JP6227255B2 - ダイオード及びその製造方法 - Google Patents
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Description
2…nB層
3…p+層
4…n+層
5…nB層
6…p−層
Claims (4)
- ウェハ厚340から380μmのSiウェハにおいて、一方の面にカソード電極、他方の面にアノード電極を有し、アノード面にp+層、カソード面にn+層を具備し、同じ面から5×1011から1×1013cm-2のドーズ量のn型ドーパントを深さ50から130μmの範囲で拡散して深いnバッファ(nB)層を形成し、さらに前記カソード面からn型ドーパントを20μm以下拡散して浅いnバッファ(nB)層を形成した
ことを特徴とするダイオード。 - 請求項1において、
前記n型ドーパントはPである
ことを特徴とするダイオード。 - 請求項1において、
前記Siウェハの抵抗率は200Ωcm以上である
ことを特徴とするダイオード。 - 前記p+層、前記n+層を形成する前に、n型ドーパントをイオン注入し、1290℃以上で50μm以上拡散して前記深いnバッファ(nB)層を形成し、その後さらにn型ドーパントを注入して拡散することによって深さ20μm以下の前記浅いnバッファ(nB)層を形成する
ことを特徴とする請求項1に記載のダイオードの製造方法。
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