される。
さらに、ｎ＝４の場合、枠状領域１３０の第４のコーナー領域１６４に関し、第４のコーナー領域１６４に最近接の２つの中央領域は、第４の中央領域１７４および第１の中央領域１７１となる。
従って、標準領域１２０の最小二乗平面ＰＰ１に基づいて定められる、第４のコーナー領域１６４の最大高さをＨｍａｘ（Ｃ４）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｃ４）とし、第４の中央領域１７４の最大高さをＨｍａｘ（Ｍ１）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｍ１）とし、第１の中央領域１７１の最大高さをＨｍａｘ（Ｍ２）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｍ２）としたとき、
第１の基板１００は、前述の（１）式で表される最大高低差ΔＤが１００ｎｍ以下となるように構成される。
第１の基板１００は、前述の（１）式で表される最大高低差ΔＤが１００ｎｍ以下となるように構成される。
ここで、マスクブランク用基板の内部領域の平坦度Ｆｉｎ１は８０ｎｍ以下が好ましく、５０ｎｍ以下がさらに好ましい。また、マスクブランク用基板の最大高低差ΔＤは７５ｎｍ以下が好ましく、５０ｎｍ以下がさらに好ましい。
後に詳しく示すように、マスクブランク用基板を、前述の（ｉ）および（ｉｉ）の特徴を有するように構成した場合、そのようなマスクブランク用基板から構成されたマスクブランクの成膜面に転写パターンを付与したマスクを、露光装置にチャックした際に、マスクの変形を有意に抑制することができる。
従って、第１の基板１００をマスクに適用した場合、前述のような、転写プロセスの精度が低下するという従来の問題を、有意に抑制することが可能となる。特に、第１の基板１００の場合、該第１の基板１００をＡｒＦ露光技術およびＥＵＶ露光技術用のマスクに適用した場合であっても、そのような効果を発揮することができる。
（その他の特徴）
第１の基板１００は、透明な材料で構成される。第１の基板１００は、例えば、ＳｉＯ２を９０質量％以上含む石英ガラスが好ましく使用できる。石英ガラスに占めるＳｉＯ２含有量の上限値は、１００質量％である。石英ガラスは、一般的なソーダライムガラスに比べて、線膨張係数が小さく、温度変化による寸法変化が小さい。石英ガラスは、ＳｉＯ２の他に、ＴｉＯ２含んでいてもよい。石英ガラスは、ＳｉＯ２を９０〜９５質量％、ＴｉＯ２を５〜１０質量％含んでいてもよい。ＴｉＯ２含有量が５〜１０質量％であると、室温付近での線膨張係数が略ゼロであり、室温付近での寸法変化がほとんど生じない。
第１の基板１００は、透明な材料で構成される。第１の基板１００は、例えば、ＳｉＯ２を９０質量％以上含む石英ガラスが好ましく使用できる。石英ガラスに占めるＳｉＯ２含有量の上限値は、１００質量％である。石英ガラスは、一般的なソーダライムガラスに比べて、線膨張係数が小さく、温度変化による寸法変化が小さい。石英ガラスは、ＳｉＯ２の他に、ＴｉＯ２含んでいてもよい。石英ガラスは、ＳｉＯ２を９０〜９５質量％、ＴｉＯ２を５〜１０質量％含んでいてもよい。ＴｉＯ２含有量が５〜１０質量％であると、室温付近での線膨張係数が略ゼロであり、室温付近での寸法変化がほとんど生じない。
具体的には２０℃における熱膨張係数が０±３０ｐｐｂ／℃の低膨張ガラスが好ましく、２０℃における熱膨張係数が０±１０ｐｐｂ／℃の超低膨張ガラスがさらに好ましく、２０℃における熱膨張係数が０±５ｐｐｂ／℃の超低膨張ガラスが特に好ましい。
透過型マスクや反射型マスクがこのような低熱膨張係数のガラスで構成されていれば、半導体製造工程における温度変化に充分に対応して高精細の回路パターンを良好に転写できる。石英ガラスは、ＳｉＯ２およびＴｉＯ２以外の微量成分を含んでもよいが、微量成分を含まないことが好ましい。
第１の基板１００の厚さは、例えば、６．２５ｍｍ〜６．４５ｍｍの範囲である。
前述のように、第１の基板１００は、マスクとして露光装置にチャックした際に、変形を有意に抑制することができる。
例えば、第１の基板１００は、第１の主表面１０２をステージに接触させ、「全面チャック方式」で第１の基板１００をステージに装着した際に、第２の主表面１０４の平坦度を、５０ｎｍ以下に抑制することができる。
ここで、「全面チャック方式」とは、マスクのような被装着対象物について、２つの辺のみをステージにチャックさせる「２辺チャック方式」、または４つの辺を枠状にステージにチャックさせる「４辺チャック方式」とは異なり、被装着対象物の主表面全体をステージにチャックさせる方式を意味する。
また、第２の主表面１０４の平坦度（以下、第２の平坦度Ｆｉｎ２という）は、前述のような第１の主表面１０２における内部領域１４０の平坦度Ｆｉｎ１と同様に規定される。すなわち、第２の主表面１０４において、前述の第１の主表面１０２における標準領域１２０と対応する領域を「裏面標準領域」とし、第１の主表面１０２における内部領域１４０と対応する領域を「裏面内部領域」としたとき、第２の平坦度Ｆｉｎ２は、裏面標準領域の最小二乗平面ＰＰ２を基準として、裏面内部領域の表面凹凸の最大高さと最小高さの差から求めることができる。
以上、第１の基板１００を例に、本発明の一実施形態によるマスクブランク用基板の特徴について説明した。しかしながら、上記記載は、単なる一例であって、本発明によるマスクブランク用基板がその他の形態および／または特徴を有しても良いことは当業者には明らかである。
例えば、図１に示した例では、第１の基板１００の第１の主表面１０２は、一辺の長さＬ１が１５２ｍｍの正方形形状を有する。しかしながら、第１の主表面１０２の一辺の長さＬ１、さらには第１の主表面１０２の形状は、これに限られるものではない。すなわち、第１の主表面１０２内に、一辺の長さＬ２が１４８ｍｍの標準領域１２０を区画することができる限り、第１の主表面１０２の寸法および形状は、特に限られないことに留意する必要がある。
（第１の基板の製造方法）
次に、前述のような特徴を有する第１の基板１００の製造方法の一例について、簡単に説明する。
次に、前述のような特徴を有する第１の基板１００の製造方法の一例について、簡単に説明する。
ただし、以下に示す方法は、単なる一例であって、第１の基板１００は、その他の方法で製造されてもよいことに留意する必要がある。また、ここでは、基板がガラス基板である場合を例に、第１の基板１００の製造方法について説明する。
第１の基板１００の製造方法（以下、「第１の製造方法」という）は、
（１）ガラス基板の情報取得工程と、
（２）ガラス基板の研磨工程と、
を有する。
（１）ガラス基板の情報取得工程と、
（２）ガラス基板の研磨工程と、
を有する。
以下、各工程について説明する。
（１．情報取得工程）
まず、元になるガラス基板が準備される。ガラス基板は、第１および第２の主表面を有する。ガラス基板は、例えば、一辺の長さが１５２ｍｍの正方形形状を有する。
まず、元になるガラス基板が準備される。ガラス基板は、第１および第２の主表面を有する。ガラス基板は、例えば、一辺の長さが１５２ｍｍの正方形形状を有する。
次に、ガラス基板の第１および第２の主表面の表面凹凸プロファイル、最小二乗平面、ならびにＰＶ値（最大高さと最小高さの差）など（以下、これらをまとめて「表面パラメータ」と称する）が測定される。これにより、加工前のガラス基板の主表面の凹凸形状に関する情報（以下、「初期表面パラメータ」と称する）が取得される。
（２．研磨工程）
次に、ガラス基板が研磨される。
次に、ガラス基板が研磨される。
ガラス基板の研磨は、予備研磨工程、局所研磨工程、および仕上げ研磨工程を含む。以下、各工程について、簡単に説明する。
（予備研磨工程）
まず、ガラス基板が予備研磨される。
まず、ガラス基板が予備研磨される。
この予備研磨工程では、ガラス基板の第１および第２の主表面の表面粗さとＰＶ値が所定の範囲内となるように、ガラス基板が粗研磨される。この際には、前述の情報取得工程で取得された初期表面パラメータに関する情報に基づき、ガラス基板が粗研磨される。
予備研磨工程には、公知の方法が適用できる。例えば、複数の両面ラップ研磨装置を連続使用して、ガラス基板の第１および第２の主表面を予備研磨しても良い。このとき、研磨布としては硬質ウレタンフォームまたはスウェードパッドを使用し、研磨剤としては粒径０．５μｍ〜２μｍの酸化セリウムを使用しても良い。
予備研磨工程後に、再度、第１および第２の主表面の表面パラメータが測定され、表面状態が確認される。
（局所研磨工程）
次に、ガラス基板の第１の主表面が局所研磨される。
次に、ガラス基板の第１の主表面が局所研磨される。
この局所研磨工程は、ガラス基板の第１の主表面上で、局所加工ツールを走査させることにより実施される。局所加工ツールには、公知のものが使用できる。例えば、イオンビームエッチング法、ガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）エッチング法、プラズマエッチング法、湿式エッチング法、磁性流体による研磨法、または回転研磨ツールによる研磨法などが用いられる。
ここで、局所研磨工程は、ガラス基板の第１の主表面において、前述の第１の基板１００が有するような特徴（ｉ）および（ｉｉ）が得られるように実施される。このため、局所研磨工程は、第１の主表面における等高線の分布をシミュレーションで想定して、実施されても良い。
局所研磨工程の途中で、確認のため、第１の主表面に対して、前述のような表面パラメータの測定が実施されても良い。
測定の結果、ガラス基板の第１の主表面に、前述の特徴（ｉ）および（ｉｉ）が得られたことが確認されると、局所研磨工程が完了する。
（仕上げ研磨工程）
次に、ガラス基板の第１および第２の主表面が最終研磨される。
次に、ガラス基板の第１および第２の主表面が最終研磨される。
この際には、ガラス基板の主表面よりも大きな面積を有する研磨パッドを使用し、研磨スラリーを供給しながら、ガラス基板の主表面を研磨しても良い。大きな研磨パッドを使用するのは、ガラス基板の主表面全体を同時に研磨するためである。
研磨パッドとしては、例えば、不織布などの基布にポリウレタン樹脂を含浸させることにより得られた、ポリウレタン樹脂発泡層を有する研磨パッドなどが使用できる。
研磨スラリーは、通常、研磨粒子と、その分散媒とから構成される。研磨スラリーは、コロイダルシリカまたは酸化セリウムを含んでも良い。コロイダルシリカは、精密にガラス基板を研磨することができるので、好ましい。
研磨粒子の分散媒としては、水および有機溶剤が挙げられる。
これにより、ガラス基板の第１および第２の主表面が最終的に仕上げられる。
以上の工程により、前述の（ｉ）および（ｉｉ）の特徴を有する第１の基板１００を製造することができる。
（本発明の一実施形態によるマスクブランク）
次に、本発明の一実施形態によるマスクブランクの一例について説明する。なお、ここでは、反射型のマスクブランクおよび透過型のマスクブランクのそれぞれについて、図面を参照して説明する。
次に、本発明の一実施形態によるマスクブランクの一例について説明する。なお、ここでは、反射型のマスクブランクおよび透過型のマスクブランクのそれぞれについて、図面を参照して説明する。
（反射型マスクブランク）
図２には、本発明の一実施形態による反射型のマスクブランクの断面を模式的に示す。
図２には、本発明の一実施形態による反射型のマスクブランクの断面を模式的に示す。
図２に示すように、この反射型のマスクブランク（以下、「第１のマスクブランク」と称する）１０は、基板２００を有する。
基板２００は、相互に対向する第１の主表面２０２および第２の主表面２０４を有する。基板２００の第１の主表面２０２には、第１の層２５０が配置され、基板２００の第２の主表面２０４には、第２の層２８０が配置される。
図２に示すように、第１のマスクブランク１０において、第１の層２５０の側の主表面を、第１のマスクブランク１０の第１の主表面１２と称し、第２の層２８０の側の主表面を、第１のマスクブランク１０の第２の主表面１４と称する。
第１の層２５０は、導電膜であり、例えば、窒化クロムなどで構成される。第１の層２５０を設けることにより、第１のマスクブランク１０をステージに静電的にチャックすることができる。
一方、第２の層２８０は、複数の膜で構成される。すなわち、第２の層２８０は、基板２００に近い側から順に、反射膜２８２、保護膜２８４、および吸収膜２８６等を有する。
このうち、反射膜２８２は、ＥＵＶ露光光のような光を反射する機能を有する。反射膜２８２は、例えば、Ｍｏ膜／Ｓｉ膜の繰り返し構造を有しても良い。
保護膜２８４は、吸収膜２８６のパターン処理の際に、反射膜２８２を保護する役割を有する。保護膜２８４は、例えば、ＲｕまたはＲｕ化合物で構成されても良い。ただし、保護膜２８４は必須の構成ではなく、省略されても良い。
吸収膜２８６は、露光光を吸収する材料で構成される。吸収膜２８６は、第１のマスクブランク１０がマスクとして使用される際には、パターン化構造を有するように提供され、転写プロセスにおいて、このパターンを被加工基板に転写することができる。
なお、吸収膜２８６の反射膜２８２とは反対の側に、低反射膜（例えばＴａＯＮまたはＴａＯなど）が形成されても良い。低反射膜は、吸収膜２８６の回路パターンの検査光に対し吸収膜２８６よりも低い反射特性を有する。ここで、低反射膜による検査光の反射率は、吸収膜２８６による検査光の反射率よりも低い。
なお、第１の層２５０および第２の層２８０の仕様および形成方法は、従来の反射型のマスクブランクの場合と同様である。従って、ここでは、これ以上説明しない。
このような第１のマスクブランク１０は、例えば、ＥＵＶ露光技術等に利用される。
ＥＵＶ露光技術において、第１のマスクブランク１０が実際にマスクとして使用される場合、第１の主表面１２の側が、露光装置のステージにチャックされる側となる。また、第２の主表面１４の側が、露光光の照射側となる。
ここで、第１のマスクブランク１０は、前述の（ｉｉｉ）および（ｉｖ）の特徴を有するように構成される。
なお、（ｉｉｉ）および（ｉｖ）の特徴において、第１のマスクブランク１０の内部領域の平坦度Ｆｉｎ１および最大高低差ΔＤの好適範囲は、前述の第１のマスクブランク基板１００における平坦度Ｆｉｎ１および最大高低差ΔＤの好適範囲とは幾分異なっている。
これは、通常、マスクブランクを製造するため、マスクブランク用基板に成膜を実施すると、膜応力によってマスクブランク用基板が反るためである。その結果、通常の場合、マスクブランクの主表面の平坦度Ｆｉｎ１および最大高低差ΔＤは、マスクブランク用基板のＦｉｎ１およびΔＤよりも大きくなる。
ただし、そのような変形が生じても、マスクブランクを、前述の（ｉｉｉ）および（ｉｖ）の特徴を有するように構成すれば、このマスクブランクから製造されるマスクを露光装置にチャックした際に、従来に比べてマスクの変形を有意に抑制することができる。また、これにより、所望のパターンを高精度で被加工基板に転写することが可能となる。
第１のマスクブランク１０において、前記内部領域の平坦度Ｆｉｎ１は１８０ｎｍ以下が好ましく、１５０ｎｍ以下がさらに好ましく、前記最大高低差ΔＤは１２５ｎｍ以下が好ましく、１００ｎｍ以下がさらに好ましい。
従って、第１のマスクブランク１０から構成されたマスクを露光装置にチャックした際には、従来に比べてマスクの変形を有意に抑制することができる。また、これにより、所望のパターンを高精度で被加工基板に転写することが可能となる。
（透過型のマスクブランク）
図３には、本発明の一実施形態による透過型のマスクブランクの断面を模式的に示す。
図３には、本発明の一実施形態による透過型のマスクブランクの断面を模式的に示す。
図３に示すように、この透過型のマスクブランク（以下、「第２のマスクブランク」と称する）２０は、基板３００を有する。
基板３００は、相互に対向する第１の主表面３０２および第２の主表面３０４を有する。基板３００の第１の主表面３０２には、第１の層３８０が配置される。
図３に示すように、第２のマスクブランク２０において、第１の層３８０の側の主表面を、第２のマスクブランク２０の第１の主表面２２と称し、反対側の主表面を、第２のマスクブランク２０の第２の主表面２４と称する。
なお、図３からは明確ではないが、第１の層３８０は、複数の膜で構成されても良い。そのような膜は、例えば、遮光膜および／またはハーフトーン膜等であっても良い。
なお、第１の層３８０の仕様および形成方法は、従来の透過型のマスクブランクの場合と同様である。従って、ここでは、これ以上説明しない。
このような第２のマスクブランク２０は、例えば、ＡｒＦ露光技術等に利用される。
ＡｒＦ露光技術において、第２のマスクブランク２０が実際にマスクとして使用される場合、基板３００の第１の主表面３０２の側が、露光装置のステージにチャックされる側となる。また、第２の主表面３０４の側が、露光光の照射側となる。
ここで、第２のマスクブランク２０は、前述の（ｉｉｉ）および（ｉｖ）の特徴を有するように構成される。
この場合も、第２のマスクブランク２０から構成されたマスクを露光装置にチャックした際には、従来に比べてマスクの変形を有意に抑制することができる。また、これにより、所望のパターンを高精度で被加工基板に転写することが可能となる。
第２のマスクブランク２０において、前記最大高低差ΔＤは１２５ｎｍ以下が好ましく、１００ｎｍ以下がさらに好ましい。
次に、本発明の実施例について説明する。なお、以下の説明において、例１は、実施例であり、例２および例３は比較例である。
（事前準備）
まず、ガラス基板を１３枚準備し、それぞれに対して予備研磨を行った。
まず、ガラス基板を１３枚準備し、それぞれに対して予備研磨を行った。
ガラス基板には、ＴｉＯ２ドープガラス基板を使用した。なお、これらのガラス基板は、縦１５２ｍｍ×横１５２ｍｍの正方形状である。
予備研磨後に、各ガラス基板の第１および第２の主表面の表面パラメータを測定した。その結果、各ガラス基板の第１の主表面における最大高さと最小高さの差は、２００ｎｍ〜３５０ｎｍの範囲であった。なお、最大高さと最小高さの差は、フジノン社製の平坦度測定機を用いて測定した。
また、第１の主表面における表面粗さ（算術平均粗さＲａ）を白色干渉計を用いて２．８ｍｍ×２．１ｍｍの範囲で測定した。その結果、算術平均粗さＲａは、０．８ｎｍ〜１．２ｎｍであった。第２の主表面においても、同様の値が得られた。
なお、予備研磨後の各ガラス基板の厚さは、６．４４８ｍｍ〜６．４４９ｍｍの範囲であった。
（例１）
予備研磨されたガラス基板７枚について、第１の主表面を局所研磨した。局所研磨には、研磨領域がφ１５ｍｍの回転型小型加工ツールを使用した。
予備研磨されたガラス基板７枚について、第１の主表面を局所研磨した。局所研磨には、研磨領域がφ１５ｍｍの回転型小型加工ツールを使用した。
局所研磨条件は、以下の通りである：
研磨剤：平均粒子径（Ｄ５０）２μｍの酸化セリウム；
研磨パッド：軟質パッド（ベラトリクスＮ７５１２、株式会社Ｆｉｌｗｅｌ製）；
研磨加工部の回転数：４００ｒｐｍ；
研磨圧力：２．５ｇ重／ｍｍ2。
研磨剤：平均粒子径（Ｄ５０）２μｍの酸化セリウム；
研磨パッド：軟質パッド（ベラトリクスＮ７５１２、株式会社Ｆｉｌｗｅｌ製）；
研磨加工部の回転数：４００ｒｐｍ；
研磨圧力：２．５ｇ重／ｍｍ2。
なお、局所研磨処理は、第１の主表面に、図４に示すような等高線分布が得られることを想定して実施した。
図４には、例１において、局所研磨処理の際に想定された、第１の主表面における等高線の分布を模式的に示す。
図４に示すように、第１の主表面４０２は、標準領域４２０（１４８ｍｍ×１４８ｍｍ）を含み、該標準領域４２０は、枠状領域４３０および内部領域４４０（１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）に区画される。また、各等高線４１１〜４１５は、略正方形状で、角部がラウンドされた形状となっており、それぞれの正方形の中心は、第１の主表面４０２の中心と一致している。
なお、等高線４１１〜４１５は、正方形の寸法が大きくなるほど、レベルが高くなる（すなわち表面が高くなる）ことを表し、逆に言えば、正方形の寸法が小さくなるほど、レベルが低くなる（すなわち表面が低くなる）ことを表している。隣接する等高線の高さレベルの差は、約１００ｎｍである。
ここで、局所研磨処理の際には、枠状領域４３０が、なるべく多くの等高線と交差しないように留意した。例えば、図４の例では、枠状領域４３０には、４つのコーナー領域で枠状領域４３０と交差する一本の等高線４１４しか導入されておらず、この等高線４１４は、実質的に枠状領域４３０の外枠に一致している（従って、枠状領域４３０のコーナー領域以外の部分では、実質的に交差されていない）。
このような局所研磨処理の完了後に、各ガラス基板の両主表面に対して、仕上げ研磨を行った。
仕上げ研磨条件は、以下の通りである：
研磨試験機：両面２４Ｂ研磨機（浜井産業株式会社製）；
研磨パッド：ベラトリクスＮ７５１２（株式会社Ｆｉｌｗｅｌ製）；
研磨定盤回転数：１０ｒｐｍ；
研磨時間：３０分；
研磨荷重：０．５２ｇ重／ｍｍ2；
研磨量：０．０６μｍ／面；
希釈水：純水（０．１μｍ以上異物濾過）；
研磨スラリー：平均一次粒径２０ｎｍ未満のコロイダルシリカを２０質量％含有；
研磨スラリー流量：１０リットル／ｍｉｎ。
研磨試験機：両面２４Ｂ研磨機（浜井産業株式会社製）；
研磨パッド：ベラトリクスＮ７５１２（株式会社Ｆｉｌｗｅｌ製）；
研磨定盤回転数：１０ｒｐｍ；
研磨時間：３０分；
研磨荷重：０．５２ｇ重／ｍｍ2；
研磨量：０．０６μｍ／面；
希釈水：純水（０．１μｍ以上異物濾過）；
研磨スラリー：平均一次粒径２０ｎｍ未満のコロイダルシリカを２０質量％含有；
研磨スラリー流量：１０リットル／ｍｉｎ。
以上の工程により、７枚のマスクブランク用基板が得られた。各マスクブランク用基板をそれぞれ、サンプル１−１〜サンプル１−７と称する。
上記仕上げ研磨工程終了後に、各マスクブランク用基板の最大高さと最小高さの差を、フジノン社製の平坦度測定機により測定した。
（例２）
例１と同様の方法により、予備研磨されたガラス基板４枚について、第１の主表面を局所研磨した。
例１と同様の方法により、予備研磨されたガラス基板４枚について、第１の主表面を局所研磨した。
ただし、この例２では、局所研磨処理は、第１の主表面に、図５に示すような等高線分布が得られることを想定して実施した。
図５には、例２において、局所研磨処理の際に想定された、第１の主表面における等高線の分布を模式的に示す。
図５に示すように、第１の主表面４０２は、標準領域４２０（１４８ｍｍ×１４８ｍｍ）を含み、該標準領域４２０は、枠状領域４３０および内部領域４４０（１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）に区画される。また、各等高線５１１〜５１５は、略円形で、それぞれの円の中心は、第１の主表面４０２の中心と一致している。
なお、等高線５１１〜５１５は、円の直径が大きくなるほど、レベルが高くなる（すなわち表面が高くなる）ことを表し、逆に言えば、円の直径が小さくなるほど、レベルが低くなる（すなわち表面が低くなる）ことを表している。隣接する等高線の高さレベルの差は、約１００ｎｍである。
この例では、二本の等高線５１４、５１５が枠状領域４３０と交差している。また、枠状領域４３０の４つのコーナー領域には、等高線５１４〜等高線５１５の間の領域と、等高線５１５の外側の領域の、２つの異なる高さ領域が存在する。
このような局所研磨処理の完了後に、各ガラス基板の両主表面に対して、例１の場合と同様の仕上げ研磨を行った。
得られた各マスクブランク用基板をそれぞれ、サンプル２−１〜サンプル２−４と称する。
（例３）
例１と同様の方法により、予備研磨されたガラス基板２枚について、第１の主表面を局所研磨した。
例１と同様の方法により、予備研磨されたガラス基板２枚について、第１の主表面を局所研磨した。
ただし、この例３では、局所研磨処理は、第１の主表面に、図６に示すような等高線分布が得られることを想定して実施した。
図６には、例３において、局所研磨処理の際に想定された、第１の主表面における等高線の分布を模式的に示す。
図６に示すように、第１の主表面４０２は、標準領域４２０（１４８ｍｍ×１４８ｍｍ）を含み、該標準領域４２０は、枠状領域４３０および内部領域４４０（１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）に区画される。また、各等高線６１１〜６１７は、略正方形状で、角部がラウンドされた形状となっており、それぞれの正方形の中心は、第１の主表面４０２の中心と一致している。
なお、等高線６１１〜６１７は、正方形の寸法が大きくなるほど、レベルが高くなる（すなわち表面が高くなる）ことを表し、逆に言えば、正方形の寸法が小さくなるほど、レベルが低くなる（すなわち表面が低くなる）ことを表している。隣接する等高線の高さレベルの差は、約１００ｎｍである。
この例では、枠状領域４３０には、４つのコーナー領域で枠状領域４３０と交差する一本の等高線６１６しか導入されておらず、この等高線６１６は、実質的に枠状領域４３０の外枠に一致している（従って、枠状領域４３０のコーナー領域以外の部分では、実質的に交差されていない）。
このような局所研磨処理の完了後に、各ガラス基板の両主表面に対して、例１の場合と同様の仕上げ研磨を行った。
得られた各マスクブランク用基板をそれぞれ、サンプル３−１およびサンプル３−２と称する。
（評価）
前述のように調製された各サンプルについて、以下の評価を実施した。
前述のように調製された各サンプルについて、以下の評価を実施した。
なお、以降、各サンプルの第１の主表面の各領域は、前述の図１で示した名称で表す。
（内部領域の平坦度Ｆｉｎ１）
各サンプルの第１の主表面において、中央部分の内部領域（Ｌ２＝１３２ｍｍの正方形領域）の平坦度Ｆｉｎ１を評価した。
各サンプルの第１の主表面において、中央部分の内部領域（Ｌ２＝１３２ｍｍの正方形領域）の平坦度Ｆｉｎ１を評価した。
内部領域の平坦度Ｆｉｎ１は、前述のように、標準領域における最小二乗平面ＰＰ１を測定し、この最小二乗平面ＰＰ１に基づいて算定した。
（最大高低差ΔＤ）
各サンプルの第１の主表面において、前述の（１）式で表される最大高低差ΔＤを算定した。
各サンプルの第１の主表面において、前述の（１）式で表される最大高低差ΔＤを算定した。
以下の表１には、各サンプルで得られた内部領域の平坦度Ｆｉｎ１および最大高低差ΔＤをまとめて示した。
次に、各サンプルを全面チャック方式でステージに真空装着させ、サンプルに生じる変形状態を評価した。評価の際、各サンプルは、第１の主表面の側がステージと接触するようにして、真空装着させた。
なお、変形の状態は、サンプルの第２の主表面における第２の平坦度Ｆｉｎ２で評価した。この第２の平坦度Ｆｉｎ２は、前述のように、裏面標準領域の最小二乗平面ＰＰ２を基準として、規定される。
各サンプルにおいて得られた評価結果を、前述の表１の「チャック時の平坦度」の欄にまとめて示した。
この表１から、サンプル１−７では、いずれも内部領域の平坦度Ｆｉｎ１が１００ｎｍ以下となっていることがわかる。これに対して、サンプル３−１、３−２では、内部領域の平坦度Ｆｉｎ１が１００ｎｍを超えていることがわかる。
また、サンプル１−７では、いずれも最大高低差ΔＤが１００ｎｍ以下となっていることがわかる。一方、サンプル２−１〜２−４では、最大高低差ΔＤが１００ｎｍを超えていることがわかる。
さらに、サンプル１−７では、いずれもチャック時の平坦度が３０ｎｍ以下となっているのに対して、サンプル２−１〜２−４、ならびにサンプル３−１、３−２では、チャック時の平坦度が５０を超えることがわかった。
図７には、各サンプルにおいて得られた最大高低差ΔＤとチャック時の平坦度の関係をプロットしたグラフを示す。
この図７から、サンプル２−１〜２−４ならびに３−１、３−２では、チャック時の平坦度が５０ｎｍを超え、あまり良好な平坦度が得られていないことがわかる。これに対して、サンプル１−１〜１−７では、チャック時の平坦度が５０ｎｍ以下、特に３０ｎｍ以下となっており、良好な結果が得られていることがわかる。
このように、前述の（ｉ）および（ｉｉ）の特徴を満たすようにマスクブランク用基板を製造することにより、チャック時の変形が有意に抑制されることが確認された。
（例１１）
前述の方法で得られたサンプル１−１を用いて、以下の方法によりマスクブランクを製造した。
前述の方法で得られたサンプル１−１を用いて、以下の方法によりマスクブランクを製造した。
（導電膜の形成）
サンプル１−１の第１の主表面に、マグネトロンスパッタリング法を用いて、導電膜を成膜した。導電膜は、ＣｒＮＨ膜とした。
サンプル１−１の第１の主表面に、マグネトロンスパッタリング法を用いて、導電膜を成膜した。導電膜は、ＣｒＮＨ膜とした。
導電膜の成膜条件は以下の通りである：
ターゲット；Ｃｒターゲット
真空度；１×１０−４Ｐａ以下
スパッタリングガス：ＡｒとＮ2とＨ2の混合ガス（Ａｒ：５８．２ｖｏｌ％、Ｎ2：４０ｖｏｌ％、Ｈ2：１．８ｖｏｌ％）
ガス圧；０．１Ｐａ
投入電力；１５００Ｗ
成膜速度；０．１８ｎｍ／ｓｅｃ
導電膜の膜厚は、１８５ｎｍを目標とした。
ターゲット；Ｃｒターゲット
真空度；１×１０−４Ｐａ以下
スパッタリングガス：ＡｒとＮ2とＨ2の混合ガス（Ａｒ：５８．２ｖｏｌ％、Ｎ2：４０ｖｏｌ％、Ｈ2：１．８ｖｏｌ％）
ガス圧；０．１Ｐａ
投入電力；１５００Ｗ
成膜速度；０．１８ｎｍ／ｓｅｃ
導電膜の膜厚は、１８５ｎｍを目標とした。
（反射膜の形成）
次に、サンプル１−１の第２の主表面に、イオンビームスパッタリング法を用いて反射膜を形成した。
次に、サンプル１−１の第２の主表面に、イオンビームスパッタリング法を用いて反射膜を形成した。
反射膜は、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜とした。より具体的には、目標厚さ２．３ｎｍのＭｏ層の成膜と、目標厚さ４．５ｎｍのＳｉ層の成膜とを交互に５０回繰り返し、厚さ３４０ｎｍのＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成した。
Ｍｏ層の成膜条件は以下の通りである：
ターゲット；Ｍｏターゲット
スパッタリングガス；Ａｒガス（ガス圧：０．０２Ｐａ）
電圧；７００Ｖ
成膜速度；０．０６４ｎｍ／ｓｅｃ
一方、Ｓｉ層の成膜条件は以下の通りである：
ターゲット；Ｓｉターゲット（ホウ素ドープ）
スパッタリングガス；Ａｒガス（ガス圧：０．０２Ｐａ）
電圧；７００Ｖ
成膜速度；０．０７７ｎｍ／ｓｅｃ。
ターゲット；Ｍｏターゲット
スパッタリングガス；Ａｒガス（ガス圧：０．０２Ｐａ）
電圧；７００Ｖ
成膜速度；０．０６４ｎｍ／ｓｅｃ
一方、Ｓｉ層の成膜条件は以下の通りである：
ターゲット；Ｓｉターゲット（ホウ素ドープ）
スパッタリングガス；Ａｒガス（ガス圧：０．０２Ｐａ）
電圧；７００Ｖ
成膜速度；０．０７７ｎｍ／ｓｅｃ。
（保護膜の形成）
次に、反射膜上に、イオンビームスパッタリング法を用いて保護膜を形成した。保護膜は、Ｒｕ層とした。
次に、反射膜上に、イオンビームスパッタリング法を用いて保護膜を形成した。保護膜は、Ｒｕ層とした。
保護膜の成膜条件は以下の通りである：
ターゲット；Ｒｕターゲット
スパッタリングガス；Ａｒガス（ガス圧：０．０２Ｐａ）
電圧；７００Ｖ
成膜速度；０．０５２ｎｍ／ｓｅｃ
保護膜の膜厚は、２．５ｎｍを目標とした。
ターゲット；Ｒｕターゲット
スパッタリングガス；Ａｒガス（ガス圧：０．０２Ｐａ）
電圧；７００Ｖ
成膜速度；０．０５２ｎｍ／ｓｅｃ
保護膜の膜厚は、２．５ｎｍを目標とした。
（吸収膜の形成）
次に、保護膜上に、マグネトロンスパッタリング法を用いて吸収膜を形成した。吸収膜は、ＴａＮ層とした。
次に、保護膜上に、マグネトロンスパッタリング法を用いて吸収膜を形成した。吸収膜は、ＴａＮ層とした。
吸収膜の成膜条件は以下の通りである：
ターゲット；Ｔａターゲット
スパッタリングガス；ＡｒとＮ２の混合ガス（Ａｒ：８６ｖｏｌ％、Ｎ２：１４ｖｏｌ％）
ガス圧；０．３Ｐａ
投入電力；１５０Ｗ、
成膜速度；７．２ｎｍ／ｍｉｎ
吸収膜の膜厚は、６０ｎｍを目標とした。
ターゲット；Ｔａターゲット
スパッタリングガス；ＡｒとＮ２の混合ガス（Ａｒ：８６ｖｏｌ％、Ｎ２：１４ｖｏｌ％）
ガス圧；０．３Ｐａ
投入電力；１５０Ｗ、
成膜速度；７．２ｎｍ／ｍｉｎ
吸収膜の膜厚は、６０ｎｍを目標とした。
（低反射膜の形成）
次に、吸収膜上に、マグネトロンスパッタリング法を用いて低反射膜を形成した。低反射膜は、ＴａＯＮ層とした。
次に、吸収膜上に、マグネトロンスパッタリング法を用いて低反射膜を形成した。低反射膜は、ＴａＯＮ層とした。
低反射膜の成膜条件は以下の通りである：
ターゲット；Ｔａターゲット
スパッタリングガス；ＡｒとＯ２とＮ２の混合ガス（Ａｒ：４９ｖｏｌ％、Ｏ２：３７ｖｏｌ％、Ｎ２：１４ｖｏｌ％）
ガス圧；０．３Ｐａ
投入電力；２５０Ｗ
成膜速度；２．０ｎｍ／ｍｉｎ
低反射膜の膜厚は、８ｎｍを目標とした。
ターゲット；Ｔａターゲット
スパッタリングガス；ＡｒとＯ２とＮ２の混合ガス（Ａｒ：４９ｖｏｌ％、Ｏ２：３７ｖｏｌ％、Ｎ２：１４ｖｏｌ％）
ガス圧；０．３Ｐａ
投入電力；２５０Ｗ
成膜速度；２．０ｎｍ／ｍｉｎ
低反射膜の膜厚は、８ｎｍを目標とした。
以上の工程により、サンプル１−１を含むマスクブランク（以下、「マスクブランク１１」と称する）が製造された。
フジノン社製の平坦度測定機を用いて、マスクブランク１１の最大高さと最小高さの差を測定した。
（例１２〜例１７）
例１１と同様の方法により、サンプル１−２〜サンプル１−７を用いて、それぞれ、マスクブランク１２〜マスクブランク１７を製造した。
例１１と同様の方法により、サンプル１−２〜サンプル１−７を用いて、それぞれ、マスクブランク１２〜マスクブランク１７を製造した。
（例２１〜例２４）
例１１と同様の方法により、サンプル２−１〜サンプル２−４を用いて、それぞれ、マスクブランク２１〜マスクブランク２４を製造した。
例１１と同様の方法により、サンプル２−１〜サンプル２−４を用いて、それぞれ、マスクブランク２１〜マスクブランク２４を製造した。
（例３１〜例３２）
例１１と同様の方法により、サンプル３−１〜サンプル３−２を用いて、それぞれ、マスクブランク３１〜マスクブランク３２を製造した。
例１１と同様の方法により、サンプル３−１〜サンプル３−２を用いて、それぞれ、マスクブランク３１〜マスクブランク３２を製造した。
（評価）
各マスクブランクを用いて、前記各サンプルに対して実施した評価と同様の評価を実施した。
各マスクブランクを用いて、前記各サンプルに対して実施した評価と同様の評価を実施した。
以下の表２には、各マスクブランクにおいて得られた評価結果をまとめて示す。
また、マスクブランク１１〜マスクブランク１７では、いずれも最大高低差ΔＤが１５０ｎｍ以下となっていることがわかる。一方、マスクブランク２１〜マスクブランク２４では、最大高低差ΔＤが１５０ｎｍを超えていることがわかる。
さらに、マスクブランク１１〜マスクブランク１７では、いずれもチャック時の平坦度が３０ｎｍ以下となっているのに対して、マスクブランク２１〜マスクブランク２４、ならびにマスクブランク３１〜マスクブランク３２では、チャック時の平坦度が５０を超えることがわかった。
図８には、各マスクブランクにおいて得られた最大高低差ΔＤとチャック時の平坦度の関係をプロットしたグラフを示す。
この図８から、マスクブランク２１〜マスクブランク２４、ならびにマスクブランク３１〜マスクブランク３２では、チャック時の平坦度が５０ｎｍを超え、あまり良好な平坦度が得られていないことがわかる。これに対して、マスクブランク１１〜マスクブランク１７では、チャック時の平坦度が５０ｎｍ以下、特に３０ｎｍ以下となっており、良好な結果が得られていることがわかる。
このように、前述の（ｉｉｉ）および（ｉｖ）の特徴を満たすようにマスクブランクを製造することにより、チャック時の変形が有意に抑制されることが確認された。
１０ 反射型マスクブランク
１２ 第１の主表面
１４ 第２の主表面
２０ 透過型マスクブランク
２２ 第１の主表面
２４ 第２の主表面
１００ マスクブランク用基板
１０２ 第１の主表面
１０４ 第２の主表面
１１０ 輪郭線
１２０ 標準領域
１３０ 枠状領域
１４０ 内部領域
１４２ 第１の辺（第１の内側辺）
１４３ 第１の外側辺
１４４ 第２の辺（第２の内側辺）
１４５ 第２の外側辺
１４６ 第３の辺（第３の内側辺）
１４７ 第３の外側辺
１４８ 第４の辺（第４の内側辺）
１４９ 第４の外側辺
１６１ 第１のコーナー領域
１６２ 第２のコーナー領域
１６３ 第３のコーナー領域
１６４ 第４のコーナー領域
１７１ 第１の中央領域
１７２ 第２の中央領域
１７３ 第３の中央領域
１７４ 第４の中央領域
２００ 基板
２０２ 第１の主表面
２０４ 第２の主表面
２５０ 第１の層
２８０ 第２の層
２８２ 反射膜
２８４ 保護膜
２８６ 吸収膜
３００ 基板
３０２ 第１の主表面
３０４ 第２の主表面
３８０ 第１の層
４０２ 第１の主表面
４２０ 標準領域
４３０ 枠状領域
４４０ 内部領域
４１１〜４１５ 等高線
５１１〜５１５ 等高線
６１１〜６１７ 等高線
１２ 第１の主表面
１４ 第２の主表面
２０ 透過型マスクブランク
２２ 第１の主表面
２４ 第２の主表面
１００ マスクブランク用基板
１０２ 第１の主表面
１０４ 第２の主表面
１１０ 輪郭線
１２０ 標準領域
１３０ 枠状領域
１４０ 内部領域
１４２ 第１の辺（第１の内側辺）
１４３ 第１の外側辺
１４４ 第２の辺（第２の内側辺）
１４５ 第２の外側辺
１４６ 第３の辺（第３の内側辺）
１４７ 第３の外側辺
１４８ 第４の辺（第４の内側辺）
１４９ 第４の外側辺
１６１ 第１のコーナー領域
１６２ 第２のコーナー領域
１６３ 第３のコーナー領域
１６４ 第４のコーナー領域
１７１ 第１の中央領域
１７２ 第２の中央領域
１７３ 第３の中央領域
１７４ 第４の中央領域
２００ 基板
２０２ 第１の主表面
２０４ 第２の主表面
２５０ 第１の層
２８０ 第２の層
２８２ 反射膜
２８４ 保護膜
２８６ 吸収膜
３００ 基板
３０２ 第１の主表面
３０４ 第２の主表面
３８０ 第１の層
４０２ 第１の主表面
４２０ 標準領域
４３０ 枠状領域
４４０ 内部領域
４１１〜４１５ 等高線
５１１〜５１５ 等高線
６１１〜６１７ 等高線
Claims (10)
- 相互に対向する第１および第２の主表面を有するマスクブランク用基板であって、
前記第１の主表面の略中央部には、一辺の長さがＬ２の正方形の形状の標準領域が存在し、
前記標準領域は、該標準領域の外周部分に相当する枠状領域と、該枠状領域に取り囲まれた内部領域とで構成され、
前記内部領域は、一辺の長さＬ３が１３２ｍｍの正方形状であり、
前記枠状領域は、前記標準領域の正方形の各辺に一致する４辺からなる外枠と、前記内部領域の正方形の各辺に一致する４辺からなる内枠とを有し、前記外枠は、前記内枠を、該内枠の各辺のそれぞれが、外方に向かって８ｍｍだけ平行移動するように広げられた形状と一致し、
前記枠状領域の前記外枠の各頂点を、それぞれ、反時計回りに、頂点Ａ２、Ｂ２、Ｃ２およびＤ２としたとき、前記枠状領域は、各コーナー部に、第１〜第４のコーナー領域を有し、第１のコーナー領域は頂点Ａ２を含み、第２のコーナー領域は頂点Ｂ２を含み、第３のコーナー領域は頂点Ｃ２を含み、第４のコーナー領域は頂点Ｄ２を含み、各コーナー領域は、一辺の長さが８ｍｍの正方形状であり、
前記枠状領域において、前記第１のコーナー領域と前記第４のコーナー領域の中間位置には、一辺の長さが８ｍｍの正方形の第１の中央領域が区画され、前記第１のコーナー領域と前記第２のコーナー領域の中間位置には、一辺の長さが８ｍｍの正方形の第２の中央領域が区画され、前記第２のコーナー領域と前記第３のコーナー領域の中間位置には、一辺の長さが８ｍｍの正方形の第３の中央領域が区画され、前記第３のコーナー領域と前記第４のコーナー領域の中間位置には、一辺の長さが８ｍｍの正方形の第４の中央領域が区画され、
（ｉ）前記標準領域の最小二乗平面ＰＰ１に基づいて定められる前記内部領域の平坦度Ｆｉｎ１は、１００ｎｍ以下であり、
（ｉｉ）前記枠状領域の一つのコーナー領域を第ｎのコーナー領域とし、該第ｎのコーナー領域に最近接の２つの中央領域を、それぞれ、第１近接中央領域および第２近接中央領域とし、
前記最小二乗平面ＰＰ１に基づいて定められる、第ｎのコーナー領域の最大高さをＨｍａｘ（Ｃｎ）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｃｎ）とし、前記第１近接中央領域の最大高さをＨｍａｘ（Ｍ１）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｍ１）とし、前記第２近接中央領域の最大高さをＨｍａｘ（Ｍ２）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｍ２）としたとき、
ｎ＝１〜４のいずれにおいても、以下の（１）式
ΔＤ＝Ｍａｘ｛Ｈｍａｘ（Ｃｎ）−Ｈｍｉｎ（Ｍ１），Ｈｍａｘ（Ｃｎ）−Ｈｍｉｎ（Ｍ２），Ｈｍａｘ（Ｍ１）−Ｈｍｉｎ（Ｃｎ），Ｈｍａｘ（Ｍ２）−Ｈｍｉｎ（Ｃｎ）｝ （１）式
で表される最大高低差ΔＤが１００ｎｍ以下であり、
ここで、Ｍａｘ｛ｘ１，ｘ２，ｘ３，ｘ４｝は、ｘ１〜ｘ４の中の最大値を意味する、マスクブランク用基板。 - 前記第１の主表面は、一辺の長さＬ１が１５２ｍｍの正方形状である、請求項１に記載のマスクブランク用基板。
- 当該マスクブランク用基板は、ガラス基板である、請求項１または２に記載のマスクブランク用基板。
- 基板を有するマスクブランクであって、
当該マスクブランクは、第１の主表面および第２の主表面を有し、
前記第２の主表面は、回路パターン用の層が配置された側の主表面であり、
前記第１の主表面の略中央部には、一辺の長さがＬ２の正方形の形状の標準領域が存在し、
前記標準領域は、該標準領域の外周部分に相当する枠状領域と、該枠状領域に取り囲まれた内部領域とで構成され、
前記内部領域は、一辺の長さＬ３が１３２ｍｍの正方形状であり、
前記枠状領域は、前記標準領域の正方形の各辺に一致する４辺からなる外枠と、前記内部領域の正方形の各辺に一致する４辺からなる内枠とを有し、前記外枠は、前記内枠を、該内枠の各辺のそれぞれが、外方に向かって８ｍｍだけ平行移動するように広げられた形状と一致し、
前記枠状領域の前記外枠の各頂点を、それぞれ、反時計回りに、頂点Ａ２、Ｂ２、Ｃ２およびＤ２としたとき、前記枠状領域は、各コーナー部に、第１〜第４のコーナー領域を有し、第１のコーナー領域は頂点Ａ２を含み、第２のコーナー領域は頂点Ｂ２を含み、第３のコーナー領域は頂点Ｃ２を含み、第４のコーナー領域は頂点Ｄ２を含み、各コーナー領域は、一辺の長さが８ｍｍの正方形状であり、
前記枠状領域において、前記第１のコーナー領域と前記第４のコーナー領域の中間位置には、一辺の長さが８ｍｍの正方形の第１の中央領域が区画され、前記第１のコーナー領域と前記第２のコーナー領域の中間位置には、一辺の長さが８ｍｍの正方形の第２の中央領域が区画され、前記第２のコーナー領域と前記第３のコーナー領域の中間位置には、一辺の長さが８ｍｍの正方形の第３の中央領域が区画され、前記第３のコーナー領域と前記第４のコーナー領域の中間位置には、一辺の長さが８ｍｍの正方形の第４の中央領域が区画され、
（ｉｉｉ）前記標準領域の最小二乗平面ＰＰ１に基づいて定められる前記内部領域の平坦度Ｆｉｎ１は、２００ｎｍ以下であり、
（ｉｖ）前記枠状領域の一つのコーナー領域を第ｎのコーナー領域とし、該第ｎのコーナー領域に最近接の２つの中央領域を、それぞれ、第１近接中央領域および第２近接中央領域とし、
前記最小二乗平面ＰＰ１に基づいて定められる、第ｎのコーナー領域の最大高さをＨｍａｘ（Ｃｎ）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｃｎ）とし、前記第１近接中央領域の最大高さをＨｍａｘ（Ｍ１）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｍ１）とし、前記第２近接中央領域の最大高さをＨｍａｘ（Ｍ２）とし、最小高さをＨｍｉｎ（Ｍ２）としたとき、
ｎ＝１〜４のいずれにおいても、以下の（１）式
ΔＤ＝Ｍａｘ｛Ｈｍａｘ（Ｃｎ）−Ｈｍｉｎ（Ｍ１），Ｈｍａｘ（Ｃｎ）−Ｈｍｉｎ（Ｍ２），Ｈｍａｘ（Ｍ１）−Ｈｍｉｎ（Ｃｎ），Ｈｍａｘ（Ｍ２）−Ｈｍｉｎ（Ｃｎ）｝ （１）式
で表される最大高低差ΔＤが１５０ｎｍ以下であり、
ここで、Ｍａｘ｛ｘ１，ｘ２，ｘ３，ｘ４｝は、ｘ１〜ｘ４の中の最大値を意味する、マスクブランク。 - 前記第１の主表面は、一辺の長さＬ１が１５２ｍｍの正方形状である、請求項４に記載のマスクブランク。
- 前記基板は、ガラス基板である、請求項４または５に記載のマスクブランク。
- 前記回路パターン用の層は、光を遮光する遮光膜を備える、請求項４乃至６のいずれか一つに記載のマスクブランク。
- 前記回路パターン用の層は、光を吸収する吸収膜を備え、さらに、前記吸収膜と前記基板との間に、前記光を反射する反射膜を備える、請求項４乃至６のいずれか一つに記載のマスクブランク。
- 前記回路パターン用の層は、前記ガラス基板の前記第２の主表面に近い順に、光を反射する反射膜と、前記光を吸収する吸収膜と、前記吸収膜の回路パターンの検査光に対し前記吸収膜よりも低反射特性を有する低反射膜とを有する、請求項４乃至６のいずれか一つに記載のマスクブランク。
- 前記第１の主表面に導電膜を備える、請求項８または９に記載のマスクブランク。
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