JP6269868B2 - マスクブランク - Google Patents
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Description
回路パターンを有する膜が形成される矩形の主表面を有するガラス基板と、
前記膜とを備えるマスクブランクであって、
前記膜の前記ガラス基板とは反対側の主表面は、矩形であって、当該主表面のうち、その四角枠状の外周領域を除く、縦142mm、横142mmの正方形の中央領域の面形状を下記式で表すと、
下記式中のkとlとの和が3以上30以下である全てのaklPk(x)Pl(y)を足した成分の平坦度が22nm以下である、マスクブランクが提供される。
1次研磨工程では、図4に示す両面研磨機を用いてガラス基板の2つの主表面を同時に研磨した。1次研磨工程では、下記の研磨スラリーと、下記の研磨パッドとを用いた。
研磨スラリー:酸化セリウムからなる平均粒径1.5μmの研磨粒子を含有する水溶液
研磨パッド:ウレタン系研磨パッド
1次研磨工程の後、2次研磨工程の前に、洗浄工程を行った。
2次研磨工程では、図4に示す両面研磨機を用いてガラス基板の2つの主表面を同時に研磨した。2次研磨工程では、下記の研磨スラリーと、下記の研磨パッドとを用いた。
研磨スラリー:酸化セリウムからなる平均粒径1.0μmの研磨粒子を含有する水溶液
研磨パッド:ポリエチレンテレフタレートの基材と、その基材上に形成したナップ層とで構成される研磨パッド
2次研磨工程の後、3次研磨工程の前に、洗浄工程を行った。
3次研磨工程では、図4に示す両面研磨機を用いてガラス基板の2つの主表面を同時に研磨した。3次研磨工程では、下記の研磨スラリーと、下記の研磨パッドとを用いた。
研磨スラリー:コロイダルシリカからなる平均粒径30nmの研磨粒子を含有するpH3に調整された水溶液
研磨パッド:超軟質ポリッシャ
3次研磨工程の後、局所加工工程の前に、洗浄工程を行った。
局所加工工程では、片面研磨機を用いてガラス基板の2つの主表面を順番に局所的に加工した。局所加工工程では、下記の研磨スラリーと、下記の研磨パッドとを用いた。
研磨スラリー:酸化セリウムからなる平均粒径1.0μmの研磨粒子を含有する水溶液
研磨パッド:軟質ポリッシャ
局所加工工程の後、仕上げ研磨工程の前に、洗浄工程を行った。
仕上げ研磨工程では、図4に示す両面研磨機を用いてガラス基板の2つの主表面を同時に研磨した。仕上げ研磨工程では、下記の研磨スラリーと、下記の研磨パッドとを用いた。
研磨スラリー:コロイダルシリカからなる平均粒径30nmの研磨粒子を含有するpH3に調整された水溶液
研磨パッド:超軟質ポリッシャ
仕上げ研磨工程の後、平坦度の測定の前に、洗浄工程を行った。
ガラス基板の回路パターン形成面の中央領域の平坦度は、フジノン社製の平坦度測定機により測定した。また、中央領域における低次成分や高次成分、合成成分の平坦度を算出した。
反射膜成膜工程では、第一の主表面上に、イオンビームスパッタリング法を用いて、厚さ2.3nmのMo層と、厚さ4.5nmのSi層とを交互に成膜することを50回繰り返し、反射膜30として厚さ340nmのMo/Si多層反射膜を形成した。
Mo層の成膜条件は以下のとおりである。
ターゲット:Moターゲット
スパッタリングガス:Arガス(ガス圧:0.02Pa)
電圧:700V
成膜速度:0.064nm/sec
膜厚:2.3nm
Si層の成膜条件は以下の通りである。
ターゲット:Siターゲット(ホウ素ドープ)
スパッタリングガス:Arガス(ガス圧:0.02Pa)
電圧:700V
成膜速度:0.077nm/sec
膜厚:4.5nm。
保護膜成膜工程では、反射膜上に、Ru層(図示していない)を、イオンビームスパッタリング法を用いて形成した。
保護膜の形成条件は以下のとおりである。
ターゲット:Ruターゲット
スパッタリングガス:Arガス(ガス圧:0.02Pa)
電圧:700V
成膜速度:0.052nm/sec
膜厚:2.5nm。
次に、保護膜上に、吸収膜40としてTaN層を、マグネトロンスパッタリング法を用いて形成した。
TaN層を成膜条件は、以下のとおりである。
ターゲット:Taターゲット、
スパッタリングガス:ArとN2の混合ガス(Ar:86vol%、N2:14vol%、ガス圧:0.3Pa)、
投入電力:150W、
成膜速度:7.2nm/min、
膜厚:60nm。
低反射膜成膜工程では、吸収膜上に、TaON層(図示していない)を、マグネトロンスパッタリング法を用いて形成した。
低反射膜の形成条件は以下のとおりである。
ターゲット:Taターゲット、
スパッタリングガス:ArとO2とN2の混合ガス(Ar:49vol%、O2:37vol%、N2:14vol%。ガス圧:0.3Pa)
投入電力:250W、
成膜速度:2.0nm/min、
膜厚:8nm。
低反射膜の回路パターン形成面の中央領域の平坦度は、フジノン社製の平坦度測定機により測定した。また、中央領域における低次成分や高次成分、合成成分の平坦度を算出した。
パターン重ね合わせ精度(OPD(Out of plane distortionの略))は、非特許文献(N.Harned,et.al., "EUV Mask flatness compensation in writing and exposure tools relating to total overlay" ,2007 International EUVL Symposium)に開示された方法で計算を行った。より具体的には、パターン重ね合わせ精度は、低反射膜の回路パターン形成面の中央領域における合成成分の平坦度と、露光光入射角の正接(具体的にはtan6°)と、露光時の縮小倍率(具体的には1/4)との積として算出した。パターン重ね合わせ精度は、上記中央領域の平坦度がゼロの理想平面である場合からのパターンのずれの大きさを表す。
試験および計算の結果を表1に示す。表1において、「2次以上の全成分」とは、次数mが2の成分と、低次成分と、高次成分とを重ね合せたものである。
11 回路パターン形成面
11CA 中央領域
12 非回路パターン形成面
21 研磨パッド
21a 樹脂層
21b 基材
30 反射膜
40 吸収膜
40a 回路パターン
50 遮光膜
50a 回路パターン
60 保護膜
70 低反射膜
Claims (4)
- 回路パターンを有する膜が形成される矩形の主表面を有するガラス基板と、
前記膜とを備えるマスクブランクであって、
前記膜の前記ガラス基板とは反対側の主表面は、矩形であって、当該主表面のうち、その四角枠状の外周領域を除く、縦142mm、横142mmの正方形の中央領域の面形状を下記式で表すと、
下記式中のkとlとの和が3以上30以下である全てのaklPk(x)Pl(y)を足した成分の平坦度が22nm以下である、マスクブランク。
- 前記膜は、光を遮光する遮光膜である、請求項1に記載のマスクブランク。
- 前記膜は、光を吸収する吸収膜であり、
前記吸収膜と前記ガラス基板との間に、前記光を反射する反射膜を備える、請求項1に記載のマスクブランク。 - 前記ガラス基板の前記主表面側から、光を反射する反射膜と、前記光を吸収する吸収膜と、前記吸収膜の回路パターンの検査光に対し前記吸収膜よりも低反射特性を有する低反射膜とをこの順で有し、
前記膜は、前記低反射膜である、請求項1に記載のマスクブランク。
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